JP2013157420A - Adhesive tape for manufacturing of semiconductor wafer and the like - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive tape for manufacturing of a semiconductor wafer and the like, which can exert a good pickup property even when adhered to a wafer within a few hours after grinding.SOLUTION: An adhesive tape for manufacturing of a semiconductor wafer and the like comprises a base material layer and an adhesive layer. The adhesive layer contains base polymer, isocyanate-based cross-linking agent and urethane acrylate. The urethane acrylate has residual polymerization catalyst which is used in manufacturing of the urethane acrylate and a residual amount of the polymerization catalyst is not less than 70 ppm and not more than 200 ppm.

Description

本発明は、半導体ウエハ等加工用粘着テープに関するものである。   The present invention relates to an adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like.

従来、半導体ウエハは、シリコン系化合物、ゲルマニウム系化合物や、ガリウム−ヒ素系化合物などの化合物からなり、一般的に、大径の状態で製造された後、所定の厚さになる様に裏面研削処理(バックグラインド)が施される。また、半導体ウエハは、必要に応じてさらに裏面処理(エッチング処理、ポリッシング処理など)が施される。このように処理された半導体ウエハは、次に、その裏面にダイシング用粘着テープが貼り付けされた後、素子小片(半導体チップ)に切断分離(ダイシング)される。   Conventionally, a semiconductor wafer is made of a compound such as a silicon-based compound, a germanium-based compound, or a gallium-arsenic-based compound. Generally, after being manufactured in a large diameter state, it is ground to a predetermined thickness. Processing (back grinding) is performed. Further, the semiconductor wafer is further subjected to back surface processing (etching processing, polishing processing, etc.) as necessary. The semiconductor wafer thus processed is then cut and separated (diced) into element pieces (semiconductor chips) after a dicing adhesive tape is attached to the back surface thereof.

前記ダイシング用粘着テープは、粘着剤層(厚み:約1〜50μm)を有しており、前記粘着剤層は、通常、アクリル系粘着剤等の粘着剤組成物をプラスチックフィルム等の基材上に、塗布・乾燥させることにより得られる。ダイシング用粘着テープは、ダイシングの際に、半導体ウエハが剥離しない程度の粘着力が必要とされている。その一方、半導体チップのピックアップ工程においては、容易に剥離でき、且つ、半導体チップを破損しない程度の低い粘着力であることも要求されている。また、ダイシング用粘着テープは、半導体チップに対し、糊残り(粘着剤層中の成分が貼付面に残存する現象)が生じないなど、低汚染性を有することも重要な特性の一つとなっている。   The dicing pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer (thickness: about 1 to 50 μm), and the pressure-sensitive adhesive layer usually has a pressure-sensitive adhesive composition such as an acrylic pressure-sensitive adhesive on a substrate such as a plastic film. It is obtained by coating and drying. The adhesive tape for dicing is required to have an adhesive force that does not cause the semiconductor wafer to peel off during dicing. On the other hand, in the pick-up process of a semiconductor chip, it is also required that the adhesive strength is low enough that it can be easily peeled off and does not damage the semiconductor chip. Another important characteristic of the dicing adhesive tape is that it has low contamination, such as no adhesive residue (a phenomenon in which components in the adhesive layer remain on the pasting surface) on the semiconductor chip. Yes.

なお、前記ピックアップ工程は、通常、各半導体チップ間の間隔を広げるエキスパンド工程が行われた後に実施される。エキスパンド工程は、ダイシング用粘着テープから半導体チップを容易に剥離できる状態にする工程である。また、該エキスパンド工程は、ダイシング用粘着テープをある程度張った状態にし、ピックアップする半導体チップの下部のダイシング用粘着テープを点状又は線状に持ち上げることなどにより行われる。現在では、半導体チップをそのような剥離容易な状態にした後、上部側から半導体チップを減圧吸着(真空吸着)して、ピックアップする方式が主流となっている。   In addition, the said pick-up process is normally implemented after performing the expanding process which expands the space | interval between each semiconductor chip. The expanding step is a step of making the semiconductor chip easily peelable from the dicing adhesive tape. Further, the expanding step is performed by, for example, placing the dicing adhesive tape to a certain extent and lifting the dicing adhesive tape below the semiconductor chip to be picked up in a dotted or linear manner. At present, a method of picking up a semiconductor chip from the upper side by vacuum suction (vacuum suction) after making the semiconductor chip in such a state where it can be easily peeled is the mainstream.

しかしながら、近年、タクトタイムの向上、薄型化された半導体ウエハの破損の防止などを目的として、ウエハ裏面研削処理工程や、ウエハ裏面研削処理工程後の破砕層除去処理工程が終了した後、数時間以内に、半導体ウエハをダイシング用粘着テープに貼り付けるケースが増加してきている。なお、破砕層除去処理工程としては、機械的な破砕層除去処理、化学的な破砕層除去処理、またはその両方による破砕層除去処理の工程が挙げられる。   However, in recent years, several hours after the completion of the wafer back-grinding process and the crushing layer removal process after the wafer back-grinding process for the purpose of improving the tact time and preventing damage to the thinned semiconductor wafer. The number of cases in which a semiconductor wafer is attached to an adhesive tape for dicing is increasing. In addition, as a crushing layer removal process process, the process of the crushing layer removal process by a mechanical crushing layer removal process, a chemical crushing layer removal process, or both is mentioned.

