JP2013143704A - Elastic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は弾性波デバイスに関し、例えば電極を外部と電気的に接続する接続部を備える弾性波デバイスに関する。 The present invention relates to an acoustic wave device, for example, an acoustic wave device including a connection portion that electrically connects an electrode to the outside.
移動体通信機器等には、例えばフィルタやデュプレクサとして弾性波デバイスが用いられている。弾性波デバイスとして、圧電基板上にIDT(Inter Digital Transducer)等の電極を形成した弾性表面波デバイスがある。IDT等の電極は圧電基板の表面の弾性波を励振する。弾性表面波デバイスとしては、例えば狭義の弾性表面波デバイス、ラブ波デバイスおよび弾性境界波デバイスがある。 In mobile communication devices and the like, elastic wave devices are used as filters and duplexers, for example. As an acoustic wave device, there is a surface acoustic wave device in which an electrode such as an IDT (Inter Digital Transducer) is formed on a piezoelectric substrate. An electrode such as IDT excites an elastic wave on the surface of the piezoelectric substrate. Examples of the surface acoustic wave device include a surface acoustic wave device in a narrow sense, a love wave device, and a boundary acoustic wave device.
狭義の弾性表面波デバイスは、IDTの電極指上を薄い絶縁性の保護膜で覆った構成である。狭義の弾性表面波デバイスにおいては、圧電基板の表面を弾性波が伝搬する。ラブ波デバイスは、IDTの電極指上を比較的厚い酸化シリコン等の絶縁膜で覆った構成である。ラブ波デバイスにおいては、圧電基板の表面、絶縁膜および絶縁膜の表面を弾性波が伝搬する。弾性境界波デバイスは、酸化シリコン等の絶縁膜上に、酸化シリコンより音速の早い酸化アルミニウム等の絶縁膜を設けた構成である。弾性境界波デバイスにおいては、電極指上の絶縁膜に弾性波が閉じ込められ、圧電基板と絶縁膜の境界付近を弾性波が伝搬する。特許文献1には、ラブ波デバイスが記載されている。特許文献2には、電極上に保護膜として絶縁膜を設けた弾性波デバイスが記載されている。
The narrowly-defined surface acoustic wave device has a configuration in which an IDT electrode finger is covered with a thin insulating protective film. In a narrowly-defined surface acoustic wave device, an acoustic wave propagates on the surface of a piezoelectric substrate. The Love wave device has a configuration in which an IDT electrode finger is covered with a relatively thick insulating film such as silicon oxide. In the Love wave device, elastic waves propagate through the surface of the piezoelectric substrate, the insulating film, and the surface of the insulating film. The boundary acoustic wave device has a configuration in which an insulating film such as aluminum oxide having a higher sound speed than silicon oxide is provided on an insulating film such as silicon oxide. In the boundary acoustic wave device, an elastic wave is confined in the insulating film on the electrode finger, and the elastic wave propagates near the boundary between the piezoelectric substrate and the insulating film. Patent Document 1 describes a Love wave device.
圧電基板上に弾性波を励振する電極を設けた弾性波デバイスにおいては、圧電基板上に、パッドとして機能する金属層を設けることになる。金属層の上には、外部と電気的に接続するための接続部が設けられる。しかしながら、圧電基板と金属層とは、密着が悪い。このため、金属層が圧電基板から剥がれてしまう。 In an elastic wave device in which an electrode for exciting an elastic wave is provided on a piezoelectric substrate, a metal layer that functions as a pad is provided on the piezoelectric substrate. On the metal layer, a connection portion for electrically connecting to the outside is provided. However, the adhesion between the piezoelectric substrate and the metal layer is poor. For this reason, a metal layer will peel from a piezoelectric substrate.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress peeling of a metal layer from a piezoelectric substrate.
