JP2013138092A - Electronic circuit module component and manufacturing method of the same - Google Patents

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Shuichi Takizawa
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic circuit module component which reduces cracks of a resin having a cavity and contacting with at least a part of an electronic component, and to provide a manufacturing method of the electronic circuit module component.SOLUTION: An electronic circuit module component 1 includes: an electronic component 2; a substrate 3; a first resin 4; and a second resin 9. The electronic component 2 is mounted on the substrate 3. The first resin 4 has a cavity 4H and contacts with at least a part of the electronic component 2. The second resin 9 covers a surface of the first resin 4 and has a void ratio lower than that of the first resin 4. The first resin 4 includes: a stress relaxation layer 42 provided at the second resin 9 side and containing a resin component 9M of the second resin 9; and a porous layer 41 that does not contain the resin component 9M of the second resin 9.

Description

本発明は、絶縁樹脂により電子部品を覆う電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic circuit module component that covers an electronic component with an insulating resin, and a method for manufacturing the electronic circuit module component.

電子回路モジュール部品は、複数の電子部品、例えば、受動素子や能動素子、あるいはIC(Integrated Circuit)等を基板に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの電子部品としたものである。例えば、特許文献1には、絶縁材からなる封止樹脂部で電子部品の全体を覆い、この電子部品を埋設した状態で、多層基板の上面全体に設けられるとともに、めっき等によって形成された金属膜が、封止樹脂部の上面部の全面と、封止樹脂部の互いに対向する1対の側面部の全面と、多層基板の上面から積層間の接地用パターンまでの間に位置する多層基板の互いに対向する1対の側面の全面に設けられている電子回路ユニットが開示されている。   Electronic circuit module parts are a group of electronic parts that have one or more functions by mounting multiple electronic parts, for example, passive elements, active elements, or ICs (Integrated Circuits) on a substrate. It is. For example, Patent Document 1 discloses a metal that is provided on the entire top surface of a multilayer substrate in a state where the entire electronic component is covered with a sealing resin portion made of an insulating material, and the electronic component is embedded, and is formed by plating or the like. A multilayer substrate in which a film is located between the entire surface of the upper surface portion of the sealing resin portion, the entire surface of a pair of side surfaces facing each other of the sealing resin portion, and the ground pattern between the upper surface of the multilayer substrate An electronic circuit unit provided on the entire surface of a pair of side surfaces facing each other is disclosed.

また、特許文献2には、電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂と、当該第1樹脂を覆い、かつ当該第1樹脂よりも空隙率の低い第2樹脂と、前記第1樹脂及び前記第2樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記第1樹脂の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含む電子回路モジュール部品が記載されている。   Patent Document 2 discloses an electronic component, a substrate on which the electronic component is mounted, a first resin that has a gap and is in contact with at least a part of the electronic component, covers the first resin, and A second resin having a lower porosity than the first resin, a metal layer covering the first resin and the second resin and electrically connected to the ground of the substrate, and provided in the metal layer, An electronic circuit module component including an opening that exposes at least part of the first resin to the outside of the metal layer is described.

特開2006−332255号公報JP 2006-332255 A 特開2011−216849号公報JP 2011-216849 A

電子回路モジュール部品は、絶縁樹脂で基板に実装された電子部品を覆うが、電子回路モジュール部品の製造工程や保管環境によっては、絶縁樹脂あるいは実装された基板及び電子モジュールの内部に水分が浸入することがある。この水分は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程で加熱されることによって蒸発し、膨張する。特許文献1に開示された技術は、絶縁樹脂の全面にシールド層として金属層が形成されているので、リフロー時の加熱によって発生する水蒸気等の気体が絶縁樹脂から抜けにくく、絶縁樹脂あるいは実装された基板に割れが発生したり、電子回路モジュール部品の変形等が発生したりするおそれがある。   The electronic circuit module component covers the electronic component mounted on the substrate with the insulating resin, but depending on the manufacturing process and storage environment of the electronic circuit module component, moisture may enter the insulating resin or the mounted substrate and the electronic module. Sometimes. The moisture evaporates and expands by being heated in a reflow process when the electronic circuit module component is mounted on the electronic device. In the technique disclosed in Patent Document 1, since a metal layer is formed as a shield layer on the entire surface of the insulating resin, it is difficult for gas such as water vapor generated by heating during reflow to escape from the insulating resin. There is a possibility that the substrate may be cracked or the electronic circuit module component may be deformed.

また、特許文献2に開示された技術は、電子回路モジュール部品の絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程において、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくする。特許文献2に開示された技術は、第1樹脂が空隙を含むので、さらなる第1樹脂のクラックの抑制が求められている。   In addition, the technique disclosed in Patent Document 2 is such that the surface of an insulating resin of an electronic circuit module component is covered with a shield layer, and the electronic circuit module is heated by a reflow process when the electronic circuit module component is mounted on an electronic device. Facilitates the escape of gases such as water vapor generated inside module parts to the outside. In the technique disclosed in Patent Document 2, since the first resin includes voids, further suppression of cracks in the first resin is required.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and provides an electronic circuit module component and a method for manufacturing the electronic circuit module component that have a void and reduce the risk of cracking of resin that contacts at least a part of the electronic component. The purpose is to do.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品は、電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂と、当該第1樹脂を覆い、かつ当該第1樹脂よりも空隙率の低い第2樹脂と、を含み、前記第1樹脂は、前記第2樹脂側に設けられた、前記第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層と、前記第2樹脂の樹脂成分を含まない多孔質層と、を含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, an electronic circuit module component according to the present invention includes an electronic component, a substrate on which the electronic component is mounted, a gap, and at least a part of the electronic component. A first resin in contact with the first resin, and a second resin that covers the first resin and has a lower porosity than the first resin, the first resin being provided on the second resin side, It includes a stress relaxation layer including a resin component of the second resin and a porous layer not including the resin component of the second resin.

この電子回路モジュール部品は、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。このため、電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂の多孔質層が空隙を有していても、多孔質層のクラックのおそれを低減することができる。   This electronic circuit module component can relieve the stress of the difference in thermal expansion that occurs between the second resin and the porous layer. For this reason, even if the porous layer of the 1st resin which touches at least one part of an electronic component has a space | gap, the possibility of the crack of a porous layer can be reduced.

本発明の望ましい態様として、前記第1樹脂及び前記第2樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記多孔質層の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含み、前記開口部の前記応力緩和層の最大値の厚みは、10μm以上200μm以下であることが好ましい。   As a desirable aspect of the present invention, a metal layer that covers the first resin and the second resin and is electrically connected to the ground of the substrate, and is provided on the metal layer and is one of the porous layers. It is preferable that the maximum thickness of the stress relaxation layer in the opening is not less than 10 μm and not more than 200 μm.

この電子回路モジュール部品は、応力緩和層が第2樹脂と多孔質層との間で密着することで、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層のクラックを抑制することができる。また、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。   In this electronic circuit module component, the stress relaxation layer is in close contact between the second resin and the porous layer, so that the difference in thermal expansion between the second resin and the porous layer is alleviated. Cracks can be suppressed. Moreover, the risk that the stress relaxation layer itself applies stress to the porous layer can be suppressed.

本発明の望ましい態様として、前記第1樹脂の厚みから前記応力緩和層の最大値の厚みを減算した前記多孔質層の厚みは、10μm以上400μm以下であることが好ましい。   As a desirable aspect of the present invention, the thickness of the porous layer obtained by subtracting the maximum thickness of the stress relaxation layer from the thickness of the first resin is preferably 10 μm or more and 400 μm or less.

この電子回路モジュール部品は、空隙を有する第1樹脂の多孔質層が電子部品の少なくとも一部に接するとともに、多孔質層の少なくとも一部を金属層の外部に対して露出させる開口部を有する。このような構造により、電子部品の少なくとも一部は、多孔質層を介して開口部とつながるため、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は、多孔質層の空隙を通って開口部から電子回路モジュール部品の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品は、電子機器に実装される際のリフロー工程において、加熱により内部で発生した水蒸気等の気体が外部へ抜けやすくなる。また、電子回路モジュール部品が金属層を有している場合でも、実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇が抑制されるので、第1樹脂又は第2樹脂の割れや電子回路モジュール部品が変形するおそれを低減できる。   This electronic circuit module component has an opening that exposes at least a portion of the porous layer to the outside of the metal layer while the porous layer of the first resin having a gap contacts at least a portion of the electronic component. With such a structure, at least a part of the electronic component is connected to the opening through the porous layer, so that a gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component due to heating during reflow flows in the porous layer. It is quickly discharged from the opening to the outside of the electronic circuit module component through the gap. As described above, in the electronic circuit module component, in a reflow process when mounted on an electronic device, a gas such as water vapor generated inside by heating is easily released to the outside. Moreover, even when the electronic circuit module component has a metal layer, an increase in pressure inside the component due to heating at the time of mounting is suppressed, so that the first resin or the second resin is cracked or the electronic circuit module component is deformed. The risk of doing so can be reduced.

また、第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層は、多孔質層に比較して、空隙率が低い。このため、多孔質層は、多孔質層の厚みを10μm以上400μm以下とすることで、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を応力緩和層よりも多く排出し、多孔質層のクラックを抑制することができる。その結果、応力緩和層及び多孔質層の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。   Moreover, the stress relaxation layer containing the resin component of the second resin has a lower porosity than the porous layer. For this reason, the porous layer discharges more gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component by heating during reflow than the stress relaxation layer by setting the thickness of the porous layer to 10 μm or more and 400 μm or less. , Cracks in the porous layer can be suppressed. As a result, since both the stress relaxation layer and the porous layer are present, it is possible to discharge a gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component due to heating during reflow, and the second resin and the porous layer. The stress of the difference in thermal expansion that occurs between the

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質層の空隙率は5体積%以上30体積%以下であり、前記応力緩和層の空隙率は1体積%以上5体積%より小さいことが好ましい。   As a desirable aspect of the present invention, the porosity of the porous layer is preferably 5% by volume or more and 30% by volume or less, and the porosity of the stress relaxation layer is preferably 1% by volume or more and less than 5% by volume.

この構成により、多孔質層は、絶縁樹脂の内部で発生する気体をより抜けやすくすることができるとともに、多孔質層の強度も確保できる。また、応力緩和層は、空隙に第2樹脂の樹脂成分が埋め込まれることにより、多孔質層よりも空隙率が低い。応力緩和層の空隙率が1体積%以上5体積%より小さい場合、応力緩和層が第2樹脂の熱膨張と多孔質層の熱膨張との間で緩衝し、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力の低減を高めることができる。   With this configuration, the porous layer can more easily escape the gas generated inside the insulating resin, and can secure the strength of the porous layer. Moreover, the stress relaxation layer has a porosity lower than that of the porous layer by embedding the resin component of the second resin in the voids. When the porosity of the stress relaxation layer is 1% by volume or more and less than 5% by volume, the stress relaxation layer buffers between the thermal expansion of the second resin and the thermal expansion of the porous layer, and the second resin, the porous layer, It is possible to increase the reduction in stress due to the difference in thermal expansion occurring between the two.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第1樹脂を設ける工程と、前記第1樹脂を第2樹脂で覆う被覆工程と、前記第2樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、前記硬化工程の加熱温度において、前記第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が350Pa・s以上40000Pa・s以下であることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, an electronic circuit module component manufacturing method according to the present invention includes a step of mounting an electronic component on a substrate, and the substrate on which the electronic component is mounted. A step of providing a first resin so as to be in contact with at least a part of the electronic component; a covering step of covering the first resin with a second resin; and a curing step of curing the second resin. The minimum dynamic shear viscosity of the resin component of the second resin is 350 Pa · s or more and 40000 Pa · s or less at a heating temperature of

この電子回路モジュール部品の製造方法により、最低動的せん断粘度となるような第2樹脂の樹脂成分とすれば、所定の応力緩和層の厚みとすることができる。このため、所定の応力緩和層の厚みを有する電子回路モジュール部品は、応力緩和層が第2樹脂と多孔質層との間で密着することで、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層のクラックを抑制することができる。また、所定の応力緩和層の厚みを有する電子回路モジュール部品は、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。   If the resin component of the second resin is such that the minimum dynamic shear viscosity is obtained by this method of manufacturing an electronic circuit module component, the thickness of the predetermined stress relaxation layer can be obtained. For this reason, an electronic circuit module component having a predetermined stress relaxation layer thickness is formed between the second resin and the porous layer by the stress relaxation layer being in close contact between the second resin and the porous layer. The difference in thermal expansion can be alleviated and cracks in the porous layer can be suppressed. In addition, the electronic circuit module component having a predetermined stress relaxation layer thickness can suppress the risk that the stress relaxation layer itself applies stress to the porous layer.

本発明によれば、空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the electronic circuit module component which has a space | gap and reduces the possibility of the crack of the resin which contacts at least one part of an electronic component, and an electronic circuit module component can be provided.

