JP2013142161A - Method of manufacturing vapor-deposited film and laminate packaging material - Google Patents

Method of manufacturing vapor-deposited film and laminate packaging material Download PDF

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征典 植田
Masaaki Ono
雅章 小野
Yasushi Tateishi
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a vapor-deposited film having adhesion even when a hot water treatment such as boiling sterilization or retort sterilization is performed thereon.SOLUTION: In the method of manufacturing the vapor-deposited film including the steps of performing a plasma processing by a planar magnetron type plasma processing electrode while continuously running a base film and subsequently forming a vapor-deposited layer, at a traveling position of the base film immediately above the plasma processing electrode, the maximum value of a magnetic flux density parallel to a surface of the plasma processing electrode and also parallel to a film traveling direction measured along the traveling direction of the film at an optional position in a film width direction of the base film is 20-100 mT. The base film surface is plasma processed with a plasma processing strength of 10-20 Wmin/m, and then the vapor-deposited layer is formed.

Description

本発明は、包装用途に用いられる蒸着フィルムの製造方法に関し、特にシーラントフィルムと積層され製袋された後に、ボイル殺菌、ボイル調理、レトルト殺菌、レトルト調理等の加熱処理が施された際の蒸着層と基材フィルムとの密着性に優れた蒸着フィルムの製造方法および積層包装材料に関する。   TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a vapor deposition film used for packaging applications, and in particular, vapor deposition when heat treatment such as boil sterilization, boil cooking, retort sterilization, retort cooking, etc. is performed after being laminated with a sealant film to form a bag. The present invention relates to a method for producing a vapor-deposited film excellent in adhesion between a layer and a base film, and a laminated packaging material.

高分子フィルム上に金属あるいは、金属酸化物を蒸着したフィルムは、金属光沢の美麗性、あるいは透明性とガスバリア性能に優れることから包装材料として広く使用されている。   A film obtained by vapor-depositing a metal or metal oxide on a polymer film is widely used as a packaging material because of its beautiful metallic luster, transparency and gas barrier performance.

ところで、基材フィルム上に金属あるいは、金属酸化物を蒸着しただけでは基材フィルムと蒸着層間の密着力が不十分であり、蒸着層の密着力を向上させるための処理方法として、基材フィルム上に銅等の金属のアンカー蒸着層の形成を真空下、かつグロー放電下で行うこと(特許文献1)、基材フィルム表面にグロー放電処理と金属または金属化合物からなる蒸着薄膜を設けること(特許文献2)、基材フィルム表面にグロー放電下で金属のアンカー蒸着層を形成すること(特許文献3)、基材フィルムにグロー放電下で金属アンカー層を形成し、金属酸化物層を形成した後、ガラス転移点50〜80℃の二液硬化型樹脂層を設ける方法(特許文献4)、ナイロンフィルム上にプラズマ放電のもと、核付金属蒸着層を形成すること(特許文献5)、ポリ乳酸フィルム表面にプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング(RIE)による前処理層を設けること(特許文献6)等が知られている。   By the way, simply depositing metal or metal oxide on the substrate film does not provide sufficient adhesion between the substrate film and the deposition layer, and as a treatment method for improving the adhesion of the deposition layer, the substrate film The formation of an anchor deposition layer of a metal such as copper is performed under vacuum and glow discharge (Patent Document 1), and a deposition thin film made of a glow discharge treatment and a metal or a metal compound is provided on the surface of the base film ( Patent Document 2), forming a metal anchor deposition layer on the surface of the base film under glow discharge (Patent Document 3), forming a metal anchor layer on the base film under glow discharge, and forming a metal oxide layer After that, a method of providing a two-component curable resin layer having a glass transition point of 50 to 80 ° C. (Patent Document 4), forming a cored metal deposition layer on a nylon film under plasma discharge (patent text) 5), providing a pretreatment layer by reactive ion etching utilizing plasma (RIE) in the polylactic acid film surface (Patent Document 6) are known.

これらの方法のうち、基材フィルム上に銅等の金属のアンカー蒸着層の形成をグロー放電下で行うことにより密着力を向上させる方法では、例えば高分子フィルム、接着剤、蒸着フィルム、接着剤、シーラントフィルムがこの順にラミネートされ、該蒸着フィルムの蒸着層が該高分子フィルム側にある構成体において、該高分子フィルムと該蒸着フィルム間のボイル処理前後の水濡れ密着性が不十分となることがあり、水濡れ密着性を向上させるためには、蒸着加工時のフィルム搬送速度を低速にし、相対的に処理強度を上げる必要があったが、この場合にもプラズマ処理による熱負けにより基材フィルムの平面性が悪化し、これが原因で蒸着時に熱負けスジが発生するなどの問題があった。   Among these methods, in the method of improving adhesion by forming an anchor deposition layer of a metal such as copper on a base film under glow discharge, for example, a polymer film, an adhesive, a deposition film, an adhesive In the structure in which the sealant films are laminated in this order and the vapor deposition layer of the vapor deposition film is on the polymer film side, the water wet adhesion before and after the boil treatment between the polymer film and the vapor deposition film becomes insufficient. In order to improve wet adhesion, it was necessary to reduce the film transport speed during vapor deposition and relatively increase the processing strength. The flatness of the material film deteriorated, and this caused problems such as heat loss streaks during vapor deposition.

また、この密着力を向上させる方法として、基材フィルム上に予め樹脂からなるアンカーコート層を設け、その上に金属蒸着層の蒸着を行う方法がすでに知られている(例えば、特許文献7)。しかし、この方法では、アンカーコート層を設ける工程が必要となり、コストが高くなるという欠点があった。   In addition, as a method for improving the adhesion, a method in which an anchor coat layer made of a resin is previously provided on a base film and a metal vapor deposition layer is deposited thereon is already known (for example, Patent Document 7). . However, this method has a disadvantage that a process of providing an anchor coat layer is required and the cost is increased.

特開平8−267642号公報JP-A-8-267642 特開平8−267645号公報JP-A-8-267645 特開平8−269689号公報JP-A-8-269689 特開2001−162711号公報JP 2001-162711 A 特開平10−36958号公報JP 10-36958 A 特開2008−272967号公報JP 2008-272967 A 特開2007−69456号公報JP 2007-69456 A

本発明の目的は、基材フィルム上に蒸着層を設けた蒸着フィルムにおいて、90℃〜135℃の熱水で30分間処理後の密着性に優れた蒸着フィルムを高速で安定的に製造する方法を提供することにある。   An object of the present invention is a method for stably producing a vapor-deposited film having excellent adhesion after being treated with hot water at 90 to 135 ° C. for 30 minutes in a vapor-deposited film having a vapor-deposited layer on a base film. Is to provide.

上記の目的を達成するために、下記の手段を見出した。すなわち本発明は、基材フィルムを連続的に走行させながらプラズマ処理を行い、引き続き蒸着層を形成する蒸着フィルムの製造方法であって、該プラズマ処理がプレーナーマグネトロン方式のプラズマ処理電極によるものであり、該処理電極の直上、かつ、基材フィルムの走行位置において、基材フィルムの任意の位置で、基材フィルムの走行方向に沿って測定した、該処理電極表面に平行、かつ、基材フィルム走行方向に平行な磁束密度の最大値が20〜100mTであり、該プラズマ処理の強度が10〜200Wmin/mで基材フィルムの表面をプラズマ処理した後に蒸着層を形成する、蒸着フィルムの製造方法である。 In order to achieve the above object, the following means have been found. That is, the present invention is a method for producing a vapor deposition film in which a substrate film is continuously run while plasma treatment is performed, and subsequently a vapor deposition layer is formed, wherein the plasma treatment is based on a planar magnetron type plasma treatment electrode. The base film is parallel to the surface of the processing electrode and is measured along the direction of travel of the base film at an arbitrary position of the base film at the travel position of the base film. The maximum value of the magnetic flux density parallel to the running direction is 20 to 100 mT, and the strength of the plasma treatment is 10 to 200 Wmin / m 2. Is the method.

さらに、蒸着層と基材フィルムからなる蒸着フィルムの蒸着層側に他のフィルムが積層された積層包装材料であって、蒸着層がアルミニウム層である場合には、85〜95℃、30分間の熱水処理後、蒸着層と基材フィルム間との水濡れラミネート強度が、50mm/minの剥離速度において1N/15mm以上であり、蒸着層が金属酸化物層である場合には、115〜125℃、30分間の熱水処理後、蒸着層と基材フィルム間との水濡れラミネート強度が、50mm/minの剥離速度において1N/15mm以上であることを特徴とする積層包装材料である。   Furthermore, it is a laminated packaging material in which another film is laminated on the vapor deposition layer side of the vapor deposition film composed of the vapor deposition layer and the base film, and when the vapor deposition layer is an aluminum layer, it is 85 to 95 ° C. for 30 minutes. After the hot water treatment, when the water wet laminate strength between the vapor deposition layer and the base film is 1 N / 15 mm or more at a peeling rate of 50 mm / min, and the vapor deposition layer is a metal oxide layer, it is 115 to 125. After the hot water treatment at 30 ° C. for 30 minutes, the laminated packaging material is characterized in that the water wet laminate strength between the vapor deposition layer and the substrate film is 1 N / 15 mm or more at a peeling rate of 50 mm / min.

