JP2013143704A

JP2013143704A - Elastic wave device

Info

Publication number: JP2013143704A
Application number: JP2012003607A
Authority: JP
Inventors: Kei Domon; 啓土門
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2012-01-11
Filing date: 2012-01-11
Publication date: 2013-07-22
Anticipated expiration: 2032-01-11
Also published as: JP6029829B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit peeling of a metal layer from a piezoelectric substrate.SOLUTION: An elastic wave device includes: a piezoelectric substrate 10; an electrode 13 formed on the piezoelectric substrate 10 and exciting elastic waves; a metal layer 15 formed on the piezoelectric substrate 10; an insulation layer 20 contacting with the metal layer 15 on two or more surfaces 30, 32 different from at least one of the upper side and the lower side; and a connection part 22 formed on the metal layer 15 and used for electrically connecting the electrode 13 with the exterior.

Description

本発明は弾性波デバイスに関し、例えば電極を外部と電気的に接続する接続部を備える弾性波デバイスに関する。 The present invention relates to an acoustic wave device, for example, an acoustic wave device including a connection portion that electrically connects an electrode to the outside.

移動体通信機器等には、例えばフィルタやデュプレクサとして弾性波デバイスが用いられている。弾性波デバイスとして、圧電基板上にＩＤＴ（Inter Digital Transducer）等の電極を形成した弾性表面波デバイスがある。ＩＤＴ等の電極は圧電基板の表面の弾性波を励振する。弾性表面波デバイスとしては、例えば狭義の弾性表面波デバイス、ラブ波デバイスおよび弾性境界波デバイスがある。 In mobile communication devices and the like, elastic wave devices are used as filters and duplexers, for example. As an acoustic wave device, there is a surface acoustic wave device in which an electrode such as an IDT (Inter Digital Transducer) is formed on a piezoelectric substrate. An electrode such as IDT excites an elastic wave on the surface of the piezoelectric substrate. Examples of the surface acoustic wave device include a surface acoustic wave device in a narrow sense, a love wave device, and a boundary acoustic wave device.

狭義の弾性表面波デバイスは、ＩＤＴの電極指上を薄い絶縁性の保護膜で覆った構成である。狭義の弾性表面波デバイスにおいては、圧電基板の表面を弾性波が伝搬する。ラブ波デバイスは、ＩＤＴの電極指上を比較的厚い酸化シリコン等の絶縁膜で覆った構成である。ラブ波デバイスにおいては、圧電基板の表面、絶縁膜および絶縁膜の表面を弾性波が伝搬する。弾性境界波デバイスは、酸化シリコン等の絶縁膜上に、酸化シリコンより音速の早い酸化アルミニウム等の絶縁膜を設けた構成である。弾性境界波デバイスにおいては、電極指上の絶縁膜に弾性波が閉じ込められ、圧電基板と絶縁膜の境界付近を弾性波が伝搬する。特許文献１には、ラブ波デバイスが記載されている。特許文献２には、電極上に保護膜として絶縁膜を設けた弾性波デバイスが記載されている。 The narrowly-defined surface acoustic wave device has a configuration in which an IDT electrode finger is covered with a thin insulating protective film. In a narrowly-defined surface acoustic wave device, an acoustic wave propagates on the surface of a piezoelectric substrate. The Love wave device has a configuration in which an IDT electrode finger is covered with a relatively thick insulating film such as silicon oxide. In the Love wave device, elastic waves propagate through the surface of the piezoelectric substrate, the insulating film, and the surface of the insulating film. The boundary acoustic wave device has a configuration in which an insulating film such as aluminum oxide having a higher sound speed than silicon oxide is provided on an insulating film such as silicon oxide. In the boundary acoustic wave device, an elastic wave is confined in the insulating film on the electrode finger, and the elastic wave propagates near the boundary between the piezoelectric substrate and the insulating film. Patent Document 1 describes a Love wave device. Patent Document 2 describes an acoustic wave device in which an insulating film is provided as a protective film on an electrode.

特開２００４−１１２７４８号公報JP 2004-112748 A 特開２００７−２０１７７２号公報JP 2007-201772 A

圧電基板上に弾性波を励振する電極を設けた弾性波デバイスにおいては、圧電基板上に、パッドとして機能する金属層を設けることになる。金属層の上には、外部と電気的に接続するための接続部が設けられる。しかしながら、圧電基板と金属層とは、密着が悪い。このため、金属層が圧電基板から剥がれてしまう。 In an elastic wave device in which an electrode for exciting an elastic wave is provided on a piezoelectric substrate, a metal layer that functions as a pad is provided on the piezoelectric substrate. On the metal layer, a connection portion for electrically connecting to the outside is provided. However, the adhesion between the piezoelectric substrate and the metal layer is poor. For this reason, a metal layer will peel from a piezoelectric substrate.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress peeling of a metal layer from a piezoelectric substrate.

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、前記圧電基板上に形成された金属層と、前記金属層と上または下の少なくとも一方から異なる２つ以上の面で接する絶縁層と、前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することができる。 The present invention relates to a piezoelectric substrate, an electrode formed on the piezoelectric substrate and exciting an elastic wave, a metal layer formed on the piezoelectric substrate, and two different from at least one of the upper and lower sides of the metal layer. An acoustic wave device comprising: an insulating layer that is in contact with the above surface; and a connection portion that is formed on the metal layer and electrically connects the electrode to the outside. According to the present invention, peeling of the metal layer from the piezoelectric substrate can be suppressed.

