JP2013171819A - 近接センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】周囲温度の変化などの環境の変化を排除して変位体の接近の有無を検出することが容易である近接センサを提供する。
【解決手段】変位体M1の検出すべき方向の変位に伴って電気的又は磁気的特性が変化する検出コイルL1を含む第1共振回路1と、変位体M1の変位による影響を検出コイルL1よりも受け難い基準コイルL2を含む第2共振回路2と、第1共振回路1に接続する第1発振回路3と、第2共振回路2に接続する第2発振回路3’と、第1共振回路1の発振電圧V1に基づいて変位体M1の接近の有無を検出する検出回路4と、第2共振回路2の発振電圧V2の振幅が一定となるように第2発振回路3’のコンダクタンスG0’を制御する帰還制御回路5とを備え、帰還制御回路5は、第1発振回路3のコンダクタンスG0も連動して制御する。
【選択図】図1
【解決手段】変位体M1の検出すべき方向の変位に伴って電気的又は磁気的特性が変化する検出コイルL1を含む第1共振回路1と、変位体M1の変位による影響を検出コイルL1よりも受け難い基準コイルL2を含む第2共振回路2と、第1共振回路1に接続する第1発振回路3と、第2共振回路2に接続する第2発振回路3’と、第1共振回路1の発振電圧V1に基づいて変位体M1の接近の有無を検出する検出回路4と、第2共振回路2の発振電圧V2の振幅が一定となるように第2発振回路3’のコンダクタンスG0’を制御する帰還制御回路5とを備え、帰還制御回路5は、第1発振回路3のコンダクタンスG0も連動して制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、対象物の接近の有無を検出する近接センサに関する。
従来から、コイルを含むセンサ部と発振回路等を含む回路部を分離した、いわゆるアンプ分離型の近接スイッチが知られており、例えば特許文献1に開示されている。この近接スイッチは、コイルを含むセンサ部と、センサ部に近接する物体の有無によってコイルのコンダクタンスが変化することにより、発振状態が変化する発振回路とを備える。また、この近接スイッチは、発振回路の発振状態の変化に応答して近接物体検知信号を導出する出力回路を備える。
そして、この近接スイッチでは、コイルのコンダクタンスの温度による変化を補償するために、センサ部のコイルに負の温度係数を持つ温度補償用の抵抗器を並列接続している。これにより、コイルのコンダクタンスが温度によって変化しても、その変化分を打ち消すことができる。
上記とは異なる方法で温度補償を行う発振回路が、例えば特許文献2に開示されている。この発振回路は、コンデンサとコイルにより構成されているLC回路を備える。このLC回路は、通常の状態では安定した発振を継続するが、LC回路の近傍をコインが通過すると、その発振条件が崩れて発振が停止し、発振の有無により自動販売機等に挿入されたコインの有無が検出できるようになっている。また、この発振回路は、LC回路に定電流を供給する定電流回路と、LC回路の発振電圧をバイアスするバイアス回路とを備える。更に、この発振回路は、LC回路の発振電圧を電流に変換し、これを増幅すると共に、バイアス回路の入力に戻して正帰還をかける正帰還増幅回路とを備える。
そして、この発振回路は、雰囲気温度に応じてループ利得を調節する電流加算方式による温度補償回路を備えている。この温度補償回路は、温度変化に伴うコイルの寄生抵抗値の変化を相殺する電流を、帰還電流に加算する。したがって、雰囲気温度が変化しても、全体としてのループ利得が変化しない構成となっている。
上記近接スイッチでは、温度補償用の抵抗器としてサーミスタ等を用いているが、温度係数のばらつきが大きいため、物体(変位体)の接近を検出する検出距離の温度特性もばらつくという問題がある。
また、上記発振回路では、温度補償回路に設けられた抵抗の定数を変えることにより、温度補償回路の温度係数を変更できるようになっている。但し、このような発振回路は、通常集積回路として形成されることが多く、抵抗の定数を変更することは容易ではない。したがって、温度補償回路の温度係数はほぼ固定される。
しかしながら、コイル(検出コイル)のコンダクタンスは、コイル毎に温度係数が異なる。したがって、温度補償回路の温度係数がほぼ固定されると、コイル毎の温度係数の変化に対して温度特性を容易に変更できないという問題があった。すなわち、上記の各従来例では、周囲温度の変化などの環境の変化を排除して変位体の接近の有無を検出することが容易ではないという問題があった。
本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、周囲温度の変化などの環境の変化を排除して変位体の接近の有無を検出することが容易である近接センサを提供することを目的とする。
本発明の近接センサは、変位体の検出すべき方向の変位に伴って電気的又は磁気的特性が変化する検出コイルを含む第1共振回路と、前記変位体の前記変位による影響を前記検出コイルよりも受け難い基準コイルを含む第2共振回路と、前記第1共振回路に接続する第1発振回路と、前記第2共振回路に接続する第2発振回路と、前記第1共振回路の発振電圧に基づいて前記変位体の接近の有無を検出する検出回路と、前記第2共振回路の発振電圧の振幅が一定となるように前記第2発振回路のコンダクタンスを制御する帰還制御回路とを備え、前記帰還制御回路は、前記第1発振回路のコンダクタンスも連動して制御することを特徴とする。
この近接センサにおいて、前記基準コイルのコンダクタンスに変化をもたらす調節用の部材が配置されることが好ましい。
この近接センサにおいて、前記調節用の部材は、前記変位体と同種の金属材料から成ることが好ましい。
この近接センサにおいて、前記基準コイル又は前記調節用の部材の少なくとも何れか一方の位置を調節する調節機構が設けられることが好ましい。
この近接センサにおいて、前記基準コイルは複数のコイルから成り、前記帰還制御回路は、前記各コイルのコンダクタンスに基づいて前記第2発振回路のコンダクタンスを制御することが好ましい。
この近接センサにおいて、前記帰還制御回路は、前記第1共振回路のコンダクタンスが前記第1発振回路のコンダクタンスを上回ると、前記第1共振回路の発振電圧の振幅が一定となるように前記第1発振回路のコンダクタンスを制御することが好ましい。
この近接センサにおいて、前記各発振回路は1つの発振回路で構成され、前記各共振回路は、前記1つの発振回路を時分割で共用することが好ましい。
この近接センサにおいて、前記1つの発振回路は、起動時には前記第2共振回路に接続し、その後は前記第1共振回路に接続することが好ましい。
本発明は、基準コイルを含む第2共振回路に接続する第2発振回路のコンダクタンスの制御と連動して、検出コイルを含む第1共振回路に接続する第1発振回路のコンダクタンスを制御している。このため、本発明は、周囲温度の変化などの環境の変化を排除して変位体の接近の有無を検出することが容易であるという効果を奏する。
(実施形態1)
以下、本発明に係る近接センサの実施形態1について図面を用いて説明する。本実施形態は、図1に示すように、検出コイルL1と第1コンデンサC1との並列回路から成る第1共振回路1と、基準コイルL2と第2コンデンサC2との並列回路から成る第2共振回路2とを備える。ここで、検出コイルL1は、検出対象である変位体M1(図2参照)の検出すべき方向の変位に伴って電気的特性又は磁気的特性(本実施形態では、コンダクタンス)が変化する。したがって、検出コイルL1を含む第1共振回路1のコンダクタンスは、変位体M1の検出すべき方向の変位に伴って変化する。以下では、第1共振回路1のコンダクタンスを「検出コイルL1のコンダクタンスG1」と称する。
