JP2013140108A

JP2013140108A - Method of manufacturing semiconductor device and probe card

Info

Publication number: JP2013140108A
Application number: JP2012000951A
Authority: JP
Inventors: Tomohiko Takeuchi; 智彦竹内; Kenjun Morimoto; 賢淳森本
Original assignee: Renesas Electronics Corp
Current assignee: Renesas Electronics Corp
Priority date: 2012-01-06
Filing date: 2012-01-06
Publication date: 2013-07-18

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a good electrical contact between a probe and a bump electrode while suppressing damage to the bump electrode and wafer.SOLUTION: A method includes a step of inspecting a semiconductor device having a bump electrode by using a probe 10. The probe 10 includes: a bump contact unit 30 that comes in contact with the bump electrode during the inspection; and a wipe unit 20 that has a groove 22 which guides the bump electrode to the bump contact unit 30. By pressing the probe 10 against the bump electrode, the bump electrode is guided by the groove 22 while being in contact with the groove 22 so as to be moved to be positioned at the bump contact unit 30.

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、およびプローブカードに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a probe card.

電子デバイスの高機能化や小型化に伴い、超小型パッケージの要求が高まっている。この要求に応えるパッケージとしては、例えばＷＬ−ＢＧＡ（ＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）等が挙げられる。
ＢＧＡパッケージに関しては様々な技術が検討されており、例えば特許文献１〜３には、ＢＧＡパッケージの電気的特性を検査する技術が開示されている。 The demand for ultra-small packages is increasing as electronic devices become more sophisticated and smaller. An example of a package that satisfies this requirement is WL-BGA (Wafer Level Ball Grid Array).
Various techniques have been studied for BGA packages. For example, Patent Documents 1 to 3 disclose techniques for inspecting the electrical characteristics of a BGA package.

特許文献１に記載の技術は、プローブの接触子に半田ボールが接触する凹所を設け、かつ当該凹所に案内溝を設けるというものである。これにより、半田ボールから凹所に付着した半田を、案内溝から接触子の外へ排出すると記載されている。特許文献２に記載の技術は、バンプ電極と接触するプローブの先端に、凹所を形成するというものである。特許文献３に記載の技術は、２本一対の接触子の各エッジを用いて球状外部電極の表面をワイピングするというものである。 The technique described in Patent Document 1 is to provide a recess in which a solder ball contacts a contact of a probe, and to provide a guide groove in the recess. Thus, it is described that the solder adhered to the recess from the solder ball is discharged from the guide groove to the outside of the contact. The technique described in Patent Document 2 is to form a recess at the tip of a probe that comes into contact with a bump electrode. The technique described in Patent Document 3 is to wipe the surface of the spherical external electrode using each edge of a pair of two contacts.

特開２００３−３４４４４９号公報JP 2003-344449 A 特開２０００−２５８４５７号公報JP 2000-258457 A 特開２００８−２９２３３７号公報JP 2008-292337 A

バンプ電極に対するプローブ検査時において、電気的接触を良好なものとするためには、特許文献３のようにバンプ電極の表面をプローブによってワイピングすることが好ましい。しかし、ワイピングする際にプローブ先端がバンプ電極から脱落してしまう場合があった。この場合、バンプ電極やウェハへダメージを与えるおそれがある。
従って、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることが求められている。 At the time of probe inspection on the bump electrode, in order to make good electrical contact, it is preferable to wipe the surface of the bump electrode with a probe as in Patent Document 3. However, the tip of the probe may fall off the bump electrode when wiping. In this case, there is a risk of damaging the bump electrode or the wafer.
Therefore, it is required to improve the electrical contact between the probe and the bump electrode while suppressing damage to the bump electrode and the wafer.

本発明によれば、バンプ電極を有する半導体装置を、プローブを用いて検査する工程を備え、
前記プローブは、検査時に前記バンプ電極と接触するバンプ接触部と、前記バンプ電極を前記バンプ接触部へ案内する溝を有するワイプ部と、を有し、
前記プローブを前記バンプ電極へ押し当てることにより、前記バンプ電極が、前記溝に接触しながら前記溝に案内されて移動した後に前記バンプ接触部に位置する半導体装置の製造方法が提供される。 According to the present invention, a process for inspecting a semiconductor device having a bump electrode using a probe is provided.
The probe has a bump contact portion that contacts the bump electrode at the time of inspection, and a wipe portion having a groove for guiding the bump electrode to the bump contact portion.
By pressing the probe against the bump electrode, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device in which the bump electrode is positioned at the bump contact portion after being moved while being guided by the groove while being in contact with the groove.

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、バンプ電極を有する半導体装置を、プローブを用いて検査する工程を備える。そして、プローブを用いて検査する当該工程において、プローブをバンプ電極へ押し当てることにより、バンプ電極は、プローブに設けられた溝に接触しながら溝に案内されて移動した後にバンプ接触部に位置する。
バンプ電極が溝に接触しながら溝に案内されて移動することで、バンプ電極の表面をワイピングすることができる。このため、バンプ電極とプローブとの電気的接触を良好なものとすることができる。また、バンプ電極は、溝に案内されて移動した後バンプ接触部に位置する。このため、バンプ電極をワイピングする際に、プローブ先端がバンプ電極から脱落してしまうことを抑制することができる。
従って、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることができる。 According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the method includes inspecting a semiconductor device having a bump electrode using a probe. In the step of inspecting using the probe, the bump electrode is positioned at the bump contact portion after being moved by being guided by the groove while being in contact with the groove provided on the probe by pressing the probe against the bump electrode. .
The surface of the bump electrode can be wiped by moving while being guided by the groove while the bump electrode is in contact with the groove. For this reason, the electrical contact between the bump electrode and the probe can be improved. Further, the bump electrode is positioned at the bump contact portion after being moved while being guided by the groove. For this reason, when wiping a bump electrode, it can control that a probe tip falls off from a bump electrode.
Accordingly, the electrical contact between the probe and the bump electrode can be improved while suppressing damage to the bump electrode and the wafer.