上記構成において、前記金属層は、前記圧電基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含み、前記絶縁層は、前記第１金属層の上面および前記第２金属層の上面において前記金属層と接する構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer, and the insulating layer includes the first metal layer. The upper surface of the layer and the upper surface of the second metal layer may be in contact with the metal layer.

上記構成において、前記金属層は、前記圧電基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含み、前記絶縁層は、前記第１金属層の上面および前記第２金属層の下面において前記金属層と接する構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer, and the insulating layer includes the first metal layer. The upper surface of the layer and the lower surface of the second metal layer may be in contact with the metal layer.

上記構成において、前記第１金属層は、前記電極と同じ材料から形成される構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: A said 1st metal layer can be set as the structure formed from the same material as the said electrode.

上記構成において、前記金属層は前記第２金属層上に形成された第３金属層を含み、前記絶縁層は、前記第３金属層の上面において前記金属層と接する構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer may include a third metal layer formed on the second metal layer, and the insulating layer may be in contact with the metal layer on an upper surface of the third metal layer.

上記構成において、前記第１金属層および前記第２金属層は、前記電極と前記接続部を電気的に接続する配線層を含む構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said 1st metal layer and the said 2nd metal layer can be set as the structure containing the wiring layer which electrically connects the said electrode and the said connection part.

上記構成において、前記絶縁層は、前記電極を覆う絶縁層である構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said insulating layer can be set as the structure which is an insulating layer which covers the said electrode.

上記構成において、前記接続部はバンプである構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said connection part can be set as the structure which is a bump.

本発明によれば、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することができる。 According to the present invention, peeling of the metal layer from the piezoelectric substrate can be suppressed.

図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。FIG. 1 is a plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスのパッド領域Ｃの平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。2A is a plan view of the pad region C of the acoustic wave device according to the first embodiment, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2A, and FIG. It is BB sectional drawing of 2 (a). 図３（ａ）は、比較例に係る弾性波デバイスのパッド領域の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 3A is a plan view of a pad region of an acoustic wave device according to a comparative example, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。FIG. 4A to FIG. 4D are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。FIG. 5A to FIG. 5D are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。6A to 6D are cross-sectional views (part 3) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その４）である。FIG. 7A to FIG. 7D are cross-sectional views (part 4) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment. 図８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 8A is a plan view of the acoustic wave device according to the second embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図９（ａ）から図９（ｅ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。FIG. 9A to FIG. 9E are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。FIG. 10A to FIG. 10D are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図１１（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 11A is a plan view of the acoustic wave device according to the third embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図１２（ａ）から図１２（ｅ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。FIG. 12A to FIG. 12E are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the third embodiment. 図１３（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。FIG. 13A to FIG. 13D are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the third embodiment. 図１４（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 14A is a plan view of the acoustic wave device according to the fourth embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図１５（ａ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 15A is a plan view of the acoustic wave device according to the fifth embodiment, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図１６（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 16A is a plan view of the acoustic wave device according to the sixth embodiment, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図１７（ａ）から図１７（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。FIG. 17A to FIG. 17D are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the sixth embodiment. 図１８（ａ）から図１８（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。FIG. 18A to FIG. 18D are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the sixth embodiment. 図１９（ａ）から図１９（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。FIG. 19A to FIG. 19D are cross-sectional views (part 3) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the sixth embodiment. 図２０（ａ）は、実施例７に係る弾性波デバイスの平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 20A is a plan view of the acoustic wave device according to the seventh embodiment, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.

以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

実施例１は、弾性波デバイスとしてラブ波デバイスの例である。図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスのパッド領域Ｃの平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図２（ｃ）においては、ＩＤＴ１３の電極指を拡大して図示している。図１および図２（ａ）において、第１金属層１２、第２金属層１４は絶縁層２０を透視して図示している。以下の実施例においても同様である。 Example 1 is an example of a Love wave device as an elastic wave device. FIG. 1 is a plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment. 2A is a plan view of the pad region C of the acoustic wave device according to the first embodiment, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2A, and FIG. It is BB sectional drawing of 2 (b). In FIG. 2C, the electrode fingers of the IDT 13 are shown enlarged. In FIG. 1 and FIG. 2A, the first metal layer 12 and the second metal layer 14 are shown through the insulating layer 20. The same applies to the following embodiments.

図１から図２（ｃ）を参照し、圧電基板１０上に弾性波を励振する電極であるＩＤＴ１３が形成されている。ＩＤＴ１３は複数の電極指を含む。図２（ｃ）は複数の電極指を図示している。圧電基板１０としては、例えばタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを用いることができる。圧電基板１０上にＩＤＴ１３に電気的に接続する第１金属層１２が形成されている。第１金属層１２は、例えばＩＤＴ１３と同じ材料から形成することができる。第１金属層１２としてはＣｕまたはＡｌを主に含む金属を用いることができる。第１金属層１２をＩＤＴ１３と同じ材料から形成する場合、第１金属層１２の膜厚および材料は、主にＩＤＴ１３としての性能重視で設計される。 With reference to FIG. 1 to FIG. 2C, an IDT 13 that is an electrode for exciting an elastic wave is formed on the piezoelectric substrate 10. IDT 13 includes a plurality of electrode fingers. FIG. 2C illustrates a plurality of electrode fingers. As the piezoelectric substrate 10, for example, lithium tantalate or lithium niobate can be used. A first metal layer 12 that is electrically connected to the IDT 13 is formed on the piezoelectric substrate 10. The first metal layer 12 can be formed from the same material as the IDT 13, for example. As the first metal layer 12, a metal mainly containing Cu or Al can be used. When the first metal layer 12 is formed from the same material as the IDT 13, the thickness and material of the first metal layer 12 are designed mainly with an emphasis on performance as the IDT 13.