図1は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic circuit module component according to this embodiment. 図2は、図1の矢印A方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。FIG. 2 is a front view of the electronic circuit module component according to the present embodiment as viewed from the direction of arrow A in FIG. 図3は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第1樹脂の概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of the first resin included in the electronic circuit module component according to the present embodiment. 図4は、図3に示す第1樹脂の表面を第2樹脂で覆う状態を説明するための概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining a state in which the surface of the first resin shown in FIG. 3 is covered with the second resin. 図5は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of an electronic circuit module component according to a modification of the present embodiment. 図6は、図5の矢印A方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。FIG. 6 is a front view of the electronic circuit module component according to the modification of the present embodiment from the direction of arrow A in FIG. 図7は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing a state where the electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification is attached to a substrate. 図8は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a state in which the electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification is cut along a plane parallel to the substrate. 図9は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of an electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification. 図10は、第1樹脂と電子部品との関係を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a relationship between the first resin and the electronic component. 図11は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing an arrangement example of openings included in the electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification. 図12は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view illustrating an arrangement example of openings included in the electronic circuit module component according to the present embodiment and the modification thereof. 図13は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。FIG. 13 is a side view illustrating an example of another opening included in the electronic circuit module component according to the present embodiment and the modification thereof. 図14は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart showing a method for manufacturing the electronic circuit module component according to the present embodiment. 図15−1は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。FIG. 15A is an explanatory diagram of the method for manufacturing the electronic circuit module component according to the present embodiment. 図15−2は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。15-2 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on this embodiment. 図15−3は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。15-3 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on this embodiment. 図15−4は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。15-4 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on this embodiment. 図15−5は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。15-5 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on this embodiment. 図15−6は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。15-6 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on this embodiment. 図15−7は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。15-7 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on this embodiment. 図16は、第2樹脂の樹脂成分の粘弾性特性を説明する説明図である。FIG. 16 is an explanatory view illustrating the viscoelastic characteristics of the resin component of the second resin. 図17は、電子部品を実装した基板を第1樹脂及び第2樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。FIG. 17 is a plan view showing a cutting position after the substrate on which the electronic component is mounted is covered with the first resin and the second resin. 図18−1は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。18-1 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on the modification of this embodiment. 図18−2は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。18-2 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on the modification of this embodiment. 図18−3は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。18-3 is explanatory drawing of the manufacturing method of the electronic circuit module component which concerns on the modification of this embodiment. 図19は、第2樹脂の樹脂成分の動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing the relationship between the dynamic shear viscosity of the resin component of the second resin and the thickness of the stress relaxation layer.

以下、本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, modes (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments do not limit the present invention. In addition, constituent elements disclosed in the following embodiments include those that can be easily assumed by those skilled in the art, those that are substantially the same, and those in a so-called equivalent range. Furthermore, the constituent elements disclosed in the following embodiments can be appropriately combined.

(電子回路モジュール部品)
図1は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図2は、図1の矢印A方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。図3は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第1樹脂の概念図である。図4は、図3に示す第1樹脂を第2樹脂で覆う状態を説明するための概念図である。図1に示すように、電子回路モジュール部品1は、複数の電子部品2を基板3に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの機能を持つ電子部品としたものである。
(Electronic circuit module parts)
FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic circuit module component according to this embodiment. FIG. 2 is a front view of the electronic circuit module component according to the present embodiment as viewed from the direction of arrow A in FIG. FIG. 3 is a conceptual diagram of the first resin included in the electronic circuit module component according to the present embodiment. FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining a state in which the first resin shown in FIG. 3 is covered with the second resin. As shown in FIG. 1, an electronic circuit module component 1 is a component in which a plurality of electronic components 2 are mounted on a substrate 3 to have one or a plurality of functions and have a single function.

電子部品2は、基板3の表面に実装されたり、基板3の内部に実装されたりする。本実施形態において、電子回路モジュール部品1を構成する電子部品2としては、例えば、コイル又はコンデンサ又は抵抗等の受動素子、及びダイオード又はトランジスタ等の能動素子がある。電子部品2は、これらに限定されるものではない。   The electronic component 2 is mounted on the surface of the substrate 3 or mounted inside the substrate 3. In the present embodiment, the electronic component 2 constituting the electronic circuit module component 1 includes, for example, a passive element such as a coil, a capacitor, or a resistor, and an active element such as a diode or a transistor. The electronic component 2 is not limited to these.

図1に示すように、電子回路モジュール部品1は、電子部品2と、基板3と、第1樹脂4と、第2樹脂9と、金属層5と、開口部5Hと、を含む。基板3は、電子部品2が実装されたものである。電子部品2は、はんだ6によって基板3の実装面(電子部品2が実装される面)に実装される。   As shown in FIG. 1, the electronic circuit module component 1 includes an electronic component 2, a substrate 3, a first resin 4, a second resin 9, a metal layer 5, and an opening 5H. The substrate 3 has the electronic component 2 mounted thereon. The electronic component 2 is mounted on the mounting surface of the substrate 3 (surface on which the electronic component 2 is mounted) with the solder 6.

基板3は、第1基板3Aと第2基板3Bとの間にグランド8を含む。グランド8は、例えば、Cu等の電気の良導体であり、基板3の実装面に設けられた、電子部品2の端子と接続される端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。また、実装面にグランド端子を有する場合、グランド8は、そのグランド端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。   The substrate 3 includes a ground 8 between the first substrate 3A and the second substrate 3B. The ground 8 is a good electrical conductor such as Cu, and is electrically connected to a terminal connected to the terminal of the electronic component 2 provided on the mounting surface of the substrate 3 by a via hole or the like. When the mounting surface has a ground terminal, the ground 8 is electrically connected to the ground terminal by a via hole or the like.

基板3は、前記実装面の反対側に、端子電極(モジュール端子電極)7を有する。モジュール端子電極7は、電子回路モジュール部品1が備える電子部品2と電気的に接続される。また、前記実装面の反対側にグランド端子を有する場合、そのグランド端子とグランド8とは電気的に接続される。また、基板3は、少なくとも表面に回路パターンを有しており、必要に応じて基板3の内部(例えば、第1基板3Aと第2基板3Bとの間)にも回路パターンを含むようにしてもよい。   The substrate 3 has terminal electrodes (module terminal electrodes) 7 on the opposite side of the mounting surface. The module terminal electrode 7 is electrically connected to the electronic component 2 included in the electronic circuit module component 1. Further, when a ground terminal is provided on the opposite side of the mounting surface, the ground terminal and the ground 8 are electrically connected. Further, the substrate 3 has a circuit pattern on at least the surface, and may include a circuit pattern also inside the substrate 3 (for example, between the first substrate 3A and the second substrate 3B) as necessary. .

第1樹脂4は、電子部品2の少なくとも一部と接する。第1樹脂4及び第2樹脂9は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂であり、電子部品2を基板3上に封止する機能を有する。第1樹脂4及び第2樹脂9は、例えば、熱硬化性樹脂(例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない)にフィラー(例えば、シリカやアルミナ)を添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間の一部に前記熱硬化性樹脂が配合されて空隙が形成される。   The first resin 4 is in contact with at least a part of the electronic component 2. The first resin 4 and the second resin 9 are insulating resins having electrical insulation, and have a function of sealing the electronic component 2 on the substrate 3. The first resin 4 and the second resin 9 are, for example, fillers by adding a filler (for example, silica or alumina) to a thermosetting resin (for example, but not limited to an epoxy resin) and curing it. The said thermosetting resin is mix | blended with a part of clearance gap between them, and a space | gap is formed.

第1樹脂4は、第2樹脂9側の第1樹脂4の一部であって、かつ第2樹脂9の樹脂成分9Mを含む応力緩和層42と、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含まない多孔質層41とを含む。図3に示すように、後述するように応力緩和層42と多孔質層41とは、もともと第1樹脂4として樹脂4Mに空隙4Hを有する状態で同様に形成される。そして、図4に示すように、第2樹脂9は、第1樹脂4の表面を覆い、応力緩和層42の空隙4Hに第2樹脂9の樹脂成分9Mが入り込む。また、第2樹脂9は、第1樹脂4の多孔質層41よりも空隙率が低い。また、応力緩和層42は、空隙4Hに樹脂成分9Mが埋め込まれることにより、第1樹脂4の多孔質層41よりも空隙率が低い。空隙率は、単位体積あたりに存在する空隙4Hの体積の割合(体積%)である。   The first resin 4 is a part of the first resin 4 on the second resin 9 side and includes the stress relaxation layer 42 including the resin component 9M of the second resin 9 and the resin component 9M of the second resin 9. Porous layer 41 not included. As shown in FIG. 3, as will be described later, the stress relaxation layer 42 and the porous layer 41 are originally formed in the same manner as the first resin 4 with a void 4H in the resin 4M. As shown in FIG. 4, the second resin 9 covers the surface of the first resin 4, and the resin component 9 </ b> M of the second resin 9 enters the void 4 </ b> H of the stress relaxation layer 42. The second resin 9 has a lower porosity than the porous layer 41 of the first resin 4. Further, the stress relaxation layer 42 has a lower porosity than the porous layer 41 of the first resin 4 because the resin component 9M is embedded in the void 4H. The porosity is a volume ratio (volume%) of the void 4H existing per unit volume.

第2樹脂9の空隙率を第1樹脂4の多孔質層41よりも低くすることにより、第2樹脂9は第1樹脂4よりも強固になる。このような第2樹脂9によって、電子部品2を第1樹脂4とともに基板3へ封止して、電子回路モジュール部品1の十分な強度を確保する。第2樹脂9の空隙率は0体積%であってもよい。   By making the porosity of the second resin 9 lower than that of the porous layer 41 of the first resin 4, the second resin 9 becomes stronger than the first resin 4. Such a second resin 9 seals the electronic component 2 together with the first resin 4 to the substrate 3 to ensure sufficient strength of the electronic circuit module component 1. The porosity of the second resin 9 may be 0% by volume.

応力緩和層42は、空隙4Hに第2樹脂9の樹脂成分を受け入れている。応力緩和層42は、第2樹脂9側の空隙4Hから第2樹脂9の樹脂成分が浸透していくため、応力緩和層42の中に含まれる第2樹脂9の樹脂成分の単位体積にあたりに占める割合は、第2樹脂9側の方が多孔質層41よりも多くなりやすい。このように、応力緩和層42は、応力緩和層42の中に含まれる第2樹脂9の樹脂成分の単位体積にあたりに占める割合を、第2樹脂9側から多孔質層41側の方向に漸次減少させていくことにより、熱膨張差による応力差を緩和することができる。   The stress relaxation layer 42 receives the resin component of the second resin 9 in the gap 4H. In the stress relaxation layer 42, the resin component of the second resin 9 permeates from the gap 4 </ b> H on the second resin 9 side, so that the unit of the resin component of the second resin 9 contained in the stress relaxation layer 42 is per unit volume. The proportion of the second resin 9 tends to be larger than that of the porous layer 41. Thus, the stress relaxation layer 42 gradually increases the ratio of the resin component of the second resin 9 contained in the stress relaxation layer 42 per unit volume in the direction from the second resin 9 side to the porous layer 41 side. By reducing the stress, the stress difference due to the thermal expansion difference can be relaxed.

金属層5は、第1樹脂4及び第2樹脂9を被覆し、かつ基板3のグランド8と電気的に接続される。本実施形態において、金属層5は導電材料(導電性を有する材料であり、本実施形態では金属)の薄膜である。本実施形態では、金属層5は単数の導電材料で構成されてもよいし、複数の導電材料の層で構成されてもよい。金属層5は、例えば、めっきによって形成される。   The metal layer 5 covers the first resin 4 and the second resin 9 and is electrically connected to the ground 8 of the substrate 3. In the present embodiment, the metal layer 5 is a thin film of a conductive material (a material having conductivity, which is a metal in the present embodiment). In the present embodiment, the metal layer 5 may be composed of a single conductive material or a layer of a plurality of conductive materials. The metal layer 5 is formed by plating, for example.

金属層5は、第1樹脂4及び第2樹脂9の表面を被覆することにより、第1樹脂4及び第2樹脂9に封入された電子部品2を、電子回路モジュール部品1の外部からの高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したり、電子部品2から放射される高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、金属層5は、電磁気シールドとして機能する。金属層5を電磁気シールドとして用いることにより、板金部材を電磁気シールドとした場合と比較して、電子回路モジュール部品1の外形をより小さくできる。   The metal layer 5 covers the surfaces of the first resin 4 and the second resin 9 so that the electronic component 2 enclosed in the first resin 4 and the second resin 9 is made to be a high frequency from the outside of the electronic circuit module component 1. Noise, electromagnetic noise, etc. are shielded, and high frequency noise, electromagnetic noise, etc. radiated from the electronic component 2 are shielded. Thus, the metal layer 5 functions as an electromagnetic shield. By using the metal layer 5 as an electromagnetic shield, the outer shape of the electronic circuit module component 1 can be made smaller than when the sheet metal member is an electromagnetic shield.

開口部5Hは、金属層5に設けられ、かつ第1樹脂4の一部を少なくとも金属層5の外部、すなわち、電子回路モジュール部品1の外部に対して露出させる。図1、図2に示すように、本実施形態において、開口部5Hは、第1樹脂4の一部及び第2樹脂9の一部を金属層5の外部に対して露出させる。後述するように、開口部5Hは、第1樹脂4の一部のみを金属層5の外部に対して露出させてもよい。   The opening 5H is provided in the metal layer 5 and exposes a part of the first resin 4 to at least the outside of the metal layer 5, that is, the outside of the electronic circuit module component 1. As shown in FIGS. 1 and 2, in the present embodiment, the opening 5 </ b> H exposes a part of the first resin 4 and a part of the second resin 9 to the outside of the metal layer 5. As will be described later, the opening 5 </ b> H may expose only a part of the first resin 4 to the outside of the metal layer 5.

開口部5Hは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品1の一辺の全体にわたって開口している。電子回路モジュール部品1の平面視とは、電子回路モジュール部品1の基板3の板面と直交する方向から電子回路モジュール部品1を見た場合をいう。なお、電子回路モジュール部品1の平面視の形状は四角形であればよく、長方形あるいは正方形に限定されるものではない。例えば、台形や菱形等であってもよい(以下同様)。また、開口部5Hの形状は矩形に限定されるものではない。   The opening 5H has a rectangular shape in plan view, and is open over the entire side of the electronic circuit module component 1 whose plan view is a rectangle or a quadrangle such as a square. The plan view of the electronic circuit module component 1 means a case where the electronic circuit module component 1 is viewed from a direction orthogonal to the plate surface of the substrate 3 of the electronic circuit module component 1. In addition, the shape of the electronic circuit module component 1 in plan view may be a quadrangle, and is not limited to a rectangle or a square. For example, a trapezoid or a rhombus may be used (the same applies hereinafter). The shape of the opening 5H is not limited to a rectangle.

