JP2013153090A - 磁気デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】リアクトルや変圧器などの磁気デバイスを構成する磁性コアでは、湾曲している部分や、ギャップと接するエッジの部分が存在する。それらの部分に磁束が集中しても、磁束飽和を低減することにある。
【解決手段】トロイダル状の磁性コアと、前記磁性コアに巻かれたコイル4とを備えた磁気デバイス3において、前記磁性コアは、磁束が集中する磁束集中部分が、前記磁束集中部分以外の部分よりも飽和磁束密度が大きい材料で形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】トロイダル状の磁性コアと、前記磁性コアに巻かれたコイル4とを備えた磁気デバイス3において、前記磁性コアは、磁束が集中する磁束集中部分が、前記磁束集中部分以外の部分よりも飽和磁束密度が大きい材料で形成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、磁性コアにコイルを巻いた磁気デバイス(リアクトル、変圧器等)に関する。
磁気デバイスであるリアクトルは電流平滑や力率改善、変圧器は電圧変換や絶縁の役割がある。主に太陽光発電、自動車などの昇圧コンバーターに適用されている。
大電流或いは直流重畳下で使用する磁気デバイスに用いられる磁性コアは、磁束飽和を防ぐため飽和磁束密度が大きい材料が望ましい。また、電力変換回路の効率を向上させるため、鉄損が小さい材料が望ましい。
しかし、入手しやすい磁性コアの飽和磁束密度と鉄損はトレードオフの関係にある。したがって、飽和磁束密度の大きい材料を使用すると鉄損が大きく、電力変換回路の効率が下がる。或いは鉄損が小さい材料を使用すると、飽和磁束密度が低く、磁束飽和が起こる。
例えば特許文献1では、内周と外周とで透磁率の異なる材料で構成された磁性コアが記載されている。これの目的は、磁路の短い内周に磁束が集中するのを抑制するため、外周の透磁率を高くして内周と外周の磁束密度を均一化することである。また、特許文献2では磁気デバイスの巻き線部分のみを細くする構造が記載されている。これの目的はエッジ部分の磁束密度が集中するのを抑制することである。
しかし、上記特許文献のものはいずれも、磁性コアの湾曲部分或いはエッジの部分に磁束が集中し、それらの部分で磁束飽和が生じやすくなることについて十分考慮されていない。
本発明の目的は、磁束飽和を低減することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、トロイダル状の磁性コアと、前記磁性コアに巻かれたコイルとを備えた磁気デバイスにおいて、前記磁性コアは、磁束が集中する磁束集中部分が、前記磁束集中部分以外の部分よりも飽和磁束密度が大きい材料で形成されることを特徴とする。
本発明によれば、磁束飽和を低減することができる。
以下、本発明の実施形態に係わる磁性コアおよび磁気デバイスを説明する。
図1に本発明の磁気デバイスの平面図と部分断面図を示す。磁性コアは2つのU型磁性コア1、U型磁性コアで挟まれた複数のI型磁性コア2を備え、U型磁性コア1とI型磁性コア2の間、I型磁性コア2とI型磁性コア2の間には各々ギャップ5が設けられてトロイダル形状を構成している。これらの磁性コアにコイル4を巻いて磁気デバイス3が形成される。図1ではI型磁性コア2が4つの場合を示しているが、それ以上でも以下でも構わない。U型磁性コア1とI型磁性コア2の直線部分は湾曲していても構わない。また、I型磁性コア2やギャップ5を図示する都合上、右側のコイル4は図示を省略する。
U型磁性コア1は内周部1−1−1、1−1−2、1−1−3、1−1−4、1−1−5、1−1−6、1−1−7、中心部1−2、外周部1−3−1、1−3−2、1−3−3からなる。内周部1−1−1、1−1−7および外周部1−3−1、1−3−3はギャップと接するエッジ部分であるため、他の部分(例えば内周部1−1−2や外周部1−3−2)と比べて磁束が集中し、磁束密度が大きい。また、内周部1−1−3、1−1−5にもエッジ部分があるため、他の部分(例えば内周部1−1−2、1−1−4、1−1−6)と比べて磁束が集中し、磁束密度が大きい。
I型磁性コア2は内周部2−1−1、2−1−2、2−1−3、中心部2−2、外周部2−3−1、2−3−2、2−3−3からなる。内周部2−1−1、2−1−3および外周部2−3−1、2−3−3はギャップと接するエッジ部分であるため、他の部分(例えば内周部2−1−2、2−3−2)と比べて磁束が集中し、磁束密度が大きい。
本発明の主旨は、これらの磁束が集中する部分に、その部分以外よりも飽和磁束密度が大きい材料を配置することである。これによれば、磁束が集中する部分であっても、流すことができる磁束の最大量が増えるため磁束飽和を低減することができる。上述したように、磁気デバイスに用いる材料の飽和磁束密度と鉄損との関係はトレードオフの関係にあるため、飽和磁束密度が大きい材料は磁束が集中する必要最小限の部分に用いることが好ましい。飽和磁束密度が大きい材料の径方向の厚さが、磁性コアの厚みの20%以下であることが好ましい。
図2に代表的な磁性材料の物性値を示す。磁束密度の大きい部分には飽和磁束密度が大きい材料が好ましい。飽和磁束密度が大きいだけでなく、さらに磁歪定数が小さい材料を用いると磁化による歪みが小さいので、磁束が集中した場合の騒音が低減されるため好ましい。それ以外の部分には飽和磁束密度が小さくても良いので、鉄損が小さい材料を用いると損失が低減されて好ましい。従って、磁束密度の大きい部分には、Fe−3%Si(3%Siケイ素鋼)或いはFe−6.5%Si(6.5%Siケイ素鋼)等が好ましく、磁束密度の小さい部分にはアモルファス或いはフェライト等が好ましい。図2には、Fe基アモルファスとMn−Zrフェライトを示す。以下、実施例1〜14に具体的な構造を示す。
図3に実施例1の平面図を示す。コイル4は破線で示す。以降の実施例ではコイル4の図示を省略する。実施例1は、内周部のギャップと接している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−7、およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
さらに磁歪定数も小さい材料とすれば、騒音も低減できる。これについては以降の実施例でも同様であるため、記載を省略する。
図4に実施例2の平面図を示す。実施例2は、内周部の湾曲している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−3、1−1−5に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分の磁束飽和を抑制できる。
図5に実施例3の平面図を示す。実施例3は、内周部のギャップと接している部分と湾曲している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−3、1−1−5、1−1−7およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部のギャップと接している部分および湾曲している部分の磁束飽和を抑制できる。