本発明は、蒸着層と基材フィルムとの密着力に優れ、製袋された後にボイル殺菌、ボイル調理、レトルト殺菌、レトルト調理等の加熱処理が施された時の密着性の低下を抑えることができる蒸着フィルムを生産性良く製造することができる。   The present invention is excellent in adhesion between the vapor deposition layer and the base film, and suppresses a decrease in adhesion when heat treatment such as boil sterilization, boil cooking, retort sterilization, and retort cooking is performed after bag making. Can be produced with good productivity.

走行する基材フィルムの側面から観察したプラズマ処理電極と走行する基材フィルムの関係を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the relationship between the plasma processing electrode observed from the side surface of the drive | working base film, and the base film which runs. 平行な磁束密度をガウスメーターにより測定する場合のガウスメーターとプラズマ処理電極の関係を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the relationship between a Gauss meter and a plasma processing electrode in the case of measuring a parallel magnetic flux density with a Gauss meter.

次に本発明を詳しく説明する。   Next, the present invention will be described in detail.

本発明において、基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルニトリルフィルム、ポリイミドフィルム等を挙げることができる。本発明において、基材フィルムは、化学的安定性や熱的安定性から、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステルフィルムが好ましい。   In the present invention, examples of the base film include polyester films such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyolefin films, polystyrene films, polyamide films, polycarbonate films, polyacrylonitrile films, and polyimide films. Can do. In the present invention, the base film is preferably a polyester film such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN) in view of chemical stability and thermal stability.

また、これらの基材フィルムは、延伸されたものでも、未延伸のものでもよいが、機械的強度や寸法安定性を有するものが好ましい。本発明において、基材フィルムは、二軸方向に延伸されたポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましく用いられる。   These base films may be stretched or unstretched, but those having mechanical strength and dimensional stability are preferred. In the present invention, a polyethylene terephthalate film stretched in the biaxial direction is more preferably used as the base film.

本発明は、基材フィルムを連続的に走行させながらプレーナーマグネトロン方式のプラズマ処理電極によりプラズマ処理を行い、引き続き蒸着層を形成する蒸着フィルムの製造方法である。プレーナーマグネトロン方式のプラズマ処理電極とは、プレーナー(平板状)プラズマ処理電極の裏面側に磁石を配設することで電極表面上に磁界が発生するようにし、プラズマ中の電子が該磁界に沿った磁力線にローレンツ力により巻き付く形でサイクロイド運動あるいはトロコイド運動を行うことで定常的な放電(マグネトロンプラズマ)を維持する方式による。磁石は、例えば中央部にS極を配し、対応する強さのN極を周囲に配することで、電子が磁力線に巻き付きながら上記ドリフト運動をしながら電極表面を周回できるように設計することが好ましく、この電子が周回できるループ状の経路に沿って強いプラズマを発生させることができる。電極の形状によって、上記強いプラズマの発生領域は、ドーナッツ状、楕円状または長矩形状となる。   The present invention is a method for producing a vapor deposition film in which a plasma treatment is performed by a planar magnetron type plasma treatment electrode while a substrate film is continuously run, and a vapor deposition layer is subsequently formed. A planar magnetron type plasma processing electrode is a magnet on the back side of a planar (flat plate) plasma processing electrode so that a magnetic field is generated on the surface of the electrode, and electrons in the plasma follow the magnetic field. It is based on a system that maintains a steady discharge (magnetron plasma) by performing cycloid motion or trochoidal motion in the form of wrapping around magnetic field lines by Lorentz force. The magnet should be designed so that it can circulate around the electrode surface while drifting while the electrons are wrapped around the lines of magnetic force, for example, by arranging an S pole at the center and an N pole of the corresponding strength around it. It is preferable that strong plasma can be generated along a loop-like path around which the electrons can circulate. Depending on the shape of the electrode, the region where the strong plasma is generated has a donut shape, an elliptical shape or a long rectangular shape.

本発明に用いられる放電は、好ましくは0.1〜100Paの真空下で、プレーナーマグネトロン方式のプラズマ処理電極と基材フィルムを含む空間に特定のガスを供給し、該電極(カソ−ド)とアノ−ド(アース)間で放電する。圧力を0.1Pa以上とすることで安定な放電を得ることができる。また100Pa以下とすることで、プラズマ処理を効率よく行うことができる。より好ましくは、0.1〜50Pa、さらに好ましくは、0.1〜20Paである。   The discharge used in the present invention preferably supplies a specific gas to a space including a planar magnetron type plasma processing electrode and a base film under a vacuum of 0.1 to 100 Pa, and the electrode (cathode) Discharge between anodes (earth). A stable discharge can be obtained by setting the pressure to 0.1 Pa or more. Moreover, plasma processing can be performed efficiently by setting it as 100 Pa or less. More preferably, it is 0.1-50 Pa, More preferably, it is 0.1-20 Pa.

特定のガスは、プラズマ処理の目的によって選択されるものであるが、好ましくは酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、水蒸気から選ばれる少なくとも一つあるいはそれらの混合ガスであり、より好ましくは、酸素、窒素、あるいはこれらの混合ガスである。   The specific gas is selected according to the purpose of the plasma treatment, but is preferably at least one selected from oxygen, nitrogen, argon, helium and water vapor, or a mixed gas thereof, more preferably oxygen, nitrogen. Or a mixed gas thereof.

本発明において、プラズマ処理電極の直上であって基材フィルムの走行位置において、プラズマ処理電極表面に平行であり、かつフィルムの走行方向に平行な磁束密度が重要である。基材フィルムの走行位置におけるプラズマ表面処理電極に平行であり、かつフィルムの走行方向に平行な磁束密度とは、基材フィルムが走行する位置に相当する面において、磁束測定用のセンサーの測定面をプラズマ処理電極に垂直に、かつフィルムの走行方向に垂直に向けて測定した磁束密度のことを言う。該磁束密度はプラズマ処理電極直上フィルム走行面内で強弱の分布を有するが、フィルムの幅方向の任意の位置におけるフィルムの走行方向に沿って測定した最大値が20から100mTであることが重要である。20mTより小さいと、基材フィルムへの表面処理エネルギーが下がり、表面処理が不十分となる。また磁束密度が20mTより小さい状態でプラズマ処理強度を大きくしても、プラズマや電極表面から発生する熱でフィルムが変形し、これが原因で蒸着時に熱負けしてスジが発生する。   In the present invention, the magnetic flux density that is directly above the plasma processing electrode and parallel to the surface of the plasma processing electrode and parallel to the traveling direction of the film is important at the traveling position of the base film. The magnetic flux density parallel to the plasma surface treatment electrode at the travel position of the base film and parallel to the travel direction of the film is the measurement surface of the sensor for measuring the magnetic flux in the plane corresponding to the position where the base film travels. Is a magnetic flux density measured perpendicularly to the plasma processing electrode and perpendicular to the running direction of the film. The magnetic flux density has a strong and weak distribution in the film running plane directly above the plasma treatment electrode, but it is important that the maximum value measured along the running direction of the film at an arbitrary position in the width direction of the film is 20 to 100 mT. is there. When it is smaller than 20 mT, the surface treatment energy to the base film is lowered and the surface treatment becomes insufficient. Further, even if the plasma processing intensity is increased in a state where the magnetic flux density is less than 20 mT, the film is deformed by the heat generated from the plasma or the electrode surface, and this causes heat loss during vapor deposition and causes streaks.

100mTより大きくなると、不要な磁力線が広範囲に広がり、回り込み磁束が増えて異常放電を引き起こし、基材フィルムにピンホール等が発生する。   When it becomes larger than 100 mT, unnecessary magnetic field lines spread over a wide range, the wraparound magnetic flux increases, causing abnormal discharge, and pinholes are generated in the base film.

上記磁束密度を20〜100mTとするには以下に述べる磁石の選択が重要であり、磁束密度を上げるにはより強い磁石を、下げるにはより弱い磁石に変更することで調整を行うことができる。また、プラズマ処理電極の厚さや、後ほど説明するプラズマ処理電極を支持する基体(バッキングプレート)の厚さや、これらの透磁率、プラズマ処理電極と基材フィルムの間隔によっても調整することができる。   Selection of the magnets described below is important for the magnetic flux density of 20 to 100 mT, and adjustment can be performed by changing a stronger magnet to increase the magnetic flux density and a weaker magnet to decrease the magnetic flux density. . Moreover, it can adjust also with the thickness of a plasma processing electrode, the thickness of the base | substrate (backing plate) which supports the plasma processing electrode demonstrated later, these magnetic permeability, and the space | interval of a plasma processing electrode and a base film.

プレーナーマグネトロン電極に用いる磁石は、電磁石、永久磁石のいずれであっても良いが、小型で強力な磁力が得られるネオジム磁石、サマリウムコバルト磁石、アルニコ磁石、バリウムフェライト磁石、ストロンチウムフェライト磁石などの永久磁石を好ましく用いることができる。中でも、ネオジム磁石、サマリウムコバルト磁石、アルニコ磁石などが、磁束密度が高く、強い磁力を持つ点で好ましく用いることができる。   The magnet used for the planar magnetron electrode may be either an electromagnet or a permanent magnet, but permanent magnets such as neodymium magnets, samarium cobalt magnets, alnico magnets, barium ferrite magnets, and strontium ferrite magnets that are small and provide a strong magnetic force. Can be preferably used. Among these, neodymium magnets, samarium cobalt magnets, alnico magnets, and the like can be preferably used in terms of high magnetic flux density and strong magnetic force.