このように、半導体ウエハをウエハ裏面研削処理工程や、ウエハ裏面研削処理工程後の破砕層除去処理工程の後、数時間以内に、半導体ウエハの研削面(処理面)にダイシング用粘着テープを貼り付けた場合、貼り付けてからの時間が経過するに従い、粘着力が高くなり、ピックアップ性が低下するという問題が生じている。   In this way, the dicing adhesive tape is applied to the ground surface (processed surface) of the semiconductor wafer within a few hours after the wafer backside grinding process and the crushed layer removing process after the wafer backside grinding process. When attached, the adhesive strength increases and the pick-up property deteriorates as the time after the attachment elapses.

特許文献1では、上記問題を解決するために特殊な組成の粘着剤層を有するダイシングテープを用いることが記載されている。しかしながら、粘着剤中にエポキシ樹脂を添加することで光硬化後のみならず光硬化前の密着にも影響を与え、所定の密着力にコントロールすることが困難であった。   Patent Document 1 describes the use of a dicing tape having an adhesive layer having a special composition in order to solve the above problem. However, the addition of an epoxy resin in the pressure-sensitive adhesive affects not only after photocuring but also adhesion before photocuring, and it has been difficult to control to a predetermined adhesion.

特開2008−192917公報JP 2008-192917 A

本発明の目的は、研削後、数時間以内のウエハに貼り付けても、良好なピックアップ性を発揮することが可能な半導体ウエハ等加工用粘着テープを提供することである。 An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like that can exhibit good pick-up properties even if it is attached to a wafer within several hours after grinding.

このような目的は、以下の(1)〜(8)に記載される本発明により達成される。
(1)基材層と、粘着剤層とを有する半導体ウエハ等加工用粘着テープであって、前記粘着剤層が、ベースポリマーと、イソシアネート系架橋剤と、ウレタンアクリレートとを含み、前記ウレタンアクリレートは、該ウレタンアクリレートを製造する際に用いた重合性触媒を残存しており、その残存量が70ppm以上200ppm以下であることを特徴とする半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(2)前記ウレタンアクリレートにおける前記重合性触媒の残存量をX重量%とし、前記粘着剤層における前記架橋剤の残存量をY重量%としたとき、150≦Y/X≦2000を満たす前記(1)に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(3)前記重合性触媒が、第三級アミン触媒もしくは有機金属触媒である前記(1)または(2)に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(4)前記有機金属触媒が、有機スズ系触媒である前記(3)に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(5)前記ウレタンアクリレートが、2以上の重合性官能基を有する前記(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(6)前記ウレタンアクリレートの重量平均分子量が、1000以上10000以下である請前記(1)〜(5)のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(7)前記ベースポリマーが、水酸基もしくはカルボキシル基含有ポリマーである前記(1)〜(6)のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
(8)さらに光重合開始剤を含む前記(1)〜(7)のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (8).
(1) A pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like having a base material layer and a pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a base polymer, an isocyanate-based crosslinking agent, and a urethane acrylate, and the urethane acrylate Is a pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers or the like, wherein the polymerizable catalyst used in producing the urethane acrylate remains, and the residual amount is 70 ppm or more and 200 ppm or less.
(2) When the residual amount of the polymerizable catalyst in the urethane acrylate is X% by weight and the residual amount of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer is Y% by weight, 150 ≦ Y / X ≦ 2000 is satisfied ( A pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like as described in 1).
(3) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to (1) or (2), wherein the polymerizable catalyst is a tertiary amine catalyst or an organometallic catalyst.
(4) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to (3), wherein the organometallic catalyst is an organotin catalyst.
(5) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to any one of (1) to (4), wherein the urethane acrylate has two or more polymerizable functional groups.
(6) The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to any one of (1) to (5), wherein the urethane acrylate has a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000.
(7) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to any one of (1) to (6), wherein the base polymer is a hydroxyl group- or carboxyl group-containing polymer.
(8) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to any one of (1) to (7), further including a photopolymerization initiator.

本発明によれば、研削後、数時間以内のウエハに貼り付けても、良好なピックアップ性を発揮することが可能な半導体ウエハ等加工用粘着テープを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it affixes on the wafer within several hours after grinding, the adhesive tape for processing of a semiconductor wafer etc. which can exhibit favorable pick-up property can be provided.

以下、本発明の半導体ウエハ等加工用粘着テープについて詳細に説明する。   Hereinafter, the adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like of the present invention will be described in detail.

本発明の半導体ウエハ等加工用粘着テープは、基材層と、粘着剤層とを有する半導体ウエハ等加工用粘着テープであって、前記粘着剤層が、ベースポリマーと、イソシアネート系架橋剤と、ウレタンアクリレートとを含み、前記ウレタンアクリレートは、該ウレタンアクリレートを製造する際に用いた重合性触媒を残存しており、その残存量が70ppm以上200ppm以下であることを特徴とする。 The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer having a base material layer and an adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer comprises a base polymer, an isocyanate-based crosslinking agent, The urethane acrylate contains a polymerizable catalyst used when the urethane acrylate is produced, and the residual amount is 70 ppm or more and 200 ppm or less.