図6に実施例4の平面図を示す。実施例4は内周部全部に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−2、1−1−3、1−1−4、1−1−5、1−1−6、1−1−7およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−2、2−1−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。U型磁性コアの中心部1−2およびI型磁性コアの中心部2−2は鉄損が小さい材料が使用されている。
実施例3で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は製作性が良いことである。
図7に実施例4の磁性コアを作製するための工程例を示す。実施例4の磁性コアは、まず内周部を作製し、次に外周部、最後にギャップを作製する。まず、箔状の磁性材料をトロイダル形状に巻き回し、磁性コアの内周部を作製する。形状を固定するため、ワニス等を用いても構わない。次に、磁性コアの内周部の外側に箔状の磁性材料を巻き回し、外周部を作製する。最後に機械加工により、ギャップを形成する。ギャップは空隙であっても良いし、非磁性材料を使用しても良い。以上の工程により、実施例4の磁性コアを作製できる。
図7に実施例4の磁性コアを作製するための工程例を示す。実施例4の磁性コアは、まず内周部を作製し、次に外周部、最後にギャップを作製する。まず、箔状の磁性材料をトロイダル形状に巻き回し、磁性コアの内周部を作製する。形状を固定するため、ワニス等を用いても構わない。次に、磁性コアの内周部の外側に箔状の磁性材料を巻き回し、外周部を作製する。最後に機械加工により、ギャップを形成する。ギャップは空隙であっても良いし、非磁性材料を使用しても良い。以上の工程により、実施例4の磁性コアを作製できる。
図8に実施例5の平面図を示す。実施例5は外周部のギャップと接している部分に飽和磁束密度が大きく、且つ磁歪定数が小さい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−3およびI型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−3に飽和磁束密度が大きく、且つ磁歪定数の小さい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制でき、且つ騒音を低減できる。
図9に実施例6の平面図を示す。実施例6は外周部全部に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−2、1−3−3およびI型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−2、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。
実施例5で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は製作性が良いことである。
図10に実施例7の平面図を示す。実施例7は内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−7、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−3、およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−3、I型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
図11に実施例8の平面図を示す。実施例8は内周部の湾曲している部分および外周部のギャップと接している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−3、1−1−5、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−3、およびI型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
図12に実施例9の平面図を示す。実施例9は内周部の湾曲している部分、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−3、1−1−5、1−1−7、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−3、およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−3、I型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
図13に実施例10の平面図を示す。実施例10は内周部全部および外周部のギャップと接している部分に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−2、1−1−3、1−1−4、1−1−5、1−1−6、1−1−7、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−3、およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−2、2−1−3、I型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
実施例9で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は内周部の製作性が良いことである。
図14に実施例11の平面図を示す。実施例11は内周部のギャップと接している部分および外周部の全部に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−7、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−2、1−3−3およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−3、I型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−2、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。
その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
実施例7で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は外周部の製作性が良いことである。
図15に実施例12の平面図を示す。実施例12は内周部の湾曲している部分および外周部の全部に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−3、1−1−5、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−2、1−3−3、およびI型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−2、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