プラズマ処理強度(Wmin/m)は、プラズマ処理電極に投入した電力量(W)をフィルム搬送速度(m/min)およびマグネトロンプラズマの発生領域の幅(以下、プラズマ領域幅)(m)で割り返し算出することができる。プラズマ処理電極のプラズマ領域幅は蒸着を行う基材フィルムの幅に合わせて設計されるが、幅方向の処理強度の均一性を考慮して、基材フィルムの幅をプラズマ領域幅よりも狭くし、端部のプラズマ領域は基材フィルムの走行位置から外す設計とするため、プラズマ処理強度を計算する際には基材フィルム幅ではなく、プラズマ領域幅で計算することが必要である。プラズマ領域幅は、前述のプレーナーマグネトロン方式による強いプラズマが発生する領域幅と定義することができ、ドーナッツ状、楕円状または長矩形状の強いプラズマ発生領域のフィルム幅方向の幅をプラズマ領域幅とすることができる。プラズマ領域幅を測定するためのより具体的な方法は、プラズマの状態を目視で観察して上記形状の強いプラズマ領域を確認するか、放電後のプラズマ処理電極を観察して、強いプラズマによりスパッタされた部分(エロージョン)の幅(例えばエロージョンがドーナッツ状であれば、その外周部分間の距離)を確認することである。 The plasma processing intensity (Wmin / m 2 ) is defined as the amount of electric power (W) input to the plasma processing electrode by the film transport speed (m / min) and the width of the magnetron plasma generation region (hereinafter referred to as the plasma region width) (m). It is possible to calculate repetitive. The plasma region width of the plasma processing electrode is designed according to the width of the substrate film to be deposited, but in consideration of the uniformity of the processing strength in the width direction, the width of the substrate film is made narrower than the plasma region width. Since the plasma region at the end is designed to be removed from the travel position of the base film, it is necessary to calculate the plasma processing intensity not by the base film width but by the plasma region width. The plasma region width can be defined as the region width in which strong plasma is generated by the planar magnetron method described above, and the width in the film width direction of the strong plasma generation region in the donut shape, elliptical shape, or long rectangular shape is defined as the plasma region width. be able to. A more specific method for measuring the plasma region width is to observe the plasma state visually to confirm the plasma region having the strong shape described above, or to observe the plasma-treated electrode after discharge and to sputter with strong plasma. The width (for example, the distance between the outer peripheral portions if the erosion is a donut shape) is confirmed.

プラズマ処理強度は、10〜200Wmin/mであることが必要である。プラズマ処理強度が10Wmin/m未満である場合、基材フィルムの処理強度が不足し目標とする密着力が得られない。また、200Wmin/mを越えると、基材フィルムの熱変形が起こり、これが原因で蒸着時に熱負けスジが発生したり、プラズマ処理電極の材料が大量にスパッタされることで目的とする金属光沢が得られないか、透明蒸着層の透明性が阻害される。 The plasma treatment intensity needs to be 10 to 200 Wmin / m 2 . When the plasma processing strength is less than 10 Wmin / m 2 , the processing strength of the base film is insufficient and the target adhesion cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 200 Wmin / m 2 , the base film undergoes thermal deformation, which causes heat loss streaks during vapor deposition, and the target metallic luster caused by sputtering a large amount of the plasma processing electrode material. Is not obtained or the transparency of the transparent vapor-deposited layer is hindered.

基材フィルムの搬送速度は、200〜1000m/minであることが好ましい。200m/min以上とすることで高速で生産性良く蒸着フィルムを製造することができる。真空中での基材フィルムの搬送や、排気能力の制約から実質的な上限は1000m/minである。コスト面から好ましくは、300〜1000m/min、より好ましくは、400〜1000m/minである。   It is preferable that the conveyance speed of a base film is 200-1000 m / min. By setting it to 200 m / min or more, a vapor deposition film can be manufactured at high speed with high productivity. The practical upper limit is 1000 m / min due to the transport of the base film in vacuum and the limitation of the exhaust capability. From the viewpoint of cost, it is preferably 300 to 1000 m / min, and more preferably 400 to 1000 m / min.

プラズマ処理のための電源は、1k〜1000kHzの周波数の交流または、パルス波のものが好ましく、特に異常放電を抑えることができ易いことからパルス波の電源を用いることが好ましい。周波数は、より好ましくは、10k〜800kHz、さらに好ましくは、30k〜500kHzである。周波数が1000kHzより小さいと、特殊なマッチング回路が必要でなく、プラズマ中に存在し、基材フィルムの表面処理に影響を及ぼすイオンのフィルムへの衝突効率を高く保つことができ、基材フィルムの表面処理を効率よく行うことができる。また、1kHz以上の交流とすることで、異常放電を抑えることができ、プラズマ中のイオンをフィルム近傍に局在させることができ、基材フィルムの表面処理を効率よく行うことができる。   The power source for the plasma treatment is preferably an alternating current having a frequency of 1 k to 1000 kHz or a pulse wave, and it is particularly preferable to use a pulse wave power source because abnormal discharge can be easily suppressed. The frequency is more preferably 10 k to 800 kHz, still more preferably 30 k to 500 kHz. When the frequency is lower than 1000 kHz, a special matching circuit is not required, and the collision efficiency of the ions existing in the plasma and affecting the surface treatment of the base film can be kept high. Surface treatment can be performed efficiently. Moreover, by setting it as 1 kHz or more alternating current, abnormal discharge can be suppressed, the ion in plasma can be localized in the film vicinity, and the surface treatment of a base film can be performed efficiently.

プレーナーマグネトロン電極の材質は、銅、クロム、錫、銀、金、チタンなどの非磁性の金属材料であることが、電極表面上に強い磁界を発生させることができるため好ましく、中でも銅電極を用いた場合は、プラズマ処理の効率を高くすることができ、電極材料が安価であるという理由でより好ましい。   The material of the planar magnetron electrode is preferably a non-magnetic metal material such as copper, chromium, tin, silver, gold, titanium, etc., because a strong magnetic field can be generated on the electrode surface. If so, it is possible to increase the efficiency of the plasma treatment, and it is more preferable because the electrode material is inexpensive.

本発明でのプラズマ処理電極と基材フィルム間の距離は、5〜20mmが好ましい。5mm以上とすることで基材フィルムが搬送される際に電極に接触することによる傷が発生する懸念がなくなり、また強い処理を行った際にプラズマ処理電極表面からの熱輻射による影響を受けにくくなるため好ましい。20mm以下とすることで、基材フィルム表面を十分に強力なプラズマ処理を施すことができる。プラズマ処理電極と基材フィルム間の距離は、より好ましくは、5〜15mm、さらに好ましくは、5〜10mmである。   The distance between the plasma treatment electrode and the base film in the present invention is preferably 5 to 20 mm. When it is 5 mm or more, there is no concern that scratches will occur due to contact with the electrode when the base film is transported, and it is less susceptible to thermal radiation from the surface of the plasma-treated electrode when a strong treatment is performed. Therefore, it is preferable. By setting it to 20 mm or less, the substrate film surface can be subjected to sufficiently powerful plasma treatment. The distance between the plasma processing electrode and the base film is more preferably 5 to 15 mm, and still more preferably 5 to 10 mm.

次に、蒸着層を形成する。蒸着層としては、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素の少なくとも1つあるいは、それらの混合物であることが望ましい。   Next, a vapor deposition layer is formed. The deposited layer is preferably at least one of aluminum, aluminum oxide, silicon oxide, or a mixture thereof.

蒸着層の蒸着方法は、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法などの公知の方法が用いられる。特に、本発明において生産性良く高速で蒸着フィルムを製造するという目的のためには、真空蒸着法あるいは反応性蒸着法を用いることが生産性の点から好ましい。   As a deposition method of the deposition layer, for example, a known method such as a vacuum deposition method, an ion plating method, a sputtering method, or an ion beam method is used. In particular, from the viewpoint of productivity, it is preferable to use a vacuum vapor deposition method or a reactive vapor deposition method for the purpose of producing a vapor deposition film with high productivity and high speed in the present invention.

蒸着層の平均膜厚は5〜100nmであることが好ましい。厚さを5nm以上とすることで均一な蒸着層を得ることができ、十分なガスバリア性能を確保することができる。また厚さを100nm以下とすることで十分なガスバリア性能や金属光沢を得ることができ、また蒸着層にクラックが生じることによるガスバリア性能の悪化を抑えることができる。蒸着層の平均膜厚は、好ましくは、8〜50nmの範囲である。   It is preferable that the average film thickness of a vapor deposition layer is 5-100 nm. By setting the thickness to 5 nm or more, a uniform vapor deposition layer can be obtained, and sufficient gas barrier performance can be ensured. Further, by setting the thickness to 100 nm or less, sufficient gas barrier performance and metallic luster can be obtained, and deterioration of gas barrier performance due to generation of cracks in the deposited layer can be suppressed. The average film thickness of the vapor deposition layer is preferably in the range of 8 to 50 nm.