図2に示すように、金属層5の厚さをtとし、開口部5Hが設けられる電子回路モジュール部品1の一辺の長さをL1とし、開口部5Hの長辺側の長さをL2とすると、L1=L2+2×tとなる。開口部5Hの高さ(基板3と直交する方向における開口部5Hの寸法)はhであり、金属層5が電磁波を遮蔽する能力に応じて設定される。また、第1樹脂4の開口部5Hに露出する高さ(基板3と直交する方向における第1樹脂4の寸法)はDである。多孔質層41の開口部5Hに露出する高さ(基板3と直交する方向における多孔質層41の寸法)はd1であり、応力緩和層42の開口部5Hに露出する高さ(基板3と直交する方向における応力緩和層42の寸法)はd2である。   As shown in FIG. 2, the thickness of the metal layer 5 is t, the length of one side of the electronic circuit module component 1 provided with the opening 5H is L1, and the length of the long side of the opening 5H is L2. Then, L1 = L2 + 2 × t. The height of the opening 5H (the dimension of the opening 5H in the direction orthogonal to the substrate 3) is h, and is set according to the ability of the metal layer 5 to shield electromagnetic waves. The height of the first resin 4 exposed at the opening 5H (the dimension of the first resin 4 in the direction orthogonal to the substrate 3) is D. The height exposed at the opening 5H of the porous layer 41 (the dimension of the porous layer 41 in the direction perpendicular to the substrate 3) is d1, and the height exposed at the opening 5H of the stress relaxation layer 42 (with the substrate 3). The dimension of the stress relaxation layer 42 in the orthogonal direction is d2.

以上説明したように、電子回路モジュール部品1は、電子部品2と、基板3と、第1樹脂4と、第2樹脂9とを含む。基板3は、電子部品2が実装されたものである。第1樹脂4は、空隙4Hを有し、かつ電子部品2の少なくとも一部と接する。第2樹脂9は、第1樹脂4の表面を覆い、かつ第1樹脂4よりも空隙率が低い。第1樹脂4は、第2樹脂9側に設けられた、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含む応力緩和層42と、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含まない多孔質層41とを含む。   As described above, the electronic circuit module component 1 includes the electronic component 2, the substrate 3, the first resin 4, and the second resin 9. The substrate 3 has the electronic component 2 mounted thereon. The first resin 4 has a gap 4H and is in contact with at least a part of the electronic component 2. The second resin 9 covers the surface of the first resin 4 and has a lower porosity than the first resin 4. The first resin 4 includes a stress relaxation layer 42 that includes the resin component 9M of the second resin 9 and a porous layer 41 that does not include the resin component 9M of the second resin 9 provided on the second resin 9 side. .

この電子回路モジュール部品1は、第1樹脂4及び第2樹脂9の間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。このため、電子部品2の少なくとも一部と接する第1樹脂4の多孔質層41が空隙4Hを有していても、多孔質層41のクラックのおそれを低減することができる。   The electronic circuit module component 1 can relieve the stress of the difference in thermal expansion that occurs between the first resin 4 and the second resin 9. For this reason, even if the porous layer 41 of the 1st resin 4 which contact | connects at least one part of the electronic component 2 has the space | gap 4H, the possibility of the crack of the porous layer 41 can be reduced.

電子回路モジュール部品1は、第1樹脂4及び前記第2樹脂9を被覆し、かつ基板3のグランド8と電気的に接続された金属層5と、当該金属層5に設けられ、かつ多孔質層41の一部を少なくとも金属層8の外部に対して露出させる開口部5Hと、を含む。開口部5Hの応力緩和層42の最大値の厚みd2は、10μm以上200μm以下であることが好ましい。   The electronic circuit module component 1 includes a metal layer 5 that covers the first resin 4 and the second resin 9 and is electrically connected to the ground 8 of the substrate 3, is provided on the metal layer 5, and is porous. An opening 5H that exposes at least a part of the layer 41 to the outside of the metal layer 8. The maximum thickness d2 of the stress relaxation layer 42 in the opening 5H is preferably 10 μm or more and 200 μm or less.

電子回路モジュール部品1は、d2が10μm以上200μm以下である場合、応力緩和層42が第2樹脂9と多孔質層41との間で密着することができる。このため、電子回路モジュール部品1は、第2樹脂9と多孔質層41との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層41のクラックを抑制することができる。また、電子回路モジュール部品1は、d2が10μm以上200μm以下であるため、応力緩和層42が厚くなりすぎて応力緩和層42自体が多孔質層41に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。   In the electronic circuit module component 1, when d2 is 10 μm or more and 200 μm or less, the stress relaxation layer 42 can be in close contact between the second resin 9 and the porous layer 41. For this reason, the electronic circuit module component 1 can relieve the difference in thermal expansion generated between the second resin 9 and the porous layer 41 and suppress cracks in the porous layer 41. In addition, since the electronic circuit module component 1 has d2 of 10 μm or more and 200 μm or less, the stress relaxation layer 42 becomes too thick to suppress the possibility that the stress relaxation layer 42 itself applies stress to the porous layer 41. it can.

電子回路モジュール部品1は、第1樹脂4の厚みDから応力緩和層42の最大値の厚みd2を減算した多孔質層の厚みd1が10μm以上400μm以下であることが好ましい。   In the electronic circuit module component 1, the thickness d1 of the porous layer obtained by subtracting the maximum thickness d2 of the stress relaxation layer 42 from the thickness D of the first resin 4 is preferably 10 μm or more and 400 μm or less.

また、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含む応力緩和層42は、多孔質層41に比較して、空隙率が低い。このため、多孔質層41は、多孔質層の厚みd1を10μm以上400μm以下とすることで、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品1の内部で発生した水蒸気等の気体を応力緩和層42よりも多く排出し、多孔質層41のクラックを抑制することができる。その結果、応力緩和層42及び多孔質層41の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品1の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、第2樹脂9と多孔質層41との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。   Further, the stress relaxation layer 42 including the resin component 9M of the second resin 9 has a lower porosity than the porous layer 41. Therefore, the porous layer 41 has a thickness d1 of the porous layer of not less than 10 μm and not more than 400 μm, so that gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component 1 due to heating during reflow is generated from the stress relaxation layer 42. Can be discharged, and cracks in the porous layer 41 can be suppressed. As a result, since both the stress relaxation layer 42 and the porous layer 41 are present, a gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component 1 due to heating during reflow can be discharged, and the second resin 9 And the stress of the difference in thermal expansion generated between the porous layer 41 and the porous layer 41 can be relaxed.

図5は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図6は、図5の矢印A方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。電子回路モジュール部品1aは、上述した電子回路モジュール部品1と略同様であるが、開口部5Haは、第1樹脂4の一部のみを金属層5aの外部に対して露出させる点が異なる。他の構成は電子回路モジュール部品1と同様である。   FIG. 5 is a cross-sectional view of an electronic circuit module component according to a modification of the present embodiment. FIG. 6 is a front view of the electronic circuit module component according to the modification of the present embodiment from the direction of arrow A in FIG. The electronic circuit module component 1a is substantially the same as the electronic circuit module component 1 described above, except that the opening 5Ha exposes only a part of the first resin 4 to the outside of the metal layer 5a. Other configurations are the same as those of the electronic circuit module component 1.

図5に示すように、電子回路モジュール部品1aの開口部5Haは、電子回路モジュール部品1aの高さ方向において、第1樹脂4と一部が重なっている。このような構造により、開口部5Haは、第1樹脂4の一部のみを金属層5aの外部に対して露出させる。開口部5Haの高さhは、図2に示す電子回路モジュール部品1の開口部5Hよりも小さくしてある。このため、電子回路モジュール部品1aは、金属層5aが第1樹脂4及び第2樹脂9を覆う面積を、上述した電子回路モジュール部品1よりも大きくできる。すなわち、電子回路モジュール部品1aは、開口部5Haの大きさを、上述した電子回路モジュール部品1よりも小さくできる。その結果、電子回路モジュール部品1aは、金属層5aの遮蔽機能を向上させやすくなる。   As shown in FIG. 5, the opening 5Ha of the electronic circuit module component 1a partially overlaps the first resin 4 in the height direction of the electronic circuit module component 1a. With such a structure, the opening 5Ha exposes only a part of the first resin 4 to the outside of the metal layer 5a. The height h of the opening 5Ha is smaller than the opening 5H of the electronic circuit module component 1 shown in FIG. For this reason, the electronic circuit module component 1a can make the area which the metal layer 5a covers the 1st resin 4 and the 2nd resin 9 larger than the electronic circuit module component 1 mentioned above. That is, the electronic circuit module component 1a can make the size of the opening 5Ha smaller than the electronic circuit module component 1 described above. As a result, the electronic circuit module component 1a can easily improve the shielding function of the metal layer 5a.

図6は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。電子回路モジュール部品1、1aは、電子回路モジュール部品1、1aが取り付けられる基板(電子機器が備える基板であり、以下、実装基板という)10の端子電極(実装基板端子電極)11とはんだ6によって接合される。なお、電子回路モジュール部品1、1aと実装基板端子電極11とを接合する材料ははんだに限定されるものではない。例えば、導電性ペーストや導電性接着剤等を用いて電子回路モジュール部品1、1aと実装基板端子電極11とを接合してもよい。このような構造で、電子回路モジュール部品1、1aは、実装基板10に取り付けられる。そして、電子部品2と実装基板10との間で電気信号や電力をやり取りする。   FIG. 6 is a side view showing a state in which the electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification is attached to a substrate. The electronic circuit module component 1, 1 a is formed by a terminal electrode (mounting substrate terminal electrode) 11 and a solder 6 on a substrate (a substrate included in an electronic device, hereinafter referred to as a mounting substrate) 10 to which the electronic circuit module component 1, 1 a is attached Be joined. In addition, the material which joins the electronic circuit module components 1 and 1a and the mounting substrate terminal electrode 11 is not limited to solder. For example, the electronic circuit module components 1, 1 a and the mounting board terminal electrode 11 may be joined using a conductive paste, a conductive adhesive, or the like. With such a structure, the electronic circuit module components 1, 1 a are attached to the mounting substrate 10. And an electric signal and electric power are exchanged between the electronic component 2 and the mounting substrate 10.

図7に示す実装基板10は、電子回路モジュール部品1、1aが実装される基板であり、例えば、電子機器(車載電子機器、携帯電子機器等)に搭載される。電子回路モジュール部品1、1aは、電子機器の実装基板10に実装されて(二次実装)、電子機器の機能を発揮させる部品の一つとなる。実装基板10に電子回路モジュール部品1、1aを実装する場合、例えば、実装基板端子電極11にはんだ6を含むはんだペーストを印刷等により塗布し、実装装置を用いて電子回路モジュール部品1、1aを実装基板10に搭載する。そして、電子回路モジュール部品1、1aが搭載された実装基板10をリフロー炉に通炉して、モジュール端子電極7と実装基板端子電極11とが接合される。これによって、電子回路モジュール部品1、1aが実装基板10に実装される。   A mounting substrate 10 shown in FIG. 7 is a substrate on which the electronic circuit module components 1 and 1a are mounted. For example, the mounting substrate 10 is mounted on an electronic device (such as an in-vehicle electronic device or a portable electronic device). The electronic circuit module components 1 and 1a are mounted on the mounting board 10 of the electronic device (secondary mounting) and become one of the components that exhibit the function of the electronic device. When mounting the electronic circuit module components 1, 1 a on the mounting substrate 10, for example, a solder paste containing solder 6 is applied to the mounting substrate terminal electrodes 11 by printing or the like, and the electronic circuit module components 1, 1 a are mounted using a mounting device. Mounted on the mounting substrate 10. Then, the mounting substrate 10 on which the electronic circuit module components 1 and 1a are mounted is passed through a reflow furnace, and the module terminal electrode 7 and the mounting substrate terminal electrode 11 are joined. As a result, the electronic circuit module components 1, 1 a are mounted on the mounting substrate 10.

電子回路モジュール部品1、1aは、電子部品2を基板3に実装するときや電子回路モジュール部品1が保管されている期間や環境によって、第1樹脂4及び第2樹脂9(以下、必要に応じて絶縁樹脂という)の内部に水分が浸入することがある。例えば、基板3が樹脂基板の場合は、絶縁樹脂及び基板3の表面、及び絶縁樹脂と基板3との接触界面から水分が浸入するが、セラミックス等の無機材料を基板3に用いた場合は、主に絶縁樹脂、及び絶縁樹脂と基板3との接触界面から水分が浸入する。このため、電子回路モジュール部品1、1aを実装基板10に実装する際のリフローにより、電子回路モジュール部品1、1a内部に浸入した水分が蒸発して水蒸気(気体)が発生することがある。   The electronic circuit module components 1 and 1a include a first resin 4 and a second resin 9 (hereinafter referred to as necessary) when the electronic component 2 is mounted on the substrate 3 and depending on the period and environment in which the electronic circuit module component 1 is stored. Moisture may enter the interior of the insulating resin). For example, when the substrate 3 is a resin substrate, moisture enters from the insulating resin and the surface of the substrate 3 and the contact interface between the insulating resin and the substrate 3, but when an inorganic material such as ceramics is used for the substrate 3, Moisture enters mainly from the insulating resin and the contact interface between the insulating resin and the substrate 3. For this reason, when the electronic circuit module components 1, 1 a are mounted on the mounting substrate 10, the water that has entered the electronic circuit module components 1, 1 a evaporates and water vapor (gas) may be generated.