以下、本発明に係る近接センサの実施形態1について図面を用いて説明する。本実施形態は、図1に示すように、検出コイルL1と第1コンデンサC1との並列回路から成る第1共振回路1と、基準コイルL2と第2コンデンサC2との並列回路から成る第2共振回路2とを備える。ここで、検出コイルL1は、検出対象である変位体M1(図2参照)の検出すべき方向の変位に伴って電気的特性又は磁気的特性(本実施形態では、コンダクタンス)が変化する。したがって、検出コイルL1を含む第1共振回路1のコンダクタンスは、変位体M1の検出すべき方向の変位に伴って変化する。以下では、第1共振回路1のコンダクタンスを「検出コイルL1のコンダクタンスG1」と称する。
一方、基準コイルL2は、変位体M1の変位による影響を受け難い位置に配置される。したがって、基準コイルL2を含む第2共振回路2のコンダクタンスは、変位体M1の変位に伴っては変化せず、変化したとしても極僅かである。以下では、第2共振回路2のコンダクタンスを「基準コイルL2のコンダクタンスG2」と称する。
各共振回路1,2には、直流のバイアス電流IB1を生成して各共振回路1,2を励振する発振回路がそれぞれ接続されている。以下では、第1共振回路1に接続される発振回路を「第1発振回路3」、第2共振回路2に接続される発振回路を「第2発振回路3’」とする。第1発振回路3には、第1共振回路1の第1発振電圧V1に基づいて変位体M1の接近の有無を検出する検出回路4が接続されている。また、第2発振回路3’には、バイアス電流IB1を制御して各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’を帰還制御する帰還制御回路5が接続されている。
第1共振回路1は、第1発振回路3により発振が持続する。ここで、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値より大きい場合、発振条件が成立せずに第1共振回路1の発振が停止する。逆に、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値より小さい場合、発振条件が成立して第1共振回路1が発振する。同じく、第2共振回路2は、第2発振回路3’により発振が持続する。ここで、基準コイルL2のコンダクタンスG2が第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の絶対値より大きい場合、発振条件が成立せずに第2共振回路2の発振が停止する。逆に、基準コイルL2のコンダクタンスG2が第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の絶対値より小さい場合、発振条件が成立して第2共振回路2が発振する。
第1発振回路3及び第2発振回路3’は、何れもN型MOSFETから成る1対のスイッチング素子Q1,Q2と、P型MOSFETから成る1対のスイッチング素子Q3,Q4と、N型MOSFETから成る1対のスイッチング素子Q5,Q6とを有する。各スイッチング素子Q1,Q2は、一方のゲートを他方のドレインに接続したクロスカップル接続で互いに接続されている。また、各スイッチング素子Q3,Q4は、カレントミラー回路を構成している。同様に、各スイッチング素子Q5,Q6も、カレントミラー回路を構成している。そして、各スイッチング素子Q3,Q4で構成するカレントミラー回路に、各スイッチング素子Q5,Q6で構成するカレントミラー回路をカスコード接続している。
第1共振回路1は、第1発振回路3の各スイッチング素子Q1,Q2の各ドレイン間に接続される。そして、第1共振回路1の第1発振電圧V1が検出回路4に入力される。また、第2共振回路2は、第2発振回路3’の各スイッチング素子Q1,Q2の各ドレイン間に接続される。そして、第2共振回路2の第2発振電圧V2が帰還制御回路5に入力される。
各発振回路3,3’のスイッチング素子Q4のドレインには、電流DAC(Digital to Analog Convertor)30がそれぞれ接続されている。これら電流DAC30を後述する帰還制御回路5により制御することで、各発振回路3,3’を流れるバイアス電流IB1を制御する。そして、スイッチング素子Q3を介して流れるバイアス電流IB1により、各発振回路3,3’のコンダクタンスが決定する。これら各発振回路3,3’のコンダクタンスが各共振回路1,2のコンダクタンスを上回る限り、スイッチング素子Q1がオンする期間とスイッチング素子Q2がオンする期間とが、発振周波数の周期で交互に繰り返す。これにより、各共振回路1,2の発振が継続する。
検出回路4は、差動増幅器40と、ピークディテクタ(Peak Detector)41と、比較器42とを備える。差動増幅器40は、第1発振電圧V1を増幅して出力する。ピークディテクタ41は、第1発振電圧V1のピーク値を検出する。比較器42は、ピークディテクタ41において検出した第1発振電圧V1のピーク値と、基準電圧VR0とを比較する。比較器42は、変位体M1の接近の有無を示す検出信号を出力する。
本実施形態の検出信号は、第1共振回路1の発振状態によって決定される。例えば、変位体M1が接近して検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値よりも大きくなると、第1共振回路1の発振が停止する。すると、第1発振電圧V1が低下し、比較器42において第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR0を下回る。このため、検出信号はローレベルとなり、変位体M1が接近していることを検出できる。
一方、変位体M1が接近しておらず検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値よりも小さい場合には、第1共振回路1は発振する。すると、比較器42において第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR0を上回るため、検出信号はハイレベルとなり、変位体M1が接近していないことを検出できる。すなわち、本実施形態では、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0と等しくなる位置を境にして、変位体M1の接近の有無を検出することができる。以下、この変位体M1の接近の有無を検出する境界を、「検出点」と称する。
帰還制御回路5は、差動増幅器50と、ピークディテクタ51と、比較器52と、カウンタ53とを備える。差動増幅器50は、第2発振電圧V2を増幅して出力する。ピークディテクタ51は、第2発振電圧V2のピーク値を検出する。比較器52は、ピークディテクタ51において検出した第2発振電圧V2のピーク値と、基準電圧VR0とを比較する。カウンタ53は、比較器52の出力値にしたがってデジタルの出力値を逐次増減する。カウンタ53で得られた出力値は、各発振回路3,3’の電流DAC30にそれぞれ入力される。このカウンタ53からの出力値に基づいて、各発振回路3,3’の電流DAC30がバイアス電流IB1を制御する。例えば、カウンタ53の出力値が大きくなると、電流DAC30は、バイアス電流IB1が大きくなるように制御する。
ここで、各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’は、何れも各発振回路3,3’を流れるバイアス電流IB1の平方根に比例する。各発振回路3,3’を流れるバイアス電流IB1は、カウンタ53の出力値により決定される。したがって、カウンタ53の出力値は、各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’を代表する値となる。
帰還制御回路5は、第2発振電圧V2を監視し、第2発振電圧V2の振幅が一定となるようにバイアス電流IB1を制御する。これにより、帰還制御回路5は、第2共振回路2の発振条件が成立するか否かの臨界状態となるように第2発振回路3’のコンダクタンスG0’を制御する。このため、基準コイルL2のコンダクタンスG2と、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の絶対値とは等しい。また、第1発振回路3は、第2発振回路3’と同様に帰還制御回路5によってバイアス電流IB1を制御される。このため、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の変化に連動する。