蒸着層上には印刷層が設けられても良い。印刷層は、包装体として必要となる文字情報や絵柄等を表示するために形成されるものである。印刷層は、例えば、ウレタン系、アクリル系、ニトロセルロース系、ゴム系等の従来から用いられているインキバインダー樹脂中に各種顔料及び可塑剤、乾燥剤、安定剤等の添加剤等が添加されてなるインキにより構成される層である。印刷層の形成方法としては、例えば、オフセット印刷法、グラビア印刷法、シルクスクリーン印刷法等の周知の印刷方式や、ロールコート、ナイフエッジコート、グラビアコート等の周知の塗布方式を用いることができる。印刷層の乾燥膜厚(固形分)は、好ましくは、0.1〜2.0μmである。   A printing layer may be provided on the vapor deposition layer. The print layer is formed to display character information, a pattern, and the like necessary for the package. For the printing layer, for example, various pigments and additives such as plasticizers, desiccants, stabilizers, etc. are added to conventionally used ink binder resins such as urethane, acrylic, nitrocellulose, and rubber. It is a layer comprised by the ink which consists of. As a method for forming the printing layer, for example, a known printing method such as an offset printing method, a gravure printing method, a silk screen printing method, or a known coating method such as a roll coating, a knife edge coating, or a gravure coating can be used. . The dry film thickness (solid content) of the printing layer is preferably 0.1 to 2.0 μm.

本発明の製造方法により製造した蒸着フィルムは、蒸着フィルムの蒸着層側に他のフィルムが積層されて積層包装材料として使用される。具体的には、高分子フィルム、接着剤、本発明における蒸着フィルム、接着剤、シーラントフィルムがこの順にラミネートされた積層体、あるいは、本発明における蒸着フィルム、接着剤、高分子フィルム、接着剤、シーラントフィルムがこの順にラミネートされた積層体、または、本発明における蒸着フィルム、接着剤、シーラントフィルムがこの順にラミネートされた積層体などの構成で使用することができる。   The vapor deposition film produced by the production method of the present invention is used as a laminated packaging material by laminating another film on the vapor deposition layer side of the vapor deposition film. Specifically, a polymer film, an adhesive, a laminate in which the deposited film, adhesive, and sealant film in the present invention are laminated in this order, or a deposited film, an adhesive, a polymer film, an adhesive in the present invention, The laminate can be used in a configuration in which the sealant films are laminated in this order, or a laminate in which the vapor deposition film, the adhesive, and the sealant film in the present invention are laminated in this order.

より具体的には、本発明における蒸着フィルムがアルミニウム層・PETフィルムの場合には、PETフィルム(他のフィルム)/接着剤/アルミニウム層・PETフィルム/接着剤/無延伸ポリプロピレンフィルム、無延伸ポリエチレンフィルム(他のフィルム)/接着剤/アルミニウム層・PETフィルムなどの構成が採用される。これらアルミニウム蒸着フィルムの場合には、熱水処理を行う温度は85〜95℃である必要がある。85℃未満では殺菌の効果が小さく、95℃を超える温度で処理を行うとアルミニウム層が酸化あるいは水酸化されて透明となり、金属光沢が消失する。熱水処理のための温度は30分が標準であるが、15〜60分の範囲で目的応じて条件が設定される。   More specifically, when the vapor deposition film in the present invention is an aluminum layer / PET film, PET film (other film) / adhesive / aluminum layer / PET film / adhesive / unstretched polypropylene film, unstretched polyethylene A structure such as a film (other film) / adhesive / aluminum layer / PET film is employed. In the case of these aluminum vapor deposition films, the temperature at which the hot water treatment is performed needs to be 85 to 95 ° C. If it is less than 85 ° C., the effect of sterilization is small. If the treatment is performed at a temperature exceeding 95 ° C., the aluminum layer is oxidized or hydroxylated to become transparent, and the metallic luster disappears. The standard temperature for the hot water treatment is 30 minutes, but conditions are set in accordance with the purpose within a range of 15 to 60 minutes.

本発明における蒸着フィルムが酸化アルミニウム層・PETフィルムの場合には、無延伸ポリプロピレンフィルム/接着剤/酸化アルミニウム層・PETフィルム、無延伸ポリプロピレンフィルム/接着剤/延伸ナイロンフィルム(他のフィルム)/接着剤/酸化アルミニウム層・PETフィルムなどの構成が採用される。これら酸化アルミニウム蒸着フィルムの場合には、熱水処理を行う温度は115〜135℃という高温での、いわゆるレトルト処理を行うことができる。115℃未満ではレトルト殺菌の効果が小さく、135℃を超える温度で処理を行うと積層包装材料の変形が生じる。熱水処理のための温度は30分が標準であるが、15〜60分の範囲で目的応じて条件が設定される。酸化アルミニウムの替わりに、酸化ケイ素、酸化アルミニウムと酸化ケイ素の混合物であっても良い。   When the vapor deposition film in the present invention is an aluminum oxide layer / PET film, unstretched polypropylene film / adhesive / aluminum oxide layer / PET film, unstretched polypropylene film / adhesive / stretched nylon film (other films) / adhesion A composition such as an agent / aluminum oxide layer / PET film is employed. In the case of these aluminum oxide vapor-deposited films, the temperature at which the hot water treatment is performed can be so-called retort treatment at a high temperature of 115 to 135 ° C. If it is less than 115 degreeC, the effect of retort sterilization is small, and if it processes at the temperature exceeding 135 degreeC, a deformation | transformation of a laminated packaging material will arise. The standard temperature for the hot water treatment is 30 minutes, but conditions are set in accordance with the purpose within a range of 15 to 60 minutes. Instead of aluminum oxide, silicon oxide or a mixture of aluminum oxide and silicon oxide may be used.

シーラントフィルムは、袋状包装体を形成する際に熱融着層となるように設けられるものである。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸エステル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体及びそれらの金属架橋物等の熱融着性樹脂により形成される。シーラントフィルムの厚さは、目的に応じて決められるが、一般的には15〜200μmの範囲である。シーラントフィルムの形成方法としては、上記樹脂からなるフィルム状のものを2液硬化型ウレタン樹脂等の接着剤を用いて貼り合わせるドライラミネート法を用いることが一般的であるが、それ以外の公知の方法により積層することも可能である。なお、85〜95℃の熱水処理に使用されるシーラントフィルムはポリプロピレンフィルムあるいはポリエチレンフィルムのいずれかが使用できるが、115〜135℃のレトルト処理に使用されるシーラントフィルムは耐熱性の点からポリプロピレフィルムであることが好ましい。   A sealant film is provided so that it may become a heat sealing | fusion layer, when forming a bag-shaped package. For example, polyethylene, polypropylene, ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / methacrylic acid copolymer, ethylene / methacrylic acid ester copolymer, ethylene / acrylic acid copolymer, ethylene / acrylic acid ester copolymer and their It is formed of a heat-fusible resin such as a metal cross-linked product. The thickness of the sealant film is determined according to the purpose, but is generally in the range of 15 to 200 μm. As a method for forming the sealant film, it is common to use a dry laminating method in which a film-like material made of the above resin is bonded using an adhesive such as a two-component curable urethane resin. It is also possible to laminate by a method. The sealant film used for the hot water treatment at 85 to 95 ° C. can be either a polypropylene film or a polyethylene film, but the sealant film used for the retort treatment at 115 to 135 ° C. is polypropylene from the viewpoint of heat resistance. A film is preferred.

包装用材料として必要な破袋強度や突き刺し強度を確保するため、上述のごとく蒸着フィルムのシーラントフィルムと貼り合わせる側と反対側、あるいはシーラントフィルムとの間に高分子フィルムを設けても良く、高分子フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルニトリルフィルム、ポリイミドフィルム等を挙げることができる。本発明において、高分子フィルムは、好ましくは、二軸延伸ナイロンフィルム、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムにより構成されるものが機械的強度、熱的安定性の点から好ましい。   In order to ensure the bag breaking strength and puncture strength required as packaging materials, a polymer film may be provided on the opposite side of the vapor-deposited film from the side to be bonded to the sealant film, or between the sealant film and the Examples of the molecular film include polyester films such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyolefin films, polystyrene films, polyamide films, polycarbonate films, polyacrylonitrile films, and polyimide films. In the present invention, the polymer film is preferably composed of a biaxially stretched nylon film, a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, or a biaxially stretched polypropylene film from the viewpoint of mechanical strength and thermal stability.

上述の積層体での本発明における蒸着フィルムは、蒸着層がアルミニウム層である場合は85〜95℃、蒸着層が金属酸化物層である場合は115〜135℃の熱水で30分間処理後の水濡れラミネート強度が1N/15mm以上であることが好ましく、より好ましくは、2N/15mm以上である。水濡れラミネート強度とは、剥離部分に連続的に水を供給しながらT型剥離により50mm/minの低速剥離により測定する場合の剥離強度のことをいう。通常ラミネート強度は150〜300mm/minの剥離強度で測定するが、本剥離評価方法は、50mm/minという低速であり、かつ水を剥離部分に供給しながら剥離を行うため、極めて厳しい評価方法である。   The deposited film in the present invention in the above laminate is treated with hot water at 85 to 95 ° C. when the deposited layer is an aluminum layer and with hot water at 115 to 135 ° C. when the deposited layer is a metal oxide layer for 30 minutes. The water wet laminate strength is preferably 1 N / 15 mm or more, more preferably 2 N / 15 mm or more. The water-wet laminate strength refers to the peel strength when measured by low-speed peeling at 50 mm / min by T-type peeling while continuously supplying water to the peeling portion. Usually, the laminate strength is measured at a peel strength of 150 to 300 mm / min, but this peel evaluation method is a slow speed of 50 mm / min and peels while supplying water to the peeled portion. is there.