電子回路モジュール部品1、1aは、金属層5が絶縁樹脂の表面を被覆しているために、蒸発した水分が絶縁樹脂から抜けにくくなる。このため、電子回路モジュール部品1、1aは、電子回路モジュール部品1、1aの内部の圧力(以下、部品内圧という)が上昇する。その結果、絶縁樹脂に割れ等が発生したり、電子回路モジュール部品1、1aに変形が生じたりするおそれがある。絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aが変形するおそれを抑制するために、本実施形態及びその変形例では、金属層5、5aに開口部5H、5Haを設けて、リフロー時の加熱によって蒸発し、膨張した水分(水蒸気であり気体)を、電子回路モジュール部品1、1aから抜けやすくして、電子回路モジュール部品1、1aの内圧の上昇を抑制する。   In the electronic circuit module components 1 and 1a, the metal layer 5 covers the surface of the insulating resin, so that it is difficult for the evaporated moisture to escape from the insulating resin. For this reason, in the electronic circuit module components 1 and 1a, the internal pressure of the electronic circuit module components 1 and 1a (hereinafter referred to as component internal pressure) increases. As a result, the insulating resin may be cracked or the electronic circuit module components 1 and 1a may be deformed. In order to suppress the possibility of cracking of the insulating resin and the deformation of the electronic circuit module components 1 and 1a, in the present embodiment and its modification, openings 5H and 5Ha are provided in the metal layers 5 and 5a, and heating during reflow is performed. Moisture that has evaporated and expanded due to the water (water vapor and gas) is easily removed from the electronic circuit module components 1 and 1a, and the increase in the internal pressure of the electronic circuit module components 1 and 1a is suppressed.

図8は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。図9は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。電子回路モジュール部品1、1aは、複数の電子部品2を有している。第1樹脂4は、複数の電子部品2の少なくとも一部と接している。本実施形態及びその変形例では、図1、図5に示すように、第1樹脂4がすべての電子部品2を覆っており、すべての電子部品2の頂部の全体に第1樹脂4が接している。さらに、図1、図5、図8に示すように、第1樹脂4は、すべての電子部品2の側部全体に接している。このような構成のため、電子回路モジュール部品1、1aは、第1樹脂4が電子部品2の基板対向面を除いた表面と接し、かつ、第1樹脂4がすべての電子部品2と接している。第1樹脂4は、少なくとも一部が開口部5H、5Haの位置で金属層5、5aの外部に露出している。このため、すべての電子部品2の少なくとも一部は、第1樹脂4を介して開口部5H、5Haとつながっている。   FIG. 8 is a plan view showing a state in which the electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification is cut along a plane parallel to the substrate. FIG. 9 is a perspective view of an electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification. The electronic circuit module component 1, 1 a has a plurality of electronic components 2. The first resin 4 is in contact with at least a part of the plurality of electronic components 2. In the present embodiment and its modification, as shown in FIGS. 1 and 5, the first resin 4 covers all the electronic components 2, and the first resin 4 is in contact with the entire tops of all the electronic components 2. ing. Further, as shown in FIGS. 1, 5, and 8, the first resin 4 is in contact with the entire side portions of all the electronic components 2. Due to such a configuration, in the electronic circuit module components 1 and 1a, the first resin 4 is in contact with the surface of the electronic component 2 except for the substrate facing surface, and the first resin 4 is in contact with all the electronic components 2. Yes. The first resin 4 is at least partially exposed to the outside of the metal layers 5 and 5a at the positions of the openings 5H and 5Ha. For this reason, at least a part of all the electronic components 2 is connected to the openings 5H and 5Ha via the first resin 4.

第1樹脂4は、多孔質層41に空隙を有しているため、気体が通過しやすい。このため、上述した構造を採用することにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品1、1aの内部で発生した水蒸気等の気体Vは、図3に示す空隙4Hを通って開口部5H、5Haから電子回路モジュール部品1、1aの外部へ速やかに放出される。その結果、電子回路モジュール部品1、1aが金属層5を有している場合でも、リフロー時における部品内圧の上昇が抑制されるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aが変形するおそれを効果的に抑制できる。このように、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品1、1aの不良の発生を抑制できる。また、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品1、1aの不具合の発生を効果的に抑制して品質を維持できるので、電子回路モジュール部品1、1aの機能を十分に発揮させることができる。   Since the 1st resin 4 has a space | gap in the porous layer 41, gas passes easily. For this reason, by adopting the above-described structure, the gas V such as water vapor generated inside the electronic circuit module components 1 and 1a due to the heating during the reflow passes through the gap 4H shown in FIG. 3 and the openings 5H and 5Ha. To the outside of the electronic circuit module component 1, 1a. As a result, even when the electronic circuit module component 1, 1 a has the metal layer 5, an increase in the internal pressure of the component during reflow is suppressed, so that the insulating resin cracks and the electronic circuit module component 1, 1 a is deformed. The fear can be effectively suppressed. Thus, according to this embodiment and its modification, generation | occurrence | production of the defect of the electronic circuit module components 1 and 1a can be suppressed. Moreover, according to this embodiment and its modification, since generation | occurrence | production of the electronic circuit module components 1 and 1a can be suppressed effectively and quality can be maintained, the function of the electronic circuit module components 1 and 1a is fully demonstrated. Can be made.

電子回路モジュール部品1、1aの開口部5H、5Haは、平面視が長方形又は正方形である電子回路モジュール部品1、1aの一辺の全体にわたって開口している。このため、電子回路モジュール部品1、1aの内部の気体Vは、電子回路モジュール部品1、1aの一辺全域から電子回路モジュール部品1、1aの外部へ放出される。その結果、開口部5H、5Haは、電子回路モジュール部品1、1aで発生した気体を効率的に外部へ放出させることができるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの変形のおそれを確実に回避できる。   The openings 5H and 5Ha of the electronic circuit module components 1 and 1a are opened over the entire side of the electronic circuit module components 1 and 1a that are rectangular or square in plan view. For this reason, the gas V inside the electronic circuit module components 1, 1 a is discharged from the entire side of the electronic circuit module components 1, 1 a to the outside of the electronic circuit module components 1, 1 a. As a result, the openings 5H and 5Ha can efficiently release the gas generated in the electronic circuit module components 1 and 1a to the outside, which may cause cracking of the insulating resin and deformation of the electronic circuit module components 1 and 1a. Can be avoided reliably.

開口部5H、5Haの高さhが小さくなると、金属層5、5aによる電磁波ノイズの遮蔽機能の低下は大きくなる。電子回路モジュール部品1、1aの一辺の全体にわたって開口部5H、5Haを設けることにより、開口部5H、5Haの高さhの増加を抑制しつつ、開口部5H、5Haの面積を確保することができる。したがって、開口部5H、5Haを電子回路モジュール部品1、1aの一辺の全体にわたって設けるようにすれば、開口部5H、5Haの高さhを抑制できるので、電磁波の遮蔽機能を確保しつつ、開口部5H、5Haは効率的に気体を放出することができる。   When the height h of the openings 5H and 5Ha is reduced, the deterioration of the electromagnetic wave noise shielding function by the metal layers 5 and 5a is increased. By providing the openings 5H and 5Ha over the entire side of the electronic circuit module component 1, 1a, it is possible to secure the area of the openings 5H and 5Ha while suppressing an increase in the height h of the openings 5H and 5Ha. it can. Accordingly, if the openings 5H and 5Ha are provided over the entire side of the electronic circuit module component 1, 1a, the height h of the openings 5H and 5Ha can be suppressed, so that the opening of the electromagnetic wave can be secured while ensuring the electromagnetic wave shielding function. The parts 5H and 5Ha can efficiently release the gas.

第1樹脂4の多孔質層41は空隙を有しているため、第2樹脂9と比較して強度がやや低くなる。図2に示す開口部5Hのように、第1樹脂4の一部と第2樹脂9の一部との両方を金属層5の外部に露出させる場合、後述するように、電子回路モジュール部品1、1aの製造工程において有利である。また、第1樹脂4の厚さ(基板3と直交する方向の寸法)は第2樹脂9の厚さよりも小さいので、図5に示す開口部5Haのように、第1樹脂4の一部のみを金属層5aの外部に露出させると、開口部5Haの高さhが小さくなる。その結果、金属層5aは電磁波をより効果的に遮蔽できる。また、開口部5H、5Haの長辺側の長さが同じであれば、第1樹脂4から浸入する水分の量も抑制できる。   Since the porous layer 41 of the first resin 4 has voids, the strength is slightly lower than that of the second resin 9. When both a part of the first resin 4 and a part of the second resin 9 are exposed to the outside of the metal layer 5 like the opening 5H shown in FIG. 2, the electronic circuit module component 1 is exposed as described later. 1a is advantageous in the production process. Further, since the thickness of the first resin 4 (the dimension in the direction orthogonal to the substrate 3) is smaller than the thickness of the second resin 9, only a part of the first resin 4 is formed like the opening 5Ha shown in FIG. Is exposed to the outside of the metal layer 5a, the height h of the opening 5Ha is reduced. As a result, the metal layer 5a can shield electromagnetic waves more effectively. Further, if the lengths of the long sides of the openings 5H and 5Ha are the same, the amount of moisture entering from the first resin 4 can also be suppressed.

第1樹脂4の多孔質層41が有する空隙4Hは、例えば、第1樹脂4の基材となる樹脂にフィラーを添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間に樹脂が配合されて形成される。空隙率が5体積%を下回ると、電子回路モジュール部品1、1a内で発生した気体が第1樹脂4内を移動する速度が低下するため、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。また、多孔質層41の空隙率が50体積%を上回ると、多孔質層41の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。したがって、多孔質層41の空隙率は5体積%以上30体積%以下がより好ましい。このようにすれば、第1樹脂4の強度を確保しつつ、二次実装における部品内圧の上昇を確実に抑制できる。   The voids 4H included in the porous layer 41 of the first resin 4 are formed, for example, by adding a filler to the resin serving as the base material of the first resin 4 and curing the resin so that the resin is blended in the gaps between the fillers. The If the porosity is less than 5% by volume, the speed at which the gas generated in the electronic circuit module component 1 or 1a moves through the first resin 4 is reduced, and thus the increase in the component internal pressure may not be efficiently suppressed. . Moreover, when the porosity of the porous layer 41 exceeds 50 volume%, there exists a possibility that the intensity | strength of the porous layer 41 may fall and it may become easy to produce a crack etc. Therefore, the porosity of the porous layer 41 is more preferably 5% by volume or more and 30% by volume or less. In this way, it is possible to reliably suppress an increase in the component internal pressure in the secondary mounting while ensuring the strength of the first resin 4.

なお、空隙率は、以下のようにして算出される。本実施形態及びその変形例においては、完成した電子回路モジュール部品1、1aを適切な位置で切断して、切断面をイオンミリングすることで樹脂ダレのない切断面を作製する。そして、前記切断面の任意の3箇所を走査型電子顕微鏡(SEM、倍率は3000倍)で写真撮影によって得られた画像は、空隙4Hのみが黒くなるように二値化処理され、得られた画像から、空隙の体積比として空隙率が算出される。本実施形態及びその変形例においては、前記写真撮影によって得られた画像の全面積に占める空隙の面積の割合を空隙の体積比とみなしている。   The porosity is calculated as follows. In the present embodiment and its modification, the completed electronic circuit module component 1, 1 a is cut at an appropriate position, and a cut surface without resin sagging is produced by ion milling the cut surface. Then, an image obtained by photographing an arbitrary three places on the cut surface with a scanning electron microscope (SEM, magnification is 3000 times) was binarized so that only the gap 4H was black, and obtained. From the image, the void ratio is calculated as the volume ratio of the voids. In this embodiment and its modification, the ratio of the area of the void to the total area of the image obtained by the photography is regarded as the volume ratio of the void.

上述したように応力緩和層42は、空隙4Hに樹脂成分9Mが埋め込まれることにより、第1樹脂4の多孔質層41よりも空隙率が低い。応力緩和層42の空隙率が1体積%よりも小さくなると、応力緩和層42の熱膨張係数が第2樹脂2の熱膨張係数に対して差が小さくなり、応力低減効果が低減されてしまう。したがって、応力緩和層42の空隙率は、1体積%以上5体積%より小さいことがさらに好ましい。   As described above, the stress relaxation layer 42 has a lower porosity than the porous layer 41 of the first resin 4 because the resin component 9M is embedded in the void 4H. When the porosity of the stress relaxation layer 42 is smaller than 1% by volume, the difference in the thermal expansion coefficient of the stress relaxation layer 42 with respect to the thermal expansion coefficient of the second resin 2 is reduced, and the stress reduction effect is reduced. Therefore, the porosity of the stress relaxation layer 42 is more preferably 1% by volume or more and less than 5% by volume.

本実施形態に係る電子回路モジュール部品1、1aは、多孔質層41の空隙率を5体積%以上30体積%以下とし、応力緩和層42の空隙率を1体積%以上5体積%より小さいようにしている。そして、応力緩和層42は、空隙4Hに樹脂成分9Mが埋め込まれることにより、応力緩和層42の空隙率を調整している。応力緩和層42の空隙率を調整する別の形成方法として、本実施形態に係る電子回路モジュール部品1、1aは、多孔質層41の空隙率を5体積%以上30体積%以下であるように多孔質層41を形成し、次に応力緩和層42の空隙率を1体積%以上5体積%より小さくして応力緩和層42が多孔質層41を被覆するようにしてもよい。   In the electronic circuit module component 1, 1 a according to this embodiment, the porosity of the porous layer 41 is 5% by volume or more and 30% by volume or less, and the porosity of the stress relaxation layer 42 is 1% by volume or more and less than 5% by volume. I have to. The stress relaxation layer 42 adjusts the porosity of the stress relaxation layer 42 by embedding the resin component 9M in the void 4H. As another forming method for adjusting the porosity of the stress relaxation layer 42, the electronic circuit module component 1, 1 a according to the present embodiment is configured so that the porosity of the porous layer 41 is 5% by volume or more and 30% by volume or less. The porous layer 41 may be formed, and then the stress relaxation layer 42 may cover the porous layer 41 by reducing the porosity of the stress relaxation layer 42 to 1% by volume or more and less than 5% by volume.