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、前記圧電基板上に形成された金属層と、前記金属層と上または下の少なくとも一方から異なる2つ以上の面で接する絶縁層と、前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することができる。 The present invention relates to a piezoelectric substrate, an electrode formed on the piezoelectric substrate and exciting an elastic wave, a metal layer formed on the piezoelectric substrate, and two different from at least one of the upper and lower sides of the metal layer. An acoustic wave device comprising: an insulating layer that is in contact with the above surface; and a connection portion that is formed on the metal layer and electrically connects the electrode to the outside. According to the present invention, peeling of the metal layer from the piezoelectric substrate can be suppressed.
上記構成において、前記金属層は、前記圧電基板上に形成された第1金属層と、前記第1金属層上に形成された第2金属層とを含み、前記絶縁層は、前記第1金属層の上面および前記第2金属層の上面において前記金属層と接する構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer, and the insulating layer includes the first metal layer. The upper surface of the layer and the upper surface of the second metal layer may be in contact with the metal layer.
上記構成において、前記金属層は、前記圧電基板上に形成された第1金属層と、前記第1金属層上に形成された第2金属層とを含み、前記絶縁層は、前記第1金属層の上面および前記第2金属層の下面において前記金属層と接する構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer, and the insulating layer includes the first metal layer. The upper surface of the layer and the lower surface of the second metal layer may be in contact with the metal layer.
上記構成において、前記第1金属層は、前記電極と同じ材料から形成される構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: A said 1st metal layer can be set as the structure formed from the same material as the said electrode.
上記構成において、前記金属層は前記第2金属層上に形成された第3金属層を含み、前記絶縁層は、前記第3金属層の上面において前記金属層と接する構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer may include a third metal layer formed on the second metal layer, and the insulating layer may be in contact with the metal layer on an upper surface of the third metal layer.
上記構成において、前記第1金属層および前記第2金属層は、前記電極と前記接続部を電気的に接続する配線層を含む構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said 1st metal layer and the said 2nd metal layer can be set as the structure containing the wiring layer which electrically connects the said electrode and the said connection part.
上記構成において、前記絶縁層は、前記電極を覆う絶縁層である構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said insulating layer can be set as the structure which is an insulating layer which covers the said electrode.
上記構成において、前記接続部はバンプである構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said connection part can be set as the structure which is a bump.
本発明によれば、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することができる。 According to the present invention, peeling of the metal layer from the piezoelectric substrate can be suppressed.
以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
実施例1は、弾性波デバイスとしてラブ波デバイスの例である。図1は、実施例1に係る弾性波デバイスの平面図である。図2(a)は、実施例1に係る弾性波デバイスのパッド領域Cの平面図、図2(b)は、図2(a)のA−A断面図、図2(c)は、図2(b)のB−B断面図である。なお、図2(c)においては、IDT13の電極指を拡大して図示している。図1および図2(a)において、第1金属層12、第2金属層14は絶縁層20を透視して図示している。以下の実施例においても同様である。