本発明で製造された蒸着フィルムを用いることにより、例えば高分子フィルム、接着剤、蒸着フィルム、接着剤、シーラントフィルムがこの順にラミネートされ、蒸着フィルムの蒸着層が高分子フィルム側にあり、高分子フィルムと蒸着フィルム間の90℃〜135℃の熱水で30分間処理後での水濡れラミネート強度が1N/15mm以上が達成できる。すなわち、基材フィルムと蒸着層がプラズマ処理により緻密、かつ強固に密着することで、基材フィルムと蒸着層がボイル処理やレトルト処理後でも十分な密着力を保持する。   By using the vapor deposition film manufactured in the present invention, for example, a polymer film, an adhesive, a vapor deposition film, an adhesive, and a sealant film are laminated in this order, and the vapor deposition layer of the vapor deposition film is on the polymer film side. The water-wet laminate strength after treatment for 30 minutes with hot water at 90 ° C. to 135 ° C. between the film and the deposited film can be 1 N / 15 mm or more. That is, the base film and the vapor deposition layer are densely and firmly adhered by the plasma treatment, so that the base film and the vapor deposition layer maintain sufficient adhesion even after the boil treatment or the retort treatment.

以下、本発明を実施例により、更に詳細に説明する。なお、実施例及び比較例中の物性は次にようにして測定した。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In addition, the physical property in an Example and a comparative example was measured as follows.

(1)積層体の作成
以下に、本願発明における積層包装材料を例示するが、本願発明はこれら例示により制限を受けるものではない。
(1) Creation of laminated body Hereinafter, the laminated packaging material in the present invention is exemplified, but the present invention is not limited by these illustrations.

A.積層体1
本発明における蒸着フィルムの蒸着面にウレタン系2液型接着剤(東洋モートン(株)製AD503、CAT−10)をドライ膜厚で3μm相当を塗布し、12μmのPETフィルム(東レ(株)製“ルミラー”P60)側に、蒸着面を向けてラミネートし、ついで蒸着面と反対側の基材フィルム側に同上のウレタン系2液型接着剤をドライ膜厚で3μm相当を塗布し、60μmの未延伸PPフィルム(東レフィルム加工(株)製“トレファン”NO「ZK100」)とラミネ−トし、48時間、40℃の雰囲気でエ−ジングし、PETフィルム、本発明の蒸着フィルムおよび未延伸PPフィルムをラミネートした3層構成の積層体1とした。
A. Laminate 1
The vapor deposition surface of the vapor deposition film in the present invention is coated with a urethane type two-component adhesive (AD503, CAT-10 manufactured by Toyo Morton Co., Ltd.) with a dry film thickness equivalent to 3 μm, and a 12 μm PET film (manufactured by Toray Industries, Inc.). Laminate the “Lumirror” P60) side facing the vapor deposition surface, and then apply the same urethane-based two-component adhesive on the side of the base film opposite to the vapor deposition surface to a dry film thickness equivalent to 3 μm. Laminated with unstretched PP film ("Torayfan" NO "ZK100" manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd.) and aged for 48 hours in an atmosphere of 40 ° C, PET film, vapor deposition film of the present invention and It was set as the laminated body 1 of the 3 layer structure which laminated the extending | stretched PP film.

B.積層体2
本発明における蒸着フィルムの蒸着面に同上ウレタン系2液型接着剤をドライ膜厚で3μm相当を塗布し、15μmのナイロンフィルム(ユニチカ(株)製“エンブレム”ONUM)のコロナ処理面側に、蒸着面を向けてラミネートし、ついでコロナ処理面と反対側のナイロンフィルム側に同上ウレタン系2液型接着剤をドライで3μm相当を塗布し、60μmの未延伸PPフィルム(東レフィルム加工(株)製“トレファン”NO「ZK100」)とラミネ−トし、48時間、40℃雰囲気でエ−ジングし、本発明における蒸着フィルム、ナイロンフィルムおよび未延伸PPフィルムをラミネートした3層構成の積層体2とした。
B. Laminate 2
On the vapor deposition surface of the vapor deposition film according to the present invention, a urethane-based two-component adhesive is applied in a dry film thickness equivalent to 3 μm, and on the corona treatment surface side of a 15 μm nylon film (“Emblem” ONUM manufactured by Unitika Ltd.) Laminate with the vapor-deposited surface facing, and then apply the same urethane-based two-component adhesive on the nylon film side opposite to the corona-treated surface to the equivalent of 3 μm, and then apply a 60 μm unstretched PP film (Toray Film Processing Co., Ltd.) Laminated product made by laminating “Trephan” NO “ZK100”) and aged for 48 hours in a 40 ° C. atmosphere, and laminating the deposited film, nylon film and unstretched PP film in the present invention. 2.

C.積層体3
本発明における蒸着フィルムの蒸着面にウレタン系2液型接着剤をドライで3μm相当を塗布し、50μmの低密度ポリエチレンフィルム(東セロ(株)製“T.U.X”HZ)のコロナ処理面側に、蒸着面を向けてラミネートし、48時間、40℃雰囲気でエ−ジングし、本発明における蒸着フィルムおよび低密度ポリエチレンフィルムをラミネートした2層構成の積層体3とした。
C. Laminate 3
Corona-treated surface of 50 μm low density polyethylene film (“TUX” HZ manufactured by Tosero Co., Ltd.) coated with 3 μm of urethane-based two-component adhesive on the vapor deposition surface of the vapor deposition film in the present invention. The laminate 3 was laminated with the vapor-deposited surface facing it, and aged for 48 hours in a 40 ° C. atmosphere to obtain a laminate 3 having a two-layer structure in which the vapor-deposited film and the low-density polyethylene film of the present invention were laminated.

(2)熱水処理前のラミネ−ト強度(N/15mm)
熱水処理前のラミネート強度の測定方法を示す。上述の(1)にて作成した積層体を15mm幅×200mm長に切り取り、(株)オリエンテック製“テンシロン”万能試験機を用いて、剥離面に綿棒で水分を供給しながら、T型剥離、引張速度50mm/minの引っ張り条件で、熱水処理前の剥離強度測定を実施した。
1N/15mm以上をラミネート強度良好なレベルと判定した。
(2) Laminate strength before hot water treatment (N / 15mm)
The measuring method of the lamination strength before a hot water process is shown. Cut the laminate produced in (1) above into a 15mm width x 200mm length, and use a "Tensilon" universal testing machine manufactured by Orientec Co., Ltd. The peel strength before hot water treatment was measured under a pulling condition of 50 mm / min.
1N / 15 mm or more was determined to be a level with good laminate strength.