第１金属層１２上に第２金属層１４が形成されている。第２金属層１４は、抵抗率が低い材料が好ましく、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡｌを主に含む金属を用いることができる。第２金属層１４上に第３金属層１６が形成されている。第３金属層１６は、抵抗率が低く、バンプ１８との密着性がよい材料が好ましい。第３金属層１６としては、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡｌを主に含む金属を用いることができる。例えば、バンプがＡｕを主に含む場合、第３金属層１６は主にＡｕを含むことが好ましい。金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含む。 A second metal layer 14 is formed on the first metal layer 12. The second metal layer 14 is preferably made of a material having a low resistivity. For example, a metal mainly containing Cu, Au, or Al can be used. A third metal layer 16 is formed on the second metal layer 14. The third metal layer 16 is preferably made of a material having a low resistivity and good adhesion to the bumps 18. As the third metal layer 16, for example, a metal mainly containing Cu, Au, or Al can be used. For example, when the bump mainly contains Au, it is preferable that the third metal layer 16 mainly contains Au. The metal layer 15 includes a first metal layer 12, a second metal layer 14, and a third metal layer 16.

金属層１５上には、バンプ１８が形成されている。バンプ１８は、ＩＤＴ１３を外部と電気的に接続する接続部として機能する。バンプ１８としては、Ａｕスタッドバンプ、ハンダボール等を用いることができる。接続部として、バンプ１８以外にボンデイングワイヤ等を用いることもできる。第１金属層１２および第２金属層１４の上面は絶縁層２０に覆われている。ＩＤＴ１３においても電極指は絶縁層２０に覆われている。絶縁層２０は、ＩＤＴ１３の電極指を覆う絶縁層を兼ねてもよい。絶縁層２０が電極指を覆う絶縁層を兼ねる場合、絶縁層２０は酸化シリコンを主に含むことが好ましい。 Bumps 18 are formed on the metal layer 15. The bumps 18 function as connection portions that electrically connect the IDT 13 to the outside. As the bump 18, an Au stud bump, a solder ball, or the like can be used. As the connecting portion, a bonding wire or the like can be used in addition to the bump 18. The upper surfaces of the first metal layer 12 and the second metal layer 14 are covered with an insulating layer 20. Also in the IDT 13, the electrode fingers are covered with the insulating layer 20. The insulating layer 20 may also serve as an insulating layer that covers the electrode fingers of the IDT 13. When the insulating layer 20 also serves as an insulating layer that covers the electrode fingers, the insulating layer 20 preferably mainly contains silicon oxide.

比較のための比較例について説明する。図３（ａ）は、比較例に係る弾性波デバイスのパッド領域の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）を参照し、比較例においては、絶縁層２０が金属層１５を覆っていない。密着膜として一般的に用いられるＴｉ膜またはＣｒ膜等を用いても、圧電基板１０と金属層１５との密着性は悪く、弾性波デバイスの製造工程途中、または弾性波デバイス完成後に、金属層１５が圧電基板１０から剥がれる場合がある。 A comparative example for comparison will be described. FIG. 3A is a plan view of a pad region of an acoustic wave device according to a comparative example, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. With reference to FIG. 3A and FIG. 3B, in the comparative example, the insulating layer 20 does not cover the metal layer 15. Even if a Ti film or Cr film generally used as the adhesion film is used, the adhesion between the piezoelectric substrate 10 and the metal layer 15 is poor, and the metal layer is formed during the production process of the acoustic wave device or after completion of the acoustic wave device. 15 may peel off from the piezoelectric substrate 10.

一方、実施例１においては、絶縁層２０は、金属層１５と上または下の少なくとも一方から異なる２つ以上の面で接する。例えば、絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０と、第２金属層１４の上面３２と、の異なる２つの面において、金属層１５と接する。絶縁層２０と金属層１５とは、密着性をよくすることが容易である。例えば、金属層１５の絶縁層２０と接する面に密着性のよい金属膜を設けることにより、絶縁層２０と金属層１５との密着性を向上できる。また、一般的に、絶縁層２０と圧電基板１０との密着性は、金属層１５と圧電基板１０とに比べ良好である。例えば、酸化シリコン膜とタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板との密着は良好である。これにより、絶縁層２０が、金属層１５を上から高さの異なる２つの面以上で押さえ込むことにより、金属層１５が圧電基板１０から剥がれることを抑制できる。 On the other hand, in Example 1, the insulating layer 20 contacts the metal layer 15 on two or more surfaces different from at least one of the upper and lower sides. For example, the insulating layer 20 is in contact with the metal layer 15 on two different surfaces, the upper surface 30 of the first metal layer 12 and the upper surface 32 of the second metal layer 14. It is easy to improve the adhesion between the insulating layer 20 and the metal layer 15. For example, the adhesion between the insulating layer 20 and the metal layer 15 can be improved by providing a metal film with good adhesion on the surface of the metal layer 15 in contact with the insulating layer 20. In general, the adhesion between the insulating layer 20 and the piezoelectric substrate 10 is better than that of the metal layer 15 and the piezoelectric substrate 10. For example, adhesion between a silicon oxide film and a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate is good. Thereby, it can suppress that the metal layer 15 peels from the piezoelectric substrate 10 when the insulating layer 20 presses down the metal layer 15 by two or more surfaces from which height differs.