Example 1 is an example of a Love wave device as an elastic wave device. FIG. 1 is a plan view of the acoustic wave device according to the first embodiment. 2A is a plan view of the pad region C of the acoustic wave device according to the first embodiment, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2A, and FIG. It is BB sectional drawing of 2 (b). In FIG. 2C, the electrode fingers of the
図1から図2(c)を参照し、圧電基板10上に弾性波を励振する電極であるIDT13が形成されている。IDT13は複数の電極指を含む。図2(c)は複数の電極指を図示している。圧電基板10としては、例えばタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを用いることができる。圧電基板10上にIDT13に電気的に接続する第1金属層12が形成されている。第1金属層12は、例えばIDT13と同じ材料から形成することができる。第1金属層12としてはCuまたはAlを主に含む金属を用いることができる。第1金属層12をIDT13と同じ材料から形成する場合、第1金属層12の膜厚および材料は、主にIDT13としての性能重視で設計される。
With reference to FIG. 1 to FIG. 2C, an
第1金属層12上に第2金属層14が形成されている。第2金属層14は、抵抗率が低い材料が好ましく、例えばCu、AuまたはAlを主に含む金属を用いることができる。第2金属層14上に第3金属層16が形成されている。第3金属層16は、抵抗率が低く、バンプ18との密着性がよい材料が好ましい。第3金属層16としては、例えばCu、AuまたはAlを主に含む金属を用いることができる。例えば、バンプがAuを主に含む場合、第3金属層16は主にAuを含むことが好ましい。金属層15は、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16を含む。
A
金属層15上には、バンプ18が形成されている。バンプ18は、IDT13を外部と電気的に接続する接続部として機能する。バンプ18としては、Auスタッドバンプ、ハンダボール等を用いることができる。接続部として、バンプ18以外にボンデイングワイヤ等を用いることもできる。第1金属層12および第2金属層14の上面は絶縁層20に覆われている。IDT13においても電極指は絶縁層20に覆われている。絶縁層20は、IDT13の電極指を覆う絶縁層を兼ねてもよい。絶縁層20が電極指を覆う絶縁層を兼ねる場合、絶縁層20は酸化シリコンを主に含むことが好ましい。
比較のための比較例について説明する。図3(a)は、比較例に係る弾性波デバイスのパッド領域の平面図、図3(b)は、図3(a)のA−A断面図である。図3(a)および図3(b)を参照し、比較例においては、絶縁層20が金属層15を覆っていない。密着膜として一般的に用いられるTi膜またはCr膜等を用いても、圧電基板10と金属層15との密着性は悪く、弾性波デバイスの製造工程途中、または弾性波デバイス完成後に、金属層15が圧電基板10から剥がれる場合がある。
A comparative example for comparison will be described. FIG. 3A is a plan view of a pad region of an acoustic wave device according to a comparative example, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. With reference to FIG. 3A and FIG. 3B, in the comparative example, the insulating
一方、実施例1においては、絶縁層20は、金属層15と上または下の少なくとも一方から異なる2つ以上の面で接する。例えば、絶縁層20は、第1金属層12の上面30と、第2金属層14の上面32と、の異なる2つの面において、金属層15と接する。絶縁層20と金属層15とは、密着性をよくすることが容易である。例えば、金属層15の絶縁層20と接する面に密着性のよい金属膜を設けることにより、絶縁層20と金属層15との密着性を向上できる。また、一般的に、絶縁層20と圧電基板10との密着性は、金属層15と圧電基板10とに比べ良好である。例えば、酸化シリコン膜とタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板との密着は良好である。これにより、絶縁層20が、金属層15を上から高さの異なる2つの面以上で押さえ込むことにより、金属層15が圧電基板10から剥がれることを抑制できる。
On the other hand, in Example 1, the insulating
第1金属層12が、電極(例えばIDT13)と同じ材料から形成される場合、第1金属層12の材料は、弾性波デバイスの性能が向上するIDT13の材料を選択する。このため、圧電基板10と金属層15との密着性の観点から第1金属層12を選択できない。よって、実施例1のように、絶縁層20を用い、金属層15が圧電基板10から剥がれることを抑制することが好ましい。
When the
さらに、第1金属層12および第2金属層14を、IDT13とバンプ18とを電気的に接続する配線層を含む構成とする。これにより、製造工程を簡略化することができる。さらに、絶縁層20は、IDT13を覆う絶縁層であることが好ましい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
Further, the
接続部として、スタッドバンプを用いる場合、スタッドバンプ形成時に金属層15に力がかかり、金属層15が圧電基板10から剥がれ易い。よって、スタッドバンプを用いる場合、実施例1のように、絶縁層20を用い、金属層15が圧電基板10から剥がれることを抑制することが好ましい。
When a stud bump is used as the connection portion, a force is applied to the
次に、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図4(a)から図7(d)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。各図の左側はIDT13の電極指を示す図、右側はパッドを示す図である。