(3)熱水処理後のラミネ−ト強度(N/15mm)
熱水処理前のラミネート強度測定サンプルと同様にして、ラミネートした積層体を12cm角にカットする。シーラントフィルムを内側になるように2枚重ね、富士インパルス(株)インパスシーラー“VAC−PAC”VT−400を用い、2秒加熱、3秒冷却の条件にて三方をシ−ルする。袋状になったところに蒸留水を100ml入れ、さらに空気が入らないようにして開放部分をシ−ルし、密封状態にする。このサンプルをトミー精工(株)製レトルト食品用オートクレーブに入れ、設定された温度で熱水中に30分間放置し、その後取り出して、室温の水の中に浸漬し室温になるのを確認後、シ−ル部をカットし、袋内部の水を排出し、熱水処理前のラミネート強度測定と同一条件にて熱水処理後のラミネート強度の測定を実施した。
1N/15mm以上を熱水処理後のラミネート強度良好なレベルと判定した。
(4)フィルム外観
本発明における蒸着フィルムの蒸着面を目視で観察し、熱負け、スリキズのないものを○、スリキズがあるが実用レベルのものを△、熱負け、キズ、ピンホールが酷く実用に耐えない、あるいはその後の積層の工程通過性に耐えないものを×とした。
(5)平行磁束密度(mT)の測定方法
平行磁束密度の測定方法を図1と図2を用いて説明する。
図1は、走行する基材フィルムの側面から観察したプラズマ処理電極と走行する基材フィルムの関係を示す断面図である。プラズマ処理電極2はバッキングプレートと呼ばれる背後から水冷された銅製の板にインジウムハンダなどで接続されている。バッキングプレート3下の磁石5から放出された磁力線7が、バッキングプレート3、プラズマ処理電極2を通過してフィルム近傍まで到達する。
日本磁気工業(株)製ガウスメータ(型式GM−301)を用いて、プラズマ処理電極直上であり、該電極に平行であり、フィルム走行方向に平行な磁束密度を以下のように測定した。先ずプラズマ処理電極2と基材フィルム6間距離を非磁性体のスケールで測定する。スケールを当て、上記距離を保ちながらガウスメーターの測定検出部10をプラズマ処理電極2に垂直に保持し、さらに測定検出部10をフィルム走行方向に垂直に向ける。この状態で、プラズマ処理電極上をフィルム走行方向に1〜2cm/秒の速度で動かしながら(11の方向)、ガウスメーターの指示値から磁束密度の最大値を読みとった。基材フィルム位置、すなわち上記プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を満足し、かつ基材フィルムの幅に相当する位置(基材フィルムの幅よりも外側の位置は測定しない)における幅方向(12の方向)1cm刻みで取得した上記平行磁束密度最大値データから最小値、最大値を求め、これら最小値、最大値共に20〜100mTの範囲に入っているかどうかを確認した。
(3) Laminate strength after hot water treatment (N / 15mm)
In the same manner as the laminate strength measurement sample before the hot water treatment, the laminated laminate is cut into 12 cm square. Two sheets of sealant film are placed on the inside, and three sides are sealed using Fuji Impulse Co., Ltd. Impas Sealer “VAC-PAC” VT-400 under the conditions of heating for 2 seconds and cooling for 3 seconds. 100 ml of distilled water is put into the bag-like place, and the open part is sealed so that air does not enter and sealed. Put this sample in a retort food autoclave manufactured by Tommy Seiko Co., Ltd., leave it in hot water for 30 minutes at the set temperature, then take it out and immerse it in room temperature water to confirm that it reaches room temperature. The seal part was cut, the water inside the bag was discharged, and the laminate strength after the hot water treatment was measured under the same conditions as the laminate strength measurement before the hot water treatment.
1 N / 15 mm or more was determined to be a level of good laminate strength after hot water treatment.
(4) Film appearance The vapor deposition surface of the vapor deposition film according to the present invention is visually observed, ○ for heat loss and no scratches, △ for scratches, but for practical use, Δ for heat loss, scratches, and pinholes. X was not able to endure the resistance to the subsequent process of laminating.
(5) Measuring method of parallel magnetic flux density (mT) The measuring method of a parallel magnetic flux density is demonstrated using FIG. 1 and FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the relationship between a plasma processing electrode observed from the side of a traveling substrate film and the traveling substrate film. The plasma processing electrode 2 is connected to a copper plate that is water-cooled from behind called a backing plate by indium solder or the like. The lines of magnetic force 7 emitted from the magnet 5 under the backing plate 3 pass through the backing plate 3 and the plasma processing electrode 2 and reach the vicinity of the film.
Using a Gauss meter (model GM-301) manufactured by Nippon Magnetic Industry Co., Ltd., the magnetic flux density immediately above the plasma treated electrode, parallel to the electrode, and parallel to the film running direction was measured as follows. First, the distance between the plasma processing electrode 2 and the base film 6 is measured with a non-magnetic scale. The measurement detector 10 of the gauss meter is held perpendicularly to the plasma processing electrode 2 while keeping the above distance while applying the scale, and the measurement detector 10 is further directed perpendicularly to the film running direction. In this state, the maximum value of the magnetic flux density was read from the indicated value of the gauss meter while moving on the plasma processing electrode at a speed of 1 to 2 cm / second in the film running direction (11 direction). The width direction (12 at the position of the substrate film, that is, the position satisfying the distance between the plasma treatment electrode and the substrate film and corresponding to the width of the substrate film (the position outside the width of the substrate film is not measured) The minimum value and the maximum value were obtained from the parallel magnetic flux density maximum value data acquired in 1 cm increments, and it was confirmed whether both the minimum value and the maximum value were within the range of 20 to 100 mT.

[実施例1]
基材フィルムとして、厚さ12μmのPETフィルム(東レ(株)製“ルミラー”P60)を用い、通常のロール・ツー・ロール型の蒸着機内でプラズマ処理と、引き続き蒸着を行った。プレーナーマグネトロン方式のプラズマ処理電極(材質:銅、プラズマ発生領域幅:2m)の裏面にネオジム磁石(ネオマグ(株)製N40)を設置し、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を10mmとし、基材フィルムの走行位置(基材フィルム幅:1.8m)における電極表面及びフィルム走行方向に平行な磁束密度(以下、平行磁束密度という)が最小値28mT、最大値33mT(以下、28〜33mTのように表記する)であることを確認した。フィルム搬送速度を400m/min、放電ガスに酸素ガスを用いて0.4Paの圧力下、プラズマ処理電極に周波数50kHz、投入電力32kWの交流電力(電源:ヒュッティンガー(株)製“TruPlasma”MF3040)を投入し、40Wmin/mの処理強度でプラズマ処理するとともに、引き続き真空を開放することなく、同一の真空槽内にて連続して0.013Paの真空下でアルミニウム蒸着層を50nm形成した。この蒸着フィルムを用いて積層体1を作製した。
[Example 1]
As a base film, a PET film having a thickness of 12 μm (“Lumirror” P60 manufactured by Toray Industries, Inc.) was used, and plasma treatment and subsequent vapor deposition were performed in an ordinary roll-to-roll type vapor deposition machine. A neodymium magnet (N40 manufactured by Neomag Co., Ltd.) is installed on the back side of the planar magnetron type plasma processing electrode (material: copper, plasma generation region width: 2 m), and the distance between the plasma processing electrode and the base film is 10 mm. Magnetic flux density parallel to the electrode surface and film running direction (hereinafter referred to as parallel magnetic flux density) at the running position of the material film (base film width: 1.8 m) is a minimum value of 28 mT and a maximum value of 33 mT (hereinafter referred to as 28 to 33 mT). It was confirmed that AC power with a film conveyance speed of 400 m / min, a pressure of 0.4 Pa using oxygen gas as the discharge gas, a frequency of 50 kHz and a power input of 32 kW for the plasma processing electrode (power source: “TruPlasma” MF3040 manufactured by Hüttinger) Then, plasma treatment was performed at a treatment intensity of 40 Wmin / m 2 , and a 50 nm aluminum vapor deposition layer was continuously formed in the same vacuum chamber under a vacuum of 0.013 Pa without releasing the vacuum. The laminated body 1 was produced using this vapor deposition film.

[実施例2]
実施例1と同じプラズマ処理電極を用い、磁石をアルニコ磁石(ネオマグ(株)製SAN52)に変更し、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を5mmとし、平行磁束密度90〜100mTとした。基材フィルムに厚さ12μmのPENフィルム(帝人・デュポンフィルム(株)製“テオネックス”Q51)を用い、フィルム搬送速度を450m/minとして、放電ガスに窒素ガスを用い20Paの真空下で、プラズマ処理電極に180kW、周波数20kHzの交流電力(電源:独ヒュッティンガー社“TruPlasma”MF7200)を投入し、処理強度を200Wmin/mとしてプラズマ処理を行い、酸化アルミニウム蒸着層を6nm形成した蒸着フィルムで積層体2を作製した。
[Example 2]
The same plasma treatment electrode as in Example 1 was used, the magnet was changed to an Alnico magnet (SAN52 manufactured by Neomag Co., Ltd.), the distance between the plasma treatment electrode and the substrate film was 5 mm, and the parallel magnetic flux density was 90 to 100 mT. A PEN film with a thickness of 12 μm (“Teonex” Q51 manufactured by Teijin DuPont Films Ltd.) is used as the base film, the film conveyance speed is set to 450 m / min, nitrogen gas is used as the discharge gas, and the plasma is applied under a vacuum of 20 Pa. A deposited film in which AC power (power source: “TruPlasma” MF7200) manufactured by Hüttinger, Germany) is applied to the processing electrode, plasma processing is performed at a processing strength of 200 Wmin / m 2 , and an aluminum oxide vapor deposition layer is formed to 6 nm. The laminated body 2 was produced.

[実施例3]
基材フィルムを、厚さ25μmのポリプロピレンフィルム(東レ(株)製“トレファン”YT42)とし、磁石にサマリウムコバルト磁石(ネオマグ(株)製SS30M)を用い、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を10mm(基材フィルム幅:0.25m、プラズマ発生領域幅:0.3m)とし、平行磁束密度を20〜25mT、フィルム搬送速度300m/min、放電ガスにアルゴンガスを用い0.1Paの真空下で、プラズマ処理電極に投入電力3kW、周波数280kHzの交流電力をかけ(電源:アステック(株)LG−30S)、処理強度を33Wmin/mとしてプラズマ処理を行い、酸化ケイ素層を20nm形成した蒸着フィルムで積層体2を作製した。
[Example 3]
The base film is a 25 μm-thick polypropylene film (“Torphan” YT42 manufactured by Toray Industries, Inc.), a samarium cobalt magnet (SS30M manufactured by Neomag Co., Ltd.) is used as the magnet, and the distance between the plasma-treated electrode and the base film Is 10 mm (base film width: 0.25 m, plasma generation region width: 0.3 m), parallel magnetic flux density is 20 to 25 mT, film transport speed is 300 m / min, and argon gas is used as the discharge gas and a vacuum of 0.1 Pa. The plasma treatment electrode was subjected to plasma treatment with an applied power of 3 kW and a frequency of 280 kHz (power source: Astech Co., Ltd. LG-30S) at a treatment intensity of 33 Wmin / m 2 to form a silicon oxide layer of 20 nm. The laminated body 2 was produced with the vapor deposition film.