本発明によれば、バンプ電極を有する半導体装置の検査に用いられるプローブカードであって、プローブ保持部と、前記プローブ保持部に保持され、かつ少なくとも先端が前記バンプ電極に対して傾斜するように設けられたプローブと、を備え、前記プローブは、溝を有するワイプ部と、前記溝と連続して設けられた凹部により構成され、かつ平面視で前記ワイプ部よりも前記プローブの前記プローブ保持部に保持される端部側に位置するバンプ接触部と、を有しているプローブカードが提供される。 According to the present invention, there is provided a probe card used for inspecting a semiconductor device having a bump electrode, wherein the probe card is held by the probe holding portion and the probe holding portion, and at least a tip thereof is inclined with respect to the bump electrode. Provided with a probe, and the probe is configured by a wipe part having a groove and a concave part provided continuously with the groove, and the probe holding part of the probe more than the wipe part in a plan view. There is provided a probe card having a bump contact portion positioned on the end portion side held by the.

本発明によれば、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electrical contact of a probe and a bump electrode can be made favorable, suppressing the damage to a bump electrode or a wafer.

第１の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。It is a top view showing a semiconductor device and a probe at the time of probe inspection concerning a 1st embodiment. 第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極とプローブの接触状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the contact state of a bump electrode and a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining operation | movement of a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する上面図である。It is a top view explaining operation | movement of a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極の状態を説明する上面図である。It is a top view explaining the state of a bump electrode at the time of probe inspection according to the first embodiment. 第１の実施形態に係るプローブカードを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the probe card which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。It is a top view which shows a semiconductor device and a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する側面図である。It is a side view explaining operation | movement of a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 2nd Embodiment. 第３の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。It is a top view which shows a semiconductor device and a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する上面図である。It is an upper surface figure explaining operation of a probe at the time of probe inspection concerning a 3rd embodiment. 第４の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。It is a top view which shows a semiconductor device and a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 4th Embodiment. 第４の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブの動作を説明する上面図である。It is an upper surface figure explaining operation of a probe at the time of probe inspection concerning a 4th embodiment. 第５の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe which concerns on 5th Embodiment. 第５の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。It is a top view which shows a semiconductor device and a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 5th Embodiment. 第６の実施形態に係るプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe which concerns on 6th Embodiment. 第６の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置とプローブを示す上面図である。It is a top view which shows a semiconductor device and a probe at the time of the probe test | inspection which concerns on 6th Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、第１の実施形態に係るプローブ１０を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０とプローブ１０を示す上面図である。
本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、バンプ電極４０を有する半導体装置９０を、プローブ１０を用いて検査する工程を備える。プローブ１０は、検査時にバンプ電極４０と接触するバンプ接触部３０と、バンプ電極４０をバンプ接触部３０へ案内する溝２２を有するワイプ部２０と、を有する。そして、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てることにより、バンプ電極４０が、溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動した後にバンプ接触部３０に位置する。
以下、本実施形態に係るプローブ１０の構成、および半導体装置９０の製造方法について詳細に説明する。 FIG. 1 is a perspective view showing a probe 10 according to the first embodiment. FIG. 2 is a top view showing the semiconductor device 90 and the probe 10 at the time of probe inspection according to the first embodiment.
The method for manufacturing the semiconductor device 90 according to this embodiment includes a step of inspecting the semiconductor device 90 having the bump electrodes 40 using the probe 10. The probe 10 includes a bump contact portion 30 that contacts the bump electrode 40 during inspection, and a wipe portion 20 having a groove 22 that guides the bump electrode 40 to the bump contact portion 30. Then, by pressing the probe 10 against the bump electrode 40, the bump electrode 40 is guided by the groove 22 while moving in contact with the groove 22, and then positioned at the bump contact portion 30.
Hereinafter, the configuration of the probe 10 according to the present embodiment and the method for manufacturing the semiconductor device 90 will be described in detail.

図７は、第１の実施形態に係るプローブカード１００を示す断面図である。プローブカード１００は、バンプ電極４０を有する半導体装置９０の検査に用いられる。プローブカード１００は、検査装置と半導体装置９０とを中継する機能を有する。半導体装置９０は、例えばＷＬ−ＢＧＡである。
図７に示すように、プローブカード１００は、プローブ保持部６０と、プローブ１０を備えている。プローブカード１００は、複数のプローブ１０を有する。このため、図２に示すように、各プローブ１０を、半導体装置９０が有する複数のバンプ電極４０それぞれに対し同時に接触させることができる。
プローブ１０は、プローブ保持部６０に保持されている。また、プローブ１０は、プローブカード１００による半導体装置９０のプローブ検査時において、少なくとも先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。これにより、プローブ検査時においてプローブ１０をバンプ電極４０に押し当てた際に、プローブ１０は、バンプ電極４０表面を摺動する方向に分力を受ける。このため、バンプ電極４０表面をプローブ１０が摺動し、バンプ電極４０表面をワイピングすることとなる。
なお、本明細書におけるワイピングとは、バンプ電極４０表面をプローブ１０によって擦ることで、バンプ電極４０表面の一部を除去することを意味する。バンプ電極４０表面をワイピングすることで、バンプ電極４０表面に形成された酸化膜やプローブ１０に付着したゴミ等、バンプ電極４０とプローブ１０の電気的接触を悪化させる付着物を除去することができる。このため、バンプ電極４０表面をワイピングすることにより、プローブ１０とバンプ電極４０の電気的接触を良好なものとすることができる。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing the probe card 100 according to the first embodiment. The probe card 100 is used for inspecting the semiconductor device 90 having the bump electrodes 40. The probe card 100 has a function of relaying between the inspection device and the semiconductor device 90. The semiconductor device 90 is, for example, WL-BGA.
As shown in FIG. 7, the probe card 100 includes a probe holding unit 60 and a probe 10. The probe card 100 has a plurality of probes 10. Therefore, as shown in FIG. 2, each probe 10 can be brought into contact with each of the plurality of bump electrodes 40 included in the semiconductor device 90 at the same time.
The probe 10 is held by the probe holding unit 60. The probe 10 is provided so that at least the tip thereof is inclined with respect to the bump electrode 40 when the semiconductor device 90 is inspected by the probe card 100. As a result, when the probe 10 is pressed against the bump electrode 40 during probe inspection, the probe 10 receives a component force in the direction of sliding on the surface of the bump electrode 40. For this reason, the probe 10 slides on the surface of the bump electrode 40, and the surface of the bump electrode 40 is wiped.
Note that wiping in this specification means that a part of the surface of the bump electrode 40 is removed by rubbing the surface of the bump electrode 40 with the probe 10. By wiping the surface of the bump electrode 40, it is possible to remove deposits that deteriorate the electrical contact between the bump electrode 40 and the probe 10, such as an oxide film formed on the surface of the bump electrode 40 and dust attached to the probe 10. . Therefore, by wiping the surface of the bump electrode 40, the electrical contact between the probe 10 and the bump electrode 40 can be improved.

