JP2013168438A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】拡散深さを抑えつつ不純物量の多い拡散層を形成できるようにする。
【解決手段】本発明は、固相拡散にて拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であり、下から順にノンドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造、または下から順にAsドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を形成する工程と、前記積層構造に対して固相拡散を行う工程と、を含み、それぞれの膜の不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、Si基板中の不純物濃度のプロファイルを調整することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、固相拡散にて拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であり、下から順にノンドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造、または下から順にAsドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を形成する工程と、前記積層構造に対して固相拡散を行う工程と、を含み、それぞれの膜の不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、Si基板中の不純物濃度のプロファイルを調整することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程における不純物の拡散は、イオン注入が主流となってきているが、固相拡散を採用せざるを得ない場合がある。
これまでの固相拡散について簡単に説明すると、図5に示すようにSi(シリコン)基板1上のP(燐)ドープ(P−doped)ポリシリコン膜2の単層、あるいは図6に示すようにSi基板1上のAs(砒素)ドープ(As−doped)ポリシリコン膜3の単層に熱処理を行うことで拡散層を形成している。
このような固相拡散による拡散層の形成例は、特許文献1に示されている。特許文献1にはシリコンピラーを用いた縦型トランジスタを有する半導体記憶装置の製造方法が示され、特にシリコンピラーの下部に、下部拡散層を形成するために固相拡散が実施される。
図7を参照して、上記半導体記憶装置における縦型トランジスタ及びその周囲の構造を簡単に説明する。
図7において、縦型トランジスタは、Si基板1に形成された複数のシリコンピラー10と、ゲート絶縁膜13を介してシリコンピラー10の側面を覆うゲート電極14と、シリコンピラー10の下部、上部にそれぞれ形成された下部拡散層11、上部拡散層12と、下部拡散層11に接続されたビット線BLと、コンタクト16を介して上部拡散層12に接続された記憶素子Cpとを含む。
図8を参照して、下部拡散層11の形成工程を2つの例について説明する。
図8(a)の第1の例では、複数のシリコンピラー10の間の溝の底部にビット線となる導電膜20を形成する。次に、溝の側壁(内壁)の一方において導電膜20に隣接する部分を除いて、溝の側壁及びシリコンピラー10の上面を覆うようにシリコン酸化膜21を形成する。続いて、例えばモノシラン(SiH4)とホスフィン(PH3)を原料ガスとするCVD(Chemical Vapor Deposition)法により、複数のシリコンピラー10の間の溝をPドープSi単層膜22で埋設する。次に、所定の温度及び時間だけ熱処理を行うことにより、シリコン酸化膜21の無い部分に対応するシリコンピラー10には拡散層23が形成される。PドープSi単層膜22は後に除去される。
一方、図8(b)の第2の例では、複数のシリコンピラー10の間の溝の底部にビット線となる導電膜20を形成する。次に、溝の側壁の一方において導電膜20に隣接する部分を除いて、溝の側壁及びシリコンピラー10の上面を覆うようにシリコン酸化膜21を形成する。続いて、例えばモノシラン(SiH4)とアルシン(AsH3)を原料ガスとするCVD法により、複数のシリコンピラー10の間の溝をAsドープSi単層膜25で埋設する。次に、所定の温度及び時間だけ熱処理を行うことにより、シリコン酸化膜21の無い部分に対応するシリコンピラー10には拡散層26が形成される。AsドープSi単層膜25は後に除去される。
図9は、Pドープポリシリコン単層膜及びAsドープポリシリコン単層膜を用いた固相拡散によりP拡散層及びAs拡散層を形成する場合の深さ(拡散長)−濃度プロファイルを示している。
図9から理解できるように、Pの場合は拡散が速く、拡散長は長い。このため、縦型トランジスタを形成する際にPの染み出し量が多くなりすぎてシリコンピラー10の底部を塞いでしまい(図8(a))、その結果、フローティングボディ効果によりトランジスタ特性が不安定になるという問題がある。
一方、Asの場合は拡散が遅く、拡散長は短い。このため、縦型トランジスタを形成する際にAsの染み出し量が少なすぎてシリコンピラー10の底部に十分な量の不純物を供給できずに、高抵抗の拡散層26が形成されてしまい(図8(b))、十分なオン電流が得られないという問題がある。
そこで本発明の課題は、拡散深さを抑えつつ不純物量の多い拡散層を形成できるようにしようとするものである。
本発明の態様によれば、固相拡散にて拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、下から順にノンドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造、または下から順にAsドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を形成する工程と、前記積層構造に対して固相拡散を行う工程と、を含み、それぞれの膜の不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、Si基板中の不純物濃度のプロファイルを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、固相拡散にて拡散層を形成する際、下から順にノンドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を用いることにより、下層のノンドープシリコン膜の膜厚を調整することによってSi基板中へのPの拡散深さ、すなわちP不純物プロファイルを調整することができる。
また下から順にAsドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を用いてそれぞれの不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、Si基板中でのAs不純物プロファイル、P不純物プロファイルを所望のプロファイルに調整することができる。