Next, a method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment will be described. FIG. 4A to FIG. 7D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the first embodiment. The left side of each figure shows the electrode fingers of the
図4(a)に示すように、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板10を準備する。図4(b)に示すように、圧電基板10上に、絶縁層20aとして例えば酸化シリコン膜を形成する。絶縁層20aは、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用い形成する。絶縁層20aの膜厚は、例えば120nmである。図4(c)に示すように、絶縁層20a上に露光現像法を用い、開口52を有するフォトレジスト50を形成する。絶縁層20aをフォトレジスト50をマスクにエッチングする。絶縁層20aのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。図4(d)に示すように、開口52内およびフォトレジスト50上に第1金属層12を形成する。第1金属層12は、例えば真空蒸着法を用い形成する。第1金属層12としては、例えば、圧電基板10側から、膜厚が10nmのTi膜、膜厚が100nmのCu膜および膜厚が10nmのCr膜とすることができる。
As shown in FIG. 4A, a
図5(a)に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト50を除去する。図5(b)に示すように、第1金属層12および絶縁層20a上に開口56を有するフォトレジスト54を形成する。図5(c)に示すように、開口56内およびフォトレジスト54上に第2金属層14を形成する。第2金属層14の形成は、例えば真空蒸着法を用いる。第2金属層14としては、例えば、第1金属層12側から、膜厚が50nmのTi膜、膜厚が500nmのCu膜および膜厚が50nmのTi膜とすることができる。図5(d)に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト54を除去する。
As shown in FIG. 5A, the
図6(a)に示すように、第1金属層12および第2金属層14を覆うように絶縁層20bとして例えば酸化シリコン膜を形成する。絶縁層20bは、例えばCVD法を用い形成する。絶縁層20bの膜厚は、例えば590nmである。図6(b)に示すように、絶縁層20b上に開口60を有するフォトレジスト58を形成する。図6(c)に示すように、フォトレジスト58をマスクに絶縁層20bをエッチングする。絶縁層20bのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。図6(d)に示すように、フォトレジスト58を除去する。絶縁層20aと絶縁層20bとにより、絶縁層20が形成される。
As shown in FIG. 6A, for example, a silicon oxide film is formed as the insulating
図7(a)に示すように、絶縁層20b上に開口60を有するフォトレジスト62を形成する。フォトレジスト62の開口が絶縁層20bの開口と略一致するように形成する。図7(b)に示すように、開口60内およびフォトレジスト62上に第3金属層16を形成する。第3金属層16の形成は、例えば真空蒸着法を用いる。第3金属層16としては、例えば、第2金属層14側から、膜厚が200nmのTi膜および膜厚が400nmのAu膜とすることができる。図7(c)に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト62を除去する。以上により、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16を含む金属層15が形成される。図7(d)に示すように、第3金属層16上にバンプ18を形成する。バンプ18としては、例えばAuスタッドバンプを用いることができる。
As shown in FIG. 7A, a
図4(c)のように、絶縁層20aをエッチングした後、図4(d)のように、第1金属層12を形成する。このため、圧電基板10と第1金属層12との密着性がより低くなる。さらに、第1金属層12を真空蒸着法を用い形成すると、圧電基板10と第1金属層12との密着性がより低くなる。よって、絶縁層20bと金属層15とを密着させることが好ましい。
After etching the insulating
図6(c)のように、絶縁層20bをエッチングする際に、第1金属層12と圧電基板10との界面はエッチング雰囲気にさらされない。これにより、絶縁層20bをエッチングする際に、第1金属層12と圧電基板10との界面がエッチングされ金属層15と圧電基板10との密着性を低下させることを抑制できる。
As shown in FIG. 6C, when the insulating
さらに、第1金属層12および第2金属層14の最上面を絶縁層20bと密着性のよいTi膜としている。これにより、絶縁層20と金属層15との密着性を向上させることができる。
Further, the uppermost surfaces of the
図8(a)は、実施例2に係る弾性波デバイスの平面図、図8(b)は、図8(a)のA−A断面図である。IDTの断面は図2(c)と同じであり説明を省略する。図8(a)および図8(b)に示すように、絶縁層20が、第3金属層16の上面上の一部に形成されている。すなわち、絶縁層20は、第1金属層12の上面30、第2金属層14の上面32および第3金属層16の上面34において、金属層15と接する。このように、絶縁層20は、高さの異なる3つの面において金属層15と接する。これにより、実施例1より、さらに、金属層15の剥がれを抑制することができる。その他の構成は、実施例1と同じであり、説明を省略する。
FIG. 8A is a plan view of the acoustic wave device according to the second embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 8A and 8B, the insulating