[実施例4]
実施例3と同じプラズマ処理電極を用い、磁石にアルニコ磁石(ネオマグ(株)製SAN52)に変更し、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を15mmとし、平行磁束密度を70〜80mTとした。基材フィルムに厚さ15μmのナイロンフィルム(ユニチカ(株)製“エンブレム”ONUM)を用い、フィルム搬送速度250/minとして、放電ガスに一酸化炭素ガスを用い50Paの真空下で、投入電力3kW、周波数1000kHzの交流電力をかけ(電源:アステック(株)製LG−30S)、処理強度を40Wmin/mとしてプラズマ処理を行い、アルミニウム蒸着層を40nm形成した蒸着フィルムで積層体3を作製した。
[Example 4]
The same plasma-treated electrode as in Example 3 was used, and the magnet was changed to an Alnico magnet (SAN52 manufactured by Neomag Co., Ltd.), the distance between the plasma-treated electrode and the base film was 15 mm, and the parallel magnetic flux density was 70 to 80 mT. Using a 15 μm thick nylon film (“Emblem” ONUM made by Unitika Co., Ltd.) as the base film, using a carbon monoxide gas as the discharge gas at a vacuum of 50 Pa and using a carbon monoxide gas as the discharge gas, the input power is 3 kW. Then, AC power having a frequency of 1000 kHz was applied (power source: LG-30S manufactured by Astec Co., Ltd.), plasma treatment was performed at a treatment strength of 40 Wmin / m 2 , and a laminate 3 was produced using a vapor deposition film in which an aluminum vapor deposition layer was formed to 40 nm. .

[実施例5]
基材フィルムを、厚さ12μmのPETフィルム(東レ(株)製“ルミラー”P60)とし、磁石にサマリウムコバルト磁石(ネオマグ(株)SS30M)を用い、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を15mm(基材フィルム幅:2.2m、プラズマ発生領域幅:2.4m)として平行磁束密度が46〜55mT、フィルム搬送速度200m/min、放電ガスに二酸化炭素ガスを用い100Paの真空下で、投入電力5kW、周波数1kHzのパルス電力をかけ(電源:独ヒュッティンガー社製“TruPlasma”Bipolar4030)、処理強度を10Wmin/mとなるようにプラズマ処理を行い、アルミニウム蒸着層を95nm形成した蒸着フィルムで積層体1を作製した。
[Example 5]
The substrate film is a PET film with a thickness of 12 μm (“Lumirror” P60 manufactured by Toray Industries, Inc.), a samarium cobalt magnet (Neomag Corp. SS30M) is used as the magnet, and the distance between the plasma-treated electrode and the substrate film is 15 mm. (Base film width: 2.2 m, plasma generation region width: 2.4 m) Parallel magnetic flux density is 46 to 55 mT, film transport speed is 200 m / min, carbon dioxide gas is used as discharge gas, and vacuum is applied at 100 Pa. It is a vapor deposition film in which a pulse power of 5 kW and a frequency of 1 kHz is applied (power source: “TruPlasma” Bipolar 4030 manufactured by Hüttinger, Germany), plasma treatment is performed so that the treatment strength is 10 Wmin / m 2 , and an aluminum deposition layer is formed to 95 nm. The laminated body 1 was produced.

[実施例6]
実施例1と同じプラズマ処理電極を用い、磁石をフェライト磁石(ネオマグ(株)Y8T)に変更し、平行磁束密度を21〜25mT、フィルム搬送速度を400m/min、放電ガスに酸素ガスを用い0.5Paの真空下で、投入電力20kW、周波数0.8kHzのパルス電力(電源:独ヒュッティンガー社“TruPlasma”Bipolar4030)、処理強度を25Wmin/mとしてアルミニウム蒸着層を50nm形成した蒸着フィルムを用いて積層体1を作製した。
電源周波数が若干低く、加工中1回程度/分の頻度で異常放電が認められたが品質の問題となるレベルでなく、また水濡れラミネート強度も低めであったが実用上問題はなかった。
[Example 6]
Using the same plasma-treated electrode as in Example 1, the magnet was changed to a ferrite magnet (Neomag Y8T), the parallel magnetic flux density was 21 to 25 mT, the film transport speed was 400 m / min, and oxygen gas was used as the discharge gas. under a vacuum of .5Pa, input power 20 kW, the frequency 0.8kHz pulsed power (power: Germany Hyu' Tinga over company "TruPlasma" Bipolar4030), a vapor-deposited aluminum layer using a vapor deposition film was 50nm form a treated intensity as 25Wmin / m 2 Thus, a laminate 1 was produced.
Although the power supply frequency was slightly low and abnormal discharge was observed at a frequency of about once per minute during processing, it was not at a level causing quality problems, and the wet wet laminate strength was low, but there was no practical problem.

[実施例7]
基材フィルムに厚さ25μmのポリプロピレンフィルム(東レ(株)製“トレファン”YT42)を用い、磁石にネオジム磁石(ネオマグ(株)製N40)を用いてプラズマ処理電極と基材フィルム間距離を3mm(基材フィルム幅:0.12m、プラズマ発生領域幅:0.15m)として平行磁束密度が75〜85mT、フィルム搬送速度を300m/min、放電ガスに窒素ガスを用い20Paの真空下で、投入電力3kW、周波数1050kHzの交流電力をかけ(電源:アステック(株)製LG−30S)、処理強度67Wmin/mとして、アルミニウム蒸着層を110nm形成した蒸着フィルムを用いて積層体3を作製した。
電源周波数が若干高めであり、水濡れラミネート強度が低めであったが実用上問題はなかった。また、電極とフィルム間距離が3mmと狭く、端部にかすかなスリキズの発生を見た。
[Example 7]
Using a 25 μm-thick polypropylene film (“Torphan” YT42 manufactured by Toray Industries, Inc.) as the base film and a neodymium magnet (N40 manufactured by Neomag Co.) as the magnet, the distance between the plasma-treated electrode and the base film is 3 mm (base film width: 0.12 m, plasma generation region width: 0.15 m), the parallel magnetic flux density is 75 to 85 mT, the film conveyance speed is 300 m / min, the discharge gas is nitrogen gas, and the vacuum is 20 Pa. The laminated body 3 was produced using the vapor deposition film which formed the aluminum vapor deposition layer with 110 nm as process intensity | strength 67Wmin / m < 2 > by applying AC power of input power 3kW and frequency 1050kHz (power supply: LG-30S by Astec Co., Ltd.). .
Although the power supply frequency was slightly higher and the water wet laminate strength was lower, there was no practical problem. In addition, the distance between the electrode and the film was as narrow as 3 mm, and a slight scratch was observed at the end.

[実施例8]
基材フィルムに厚さ15μmのナイロンフィルム(ユニチカ(株)製“エンブレム”ONUM)を用い、磁石にフェライト磁石(ネオマグ(株)製Y8T)を用いてプラズマ処理電極と基材フィルム間距離を4mm(基材フィルム幅:0.8m、プラズマ発生領域幅:1m)で平行磁束密度が25〜30mT、フィルム搬送速度を250m/min、放電ガスに一酸化炭素ガスを用い0.09Paの真空下で、投入電力10kW、周波数150kHzのパルス電力をかけ(電源:ホッコー(株)“EnePulse”10LV)、処理強度が40Wmin/mとして、酸化ケイ素蒸着層を10nm形成した蒸着フィルムを用いて積層体2を作製した。
プラズマ処理の際の圧力が若干低めであり、放電が不安定となりがちであったが、問題となるレベルではなかった。
[Example 8]
Using a 15 μm thick nylon film (“Emblem” ONUM made by Unitika Co., Ltd.) as the base film and a ferrite magnet (Y8T made by Neomag Co., Ltd.) as the magnet, the distance between the plasma-treated electrode and the base film is 4 mm. (Base film width: 0.8 m, plasma generation region width: 1 m), parallel magnetic flux density is 25 to 30 mT, film transport speed is 250 m / min, carbon monoxide gas is used as the discharge gas, and vacuum is 0.09 Pa. Then, a pulsed power of 10 kW and a frequency of 150 kHz was applied (power source: Hokko Co., Ltd. “EnePulse” 10 LV), the processing strength was 40 Wmin / m 2 , and a laminate 2 using a vapor deposition film in which a silicon oxide vapor deposition layer was formed to 10 nm. Was made.
Although the pressure during the plasma treatment was slightly lower and the discharge tended to be unstable, it was not a problem level.

[実施例9]
実施例2と同じプラズマ処理電極を用い、110Paの真空下で投入電力50kWとして、処理強度56Wmin/mとして、酸化アルミニウム蒸着層を6nm形成した蒸着フィルムで積層体2を作製した。
プラズマ処理の際の圧力が若干高めであり、水濡れラミネート強度が低めであったが実用上問題はなかった。
[Example 9]
Using the same plasma-treated electrode as in Example 2, a laminate 2 was produced with a vapor deposition film in which an aluminum oxide vapor deposition layer was formed at 6 nm under a vacuum of 110 Pa with an input power of 50 kW and a treatment strength of 56 Wmin / m 2 .
Although the pressure during the plasma treatment was slightly higher and the water wet laminate strength was lower, there was no practical problem.

[比較例1]
実施例6において、投入電力を7kWに変更し、処理強度を9Wmin/mとして、アルミニウム蒸着層を50nm形成した蒸着フィルムを用いて積層体1を作製した。
[Comparative Example 1]
In Example 6, the input power was changed to 7 kW, the processing strength was 9 Wmin / m 2 , and the laminate 1 was produced using a vapor deposition film in which an aluminum vapor deposition layer was formed to 50 nm.