プローブ１０は、ワイプ部２０と、バンプ接触部３０と、を有している。また、プローブ１０は、針状の形状を有している。図２に示すように、プローブ１０は、先端面がプローブ検査時においてバンプ電極４０と対向するように設けられている。ワイプ部２０およびバンプ接触部３０は、プローブ１０の当該先端面に設けられる。
ワイプ部２０は、プローブ１０の先端面に設けられた溝２２を有している。プローブ検査時において、バンプ電極４０は、溝２２に案内されてバンプ接触部３０へ移動する。
バンプ接触部３０は、プローブ１０の先端面に設けられた凹部を有している。バンプ接触部３０が有する凹部は、溝２２と連続して設けられる。このため、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後、当該凹部により保持されることとなる。本実施形態において、当該凹部は、例えば溝２２の深さを、端部において他の部分よりも深くすることにより形成される。
また、バンプ接触部３０は、平面視でワイプ部２０よりも、プローブ１０のプローブ保持部６０に保持される端部側に位置している。これにより、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てた際に、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後にバンプ接触部３０に位置し、かつバンプ接触部３０によって保持されることとなる。
バンプ電極４０は、例えば略球状の形状を有する。そして、バンプ接触部３０が有する凹部は、例えばバンプ電極４０の曲率に応じた半球状とすることができる。これにより、バンプ電極４０を保持する際に、バンプ電極４０にダメージを与えることを抑制することができる。 The probe 10 has a wipe part 20 and a bump contact part 30. The probe 10 has a needle shape. As shown in FIG. 2, the probe 10 is provided so that the tip surface faces the bump electrode 40 at the time of probe inspection. The wipe part 20 and the bump contact part 30 are provided on the tip surface of the probe 10.
The wipe unit 20 has a groove 22 provided on the distal end surface of the probe 10. At the time of probe inspection, the bump electrode 40 is guided to the groove 22 and moves to the bump contact portion 30.
The bump contact portion 30 has a recess provided on the distal end surface of the probe 10. The concave portion of the bump contact portion 30 is provided continuously with the groove 22. For this reason, the bump electrode 40 is held by the concave portion after being moved by being guided by the groove 22. In the present embodiment, the concave portion is formed, for example, by making the depth of the groove 22 deeper than other portions at the end portion.
Further, the bump contact portion 30 is located closer to the end portion held by the probe holding portion 60 of the probe 10 than the wipe portion 20 in a plan view. As a result, when the probe 10 is pressed against the bump electrode 40, the bump electrode 40 is positioned in the bump contact portion 30 after being guided and moved by the groove 22, and is held by the bump contact portion 30. .
The bump electrode 40 has a substantially spherical shape, for example. And the recessed part which the bump contact part 30 has can be made into the hemisphere according to the curvature of the bump electrode 40, for example. Thereby, when holding the bump electrode 40, damage to the bump electrode 40 can be suppressed.

図３は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極４０とプローブ１０の接触状態を示す断面図である。
図３に示すように、プローブ検査時において、バンプ電極４０の頂点は溝２２と接触しない。このため、プローブ検査時において、プローブ１０がバンプ電極４０の頂点にダメージを与えることを抑制することができる。
本実施形態においては、溝２２は、例えば三角形状を有する三角溝である。そして、略球状のバンプ電極４０の頂点が溝２２内に位置するように、プローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる。このため、溝２２の両縁のみが、バンプ電極４０表面のうちの頂点以外の部分と接触することとなる。従って、バンプ電極４０の頂点はプローブ１０と接触しない。
なお、本実施形態において、バンプ電極４０の頂点とは、例えばバンプ電極４０のうち半導体装置９０から最も離間する点を指す。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a contact state between the bump electrode 40 and the probe 10 at the time of probe inspection according to the first embodiment.
As shown in FIG. 3, the apex of the bump electrode 40 does not contact the groove 22 at the time of probe inspection. For this reason, it is possible to prevent the probe 10 from damaging the apex of the bump electrode 40 during the probe inspection.
In the present embodiment, the groove 22 is a triangular groove having a triangular shape, for example. Then, the probe 10 is brought into contact with the bump electrode 40 so that the apex of the substantially spherical bump electrode 40 is located in the groove 22. For this reason, only both edges of the groove 22 come into contact with portions other than the apex on the surface of the bump electrode 40. Accordingly, the apex of the bump electrode 40 does not contact the probe 10.
In the present embodiment, the apex of the bump electrode 40 refers to, for example, a point of the bump electrode 40 that is farthest from the semiconductor device 90.