ここで、検出コイルL1のコンダクタンスG1は、変位体M1の変位に伴って変化する他、周囲温度の変化などの環境の変化に伴って変化する。このため、例えば、周囲温度が上昇して検出コイルL1のコンダクタンスG1が増大した場合、検出点にずれが生じ、所望の位置で変位体M1の接近の有無を検出できない虞がある。そこで、本実施形態では、検出コイルL1と同じ環境下に配置された基準コイルL2を用いることで、環境の変化による検出点のずれを補正している。
基準コイルL2のコンダクタンスG2は、変位体M1の変位に依らずに、環境の変化に伴ってコンダクタンスG2が変化する。そして、本実施形態では、帰還制御回路5が、基準コイルL2のコンダクタンスG2に基づいて各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’を制御している。
例えば、周囲温度の上昇に伴って各コイルL1,L2のコンダクタンスG1,G2が増大した場合を考える。この場合、帰還制御回路5のカウンタ53の出力値が増大するため、第2発振回路3’のバイアス電流IB1も増大する。これにより、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’が基準コイルL2のコンダクタンスG2と等しくなり、第2発振電圧V2の振幅が一定に維持される。
一方、帰還制御回路5は、第1発振回路3のバイアス電流IB1も同様に制御する。すなわち、カウンタ53の出力値の増大に伴って、第1発振回路3のバイアス電流IB1も増大する。これにより、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化分だけ増大する。つまり、周囲温度の変化に伴う各コイルL1,L2の変化分が、第1発振回路3のコンダクタンスG0に反映されるので、検出点のずれを補正することができる。
上述のように、本実施形態では、検出コイルL1と基準コイルL2とを同じ環境下に配置すれば、周囲温度の変化などの環境の変化により特性値が変化したとしても、変位体M1の検出点のずれを補正することができる。また、本実施形態では、従来のように温度補償用のサーミスタを用いる必要がなく、温度補償回路の抵抗を用いる必要もない。したがって、本実施形態では、従来のように温度補償用の部品の選定に煩わされることがないので、周囲温度の変化などの環境の変化を排除して変位体M1の接近の有無を検出することが容易である。
なお、第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値と、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の絶対値とは等しい必要はない。第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値が、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の絶対値の変化と連動して制御するものであれば、本実施形態の効果を奏することができる。
ところで、本実施形態は、センサの周囲に金属が存在する場合にも好適に利用することができる。すなわち、周囲の金属の影響を受けて検出コイルL1のコンダクタンスG1が増大したとしても、基準コイルL2のコンダクタンスG2も同様の影響を受ける。このため、金属の影響による各コイルL1,L2のコンダクタンスG1,G2の増大分が、帰還制御回路5により各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’に反映される。したがって、センサの周囲に金属が存在する場合にも、本実施形態は検出点に影響を受けず、誤動作することがない。
また、本実施形態は、外来電波(ノイズ)の影響下においても好適に利用することができる。すなわち、外来電波の影響を受けて検出コイルL1のコンダクタンスG1が減少したとしても、基準コイルL2のコンダクタンスG2も同様の影響を受ける。このため、外来電波の影響による各コイルL1,L2のコンダクタンスG1,G2の減少分が、帰還制御回路5により各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’に反映される。したがって、外来電波の影響下においても、本実施形態は検出点に影響を受けず、誤動作することがない。
なお、第1発振回路3及び第2発振回路3’の構成は本実施形態のものに限定される必要はなく、他の構成を採用しても構わない。また、帰還制御回路5の構成も本実施形態のものに限定される必要はなく、他の構成を採用しても構わない。
また、本実施形態のように検出回路4において第1共振回路1の第1振幅電圧V1を監視する代わりに、第1共振回路1の発振周波数を監視することで第1共振回路1の発振状態を弁別し、変位体M1の接近の有無を検出してもよい。
(実施形態2)
以下、本発明に係る近接センサの実施形態2について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。また、以下の説明では、図2における左方向を前方向、右方向を後方向と定めるものとする。更に、以下の説明において、検出コイルL1及び基準コイルL2は同一の形状であり、且つ同一の巻線仕様であるものとする。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、ほぼ同一の発振周波数で駆動されており、互いに干渉しない距離を隔てて配置されているものとする。なお、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れも後述するセンサ本体A1に収納されたプリント配線板上に設けられている。ここでは、プリント配線板の図示を省略している。
以下、本発明に係る近接センサの実施形態2について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。また、以下の説明では、図2における左方向を前方向、右方向を後方向と定めるものとする。更に、以下の説明において、検出コイルL1及び基準コイルL2は同一の形状であり、且つ同一の巻線仕様であるものとする。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、ほぼ同一の発振周波数で駆動されており、互いに干渉しない距離を隔てて配置されているものとする。なお、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れも後述するセンサ本体A1に収納されたプリント配線板上に設けられている。ここでは、プリント配線板の図示を省略している。
本実施形態では、図2に示すように、検出コイルL1及び基準コイルL2は、筒状のセンサ本体A1の内部に収納されている。検出コイルL1は、センサ本体A1の前面近傍に配置されている。この検出コイルL1の前方には、柱状の変位体M1が対向して配置されている。そして、検出コイルL1のコンダクタンスG1は、変位体M1の変位に影響を受けて変化する。一方、基準コイルL2は、変位体M1の変位に影響を受けないように、検出コイルL1と一定の間隔を空けて後側に配置されている。したがって、基準コイルL2のコンダクタンスG2は、変位体M1の変位によっては変化しない。
センサ本体A1は、一定の厚みを有する金属板MP1に設けられた貫通孔に埋め込まれる形で配置されている。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、何れも金属板MP1の貫通孔の内側に位置する。ここで、検出コイルL1のコンダクタンスG1は、金属板MP1の影響を受けて増大するが、基準コイルL2のコンダクタンスG2も、金属板MP1の影響を受けて同様に増大する。したがって、基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化に伴って第2発振回路3’のコンダクタンスG0’が制御されることで、第1発振回路3のコンダクタンスG0も制御される。これにより、検出コイルL1に対する金属板MP1の影響が実質的に排除される。
