JP2013151677A - Detergent for electronic material - Google Patents

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俊一郎 山口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detergent for an electronic material which exhibits extremely high detergent properties for abrasive grains even when used at high temperatures, and a method for producing the electronic material.SOLUTION: A detergent for an electronic material includes: a non-ionic surfactant (A) the cloud point in 2-wt.% aqueous solution of which is 35-95°C; a high-molecular anionic surfactant (B) having an aromatic ring and a sulfonic group in the molecule and having a weight average molecular weight of 1,000-100,000; and water. The cloud point in 2-wt.% aqueous solution of the detergent for the electronic material is 50-95°C.

Description

本発明は、電子材料用洗浄剤、および電子材料の製造方法に関する。
さらに詳しくは、電子材料の製造において、その表面の研磨の後の砥粒、研磨屑の除去に好適な洗浄剤及びこの洗浄液を使用した電子材料の製造方法に関する。
The present invention relates to a cleaning agent for electronic materials and a method for producing electronic materials.
More specifically, the present invention relates to a cleaning agent suitable for removing abrasive grains after polishing of the surface and polishing debris in the manufacture of an electronic material, and a method for manufacturing an electronic material using this cleaning liquid.

電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドの浮上量もますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造工程で、砥粒や研磨屑等の残留のない基板が求められている。 Electronic materials, especially magnetic disks, are becoming smaller and higher capacity year by year, and the flying height of magnetic heads is becoming smaller. For this reason, there is a demand for a substrate in which abrasive grains, polishing scraps, and the like do not remain in the manufacturing process of the magnetic disk substrate.

磁気ディスク製造工程には、平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート工程(1)と、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程(2)を含む。
このうち、サブストレート工程(1)では、基板の平坦化のために砥粒を含むスラリーによる研磨を行い、その後、スラリーおよび発生した研磨屑等のパーティクルをリンスして洗い流し、さらに、リンスで取り除けなかったパーティクルを後工程の洗浄工程で洗浄して完全に除去する。
The magnetic disk manufacturing process includes a substrate process (1) which is a process for producing a flattened substrate and a media process (2) which is a process for sputtering a magnetic layer onto the substrate.
Of these, in the substrate step (1), polishing with a slurry containing abrasive grains is performed to flatten the substrate, and then particles such as the slurry and generated polishing scraps are rinsed and washed, and further removed by rinsing. The missing particles are cleaned and removed completely in a subsequent cleaning process.

一方、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程(2)では、搬送時や保管時に付着した異物を除去するためにスパッタリング前に洗浄をおこなう。 On the other hand, in the media step (2), which is a step of sputtering the magnetic layer on the substrate, cleaning is performed before sputtering in order to remove foreign matters adhering during transportation or storage.

近年の磁気ディスクのますますの高容量化に伴って、基板の清浄度がこれまで以上に求められるようになり、これまでの洗浄方法では対応できなくなっている。そのため、研磨工程後の強固に付着した砥粒を除去するために、洗浄剤による洗浄温度をこれまでよりも高温にする必要が出てきており、高温条件で使用することに適した洗浄剤が要望されている。 As the capacity of magnetic disks has been increasing in recent years, the cleanliness of substrates has been required more than ever, and the conventional cleaning methods cannot cope with them. Therefore, in order to remove the strongly adhered abrasive grains after the polishing process, it is necessary to set the cleaning temperature with the cleaning agent higher than before, and there is a cleaning agent suitable for use under high temperature conditions. It is requested.

通常、洗浄剤には、研磨工程で用いられるクーラント等の有機物を除去する目的で、ノニオン性界面活性剤が含まれている。ノニオン性界面活性剤を含む洗浄剤は、ノニオン性界面活性剤に起因する曇点現象を示し、高温になると水に不溶となる。そのため、高温で洗浄すると不溶化したノニオン性界面活性剤が基板に付着し、その結果砥粒に対する洗浄性が悪化する。 Usually, the cleaning agent contains a nonionic surfactant for the purpose of removing organic substances such as coolant used in the polishing process. A cleaning agent containing a nonionic surfactant exhibits a cloud point phenomenon due to the nonionic surfactant, and becomes insoluble in water at a high temperature. Therefore, when it is washed at a high temperature, the insoluble nonionic surfactant adheres to the substrate, and as a result, the detergency with respect to the abrasive grains deteriorates.

前述した高温での安定性の問題に対し、従来、洗浄剤の高温での安定性を上げる方法が提案されている。例えば、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸等を用いてノニオン性界面活性剤含有の洗浄剤の曇点を上げる方法(特許文献1)が挙げられる。 In response to the above-described problem of stability at high temperatures, methods for increasing the stability of cleaning agents at high temperatures have been proposed. For example, a method of increasing the cloud point of a nonionic surfactant-containing cleaning agent using benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid or the like (Patent Document 1) can be mentioned.

しかしながら、上記特許文献1の洗浄剤は、洗浄剤原液のような比較的水の割合が低い場合では高温でも安定であるが、洗浄剤を実際使用する条件のように、圧倒的に水の割合が高い場合では、ノニオン性界面活性剤の一部が溶解できずにわずかに白濁する。特に、洗浄剤のpHがアルカリ性である場合、ノニオン性界面活性剤自体の溶解度が低下するため、高温での不溶化が顕著になる。この不溶化物を含む洗浄剤は基板を汚染し砥粒が多く付着するため使用できない。
磁気ディスクの厳しい高記録密度化を達成するためには、除去困難な砥粒に対する一層の高い洗浄性が求められる。
However, the cleaning agent of Patent Document 1 is stable even at a high temperature when the proportion of water is relatively low, such as a cleaning agent stock solution. However, the proportion of water is overwhelming as in the conditions for actually using the cleaning agent. When is high, a part of the nonionic surfactant cannot be dissolved and becomes slightly cloudy. In particular, when the pH of the cleaning agent is alkaline, the solubility of the nonionic surfactant itself decreases, so that insolubilization at high temperatures becomes significant. The cleaning agent containing the insolubilized material cannot be used because it contaminates the substrate and attaches a lot of abrasive grains.
In order to achieve a severely high recording density of a magnetic disk, higher cleaning performance is required for abrasive grains that are difficult to remove.

特開2009−84565号公報JP 2009-84565 A

そこで、高温で使用した場合でも砥粒に対する洗浄性が非常に高い電子材料用洗浄剤、および電子材料の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, it is an object of the present invention to provide a cleaning agent for electronic materials, which has a very high cleaning ability for abrasive grains even when used at high temperatures, and a method for producing an electronic material.

本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、分子内に特定の官能基を有する高分子型アニオン性界面活性剤(B)を、ノニオン性界面活性剤(A)および水とともに必須成分として含有する洗浄剤は、高温で洗浄しても、ノニオン性界面活性剤(A)が析出することはなく、砥粒に対し高い洗浄性を有することを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、2重量%水溶液における曇点が35〜95℃であるノニオン性界面活性剤(A)、分子内に芳香環およびスルホン酸基を有し重量平均分子量が1,000〜100,000である高分子型アニオン性界面活性剤(B)および水を含有するであって、該電子材料用洗浄剤の2重量%水溶液の曇点が50〜95℃である電子材料用洗浄剤;該洗浄剤を用いる電子材料の製造方法である。
As a result of investigations to achieve the above-mentioned object, the present inventors have determined that a polymer-type anionic surfactant (B) having a specific functional group in the molecule, a nonionic surfactant (A) and a nonionic surfactant (A) The cleaning agent contained as an essential component together with water has been found to have high detergency for abrasive grains without precipitation of the nonionic surfactant (A) even when washed at a high temperature, leading to the present invention. It was.
That is, the present invention relates to a nonionic surfactant (A) having a cloud point of 35 to 95 ° C. in a 2% by weight aqueous solution, an aromatic ring and a sulfonic acid group in the molecule, and a weight average molecular weight of 1,000 to 100. A cleaning agent for electronic materials, which comprises a polymer type anionic surfactant (B) having a viscosity of 1,000,000 and water, and a cloud point of a 2% by weight aqueous solution of the cleaning agent for electronic materials is 50 to 95 ° C. A method for producing an electronic material using the cleaning agent.