本発明の実施形態について説明する前に、図2、図3を参照して、本発明に係る拡散層形成の概念を2つの例について説明する。
図2は、Si基板1上に順に、ノンドープ(non−doped)ポリシリコン膜4、Pドープ(P−doped)ポリシリコン膜2の積層構造を形成した例を示している。
図3は、Si基板1上に順に、Asドープ(As−doped)ポリシリコン膜3、Pドープ(P−doped)ポリンリコン膜2の積層構造を形成した例を示している。
固相拡散にて拡散層を形成する際、図2のように上から順にPドープポリシリコン膜2/ノンドープポリシリコン膜4の積層構造を用いることにより、下層のノンドープポリシリコン膜4の膜厚を調整することによってSi基板1中へのPの拡散深さを調整することができる。すなわち、Pドープポリシリコン膜2の下にノンドープポリシリコン膜4を配設することでノンドープポリシリコン膜2の厚さ分だけPの拡散距離を拡張することにより、不純物の最終的拡散深さ(P不純物プロファイル)の調整を高精度で実現することができる。
一方、固相拡散にて拡散層を形成する際、図3のように上から順にPドープポリシリコン膜2/Asドープポリシリコン膜3の積層構造を用い、それぞれの不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、図4の積層構造の場合(仮想値)のプロファイルのようにSi基板1の表面近傍は低抵抗化のために不純物濃度を高く、Si基板1中は電界緩和のために不純物濃度プロファイルの傾きを緩やかに、且つ不純物の拡散深さを抑制する等、所望の不純物プロファイルが得られるように調整することができる。すなわち、Pドープポリシリコン膜2の下にAsドープポリシリコン膜3を配設することでAsドープポリシリコン膜3の厚さ分だけPの拡散距離を拡張することにより、不純物の最終的拡散深さの調整を高精度で実現することができる。特に、Asも同時に拡散するので、より高濃度の不純物の拡散層が得られ、低抵抗を実現することができる。但し、Asドープポリシリコン膜3の場合は下にAs吸着用のシリコン膜を設けることが望ましく、その理由は後述する。
図1は、本発明による半導体装置の製造方法において要部をなす拡散層の形成工程を、図5で説明したような縦型トランジスタにおけるシリコンピラーの下部拡散層の形成に適用した場合の縦断面図を示す。図1は、図3の例を適用した場合について示しているが、図2の場合も同様である。
図1において、複数のシリコンピラー10の間の溝の底部にビット線となる導電膜20を形成する。次に、溝の側壁(内壁)の一方において導電膜20に隣接する部分を除いて、溝の側壁及びシリコンピラー10の上面を覆うようにシリコン酸化膜21を形成する。続いて、Asドープポリシリコン膜3を溝が埋まらないように形成した後、Pドープポリシリコン膜2を溝が埋まるように形成する。次に、所定の温度(例えば800℃)及び時間(例えば20分)だけ熱処理(固相拡散)を行うことにより、シリコン酸化膜21の無い部分に対応するシリコンピラー10には拡散層30が形成される。この場合、Asドープポリシリコン膜3を通過してPが拡散するので、拡散深さを抑えつつ且つ不純物量の多い拡散層を形成することができる。この後、Asドープポリシリコン膜3、Pドープポリシリコン膜2は除去される。
なお、図3で説明したように、Asドープポリシリコン膜3の下には、As吸着層としてノンドープポリシリコン膜を設けることが望ましい。これは、以下の理由による。図1において、複数のシリコンピラー10の間の溝の側壁部において拡散層30が形成される部分は、Si基板が露出しているが、この部分以外はシリコン酸化膜21で覆われている。それゆえ、溝の内面に均一なAsドープポリシリコン膜3を形成するためには、少なくとも溝の内面にAs吸着層としてノンドープポリシリコン膜を配設することが望ましい。膜厚は1〜2nmで十分である。
以上のように、下から順にAsドープポリシリコン膜3、Pドープポリシリコン膜2の積層構造を用いてそれぞれの不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、Si基板中での不純物プロファイルを所望のプロファイルに調整することができる。
以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
1 Si基板
2 Pドープポリシリコン膜
3 Asドープポリシリコン膜
4 ノンドープポリシリコン膜
10 シリコンピラー
11、23、26、30 拡散層
20 導電膜
21 シリコン酸化膜
22 PドープSi単層膜
2 Pドープポリシリコン膜
3 Asドープポリシリコン膜
4 ノンドープポリシリコン膜
10 シリコンピラー
11、23、26、30 拡散層
20 導電膜
21 シリコン酸化膜
22 PドープSi単層膜
Claims (3)
- 固相拡散にて拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、
下から順にノンドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造、または下から順にAsドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を形成する工程と、
前記積層構造に対して固相拡散を行う工程と、を含み、
それぞれの膜の不純物濃度、膜厚の少なくとも一方を調整することにより、Si基板中の不純物濃度のプロファイルを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記Asドープシリコン膜、Pドープシリコン膜の積層構造を形成する工程の前に、更に前記Si基板と前記Asドープシリコン膜との間に、ノンドープシリコン膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置はシリコンピラーを用いた縦型トランジスタを有するものであり、前記固相拡散にて拡散層を形成する工程を、前記シリコンピラーの下部に形成される下部拡散層に対して行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012029757A JP2013168438A (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
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ID=49178651
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112351990A (zh) * | 2018-04-05 | 2021-02-09 | 合同酒精株式会社 | 来自饲料类芽孢杆菌(Paenibacillus pabuli)的能够制造低聚半乳糖的酶及制造低聚半乳糖的方法 |
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2012
- 2012-02-14 JP JP2012029757A patent/JP2013168438A/ja active Pending
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