なお、金属板MP1の代わりに、センサ本体A1を非金属製の板に埋め込む場合には、非金属製の板の影響を受けることがないので、検出コイルL1のコンダクタンスG1は変化しない。
基準コイルL2の後方には、変位体M1と同じ材料で形成された柱状の基準金属体A10が配置されている。なお、基準金属体A10の底面積は、変位体M1の底面積と同じである。基準金属体A10の外周面には、雄ねじ部が形成されている。この雄ねじ部は、センサ本体A1後方の内周面に設けられた雌ねじ部A11と噛み合うことで、ねじ止めされている。したがって、基準金属体A10は、例えばドライバー等の治具により回動することで、その位置を調節可能となっている。このため、基準金属体A10の位置を調節することで、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D0を調節することができる。すなわち、基準金属体A10の雄ねじ部と、センサ本体A1の雌ねじ部A11とが、基準金属体A10の位置を調節する調節機構を構成している。基準コイルL2のコンダクタンスG2は、基準金属体A10の変位に影響を受けて変化する。このため、基準金属体A10は、基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化をもたらす調節用の部材である。
以下、本実施形態の動作について説明する。まず、基準金属体A10の位置を調節して、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D0を決定する。帰還制御回路5は、この調節による基準コイルL2のコンダクタンスG2の変動分に基づいて、各発振回路3,3’のバイアス電流IB1を制御する。これにより、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、基準コイルL2のコンダクタンスG2と等しくなる。
検出コイルL1のコンダクタンスG1は、変位体M1の変位に伴って変化する。そして、変位体M1と検出コイルL1との間隔Xが、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D0と等しくなると、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0と等しくなる。そして、変位体M1が更に接近して間隔Xが間隔D0よりも小さくなると、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0を上回る。これにより、第1発振電圧V1が低下し、比較器42の出力がローレベルとなるため、変位体M1が接近していることを検出する。つまり、検出コイルL1から間隔D0離れた位置が、変位体M1の検出点となる。
上述のように、本実施形態では、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D0は、基準金属体A10の位置を調節することで調節可能である。したがって、この間隔D0を調節することで、変位体M1の検出点を任意に調節することができる。また、本実施形態では、基準コイルL2のコンダクタンスL2に基づいて第1発振回路3のコンダクタンスG0を設定している。このため、周囲温度の変化等の環境の変化により各コイルL1,L2のコンダクタンスG1,G2が変化したとしても、コンダクタンスG1,G2の変化分が第1発振回路3のコンダクタンスG0に反映されるので、検出点に影響を及ぼすことがない。
従来では、検出コイルL1の位置を調節することで変位体M1の検出点を調節していた。しかしながら、検出コイルL1を前方へと移動させて金属板MP1よりも突出させた場合、外部の物体が検出コイルL1に引っ掛かる虞があった。また、検出コイルL1を後方へと引っ込めた場合には、検出コイルL1と金属板MP1の前面との間の空間に塵埃等が溜まり易くなる虞があった。
一方、第1発振回路3のコンダクタンスG0を決定する可変抵抗を設け、可変抵抗の抵抗値を調節することで検出点を電気的に調節する方法も従来あった。しかしながら、この方法を採用する場合には、寄生容量に対して敏感な第1発振回路3の調整が必要であり、人力で調整することが困難であるという問題があった。また、第1発振回路3が高周波を扱うために、巻線型の可変抵抗は使用し難いという問題があった。更に、抵抗値を調節可能な部品は高価であり、コストが増大するという問題もあった。
これに対して、本実施形態では、基準金属体A10の位置を調節することで変位体M1の検出点を調節できるため、従来のように検出コイルL1の位置を調節する必要がなく、上記の問題が生じ得ない。また、本実施形態では、第1発振回路3に可変抵抗を設ける必要もないため、上記の問題が生じ得ない。
なお、本実施形態では、説明を容易にするために検出コイルL1及び基準コイルL2を同一の形状、同一の巻線仕様としたが、必ずしも同一にする必要はない。すなわち、検出コイルL1及び基準コイルL2のコンダクタンスG1,G2が、例えば周囲温度や周囲に存在する金属等の環境の影響を受けて比例的に、又は等差的に変化するものであればよい。そして、このコンダクタンスG1,G2の変化分を、帰還制御回路5により各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’に反映すれば十分である。このような場合、第2共振回路2の発振周波数を第1共振回路1の発振周波数と異なるものにする、或いは基準コイルL2を小型化する等の設計変更が可能である。
(実施形態3)
以下、本発明に係る近接センサの実施形態3について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。また、以下の説明では、図3(a),(b)に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を定めるものとする。また、以下の説明において、検出コイルL1及び基準コイルL2は同一の形状であり、且つ同一の巻線仕様であるものとする。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、ほぼ同一の発振周波数で駆動されており、互いに干渉しない距離を隔てて配置されているものとする。なお、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れも後述するセンサ本体A1に収納されたプリント配線板P1上に設けられている。
以下、本発明に係る近接センサの実施形態3について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。また、以下の説明では、図3(a),(b)に示す矢印によりx方向、y方向、z方向を定めるものとする。また、以下の説明において、検出コイルL1及び基準コイルL2は同一の形状であり、且つ同一の巻線仕様であるものとする。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、ほぼ同一の発振周波数で駆動されており、互いに干渉しない距離を隔てて配置されているものとする。なお、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れも後述するセンサ本体A1に収納されたプリント配線板P1上に設けられている。
本実施形態は、図3(a),(b)に示すように、変位体M1と対向配置される検出コイルL1及び基準コイルL2と、各コイルL1,L2及びプリント配線板P1を収納するセンサ本体A1とを備える。検出コイルL1は、平板状のプリント配線板P1の上面(図3(b)における上面)に形成されるコイルパターンから成る。同じく、基準コイルL2は、プリント配線板P1の上面に形成されるコイルパターンから成る。変位体M1は、例えば鉄系材料で形成された平板状の部材であり、プリント配線板P1の上側においてx方向に沿って移動自在に配設されている。なお、プリント配線板P1の上面と各コイルL1,L2との間には、一定の間隔H1が空けられている。