本発明の電子材料用洗浄剤および電子材料の製造方法は、磁気ディスク基板(特に磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク用アルミニウム基板及びニッケル−リン(Ni−P)メッキを施された磁気ディスク用アルミニウム基板)の製造工程において問題となる微細な砥粒に対する洗浄性に優れる。特に高温で使用した場合に高い洗浄性を有する。
そのため、磁気ディスク基板の高記録密度化で要求される清浄度が高い磁気ディスク基板を提供することができる。
The cleaning material for electronic materials and the method for producing the electronic material according to the present invention include magnetic disk substrates (particularly glass substrates for magnetic disks, aluminum substrates for magnetic disks, and aluminum for magnetic disks plated with nickel-phosphorus (Ni-P)). Excellent cleaning performance for fine abrasive grains, which is a problem in the manufacturing process of the substrate). Particularly when used at high temperatures, it has high detergency.
Therefore, it is possible to provide a magnetic disk substrate having high cleanliness required for increasing the recording density of the magnetic disk substrate.

本発明の電子材料用洗浄剤は、2重量%水溶液における曇点が35〜95℃であるノニオン性界面活性剤(A)、分子内に芳香環およびスルホン酸基を有し重量平均分子量が1,000〜100,000である高分子型アニオン性界面活性剤(B)および水を含有し、高温で使用した場合に高い洗浄性を有する。
ここで高温とは実際の生産現場の条件によって特定できないが、概ね50℃以上のことを指す。通常の洗浄温度は20〜40℃であるが、洗浄性を向上させるため、50℃以上に加温して洗浄することが求められている。高温での洗浄としては、洗浄性の観点から50〜80℃で洗浄するのが好ましい。
The detergent for electronic materials of the present invention is a nonionic surfactant (A) having a cloud point of 35 to 95 ° C. in a 2% by weight aqueous solution, an aromatic ring and a sulfonic acid group in the molecule, and a weight average molecular weight of 1. The polymer type anionic surfactant (B) which is 1,000,000 to 100,000 and water, and has high detergency when used at a high temperature.
Here, the high temperature cannot be specified depending on the actual production site conditions, but generally indicates 50 ° C. or higher. The normal cleaning temperature is 20 to 40 ° C., but in order to improve the cleaning property, it is required to warm the cleaning to 50 ° C. or higher for cleaning. As washing at a high temperature, it is preferable to wash at 50 to 80 ° C. from the viewpoint of detergency.

本発明において、電子材料とは特に限定されるものではなく、磁気ディスク基板(ガラス基板、アルミニウム基板及びNi−Pメッキが施されたアルミニウム基板)、半導体基板(半導体素子及びシリコンウェハ等)、化合物半導体基板(SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等)、サファイヤ基板(LED等)、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、微小電気機械システム(MEMS)並びに水晶振動子等が挙げられ、砥粒に対する洗浄性の観点で磁気ディスク基板が好ましい。 In the present invention, the electronic material is not particularly limited, and includes a magnetic disk substrate (glass substrate, aluminum substrate and aluminum substrate with Ni-P plating), semiconductor substrate (semiconductor element, silicon wafer, etc.), compound Examples include semiconductor substrates (SiC substrates, GaAs substrates, GaN substrates, AlGaAs substrates, etc.), sapphire substrates (LEDs, etc.), optical lenses, printed wiring boards, optical communication cables, micro electromechanical systems (MEMS), and crystal resonators. The magnetic disk substrate is preferable from the viewpoint of cleanability against abrasive grains.

本発明の電子材料用洗浄剤の第1の必須成分は、2重量%水溶液における曇点が35〜95℃であるノニオン性界面活性剤(A)である。
一般に、分子内にポリオキシエチレン鎖を含むノニオン性界面活性剤の例えば0.5〜5重量%水溶液を加熱していくと、水中でポリオキシエチレン鎖に水素結合で結合している水分子が順次加熱に応じて外れていく。そのためポリオキシエチレン部分の親水性が徐々に減少するため、ノニオン性界面活性剤は水への溶解性が低下し、水溶液全体が白濁する。また、白濁し始める温度より高い温度で白濁したノニオン性界面活性剤水溶液は、温度が下がるとポリオキシエチレン部分の親水性が向上するため、濁りが消えて水溶液全体が透明になることも知られている。
本発明ではこの白濁する温度を曇点と呼び、ノニオン性界面活性剤(A)の2重量%水溶液は、35〜95℃の曇点を有する。(A)の2重量%水溶液が有する曇点が35℃未満であると、高分子型アニオン性界面活性剤(B)を併用したとしても、希釈洗浄時又は洗浄後のリンス時にノニオン性界面活性剤(A)が析出するため、基板を汚染するとともに砥粒の洗浄性が低下してしまうため、好ましくない。
The 1st essential component of the cleaning agent for electronic materials of this invention is a nonionic surfactant (A) whose cloud point in 35 weight% aqueous solution is 35-95 degreeC.
In general, when a 0.5 to 5% by weight aqueous solution of a nonionic surfactant containing a polyoxyethylene chain in the molecule is heated, for example, water molecules bonded to the polyoxyethylene chain by hydrogen bonds in water. It will come off in response to sequential heating. As a result, the hydrophilicity of the polyoxyethylene portion gradually decreases, so that the nonionic surfactant is less soluble in water and the entire aqueous solution becomes cloudy. It is also known that the aqueous solution of nonionic surfactant that becomes cloudy at a temperature higher than the temperature at which it starts to become cloudy improves the hydrophilicity of the polyoxyethylene portion when the temperature decreases, so that the turbidity disappears and the entire aqueous solution becomes transparent. ing.
In the present invention, this clouding temperature is called a cloud point, and a 2% by weight aqueous solution of the nonionic surfactant (A) has a cloud point of 35 to 95 ° C. When the clouding point of the 2% by weight aqueous solution of (A) is less than 35 ° C., the nonionic surfactant is used at the time of dilution washing or rinsing after washing even if the polymer type anionic surfactant (B) is used in combination. Since the agent (A) is precipitated, the substrate is contaminated and the cleaning properties of the abrasive grains are deteriorated.

本発明における曇点は、2重量%のノニオン性界面活性剤(A)水溶液を試験液として用いて、下記の操作で測定する。
(1)まず、30cm3の試験管に試験液を10cm3入れる。
(2)25℃の温浴槽に試験管を入れ、ガラス棒状の温度計を用いて手動で試験液を攪拌しながら、試験液の温度を1℃/5秒の速度で上げる。
(3)攪拌しても濁る状態になったところでの温度を読み取る。
(4)試験管を温浴槽から取り出し、25℃の雰囲気下で、攪拌棒で試験液を攪拌しながら、温度を徐々に下げる。
(6)上記(2)〜(4)を2回繰り返し、(3)で読み取った温度の平均値を曇点とする。
The cloud point in the present invention is measured by the following operation using a 2% by weight nonionic surfactant (A) aqueous solution as a test solution.
(1) First, 10 cm 3 of the test solution is put into a 30 cm 3 test tube.
(2) Put a test tube in a 25 ° C. hot tub and raise the temperature of the test solution at a rate of 1 ° C./5 seconds while manually stirring the test solution using a glass rod-shaped thermometer.
(3) Read the temperature at which it becomes cloudy even after stirring.
(4) Remove the test tube from the hot tub and gradually lower the temperature while stirring the test solution with a stirring bar in an atmosphere of 25 ° C.
(6) The above (2) to (4) are repeated twice, and the average value of the temperatures read in (3) is taken as the cloud point.

本発明のノニオン性界面活性剤(A)としては、炭素数8〜24の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)、炭素数8〜24の脂肪酸のアルキレンオキサイド付加物(A2)、炭素数8〜24の脂肪族アルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物(A3)、炭素数6〜46のフェノール性水酸基含有化合物のアルキレンオキサイド付加物(A4)及びポリオキシプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物(A5)からなる群から選ばれる1種以上であるノニオン性界面活性剤のうち、2重量%水溶液の曇点が35〜95℃のノニオン性界面活性剤が挙げられる。 The nonionic surfactant (A) of the present invention includes an alkylene oxide adduct (A1) of an aliphatic alcohol having 8 to 24 carbon atoms, an alkylene oxide adduct (A2) of a fatty acid having 8 to 24 carbon atoms, and a carbon number. An alkylene oxide adduct (A3) of an aliphatic alkylamine having 8 to 24, an alkylene oxide adduct (A4) of a phenolic hydroxyl group-containing compound having 6 to 46 carbon atoms and a polyoxypropylene glycol ethylene oxide adduct (A5). Among the nonionic surfactants selected from the group, a nonionic surfactant having a cloud point of 35 to 95 ° C. in a 2% by weight aqueous solution can be mentioned.