前記重合性触媒は、前記ウレタンアクリレートを製造する際に用いられる触媒であり、例えば、ジイソシアネート、ポリオール及びヒドロキシ(メタ)アクリレートを原料としてウレタンアクリレートを合成して製造する際に用いられる触媒である。このような重合性触媒としては、例えば、第三級アミン触媒もしくは有機金属触媒などが挙げられる。第三級アミン触媒としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリエチレンジアミン(TEDA)系、ジアザビシクロウンデセン(DBU)系が挙げられ、有機金属触媒としては有機ビスマス系触媒、有機スズ系触媒が挙げられる。これらの中でも安全性が高いことから、有機スズ系触媒を用いることが好ましい。
また、前記有機スズ系触媒としては、オクチル酸スズ、ジブチルスズジアセテート、ジブチルスズジラウレートが挙げられ、ビスマス系触媒としてオクチル酸ビスマス、デカン酸ビスマスなどが挙げられる。
The polymerizable catalyst is a catalyst used when producing the urethane acrylate, for example, a catalyst used when synthesizing and producing urethane acrylate using diisocyanate, polyol, and hydroxy (meth) acrylate as raw materials. Examples of such a polymerizable catalyst include a tertiary amine catalyst or an organometallic catalyst. Examples of tertiary amine catalysts include triethylamine, tripropylamine, triethylenediamine (TEDA), and diazabicycloundecene (DBU). Examples of organometallic catalysts include organic bismuth catalysts and organic tin catalysts. It is done. Among these, it is preferable to use an organotin catalyst because of its high safety.
Examples of the organotin catalyst include tin octylate, dibutyltin diacetate, and dibutyltin dilaurate. Examples of the bismuth catalyst include bismuth octylate and bismuth decanoate.

前記重合性触媒は、一部合成中にウレタンアクリレート中に取り込まれるため、製造されたウレタンアクリレートは重合性触媒を残存することになる。このような重合性触媒が粘着剤層に含まれた場合、前記重合性触媒は前記架橋剤と、前記ベースポリマーとの反応を促進する役割を果たすことになる。   Since the polymerizable catalyst is partially incorporated into the urethane acrylate during synthesis, the produced urethane acrylate remains the polymerizable catalyst. When such a polymerizable catalyst is included in the pressure-sensitive adhesive layer, the polymerizable catalyst serves to promote the reaction between the cross-linking agent and the base polymer.

前記ウレタンアクリレートにおける前記重合性触媒の残存量は、70ppm以上200ppm以下である。より好ましくは90ppm以上180ppm以下であり、更に好ましくは110ppm以上150ppmである。前記重合性触媒の残存量が、前記上限値を超えるとき、前記イソシアネート系架橋剤と前記ベースポリマーとの反応が必要以上に進むことにより、粘着剤層の粘度が大きくなり、生産性が低下、すなわちポットライフ性が悪化する場合がある。また、重合性触媒の残存量が前記下限値未満であるとき、未反応の水酸基もしくはカルボキシル基が多く存在することにより、ウエハ裏面研削工程や、研削工程後の破砕層除去処理工程の後、数時間以内では、半導体ウエハとの接着性が大きくなり、ピックアップ性が低下する場合がある。これは、ウエハ裏面研削工程や、研削工程後の破砕層除去処理工程の後、数時間以内(例えば0−3時間以内)では、半導体ウエハの研削面に自然酸化膜が全面的に形成されておらず、半導体ウエハの研削面は未酸化状態の活性な原子が存在する活性面となっており、そのような活性面にダイシング用粘着テープが貼り合わせられると、未酸化状態の活性な原子(ケイ素原子など)が、粘着剤層の水酸基やカルボキシル基成分に対して反応して、その間に化学的な結合が生じるためと推察される。よって、触媒の残存量が前記範囲内であることにより、ポットライフ性、およびピックアップ性に優れた半導体ウエハ等加工用粘着テープを得ることができる。   The residual amount of the polymerizable catalyst in the urethane acrylate is 70 ppm or more and 200 ppm or less. More preferably, it is 90 ppm or more and 180 ppm or less, More preferably, it is 110 ppm or more and 150 ppm. When the residual amount of the polymerizable catalyst exceeds the upper limit, the reaction between the isocyanate-based crosslinking agent and the base polymer proceeds more than necessary, thereby increasing the viscosity of the pressure-sensitive adhesive layer and reducing the productivity. That is, the pot life property may deteriorate. In addition, when the residual amount of the polymerizable catalyst is less than the lower limit, there are a large number of unreacted hydroxyl groups or carboxyl groups, so that after the wafer back grinding step and the crushed layer removal treatment step after the grinding step, several Within the time, the adhesiveness with the semiconductor wafer increases, and the pick-up property may deteriorate. This is because the natural oxide film is entirely formed on the ground surface of the semiconductor wafer within a few hours (for example, within 0-3 hours) after the wafer back grinding process or the crushing layer removal treatment process after the grinding process. In addition, the ground surface of the semiconductor wafer is an active surface in which unoxidized active atoms are present. When a dicing adhesive tape is bonded to such an active surface, the unoxidized active atoms ( This is presumed to be because a silicon atom or the like) reacts with a hydroxyl group or carboxyl group component of the pressure-sensitive adhesive layer, and a chemical bond is generated therebetween. Therefore, when the remaining amount of the catalyst is within the above range, an adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like excellent in pot life property and pick-up property can be obtained.