変位体M1は、z方向において、検出コイルL1と重なり合うように変位する。検出コイルL1のコンダクタンスG1は、変位体M1とのz方向における重なり具合に基づいて変化する。以下では、変位体M1と何れかのコイルL1,L2とが重なり合う量を「オーバーラップ量」と称する。変位体M1の移動範囲は、検出コイルL1に対するオーバーラップ量が0%〜100%となる範囲である。
この移動範囲において、変位体M1の基準コイルL2に対するオーバーラップ量は常に100%であるとする。したがって、基準コイルL2のコンダクタンスG2は、変位体M1のx方向の変位によっては変化しない。勿論、変位体M1の基準コイルL2に対するオーバーラップ量は100%に限定されるものではなく、例えば50%であってもよい。但し、基準コイルL2は、変位体M1の移動範囲の全体に亘って、オーバーラップ量が常に一定となるように配置すべきである。
本実施形態では、帰還制御回路5は、第1発振回路3のコンダクタンスG0が第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の70%となるように第1発振回路3のバイアス電流IB1を制御する。仮に変位体M1の検出コイルL1に対するオーバーラップ量に基づいて、検出コイルL1のコンダクタンスG1が40〜100%の範囲で変化するものとする。既に述べたように、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’の70%となるように制御されている。このため、変位体M1の検出コイルL1に対するオーバーラップ量が50%のときに、検出コイルL1のコンダクタンスG1が70%となり、第1発振回路3のコンダクタンスG0と等しくなる。
したがって、オーバーラップ量が50%よりも大きくなると、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0を上回るため、第1発振電圧V1が低下して検出信号がローレベルとなる。これにより、変位体M1が接近していることを検出することができる。一方、オーバーラップ量が50%よりも小さい場合には、第1共振回路1の発振が続くことから第1発振電圧V1は低下せず、検出信号がハイレベルとなる。これにより、変位体M1が接近していないことを検出できる。
ここで、各検出コイルL1,L2と変位体M1との間は、上述のように一定の間隔H1が空けられている。しかしながら、センサの組立時における工程のばらつきや、センサに外部から与えられる振動等の理由により、変位体M1の位置がz方向にずれ、この間隔H1が変動する場合がある。この場合、第1発振回路3のコンダクタンスG0が固定されていると、間隔H1の変動により、変位体M1の検出点にずれが生じる。
例えば、検出コイルL1に対するオーバーラップ量が50%となる位置を変位体M1の検出点と仮定する。ここで、各コイルL1,L2の位置がずれて間隔H1が大きくなったとする。この場合、第1発振回路3のコンダクタンスG0が固定されていれば、検出コイルL1に対するオーバーラップ量が50%を上回っても変位体M1の接近を検出することができない。すなわち、変位体M1の検出点にずれが生じる。
そこで、本実施形態では、基準コイルL2を用いることで、間隔H1の変化による変位体M1の検出点のずれを補正している。すなわち、間隔H1の変化に伴って各コイルL1,L2のコンダクタンスG1,G2が変化すると、帰還制御回路5は、基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化分に基づいて各発振回路3,3’のバイアス電流IB1を制御する。これにより、間隔H1の変化に伴う基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化分が、第1発振回路3のコンダクタンスG0に反映される。したがって、本実施形態では、間隔H1の変化による変位体M1の検出点のずれを補正することができる。
なお、センサの組立時のばらつき等により、変位体M1がy方向にずれた場合にも、上記と同様に、基準コイルL2を用いて第1発振回路3のコンダクタンスG0を変化させることで、変位体M1の検出点のずれを補正することができる。
ところで、本実施形態は、回転速度センサとしても好適に使用することができる。以下、回転速度センサの一例について図4(a),(b)を用いて説明する。なお、以下の説明では、図4(a)における紙面手前を上方向、紙面奥を下方向と定める。また、配線板P1及びセンサ本体A1は、何れも図示を省略している。この回転速度センサは、図4(a)に示すように、周方向に沿って回転自在な円板状の歯車(変位体)M2と、検出コイルL1と、基準コイルL2とを備える。
歯車M2の外周には、その周方向に沿って複数の歯M20が一定の間隔を空けて突設されている。検出コイルL1は、歯M20の通過領域の上側に配置されている。また、基準コイルL2は、歯車M2における歯M20が設けられていない領域の上側に配置されている。検出コイルL1及び基準コイルL2は、図4(b)に示すように、何れも歯車M2との間に一定の間隔H1を空けて配置されている。また、基準コイルL2は、歯M20の移動に伴ってコンダクタンスG2が変化しない位置に配置されている。
検出コイルL1のコンダクタンスG1は、歯M20が検出コイルL1の下側を通過するときに増大する。このため、検出回路4の出力する検出信号は、歯M20が検出コイルL1の下側を通過するタイミングでローレベルとなり、それ以外ではハイレベルとなる。したがって、検出信号の周期を計測することで、歯車M2の回転速度を検出することができる。
この回転速度センサにおいても、間隔H1の変化や、変位体M1のy方向のずれが生じた場合には、基準コイルL2を用いて第1発振回路3のコンダクタンスG0を変化させることで、変位体M1の検出点のずれを補正することができる。
(実施形態4)
以下、本発明に係る近接センサの実施形態4について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。なお、以下の説明では、図5(a)における紙面手前を上方向、紙面奥を下方向と定める。また、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れもプリント配線板P1上に設けられている。このプリント配線板P1及びセンサ本体A1は、図示を省略している。
以下、本発明に係る近接センサの実施形態4について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。なお、以下の説明では、図5(a)における紙面手前を上方向、紙面奥を下方向と定める。また、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れもプリント配線板P1上に設けられている。このプリント配線板P1及びセンサ本体A1は、図示を省略している。
実施形態3の回転速度センサにおいて、図4(b)に示すように、本来であれば、各コイルL1,L2と歯車M2との間隔は均一である。しかしながら、センサの組立時における工程のばらつきや、センサに外部から与えられる振動等の理由により歯車M2が傾く場合がある。この場合、歯車M2が各コイルL1,L2に対して傾いて配置されることにより、検出コイルL1と歯車M2との間隔と、基準コイルL2と歯車M2との間隔とが互いに異なってしまう。
このため、基準コイルL2のコンダクタンスG2に基づいて第1発振回路3のコンダクタンスG0を変化させると、間隔のずれにより検出点のずれを正しく補正することができない。したがって、検出信号のハイレベル・ローレベルの切替タイミングにもずれが生じるため、所望の検出特性を得ることができないという問題がある。本実施形態は、上記の問題を解消するものである。
本実施形態は、回転速度センサとして使用するものであって、図5(a)に示すように、周方向に沿って回転自在な円板状の回転体(変位体)M3と、検出コイルL1と、2つの基準コイルL2とを備える。