図10は、第1樹脂と電子部品との関係を示す図である。図1、図5に示すように、上述した電子回路モジュール部品1、1aは、第1樹脂4が電子部品2の頂部を覆っていたが、図10に示すように、第1樹脂4が電子部品2の頂部2Tを覆わないようにしてもよい。この場合、第1樹脂4が電子部品2の側部2Sの少なくとも一部に接するようにして、電子部品2の近傍から発生する気体の通路を確保する。このようにすると、電子部品2の頂部2Tには第2樹脂9が接することになり、頂部2Tと第2樹脂9との間に第1樹脂4は介在しない。その結果、電子部品2の頂部2Tの表面に第1樹脂4が存在しなくなる分、電子回路モジュール部品1、1aの高さを低減できるので、電子回路モジュール部品1、1aの低背化に有利である。第1樹脂4が電子部品2の頂部2Tを覆わないようにするためには、第1樹脂4で電子部品2を覆った後、吸収ローラー等を頂部2Tの上で転動させることによって、第1樹脂4を吸収ローラー等で除去する。   FIG. 10 is a diagram illustrating a relationship between the first resin and the electronic component. As shown in FIGS. 1 and 5, in the electronic circuit module components 1 and 1a described above, the first resin 4 covers the top of the electronic component 2. However, as shown in FIG. The top 2T of the component 2 may not be covered. In this case, the passage of the gas generated from the vicinity of the electronic component 2 is ensured so that the first resin 4 contacts at least a part of the side portion 2S of the electronic component 2. In this way, the second resin 9 comes into contact with the top 2T of the electronic component 2, and the first resin 4 is not interposed between the top 2T and the second resin 9. As a result, the height of the electronic circuit module components 1 and 1a can be reduced by the amount that the first resin 4 does not exist on the surface of the top 2T of the electronic component 2, which is advantageous for reducing the height of the electronic circuit module components 1 and 1a. It is. In order to prevent the first resin 4 from covering the top part 2T of the electronic component 2, the first resin 4 covers the electronic part 2 and then rolls an absorption roller or the like on the top part 2T. 1 Resin 4 is removed with an absorption roller or the like.

図11、図12は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。図8において、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形の電子回路モジュール部品1、1aは、四辺のうちの一辺に開口部5H、5Haを有していた。図11に示すように、電子回路モジュール部品1、1aは、四辺のうち二辺それぞれに開口部5H1、5H2を有し、残りの二辺に金属層5、5aを有していてもよい。開口部5H1、5H2はそれぞれ対向して配置される。また、図12に示す電子回路モジュール部品1、1aのように、四辺のうち三辺に開口部5H1、5H2、5H3を有し、残りの一辺に金属層5、5aを有していてもよい。開口部5H1、5H2はそれぞれ対向して配置され、開口部5H3は金属層5、5aと対向して配置される。開口部5H1、5H2、5H3は、図2に示すように、第1樹脂4の一部と第2樹脂9の一部との両方を金属層5、5aの外部に露出させていてもよいし、図6に示すように、第1樹脂4の一部のみを金属層5、5aの外部に露出させていてもよい。   FIG. 11 and FIG. 12 are plan views showing examples of arrangement of openings included in the electronic circuit module component according to the present embodiment and its modification. In FIG. 8, the electronic circuit module components 1, 1 a having a rectangular shape such as a rectangle or a square in plan view have openings 5 </ b> H, 5 Ha on one side of the four sides. As shown in FIG. 11, the electronic circuit module component 1, 1 a may have openings 5 </ b> H <b> 1, 5 </ b> H <b> 2 on two sides of the four sides, and may have metal layers 5, 5 a on the remaining two sides. The openings 5H1 and 5H2 are arranged to face each other. Moreover, like the electronic circuit module components 1 and 1a shown in FIG. 12, you may have the opening parts 5H1, 5H2, and 5H3 in three sides among four sides, and may have the metal layers 5 and 5a in the remaining one side. . The openings 5H1 and 5H2 are arranged to face each other, and the opening 5H3 is arranged to face the metal layers 5 and 5a. As shown in FIG. 2, the openings 5H1, 5H2, and 5H3 may expose both a part of the first resin 4 and a part of the second resin 9 to the outside of the metal layers 5 and 5a. As shown in FIG. 6, only a part of the first resin 4 may be exposed to the outside of the metal layers 5 and 5a.

このように、本実施形態及びその変形例において、電子回路モジュール部品1、1aが有する開口部の数は1個に限定されるものではない。開口部の数が多くなれば、電子回路モジュール部品1、1aに内蔵された複数の電子部品2と開口部との距離差を小さくできるので、より効率的に電子回路モジュール部品1、1aで発生した気体を外部へ放出させることができる。その結果、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの変形のおそれをさらに確実に回避できる。なお、開口部を増加させると、金属層5、5aの電磁波の遮蔽機能に影響を与えることもあるので、気体の抜けと前記遮蔽機能とのバランスで開口部の数や面積を設定することが好ましい。   Thus, in this embodiment and its modification, the number of the opening parts which the electronic circuit module components 1 and 1a have is not limited to one. If the number of openings increases, the distance difference between the plurality of electronic components 2 incorporated in the electronic circuit module components 1 and 1a and the openings can be reduced, so that the electronic circuit module components 1 and 1a are generated more efficiently. The released gas can be released to the outside. As a result, it is possible to more reliably avoid the risk of cracking the insulating resin and deformation of the electronic circuit module components 1 and 1a. Note that increasing the number of openings may affect the electromagnetic wave shielding function of the metal layers 5 and 5a. Therefore, it is possible to set the number and area of openings based on the balance between the escape of gas and the shielding function. preferable.

なお、電子回路モジュール部品1、1aは、一辺のみに開口部5H、5Haを有することが最も好ましい。このようにすれば、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させて絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの膨れを確実に抑制でき、さらに、金属層5、5aに電磁波の遮蔽機能を確実に発揮させることができる。しかし、電子回路モジュール部品1、1aが、二辺又は三辺に開口部5H、5Haを有することを排除するものではない。例えば、湿度の高い場所で電子回路モジュール部品1、1aを二次実装する場合、電子回路モジュール部品1、1aは内部に多くの水分が浸入していると考えられる。このような場合、電子回路モジュール部品1、1aは、二辺又は三辺に開口部5H、5Haを有するようにすることで、開口部5H、5Haは、二次実装におけるリフロー時には気体を効率的に放出できる。その結果、電子回路モジュール部品1、1aの内部に多くの水分が浸入しているような場合でも、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの膨れを確実に抑制できる。   The electronic circuit module component 1, 1a most preferably has openings 5H, 5Ha only on one side. In this way, the internal pressure of the component can be reliably reduced during reflow in the secondary mounting, and the cracking of the insulating resin and the swelling of the electronic circuit module components 1 and 1a can be reliably suppressed, and further, electromagnetic waves can be applied to the metal layers 5 and 5a. The shielding function can be surely exhibited. However, it does not exclude that the electronic circuit module component 1, 1a has the openings 5H, 5Ha on two sides or three sides. For example, when the electronic circuit module components 1 and 1a are secondarily mounted in a place with high humidity, the electronic circuit module components 1 and 1a are considered to have a large amount of moisture inside. In such a case, the electronic circuit module components 1 and 1a have openings 5H and 5Ha on two or three sides, so that the openings 5H and 5Ha can efficiently supply gas during reflow in secondary mounting. Can be released. As a result, even when a large amount of moisture permeates inside the electronic circuit module components 1 and 1a, it is possible to reliably suppress cracking of the insulating resin and swelling of the electronic circuit module components 1 and 1a.

図13は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。この電子回路モジュール部品1bが有する開口部5Hbは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品1bの一辺の一部に開口している。金属層5bの厚さをtとし、開口部5Hbが設けられる電子回路モジュール部品1bの一辺の長さをL1とし、開口部5Hbの長辺側の長さをL2とすると、L1>L2+2×tとなる。この構造により、金属層5bの電磁波の遮蔽機能をより有効に発揮させることができる。   FIG. 13 is a side view illustrating an example of another opening included in the electronic circuit module component according to the present embodiment and the modification thereof. The opening 5Hb of the electronic circuit module component 1b has a rectangular shape in plan view, and opens in a part of one side of the electronic circuit module component 1b whose plan view is a rectangle or a square such as a square. When the thickness of the metal layer 5b is t, the length of one side of the electronic circuit module component 1b provided with the opening 5Hb is L1, and the length of the long side of the opening 5Hb is L2, L1> L2 + 2 × t It becomes. With this structure, the electromagnetic wave shielding function of the metal layer 5b can be more effectively exhibited.

開口部5Hbは、図2に示すように、第1樹脂4の一部と第2樹脂9の一部との両方を金属層5bの外部に露出させていてもよいし、図13に示すように、第1樹脂4の一部のみを金属層5bの外部に露出させていてもよい。また、開口部5Hbは、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品1bの他の辺に設けられていてもよいし、同じ辺に複数設けられていてもよい。なお、開口部5Hbの形状は矩形に限定されるものではない。開口部5Hbは、例えば、金属層5bの開口部5Hbを設けない部分をレジスト等でマスクして、開口部5Hbを設ける部分をエッチングすることにより形成される。次に、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を説明する。   As shown in FIG. 2, the opening 5Hb may expose both a part of the first resin 4 and a part of the second resin 9 to the outside of the metal layer 5b, or as shown in FIG. In addition, only a part of the first resin 4 may be exposed to the outside of the metal layer 5b. Further, the opening 5Hb may be provided on the other side of the electronic circuit module component 1b whose plan view is a rectangle such as a rectangle or a square, or a plurality of openings 5Hb may be provided on the same side. The shape of the opening 5Hb is not limited to a rectangle. The opening 5Hb is formed, for example, by masking a portion of the metal layer 5b where the opening 5Hb is not provided with a resist or the like and etching a portion where the opening 5Hb is provided. Next, a method for manufacturing the electronic circuit module component according to this embodiment will be described.

(電子回路モジュール部品の製造方法)
図14は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図15−1〜図15−7は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。図16は、第2樹脂の樹脂成分の動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。図17は、電子部品を実装した基板を第1樹脂及び第2樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。まず、図1、図2に示す電子回路モジュール部品1を製造する例を説明する。ステップS1において、図15−1に示す基板3に電子部品2を実装する(実装工程)。基板3の内部には、グランド8が設けられる。電子部品2を実装した状態の基板3を、モジュール素体1Aという。
(Method for manufacturing electronic circuit module parts)
FIG. 14 is a flowchart showing a method for manufacturing the electronic circuit module component according to the present embodiment. 15-1 to 15-7 are explanatory diagrams of the method of manufacturing the electronic circuit module component according to the present embodiment. FIG. 16 is an explanatory diagram showing the relationship between the dynamic shear viscosity of the resin component of the second resin and the thickness of the stress relaxation layer. FIG. 17 is a plan view showing a cutting position after the substrate on which the electronic component is mounted is covered with the first resin and the second resin. First, an example of manufacturing the electronic circuit module component 1 shown in FIGS. 1 and 2 will be described. In step S1, the electronic component 2 is mounted on the substrate 3 shown in FIG. 15-1 (mounting process). A ground 8 is provided inside the substrate 3. The substrate 3 on which the electronic component 2 is mounted is referred to as a module element body 1A.

モジュール素体1Aは、例えば、次のような手順で作製される。
(1)基板3の実装面に設けられた端子にはんだ6を含むはんだペーストを印刷する。
(2)実装装置(マウンタ)を用いて電子部品2を基板3に搭載する。
(3)電子部品2が搭載された基板3をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストのはんだ6が溶融し、その後硬化することにより電子部品2の端子と基板3の端子電極とが接合される。
(4)電子部品2や基板3の表面に付着したフラックスを洗浄する。
The module body 1A is produced, for example, by the following procedure.
(1) A solder paste containing the solder 6 is printed on the terminals provided on the mounting surface of the substrate 3.
(2) The electronic component 2 is mounted on the substrate 3 using a mounting device (mounter).
(3) The substrate 3 on which the electronic component 2 is mounted is placed in a reflow furnace and the solder paste is heated, so that the solder 6 of the solder paste is melted and then cured, whereby the terminals of the electronic component 2 and the substrate 3 The terminal electrode is joined.
(4) The flux adhering to the surface of the electronic component 2 or the substrate 3 is washed.

モジュール素体1Aが完成したら、ステップS2へ進み、図15−2に示すように、電子部品2が実装された基板3上、すなわち、モジュール素体1Aの電子部品2の少なくとも一部と接するように、基板3に第1樹脂4が設けられる。この例では、第1樹脂4で電子部品2及び基板3を覆う。第1樹脂4は、熱硬化性樹脂(例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない)にフィラー(例えば、シリカやアルミナ)を添加し、これを硬化させたものである。第1樹脂4は、例えば、熱硬化性樹脂の溶液にフィラーを添加して作製した第1樹脂4の溶液を、ディップ法、ノズルコート法、カーテンコート法やスピンコート法等によってモジュール素体1Aの表面に塗布し(塗布工程)、熱硬化させる。このようにすることで、フィラー同士の隙間の一部に樹脂が配合されて空隙4Hが形成された第1樹脂4で電子部品2及び基板3が被覆される。   When the module element body 1A is completed, the process proceeds to step S2, and as shown in FIG. 15-2, on the substrate 3 on which the electronic component 2 is mounted, that is, to contact at least a part of the electronic component 2 of the module element body 1A. Further, the first resin 4 is provided on the substrate 3. In this example, the first resin 4 covers the electronic component 2 and the substrate 3. The first resin 4 is obtained by adding a filler (for example, silica or alumina) to a thermosetting resin (for example, but not limited to an epoxy resin) and curing the filler. For example, the first resin 4 is obtained by adding a solution of the first resin 4 prepared by adding a filler to a thermosetting resin solution by a dipping method, a nozzle coating method, a curtain coating method, a spin coating method, or the like. It is applied to the surface (application process) and thermally cured. By doing in this way, the electronic component 2 and the board | substrate 3 are coat | covered with the 1st resin 4 by which resin was mix | blended with a part of clearance gap between fillers and the space | gap 4H was formed.