第１金属層１２が、電極（例えばＩＤＴ１３）と同じ材料から形成される場合、第１金属層１２の材料は、弾性波デバイスの性能が向上するＩＤＴ１３の材料を選択する。このため、圧電基板１０と金属層１５との密着性の観点から第１金属層１２を選択できない。よって、実施例１のように、絶縁層２０を用い、金属層１５が圧電基板１０から剥がれることを抑制することが好ましい。 When the 1st metal layer 12 is formed from the same material as an electrode (for example, IDT13), the material of the 1st metal layer 12 selects the material of IDT13 from which the performance of an acoustic wave device improves. For this reason, the first metal layer 12 cannot be selected from the viewpoint of adhesion between the piezoelectric substrate 10 and the metal layer 15. Therefore, it is preferable to use the insulating layer 20 and suppress the peeling of the metal layer 15 from the piezoelectric substrate 10 as in the first embodiment.

さらに、第１金属層１２および第２金属層１４を、ＩＤＴ１３とバンプ１８とを電気的に接続する配線層を含む構成とする。これにより、製造工程を簡略化することができる。さらに、絶縁層２０は、ＩＤＴ１３を覆う絶縁層であることが好ましい。これにより、製造工程を簡略化することができる。 Further, the first metal layer 12 and the second metal layer 14 include a wiring layer that electrically connects the IDT 13 and the bump 18. Thereby, a manufacturing process can be simplified. Furthermore, the insulating layer 20 is preferably an insulating layer that covers the IDT 13. Thereby, a manufacturing process can be simplified.

接続部として、スタッドバンプを用いる場合、スタッドバンプ形成時に金属層１５に力がかかり、金属層１５が圧電基板１０から剥がれ易い。よって、スタッドバンプを用いる場合、実施例１のように、絶縁層２０を用い、金属層１５が圧電基板１０から剥がれることを抑制することが好ましい。 When a stud bump is used as the connection portion, a force is applied to the metal layer 15 when the stud bump is formed, and the metal layer 15 is easily peeled off from the piezoelectric substrate 10. Therefore, when the stud bump is used, it is preferable to use the insulating layer 20 and to prevent the metal layer 15 from being peeled from the piezoelectric substrate 10 as in the first embodiment.

次に、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図４（ａ）から図７（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。各図の左側はＩＤＴ１３の電極指を示す図、右側はパッドを示す図である。 Next, a method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment will be described. FIG. 4A to FIG. 7D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the first embodiment. The left side of each figure shows the electrode fingers of the IDT 13, and the right side shows the pads.

図４（ａ）に示すように、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板１０を準備する。図４（ｂ）に示すように、圧電基板１０上に、絶縁層２０ａとして例えば酸化シリコン膜を形成する。絶縁層２０ａは、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い形成する。絶縁層２０ａの膜厚は、例えば１２０ｎｍである。図４（ｃ）に示すように、絶縁層２０ａ上に露光現像法を用い、開口５２を有するフォトレジスト５０を形成する。絶縁層２０ａをフォトレジスト５０をマスクにエッチングする。絶縁層２０ａのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。図４（ｄ）に示すように、開口５２内およびフォトレジスト５０上に第１金属層１２を形成する。第１金属層１２は、例えば真空蒸着法を用い形成する。第１金属層１２としては、例えば、圧電基板１０側から、膜厚が１０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が１００ｎｍのＣｕ膜および膜厚が１０ｎｍのＣｒ膜とすることができる。 As shown in FIG. 4A, a piezoelectric substrate 10 such as a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate is prepared. As shown in FIG. 4B, for example, a silicon oxide film is formed on the piezoelectric substrate 10 as the insulating layer 20a. The insulating layer 20a is formed using, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The film thickness of the insulating layer 20a is, for example, 120 nm. As shown in FIG. 4C, a photoresist 50 having an opening 52 is formed on the insulating layer 20a by exposure and development. The insulating layer 20a is etched using the photoresist 50 as a mask. For the etching of the insulating layer 20a, for example, a dry etching method is used. As shown in FIG. 4D, the first metal layer 12 is formed in the opening 52 and on the photoresist 50. The first metal layer 12 is formed using, for example, a vacuum evaporation method. As the first metal layer 12, for example, from the piezoelectric substrate 10 side, a Ti film with a thickness of 10 nm, a Cu film with a thickness of 100 nm, and a Cr film with a thickness of 10 nm can be used.

図５（ａ）に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト５０を除去する。図５（ｂ）に示すように、第１金属層１２および絶縁層２０ａ上に開口５６を有するフォトレジスト５４を形成する。図５（ｃ）に示すように、開口５６内およびフォトレジスト５４上に第２金属層１４を形成する。第２金属層１４の形成は、例えば真空蒸着法を用いる。第２金属層１４としては、例えば、第１金属層１２側から、膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が５００ｎｍのＣｕ膜および膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜とすることができる。図５（ｄ）に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト５４を除去する。 As shown in FIG. 5A, the photoresist 50 is removed by lift-off. As shown in FIG. 5B, a photoresist 54 having an opening 56 is formed on the first metal layer 12 and the insulating layer 20a. As shown in FIG. 5C, the second metal layer 14 is formed in the opening 56 and on the photoresist 54. The second metal layer 14 is formed by using, for example, a vacuum evaporation method. As the second metal layer 14, for example, a Ti film with a thickness of 50 nm, a Cu film with a thickness of 500 nm, and a Ti film with a thickness of 50 nm can be formed from the first metal layer 12 side. As shown in FIG. 5D, the photoresist 54 is removed by lift-off.