回転体M3の内側には、周方向に沿って複数の空隙M30が一定の間隔を空けて設けられている。検出コイルL1は、空隙M30の通過領域の上側に配置されている。各基準コイルL2は、回転体M3における空隙M30の設けられていない領域の上側で、且つ基準コイルL1を挟む形で配置されている。これら基準コイルL2は直列(又は並列)に接続されており、回路的には1つのインダクタとして機能する。
検出コイルL1のコンダクタンスG1は、空隙M30が検出コイルL1の下側を通過するときに減少する。このため、検出回路4の出力する検出信号は、空隙M30が検出コイルL1の下側を通過するタイミングでハイレベルとなり、それ以外ではローレベルとなる。したがって、検出信号の周期を計測することで、回転体M3の回転速度を検出することができる。
ここで、回転体M3の中心に近い一方の基準コイルL2と回転体M3との間隔を「H1」、検出コイルL1と回転体M3との間隔を「H2」、回転体M3の中心から遠い他方の基準コイルL2と回転体M3との間隔を「H3」とする。間隔H1は間隔H2よりも小さく、間隔H3は間隔H2よりも大きくなっており、各基準コイルL2と回転体M3との間隔H1,H3は、何れも検出コイルL1と回転体M3との間隔H2と異なっている。但し、間隔H1,H3の平均値は間隔H2とほぼ等しくなる。このため、各基準コイルL2の合成コンダクタンスを用いることで、間隔のずれの影響を相殺することができる。
そして、本実施形態では、検出コイルL1を挟んで設けられた2つの基準コイルL2の合成コンダクタンスに基づいて第1発振回路3のコンダクタンスG0を変化させている。これにより、間隔のずれを相殺することができ、検出点のずれを正しく補正することができる。したがって、検出信号のハイレベル・ローレベルの切替タイミングのずれも低減することができ、所望の検出特性に近付けることができる。
なお、本実施形態では2つの基準コイルL2を用いているが、3つ以上の基準コイルL2を用いてもよい。また、各基準コイルL2は、検出コイルL1を挟んで等間隔に配置されるのが望ましい。このように構成することで、間隔のずれを効率良く相殺することができるので、望ましい。
また、本実施形態では、2つの基準コイルL2を直列(又は並列)に接続して1つのインダクタとして機能させているが、他の構成であってもよい。例えば、後述する実施形態5のように、1つの第1発振回路3に対して各基準コイルL2を時分割で切り替えて接続する構成であってもよい。この場合、各基準コイルL2を接続した状態における第1発振回路3のコンダクタンスG0をそれぞれ求め、例えばその平均値を、検出コイルL1を第1発振回路3に接続した状態における第1発振回路3のコンダクタンスG0として用いればよい。
(実施形態5)
以下、本発明に係る近接センサの実施形態5について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図6に示すように、第1共振回路1及び第2共振回路2の何れか一方を第1発振回路3に択一的に切り替えて接続する構成となっている。なお、各共振回路1,2を第1発振回路3に択一的に切り替えて接続する切替手段については従来周知であるので、ここでは説明を省略する。
以下、本発明に係る近接センサの実施形態5について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図6に示すように、第1共振回路1及び第2共振回路2の何れか一方を第1発振回路3に択一的に切り替えて接続する構成となっている。なお、各共振回路1,2を第1発振回路3に択一的に切り替えて接続する切替手段については従来周知であるので、ここでは説明を省略する。
第1共振回路1及び第2共振回路2は、第1発振回路3と、制御回路6とを共用する。制御回路6は、差動増幅器60と、ピークディテクタ61と、比較器62と、カウンタ63と、モード制御回路64とを備える。差動増幅器60は、第1発振電圧V1又は第2発振電圧V2を増幅して出力する。ピークディテクタ61は、第1発振電圧V1又は第2発振電圧V2のピーク値を検出する。比較器62は、ピークディテクタ61において検出した第1発振電圧V1のピーク値又は第2発振電圧V2のピーク値と、基準電圧VR0とを比較し、比較結果に基づいた信号を出力する。
カウンタ63は、後述する基準モードにおいて、比較器62の出力値にしたがってデジタルの出力値を逐次増減する。また、カウンタ63は、後述する検出モードにおいては、比較器62の出力値に依らず、基準モードで最終的に得られた出力値を保持する。モード制御回路64は、切替手段と同期している。そして、モード制御回路64は、第1共振回路1が第1発振回路3に接続されている状態では検出モードでカウンタ63を動作させる。また、モード制御回路64は、第2共振回路2が第1発振回路3に接続されている状態では基準モードでカウンタ63を動作させる。
以下、本実施形態の動作について説明する。先ず、切替手段により第2共振回路2が第1発振回路3に接続されると、モード制御回路64は、カウンタ63を基準モードに切り替える。そして、制御回路6では、カウンタ63が比較器62の出力値にしたがってデジタルの出力値を逐次増減する。カウンタ63で得られた出力値は、第1発振回路3の電流DAC30に入力される。このカウンタ63からの出力値に基づいて、第1発振回路3の電流DAC30がバイアス電流IB1を制御する。例えば、カウンタ53の出力値が大きくなると、電流DAC30は、バイアス電流IB1が大きくなるように制御する。このように、制御回路6は、第2発振電圧V2が一定となるようにバイアス電流IB1を制御する。これにより、基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化分が第1発振回路3のコンダクタンスG0に反映される。すなわち、基準モードにおいては、制御回路6は帰還制御回路5として動作する。
次に、切替手段により第1共振回路1が第1発振回路3に接続されると、モード制御回路64は、カウンタ63を検出モードに切り替える。そして、カウンタ63の出力値は、基準モードにおいて最終的に得られた出力値に保持される。このカウンタ63からの出力値に基づいて、第1発振回路3の電流DAC30がバイアス電流IB1を制御する。これにより、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、基準モードにおける基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化分が反映された値に固定される。ここで、検出モードでは、比較器62は変位体M1の接近の有無を示す検出信号を出力する。すなわち、検出モードにおいては、制御回路6は検出回路4として動作する。
本実施形態の検出信号は、第1共振回路1の発振状態によって決定される。例えば、変位体M1が接近して検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値よりも大きくなると、第1共振回路1の発振が停止する。すると、比較器62において第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR0を下回るため、検出信号はハイレベルとなり、変位体M1が接近していることを検出できる。一方、変位体M1が接近しておらず検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の絶対値よりも小さい場合には、第1共振回路1は発振する。すると、比較器62において第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR0を上回るため、検出信号はローレベルとなり、変位体M1が接近していないことを検出できる。
本実施形態では、切替手段により各共振回路1,2を一定時間毎に交互に第1発振回路3に接続するように構成している。すなわち、本実施形態において、各共振回路1,2は発振回路3を時分割で共用している。このため、共振回路1,2毎に発振回路を設ける必要がないので、回路構成を簡略化して小型化を図ることができ、更に製造コストを低減することができる。