第1樹脂4に含まれるフィラーは、球形状に近いものが好ましい。このようなフィラーを用いれば、第1樹脂4に含まれる空隙4Hの寸法、及び形状、及び分布を制御しやすいからである。しかし、フィラーの形状は、このようなものに限定されるものではない。第1樹脂4に含まれるフィラーは、平均直径(D50)を1μm以上10μm以下とすることが好ましく、2μm以上5μm以下とすることがより好ましい。また、全フィラーの粒度分布は、D50/(D90−D10)を0.2以上とすることが好ましい。このようにすれば、第1樹脂4内におけるフィラーや空隙4Hが均等に分散しやすくなる。なお、平均直径(D50)は複数のフィラーの直径を測定した場合において、積算値50%の直径であり(メジアン径)、D90は積算値90%の直径でありD10は積算値10%の直径である。フィラーの粒度分布は、粒度分布計で測定した数平均値(メジアン径)D50と累積度数粒径の10%に該当するD10と90%に該当するD90とから規定した。   The filler contained in the first resin 4 is preferably close to a spherical shape. This is because if such a filler is used, the size, shape, and distribution of the voids 4H included in the first resin 4 can be easily controlled. However, the shape of the filler is not limited to this. The filler contained in the first resin 4 preferably has an average diameter (D50) of 1 μm to 10 μm, and more preferably 2 μm to 5 μm. The particle size distribution of all fillers is preferably such that D50 / (D90-D10) is 0.2 or more. If it does in this way, it will become easy to disperse | distribute the filler and the space | gap 4H in the 1st resin 4 equally. The average diameter (D50) is a diameter with an integrated value of 50% (median diameter) when the diameters of a plurality of fillers are measured, D90 is a diameter with an integrated value of 90%, and D10 is a diameter with an integrated value of 10%. It is. The particle size distribution of the filler was defined from the number average value (median diameter) D50 measured by a particle size distribution meter, D10 corresponding to 10% of the cumulative frequency particle size, and D90 corresponding to 90%.

フィラーの種類は、電子回路モジュール部品1が有する電子部品2や回路の電気的特性に影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、第1樹脂4となる熱硬化性樹脂に対して分散性がよいものであることが好ましい。例えば、平均直径が1μmより小さいフィラーを使用すると、空隙の大きさが減少したり空隙へのフィラーの充填率が上昇したりすることにより、空隙率が小さくなる結果、部品内圧を抑制する作用が低減する。また平均直径が5μmより大きいフィラーを使用すると、モジュール素体1Aの表面に塗布する際の膜厚が厚くなり、電子回路モジュール1、1aの外形高さを大きくしなければならないおそれがある。さらに、平均直径が10μmより大きいフィラーを使用すると、形成された第1樹脂4の強度が低下し、クラックが発生しやすくなるおそれがある。   The type of filler is not particularly limited as long as it does not affect the electrical characteristics of the electronic component 2 and the circuit included in the electronic circuit module component 1, but the filler is not limited to the thermosetting resin used as the first resin 4. On the other hand, it is preferable that the dispersibility is good. For example, if a filler having an average diameter smaller than 1 μm is used, the void size decreases or the filler filling rate into the void increases, and as a result, the void ratio decreases. To reduce. If a filler having an average diameter larger than 5 μm is used, the film thickness when applied to the surface of the module body 1A is increased, and the external height of the electronic circuit modules 1 and 1a may have to be increased. Furthermore, if a filler having an average diameter larger than 10 μm is used, the strength of the formed first resin 4 may be reduced, and cracks may be easily generated.

第2樹脂9に含まれるフィラーは、小さい平均直径(D50)と大きい平均直径(D50)とを組み合わせてもよい。大きいフィラーの平均直径(D50)は、10μm以上30μm以下であることが好ましい。また、小さいフィラーの平均直径(D50)は、1μm以上5μm以下であることが好ましい。また、全フィラーの粒度分布は、D50/(D90−D10)を0.2以下とすることが好ましい。このように、平均直径の異なるフィラーを混合することによって、フィラー同士のパッキング状態の調整が可能になる。そして、適切な樹脂配合により、所望の空隙直径、空隙分布を実現しやすくなる。平均直径の異なるフィラーを用いる場合、すべて同じ種類のフィラーを用いてもよく、異なる種類(組成)のフィラーを用いてもよく、特に限定されるものではない。なお、第2樹脂9に含まれる全フィラーの粒度分布(D50/(D90−D10))は、第1樹脂4に含まれる全フィラーの粒度分布(D50/(D90−D10))よりも小さくすることが好ましい。これにより、第2樹脂9がフィラーを含む場合、第2樹脂9の空隙率は、第1樹脂4の空隙率よりも低くすることができる。   The filler contained in the second resin 9 may be a combination of a small average diameter (D50) and a large average diameter (D50). The average diameter (D50) of the large filler is preferably 10 μm or more and 30 μm or less. Moreover, it is preferable that the average diameter (D50) of a small filler is 1 micrometer or more and 5 micrometers or less. Moreover, it is preferable that the particle size distribution of all the fillers sets D50 / (D90-D10) to 0.2 or less. Thus, by mixing fillers having different average diameters, the packing state between the fillers can be adjusted. And it becomes easy to implement | achieve a desired space | gap diameter and space | gap distribution by appropriate resin compounding. When using fillers having different average diameters, the same type of filler may be used, or different types (compositions) of fillers may be used, and there is no particular limitation. In addition, the particle size distribution (D50 / (D90-D10)) of all fillers contained in the second resin 9 is made smaller than the particle size distribution (D50 / (D90-D10)) of all fillers contained in the first resin 4. It is preferable. Thereby, when the 2nd resin 9 contains a filler, the porosity of the 2nd resin 9 can be made lower than the porosity of the 1st resin 4.

ステップS2においては、モジュール素体1Aの表面に第1樹脂4の溶液が塗布されたら、所定の時間加熱して熱硬化性樹脂が硬化される。これによって、モジュール素体1Aの表面に第1樹脂4が設けられ、電子部品2の少なくとも一部と第1樹脂4とが接する。次に、ステップS2が終了したらステップS3に進み、図15−3に示すように、第1樹脂4が第2樹脂9で覆われる。第2樹脂9は、例えば、エポキシ樹脂である。   In step S2, when the solution of the first resin 4 is applied to the surface of the module body 1A, the thermosetting resin is cured by heating for a predetermined time. Thus, the first resin 4 is provided on the surface of the module element body 1A, and at least a part of the electronic component 2 and the first resin 4 are in contact with each other. Next, when step S2 ends, the process proceeds to step S3, and the first resin 4 is covered with the second resin 9 as shown in FIG. The second resin 9 is, for example, an epoxy resin.

本実施形態では、エポキシ樹脂のシート状材料を第1樹脂4の表面に載置する(被覆工程)。ステップS3が終了したらステップS4に進み、第2樹脂9を熱プレスすることにより、図15−4に示すように、第2樹脂9を硬化させる(硬化工程)。このような方法で、第2樹脂9で第1樹脂4の表面を封止する。   In the present embodiment, an epoxy resin sheet material is placed on the surface of the first resin 4 (covering step). When step S3 ends, the process proceeds to step S4, where the second resin 9 is hot-pressed to cure the second resin 9 as shown in FIG. 15-4 (curing step). In this way, the surface of the first resin 4 is sealed with the second resin 9.

ここで、第2樹脂9の樹脂成分は、図16に示すように、硬化温度における動的せん断粘度が異なる。また、図16に示すように、樹脂成分が異なる樹脂例1及び樹脂例2は、硬化温度にたいする動的せん断粘度の特性挙動が異なる。動的せん断粘度の特性挙動において、最低値が最低動的せん断粘度である。図16において、樹脂例1の最低動的せん断粘度は、12000Pa・sである。また、図16において、樹脂例2の最低動的せん断粘度は、1000Pa・sである。なお、動的せん断粘度は、JIS規格K7244−10にしたがって測定する値である。   Here, the resin component of the second resin 9 has a different dynamic shear viscosity at the curing temperature, as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 16, Resin Example 1 and Resin Example 2 having different resin components differ in the characteristic behavior of the dynamic shear viscosity with respect to the curing temperature. In the characteristic behavior of the dynamic shear viscosity, the lowest value is the lowest dynamic shear viscosity. In FIG. 16, the minimum dynamic shear viscosity of Resin Example 1 is 12000 Pa · s. In FIG. 16, the minimum dynamic shear viscosity of Resin Example 2 is 1000 Pa · s. The dynamic shear viscosity is a value measured according to JIS standard K7244-10.

硬化工程(ステップS4)において、熱プレスの加熱及び圧力は、第2樹脂9の樹脂成分を第1樹脂4の空隙4Hへ浸透させることができる。そして、第2樹脂9の樹脂成分は、硬化温度における動的せん断粘度に応じて、第1樹脂4の空隙4Hへ浸透する距離が変化する。つまり、硬化温度における動的せん断粘度に応じて、応力緩和層42の厚みが変化する。後述する評価例のように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、硬化工程の加熱温度において、第2樹脂9の樹脂成分9Mの最低動的せん断粘度が350Pa・s以上40000Pa・s以下となるようにする。これにより、硬化工程(ステップS4)では、上述した開口部5Hの応力緩和層42の最大値の厚みを10μm以上200μm以下にすることができる。その結果、電子部品2は、第1樹脂4を介して第2樹脂9によって封止され、第1樹脂4は、第2樹脂9の樹脂成分を含む応力緩和層42と、第2樹脂9の樹脂成分を含まない多孔質層41となる。この状態の基板3を、封止体1Bという。   In the curing step (step S <b> 4), the heating and pressure of the hot press can permeate the resin component of the second resin 9 into the gap 4 </ b> H of the first resin 4. And the distance which the resin component of the 2nd resin 9 osmose | permeates to the space | gap 4H of the 1st resin 4 changes according to the dynamic shear viscosity in hardening temperature. That is, the thickness of the stress relaxation layer 42 changes according to the dynamic shear viscosity at the curing temperature. As in an evaluation example to be described later, the electronic circuit module component manufacturing method according to the present embodiment has a minimum dynamic shear viscosity of the resin component 9M of the second resin 9 of 350 Pa · s or more and 40000 Pa · at the heating temperature in the curing step. s or less. Thereby, in a hardening process (step S4), the thickness of the maximum value of the stress relaxation layer 42 of the opening part 5H mentioned above can be 10 micrometers or more and 200 micrometers or less. As a result, the electronic component 2 is sealed with the second resin 9 through the first resin 4, and the first resin 4 includes the stress relaxation layer 42 including the resin component of the second resin 9 and the second resin 9. The porous layer 41 does not contain a resin component. The substrate 3 in this state is referred to as a sealing body 1B.

次に、ステップS5に進み、図15−5に示すように、封止体1Bの基板3が、電子回路モジュール部品1の単位(以下、モジュール部品単位という)Uで、途中まで切断される(ハーフダイシング)。この場合、切断ラインC1の位置は、基板3の途中まで切断され、切断ラインC2の位置は、第2樹脂9の途中まで切断される。切断ラインC2の位置は、図1、図2に示す開口部5Hが設けられる部分である。すなわち、ステップS5においては、一つの電子回路モジュール部品1となる部分の周りの少なくとも一部を基板3の途中まで切断し、残りの部分を前記第2樹脂9の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第2樹脂9の途中までしか切断されないので、第1樹脂4は切断されない。第1樹脂4の強度は第2樹脂9よりも低いので、ハーフダイシングにおいて第1樹脂4を切断しないことにより、第2樹脂9で第1樹脂4を保護することができる。その結果、第1樹脂4を無用に削ってしまうことを回避して、開口部5Hを確実に設けることができる。   Next, it progresses to step S5, and as shown to FIGS. 15-5, the board | substrate 3 of the sealing body 1B is cut | disconnected to the middle by the unit (henceforth a module component unit) U of the electronic circuit module component 1 (referring to FIG. Half dicing). In this case, the position of the cutting line C1 is cut to the middle of the substrate 3, and the position of the cutting line C2 is cut to the middle of the second resin 9. The position of the cutting line C2 is a portion where the opening 5H shown in FIGS. 1 and 2 is provided. That is, in step S5, at least a part of the periphery of the part that becomes one electronic circuit module component 1 is cut to the middle of the substrate 3, and the remaining part is cut to the middle of the layer of the second resin 9. In the half dicing, only the middle of the second resin 9 is cut, so the first resin 4 is not cut. Since the strength of the first resin 4 is lower than that of the second resin 9, the first resin 4 can be protected by the second resin 9 by not cutting the first resin 4 in half dicing. As a result, it is possible to avoid opening the first resin 4 unnecessarily and to provide the opening 5H reliably.

また、ハーフダイシングによって切断ラインC1の位置には第1樹脂4の一部が現れるが、第1樹脂4の空隙4Hによって表面積が増加するために金属層5と第1樹脂4との密着性が向上する。その結果、金属層5を形成する際には、第1樹脂4が現れた部分に形成される金属層5の保形効果が高くなるという利点もある。モジュール部品単位Uは、図15−5、図17に示す切断ラインC1、C2で区画される領域である。   In addition, a part of the first resin 4 appears at the position of the cutting line C1 by half dicing. However, since the surface area is increased by the gap 4H of the first resin 4, the adhesion between the metal layer 5 and the first resin 4 is improved. improves. As a result, when the metal layer 5 is formed, there is an advantage that the shape retaining effect of the metal layer 5 formed in the portion where the first resin 4 appears is enhanced. The module component unit U is an area defined by the cutting lines C1 and C2 shown in FIGS. 15-5 and 17.