[比較例2]
基材フィルムに厚さ25μmのポリプロピレンフィルム(東レ(株)製“トレファン”YT42)を用い、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を3mm(基材フィルム幅:0.25m、プラズマ発生領域幅:0.28m)とし、平行磁束密度を75〜82mT、フィルム搬送速度を300m/minで、放電ガスに窒素ガスを用い20Paの真空下で、投入電力18kW、周波数50kHzの交流電力をかけ(電源:独ヒュッティンガー社“TruPlasma”MF7200)、処理強度214Wmin/mとして、アルミニウム蒸着層を110nm形成した蒸着フィルムを作製したが、熱負けが酷く積層体への加工を断念した。
[Comparative Example 2]
A polypropylene film having a thickness of 25 μm (“Torphan” YT42 manufactured by Toray Industries, Inc.) is used as the base film, and the distance between the plasma processing electrode and the base film is 3 mm (base film width: 0.25 m, plasma generation region width) : 0.28 m), a parallel magnetic flux density of 75 to 82 mT, a film conveyance speed of 300 m / min, a nitrogen gas as a discharge gas, a 20 Pa vacuum, and an AC power of 18 kW and a frequency of 50 kHz are applied (power supply) : Huttinger “TruPlasma” MF7200, Germany), with a processing strength of 214 Wmin / m 2 , a deposited film with an aluminum deposited layer of 110 nm was produced. However, the heat loss was severe and processing into a laminate was abandoned.

[比較例3]
基材フィルムに厚さ15μmのナイロンフィルム(ユニチカ(株)製“エンブレム”ONUM)を用い、磁石にフェライト磁石(ネオマグ(株)製Y8T)を用いて、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を4mm(基材フィルム幅:1.8m、プラズマ発生領域幅:2m)とし、平行磁束密度が15〜18mT、フィルム搬送速度を180m/min、放電ガスに一酸化炭素ガスを用い0.13Paの真空下で、投入電力10kW、周波数150kHzのパルス電力をかけ(電源:ホッコー(株)製“EnePulse”10LV)、処理強度を28Wmin/mとして、酸化ケイ素蒸着層を10nm形成した蒸着フィルムを用いて積層体2を作製した。
[Comparative Example 3]
Using a nylon film with a thickness of 15 μm ("Emblem" ONUM made by Unitika Co., Ltd.) as the base film and a ferrite magnet (Y8T made by Neomag Co., Ltd.) as the magnet, the distance between the plasma-treated electrode and the base film is set 4 mm (base film width: 1.8 m, plasma generation region width: 2 m), parallel magnetic flux density is 15 to 18 mT, film transport speed is 180 m / min, carbon monoxide gas is used as the discharge gas, and vacuum is 0.13 Pa Below, a pulsed power of 10 kW input power and a frequency of 150 kHz was applied (power source: “EnePulse” 10 LV manufactured by Hokko Co., Ltd.), the processing strength was 28 Wmin / m 2 , and a deposited film in which a silicon oxide deposited layer was formed to 10 nm was used. The laminated body 2 was produced.

[比較例4]
基材フィルムに厚さ12μmのPETフィルム(東レ(株)製“ルミラー”P60)を用い、磁石にネオジム磁石(ネオマグ(株)製N40)を用いて、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離を4mm(基材フィルム幅:0.09m、プラズマ発生領域幅:0.1m)とし、平行磁束密度が105〜120mT、フィルム搬送速度を350m/min、放電ガスに窒素ガスを用い75Paの真空下で、投入電力5kW、周波数350kHzの交流電力(電源:アステック(株)LG−50S)をかけ、処理強度を143Wmin/mとしてアルミニウム蒸着層を120nm形成した蒸着フィルムを作製したが、蒸着フィルムに傷やピンホールが多数発生していたため積層体への加工を断念した。
[Comparative Example 4]
Using a 12 μm thick PET film (“Lumirror” P60 manufactured by Toray Industries, Inc.) as the base film, and using a neodymium magnet (N40 manufactured by Neomag Co., Ltd.) as the magnet, the distance between the plasma-treated electrode and the base film is determined. 4 mm (base film width: 0.09 m, plasma generation region width: 0.1 m), parallel magnetic flux density is 105 to 120 mT, film transport speed is 350 m / min, and nitrogen gas is used as a discharge gas under a vacuum of 75 Pa. Then, AC power with a power input of 5 kW and a frequency of 350 kHz was applied (power source: Astech Co., Ltd. LG-50S), and a deposited film with an aluminum deposited layer of 120 nm was formed with a treatment strength of 143 Wmin / m 2. Since there were many pinholes and so on, we gave up processing the laminate.

表1〜3にまとめを示す。表1〜3から明らかなように、実施例1〜9により得られた蒸着フィルムは、外観に大きな問題がなく、熱水処理前後の水濡れラミネート強度が十分なレベルであった。比較例1〜4においては、水濡れラミネート強度が不十分であったり、外観が悪いなどの問題があった。   A summary is shown in Tables 1-3. As is clear from Tables 1 to 3, the deposited films obtained in Examples 1 to 9 had no major problem in appearance, and the water wet laminate strength before and after the hot water treatment was at a sufficient level. In Comparative Examples 1 to 4, there were problems such as insufficient wet laminate strength and poor appearance.

1:カソードケース
2:プラズマ処理電極
3:バッキングプレート
4:アノード(アース)
5:磁石
6:基材フィルム
7:磁力線
8:放電ガス導入ノズル
9:ガウスメーター
10:ガウスメーター測定検出部
11:基材フィルムの走行方向
12:基材フィルム走行方向に垂直な方向
1: Cathode case 2: Plasma processing electrode 3: Backing plate 4: Anode (ground)
5: Magnet 6: Base film 7: Magnetic field line 8: Discharge gas introduction nozzle 9: Gauss meter 10: Gauss meter measurement detection unit 11: Travel direction of the base film 12: Direction perpendicular to the travel direction of the base film

Claims (5)

基材フィルムを連続的に走行させながらプラズマ処理を行い、引き続き蒸着層を形成する蒸着フィルムの製造方法であって、該プラズマ処理がプレーナーマグネトロン方式のプラズマ処理電極によるものであり、該処理電極の直上、かつ、基材フィルムの走行位置において、基材フィルムの幅方向の任意の位置で、基材フィルムの走行方向に沿って測定した、該処理電極表面に平行、かつ、基材フィルム走行方向に平行な磁束密度の最大値が20〜100mTであり、該プラズマ処理の強度が10〜200Wmin/mで基材フィルムの表面をプラズマ処理した後に蒸着層を形成する、蒸着フィルムの製造方法。 A method for producing a vapor deposition film in which a plasma treatment is performed while continuously running a substrate film, and subsequently a vapor deposition layer is formed, wherein the plasma treatment is based on a planar magnetron plasma treatment electrode, Directly above and at the travel position of the base film, measured along the travel direction of the base film at an arbitrary position in the width direction of the base film, parallel to the treated electrode surface, and the base film travel direction The manufacturing method of a vapor deposition film which forms a vapor deposition layer, after plasma-treating the surface of a base film with the intensity | strength of the magnetic flux density parallel to 1 to 20-100 mT, and the intensity | strength of this plasma treatment being 10-200 Wmin / m < 2 >. プラズマ処理の電源周波数が1k〜1000kHzの交流またはパルス波である請求項1に記載の蒸着フィルムの製造方法。 The method for producing a vapor-deposited film according to claim 1, wherein the power supply frequency of the plasma treatment is an alternating current or pulse wave with a frequency of 1 k to 1000 kHz. プラズマ処理が0.1〜100Paの真空下で行われ、プラズマ処理電極と基材フィルム間距離が5〜20mmである請求項1あるいは2に記載の蒸着フィルムの製造方法。 The method for producing a deposited film according to claim 1 or 2, wherein the plasma treatment is performed under a vacuum of 0.1 to 100 Pa, and the distance between the plasma treatment electrode and the base film is 5 to 20 mm. 蒸着層と基材フィルムを有する蒸着フィルムの蒸着層側に他のフィルムが積層された積層包装材料であって、蒸着層がアルミニウムからなる層であり、85〜95℃の温度で30分間の熱水処理後、蒸着層と基材フィルム間の水濡れラミネート強度が、50mm/minの剥離速度において1N/15mm以上であることを特徴とする積層包装材料。 A laminated packaging material in which another film is laminated on the vapor deposition layer side of the vapor deposition film having a vapor deposition layer and a base film, wherein the vapor deposition layer is a layer made of aluminum, and is heated at a temperature of 85 to 95 ° C. for 30 minutes. A laminated packaging material characterized in that, after water treatment, the water wet laminate strength between the vapor deposition layer and the substrate film is 1 N / 15 mm or more at a peeling rate of 50 mm / min. 蒸着層と基材フィルムを有する蒸着フィルムの蒸着層側に他のフィルムが積層された積層包装材料であって、蒸着層が金属酸化物からなる層であり、115〜125℃の温度で30分間の熱水処理後、蒸着層と基材フィルム間の水濡れラミネート強度が、50mm/minの剥離速度において1N/15mm以上であることを特徴とする積層包装材料。 A laminated packaging material in which another film is laminated on the vapor deposition layer side of the vapor deposition film having the vapor deposition layer and the base film, wherein the vapor deposition layer is a layer made of a metal oxide, and a temperature of 115 to 125 ° C. for 30 minutes. After the hydrothermal treatment, a laminated packaging material characterized in that the water wet laminate strength between the vapor deposition layer and the substrate film is 1 N / 15 mm or more at a peeling rate of 50 mm / min.
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