炭素数8〜24の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)は、炭素数8〜24の脂肪族アルコールにアルキレンオキサイドを付加させることによって得ることができる。
炭素数8〜24の脂肪族アルコールとしては、オクチルアルコール、デシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、オクタデシルアルコール、オクタデセニルアルコール及びテトラコシルアルコール等が挙げられる。
The alkylene oxide adduct (A1) of an aliphatic alcohol having 8 to 24 carbon atoms can be obtained by adding an alkylene oxide to an aliphatic alcohol having 8 to 24 carbon atoms.
Examples of the aliphatic alcohol having 8 to 24 carbon atoms include octyl alcohol, decyl alcohol, dodecyl alcohol, tridecyl alcohol, tetradecyl alcohol, octadecyl alcohol, octadecenyl alcohol and tetracosyl alcohol.

アルキレンオキサイドとしては、炭素数2〜4のアルキレンオキサイド[エチレンオキサイド(以下、EOと略記する。)、プロピレンオキサイド(以下、POと略記する。)及びブチレンオキサイド]が挙げられる。これらのうち、洗浄性の観点から好ましいのは、EO及びPOであり、更に好ましいのはEOである。アルキレンオキサイドは、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合の付加形態はブロック付加でもランダム付加でもよく、好ましいのはブロック付加である。
アルキレンオキサイドの平均付加モル数は、洗浄性の観点から好ましくは1〜50モルであり、更に好ましくは1〜20モルである。
Examples of the alkylene oxide include alkylene oxides having 2 to 4 carbon atoms [ethylene oxide (hereinafter abbreviated as EO), propylene oxide (hereinafter abbreviated as PO) and butylene oxide]. Of these, EO and PO are preferable from the viewpoint of detergency, and EO is more preferable. Two or more types of alkylene oxides may be used in combination, and the addition form in the case of using two or more types may be block addition or random addition, and block addition is preferred.
The average added mole number of alkylene oxide is preferably 1 to 50 moles, more preferably 1 to 20 moles from the viewpoint of detergency.

(A1)としては、ドデシルアルコールEO付加物(平均付加モル数=4〜18)、イソトリデシルアルコールEO付加物(平均付加モル数=4〜18)、イソトリデシルアルコールPO(平均付加モル数=1〜5)EO付加物(平均付加モル数=4〜18)、ヘキサデシルアルコールEO付加物(平均付加モル数=4〜18)、ヘキサデシルアルコールPO(平均付加モル数=1〜5)EO付加物(平均付加モル数=4〜18)及びオクタデシルアルコールEO付加物(平均付加モル数=4〜18)等が挙げられる。 As (A1), dodecyl alcohol EO adduct (average addition mole number = 4 to 18), isotridecyl alcohol EO adduct (average addition mole number = 4 to 18), isotridecyl alcohol PO (average addition mole number) = 1-5) EO adduct (average added mole number = 4-18), hexadecyl alcohol EO adduct (average added mole number = 4-18), hexadecyl alcohol PO (average added mole number = 1-5) EO adduct (average addition mole number = 4-18), octadecyl alcohol EO adduct (average addition mole number = 4-18), etc. are mentioned.

脂肪酸アルキレンオキサイド付加物(A2)としては、炭素数8〜24の脂肪酸にアルキレンオキサイドを付加させることによって得ることができる。
炭素数8〜24の脂肪酸としては、オクタン酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、オクタデカン酸、オクタデセン酸、エイコサン酸及びテトラコサン酸等が挙げられる。
The fatty acid alkylene oxide adduct (A2) can be obtained by adding alkylene oxide to a fatty acid having 8 to 24 carbon atoms.
Examples of the fatty acid having 8 to 24 carbon atoms include octanoic acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, octadecanoic acid, octadecenoic acid, eicosanoic acid, and tetracosanoic acid.

アルキレンオキサイドとしては、アルキレンオキサイド付加物(A1)におけるアルキレンオキサイドが挙げられ、好ましい範囲も同一である。 Examples of the alkylene oxide include alkylene oxides in the alkylene oxide adduct (A1), and preferred ranges are also the same.

(A2)としては、ドデカン酸EO付加物(平均付加モル数=4〜18)、オクタデカン酸EO付加物(平均付加モル数=4〜18)及びテトラコサン酸EO付加物(平均付加モル数=4〜18)等が挙げられる。   As (A2), dodecanoic acid EO adduct (average addition mole number = 4 to 18), octadecanoic acid EO adduct (average addition mole number = 4 to 18) and tetracosanoic acid EO adduct (average addition mole number = 4). To 18) and the like.

炭素数8〜24の脂肪族アルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物(A3)は、炭素数8〜24の脂肪族アルキルアミンにアルキレンオキサイドを付加させることによって得ることができる。
炭素数8〜24の脂肪族アルキルアミンとしては、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、オクタデセニルアミン及びテトラコシルアミン等が挙げられる。
The alkylene oxide adduct (A3) of an aliphatic alkylamine having 8 to 24 carbon atoms can be obtained by adding an alkylene oxide to an aliphatic alkylamine having 8 to 24 carbon atoms.
Examples of the aliphatic alkyl amine having 8 to 24 carbon atoms include octylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, octadecenylamine and tetracosylamine.

アルキレンオキサイドとしては、アルキレンオキサイド付加物(A1)におけるアルキレンオキサイドが挙げられ、好ましい範囲も同一である。 Examples of the alkylene oxide include alkylene oxides in the alkylene oxide adduct (A1), and preferred ranges are also the same.

(A3)としては、ドデシルアミンEO付加物(平均付加モル数=4〜18)、ドデシルアミンPO(平均付加モル数=1〜5)EO付加物(平均付加モル数=4〜18)、ヘキサデシルアミンEO付加物(平均付加モル数=4〜18)、オクタデシルアミンEO付加物(平均付加モル数=4〜18)、オクタデセニルアミンEO付加物(平均付加モル数=4〜18)及びテトラコシルアミンEO付加物(平均付加モル数=4〜18)等が挙げられる。 As (A3), dodecylamine EO adduct (average added mole number = 4 to 18), dodecylamine PO (average added mole number = 1 to 5) EO adduct (average added mole number = 4 to 18), hexa Decylamine EO adduct (average addition moles = 4-18), octadecylamine EO adduct (average addition moles = 4-18), octadecenylamine EO adduct (average addition moles = 4-18) and Tetracosylamine EO adduct (average number of added moles = 4 to 18) and the like.

炭素数6〜46のフェノール性水酸基含有化合物のアルキレンオキサイド付加物(A4)は、炭素数6〜46のフェノール性水酸基含有化合物にアルキレンオキサイドを付加させることによって得ることができる。
炭素数6〜46のフェノール性水酸基含有化合物としては、フェノール、クレゾール、クミルフェノール、ビスフェノールA、ノボラック、ベンジル化フェノール、スチレン化フェノール、スチレン化クレゾール、スチレン化クミルフェノール、スチレン化ノボラック、オクチルフェノール及びノニルフェノール等が挙げられる。
The alkylene oxide adduct (A4) of a phenolic hydroxyl group-containing compound having 6 to 46 carbon atoms can be obtained by adding an alkylene oxide to a phenolic hydroxyl group-containing compound having 6 to 46 carbon atoms.
Examples of the phenolic hydroxyl group-containing compound having 6 to 46 carbon atoms include phenol, cresol, cumylphenol, bisphenol A, novolak, benzylated phenol, styrenated phenol, styrenated cresol, styrenated cumylphenol, styrenated novolak, and octylphenol. And nonylphenol.

(A4)としては、スチレン化フェノール(スチレン化度=1〜3)EO付加物(平均付加モル数=4〜18)、クミルフェノールEO付加物(平均付加モル数=4〜18)等が挙げられる。 Examples of (A4) include styrenated phenol (degree of styrenation = 1 to 3) EO adduct (average added mole number = 4 to 18), cumylphenol EO adduct (average added mole number = 4 to 18), and the like. Can be mentioned.

ポリオキシプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物(A5)は、ポリオキシプロピレングリコールにエチレンオキサイドを付加させることによって得ることができる。具体的には、ポリオキシプロピレングリコール(平均付加モル数=10〜100)エチレンオキサイド付加物(平均付加モル数=10〜200)等が挙げられる。
これらのうち、高温での砥粒に対する洗浄性の観点から、脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)が好ましい。
The polyoxypropylene glycol ethylene oxide adduct (A5) can be obtained by adding ethylene oxide to polyoxypropylene glycol. Specifically, polyoxypropylene glycol (average added mole number = 10 to 100) ethylene oxide adduct (average added mole number = 10 to 200) and the like can be mentioned.
Of these, the alkylene oxide adduct (A1) of aliphatic alcohol is preferred from the viewpoint of detergency against abrasive grains at high temperatures.

(A1)〜(A5)のアルキレンオキサイド付加物は周知の通り、アルキレンオキサイド付加モル数が異なるアルキレンオキサイド付加物の混合物であり、アルキレンオキサイドの種類と付加モル数によってその構成成分である各アルキレンオキサイド付加物のHLB値は異なる。すなわち、本発明のノニオン性界面活性剤(A)は異なるHLB値を有するアルキレンオキサイド付加物の混合物である。 As is well known, the alkylene oxide adducts of (A1) to (A5) are mixtures of alkylene oxide adducts having different numbers of moles of alkylene oxide addition, and each alkylene oxide that is a component depending on the type and number of moles of alkylene oxide added. The adduct has a different HLB value. That is, the nonionic surfactant (A) of the present invention is a mixture of alkylene oxide adducts having different HLB values.

ここで「HLB」とは、親水性と親油性のバランスを示す指標であって、例えば「界面活性剤入門」〔2007年三洋化成工業株式会社発行、藤本武彦著〕212頁に記載されている小田法によって、有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。
HLB=10×無機性/有機性
HLBを導き出すための有機性の値及び無機性の値については前記「界面活性剤入門」213頁に記載の表の値を用いて算出できる。
Here, “HLB” is an index indicating the balance between hydrophilicity and lipophilicity, and is described, for example, in “Introduction to Surfactants” (published by Sanyo Chemical Industries, Ltd., 2007, Takehiko Fujimoto), page 212. By the Oda method, it can be calculated from the ratio between the organic value and the inorganic value of the organic compound.
The organic value and the inorganic value for deriving HLB = 10 × inorganic / organic HLB can be calculated by using the values in the table described in “Introduction of Surfactant” on page 213.

(A1)〜(A5)のアルキレンオキサイド付加物は、HLB値が異なるアルキレンオキサイド付加物がさまざまな含有量で混和した混合物であり、本発明においてアルキレンオキサイド付加物のそれぞれのHLB値およびそのモル含有率を考慮した相加平均値のことをモル平均HLB値と定義する。
本発明の電子材料用洗浄剤におけるノニオン性界面活性剤(A)としては、高温での洗浄性の観点から、脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)であって、上記のモル平均HLB値は12.0〜16.0であることが更に好ましい。
The alkylene oxide adducts of (A1) to (A5) are mixtures in which alkylene oxide adducts having different HLB values are mixed at various contents. In the present invention, each HLB value of the alkylene oxide adduct and its molar content are included. The arithmetic average value considering the rate is defined as the molar average HLB value.
The nonionic surfactant (A) in the electronic material cleaning agent of the present invention is an alkylene oxide adduct of an aliphatic alcohol (A1) from the viewpoint of high-temperature cleaning properties, and the molar average HLB value described above. Is more preferably 12.0 to 16.0.

また、(A1)において、(A1)が含有するHLB値が7.0以下のアルキレンオキサイド付加物の合計モル含有率は、高温での洗浄性の観点から、10モル%以下が好ましい。 In (A1), the total molar content of the alkylene oxide adduct having an HLB value of 7.0 or less contained in (A1) is preferably 10 mol% or less from the viewpoint of detergency at high temperatures.

ここで、分子量分布を有する脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)において、各HLB値の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物のモル含有率は、未知の試料であっても高速液体クロマトグラフィー−飛行時間型質量分析(LC−TOF/MS)および高速液体クロマトグラフィー(HPLC)によって求めることができる。
具体的には、まずLC−TOF/MSにより、アルキレンオキサイド付加物(A1)が含有する構成成分の分子量を特定し、特定された脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物ごとに前述のHLB値に換算する。次にHPLCによって各構成成分のピーク面積および全ピーク面積を算出する。
したがって、HLBが7.0以下の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物のモル含有率は、HLBが7.0以下である脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物のそれぞれ成分のピーク面積の合計と全ピーク面積の比から算出することができる。
Here, in the alkylene oxide adduct (A1) of the aliphatic alcohol having a molecular weight distribution, the molar content of the alkylene oxide adduct of the aliphatic alcohol of each HLB value is high-performance liquid chromatography even if it is an unknown sample. It can be determined by time-of-flight mass spectrometry (LC-TOF / MS) and high performance liquid chromatography (HPLC).
Specifically, first, the molecular weight of the component contained in the alkylene oxide adduct (A1) is identified by LC-TOF / MS, and converted into the aforementioned HLB value for each alkylene oxide adduct of the identified aliphatic alcohol. To do. Next, the peak area and total peak area of each component are calculated by HPLC.
Therefore, the molar content of the alkylene oxide adduct of the aliphatic alcohol having an HLB of 7.0 or less is the sum of the peak areas and the total peaks of the respective components of the alkylene oxide adduct of the aliphatic alcohol having an HLB of 7.0 or less. It can be calculated from the area ratio.

本発明の電子材料用洗浄剤の2重量%水溶液における曇点が35〜95℃のノニオン性界面活性剤(A)の含有量は、通常0.01〜10重量%、好ましくは0.1〜5重量%である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤は使用する際にさらに水で希釈して洗浄液として使用してもよい。使用時のノニオン性活性剤(A)の含有量は、洗浄液重量に基づいて、0.001〜1重量%であり、洗浄性の観点でさらに好ましくは0.005〜0.5重量%である。
The content of the nonionic surfactant (A) having a cloud point of 35 to 95 ° C. in a 2% by weight aqueous solution of the electronic material cleaning agent of the present invention is usually 0.01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 0.1%. 5% by weight.
Moreover, when using the cleaning agent for electronic materials of the present invention, it may be further diluted with water and used as a cleaning solution. The content of the nonionic active agent (A) at the time of use is 0.001 to 1% by weight based on the weight of the cleaning liquid, and more preferably 0.005 to 0.5% by weight from the viewpoint of detergency. .

本発明の電子材料用洗浄剤の第2の必須成分は、分子内に芳香環およびスルホン酸基の両方を含有し、重量平均分子量(以下、Mwと略記する)が1,000〜100,000である高分子型アニオン性界面活性剤(B)である。Mwはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって測定することができる。 The second essential component of the electronic material cleaning agent of the present invention contains both an aromatic ring and a sulfonic acid group in the molecule, and has a weight average molecular weight (hereinafter abbreviated as Mw) of 1,000 to 100,000. This is a polymer type anionic surfactant (B). Mw can be measured by gel permeation chromatography (GPC).

なお、本発明におけるMwは、GPCによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として40℃で測定される。[例えば、装置本体:HLC−8120(東ソー株式会社製)、カラム:東ソー株式会社製TSKgel α6000、G3000 PWXL、検出器:装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液:0.5%酢酸ソーダ・水/メタノール(体積比70/30)、溶離液流量:1.0ml/分、カラム温度:40℃、試料:0.25%の溶離液溶液、注入量:200μl、標準物質:東ソー(株)製TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE、データ処理ソフト:GPC−8020modelII(東ソー株式会社製)]。   In the present invention, Mw is measured by GPC at 40 ° C. using polyethylene oxide as a reference substance. [For example, apparatus main body: HLC-8120 (manufactured by Tosoh Corporation), column: TSKgel α6000, G3000 PWXL, manufactured by Tosoh Corporation, detector: differential refractometer detector built in apparatus main body, eluent: 0.5% sodium acetate Water / methanol (volume ratio 70/30), eluent flow rate: 1.0 ml / min, column temperature: 40 ° C., sample: 0.25% eluent solution, injection amount: 200 μl, standard substance: Tosoh Corporation ) TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE, data processing software: GPC-8020 model II (manufactured by Tosoh Corporation)].

本発明における高分子型アニオン性界面活性剤(B)としては、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ポリスチレンスルホン酸およびそれらの塩等が挙げられる。   Examples of the polymer type anionic surfactant (B) in the present invention include naphthalene sulfonic acid formalin condensate, polystyrene sulfonic acid and salts thereof.