図６（ａ）に示すように、第１金属層１２および第２金属層１４を覆うように絶縁層２０ｂとして例えば酸化シリコン膜を形成する。絶縁層２０ｂは、例えばＣＶＤ法を用い形成する。絶縁層２０ｂの膜厚は、例えば５９０ｎｍである。図６（ｂ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口６０を有するフォトレジスト５８を形成する。図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト５８をマスクに絶縁層２０ｂをエッチングする。絶縁層２０ｂのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト５８を除去する。絶縁層２０ａと絶縁層２０ｂとにより、絶縁層２０が形成される。 As shown in FIG. 6A, for example, a silicon oxide film is formed as the insulating layer 20 b so as to cover the first metal layer 12 and the second metal layer 14. The insulating layer 20b is formed using, for example, a CVD method. The film thickness of the insulating layer 20b is, for example, 590 nm. As shown in FIG. 6B, a photoresist 58 having an opening 60 is formed on the insulating layer 20b. As shown in FIG. 6C, the insulating layer 20b is etched using the photoresist 58 as a mask. For the etching of the insulating layer 20b, for example, a dry etching method is used. As shown in FIG. 6D, the photoresist 58 is removed. The insulating layer 20 is formed by the insulating layer 20a and the insulating layer 20b.

図７（ａ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口６０を有するフォトレジスト６２を形成する。フォトレジスト６２の開口が絶縁層２０ｂの開口と略一致するように形成する。図７（ｂ）に示すように、開口６０内およびフォトレジスト６２上に第３金属層１６を形成する。第３金属層１６の形成は、例えば真空蒸着法を用いる。第３金属層１６としては、例えば、第２金属層１４側から、膜厚が２００ｎｍのＴｉ膜および膜厚が４００ｎｍのＡｕ膜とすることができる。図７（ｃ）に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト６２を除去する。以上により、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含む金属層１５が形成される。図７（ｄ）に示すように、第３金属層１６上にバンプ１８を形成する。バンプ１８としては、例えばＡｕスタッドバンプを用いることができる。 As shown in FIG. 7A, a photoresist 62 having an opening 60 is formed on the insulating layer 20b. The opening of the photoresist 62 is formed so as to substantially coincide with the opening of the insulating layer 20b. As shown in FIG. 7B, the third metal layer 16 is formed in the opening 60 and on the photoresist 62. The formation of the third metal layer 16 uses, for example, a vacuum evaporation method. As the third metal layer 16, for example, a 200 nm thick Ti film and a 400 nm thick Au film can be formed from the second metal layer 14 side. As shown in FIG. 7C, the photoresist 62 is removed by lift-off. Thus, the metal layer 15 including the first metal layer 12, the second metal layer 14, and the third metal layer 16 is formed. As shown in FIG. 7D, bumps 18 are formed on the third metal layer 16. For example, Au stud bumps can be used as the bumps 18.

図４（ｃ）のように、絶縁層２０ａをエッチングした後、図４（ｄ）のように、第１金属層１２を形成する。このため、圧電基板１０と第１金属層１２との密着性がより低くなる。さらに、第１金属層１２を真空蒸着法を用い形成すると、圧電基板１０と第１金属層１２との密着性がより低くなる。よって、絶縁層２０ｂと金属層１５とを密着させることが好ましい。 After etching the insulating layer 20a as shown in FIG. 4 (c), the first metal layer 12 is formed as shown in FIG. 4 (d). For this reason, the adhesiveness of the piezoelectric substrate 10 and the 1st metal layer 12 becomes lower. Furthermore, when the first metal layer 12 is formed using a vacuum deposition method, the adhesion between the piezoelectric substrate 10 and the first metal layer 12 is further lowered. Therefore, it is preferable that the insulating layer 20b and the metal layer 15 are adhered to each other.

図６（ｃ）のように、絶縁層２０ｂをエッチングする際に、第１金属層１２と圧電基板１０との界面はエッチング雰囲気にさらされない。これにより、絶縁層２０ｂをエッチングする際に、第１金属層１２と圧電基板１０との界面がエッチングされ金属層１５と圧電基板１０との密着性を低下させることを抑制できる。 As shown in FIG. 6C, when the insulating layer 20b is etched, the interface between the first metal layer 12 and the piezoelectric substrate 10 is not exposed to the etching atmosphere. Thereby, when etching the insulating layer 20b, it can suppress that the interface of the 1st metal layer 12 and the piezoelectric substrate 10 is etched, and the adhesiveness of the metal layer 15 and the piezoelectric substrate 10 falls.

さらに、第１金属層１２および第２金属層１４の最上面を絶縁層２０ｂと密着性のよいＴｉ膜としている。これにより、絶縁層２０と金属層１５との密着性を向上させることができる。 Further, the uppermost surfaces of the first metal layer 12 and the second metal layer 14 are Ti films having good adhesion to the insulating layer 20b. Thereby, the adhesiveness of the insulating layer 20 and the metal layer 15 can be improved.