ここで、前記ウレタンアクリレートにおける前記重合性触媒の残存量は、触媒が有機スズ系触媒またはビスマス系触媒の場合はICP発光分光分析を用いて、第三級アミン触媒の場合はガスクロマトグラフ質量分析計を用いて測定することができる。測定の方法は、例えば、下記の通りである。まず、試料0.5gを100mlケルダールフラスコに量りとり、溶剤類を真空乾燥機にて除去後、硫酸5mlにより炭化させる。次に、硝酸5mlを入れ、有機物を湿式分解させる。さらに、蒸留水2mlと過酸化水素水3mlを入れ湿式分解させる。さらに、過酸化水素水5mlを入れ完全分解させる。冷却後、蒸留水で50mlとして検液とした。ICPの測定波長は、189.9nm、283.9nmである。   Here, the residual amount of the polymerizable catalyst in the urethane acrylate is determined by using ICP emission spectroscopic analysis when the catalyst is an organotin catalyst or bismuth catalyst, and by a gas chromatograph mass spectrometer when the catalyst is a tertiary amine catalyst. Can be measured. The measurement method is, for example, as follows. First, 0.5 g of a sample is weighed into a 100 ml Kjeldahl flask, and after removing the solvents with a vacuum dryer, carbonized with 5 ml of sulfuric acid. Next, 5 ml of nitric acid is added and the organic matter is wet-decomposed. Further, 2 ml of distilled water and 3 ml of hydrogen peroxide water are added to cause wet decomposition. Further, 5 ml of hydrogen peroxide solution is added to completely decompose. After cooling, the test solution was made up to 50 ml with distilled water. The measurement wavelengths of ICP are 189.9 nm and 283.9 nm.

前記ウレタンアクリレートにおける前記重合性触媒の残存量をX重量%とし、前記粘着剤層における前記イソシアネート系架橋剤の残存量をY重量%としたとき、特に限定されないが、150≦Y/X≦2000であることが好ましく、300≦Y/X≦1500であることがより好ましく、さらに好ましくは400≦Y/X≦1100である。Y/Xが前記下限値以上であると、研削面に対する密着力が低下することにより良好なピックアップ性を発揮することができ、Y/Xが前記上限値以下であると、塗工時に粘着剤のゲル化を抑制することが出来る。   When the residual amount of the polymerizable catalyst in the urethane acrylate is X wt% and the residual amount of the isocyanate-based crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer is Y wt%, it is not particularly limited, but 150 ≦ Y / X ≦ 2000 It is preferable that 300 ≦ Y / X ≦ 1500, and more preferably 400 ≦ Y / X ≦ 1100. When Y / X is equal to or higher than the lower limit value, good pick-up property can be exhibited due to a decrease in adhesion to the grinding surface, and when Y / X is equal to or lower than the upper limit value, an adhesive is applied during coating. Gelation can be suppressed.


前記ウレタンアクリレートは、該ウレタンアクリレートを製造する際に用いた前記重合性触媒を残存している。これは、ウレタンアクリレートが、例えば、ジイソシアネート、ポリオール及びヒドロキシ(メタ)アクリレートを原料として、重合性触媒の存在下で合成して製造される化合物であるためである。このようなウレタンアクリレートとして、2個のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートが好適に用いられる。前記のジイソシアネートとしては、例えば、トルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記のヒドロキシ(メタ)アクリレートとしては、例えば、2-ヒドルキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドルキシプロピル(メタ)アクリレート等を挙げることができる。

In the urethane acrylate, the polymerizable catalyst used in producing the urethane acrylate remains. This is because urethane acrylate is a compound produced by synthesizing, for example, diisocyanate, polyol, and hydroxy (meth) acrylate in the presence of a polymerizable catalyst. As such a urethane acrylate, a urethane acrylate having two acryloyl groups is preferably used. Examples of the diisocyanate include toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, phenylene diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, xylene diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate, and naphthalene diisocyanate. Examples of the polyol include ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, hexanediol and the like. Examples of the hydroxy (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate.

前記ウレタンアクリレートは、硬化成分として用いられ、紫外線及び/又は電子線による硬化反応を生じるものであれば特に限定されないが、2以上の重合性官能基を有することが好ましい。前記2以上の重合性官能基を有することにより、紫外線硬化時に三次元架橋が出来て、硬化度が高くなり、UV照射後のピックアップ性が良好になる。   The urethane acrylate is not particularly limited as long as it is used as a curing component and causes a curing reaction by ultraviolet rays and / or electron beams, but preferably has two or more polymerizable functional groups. By having the two or more polymerizable functional groups, three-dimensional crosslinking can be performed at the time of ultraviolet curing, the degree of curing becomes high, and the pick-up property after UV irradiation becomes good.


前記ウレタンアクリレートの重量平均分子量は、特に限定されないが、1000以上10000以下が好ましく、2000以上8000以下がより好ましく、さらに好ましくは3000以上6000以下である。ウレタンアクリレートの重量平均分子量が前記範囲内であることで、硬化反応前は半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、また、硬化反応後には粘着力が低下し、良好なピックアップ性を有する。

Although the weight average molecular weight of the said urethane acrylate is not specifically limited, 1000 or more and 10,000 or less are preferable, 2000 or more and 8000 or less are more preferable, More preferably, it is 3000 or more and 6000 or less. Since the weight average molecular weight of the urethane acrylate is within the above range, the adhesive strength is sufficient for the semiconductor wafer before the curing reaction, and the adhesive strength is reduced after the curing reaction, and the pickup property is good. .

前記ウレタンアクリレートの重量平均分子量を測定する方法としては、ゲルクロマグラフィー法が挙げられる。GPCの測定はWaters社製アライアンス(2695セパレーションズモデュール、2414リフラクティブインデックスディテクター、TSKゲルGMHHR−Lx2+TSKガードカラムHHR−Lx1、移動相:THF、1.0ml/分)を用い、カラム温度40.0℃、示差屈折率計内温度40.0℃、サンプル注入量100μlの条件で行った。   Examples of the method for measuring the weight average molecular weight of the urethane acrylate include gel chromatography. GPC measurement was performed using Waters Alliance (2695 Separations Module, 2414 Refractive Index Detector, TSK Gel GMHHR-Lx2 + TSK Guard Column HHR-Lx1, mobile phase: THF, 1.0 ml / min), column temperature 40.0 ° C. The measurement was performed under the conditions of a differential refractometer internal temperature of 40.0 ° C. and a sample injection amount of 100 μl.