(B)の塩の対カチオンの種類としてはナトリウムカチオン、カリウムカチオン、アミンカチオン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 Examples of the type of counter cation of the salt (B) include sodium cation, potassium cation and amine cation. These may be used alone or in combination of two or more.

また、(B)の塩としては、例えば、塩として最初からポリスチレンスルホン酸のナトリウム塩を配合してもよいし、系内のポリスチレンスルホン酸と例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリをさらに配合させることにより洗浄液中で塩を形成してもよい。 In addition, as the salt of (B), for example, a sodium salt of polystyrene sulfonic acid may be blended from the beginning as the salt, or by further blending polystyrene sulfonic acid in the system with an alkali such as sodium hydroxide. Salts may be formed in the cleaning solution.

本発明の電子材料用洗浄剤中の(B)の含有量は洗浄剤重量に基づいて、0.01〜10重量%、好ましくは 0.1〜5重量%である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤は使用する際にさらに水で希釈してもよく、使用時の(B)の含有量は、洗浄液重量に基づいて、0.001〜1重量%であり、洗浄性の観点でさらに好ましくは 0.005〜0.5重量%である。
The content of (B) in the electronic material cleaning agent of the present invention is 0.01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight, based on the weight of the cleaning agent.
Further, the electronic material cleaning agent of the present invention may be further diluted with water when used, and the content of (B) at the time of use is 0.001 to 1% by weight based on the weight of the cleaning solution. From the viewpoint of detergency, it is more preferably 0.005 to 0.5% by weight.

本発明の電子材料用洗浄剤における(A)の含有量に対する(B)の含有量の重量比は0.01〜100であり、洗浄性の観点から好ましくは0.5〜10である。   The weight ratio of the content of (B) to the content of (A) in the electronic material cleaning agent of the present invention is 0.01 to 100, preferably 0.5 to 10 from the viewpoint of detergency.

本発明の電子材料用洗浄剤のもう1つの必須成分である水は、超純水、イオン交換水、RO水、蒸留水が挙げられ、清浄度の観点から超純水が好ましい。 Examples of water that is another essential component of the electronic material cleaning agent of the present invention include ultrapure water, ion-exchanged water, RO water, and distilled water. Ultrapure water is preferable from the viewpoint of cleanliness.

本発明の電子材料用洗浄剤は、ノニオン性界面活性剤(A)及び高分子型アニオン性界面活性剤(B)を含有することにより、2重量%水溶液が50〜95℃の曇点を有する。高温条件で本発明の洗浄剤を使用する場合、ノニオン性界面活性剤(A)が析出することなく洗浄することができるため、砥粒の洗浄性に優れるとともに、ノニオン界面活性剤由来のパーティクルの発生を抑制することが可能となる。 The detergent for electronic materials of the present invention contains a nonionic surfactant (A) and a polymer type anionic surfactant (B), so that a 2% by weight aqueous solution has a cloud point of 50 to 95 ° C. . When using the cleaning agent of the present invention under high temperature conditions, the nonionic surfactant (A) can be cleaned without precipitating, so that it is excellent in abrasive cleaning properties, and particles of nonionic surfactant are derived. Occurrence can be suppressed.

本発明の電子材料用洗浄剤には、洗浄性を向上させるために、キレート剤(C)を含有することが好ましい。 The electronic material cleaning agent of the present invention preferably contains a chelating agent (C) in order to improve cleaning properties.

キレート剤(C)としては、アミノポリカルボン酸(例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等)、ヒドロキシカルボン酸(例えば、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、没食子酸等)、ホスホン酸(例えば、1−ヒドロキシエチリデン−1、1−ジホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸等)および縮合リン酸(例えばトリポリリン酸等)等;およびこれらの塩が挙げられる。本発明のキレート剤は2種以上を併用して使用してもよい。
これらのうち、洗浄性の観点で1−ヒドロキシエチリデン−1、1−ジホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸及びこれらの塩が好ましい。
Examples of the chelating agent (C) include aminopolycarboxylic acids (for example, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, etc.), hydroxycarboxylic acids (for example, tartaric acid, citric acid, gluconic acid, gallic acid, etc.), phosphonic acids (for example, 1 -Hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid and the like) and condensed phosphoric acid (for example, tripolyphosphoric acid and the like); and salts thereof. Two or more chelating agents of the present invention may be used in combination.
Among these, 1-hydroxyethylidene-1, 1-diphosphonic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid and salts thereof are preferable from the viewpoint of detergency.

本発明の電子材料用洗浄剤中のキレート剤(C)の使用時の含有量は、使用時の洗浄液の重量に基づいて0.001〜5重量%であり、洗浄性の観点で好ましくは0.01〜0.5重量%である。 The content of the chelating agent (C) in the electronic material cleaning agent of the present invention at the time of use is 0.001 to 5% by weight based on the weight of the cleaning liquid at the time of use, and is preferably 0 from the viewpoint of detergency. 0.01 to 0.5% by weight.

本発明の電子材料用洗浄剤には、前述した(A)、(B)、(C)以外にさらにアルカリ成分を含有してもよい。
アルカリ成分としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ;ジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、2−アミノエチル−エタノールアミン等のアミンが挙げられる。
本発明の電子材料用洗浄剤の使用時のpHは、洗浄性の観点から、好ましくは7〜12、更に好ましくは8〜11である。洗浄液のpHがアルカリ性である場合、ノニオン性活性剤の溶解度が低下する問題があるが、砥粒に対する洗浄性の観点から前述した範囲が好ましい。
The electronic material cleaning agent of the present invention may further contain an alkali component in addition to the above-described (A), (B), and (C).
Examples of the alkali component include inorganic alkalis such as sodium hydroxide and potassium hydroxide; amines such as diethanolamine, isopropanolamine, monoethanolamine and 2-aminoethyl-ethanolamine.
From the viewpoint of detergency, the pH during use of the electronic material cleaner of the present invention is preferably 7 to 12, and more preferably 8 to 11. When the pH of the cleaning liquid is alkaline, there is a problem that the solubility of the nonionic active agent is lowered.

本発明の別の実施態様は、上記の電子材料用洗浄剤を用いて、研磨工程後の電子材料を50〜80℃の高温条件下で洗浄する工程を含む電子材料の製造方法であり、特に磁気ディスク基板の製造方法に適している。
しかし、磁気ディスク基板に限定するものではなく、砥粒のスラリーや研磨屑を除去する必要がある電子材料の製造であれば、広く電子材料の製造に有用である。
Another embodiment of the present invention is a method for producing an electronic material including a step of cleaning the electronic material after the polishing step under a high temperature condition of 50 to 80 ° C., using the electronic material cleaning agent, Suitable for manufacturing method of magnetic disk substrate.
However, the present invention is not limited to a magnetic disk substrate, and is widely useful in the manufacture of electronic materials as long as it is the manufacture of electronic materials that require the removal of abrasive slurry and polishing debris.

本発明の電子材料用洗浄剤を磁気ディスク基板の製造に用いる場合、サブストレート工程の1段階目の研磨後や2段階目の研磨後、あるいはメディア工程で用いることができ、特にメディア工程が好ましい。   When the electronic material cleaning agent of the present invention is used in the production of a magnetic disk substrate, it can be used after the first stage polishing or the second stage polishing in the substrate process, or in the media process, and the media process is particularly preferable. .

以下、実施例および比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、%は重量%、部は重量部を示す。 Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention further, the present invention is not limited to these. Hereinafter, unless otherwise specified, “%” represents “% by weight” and “parts” represents “parts by weight”.