なお、センサの起動時にのみ第2共振回路2を発振回路3に接続し、その後は第1共振回路1のみを発振回路3に接続する構成(すなわち、センサの起動時のみ基準モードで動作し、その後は検出モードで動作する構成)でもよい。この構成では、検出モードに切り替わってからは基準モードに切り替わることがない。したがって、この構成では、検出モードに一度切り替わると、間断なく変位体M1の接近の有無を検出することができ、応答性を確保することができる。また、本実施形態では、共振回路1,2毎に第1コンデンサC1、第2コンデンサC2を設けているが、1つのコンデンサを各共振回路1,2で共用してもよい。
ところで、本実施形態では、検出モードにおいて、単一の基準電圧VR0と第1発振電圧V1とを比較することで検出信号のレベルを切り替えているが、チャタリングが発生する虞がある。そこで、チャタリングの発生を防ぐために、比較器62において基準電圧VR0の他に閾値電圧を設け、ヒステリシスを付与してもよい。或いは、比較器62に閾値電圧を設ける代わりに、カウンタ63の出力値を検出信号のレベルに基づいて切り替えることで、ヒステリシスを付与してもよい。
(実施形態6)
以下、本発明に係る近接センサの実施形態6について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。なお、本実施形態では、説明を簡単にするために、検出コイルL1及び基準コイルL2は同一の形状であり、且つ同一の巻線仕様であるものとする。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、ほぼ同一の発振周波数で駆動されており、互いに干渉しない距離を隔てて配置されているものとする。更に、変位体M1及び基準金属体A10は、同一の形状であり、且つ同一の金属材料で形成されているものとする(図8(a)参照)。このため、変位体M1と検出コイルL1との間隔Xが、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D0と等しくなると、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0と等しくなる。
以下、本発明に係る近接センサの実施形態6について図面を用いて説明する。但し、本実施形態の基本的な構成は実施形態1と共通であるので、共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。なお、本実施形態では、説明を簡単にするために、検出コイルL1及び基準コイルL2は同一の形状であり、且つ同一の巻線仕様であるものとする。また、検出コイルL1及び基準コイルL2は、ほぼ同一の発振周波数で駆動されており、互いに干渉しない距離を隔てて配置されているものとする。更に、変位体M1及び基準金属体A10は、同一の形状であり、且つ同一の金属材料で形成されているものとする(図8(a)参照)。このため、変位体M1と検出コイルL1との間隔Xが、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D0と等しくなると、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0と等しくなる。
なお、各コイルL1,L2を除いた各共振回路1,2、各発振回路3,3’、検出回路4、帰還制御回路5は、何れもセンサ本体A1に収納されたプリント配線板P1上に設けられている。ここでは、センサ本体A1及びプリント配線板P1を省略する。
実施形態1では、変位体M1が検出点に到達し、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0を上回ると、第1発振電圧V1が低下して第1共振回路1の発振が停止する。しかしながら、発振が一度停止すると、再度第1共振回路1を発振させるためには時間を要する。このため、例えば回転体M2を用いた回転速度センサ等では、回転体M2の速度が高速になると、歯車M20の接近の有無を連続して検出することができなくなる虞がある。
そこで、本実施形態では、図7に示すように、帰還制御回路5において、比較器52をオペアンプ52に換えている。また、帰還制御回路5において、更にオペアンプ54と、3つのN型MOSFETから成るスイッチング素子55〜57を新たに設けている。また、各発振回路3,3’において、電流DAC30の代わりにP型MOSFETから成るスイッチング素子Q7を新たに設けている。
オペアンプ52は、ピークディテクタ51において検出した第2発振電圧V2のピーク値と、基準電圧VR0との差分に基づいた電圧を出力する。オペアンプ54は、ピークディテクタ41において検出した第1発振電圧V1のピーク値と、基準電圧VR1(<VR0)との差分に基づいた電圧を出力する。スイッチング素子55は、ソースがグランドに、ドレインが第1発振回路3のスイッチング素子Q7のドレインに接続されている。また、スイッチング素子55のゲートには、オペアンプ54の出力電圧が入力されている。
スイッチング素子56は、ソースがグランドに、ドレインが第2発振回路3’のスイッチング素子Q7のドレインに接続されている。また、スイッチング素子56のゲートには、オペアンプ52の出力電圧が入力されている。スイッチング素子57は、ソースがグランドに、ドレインが第1発振回路3のスイッチング素子Q7のドレインに接続されている。また、スイッチング素子57のゲートには、オペアンプ52の出力電圧が入力されている。
各発振回路3,3’のスイッチング素子Q7は、そのゲート及びソースがスイッチング素子Q3,Q4の各ゲート及びソースとそれぞれ接続されている。このため、各スイッチング素子Q3,Q4,Q7でカレントミラー回路を構成している。したがって、スイッチング素子Q7のドレイン電流が各発振回路3,3’を流れるバイアス電流IB1に等しくなる。
以下、本実施形態の動作について説明する。帰還制御回路5において、スイッチング素子56のドレイン電流I2は、オペアンプ52の出力電圧に比例する。そして、このドレイン電流I2に基づいて、第2発振回路3’のスイッチング素子Q7のドレイン電流を制御する。例えば、基準コイルL2のコンダクタンスG2が低下して第2発振電圧V2のピーク値が想定よりも大きくなった場合、オペアンプ52の出力電圧が低下する。これに伴ってスイッチング素子56のドレイン電流I2も低下するため、第2発振回路3’のスイッチング素子Q7のドレイン電流も低下する。このため、ドレイン電流I2の低下に伴って第2発振回路3’を流れるバイアス電流IB1も低下することで、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’も低下する。すなわち、帰還制御回路5は、実施形態1と同様に、第2発振電圧V2の振幅が一定となるように制御することで、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’を基準コイルL2のコンダクタンスG2と等しくなるように制御する。
また、帰還制御回路5において、スイッチング素子57のドレイン電流I2も、オペアンプ52の出力電圧に比例する。そして、このドレイン電流I2に基づいて、第1発振回路3のスイッチング素子Q7のドレイン電流を制御する。このため、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、第2発振回路3’のコンダクタンスG0’と同様に、基準コイルL2のコンダクタンスG2の変化に伴って変動する。すなわち、帰還制御回路5は、実施形態1と同様に、基準コイルL2のコンダクタンスG2に基づいて各発振回路3,3’のコンダクタンスG0,G0’を制御している。