前記粘着剤層における前記ウレタンアクリレートの含有量は、特に限定されないが、35重量%以上60重量%以下であることが好ましく、40重量%以上55重量%以下であることがより好ましく、さらに好ましくは45重量%以上50重量%以下である。ウレタンアクリレートの含有量が前記範囲内であることにより、ピックアップ性並びにチッピング性の両立が可能となる。

The content of the urethane acrylate in the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 35% by weight to 60% by weight, more preferably 40% by weight to 55% by weight, and still more preferably. It is 45 to 50 weight%. When the content of the urethane acrylate is within the above range, both pick-up properties and chipping properties can be achieved.


前記イソシアネート系架橋剤は、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアート化合物の三量体、上記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物が挙げられる。これらの中でも、多価イソシアネートを用いることにより、架橋の速度が比較的緩やかとなり、塗工時に架橋が進みすぎることによる塗工ムラを抑制することができる。

The isocyanate-based crosslinking agent includes, for example, a polyisocyanate polyisocyanate compound and a polyisocyanate compound trimer, a trimer of a terminal isocyanate compound obtained by reacting the polyisocyanate compound and a polyol compound, or a terminal isocyanate urethane prepolymer. Examples thereof include blocked polyisocyanate compounds in which a polymer is blocked with phenol, oximes or the like. Among these, by using a polyvalent isocyanate, the speed of crosslinking becomes relatively slow, and coating unevenness due to excessive crosslinking during coating can be suppressed.


前記多価イソシアネートは、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2-4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン-2-4’-ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどがあげられる。またそれらのイソシアネートに多価アルコールを付加させたものでもよい。

Examples of the polyvalent isocyanate include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4-4′-diisocyanate, diphenylmethane- Examples thereof include 2-4′-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4-4′-diisocyanate, dichlorocyclohexylmethane-2-4′-diisocyanate, and lysine isocyanate. Moreover, what added polyhydric alcohol to those isocyanate may be used.

前記粘着剤層における前記イソシアネート系架橋剤の含有量は、特に限定されないが、3重量%以上、15重量%以下であることが好ましく、5重量%以上、12重量%以下であることがより好ましく、さらに好ましくは7重量%以上、9重量%以下である。粘着剤層におけるイソシアネート系架橋剤の含有量が前記範囲内であることで、塗工時にゲル化することなく安定して塗工することができ、かつエージング期間を短縮することができる。   The content of the isocyanate-based crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 3% by weight or more and 15% by weight or less, more preferably 5% by weight or more and 12% by weight or less. More preferably, it is 7 wt% or more and 9 wt% or less. When the content of the isocyanate-based crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer is within the above range, the coating can be stably performed without gelation during coating, and the aging period can be shortened.

前記ベースポリマーは、前記架橋剤と反応性を有する官能基を含むポリマーであり、例えばアクリル粘着剤、ゴム系粘着剤、またはシリコーン粘着剤等が挙げられるが、その中でも水酸基もしくはカルボキシル基含有ポリマーであることが好ましい。水酸基もしくはカルボキシル基含有のポリマーを用いることにより、該ポリマーとイソシアネート架橋剤との間での反応により分子量が増大し、被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。前記アクリル系粘着剤としては、例えば(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルとそれらと共重合可能な不飽和単量体(例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等)との共重合体等が用いられる。また、これらの樹脂を2種類以上混合しても良い。これらの中でも(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ブチルから選ばれる1種以上と、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。 The base polymer is a polymer containing a functional group having reactivity with the cross-linking agent, and examples thereof include an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, and a silicone pressure-sensitive adhesive. Preferably there is. By using a hydroxyl group- or carboxyl group-containing polymer, the molecular weight increases due to the reaction between the polymer and the isocyanate cross-linking agent, and the adhesion and adhesion to the adherend can be easily controlled. Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, Copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.) are used. Two or more of these resins may be mixed. Among these, one or more selected from methyl (meth) acrylate, ethyl hexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, one or more selected from hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate, These copolymers are preferred. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with an adherend becomes easy.

前記粘着剤層における前記ベースポリマーの含有量は、特に限定されないが、25重量%以上、55重量%以下であることが好ましく、30重量%以上、50重量%以下であることがより好ましく、さらに好ましくは35重量%以上、45重量%以下である。粘着剤層におけるベースポリマーの含有量が前記範囲内であることで、紫外線及び/又は電子線照射する前の粘着力がありダイシング時に周辺チップの飛びがなく、紫外線及び/又は電子線照射後のピックアップ性が良好になる。   The content of the base polymer in the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 25% by weight or more and 55% by weight or less, more preferably 30% by weight or more and 50% by weight or less, Preferably they are 35 weight% or more and 45 weight% or less. When the content of the base polymer in the pressure-sensitive adhesive layer is within the above range, there is adhesive force before irradiation with ultraviolet rays and / or electron beams, and there is no jump of peripheral chips during dicing, and after irradiation with ultraviolet rays and / or electron beams. Pickup property is improved.