次に、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法を説明する。本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、バンプ電極４０を有する半導体装置９０を、プローブ１０を用いて検査する工程を備えている。
図４および図５は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１０の動作を説明する斜視図および上面図である。図６は、第１の実施形態に係るプローブ検査時における、バンプ電極４０の状態を説明する上面図である。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 90 according to the present embodiment will be described. The manufacturing method of the semiconductor device 90 according to the present embodiment includes a step of inspecting the semiconductor device 90 having the bump electrodes 40 using the probe 10.
4 and 5 are a perspective view and a top view for explaining the operation of the probe 10 at the time of probe inspection according to the first embodiment. FIG. 6 is a top view for explaining the state of the bump electrode 40 at the time of probe inspection according to the first embodiment.

バンプ電極４０を有する半導体装置９０のプローブ検査は、以下のように行われる。
まず、プローブカード１００をバンプ電極４０へ近づけ、プローブカード１００が有するプローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる。プローブカード１００は、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、ワイプ部２０がバンプ電極４０へ接触するように設計される。プローブ１０は、ワイプ部２０が有する溝２２の両縁によって、バンプ電極４０の表面のうち頂点以外の部分と接触する。これにより、図６（ａ）に示すように、バンプ電極４０の表面にプローブ痕４２が生じる。 The probe inspection of the semiconductor device 90 having the bump electrodes 40 is performed as follows.
First, the probe card 100 is brought close to the bump electrode 40, and the probe 10 included in the probe card 100 is brought into contact with the bump electrode 40. The probe card 100 is designed so that the wipe part 20 contacts the bump electrode 40 as shown in FIGS. 4 (a) and 5 (a). The probe 10 is in contact with a portion other than the apex of the surface of the bump electrode 40 by both edges of the groove 22 of the wipe portion 20. As a result, probe marks 42 are generated on the surface of the bump electrode 40 as shown in FIG.

次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てる。プローブ１０は、先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。これにより、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てた場合、プローブ１０は、バンプ電極４０表面を摺動する方向に分力を受ける。このため、プローブ１０が撓み、プローブ１０の先端はプローブ１０の長手方向へ移動する。これに伴い、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、バンプ電極４０はワイプ部２０の溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動する。これにより、図６（ｂ）に示すように、バンプ電極４０表面がワイピングされ、バンプ電極４０のプローブ痕４２は大きくなる。
なお、図３に示すように、バンプ電極４０の頂点は溝２２と接触しない。このため、ワイピング動作時において、バンプ電極４０の頂点にダメージを与えることを抑制できる。 Next, the probe card 100 is brought closer to the bump electrode 40 and the probe 10 is pressed against the bump electrode 40. The probe 10 is provided such that the tip thereof is inclined with respect to the bump electrode 40. Thus, when the probe 10 is pressed against the bump electrode 40, the probe 10 receives a component force in a direction in which the probe 10 slides on the surface of the bump electrode 40. For this reason, the probe 10 bends and the tip of the probe 10 moves in the longitudinal direction of the probe 10. Accordingly, as shown in FIGS. 4B and 5B, the bump electrode 40 moves while being guided by the groove 22 while being in contact with the groove 22 of the wipe portion 20. As a result, as shown in FIG. 6B, the surface of the bump electrode 40 is wiped, and the probe trace 42 of the bump electrode 40 becomes larger.
As shown in FIG. 3, the apex of the bump electrode 40 does not contact the groove 22. For this reason, it is possible to suppress damage to the apex of the bump electrode 40 during the wiping operation.

バンプ接触部３０は、平面視でワイプ部２０よりも、プローブ１０のプローブ保持部６０に保持される端部側に位置している。このため、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てることにより、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後、バンプ接触部３０に位置し、かつバンプ接触部３０により保持されることとなる。これにより、プローブ１０によってバンプ電極４０の表面をワイピングした後、バンプ電極４０からプローブ１０が脱落してしまうことを抑制することができる。
バンプ接触部３０は、略球状を有するバンプ電極４０の曲率に応じた半球状の形状を有する凹部を有している。このため、図６（ｃ）に示すように、バンプ電極４０と接触する際に、バンプ電極４０に大きなダメージを与えることを抑制することができる。 The bump contact portion 30 is located closer to the end portion held by the probe holding portion 60 of the probe 10 than the wipe portion 20 in plan view. Therefore, by pressing the probe 10 against the bump electrode 40, the bump electrode 40 is guided by the groove 22 and moved as shown in FIGS. And is held by the bump contact portion 30. Thereby, after wiping the surface of the bump electrode 40 with the probe 10, it is possible to prevent the probe 10 from dropping from the bump electrode 40.
The bump contact portion 30 has a concave portion having a hemispherical shape corresponding to the curvature of the bump electrode 40 having a substantially spherical shape. For this reason, as shown in FIG.6 (c), when contacting with the bump electrode 40, giving a big damage to the bump electrode 40 can be suppressed.

次いで、バンプ電極４０をバンプ接触部３０により保持したまま、バンプ電極４０の電気的特性についての測定を行う。このとき、バンプ電極４０の表面には、ワイピングによりプローブ痕４２が形成されている。このため、プローブ１０とバンプ電極４０との電気的接触を良好なものとすることができる。 Next, the electrical characteristics of the bump electrode 40 are measured while the bump electrode 40 is held by the bump contact portion 30. At this time, probe marks 42 are formed on the surface of the bump electrode 40 by wiping. For this reason, the electrical contact between the probe 10 and the bump electrode 40 can be improved.