電子回路モジュール部品1が有する開口部5Hの高さh(図2参照)について説明する。開口部5Hの高さhが小さすぎると、ステップS5において第1樹脂4を削ってしまうおそれがあり、開口部5Hの高さhが大きすぎると、開口部5Hが大きくなりすぎて、金属層5の電磁波の遮蔽機能に影響を与えるおそれがある。かかる観点から、開口部5Hの高さhは、第1樹脂4の厚さよりも大きく、第1樹脂4の厚さの1倍以上5倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部5Hの高さhは、第1樹脂4の厚さの2倍以上3倍以下である。開口部5Hの高さhがこの範囲であれば、ステップS5において第1樹脂4を削ることを回避して開口部5Hを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部5Hの高さhが前記範囲であれば、開口部5Hを適切な大きさとして、金属層5は電磁波の遮蔽機能を十分に発揮できる。   The height h (see FIG. 2) of the opening 5H of the electronic circuit module component 1 will be described. If the height h of the opening 5H is too small, the first resin 4 may be scraped off in step S5. If the height h of the opening 5H is too large, the opening 5H becomes too large and the metal layer 5 may affect the electromagnetic wave shielding function. From such a viewpoint, the height h of the opening 5H is larger than the thickness of the first resin 4 and is preferably 1 to 5 times the thickness of the first resin 4. More preferably, the height h of the opening 5H is not less than 2 times and not more than 3 times the thickness of the first resin 4. If the height h of the opening 5H is within this range, it is possible to reliably provide the opening 5H by avoiding scraping the first resin 4 in step S5, so that the internal pressure of the component is ensured during reflow in secondary mounting. Can be lowered. In addition, when the height h of the opening 5H is within the above range, the metal layer 5 can sufficiently exhibit the electromagnetic wave shielding function with the opening 5H having an appropriate size.

ステップS5が終了したら、ステップS6に進む。ステップS6において、図15−6に示すように、ハーフダイシング後の封止体1Bの表面に金属層5が形成される。金属層5が形成された状態を、モジュール集合体1Cという。金属層5は、例えば、無電解めっきでCuの第1層を形成した後、電解めっきでCuの第2層を形成し、さらに防錆層としてNiの層を電解めっきで形成することにより得られる。図15−5に示すように、金属層5が形成される前は、基板3の側面3Sにグランド8が露出している。したがって、ステップS6で金属層5が形成されると、図15−6に示すように、金属層5とグランド8とが電気的に接続される。グランド8は、基板3の側面3Sにおいて、図17に示す、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形のモジュール部品単位Uの少なくとも一辺(この例では三辺)全体に露出する。このため、金属層5とグランド8との接続面積が大きくなり、両者の導通が確実に得られる。   When step S5 ends, the process proceeds to step S6. In step S6, as shown to FIGS. 15-6, the metal layer 5 is formed in the surface of the sealing body 1B after half dicing. The state in which the metal layer 5 is formed is referred to as a module assembly 1C. The metal layer 5 is obtained, for example, by forming a first layer of Cu by electroless plating, then forming a second layer of Cu by electrolytic plating, and further forming a Ni layer as an anticorrosive layer by electrolytic plating. It is done. As shown in FIG. 15-5, the ground 8 is exposed on the side surface 3S of the substrate 3 before the metal layer 5 is formed. Therefore, when the metal layer 5 is formed in step S6, the metal layer 5 and the ground 8 are electrically connected as shown in FIG. 15-6. On the side surface 3S of the substrate 3, the ground 8 is exposed to at least one side (three sides in this example) of the module component unit U shown in FIG. For this reason, the connection area between the metal layer 5 and the ground 8 is increased, and conduction between the two is ensured.

金属層5が形成されたら、ステップS7へ進み、モジュール集合体1Cは、モジュール部品単位Uで基板3まで完全に切断される。すなわち、切断ラインC1、C2で、基板3を切断する。その結果、図15−7に示す電子回路モジュール部品1が得られる。電子回路モジュール部品1は、ステップS8で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図15−7に示すような、電子部品2の少なくとも一部が第1樹脂4に接し、かつ第1樹脂4及び第2樹脂9が金属層5で被覆され、さらに開口部5Hに第1樹脂4の一部及び第2樹脂9の一部が露出した電子回路モジュール部品1を製造できる。   When the metal layer 5 is formed, the process proceeds to step S7, and the module assembly 1C is completely cut up to the substrate 3 by the module component unit U. That is, the substrate 3 is cut along the cutting lines C1 and C2. As a result, the electronic circuit module component 1 shown in FIG. 15-7 is obtained. The electronic circuit module component 1 is inspected in step S8, and a product that passes the inspection becomes a product. The procedure described above is the procedure of the method for manufacturing the electronic circuit module component according to the present embodiment. By these procedures, as shown in FIG. 15-7, at least a part of the electronic component 2 is in contact with the first resin 4, the first resin 4 and the second resin 9 are covered with the metal layer 5, and the opening portion The electronic circuit module component 1 in which a part of the first resin 4 and a part of the second resin 9 are exposed to 5H can be manufactured.

図18−1〜図18−3は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、図5、図6に示す電子回路モジュール部品1aを製造する際に用いられる。ステップS1〜ステップS3までは、上述した、電子回路モジュール部品1を製造する方法と同様である。ステップS5において、図18−1に示すように、封止体1Bの基板3は、電子回路モジュール部品1aの単位(以下、モジュール部品単位という)Uで、途中まで切断される(ハーフダイシング)。この場合、切断ラインC1の位置は、基板3の途中まで切断され、切断ラインC2の位置は、第1樹脂4の途中まで切断される。切断ラインC2の位置は、図5、図6に示す開口部5Haが設けられる位置である。すなわち、ステップS5においては、一つの電子回路モジュール部品1aとなる部分の周りの少なくとも一部を基板3の途中まで切断し、残りの部分を前記第1樹脂4の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第1樹脂4を切断する量を調整することにより、開口部5Haの高さhが調整される。より基板3に近い部分まで第1樹脂4を切削すれば、開口部5Haの高さhを小さくできるので、金属層5aによる電磁波の遮蔽機能の低下を最小限に抑えることができる。   18A to 18C are explanatory diagrams of a method for manufacturing an electronic circuit module component according to a modification of the present embodiment. The method for manufacturing an electronic circuit module component according to this modification is used when manufacturing the electronic circuit module component 1a shown in FIGS. Steps S1 to S3 are the same as the method for manufacturing the electronic circuit module component 1 described above. In step S5, as shown in FIG. 18A, the substrate 3 of the sealing body 1B is cut halfway by a unit U (hereinafter referred to as a module component unit) U of the electronic circuit module component 1a (half dicing). In this case, the position of the cutting line C1 is cut to the middle of the substrate 3, and the position of the cutting line C2 is cut to the middle of the first resin 4. The position of the cutting line C2 is a position where the opening 5Ha shown in FIGS. 5 and 6 is provided. That is, in step S5, at least a part of the periphery of the part to be one electronic circuit module component 1a is cut to the middle of the substrate 3, and the remaining part is cut to the middle of the layer of the first resin 4. The height h of the opening 5Ha is adjusted by adjusting the amount of cutting the first resin 4 in half dicing. If the first resin 4 is cut to a portion closer to the substrate 3, the height h of the opening 5Ha can be reduced, so that the deterioration of the electromagnetic wave shielding function by the metal layer 5a can be minimized.

電子回路モジュール部品1aが有する開口部5Haの高さh(図6参照)について説明する。開口部5Haの高さhが小さすぎると、ステップS5において基板3まで削ってしまい、開口部5Haを金属層5aに設けることができなくなるおそれがある。また、開口部5Haの高さhが大きすぎると、開口部5Haからは第2樹脂9の一部も露出してしまうおそれがある。かかる観点から、開口部5Haの高さhは、第1樹脂4の厚さよりも小さく、第1樹脂4の厚さの0.1倍以上0.9倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部5Haの高さhは、第1樹脂4の厚さの0.3倍以上0.8倍以下である。開口部5Haの高さhがこの範囲であれば、ステップS5において基板3を削ることを回避して開口部5Haを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部5Haの高さhが前記範囲であれば、開口部5Haからは第1樹脂4の一部のみを露出させ、金属層5aに電磁波の遮蔽機能を十分に発揮させることができる。   The height h (see FIG. 6) of the opening 5Ha of the electronic circuit module component 1a will be described. If the height h of the opening 5Ha is too small, the substrate 3 is shaved in step S5, and the opening 5Ha may not be provided in the metal layer 5a. If the height h of the opening 5Ha is too large, part of the second resin 9 may be exposed from the opening 5Ha. From this point of view, the height h of the opening 5Ha is smaller than the thickness of the first resin 4 and is preferably 0.1 to 0.9 times the thickness of the first resin 4. More preferably, the height h of the opening 5Ha is not less than 0.3 times and not more than 0.8 times the thickness of the first resin 4. If the height h of the opening 5Ha is within this range, it is possible to reliably provide the opening 5Ha while avoiding scraping the substrate 3 in step S5, so that the internal pressure of the component is reliably reduced during reflow in secondary mounting. Can be made. Further, if the height h of the opening 5Ha is within the above range, only a part of the first resin 4 is exposed from the opening 5Ha, and the metal layer 5a can sufficiently exhibit the electromagnetic wave shielding function.

ステップS5が終了したら、ステップS6に進む。ステップS6において、図18−2に示すように、ハーフダイシング後の封止体1Bの表面に金属層5aを形成し、モジュール集合体1Cを作製する。金属層5aを形成する方法は上述した通りである。金属層5aが形成されたら、ステップS7へ進み、モジュール集合体1Cを、モジュール部品単位Uで基板3まで完全に切断する。その結果、図18−3に示す電子回路モジュール部品1aが得られる。電子回路モジュール部品1aは、ステップS8で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図18−2に示すような、電子部品2の少なくとも一部が第1樹脂4に接し、かつ第1樹脂4及び第2樹脂9が金属層5で被覆され、さらに開口部5Haに第1樹脂4の一部のみが露出した電子回路モジュール部品1aを製造できる。   When step S5 ends, the process proceeds to step S6. In step S6, as shown in FIG. 18-2, the metal layer 5a is formed on the surface of the sealing body 1B after the half dicing, and the module assembly 1C is manufactured. The method for forming the metal layer 5a is as described above. When the metal layer 5a is formed, the process proceeds to step S7, and the module assembly 1C is completely cut up to the substrate 3 by the module component unit U. As a result, the electronic circuit module component 1a shown in FIG. 18-3 is obtained. The electronic circuit module component 1a is inspected in step S8, and a product that passes the inspection becomes a product. The procedure described above is the procedure of the method for manufacturing the electronic circuit module component according to this modification. By these procedures, as shown in FIG. 18-2, at least a part of the electronic component 2 is in contact with the first resin 4, and the first resin 4 and the second resin 9 are covered with the metal layer 5, and the opening portion An electronic circuit module component 1a in which only a part of the first resin 4 is exposed at 5Ha can be manufactured.

以上説明したように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、最低動的せん断粘度となるような第2樹脂9の樹脂成分9Mとすれば、所定の応力緩和層の厚みd2とすることができる。このため、所定の応力緩和層の厚みd2を有する電子回路モジュール部品1は、応力緩和層42が第2樹脂9と多孔質層41との間で密着することで、第2樹脂9と多孔質層41との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層41のクラックを抑制することができる。また、所定の応力緩和層の厚みd2を有する電子回路モジュール部品1は、応力緩和層42が厚くなりすぎて応力緩和層42自体が多孔質層41に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。   As described above, in the electronic circuit module component manufacturing method according to the present embodiment, if the resin component 9M of the second resin 9 has the lowest dynamic shear viscosity, the predetermined stress relaxation layer thickness d2 and can do. For this reason, in the electronic circuit module component 1 having the predetermined stress relaxation layer thickness d2, the stress relaxation layer 42 is in close contact between the second resin 9 and the porous layer 41, so that the second resin 9 and the porous layer 41 are porous. The difference in thermal expansion that occurs between the layer 41 and the layer 41 can be reduced, and cracks in the porous layer 41 can be suppressed. Further, in the electronic circuit module component 1 having the predetermined stress relaxation layer thickness d2, it is possible to suppress the possibility that the stress relaxation layer 42 is too thick and the stress relaxation layer 42 itself applies stress to the porous layer 41. it can.

(評価例)
上述した本実施形態1に係る電子回路モジュール部品1の評価例1から評価例12を製造した。使用した基板3の大きさは、150mm×150mm×0.3mmである。評価例1から評価例12は、いずれも第1樹脂4に含まれるフィラーの平均直径(D50)を3μm、フィラーの粒度分布を0.6とした。多孔質層41の空隙率は25体積%である。第2樹脂は、図16に示す動的せん断粘度の挙動を示す樹脂例1を用いた。評価例1から評価例12は、開口部5Hにおける第1樹脂層の厚みを10μm以上500μm以下とした。
(Evaluation example)
Evaluation examples 1 to 12 of the electronic circuit module component 1 according to the first embodiment described above were manufactured. The size of the substrate 3 used is 150 mm × 150 mm × 0.3 mm. In each of Evaluation Examples 1 to 12, the average diameter (D50) of the filler contained in the first resin 4 was 3 μm, and the particle size distribution of the filler was 0.6. The porosity of the porous layer 41 is 25% by volume. As the second resin, Resin Example 1 showing the dynamic shear viscosity behavior shown in FIG. 16 was used. In Evaluation Examples 1 to 12, the thickness of the first resin layer in the opening 5H was set to 10 μm or more and 500 μm or less.

以下、「応力緩和層の厚み」とは、開口部5Hにおける応力緩和層42の最大値の厚みをいい、「多孔質層の厚み」とは開口部5Hにおける多孔質層41の最大値の厚みを測定した延長線上の多孔質の厚み、つまり第1樹脂4の厚みから応力緩和層42の最大値の厚みを減算した厚みをいう。評価例1は、応力緩和層の厚みを5μm、多孔質層の厚みを5μmとした。評価例2は、応力緩和層の厚みを10μm、多孔質層の厚みを0μmとした。つまり、評価例2は、第1樹脂層がすべて応力緩和層となってしまっている。   Hereinafter, “the thickness of the stress relaxation layer” refers to the maximum thickness of the stress relaxation layer 42 in the opening 5H, and “the thickness of the porous layer” refers to the maximum thickness of the porous layer 41 in the opening 5H. Is a thickness obtained by subtracting the maximum thickness of the stress relaxation layer 42 from the thickness of the porous line on the extended line, that is, the thickness of the first resin 4. In Evaluation Example 1, the thickness of the stress relaxation layer was 5 μm, and the thickness of the porous layer was 5 μm. In Evaluation Example 2, the thickness of the stress relaxation layer was 10 μm, and the thickness of the porous layer was 0 μm. That is, in the evaluation example 2, all the first resin layers are stress relaxation layers.