前記粘着剤層は、前記架橋剤と、前記ベースポリマーと、前記ウレタンアクリレートと以外に、特性を損なわない範囲でさらに光重合開始剤を含んでいてもよい。 In addition to the crosslinking agent, the base polymer, and the urethane acrylate, the pressure-sensitive adhesive layer may further contain a photopolymerization initiator as long as the characteristics are not impaired.


前記光重合開始剤は、特に限定されないが、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられ、硬化成分であるウレタンアクリレートの重合開始を容易にするために添加される。

The photopolymerization initiator is not particularly limited, but 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide , Tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone, and the like, which are added to facilitate the initiation of polymerization of urethane acrylate as a curing component.


前記基材層を構成する材料は、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポチエチレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂およびこれらの熱可塑性樹脂の混合物を用いることができる。これらの中でもチップ間隔を広げるためのエキスパンド性付与の観点からポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレートから選ばれる1種以上が好ましく、特にオレフィン系共重合体とスチレン系熱可塑性エラストマー等の熱可塑性エラストマーとの混合物が好ましい。

Examples of the material constituting the base material layer include polyolefin resins such as polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, ethylene / vinyl acetate copolymer, ionomer, and ethylene / (meth) acrylic acid. Copolymers, Olefin copolymers such as ethylene / (meth) acrylate ester copolymers, Polyethylene terephthalate resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, Styrenic thermoplastic elastomers, Olefin thermoplastic elastomers, Vinyl A thermoplastic resin such as isoprene or polycarbonate and a mixture of these thermoplastic resins can be used. Among these, at least one selected from polyvinyl chloride, polyethylene, and polyethylene terephthalate is preferable from the viewpoint of imparting expandability to widen the chip interval. Particularly, an olefin copolymer and a thermoplastic elastomer such as a styrene thermoplastic elastomer, Is preferred.


また、前記基材層は、基材層の物性やチップ裏面へ影響を与えない程度に、顔料、帯電防止剤、酸化防止剤などを含んでいてもよい。

The base material layer may contain a pigment, an antistatic agent, an antioxidant and the like to such an extent that the physical properties of the base material layer and the chip back surface are not affected.

前記半導体ウエハ等としては、例えば、半導体ウエハやパッケージ基板が挙げられる。   Examples of the semiconductor wafer include a semiconductor wafer and a package substrate.


本発明において、半導体ウエハ加工用粘着テープを製造するには、前記粘着剤層を前記基材層上に形成し、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により基材層上に塗工し、例えば80〜100℃、30秒〜10分程度加熱処理等で乾燥させることにより得ることができる。

In the present invention, in order to produce an adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the adhesive layer is formed on the base material layer, and the components constituting the adhesive layer are dissolved as they are or with an appropriate organic solvent, and then a comma is used. A coater, a gravure coater, a die coater, a reverse coater, etc. are coated on the base material layer by coating or spraying in an appropriate thickness according to a generally known method, for example, at 80 to 100 ° C. for about 30 seconds to 10 minutes, etc. It can be obtained by drying.

前記粘着層の乾燥後の厚みは、特に限定されないが、3μm以上30μm以下であることが好ましく、5μm以上20μm以下であることがより好ましい。乾燥後の粘着層の厚みが前記範囲内であることで、被着体の保持力に優れ、また、コスト面、及びダイシング時にチップに糊屑が付着する不具合を防止するという面に優れる。   Although the thickness after drying of the said adhesion layer is not specifically limited, It is preferable that they are 3 micrometers or more and 30 micrometers or less, and it is more preferable that they are 5 micrometers or more and 20 micrometers or less. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying is within the above range, it is excellent in the holding power of the adherend, and in terms of cost and the problem of preventing the problem that the dust scraps adhere to the chip during dicing.

前記基材層の厚みは、特に限定されないが、50μm以上150μm以下であることが好ましく、80μm以上120μm以下であることがより好ましい。基材層の厚さが前記範囲内であると作業性に優れる。 The thickness of the base material layer is not particularly limited, but is preferably 50 μm or more and 150 μm or less, and more preferably 80 μm or more and 120 μm or less. When the thickness of the base material layer is within the above range, workability is excellent.

前記半導体ウエハ加工用粘着テープの厚みは、特に限定されないが、55μm以上150μm以下であることが好ましく、80μm以上120μm以下であることがより好ましい。テープの総厚みが厚いとエキスパンド性が不十分であり、総厚みが薄いとウエハを載せた際のタルミが発生する。   The thickness of the semiconductor wafer processing adhesive tape is not particularly limited, but is preferably 55 μm or more and 150 μm or less, and more preferably 80 μm or more and 120 μm or less. If the total thickness of the tape is thick, the expandability is insufficient, and if the total thickness is thin, tarmi when the wafer is placed is generated.


本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半導体ウエハ加工用粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体ウエハをチップに切断する。その後、前記加工用粘着テープの基材側から紫外線及び/又は電子線を照射し、次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着テープ放射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップをニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で吸着する方法等によりピックアップすると同時にマウンティングすればよい。

In order to use the semiconductor wafer processing adhesive tape of the present invention, a known method can be used. For example, after adhering the semiconductor wafer processing adhesive tape to the semiconductor wafer and fixing it, the semiconductor wafer is formed into a chip with a rotating round blade. Disconnect. Then, after irradiating ultraviolet rays and / or an electron beam from the substrate side of the processing adhesive tape, and then expanding the wafer processing adhesive tape radially using a dedicated jig to spread the chips at regular intervals. Is picked up by a method such as suction with a vacuum collet, air tweezers, etc.