次に、本実施形態の作用および効果を説明する。
本実施形態に係る半導体装置９０の検査方法によれば、バンプ電極４０を有する半導体装置９０を、プローブ１０を用いて検査する工程を備える。そして、当該プローブ１０を用いて検査する工程において、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てることにより、バンプ電極４０は、プローブ１０に設けられた溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動した後、バンプ接触部３０に位置する。
バンプ電極４０が溝２２に接触しながら溝２２に案内されて移動することで、バンプ電極４０の表面をワイピングすることができる。このため、バンプ電極４０とプローブ１０との電気的接触を良好なものとすることができる。また、バンプ電極４０は、溝２２に案内されて移動した後、バンプ接触部３０に位置する。このため、バンプ電極４０をワイピングする際に、プローブ１０の先端がバンプ電極４０から脱落してしまうことを抑制することができる。
従って、バンプ電極やウェハへのダメージを抑制しつつ、プローブとバンプ電極の電気的接触を良好なものとすることができる。 Next, the operation and effect of this embodiment will be described.
The method for inspecting the semiconductor device 90 according to the present embodiment includes a step of inspecting the semiconductor device 90 having the bump electrodes 40 using the probe 10. In the inspection process using the probe 10, the bump electrode 40 is guided by the groove 22 and moved while being in contact with the groove 22 provided in the probe 10 by pressing the probe 10 against the bump electrode 40. Thereafter, the bump contact portion 30 is located.
The bump electrode 40 is guided and moved by the groove 22 while being in contact with the groove 22, so that the surface of the bump electrode 40 can be wiped. For this reason, the electrical contact between the bump electrode 40 and the probe 10 can be improved. Further, the bump electrode 40 is positioned in the bump contact portion 30 after being moved while being guided by the groove 22. For this reason, when the bump electrode 40 is wiped, it is possible to prevent the tip of the probe 10 from falling off the bump electrode 40.
Accordingly, the electrical contact between the probe and the bump electrode can be improved while suppressing damage to the bump electrode and the wafer.

図８は、第２の実施形態に係るプローブ１２を示す斜視図であり、第１の実施形態における図１に対応している。図９は、第２の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０とプローブ１２を示す上面図である。
第２の実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、プローブ１２の構成を除いて、第１の実施形態と同様である。 FIG. 8 is a perspective view showing the probe 12 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 in the first embodiment. FIG. 9 is a top view showing the semiconductor device 90 and the probe 12 at the time of probe inspection according to the second embodiment.
The manufacturing method of the semiconductor device 90 according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except for the configuration of the probe 12.

図８に示すように、プローブ１２は、貼り合せ材５２により貼り合わせられた、２枚の金属板５０により構成される。金属板５０は、バンプ電極４０が設けられたウェハ面に対して垂直となるように設けられる。プローブ検査時においては、２枚の金属板５０の先端をバンプ電極４０に接触させる。
第１の実施形態と同様、プローブ１２は、プローブ保持部６０に保持されている。また、プローブ１２は、プローブカード１００による半導体装置９０のプローブ検査時において、少なくとも先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。 As shown in FIG. 8, the probe 12 is composed of two metal plates 50 bonded together by a bonding material 52. The metal plate 50 is provided so as to be perpendicular to the wafer surface on which the bump electrodes 40 are provided. At the time of probe inspection, the tips of the two metal plates 50 are brought into contact with the bump electrodes 40.
Similar to the first embodiment, the probe 12 is held by the probe holding unit 60. The probe 12 is provided such that at least the tip thereof is inclined with respect to the bump electrode 40 when the semiconductor device 90 is inspected by the probe card 100.

金属板５０は、先端の上部側がプローブ１２の延伸方向へ延伸してなる、延伸部５４を有する。ここで、金属板５０の先端のうち、プローブ保持部６０側に位置する部分を上部側、当該プローブ保持部６０側とは反対側に位置する部分を下部側とする。
なお、図８に示すように、延伸部５４の先端は面取りされていてもよい。これにより、プローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる際に、バンプ電極４０へダメージを与えることを抑制することができる。 The metal plate 50 has an extending portion 54 formed by extending the upper end side of the tip in the extending direction of the probe 12. Here, of the tip of the metal plate 50, the part located on the probe holding part 60 side is the upper side, and the part located on the opposite side to the probe holding part 60 side is the lower side.
In addition, as shown in FIG. 8, the front-end | tip of the extending | stretching part 54 may be chamfered. Thereby, when making the probe 10 contact the bump electrode 40, it can suppress that the bump electrode 40 is damaged.

プローブ１２のワイプ部２０は、延伸部５４により構成される。
プローブ１２のバンプ接触部３０は、延伸部５４と、金属板５０先端の下部側と、により構成される凹部を有する。当該凹部は、略球状の形状を有するバンプ電極４０の曲率に応じた、半円状とすることができる。これにより、バンプ電極４０と接触する際に、バンプ電極４０にダメージを与えることを抑制することができる。 The wipe part 20 of the probe 12 is constituted by an extending part 54.
The bump contact portion 30 of the probe 12 has a recess constituted by the extending portion 54 and the lower side of the tip of the metal plate 50. The said recessed part can be made into semicircle shape according to the curvature of the bump electrode 40 which has a substantially spherical shape. Thereby, when contacting with the bump electrode 40, it can suppress that the bump electrode 40 is damaged.

また、図８および図９に示すように、ワイプ部２０およびバンプ接触部３０を構成する部分において、２枚の金属板５０の間には、貼り合せ材５２が設けられていない。このため、ワイプ部２０は、２枚の金属板５０間の空間からなる溝２２を有することとなる。また、バンプ接触部３０がバンプ電極４０と接触し、かつバンプ電極４０を保持した際に、貼り合せ材５２との接触によりバンプ電極４０へダメージを与えることを抑制できる。
２枚の金属板５０の間隔は、例えばバンプ電極４０の形状等に応じて設計することができる。すなわち、プローブ検査時において、ワイプ部２０が有する溝２２の両縁が、バンプ電極４０の表面と接触するように設計することができる。 As shown in FIGS. 8 and 9, the bonding material 52 is not provided between the two metal plates 50 in the portions constituting the wipe portion 20 and the bump contact portion 30. For this reason, the wipe part 20 has the groove | channel 22 which consists of the space between the two metal plates 50. FIG. Moreover, when the bump contact part 30 contacts the bump electrode 40 and holds the bump electrode 40, it is possible to suppress damage to the bump electrode 40 due to contact with the bonding material 52.
The distance between the two metal plates 50 can be designed according to the shape of the bump electrode 40, for example. That is, it is possible to design so that both edges of the groove 22 of the wipe portion 20 are in contact with the surface of the bump electrode 40 during probe inspection.