[製造例1]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製耐圧反応容器に、7−テトラデカノールを240部(1.1モル部)、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)を仕込み、100℃、−0.08MPaG以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド630部(14.3モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。さらに、−0.08MPaG以下の減圧下に、150℃で2時間撹拌して、残存するテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドを熱分解して減圧除去し、本発明のノニオン性界面活性剤(A−1)870部を得た。
(曇点:80℃、平均HLB値:14.5、HLBが7.0以下の7−テトラデカノールのエチレンオキサイド付加物のモル含有率:2モル%)
[Production Example 1]
In a stainless steel pressure-resistant reaction vessel equipped with a stirrer and a temperature controller, 240 parts (1.1 mol parts) of 7-tetradecanol and 10 parts (0.027 mol parts) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide And dehydrated for 30 minutes at 100 ° C. under reduced pressure of −0.08 MPaG or less. 630 parts (14.3 mole parts) of ethylene oxide was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Furthermore, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of −0.08 MPaG or less, and the remaining tetramethylammonium hydroxide was thermally decomposed and removed under reduced pressure to obtain the nonionic surfactant (A-1) of the present invention. 870 parts were obtained.
(Cloud point: 80 ° C., average HLB value: 14.5, molar content of ethylene oxide adduct of 7-tetradecanol having HLB of 7.0 or less: 2 mol%)

[製造例2]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製耐圧反応容器に、オレイルアルコールを270部(1.0モル部)、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)仕込み、100℃、−0.08MPaG以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド220部(5.0モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。
その後、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)仕込み、100℃、−0.08MPaG以下の減圧下で30分間脱水した。プロピレンオキサイド90部(1.5モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。
続いて、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)仕込み、100℃、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド90部(5.0モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。さらに、−0.08MPaG以下の減圧下に、150℃で2時間撹拌して、残存するテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドを熱分解して減圧除去し、本発明のノニオン性界面活性剤(A−2)800部を得た。
(曇点:73℃、平均HLB値:13.4、HLBが7.0以下のオレイルアルコールのエチレンオキサイド付加物のモル含有率:8モル%)
[Production Example 2]
270 parts (1.0 mole part) of oleyl alcohol and 10 parts (0.027 mole part) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide are charged into a stainless steel pressure-resistant reaction vessel equipped with a stirrer and a temperature controller. Dehydration was performed at 100 ° C. under a reduced pressure of −0.08 MPaG for 30 minutes. 220 parts (5.0 mole parts) of ethylene oxide was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours.
Then, 10 parts (0.027 mol part) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was charged and dehydrated for 30 minutes at 100 ° C. under reduced pressure of −0.08 MPaG or less. 90 parts (1.5 mole parts) of propylene oxide was dropped over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours.
Subsequently, 10 parts (0.027 mol part) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was charged and dehydrated for 30 minutes at 100 ° C. under reduced pressure of 4 kPa or less. 90 parts (5.0 mole parts) of ethylene oxide was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Further, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of −0.08 MPaG or less, and the remaining tetramethylammonium hydroxide was thermally decomposed and removed under reduced pressure to obtain the nonionic surfactant (A-2 of the present invention). ) 800 parts were obtained.
(Cloud point: 73 ° C., average HLB value: 13.4, molar content of ethylene oxide adduct of oleyl alcohol having an HLB of 7.0 or less: 8 mol%)

[製造例3]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製耐圧反応容器に、7−テトラデカノールを240部(1.1モル部)、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)を仕込み、100℃、−0.08MPaG以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド130部(3.0モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。さらに、−0.08MPaG以下の減圧下に、150℃で2時間撹拌して、残存するテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドを熱分解して減圧除去し、本発明のノニオン性界面活性剤(A−3)370部を得た。
(曇点:35℃、平均HLB値:10.5、HLBが7.0以下の7−テトラデカノールのエチレンオキサイド付加物のモル含有率:12モル%)
[Production Example 3]
In a stainless steel pressure-resistant reaction vessel equipped with a stirrer and a temperature controller, 240 parts (1.1 mol parts) of 7-tetradecanol and 10 parts (0.027 mol parts) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide And dehydrated for 30 minutes at 100 ° C. under reduced pressure of −0.08 MPaG or less. 130 parts (3.0 mole parts) of ethylene oxide was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Further, the mixture was stirred for 2 hours at 150 ° C. under a reduced pressure of −0.08 MPaG or less, and the remaining tetramethylammonium hydroxide was thermally decomposed and removed under reduced pressure to obtain the nonionic surfactant (A-3 of the present invention). ) 370 parts were obtained.
(Cloud point: 35 ° C., average HLB value: 10.5, molar content of ethylene oxide adduct of 7-tetradecanol having an HLB of 7.0 or less: 12 mol%)

[製造例4]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製耐圧反応容器に、7−テトラデカノールを240部(1.1モル部)、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)を仕込み、100℃、−0.08MPaG以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド570部(13.0モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。さらに、−0.08MPaG以下の減圧下に、150℃で2時間撹拌して、残存するテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドを熱分解して減圧除去し、本発明のノニオン性界面活性剤(A−4)810部を得た。
(曇点:95℃、平均HLB値:16.0、HLBが7.0以下の7−テトラデカノールのエチレンオキサイド付加物のモル含有率:1モル%)
[Production Example 4]
In a stainless steel pressure-resistant reaction vessel equipped with a stirrer and a temperature controller, 240 parts (1.1 mol parts) of 7-tetradecanol and 10 parts (0.027 mol parts) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide And dehydrated for 30 minutes at 100 ° C. under reduced pressure of −0.08 MPaG or less. 570 parts (13.0 mol parts) of ethylene oxide was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Furthermore, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of −0.08 MPaG or less, and the remaining tetramethylammonium hydroxide was thermally decomposed and removed under reduced pressure, whereby the nonionic surfactant (A-4) of the present invention was removed. ) 810 parts were obtained.
(Cloud point: 95 ° C., average HLB value: 16.0, molar content of ethylene oxide adduct of 7-tetradecanol having an HLB of 7.0 or less: 1 mol%)

[製造例5]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製耐圧反応容器に、オレイルアルコールを270部(1.0モル部)、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの25%水溶液を10部(0.027モル部)を仕込み、100℃、−0.08MPaG以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド170部(3.9モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。さらに、−0.08MPaG以下の減圧下に、150℃で2時間撹拌して、残存するテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドを熱分解して減圧除去し、本発明のノニオン性界面活性剤(A−5)440部を得た。
(曇点:60℃、平均HLB値:12.0、HLBが7.0以下のオレイルアルコールのエチレンオキサイド付加物のモル含有率:10モル%)
[Production Example 5]
270 parts (1.0 mole part) of oleyl alcohol and 10 parts (0.027 mole part) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide are charged into a stainless steel pressure-resistant reaction vessel equipped with a stirring device and a temperature control device. And dehydration for 30 minutes under a reduced pressure of −0.08 MPaG or less at 100 ° C. 170 parts (3.9 mole parts) of ethylene oxide was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Further, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of −0.08 MPaG or less, and the remaining tetramethylammonium hydroxide was thermally decomposed and removed under reduced pressure to obtain the nonionic surfactant (A-5 of the present invention). ) 440 parts were obtained.
(Cloud point: 60 ° C., average HLB value: 12.0, mole content of ethylene oxide adduct of oleyl alcohol having HLB of 7.0 or less: 10 mol%)

[製造例6]
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸21部、超純水を10部仕込み、撹拌下、系内の温度を80℃に保ちながら、37%ホルムアルデヒド8部を3時間かけて滴下した。
滴下終了後、105℃に昇温して25時間反応した後、室温まで冷却して水浴中、25℃に調整しながら水酸化ナトリウムを徐々に加え、pH6.5に調整した。超純水を加えて固形分を40%にして、本発明の高分子型アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩の40%水溶液(B−1)を得た。なお、(B−1)の重量平均分子量は5,000であった。
[Production Example 6]
A reaction vessel with stirring was charged with 21 parts of naphthalenesulfonic acid and 10 parts of ultrapure water, and 8 parts of 37% formaldehyde was added dropwise over 3 hours while maintaining the temperature in the system at 80 ° C. with stirring.
After completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 105 ° C. and reacted for 25 hours, and then cooled to room temperature and sodium hydroxide was gradually added while adjusting to 25 ° C. in a water bath to adjust the pH to 6.5. Ultrapure water was added to adjust the solid content to 40% to obtain a 40% aqueous solution (B-1) of a sodium salt of a naphthalenesulfonic acid formalin condensate which is a polymer type anionic surfactant of the present invention. In addition, the weight average molecular weight of (B-1) was 5,000.

[製造例7]
温度調節及び攪拌が可能な反応容器に超純水100部を仕込み、窒素置換後、90℃に昇温した。撹拌下で、スチレンスルホン酸ナトリウムの25%水溶液800部及び4,4′−アゾビス(4−シアノペンタノイックナトリウム)1重量%水溶液40部を3.5時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、90℃で5時間撹拌した。
超純水で濃度40%になるように調整することにより、本発明の高分子型アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸ナトリウム塩の40%水溶液(B−2)を得た。なお、(B−2)の重量平均分子量は50,000であった。
[Production Example 7]
100 parts of ultrapure water was charged into a reaction vessel capable of temperature adjustment and stirring, and after nitrogen substitution, the temperature was raised to 90 ° C. Under stirring, 800 parts of a 25% aqueous solution of sodium styrenesulfonate and 40 parts of a 1% by weight aqueous solution of 4,4′-azobis (4-cyanopentanoic sodium) were simultaneously added dropwise over 3.5 hours. After completion of dropping, the mixture was stirred at 90 ° C. for 5 hours.
By adjusting to a concentration of 40% with ultrapure water, a 40% aqueous solution (B-2) of polystyrene sulfonate sodium salt, which is a polymer type anionic surfactant of the present invention, was obtained. In addition, the weight average molecular weight of (B-2) was 50,000.