以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。

EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
<ダイシングテープの作製>
基材を構成する材料として、ポリプロピレン60重量部、一般式(1)で示されるポリスチレンセグメントと一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体40重量部を準備した。
Example 1
<Production of dicing tape>
As a material constituting the substrate, 60 parts by weight of polypropylene, 40 parts by weight of a block copolymer composed of a polystyrene segment represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene segment represented by the general formula (2) were prepared.

Figure 2013157420
Figure 2013157420

Figure 2013157420
Figure 2013157420

上記の基材を構成する材料を2軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚み100μmの基材を作製した。   After the materials constituting the base material were kneaded with a biaxial kneader, the kneaded material was extruded with an extruder to prepare a base material with a thickness of 100 μm.

粘着層のベースポリマーとして、アクリル酸2−エチルヘキシルを30重量部と、酢酸ビニル70重量部と、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合させて得られた共重合体(重量平均分子量は300000)を42重量%用いた。   As a base polymer for the adhesive layer, a copolymer (weight average molecular weight) obtained by copolymerizing 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 70 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. Was 300,000).

粘着層の硬化成分として、重量平均分子量が5000、重合性官能基が4であるウレタンアクリレートを47重量%準備した。粘着層の光重合開始剤として、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(商品名「イルガキュア651」)を3重量%準備した。粘着層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」)を8重量%準備した。   As a curing component of the adhesive layer, 47% by weight of urethane acrylate having a weight average molecular weight of 5000 and a polymerizable functional group of 4 was prepared. As a photopolymerization initiator for the adhesive layer, 3 wt% of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (trade name “Irgacure 651”) was prepared. As an isocyanate-based crosslinking agent for the adhesive layer, 8% by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”) was prepared.

ウレタンアクリレート中に、重合性触媒としてジブチルスズジラウレートが130ppmの割合で残存していた。 In the urethane acrylate, dibutyltin dilaurate remained as a polymerizable catalyst at a ratio of 130 ppm.

上記の粘着層のポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の2倍量の酢酸エチルと共に混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが10μmになるようにして基材にバーコート塗工した後、80℃で1分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。   A resin solution was prepared by mixing the polymer of the above-mentioned adhesive layer, a curing component, a photopolymerization initiator, a crosslinking agent, and ethyl acetate in an amount twice as much as the total thereof. This resin solution was bar-coated on the substrate so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 10 μm, and then dried at 80 ° C. for 1 minute to obtain a desired dicing tape.

(実施例2)
ウレタンアクリレート中に、重合性触媒としてジブチルスズジラウレートが170ppmの割合で残存していた以外は、全て実施例1と同じとしてダイシングテープを作成した。
(Example 2)
A dicing tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that dibutyltin dilaurate remained in the urethane acrylate as a polymerizable catalyst at a ratio of 170 ppm.

(実施例3)
ウレタンアクリレート中に、重合性触媒としてジブチルスズジラウレートが75ppm割合で残存していた以外は、全て実施例1と同じとしてダイシングテープを作成した。
(Example 3)
A dicing tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that dibutyltin dilaurate remained in the urethane acrylate at a ratio of 75 ppm as a polymerizable catalyst.

(実施例4)
ウレタンアクリレート中に、重合性触媒としてオクチル酸ビスマスが130ppmの割合で残存していた以外は、全て実施例1と同じとしてダイシングテープを作成した。
Example 4
A dicing tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that bismuth octylate as a polymerizable catalyst remained in the urethane acrylate at a ratio of 130 ppm.

(実施例5)
粘着層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物を2重量%準備した以外は、全て実施例1と同じとしてダイシングテープを作成した。
(Example 5)
A dicing tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that 2% by weight of a polyisocyanate compound was prepared as an isocyanate-based crosslinking agent for the adhesive layer.

(比較例1)
ウレタンアクリレート中に、重合性触媒としてジブチルスズジラウレートが45ppmの割合で残存していた以外は、全て実施例1と同じとしてダイシングテープを作成した。
(Comparative Example 1)
A dicing tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that dibutyltin dilaurate remained in the urethane acrylate at a ratio of 45 ppm as a polymerizable catalyst.

(比較例2)
ウレタンアクリレート中に、重合性触媒としてジブチルスズジラウレートが850ppmの割合で残存していた以外は、全て実施例1と同じとしてダイシングテープを作成した。
(Comparative Example 2)
A dicing tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that dibutyltin dilaurate remained in the urethane acrylate at a ratio of 850 ppm as a polymerizable catalyst.

<評価試験>
作製したダイシングテープに、バックグラインド加工(ディスコ社製DAG810)したウエハ(厚み0.1mm)を数時間以内に貼り付け、下記条件でダイシングを行った後、ピックアップ性について評価を行った。
<Evaluation test>
A wafer (thickness 0.1 mm) that was back-grinded (DAG810 manufactured by Disco Corporation) was attached to the produced dicing tape within several hours, and after dicing under the following conditions, the pickup property was evaluated.