図１０は、第２の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１２の動作を説明する側面図である。本実施形態に係るプローブ検査は、第１の実施形態と同様に行うことができる。
すなわち、まず、図１０（ａ）に示すように、プローブ１０をバンプ電極４０へ接触させる。このとき、ワイプ部２０がバンプ電極４０と接触するようにプローブカード１００を設計することができる。
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１０をバンプ電極４０へ押し当てる。これにより、図１０（ｂ）に示すように、バンプ電極４０は、ワイプ部２０の溝２２に接触しながら、溝２２に案内されて移動する。
その後、図１０（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、バンプ接触部３０に位置し、かつバンプ接触部３０によって保持される。そして、バンプ電極４０がバンプ接触部３０に保持された状態で、バンプ電極４０の電気的特性について測定を行う。 FIG. 10 is a side view for explaining the operation of the probe 12 at the time of probe inspection according to the second embodiment. The probe inspection according to this embodiment can be performed in the same manner as in the first embodiment.
That is, first, the probe 10 is brought into contact with the bump electrode 40 as shown in FIG. At this time, the probe card 100 can be designed so that the wipe part 20 contacts the bump electrode 40.
Next, the probe card 100 is brought closer to the bump electrode 40 and the probe 10 is pressed against the bump electrode 40. As a result, as shown in FIG. 10B, the bump electrode 40 moves while being guided by the groove 22 while being in contact with the groove 22 of the wipe part 20.
Thereafter, as shown in FIG. 10C, the bump electrode 40 is located at the bump contact portion 30 and is held by the bump contact portion 30. Then, the electrical characteristics of the bump electrode 40 are measured while the bump electrode 40 is held by the bump contact portion 30.

本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、プローブ１２は、２枚の金属板５０と、これらを貼り合わせる貼り合せ材５２から構成される。このような構成を有する場合、第１の実施形態と比較して、プローブを加工する方法が多い。このため、プローブの製造が容易となる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
Moreover, according to this embodiment, the probe 12 is comprised from the two metal plates 50 and the bonding material 52 which bonds these together. In the case of having such a configuration, there are many methods for processing a probe as compared with the first embodiment. For this reason, manufacture of a probe becomes easy.

図１１は、第３の実施形態に係るプローブ１４を示す斜視図であって、第１の実施形態に係る図１に対応している。図１２は、第３の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１４を示す上面図である。
第３の実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、プローブ１４の構成を除いて、第１の実施形態と同様である。 FIG. 11 is a perspective view showing the probe 14 according to the third embodiment, and corresponds to FIG. 1 according to the first embodiment. FIG. 12 is a top view showing the semiconductor device 90 and the probe 14 at the time of probe inspection according to the third embodiment.
The manufacturing method of the semiconductor device 90 according to the third embodiment is the same as that of the first embodiment except for the configuration of the probe 14.

プローブ１４は、針状の形状を有している。また、プローブ１４は、プローブ保持部６０に保持されている。さらに、プローブ１４は、プローブカード１００による半導体装置９０のプローブ検査時において、少なくとも先端がバンプ電極４０に対して傾斜するように設けられている。
図１１に示すように、プローブ１４は、先端の上部側がプローブ１４の延伸方向に延伸してなる、延伸部５６を有する。ここで、プローブ１４の先端のうち、プローブ保持部６０側に位置する部分を上部側、当該プローブ保持部６０側とは反対側に位置する部分を下部側とする。 The probe 14 has a needle shape. The probe 14 is held by the probe holding unit 60. Further, the probe 14 is provided such that at least the tip thereof is inclined with respect to the bump electrode 40 when the semiconductor device 90 is inspected by the probe card 100.
As shown in FIG. 11, the probe 14 has an extending portion 56 formed by extending the top side of the tip in the extending direction of the probe 14. Here, of the tip of the probe 14, a portion located on the probe holding portion 60 side is an upper side, and a portion located on the opposite side to the probe holding portion 60 side is a lower side.

プローブ１４のワイプ部２０は、延伸部５６により構成される。
プローブ１４のバンプ接触部３０は、延伸部５６と、プローブ１４先端の下部側と、により構成される凹部によって構成される。当該凹部は、略球状の形状を有するバンプ電極４０の曲率に応じた、半球状とすることができる。これにより、バンプ電極４０を保持する際に、バンプ電極４０にダメージを与えることを抑制することができる。
図１１および図１２に示すように、延伸部５６は、中心に溝２２が設けられた二股状の形状を有する。延伸部５６は、プローブ検査時において、バンプ電極４０に対し溝２２の両縁が接触するように形成される。溝２２の幅は、例えばバンプ電極４０の形状等に応じて設計することができる。
なお、プローブ１４は、例えば次のように形成される。まず、円柱状の金属を、円柱の軸に平行な面で切断する。次いで、円柱の先端面に、円柱の軸に平行な切り欠きを形成する。この切り欠きにより溝２２が構成される。次いで、円柱の先端面の一部を削り、延伸部５６およびバンプ接触部３０を形成する。このとき、溝２２とバンプ接触部３０が一体となるように設けられる。 The wipe portion 20 of the probe 14 is constituted by an extending portion 56.
The bump contact portion 30 of the probe 14 is constituted by a concave portion constituted by the extending portion 56 and the lower side of the tip end of the probe 14. The concave portion can be hemispherical according to the curvature of the bump electrode 40 having a substantially spherical shape. Thereby, when holding the bump electrode 40, damage to the bump electrode 40 can be suppressed.
As shown in FIGS. 11 and 12, the extending portion 56 has a bifurcated shape in which the groove 22 is provided at the center. The extending portion 56 is formed so that both edges of the groove 22 are in contact with the bump electrode 40 during probe inspection. The width of the groove 22 can be designed according to the shape of the bump electrode 40, for example.
The probe 14 is formed as follows, for example. First, a cylindrical metal is cut along a plane parallel to the axis of the cylinder. Next, a notch parallel to the axis of the cylinder is formed on the tip surface of the cylinder. The groove 22 is formed by this notch. Next, a part of the front end surface of the cylinder is scraped to form the extending portion 56 and the bump contact portion 30. At this time, the groove 22 and the bump contact portion 30 are provided so as to be integrated.