次に、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図9(a)から図10(d)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。IDT13の電極指を示す図は省略している。図9(a)に示すように、まず実施例1の図5(d)までの工程を行なう。その後、第1金属層12、第2金属層14および絶縁層20a上に開口66を有するフォトレジスト64を形成する。図9(b)に示すように、開口66内およびフォトレジスト64上に第3金属層16を形成する。図9(c)に示すように、フォトレジスト64を除去する。これにより、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16から金属層15が形成される。図9(d)に示すように、金属層15および絶縁層20a上に絶縁層20bを形成する。図9(e)に示すように、絶縁層20b上にフォトレジスト68を形成する。
Next, a method for manufacturing the acoustic wave device according to Example 2 will be described. FIG. 9A to FIG. 10D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the second embodiment. The figure which shows the electrode finger of IDT13 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 9A, first, the steps up to FIG. 5D of the first embodiment are performed. Thereafter, a
図10(a)に示すように、フォトレジスト68に開口70を形成する。図10(b)に示すように、フォトレジスト68をマスクに、絶縁層20bをエッチングする。図10(c)に示すように、フォトレジスト68を除去する。図10(d)に示すように、金属層15上にバンプ18を形成する。以上のように、実施例2に係る弾性波デバイスを製造する。
As shown in FIG. 10A, an
図11(a)は、実施例3に係る弾性波デバイスの平面図、図11(b)は、図11(a)のA−A断面図である。IDTの断面は図2(c)と同じであり説明を省略する。図11(a)および図11(b)に示すように、第1金属層12は、第2金属層14下の一部に形成されている。このため、絶縁層20が、第1金属層12の上面の一部と、第2金属層14の下面36の一部に形成されている。すなわち、絶縁層20は、第1金属層12の上面30および第2金属層14の下面36において、金属層15と接する。すなわち、絶縁層20は、上方向と下方向との異なる2つの方向から金属層15に接する。これにより、金属層15の剥がれを抑制することができる。金属層15は、第3金属層16を含んでおらず、バンプ18は第2金属層14上に形成される。絶縁層20は、第2金属層14の上面には形成されていないが、第2金属層14の上面の一部に形成することもできる。その他の構成は、実施例1と同じであり、説明を省略する。
FIG. 11A is a plan view of the acoustic wave device according to the third embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 11A and 11B, the
次に、実施例3に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図12(a)から図13(d)は、実施例3に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。IDT13の電極指を示す図は省略している。図12(a)に示すように、まず実施例1の図5(a)までの工程を行なう。第1金属層12の幅は実施例1の図5(a)に比べて狭い。図12(b)に示すように、第1金属層12および絶縁層20a上に絶縁層20bを形成する。図12(c)に示すように、絶縁層20b上に開口74を有するフォトレジスト72を形成する。図12(d)に示すように、フォトレジスト72をマスクに絶縁層20bをエッチングする。これにより、絶縁層20aおよび20bを含む絶縁層20が形成される。図12(e)に示すように、フォトレジストを除去する。
Next, a method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 3 will be described. FIG. 12A to FIG. 13D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the third embodiment. The figure which shows the electrode finger of IDT13 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 12A, first, the steps up to FIG. The width of the
図13(a)に示すように、絶縁層20b上に開口78を有するフォトレジスト76を形成する。絶縁層20bの開口とフォトレジスト76の開口78とは略一致するように形成する。図13(b)に示すように、開口78内およびフォトレジスト76上に第2金属層14を形成する。第2金属層14は、例えば第1金属層12側から膜厚が200nmのTi膜および膜厚が400nmのAu膜である。図13(c)に示すように、フォトレジスト76を除去する。図13(d)に示すように、第2金属層14上にバンプ18を形成する。以上のように、実施例3に係る弾性波デバイスを製造する。
As shown in FIG. 13A, a
図14(a)は、実施例4に係る弾性波デバイスの平面図、図14(b)は、図14(a)のA−A断面図である。IDTの断面は図2(c)と同じであり説明を省略する。図14(a)および図14(b)に示すように、第2金属層14が、IDT13近くまで設けられている。これにより、IDT13とバンプ18間の抵抗を低くできる。その他の構成は実施例4と同じであり説明を省略する。
FIG. 14A is a plan view of the acoustic wave device according to the fourth embodiment, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 14A and 14B, the
図15(a)は、実施例5に係る弾性波デバイスの平面図、図15(b)は、図15(a)のA−A断面図である。IDTの断面は図2(c)と同じであり説明を省略する。図15(a)および図15(b)に示すように、金属層15は、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16を含んでいる。絶縁層20は、第1金属層12の上面30、第2金属層14の上面32、第3金属層16の上面34および第2金属層14の下面36において、金属層15と接する。これにより、金属層15の剥がれを抑制することができる。第2金属層14および第3金属層16が、IDT13近くまで設けられている。これにより、IDT13とバンプ18間の抵抗を低くできる。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