同様に、評価例3は、応力緩和層の厚みを7μm、多孔質層の厚みを13μmとした。評価例4は、応力緩和層の厚みを10μm、多孔質層の厚みを10μmとした。評価例5は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを10μmとした。評価例6は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを130μmとした。評価例7は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを300μmとした。評価例8は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを400μmとした。評価例9は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを430μmとした。評価例10は、応力緩和層の厚みを200μm、多孔質層の厚みを250μmとした。評価例11は、応力緩和層の厚みを250μm、多孔質層の厚みを200μmとした。評価例12は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを480μmとした。   Similarly, in Evaluation Example 3, the thickness of the stress relaxation layer was 7 μm, and the thickness of the porous layer was 13 μm. In Evaluation Example 4, the thickness of the stress relaxation layer was 10 μm, and the thickness of the porous layer was 10 μm. In Evaluation Example 5, the thickness of the stress relaxation layer was 20 μm, and the thickness of the porous layer was 10 μm. In Evaluation Example 6, the thickness of the stress relaxation layer was 20 μm, and the thickness of the porous layer was 130 μm. In Evaluation Example 7, the thickness of the stress relaxation layer was 20 μm, and the thickness of the porous layer was 300 μm. In Evaluation Example 8, the thickness of the stress relaxation layer was 20 μm, and the thickness of the porous layer was 400 μm. In Evaluation Example 9, the thickness of the stress relaxation layer was 20 μm, and the thickness of the porous layer was 430 μm. In Evaluation Example 10, the thickness of the stress relaxation layer was 200 μm, and the thickness of the porous layer was 250 μm. In Evaluation Example 11, the thickness of the stress relaxation layer was 250 μm, and the thickness of the porous layer was 200 μm. In Evaluation Example 12, the thickness of the stress relaxation layer was 20 μm, and the thickness of the porous layer was 480 μm.

吸水リフロー試験は、吸湿させた半導体パッケージを上述した電子部品2として基板3に実装した電子回路モジュール部品1の評価例1から評価例12を製造し、これらの評価例1から評価例12が搭載された実装基板10をリフロー炉に通炉して、多孔質層のクラックの有無と、電気的導通を確認してはんだ異常を確認する試験である。   In the water absorption reflow test, evaluation examples 1 to 12 of the electronic circuit module component 1 in which the moisture-absorbed semiconductor package is mounted on the substrate 3 as the electronic component 2 described above are manufactured, and these evaluation examples 1 to 12 are mounted. This is a test in which the mounted substrate 10 is passed through a reflow furnace and the presence or absence of cracks in the porous layer and electrical continuity are confirmed to confirm solder abnormality.

熱衝撃試験は、恒温内に評価例1から評価例12を格納し、評価例1から評価例12に対して−55℃を30分の低温状態と、125℃を30分の高温状態とを交互に1000サイクル繰り返し、多孔質層のクラックの有無を確認する試験である。   In the thermal shock test, Evaluation Example 1 to Evaluation Example 12 are stored in a constant temperature, and with respect to Evaluation Example 1 to Evaluation Example 12, −55 ° C. is a low temperature state for 30 minutes and 125 ° C. is a high temperature state for 30 minutes. This test is repeated 1000 cycles alternately to confirm the presence or absence of cracks in the porous layer.

個品切断処理試験は、上述したステップS5におけるハーフダイシングを評価例1から評価例12に対して行い多孔質層のクラックの有無を確認する試験である。   The individual product cutting treatment test is a test in which the half dicing in Step S5 described above is performed on Evaluation Example 1 to Evaluation Example 12 to confirm the presence or absence of cracks in the porous layer.

評価例1から評価例12は、吸水リフロー試験、熱衝撃試験、個品切断処理試験を行い評価し、評価結果を表1に示した。   Evaluation examples 1 to 12 were evaluated by performing a water absorption reflow test, a thermal shock test, and an individual product cutting test, and the evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2013138092
Figure 2013138092

表1に示すように、評価例1は、吸水リフロー試験及び熱衝撃試験において多孔質層のクラックが確認された。評価例2は、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認された。また、評価例1及び評価例2の評価結果によれば、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認される場合、はんだ異常が生じるおそれがあることが分かる。評価例3から評価例12は、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認されなかった。評価例3及び評価例11は、熱衝撃試験において多孔質層のクラックが確認された。   As shown in Table 1, in Evaluation Example 1, cracks in the porous layer were confirmed in the water absorption reflow test and the thermal shock test. In Evaluation Example 2, cracks in the porous layer were confirmed in the water absorption reflow test. Moreover, according to the evaluation results of Evaluation Example 1 and Evaluation Example 2, it can be seen that when a crack in the porous layer is confirmed in the water absorption reflow test, there is a possibility that a solder abnormality may occur. In Evaluation Examples 3 to 12, cracks in the porous layer were not confirmed in the water absorption reflow test. In Evaluation Example 3 and Evaluation Example 11, cracks in the porous layer were confirmed in the thermal shock test.

以上の評価結果から、熱衝撃試験において応力緩和層の厚みが10μmよりも薄い場合、多孔質層のクラックが生じるおそれがあることが分かる。これは、応力緩和層の厚みが薄い場合、応力緩和層が第2樹脂と多孔質層との間で密着する力が弱く、熱膨張差の応力を緩和できないおそれがあると考えられる。また、熱衝撃試験において応力緩和層の厚みが200μmよりも厚い場合、多孔質層のクラックが生じるおそれがあることが分かる。これは、応力緩和層と多孔質層との間にも熱膨張係数の違いがあるため、応力緩和層の厚みが厚い場合、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれがあるためと考えられる。   From the above evaluation results, it can be seen that when the thickness of the stress relaxation layer is thinner than 10 μm in the thermal shock test, the porous layer may be cracked. This is considered that when the thickness of the stress relaxation layer is small, the stress of the stress relaxation layer is weakly adhered between the second resin and the porous layer, and the stress due to the difference in thermal expansion may not be relaxed. Moreover, when the thickness of a stress relaxation layer is thicker than 200 micrometers in a thermal shock test, it turns out that the crack of a porous layer may arise. This is because there is a difference in thermal expansion coefficient between the stress relaxation layer and the porous layer, and therefore, when the thickness of the stress relaxation layer is large, the stress relaxation layer itself may apply stress to the porous layer. This is probably because of this.

また、評価例2は、応力緩和層の厚みが10μmあり、熱衝撃試験による熱衝撃の応力を緩和することができた。しかしながら、第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層は、多孔質層に比較して、空隙率が低い。このため、応力緩和層は、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を多孔質層に比較して排出することができず、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが生じたと考えられる。つまり、応力緩和層及び多孔質層の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、熱膨張係数差の応力を緩和することができる。また、吸水リフロー試験において評価例1から評価例5の評価結果によれば、多孔質層の厚みは、10μm以上あることが好ましい。   In Evaluation Example 2, the thickness of the stress relaxation layer was 10 μm, and the stress of the thermal shock by the thermal shock test could be relaxed. However, the stress relaxation layer containing the resin component of the second resin has a lower porosity than the porous layer. For this reason, the stress relaxation layer cannot discharge gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component due to heating during reflow compared to the porous layer, and cracks in the porous layer in the water absorption reflow test. It is thought that occurred. In other words, by having both the stress relaxation layer and the porous layer, it is possible to discharge gas such as water vapor generated inside the electronic circuit module component due to heating during reflow, and relieve the stress of the difference in thermal expansion coefficient can do. Further, according to the evaluation results of Evaluation Examples 1 to 5 in the water absorption reflow test, the thickness of the porous layer is preferably 10 μm or more.

また、表1によれば、評価例9及び評価例12は、個品切断処理試験において多孔質層のクラックが確認された。多孔質層の厚みは、400μmを超えるとダイシング時の負荷により多孔質層のクラックが生じるおそれがあると考えられる。   Moreover, according to Table 1, in the evaluation example 9 and the evaluation example 12, the crack of the porous layer was confirmed in the individual product cutting treatment test. If the thickness of the porous layer exceeds 400 μm, it is considered that cracks of the porous layer may occur due to a load during dicing.

次に、上述した本実施形態1に係る電子回路モジュール部品1の第1樹脂層の厚みを400μm、第2樹脂層の厚みを700μmとした追加評価例を作成した。図16に示す動的せん断粘度の異なる第2樹脂の樹脂成分を複数用意し、動的せん断粘度の最低値である最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を評価した。評価結果を図19及び表2に示す。図19は、第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。   Next, an additional evaluation example in which the thickness of the first resin layer of the electronic circuit module component 1 according to Embodiment 1 described above is 400 μm and the thickness of the second resin layer is 700 μm was created. A plurality of resin components of the second resin having different dynamic shear viscosities shown in FIG. 16 were prepared, and the relationship between the lowest dynamic shear viscosity, which is the lowest value of the dynamic shear viscosity, and the thickness of the stress relaxation layer was evaluated. The evaluation results are shown in FIG. FIG. 19 is an explanatory diagram showing the relationship between the minimum dynamic shear viscosity of the resin component of the second resin and the thickness of the stress relaxation layer.

Figure 2013138092
Figure 2013138092

図19及び表2に示すように、追加評価例は最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係に相関があることを示している。上述した評価例1から評価例12によれば、開口部5Hにおける応力緩和層42の最大値の厚みは、10μm以上200μm以下であることが好ましい。このような応力緩和層とするには、上述した硬化工程(ステップS4)の加熱温度において、第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が350Pa・s以上40000Pa・s以下となるようにする。つまり、電子回路モジュール部品の製造方法は、最低動的せん断粘度となるような第2樹脂の樹脂成分とすれば、所定の応力緩和層の厚みとすることができる。   As shown in FIG. 19 and Table 2, the additional evaluation example shows that there is a correlation in the relationship between the minimum dynamic shear viscosity and the thickness of the stress relaxation layer. According to Evaluation Example 1 to Evaluation Example 12 described above, the maximum thickness of the stress relaxation layer 42 in the opening 5H is preferably 10 μm or more and 200 μm or less. In order to obtain such a stress relaxation layer, the minimum dynamic shear viscosity of the resin component of the second resin is 350 Pa · s or more and 40000 Pa · s or less at the heating temperature in the above-described curing step (step S4). . That is, if the manufacturing method of the electronic circuit module component is a resin component of the second resin that has the lowest dynamic shear viscosity, the thickness of the predetermined stress relaxation layer can be obtained.

1、1a、1b 電子回路モジュール部品
1A モジュール素体
1B 封止体
1C モジュール集合体
2 電子部品
2S 側部
2T 頂部
3 基板
3S 側面
4 第1樹脂
4H 空隙
4M 樹脂
5、5a、5b 金属層
5H、5H1、5H2、5H3、5Ha、5Hb 開口部
8 グランド
9 第2樹脂
41 多孔質層
42 応力緩和層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b Electronic circuit module component 1A Module body 1B Sealing body 1C Module assembly 2 Electronic component 2S Side part 2T Top part 3 Substrate 3S Side face 4 1st resin 4H Space | gap 4M Resin 5, 5a, 5b Metal layer 5H, 5H1, 5H2, 5H3, 5Ha, 5Hb Opening 8 Ground 9 Second resin 41 Porous layer 42 Stress relaxation layer

Claims (5)

電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂と、当該第1樹脂を覆い、かつ当該第1樹脂よりも空隙率の低い第2樹脂と、を含み、
前記第1樹脂は、
前記第2樹脂側に設けられた、前記第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層と、前記第2樹脂の樹脂成分を含まない多孔質層と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品。
An electronic component, a substrate on which the electronic component is mounted, a first resin that has a gap and is in contact with at least a part of the electronic component, covers the first resin, and has a porosity higher than that of the first resin. A low second resin,
The first resin is
A stress relaxation layer including a resin component of the second resin provided on the second resin side; a porous layer not including a resin component of the second resin;
An electronic circuit module component comprising:
前記第1樹脂及び前記第2樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、
当該金属層に設けられ、かつ前記多孔質層の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含み、
前記開口部の前記応力緩和層の最大値の厚みは、10μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子回路モジュール部品。
A metal layer covering the first resin and the second resin and electrically connected to the ground of the substrate;
An opening provided in the metal layer and exposing at least a part of the porous layer to the outside of the metal layer,
2. The electronic circuit module component according to claim 1, wherein the maximum thickness of the stress relaxation layer in the opening is 10 μm to 200 μm.
前記第1樹脂の厚みから前記応力緩和層の最大値の厚みを減算した前記多孔質層の厚みは、10μm以上400μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の電子回路モジュール部品。   3. The electronic circuit module component according to claim 2, wherein the thickness of the porous layer obtained by subtracting the maximum thickness of the stress relaxation layer from the thickness of the first resin is 10 μm or more and 400 μm or less. 前記多孔質層の空隙率は5体積%以上30体積%以下であり、前記応力緩和層の空隙率は1体積%以上5体積%より小さいことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子回路モジュール部品。   The porosity of the porous layer is 5% by volume or more and 30% by volume or less, and the porosity of the stress relaxation layer is 1% by volume or more and less than 5% by volume. The electronic circuit module component according to Item. 基板上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第1樹脂を設ける工程と、
前記第1樹脂を第2樹脂で覆う被覆工程と、
前記第2樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、
前記硬化工程の加熱温度において、前記第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が350Pa・s以上40000Pa・s以下であることを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。
Mounting electronic components on a substrate;
Providing a first resin on the substrate on which the electronic component is mounted so as to be in contact with at least a part of the electronic component;
A covering step of covering the first resin with a second resin;
A curing step of curing the second resin,
The method for producing an electronic circuit module component, wherein a minimum dynamic shear viscosity of the resin component of the second resin is 350 Pa · s or more and 40000 Pa · s or less at the heating temperature in the curing step.
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