図８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、絶縁層２０が、第３金属層１６の上面上の一部に形成されている。すなわち、絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０、第２金属層１４の上面３２および第３金属層１６の上面３４において、金属層１５と接する。このように、絶縁層２０は、高さの異なる３つの面において金属層１５と接する。これにより、実施例１より、さらに、金属層１５の剥がれを抑制することができる。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。 FIG. 8A is a plan view of the acoustic wave device according to the second embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 8A and 8B, the insulating layer 20 is formed on a part of the upper surface of the third metal layer 16. That is, the insulating layer 20 is in contact with the metal layer 15 on the upper surface 30 of the first metal layer 12, the upper surface 32 of the second metal layer 14, and the upper surface 34 of the third metal layer 16. As described above, the insulating layer 20 is in contact with the metal layer 15 on three surfaces having different heights. Thereby, peeling of the metal layer 15 can be further suppressed as compared with the first embodiment. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

次に、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図９（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。ＩＤＴ１３の電極指を示す図は省略している。図９（ａ）に示すように、まず実施例１の図５（ｄ）までの工程を行なう。その後、第１金属層１２、第２金属層１４および絶縁層２０ａ上に開口６６を有するフォトレジスト６４を形成する。図９（ｂ）に示すように、開口６６内およびフォトレジスト６４上に第３金属層１６を形成する。図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト６４を除去する。これにより、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６から金属層１５が形成される。図９（ｄ）に示すように、金属層１５および絶縁層２０ａ上に絶縁層２０ｂを形成する。図９（ｅ）に示すように、絶縁層２０ｂ上にフォトレジスト６８を形成する。 Next, a method for manufacturing the acoustic wave device according to Example 2 will be described. FIG. 9A to FIG. 10D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the second embodiment. The figure which shows the electrode finger of IDT13 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 9A, first, the steps up to FIG. 5D of the first embodiment are performed. Thereafter, a photoresist 64 having an opening 66 is formed on the first metal layer 12, the second metal layer 14, and the insulating layer 20a. As shown in FIG. 9B, the third metal layer 16 is formed in the opening 66 and on the photoresist 64. As shown in FIG. 9C, the photoresist 64 is removed. Thereby, the metal layer 15 is formed from the first metal layer 12, the second metal layer 14, and the third metal layer 16. As shown in FIG. 9D, an insulating layer 20b is formed on the metal layer 15 and the insulating layer 20a. As shown in FIG. 9E, a photoresist 68 is formed on the insulating layer 20b.

図１０（ａ）に示すように、フォトレジスト６８に開口７０を形成する。図１０（ｂ）に示すように、フォトレジスト６８をマスクに、絶縁層２０ｂをエッチングする。図１０（ｃ）に示すように、フォトレジスト６８を除去する。図１０（ｄ）に示すように、金属層１５上にバンプ１８を形成する。以上のように、実施例２に係る弾性波デバイスを製造する。 As shown in FIG. 10A, an opening 70 is formed in the photoresist 68. As shown in FIG. 10B, the insulating layer 20b is etched using the photoresist 68 as a mask. As shown in FIG. 10C, the photoresist 68 is removed. As shown in FIG. 10D, bumps 18 are formed on the metal layer 15. As described above, the acoustic wave device according to Example 2 is manufactured.

図１１（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、第１金属層１２は、第２金属層１４下の一部に形成されている。このため、絶縁層２０が、第１金属層１２の上面の一部と、第２金属層１４の下面３６の一部に形成されている。すなわち、絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０および第２金属層１４の下面３６において、金属層１５と接する。すなわち、絶縁層２０は、上方向と下方向との異なる２つの方向から金属層１５に接する。これにより、金属層１５の剥がれを抑制することができる。金属層１５は、第３金属層１６を含んでおらず、バンプ１８は第２金属層１４上に形成される。絶縁層２０は、第２金属層１４の上面には形成されていないが、第２金属層１４の上面の一部に形成することもできる。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。 FIG. 11A is a plan view of the acoustic wave device according to the third embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 11A and 11B, the first metal layer 12 is formed in a part under the second metal layer 14. Therefore, the insulating layer 20 is formed on a part of the upper surface of the first metal layer 12 and a part of the lower surface 36 of the second metal layer 14. That is, the insulating layer 20 contacts the metal layer 15 on the upper surface 30 of the first metal layer 12 and the lower surface 36 of the second metal layer 14. That is, the insulating layer 20 is in contact with the metal layer 15 from two different directions, the upper direction and the lower direction. Thereby, peeling of the metal layer 15 can be suppressed. The metal layer 15 does not include the third metal layer 16, and the bumps 18 are formed on the second metal layer 14. The insulating layer 20 is not formed on the upper surface of the second metal layer 14, but may be formed on a part of the upper surface of the second metal layer 14. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

次に、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１２（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。ＩＤＴ１３の電極指を示す図は省略している。図１２（ａ）に示すように、まず実施例１の図５（ａ）までの工程を行なう。第１金属層１２の幅は実施例１の図５（ａ）に比べて狭い。図１２（ｂ）に示すように、第１金属層１２および絶縁層２０ａ上に絶縁層２０ｂを形成する。図１２（ｃ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口７４を有するフォトレジスト７２を形成する。図１２（ｄ）に示すように、フォトレジスト７２をマスクに絶縁層２０ｂをエッチングする。これにより、絶縁層２０ａおよび２０ｂを含む絶縁層２０が形成される。図１２（ｅ）に示すように、フォトレジストを除去する。 Next, a method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 3 will be described. FIG. 12A to FIG. 13D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the third embodiment. The figure which shows the electrode finger of IDT13 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 12A, first, the steps up to FIG. The width of the first metal layer 12 is narrower than that of FIG. As shown in FIG. 12B, an insulating layer 20b is formed on the first metal layer 12 and the insulating layer 20a. As shown in FIG. 12C, a photoresist 72 having an opening 74 is formed on the insulating layer 20b. As shown in FIG. 12D, the insulating layer 20b is etched using the photoresist 72 as a mask. Thereby, the insulating layer 20 including the insulating layers 20a and 20b is formed. As shown in FIG. 12E, the photoresist is removed.