FIG. 15A is a plan view of the acoustic wave device according to the fifth embodiment, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 15A and 15B, the
図16(a)は、実施例6に係る弾性波デバイスの平面図、図16(b)は、図16(a)のA−A断面図である。IDTの断面は図2(c)と同じであり説明を省略する。図16(a)および図16(b)に示すように、金属層15は、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16を含んでいる。第2金属層14および第3金属層16は、実施例5と比べ、IDT13近くまでは設けられていない。その他の構成は実施例5と同じであり説明を省略する。
FIG. 16A is a plan view of the acoustic wave device according to the sixth embodiment, and FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 16A and 16B, the
次に、実施例6に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図17(a)から図19(d)は、実施例6に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。IDT13の電極指を示す図は省略している。図17(a)に示すように、図12(a)と同様に、圧電基板10上に第1金属層12と絶縁層20aを形成する。図17(b)に示すように、第1金属層12および絶縁層20a上に開口82を有するフォトレジスト80を形成する。図17(c)に示すように、開口82内およびフォトレジスト80上に第2金属層14を形成する。図17(d)に示すように、フォトレジスト80を除去する。
Next, a method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 6 will be described. FIG. 17A to FIG. 19D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the acoustic wave device according to the sixth embodiment. The figure which shows the electrode finger of IDT13 is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 17A, the
図18(a)に示すように、第1金属層12、第2金属層14および絶縁層20a上に開口86を有するフォトレジスト80を形成する。図18(b)のように、開口86内およびフォトレジスト84上に第3金属層16を形成する。これにより、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16から金属層15が形成される。図18(c)に示すように、フォトレジスト84を除去する。図18(d)のように、金属層15および絶縁層20a上に絶縁層20bを形成する。
As shown in FIG. 18A, a
図19(a)に示すように、絶縁層20b上に開口90を有するフォトレジスト88を形成する。図19(b)に示すように、フォトレジスト92をマスクに絶縁層20bをエッチングする。これにより、絶縁層20aと20bとから絶縁層20が形成される。図19(c)に示すように、フォトレジスト92を除去する。図19(d)のように、第3金属層16上にバンプ18を形成する。以上のように、実施例6に係る弾性波デバイスを製造する。
As shown in FIG. 19A, a photoresist 88 having an
図20(a)は、実施例7に係る弾性波デバイスの平面図、図20(b)は、図20(a)のA−A断面図である。IDTの断面は図2(c)と同じであり説明を省略する。図20(a)および図20(b)に示すように、金属層15は、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16を含んでいる。第3金属層16は、実施例5と比べ、IDT13近くまでは設けられていない。その他の構成は実施例5と同じであり説明を省略する。
FIG. 20A is a plan view of the acoustic wave device according to the seventh embodiment, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The cross section of the IDT is the same as FIG. As shown in FIGS. 20A and 20B, the
実施例1から実施例7において、第1金属層12、第2金属層14および第3金属層16を蒸着法およびリフトオフ法を用い形成する例を説明したが、これらの金属層は、スパッタリング法およびエッチング法を用い形成してもよい。絶縁層20を絶縁層20aと20bとに分けて形成する方法を説明したが、絶縁層20を一度に形成してもよい。絶縁層20aおよび20bのエッチング方法としてドライエッチング法を例に説明したがウエットエッチング法を用いてもよい。絶縁層20aおよび20bとして酸化シリコン膜の例を説明したが、他の絶縁膜でもよい。ラブ波デバイスとして機能するためには、絶縁層20aと20bとは同じ材料であることが好ましい。金属層15の絶縁層20とを密着させる膜としてTi膜の例を説明したがCr膜等、絶縁層20との密着を図れる膜であればよい。上面30から34および下面36の幅(断面図における横方向の幅)は、数μm以上であることが好ましい。これらの幅は、例えば、1μm以上が好ましく、より好ましくは10μm以上であることが好ましい。
In the first to seventh embodiments, the example in which the
弾性波デバイスの例として、ラブ波デバイスの例を説明したが、狭義の弾性表面波デバイスまたは弾性境界波デバイスでもよい。 Although an example of a Love wave device has been described as an example of an acoustic wave device, a surface acoustic wave device or a boundary acoustic wave device in a narrow sense may be used.