[比較製造例1]
エチレンオキサイド220部を130部(3モル)に変更する以外は製造例2と同様におこない、比較のためのノニオン性界面活性剤(A’−1)を得た。
(曇点:33℃、平均HLB値:12.5、HLBが7.0以下のオレイルアルコールのエチレンオキサイド付加物のモル含有率:8モル%)
[Comparative Production Example 1]
Except changing 220 parts of ethylene oxide to 130 parts (3 mol), it carried out similarly to manufacture example 2, and obtained the nonionic surfactant (A'-1) for a comparison.
(Cloud point: 33 ° C., average HLB value: 12.5, molar content of ethylene oxide adduct of oleyl alcohol having HLB of 7.0 or less: 8 mol%)

[比較製造例2]
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール300部、超純水100部を仕込み、窒素置換後、75℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の75%水溶液407部及びジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレートの15%イソプロピルアルコール溶液95部を3.5時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、75℃で5時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。
得られたポリアクリル酸水溶液に水酸化ナトリウムを約120部加えてpHが7.0になるまで中和し、超純水で濃度40%になるように調整することにより、比較のためのアニオン性界面活性剤であるポリカルボン酸ナトリウム塩の40%水溶液(B’−1)を得た。なお、(B’−1)の重量平均分子量は10,000であった。
[Comparative Production Example 2]
A reaction vessel capable of temperature adjustment and stirring was charged with 300 parts of isopropyl alcohol and 100 parts of ultrapure water, and the temperature was raised to 75 ° C. after purging with nitrogen. Under stirring, 407 parts of a 75% aqueous solution of acrylic acid and 95 parts of a 15% isopropyl alcohol solution of dimethyl-2,2′-azobisisobutyrate were simultaneously added dropwise over 3.5 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 75 ° C. for 5 hours, and then ultrapure water was intermittently added so that the system did not solidify, and the mixture of water and isopropyl alcohol was distilled off until isopropyl alcohol could not be detected.
About 120 parts of sodium hydroxide was added to the obtained polyacrylic acid aqueous solution, neutralized until the pH became 7.0, and adjusted to a concentration of 40% with ultrapure water, whereby an anion for comparison was used. A 40% aqueous solution (B′-1) of polycarboxylic acid sodium salt, which is a surfactant, was obtained. The weight average molecular weight of (B′-1) was 10,000.

表1中のキレート剤(C)及びアルカリ成分は市販の試薬を用いた。 Commercially available reagents were used for the chelating agent (C) and the alkali component in Table 1.

実施例1〜7、および比較例1〜4
表1に記載の組成となるように、各成分を配合し、25℃、マグネチックスターラーで40rpm、20分間攪拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤を得た。
上記洗浄剤をさらに超純水で50倍希釈して、性能試験用のサンプル液を作成した。
Examples 1-7 and Comparative Examples 1-4
Each component was blended so as to have the composition shown in Table 1, and stirred at 25 ° C. with a magnetic stirrer at 40 rpm for 20 minutes to obtain the cleaning agent of the present invention and the cleaning agent for comparison.
The cleaning agent was further diluted 50 times with ultrapure water to prepare a sample solution for performance test.

Figure 2013151677
Figure 2013151677

洗浄剤の高温での安定性、高温での洗浄性の各種性能評価試験は下記の方法で行った。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス1,000(FED−STD−209D、米国連邦規格、1988年)のクリーンルーム内で実施した。
Various performance evaluation tests of the stability of the cleaning agent at high temperatures and the cleaning properties at high temperatures were performed by the following methods.
This evaluation was conducted in a clean room of class 1,000 (FED-STD-209D, US Federal Standard, 1988) to prevent contamination from the atmosphere.

<高温での安定性試験>
高温での安定性試験とは、サンプル液が高温条件で不溶化物を発生させないかどうかを確認する試験であり、以下の方法でおこなった。
上記サンプル液を100mLガラス瓶に入れ、80℃に温調した。
温調後のサンプル液にレーザーポインターで光を当てて光の通り方を目視で観察した。
完全に溶解している場合は光の筋は見えないが、不溶化物が存在する場合は光がその不溶化物に反射して光の筋が見えるチンダル現象が見られるようになるため、安定性を評価することができる。
実際の洗浄槽内では、局部的に設定温度よりも高い温度になることがあるため、あえて実洗浄温度よりも高い温度で試験評価した。
以下の判断基準で高温での安定性試験を判定し、判定結果を表1に示した。
<Stability test at high temperature>
The stability test at a high temperature is a test for confirming whether the sample solution does not generate an insolubilized material under a high temperature condition, and was performed by the following method.
The sample solution was placed in a 100 mL glass bottle and the temperature was adjusted to 80 ° C.
Light was applied to the sample solution after temperature adjustment with a laser pointer, and the way of the light was visually observed.
The light streak is not visible when it is completely dissolved, but when there is an insolubilized material, the light is reflected on the insolubilized material and the Tyndall phenomenon is visible where the light streak is visible. Can be evaluated.
In an actual cleaning tank, the temperature may be locally higher than the set temperature, so the test was evaluated at a temperature higher than the actual cleaning temperature.
The stability test at a high temperature was determined according to the following criteria, and the determination results are shown in Table 1.

[安定性試験の判断基準]
3:チンダル現象が全く見られない。
2:チンダル現象がわずかに見られる。
1:チンダル現象がはっきり見られる 。
[Criteria for stability testing]
3: No Tyndall phenomenon is observed.
2: Tyndall phenomenon is slightly observed.
1: Tyndall phenomenon is clearly seen.

<高温での洗浄性試験>
研磨剤として市販のコロイダルシリカ(フジミインコーポレイテッド製「COMPOL80」粒径約80nm)を用いて3.5インチのNi−Pメッキされた磁気ディスク用アルミ基板を以下条件で研磨した。
研磨装置:(株)ナノファクター製「NFD−4BL」
スラリー供給速度:50mL/分
荷重:30g/cm
回転数:定盤30rpm、ギア20rpm
研磨時間:5分間
<Detergency test at high temperature>
A commercially available colloidal silica (“COMPOL80” particle size of about 80 nm manufactured by Fujimi Incorporated) as a polishing agent was used to polish a 3.5-inch Ni—P plated aluminum substrate for a magnetic disk under the following conditions.
Polishing device: “NFD-4BL” manufactured by Nano Factor Co., Ltd.
Slurry supply rate: 50 mL / min Load: 30 g / cm 2
Rotation speed: surface plate 30rpm, gear 20rpm
Polishing time: 5 minutes

基板を研磨した後、超純水で表面を1分間流水で洗い流し、窒素でブローして乾燥することにより、汚染基板を調製した。
上記の調製した各サンプル液1,000部をガラス製ビーカーに入れ、60℃に温調した。前述した汚染基板をサンプル液が入ったビーカーに浸漬し、超音波洗浄機(200kHz)で、50℃、5分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で1分間流水で洗い流した後、窒素ガスでブローして乾燥して評価用基板を得た。
Ni−Pメッキされた磁気ディスク用アルミ基板表面に光を当て、約10μm以上の異物があればそれに当たった反射光を増幅して検出する表面検査装置(ビジョンサイテック社製「Micro−Max VMX−7100」)で観察し、画像解析ソフト「Sigmascan」を用いて基板上の1cm四方に付着している砥粒の個数を数えた。
また、サンプル液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
その際のブランクの砥粒などの異物の付着数は720個であった。
以下の判断基準で高温での洗浄性試験を判定し、判定結果を表1に示した。
After polishing the substrate, the surface was washed with running water for 1 minute with ultrapure water, blown with nitrogen and dried to prepare a contaminated substrate.
1,000 parts of each of the prepared sample solutions was put in a glass beaker and temperature-controlled at 60 ° C. The above-mentioned contaminated substrate was immersed in a beaker containing a sample solution, and washed with an ultrasonic cleaner (200 kHz) at 50 ° C. for 5 minutes. After cleaning, the substrate was taken out, rinsed with running water for 1 minute with ultrapure water, then blown with nitrogen gas and dried to obtain an evaluation substrate.
A surface inspection device that illuminates the surface of the Ni-P plated aluminum substrate for a magnetic disk and amplifies and detects the reflected light impinging on a foreign substance of about 10 μm or more (“Micro-Max VMX-” manufactured by Vision Cytec Co., Ltd.) 7100 ") and the number of abrasive grains adhering to a 1 cm square on the substrate was counted using image analysis software" Sigmascan ".
Moreover, it tested similarly with the ultrapure water as a blank instead of a sample liquid.
At that time, the number of adhered foreign matters such as blank abrasive grains was 720.
The cleanability test at a high temperature was determined according to the following criteria, and the determination results are shown in Table 1.