<ダイシング条件>
ダイサー 「DAD―3350」、DISCO製
ブレード 「ZH205O 27HEDD」、DISCO製
ブレード回転数 40000rpm
カット速度 30mm/sec
切込量 粘着シート表面から30μm
カットサイズ 10mm×10mm
ブレードクーラー 2L/min
<Dicing conditions>
Dicer “DAD-3350”, DISCO blade “ZH205O 27HEDD”, DISCO blade rotation speed 40000 rpm
Cutting speed 30mm / sec
Cutting depth 30μm from the surface of the adhesive sheet
Cut size 10mm x 10mm
Blade cooler 2L / min


<ピックアップ性>ダイシングテープに前記の半導体ウエハを、23℃の条件下で圧着して20分間放置後、10mm×10mmのサイズにダイシングした。ダイシング後、ダイシングテープに紫外線を照射し、真空吸着するコレットを用いて半導体ウエハの表面を吸着し、4mm間隔の4本のニードルをダイシングテープ100の下から各高さに突上げて、半導体ウエハをダイシングテープ100からピックアップした。評価基準は、以下の通りである。
5個中5個ピックアップ性に成功した突き上げ高さが0.2〜0.3mmのものを◎、0.3〜0.4mmのものを○(ここまでは良好とする)、0.4〜0.5mmのものを△、0.5mm以上のものを×とした。

<Pickup Property> The semiconductor wafer was pressed on a dicing tape under a condition of 23 ° C. and left for 20 minutes, and then diced to a size of 10 mm × 10 mm. After dicing, the dicing tape is irradiated with ultraviolet rays, the surface of the semiconductor wafer is adsorbed using a collet that is vacuum-adsorbed, and four needles spaced at 4 mm intervals are pushed up from the bottom of the dicing tape 100 to the respective heights. Was picked up from the dicing tape 100. The evaluation criteria are as follows.
5 out of 5 The pick-up height is 0.2 to 0.3 mm, and 0.3 to 0.4 mm is good (good until now), 0.4 to 0.4 A sample having a thickness of 0.5 mm was evaluated as Δ, and a sample having a size of 0.5 mm or more as ×.


<ポットライフ性> 前述した樹脂溶液を作成後、密閉した容器に放置し、30分置きに観察し、溶液がゲル状になるまでの時間を測定した。評価基準は、以下の通りである。
ポットライフが9時間以上のものを◎、6〜9時間のものを○、3〜6時間のものを△、3時間以下のものを×とした。

<Pot life property> After making the above-mentioned resin solution, it was left in a sealed container and observed every 30 minutes, and the time until the solution became a gel was measured. The evaluation criteria are as follows.
A pot life of 9 hours or more was rated as ◎, a 6-9 hour one as ◯, a 3-6 hour one as Δ, and a three hour or less as x.

以上の各実施例、比較例の評価結果を表1に示す。 Table 1 shows the evaluation results of the above examples and comparative examples.

Figure 2013157420
Figure 2013157420

表から明らかなように、実施例1〜5は、良好なピックアップ性と、ポットライフ性を示すが、比較例1及び2は、実施例1〜5と比較すると、ピックアップ性またはポットライフ性が十分でない結果となった。   As is clear from the table, Examples 1 to 5 show good pick-up properties and pot life properties, but Comparative Examples 1 and 2 have pick-up properties or pot life properties as compared with Examples 1 to 5. The result was not enough.

本発明の半導体等加工用粘着テープは、研削後、数時間以内のウエハに貼り付けても、良好なピックアップ性を発揮することが可能な半導体ウエハ等加工用粘着テープである。   The pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductors of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers and the like that can exhibit good pick-up properties even after being affixed to a wafer within several hours after grinding.

Claims (8)

基材層と、粘着剤層とを有する半導体ウエハ等加工用粘着テープであって、
前記粘着剤層が、ベースポリマーと、イソシアネート系架橋剤と、ウレタンアクリレートとを含み、
前記ウレタンアクリレートは、該ウレタンアクリレートを製造する際に用いた重合性触媒を残存しており、その残存量が70ppm以上200ppm以下であることを特徴とする半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
It is an adhesive tape for processing a semiconductor wafer having a base material layer and an adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a base polymer, an isocyanate-based crosslinking agent, and a urethane acrylate,
The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like, wherein the urethane acrylate retains the polymerizable catalyst used in producing the urethane acrylate, and the residual amount is 70 ppm or more and 200 ppm or less.
前記ウレタンアクリレートにおける前記重合性触媒の残存量をX重量%とし、前記粘着剤層における前記架橋剤の残存量をY重量%としたとき、150≦Y/X≦2000を満たす請求項1に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。 The residual amount of the polymerizable catalyst in the urethane acrylate is X wt%, and the residual amount of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer is Y wt%, and satisfies 150 ≦ Y / X ≦ 2000. Adhesive tape for processing semiconductor wafers. 前記重合性触媒が、第三級アミン触媒もしくは有機金属触媒である請求項1または2に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the polymerizable catalyst is a tertiary amine catalyst or an organometallic catalyst. 前記有機金属触媒が、有機スズ系触媒である請求項3に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to claim 3, wherein the organometallic catalyst is an organotin catalyst. 前記ウレタンアクリレートが、2以上の重合性官能基を有する請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to any one of claims 1 to 4, wherein the urethane acrylate has two or more polymerizable functional groups. 前記ウレタンアクリレートの重量平均分子量が、1000以上10000以下である請求項1〜5のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。 The pressure-sensitive molecular tape of the urethane acrylate has a weight average molecular weight of 1000 or more and 10,000 or less. 前記ベースポリマーが、水酸基もしくはカルボキシル基含有ポリマーである請求項1〜6のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。 The adhesive tape for processing a semiconductor wafer or the like according to any one of claims 1 to 6, wherein the base polymer is a hydroxyl group- or carboxyl group-containing polymer. さらに光重合開始剤を含む請求項1〜7のいずれかに記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 7, further comprising a photopolymerization initiator.
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