図１３（ａ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口７８を有するフォトレジスト７６を形成する。絶縁層２０ｂの開口とフォトレジスト７６の開口７８とは略一致するように形成する。図１３（ｂ）に示すように、開口７８内およびフォトレジスト７６上に第２金属層１４を形成する。第２金属層１４は、例えば第１金属層１２側から膜厚が２００ｎｍのＴｉ膜および膜厚が４００ｎｍのＡｕ膜である。図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト７６を除去する。図１３（ｄ）に示すように、第２金属層１４上にバンプ１８を形成する。以上のように、実施例３に係る弾性波デバイスを製造する。 As shown in FIG. 13A, a photoresist 76 having an opening 78 is formed on the insulating layer 20b. The opening of the insulating layer 20b and the opening 78 of the photoresist 76 are formed so as to substantially coincide. As shown in FIG. 13B, the second metal layer 14 is formed in the opening 78 and on the photoresist 76. The second metal layer 14 is, for example, a Ti film having a thickness of 200 nm and an Au film having a thickness of 400 nm from the first metal layer 12 side. As shown in FIG. 13C, the photoresist 76 is removed. As shown in FIG. 13D, bumps 18 are formed on the second metal layer 14. As described above, the acoustic wave device according to Example 3 is manufactured.

図１４（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、第２金属層１４が、ＩＤＴ１３近くまで設けられている。これにより、ＩＤＴ１３とバンプ１８間の抵抗を低くできる。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。 FIG. 14A is a plan view of the acoustic wave device according to the fourth embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 14A and 14B, the second metal layer 14 is provided up to the vicinity of the IDT 13. Thereby, the resistance between the IDT 13 and the bump 18 can be lowered. Other configurations are the same as those of the fourth embodiment, and the description thereof is omitted.

図１５（ａ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含んでいる。絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０、第２金属層１４の上面３２、第３金属層１６の上面３４および第２金属層１４の下面３６において、金属層１５と接する。これにより、金属層１５の剥がれを抑制することができる。第２金属層１４および第３金属層１６が、ＩＤＴ１３近くまで設けられている。これにより、ＩＤＴ１３とバンプ１８間の抵抗を低くできる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 FIG. 15A is a plan view of the acoustic wave device according to the fifth embodiment, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 15A and 15B, the metal layer 15 includes a first metal layer 12, a second metal layer 14, and a third metal layer 16. The insulating layer 20 contacts the metal layer 15 at the upper surface 30 of the first metal layer 12, the upper surface 32 of the second metal layer 14, the upper surface 34 of the third metal layer 16, and the lower surface 36 of the second metal layer 14. Thereby, peeling of the metal layer 15 can be suppressed. The second metal layer 14 and the third metal layer 16 are provided up to near the IDT 13. Thereby, the resistance between the IDT 13 and the bump 18 can be lowered. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

図１６（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含んでいる。第２金属層１４および第３金属層１６は、実施例５と比べ、ＩＤＴ１３近くまでは設けられていない。その他の構成は実施例５と同じであり説明を省略する。 FIG. 16A is a plan view of the acoustic wave device according to the sixth embodiment, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 16A and 16B, the metal layer 15 includes a first metal layer 12, a second metal layer 14, and a third metal layer 16. The second metal layer 14 and the third metal layer 16 are not provided up to near the IDT 13 as compared with the fifth embodiment. Other configurations are the same as those of the fifth embodiment, and the description thereof is omitted.

次に、実施例６に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１７（ａ）から図１９（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。ＩＤＴ１３の電極指を示す図は省略している。図１７（ａ）に示すように、図１２（ａ）と同様に、圧電基板１０上に第１金属層１２と絶縁層２０ａを形成する。図１７（ｂ）に示すように、第１金属層１２および絶縁層２０ａ上に開口８２を有するフォトレジスト８０を形成する。図１７（ｃ）に示すように、開口８２内およびフォトレジスト８０上に第２金属層１４を形成する。図１７（ｄ）に示すように、フォトレジスト８０を除去する。 Next, a method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 6 will be described. FIG. 17A to FIG. 19D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the sixth embodiment. The figure which shows the electrode finger of IDT13 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 17A, the first metal layer 12 and the insulating layer 20a are formed on the piezoelectric substrate 10 as in FIG. As shown in FIG. 17B, a photoresist 80 having an opening 82 is formed on the first metal layer 12 and the insulating layer 20a. As shown in FIG. 17C, the second metal layer 14 is formed in the opening 82 and on the photoresist 80. As shown in FIG. 17D, the photoresist 80 is removed.

図１８（ａ）に示すように、第１金属層１２、第２金属層１４および絶縁層２０ａ上に開口８６を有するフォトレジスト８０を形成する。図１８（ｂ）のように、開口８６内およびフォトレジスト８４上に第３金属層１６を形成する。これにより、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６から金属層１５が形成される。図１８（ｃ）に示すように、フォトレジスト８４を除去する。図１８（ｄ）のように、金属層１５および絶縁層２０ａ上に絶縁層２０ｂを形成する。 As shown in FIG. 18A, a photoresist 80 having an opening 86 is formed on the first metal layer 12, the second metal layer 14, and the insulating layer 20a. As shown in FIG. 18B, the third metal layer 16 is formed in the opening 86 and on the photoresist 84. Thereby, the metal layer 15 is formed from the first metal layer 12, the second metal layer 14, and the third metal layer 16. As shown in FIG. 18C, the photoresist 84 is removed. As shown in FIG. 18D, the insulating layer 20b is formed on the metal layer 15 and the insulating layer 20a.