図１３は、第３の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１４の動作を説明する上面図である。本実施形態に係るプローブ検査は、第１の実施形態と同様に行うことができる。
すなわち、まず、図１３（ａ）に示すように、プローブ１４をバンプ電極４０へ接触させる。このとき、ワイプ部２０がバンプ電極４０と接触するようにプローブカード１００を設計することができる。
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１４をバンプ電極４０へ押し当てる。これにより、図１３（ｂ）に示すように、バンプ電極４０は、ワイプ部２０の溝２２に接触しながら、溝２２に案内されて移動する。
その後、図１３（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、バンプ接触部３０と接触し、かつバンプ接触部３０によって保持される。そして、バンプ電極４０がバンプ接触部３０に保持された状態で、バンプ電極４０の電気的特性について測定を行う。 FIG. 13 is a top view for explaining the operation of the probe 14 at the time of probe inspection according to the third embodiment. The probe inspection according to this embodiment can be performed in the same manner as in the first embodiment.
That is, first, the probe 14 is brought into contact with the bump electrode 40 as shown in FIG. At this time, the probe card 100 can be designed so that the wipe part 20 contacts the bump electrode 40.
Next, the probe card 100 is brought closer to the bump electrode 40 and the probe 14 is pressed against the bump electrode 40. As a result, as shown in FIG. 13B, the bump electrode 40 moves while being guided by the groove 22 while being in contact with the groove 22 of the wipe portion 20.
Thereafter, as shown in FIG. 13C, the bump electrode 40 comes into contact with the bump contact portion 30 and is held by the bump contact portion 30. Then, the electrical characteristics of the bump electrode 40 are measured while the bump electrode 40 is held by the bump contact portion 30.

本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

図１４は、第４の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１６を示す上面図であって、第３の実施形態に係る図１２に対応している。
図１４に示すように、本実施形態に係るプローブ１６において、溝２２は、バンプ接触部３０から離間するにつれて幅が広くなる。この点を除いて、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、第３の実施形態と同様である。 FIG. 14 is a top view showing the semiconductor device 90 and the probe 16 at the time of probe inspection according to the fourth embodiment, and corresponds to FIG. 12 according to the third embodiment.
As shown in FIG. 14, in the probe 16 according to the present embodiment, the width of the groove 22 increases as the distance from the bump contact portion 30 increases. Except for this point, the manufacturing method of the semiconductor device 90 according to the present embodiment is the same as that of the third embodiment.

図１５は、第４の実施形態に係るプローブ検査時における、プローブ１６の動作を示す上面図である。本実施形態に係るプローブ検査は、第３の実施形態と同様に行うことができる。
すなわち、まず、図１５（ａ）に示すように、プローブ１６をバンプ電極４０へ接触させる。このとき、ワイプ部２０がバンプ電極４０と接触するようにプローブカード１００を設計することができる。
ワイプ部２０が有する溝２２は、バンプ接触部３０から離間するにつれて幅が広くなる。すなわち、溝２２は、プローブ１６の先端において広い幅を有するように形成されている。このため、バンプ電極４０に対してプローブ１６が接触できる面積は、大きくなる。これにより、プローブ１６の位置ずれ等によるプロービング不良の発生を抑制することができる。
次いで、プローブカード１００をバンプ電極４０へさらに近づけ、プローブ１６をバンプ電極４０へ押し当てる。これにより、図１５（ｂ）に示すように、バンプ電極４０は、ワイプ部２０の溝２２に接触しながら、溝２２に案内されて移動する。
その後、図１５（ｃ）に示すように、バンプ電極４０は、バンプ接触部３０と接触し、かつバンプ接触部３０によって保持される。そして、バンプ電極４０がバンプ接触部３０に保持された状態で、バンプ電極４０の電気的特性について測定を行う。 FIG. 15 is a top view showing the operation of the probe 16 at the time of probe inspection according to the fourth embodiment. The probe inspection according to this embodiment can be performed in the same manner as in the third embodiment.
That is, first, the probe 16 is brought into contact with the bump electrode 40 as shown in FIG. At this time, the probe card 100 can be designed so that the wipe part 20 contacts the bump electrode 40.
The width of the groove 22 of the wipe part 20 increases as the distance from the bump contact part 30 increases. That is, the groove 22 is formed to have a wide width at the tip of the probe 16. For this reason, the area which the probe 16 can contact with the bump electrode 40 becomes large. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a probing failure due to the displacement of the probe 16 or the like.
Next, the probe card 100 is brought closer to the bump electrode 40 and the probe 16 is pressed against the bump electrode 40. As a result, as shown in FIG. 15B, the bump electrode 40 moves while being guided by the groove 22 while being in contact with the groove 22 of the wipe portion 20.
Thereafter, as shown in FIG. 15C, the bump electrode 40 is in contact with the bump contact portion 30 and is held by the bump contact portion 30. Then, the electrical characteristics of the bump electrode 40 are measured while the bump electrode 40 is held by the bump contact portion 30.

本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.