ここで、変位体M1が検出点に到達し、第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR0を上回る場合について説明する。このとき、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0を上回るため、第1発振電圧V1が低下する。そして、第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR1を下回ると、帰還制御回路5のオペアンプ54の出力電圧が上昇し、スイッチング素子55のドレイン電流I1が増大する。このスイッチング素子55のドレイン電流I1と、スイッチング素子57のドレイン電流I2との和に基づいて、第1発振回路3のスイッチング素子Q7のドレイン電流を制御する。そして、各ドレイン電流I1,I2の和の上昇に伴って第1発振回路3を流れるバイアス電流IB1も上昇する。これにより、第1発振回路3のコンダクタンスG0が上昇し、第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR1と等しくなるように制御される(図8(b)参照)。すなわち、帰還制御回路5は、第1発振電圧V1の振幅が一定となるように制御することで、第1発振回路3のコンダクタンスG0を検出コイルL1のコンダクタンスG1と等しくなるように制御する。
なお、変位体M1が更に検出コイルL1に接近し、変位体M1と検出コイルL1との間隔Xが、基準コイルL2と基準金属体A10との間隔D1(<D0)に達すると、第1発振回路3のコンダクタンスG0は、回路の制約上、最大値に達して頭打ちとなる。このため、図8(b)に示すように、検出コイルL1のコンダクタンスG1の変化に第1発振回路3のコンダクタンスG0が追従できなくなり、第1発振電圧V1が低下し、第1共振回路1の発振が停止する。
上述のように、本実施形態では、変位体M1が検出点に到達し、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0を上回ったとしても、第1発振回路3のコンダクタンスG0が検出コイルL1のコンダクタンスG1に追従する。そして、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の最大値を超えない限りは、第1共振回路1の発振は直ぐには停止しない。このため、例えば回転体M2を用いた回転速度センサ等において、本実施形態は特に有効である。すなわち、回転体M2の速度が高速になった場合でも、検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0の最大値を超えない限りは、歯車M20の接近の有無を連続して検出することができる。
ところで、従来であれば、変位体M1が接近して検出コイルL1のコンダクタンスG1が第1発振回路3のコンダクタンスG0を上回ると、第1共振回路3の発振は停止する。また、例えばコイルの断線やショート、その他の原因によりセンサが故障した場合にも、第1共振回路3の発振は停止する。すなわち、従来では、センサの故障により第1共振回路3の発振が停止しているのか、単に変位体M1が接近しているために第1共振回路3の発振が停止しているのかを区別することができなかった。
本実施形態では、D1<X<D0の範囲であれば第1共振回路1の発振は停止しない。これを利用して、本実施形態では、基準電圧VR2(<VR1)と第1発振電圧V1のピーク値とを比較する比較器43を設けることで、センサの故障の有無を判定できるようにしている。比較器43からは、故障の発生の有無を示す故障判定信号が出力される。本実施形態では、比較器43において第1発振電圧V1のピーク値が基準電圧VR2を下回った場合、故障発生信号がハイレベルとなる。すなわち、本実施形態では、通常の動作時においては発振が停止しないはずの第1共振回路1の発振の停止を検出した場合、センサが故障したと判定する。したがって、本実施形態では、変位体M1が接近している状態であっても、センサの故障の有無を判定することができる。
1 第1共振回路
2 第2共振回路
3 第1発振回路
3’ 第2発振回路
4 検出回路
5 帰還制御回路
L1 検出コイル
L2 基準コイル
2 第2共振回路
3 第1発振回路
3’ 第2発振回路
4 検出回路
5 帰還制御回路
L1 検出コイル
L2 基準コイル
Claims (8)
- 変位体の検出すべき方向の変位に伴って電気的又は磁気的特性が変化する検出コイルを含む第1共振回路と、前記変位体の前記変位による影響を前記検出コイルよりも受け難い基準コイルを含む第2共振回路と、前記第1共振回路に接続する第1発振回路と、前記第2共振回路に接続する第2発振回路と、前記第1共振回路の発振電圧に基づいて前記変位体の接近の有無を検出する検出回路と、前記第2共振回路の発振電圧の振幅が一定となるように前記第2発振回路のコンダクタンスを制御する帰還制御回路とを備え、前記帰還制御回路は、前記第1発振回路のコンダクタンスも連動して制御することを特徴とする近接センサ。
- 前記基準コイルのコンダクタンスに変化をもたらす調節用の部材が配置されることを特徴とする請求項1記載の近接センサ。
- 前記調節用の部材は、前記変位体と同種の金属材料から成ることを特徴とする請求項2記載の近接センサ。
- 前記基準コイル又は前記調節用の部材の少なくとも何れか一方の位置を調節する調節機構が設けられることを特徴とする請求項2又は3記載の近接センサ。
- 前記基準コイルは複数のコイルから成り、前記帰還制御回路は、前記各コイルのコンダクタンスに基づいて前記第2発振回路のコンダクタンスを制御することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の近接センサ。
- 前記帰還制御回路は、前記第1共振回路のコンダクタンスが前記第1発振回路のコンダクタンスを上回ると、前記第1共振回路の発振電圧の振幅が一定となるように前記第1発振回路のコンダクタンスを制御することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の近接センサ。
- 前記各発振回路は1つの発振回路で構成され、前記各共振回路は、前記1つの発振回路を時分割で共用することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の近接センサ。
- 前記1つの発振回路は、起動時には前記第2共振回路に接続し、その後は前記第1共振回路に接続することを特徴とする請求項7記載の近接センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012037062A JP2013171819A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 近接センサ |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10151616B1 (en) | 2017-11-28 | 2018-12-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Flowable material level sensing with shaped electrodes |
JP2020034373A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社富士通ゼネラル | 信号処理装置及びセンサ装置 |
-
2012
- 2012-02-23 JP JP2012037062A patent/JP2013171819A/ja active Pending
Cited By (3)
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JP2020034373A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社富士通ゼネラル | 信号処理装置及びセンサ装置 |
JP7163670B2 (ja) | 2018-08-29 | 2022-11-01 | 株式会社富士通ゼネラル | 信号処理装置及びセンサ装置 |
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