図１９（ａ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口９０を有するフォトレジスト８８を形成する。図１９（ｂ）に示すように、フォトレジスト９２をマスクに絶縁層２０ｂをエッチングする。これにより、絶縁層２０ａと２０ｂとから絶縁層２０が形成される。図１９（ｃ）に示すように、フォトレジスト９２を除去する。図１９（ｄ）のように、第３金属層１６上にバンプ１８を形成する。以上のように、実施例６に係る弾性波デバイスを製造する。 As shown in FIG. 19A, a photoresist 88 having an opening 90 is formed on the insulating layer 20b. As shown in FIG. 19B, the insulating layer 20b is etched using the photoresist 92 as a mask. Thereby, the insulating layer 20 is formed from the insulating layers 20a and 20b. As shown in FIG. 19C, the photoresist 92 is removed. Bumps 18 are formed on the third metal layer 16 as shown in FIG. As described above, the acoustic wave device according to Example 6 is manufactured.

図２０（ａ）は、実施例７に係る弾性波デバイスの平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含んでいる。第３金属層１６は、実施例５と比べ、ＩＤＴ１３近くまでは設けられていない。その他の構成は実施例５と同じであり説明を省略する。 FIG. 20A is a plan view of the acoustic wave device according to the seventh embodiment, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 20A and 20B, the metal layer 15 includes a first metal layer 12, a second metal layer 14, and a third metal layer 16. The third metal layer 16 is not provided up to near the IDT 13 as compared with the fifth embodiment. Other configurations are the same as those of the fifth embodiment, and the description thereof is omitted.

実施例１から実施例７において、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を蒸着法およびリフトオフ法を用い形成する例を説明したが、これらの金属層は、スパッタリング法およびエッチング法を用い形成してもよい。絶縁層２０を絶縁層２０ａと２０ｂとに分けて形成する方法を説明したが、絶縁層２０を一度に形成してもよい。絶縁層２０ａおよび２０ｂのエッチング方法としてドライエッチング法を例に説明したがウエットエッチング法を用いてもよい。絶縁層２０ａおよび２０ｂとして酸化シリコン膜の例を説明したが、他の絶縁膜でもよい。ラブ波デバイスとして機能するためには、絶縁層２０ａと２０ｂとは同じ材料であることが好ましい。金属層１５の絶縁層２０とを密着させる膜としてＴｉ膜の例を説明したがＣｒ膜等、絶縁層２０との密着を図れる膜であればよい。上面３０から３４および下面３６の幅（断面図における横方向の幅）は、数μｍ以上であることが好ましい。これらの幅は、例えば、１μｍ以上が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。 In the first to seventh embodiments, the example in which the first metal layer 12, the second metal layer 14, and the third metal layer 16 are formed by using the vapor deposition method and the lift-off method has been described. Alternatively, an etching method may be used. Although the method of forming the insulating layer 20 separately in the insulating layers 20a and 20b has been described, the insulating layer 20 may be formed at a time. Although the dry etching method has been described as an example of the etching method of the insulating layers 20a and 20b, a wet etching method may be used. Although the example of the silicon oxide film has been described as the insulating layers 20a and 20b, other insulating films may be used. In order to function as a Love wave device, the insulating layers 20a and 20b are preferably made of the same material. Although the example of the Ti film has been described as the film that adheres the insulating layer 20 of the metal layer 15, any film that can achieve close contact with the insulating layer 20, such as a Cr film, may be used. The widths of the upper surfaces 30 to 34 and the lower surface 36 (lateral width in the sectional view) are preferably several μm or more. These widths are preferably, for example, 1 μm or more, and more preferably 10 μm or more.

弾性波デバイスの例として、ラブ波デバイスの例を説明したが、狭義の弾性表面波デバイスまたは弾性境界波デバイスでもよい。 Although an example of a Love wave device has been described as an example of an acoustic wave device, a surface acoustic wave device or a boundary acoustic wave device in a narrow sense may be used.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０圧電基板
１２第１金属層
１３ＩＤＴ
１４第２金属層
１５金属層
１６第３金属層
１８バンプ
２０絶縁層
３０、３２、３４上面
３６下面 10 Piezoelectric substrate 12 First metal layer 13 IDT
14 Second metal layer 15 Metal layer 16 Third metal layer 18 Bump 20 Insulating layer 30, 32, 34 Upper surface 36 Lower surface

Claims

A piezoelectric substrate;
An electrode formed on the piezoelectric substrate and exciting an elastic wave;
A metal layer formed on the piezoelectric substrate;
An insulating layer in contact with the metal layer at two or more different surfaces from at least one of the upper and lower sides;
A connection part formed on the metal layer for electrically connecting the electrode to the outside;
An elastic wave device comprising:

The metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating layer is in contact with the metal layer on an upper surface of the first metal layer and an upper surface of the second metal layer.

The metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating layer is in contact with the metal layer on an upper surface of the first metal layer and a lower surface of the second metal layer.

4. The acoustic wave device according to claim 2, wherein the first metal layer is made of the same material as the electrode.

The metal layer includes a third metal layer formed on the second metal layer;
5. The acoustic wave device according to claim 2, wherein the insulating layer is in contact with the metal layer on an upper surface of the third metal layer. 6.

6. The acoustic wave device according to claim 2, wherein the first metal layer and the second metal layer include a wiring layer that electrically connects the electrode and the connection portion. 6.

The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating layer is an insulating layer that covers the electrode.

The acoustic wave device according to claim 1, wherein the connection portion is a bump.