図１６は、第５の実施形態に係るプローブ１８を示す斜視図であって、第３の実施形態における図１１に対応している。図１７は、第５の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１８を示す上面図である。
図１６及び図１７に示すように、本実施形態に係るプローブ１８は、バンプ接触部３０に粗面３２が設けられている。この点を除いて、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、第３の実施形態と同様である。 FIG. 16 is a perspective view showing the probe 18 according to the fifth embodiment, and corresponds to FIG. 11 in the third embodiment. FIG. 17 is a top view showing the semiconductor device 90 and the probe 18 at the time of probe inspection according to the fifth embodiment.
As shown in FIGS. 16 and 17, the probe 18 according to the present embodiment is provided with a rough surface 32 at the bump contact portion 30. Except for this point, the manufacturing method of the semiconductor device 90 according to the present embodiment is the same as that of the third embodiment.

粗面３２は、バンプ接触部３０を構成する凹部の表面であって、プローブ検査時においてバンプ電極４０と接触する部分の少なくとも一部に設けられる。図１６および図１７に示すように、本実施形態において、粗面３２は、例えばバンプ接触部３０を構成するプローブ１８先端の下部側に設けられている。 The rough surface 32 is a surface of a concave portion constituting the bump contact portion 30 and is provided on at least a part of a portion that contacts the bump electrode 40 at the time of probe inspection. As shown in FIGS. 16 and 17, in this embodiment, the rough surface 32 is provided, for example, on the lower side of the tip of the probe 18 constituting the bump contact portion 30.

本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、バンプ接触部３０が粗面３２を有することにより、粗面３２とバンプ電極４０との摩擦が大きくし、プローブ１８がバンプ電極４０から脱落することを抑制できる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.
Further, according to the present embodiment, the bump contact portion 30 having the rough surface 32 can increase the friction between the rough surface 32 and the bump electrode 40, and can prevent the probe 18 from dropping from the bump electrode 40.

図１８は、第６の実施形態に係るプローブ１９を示す斜視図であって、第３の実施形態における図１１に対応している。図１９は、第６の実施形態に係るプローブ検査時における、半導体装置９０およびプローブ１９を示す上面図である。
図１８および図１９に示すように、本実施形態に係るプローブ１９は、バンプ接触部３０に突起３４が設けられている。この点を除いて、本実施形態に係る半導体装置９０の製造方法は、第３の実施形態と同様である。 FIG. 18 is a perspective view showing a probe 19 according to the sixth embodiment, and corresponds to FIG. 11 in the third embodiment. FIG. 19 is a top view showing the semiconductor device 90 and the probe 19 at the time of probe inspection according to the sixth embodiment.
As shown in FIGS. 18 and 19, the probe 19 according to this embodiment is provided with a protrusion 34 on the bump contact portion 30. Except for this point, the manufacturing method of the semiconductor device 90 according to the present embodiment is the same as that of the third embodiment.

突起３４は、バンプ接触部３０を構成する凹部内に設けられている。図１８および図１９に示すように、本実施形態において、突起３４は、例えばバンプ接触部３０を構成するプローブ１９先端の下部側に設けられている。
突起３４は、先端が尖った針状の形状を有している。このため、バンプ接触部３０がバンプ電極４０と接触し、かつバンプ電極４０を保持する際に、突起３４がバンプ電極４０内へ入り込むこととなる。 The protrusion 34 is provided in a recess that constitutes the bump contact portion 30. As shown in FIGS. 18 and 19, in this embodiment, the protrusion 34 is provided, for example, on the lower side of the tip of the probe 19 constituting the bump contact portion 30.
The protrusion 34 has a needle shape with a sharp tip. For this reason, when the bump contact portion 30 comes into contact with the bump electrode 40 and holds the bump electrode 40, the protrusion 34 enters the bump electrode 40.

本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、バンプ接触部３０が突起３４を有する。このため、バンプ電極４０と接触する際に、突起３４がバンプ電極４０内へ入り込み、プローブ１９がバンプ電極４０から脱落することを抑制できる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.
Further, according to the present embodiment, the bump contact portion 30 has the protrusion 34. For this reason, when contacting with the bump electrode 40, it is possible to suppress the protrusion 34 from entering the bump electrode 40 and dropping the probe 19 from the bump electrode 40.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

１０、１２、１４、１６、１８、１９プローブ
２０ワイプ部
２２溝
３０バンプ接触部
３２粗面
３４突起
４０バンプ電極
４２プローブ痕
５０金属板
５２貼り合せ材
５４延伸部
５６延伸部
６０プローブ保持部
９０半導体装置
１００プローブカード 10, 12, 14, 16, 18, 19 Probe 20 Wipe part 22 Groove 30 Bump contact part 32 Rough surface 34 Protrusion 40 Bump electrode 42 Probe mark 50 Metal plate 52 Bonding material 54 Extending part 56 Extending part 60 Probe holding part 90 Semiconductor device 100 probe card

Claims

A step of inspecting a semiconductor device having a bump electrode using a probe;
The probe has a bump contact portion that contacts the bump electrode at the time of inspection, and a wipe portion having a groove for guiding the bump electrode to the bump contact portion.
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the bump electrode is guided by the groove and moved while being in contact with the groove by pressing the probe against the bump electrode.

In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
The bump contact portion is a method of manufacturing a semiconductor device constituted by a recess provided in the probe.

In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1 or 2,
In the step of inspecting using the probe, a method of manufacturing a semiconductor device in which the apex of the bump electrode does not contact the groove.

In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1 or 2,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the groove has a width that increases with distance from the bump contact portion.

A probe card used for inspection of a semiconductor device having a bump electrode,
A probe holder;
A probe held by the probe holding portion and provided so that at least a tip thereof is inclined with respect to the bump electrode;
With
The probe is
A wipe having a groove;
A bump contact portion that is configured by a concave portion provided continuously with the groove, and located on an end side of the probe that is held by the probe holding portion of the probe in plan view;
Having a probe card.