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.
10 圧電基板
12 第1金属層
13 IDT
14 第2金属層
15 金属層
16 第3金属層
18 バンプ
20 絶縁層
30、32、34 上面
36 下面
10
14
Claims (8)
前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、
前記圧電基板上に形成された金属層と、
前記金属層と上または下の少なくとも一方から異なる2つ以上の面で接する絶縁層と、
前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、
を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 A piezoelectric substrate;
An electrode formed on the piezoelectric substrate and exciting an elastic wave;
A metal layer formed on the piezoelectric substrate;
An insulating layer in contact with the metal layer at two or more different surfaces from at least one of the upper and lower sides;
A connection part formed on the metal layer for electrically connecting the electrode to the outside;
An elastic wave device comprising:
前記絶縁層は、前記第1金属層の上面および前記第2金属層の上面において前記金属層と接することを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。 The metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating layer is in contact with the metal layer on an upper surface of the first metal layer and an upper surface of the second metal layer.
前記絶縁層は、前記第1金属層の上面および前記第2金属層の下面において前記金属層と接することを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。 The metal layer includes a first metal layer formed on the piezoelectric substrate and a second metal layer formed on the first metal layer,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating layer is in contact with the metal layer on an upper surface of the first metal layer and a lower surface of the second metal layer.
前記絶縁層は、前記第3金属層の上面において前記金属層と接することを特徴とする請求項2から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 The metal layer includes a third metal layer formed on the second metal layer;
5. The acoustic wave device according to claim 2, wherein the insulating layer is in contact with the metal layer on an upper surface of the third metal layer. 6.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017011559A (en) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000357708A (en) * | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Yamaha Corp | Construction of bonding pad and manufacture of the bonding pad |
JP2002299985A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | Production method for surface acoustic wave device |
JP2002374137A (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | Method for manufacturing surface acoustic wave device, the surface acoustic wave device, and communication equipment mounted with the device |
JP2004135163A (en) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing saw device |
JP2007282294A (en) * | 2005-09-20 | 2007-10-25 | Kyocera Corp | Acoustic surface wave element and device |
WO2008038459A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave filter |
JP2012004613A (en) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave device |
-
2012
- 2012-01-11 JP JP2012003607A patent/JP6029829B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000357708A (en) * | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Yamaha Corp | Construction of bonding pad and manufacture of the bonding pad |
JP2002299985A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | Production method for surface acoustic wave device |
JP2002374137A (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | Method for manufacturing surface acoustic wave device, the surface acoustic wave device, and communication equipment mounted with the device |
JP2004135163A (en) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing saw device |
JP2007282294A (en) * | 2005-09-20 | 2007-10-25 | Kyocera Corp | Acoustic surface wave element and device |
WO2008038459A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave filter |
JP2012004613A (en) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017011559A (en) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
US10250221B2 (en) | 2015-06-24 | 2019-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
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