[洗浄性試験の判断基準]
5:付着数がブランクの1/100未満
4:付着数がブランクの1/100以上1/20未満
3:付着数がブランクの1/20以上1/5未満
2:付着数がブランクの1/5以上1/2未満
1:付着数がブランクの1/2以上
[Judgment criteria for detergency test]
5: Adhesion number is less than 1/100 of blank 4: Adhesion number is 1/100 or more and less than 1/20 of blank 3: Adhesion number is 1/20 or more and less than 1/5 of blank 2: Adhesion number is 1 / of blank 5 or more and less than 1/2: Number of adhesion is 1/2 or more of blank

表1より、曇点が35〜95℃であるノニオン性界面活性剤(A)と分子内に芳香環とスルホン酸基を持つ高分子型アニオン性活性剤(B)の両方を含む実施例1〜7の洗浄剤は、高温での安定性に優れる。実施例2〜7の洗浄剤はpHがアルカリ性にも関わらず、洗浄剤の曇点が高い。また、実施例1〜7の洗浄剤の高温での洗浄性は高く、特にpHがアルカリ性である実施例2〜7の洗浄剤は高い。中でもpHがアルカリ性の実施例2〜7の洗浄剤の中で、ノニオン性界面活性剤のHLBが12.0〜16.0である実施例2〜4、6〜7は高温での洗浄評価が高く、HLB=7.0以下の分布が少ない実施例4と実施例6は特に高い。 From Table 1, Example 1 containing both a nonionic surfactant (A) having a cloud point of 35 to 95 ° C. and a polymeric anionic surfactant (B) having an aromatic ring and a sulfonic acid group in the molecule. The cleaning agent of ~ 7 is excellent in stability at high temperature. The cleaning agents of Examples 2 to 7 have a high cloud point although the pH is alkaline. Moreover, the washing | cleaning property in the high temperature of the cleaning agent of Examples 1-7 is high, and especially the cleaning agent of Examples 2-7 whose pH is alkaline is high. Among them, Examples 2 to 4 and 6 to 7 in which the HLB of the nonionic surfactant is 12.0 to 16.0 among the detergents of Examples 2 to 7 having an alkaline pH are evaluated at high temperature. Examples 4 and 6, which are high and have a low distribution of HLB = 7.0 or less, are particularly high.

一方、高分子アニオン界面活性剤(B)を含まない比較例1〜3の洗浄剤は高温での安定性および高温での洗浄性が低い。特に、さらにアルカリ成分を加えて洗浄剤のpHがアルカリ性である比較例2と3の洗浄剤は、高温での安定性が比較例1と比較してさらに低下し、高温での洗浄性も低い。
また、(B)を含んでいても、ノニオン性界面活性剤の曇点が35℃未満のノニオン性界面活性剤を含む比較例4の洗浄剤は、高温での安定性はいくぶん向上するものの不十分であり、洗浄性も悪いことがわかる。
On the other hand, the cleaning agents of Comparative Examples 1 to 3 that do not contain the polymer anionic surfactant (B) have low stability at high temperatures and low cleaning properties at high temperatures. In particular, the cleaning agents of Comparative Examples 2 and 3 in which the alkaline component is further added and the pH of the cleaning agent is alkaline are further reduced in stability at high temperatures as compared with Comparative Example 1, and the cleaning properties at high temperatures are also low. .
Further, even when (B) is included, the cleaning agent of Comparative Example 4 containing a nonionic surfactant having a nonionic surfactant with a cloud point of less than 35 ° C. is somewhat improved in stability at high temperatures. It turns out that it is sufficient and the cleaning property is also poor.

本発明の電子材料用洗浄剤は、砥粒の基板に対する洗浄性を従来の洗浄剤より低減することができる。特に、高温で洗浄する際に大幅に低減することができる。そのため、高記録密度化が進んでいる特にハードディスク等の磁気ディスク基板用洗浄剤として使用することができる。また、本発明の電子材料の製造方法は、残留パーティクルに対して特に高い洗浄レベルが要求されるハードディスク等の磁気ディスク用基板に使用することができる。 The cleaning agent for electronic materials of the present invention can reduce the cleaning performance of abrasive grains on a substrate compared to conventional cleaning agents. In particular, it can be greatly reduced when cleaning at high temperatures. Therefore, it can be used as a cleaning agent for a magnetic disk substrate such as a hard disk whose recording density is increasing. In addition, the method for producing an electronic material of the present invention can be used for a magnetic disk substrate such as a hard disk that requires a particularly high cleaning level for residual particles.

Claims (8)

2重量%水溶液における曇点が35〜95℃であるノニオン性界面活性剤(A)、分子内に芳香環およびスルホン酸基を有し重量平均分子量が1,000〜100,000である高分子型アニオン性界面活性剤(B)および水を含有するであって、該電子材料用洗浄剤の2重量%水溶液の曇点が50〜95℃である電子材料用洗浄剤。   Nonionic surfactant (A) having a cloud point of 35 to 95 ° C. in a 2% by weight aqueous solution, a polymer having an aromatic ring and a sulfonic acid group in the molecule and a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000 An anionic surfactant (B) and water, wherein the clouding point of a 2% by weight aqueous solution of the electronic material cleaner is 50 to 95 ° C. ノニオン性界面活性剤(A)が、炭素数8〜24の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)であり、そのモル平均HLB値が12.0〜16.0である請求項1記載の電子材料用洗浄剤。   The nonionic surfactant (A) is an alkylene oxide adduct (A1) of an aliphatic alcohol having 8 to 24 carbon atoms, and its molar average HLB value is 12.0 to 16.0. Cleaning agent for electronic materials. ノニオン性界面活性剤(A)が、炭素数8〜24の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物(A1)であり、(A1)が含有するHLB値が7.0以下のアルキレンオキサイド付加物の合計モル含有率が10モル%以下である請求項1または2記載の電子材料用洗浄剤。 The nonionic surfactant (A) is an alkylene oxide adduct (A1) of an aliphatic alcohol having 8 to 24 carbon atoms, and the total of alkylene oxide adducts having an HLB value of 7.0 or less contained in (A1) The cleaning agent for electronic materials according to claim 1 or 2, wherein the molar content is 10 mol% or less. 高分子型アニオン性界面活性剤(B)が、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ポリスチレンスルホン酸およびそれらの塩からなる群から選ばれる1種以上である請求項1〜3いずれかに記載の電子材料用洗浄剤。   The electronic material according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymer type anionic surfactant (B) is at least one selected from the group consisting of naphthalene sulfonic acid formalin condensate, polystyrene sulfonic acid and salts thereof. Cleaning agent. さらにキレート剤(C)を含有する請求項1〜4のいずれかに記載の電子材料用洗浄剤。   Furthermore, the cleaning agent for electronic materials in any one of Claims 1-4 containing a chelating agent (C). 電子材料が、磁気ディスク基板である請求項1〜5のいずれかに記載の電子材料用洗浄剤。   The electronic material cleaning agent according to any one of claims 1 to 5, wherein the electronic material is a magnetic disk substrate. 請求項1〜6のいずれかに記載の電子材料用洗浄剤を用いて、50〜80℃の条件下で電子材料を洗浄する工程を含む電子材料の製造方法。   The manufacturing method of an electronic material including the process of wash | cleaning an electronic material on 50-80 degreeC conditions using the cleaning agent for electronic materials in any one of Claims 1-6. 電子材料が磁気ディスク基板である請求項7記載の電子材料の製造方法。   The method of manufacturing an electronic material according to claim 7, wherein the electronic material is a magnetic disk substrate.
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