実施例8で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は外周部の製作性が良いことである。
図16に実施例13の平面図を示す。実施例13は内周部の湾曲している部分、内周部のギャップと接している部分および外周部の全部に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−3、1−1−5、1−1−7、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−2、1−3−3、およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−3、I型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−2、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
実施例9で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は外周部の製作性が良いことである。
図17に実施例14の平面図を示す。実施例14は内周部の全部および外周部の全部に飽和磁束密度が大きい材料を配置した構造である。つまり、U型磁性コアの内周部1−1−1、1−1−2、1−1−3、1−1−4、1−1−5、1−1−6、1−1−7、U型磁性コアの外周部1−3−1、1−3−2、1−3−3、およびI型磁性コアの内周部2−1−1、2−1−2、2−1−3、I型磁性コアの外周部2−3−1、2−3−2、2−3−3に飽和磁束密度が大きい材料が使用されている。その他の部分は鉄損が小さい材料が使用されている。これにより、内周部の湾曲している部分、内周部のギャップと接している部分および外周部のギャップと接している部分の磁束飽和を抑制できる。
実施例13で示した利点に加え、この構造のもう一つの利点は内周部の製作性が良いことである。
太陽光発電、自動車などの昇圧コンバーターに適用が可能であり、電力変換効率の向上および騒音の抑制が期待できる。
1 U型磁性コア
2 I型磁性コア
3 磁気デバイス
4 コイル
5 ギャップ
1−1−1、1−1−2、1−1−3、1−1−4、1−1−5、1−1−6、1−1−7 U型磁性コアの内周部(内周部)
1−2 U型磁性コアの中心部(中心部)
1−3−1、1−3−2、1−3−3 U型磁性コアの外周部(外周部)
2−1−1、2−1−2、2−1−3 I型磁性コアの内周部(内周部)
2−2 I型磁性コアの中心部(中心部)
2−3−1、2−3−2、2−3−3 I型磁性コアの外周部(外周部)
2 I型磁性コア
3 磁気デバイス
4 コイル
5 ギャップ
1−1−1、1−1−2、1−1−3、1−1−4、1−1−5、1−1−6、1−1−7 U型磁性コアの内周部(内周部)
1−2 U型磁性コアの中心部(中心部)
1−3−1、1−3−2、1−3−3 U型磁性コアの外周部(外周部)
2−1−1、2−1−2、2−1−3 I型磁性コアの内周部(内周部)
2−2 I型磁性コアの中心部(中心部)
2−3−1、2−3−2、2−3−3 I型磁性コアの外周部(外周部)
Claims (6)
- トロイダル状の磁性コアと、前記磁性コアに巻かれたコイルとを備えた磁気デバイスにおいて、
前記磁性コアは、磁束が集中する磁束集中部分が、前記磁束集中部分以外の部分よりも飽和磁束密度が大きい材料で形成されることを特徴とする磁気デバイス。 - 請求項1において、前記磁束集中部分は、前記磁束集中部分以外の部分よりも磁歪定数が小さい材料で形成されることを特徴とする磁気デバイス。
- 請求項1又は2において、前記磁束集中部分以外の部分は、前記磁束集中部分よりも鉄損が小さい材料で形成されることを特徴とする磁気デバイス。
- 請求項1乃至3の何れかにおいて、前記磁束集中部分の径方向の厚さが、前記磁性コアの厚みの20%以下であることを特徴とする磁気デバイス。
- 請求項1乃至4の何れかにおいて、前記磁性コアはギャップを備え、前記ギャップと接している部分が、前記磁束集中部分であることを特徴とする磁気デバイス。
- 請求項1乃至5の何れかにおいて、前記磁性コアの内周面の湾曲している部分が、前記磁束集中部分であることを特徴とする磁気デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012013664A JP2013153090A (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | 磁気デバイス |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012013664A JP2013153090A (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | 磁気デバイス |
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Publication Number | Publication Date |
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---|---|---|---|
JP2012013664A Pending JP2013153090A (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | 磁気デバイス |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3937197A1 (en) * | 2017-01-03 | 2022-01-12 | Lg Innotek Co. Ltd | Inductor and emi filter including the same |
-
2012
- 2012-01-26 JP JP2012013664A patent/JP2013153090A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3937197A1 (en) * | 2017-01-03 | 2022-01-12 | Lg Innotek Co. Ltd | Inductor and emi filter including the same |
US11289252B2 (en) | 2017-01-03 | 2022-03-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Inductor and EMI filter including the same |
US11955262B2 (en) | 2017-01-03 | 2024-04-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Inductor and EMI filter including the same |
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