JP2013135304A - Balanced wideband amplifier - Google Patents

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Hiromitsu Uchida
浩光 内田
Eigo Kuwata
英悟 桑田
Masatoshi Nakayama
正敏 中山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a balanced wideband amplifier that suppresses harmonics in a compact circuit configuration.SOLUTION: A bandpass circuit comprises a pair of series resonance circuits 8a, 8b that become resonant at a frequency 2fwhich is double a low end fof an operating frequency band of a pair of unit amplifiers 4a, 4b, and an N type FET 11 connected in series between the pair of series resonance circuits 8a, 8b. The bandpass circuit is connected between output terminals of the pair of unit amplifiers 4a, 4b.

Description

この発明は、動作周波数帯域の幅が1オクターブ、あるいは、動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上であるバランス型広帯域増幅器に関するものである。   The present invention relates to a balanced wideband amplifier having an operating frequency band width of one octave or an operating frequency band width of one octave or more.

動作周波数帯域の幅が1オクターブ、あるいは、動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上であるバランス型広帯域増幅器では、その動作周波数帯域における低域端fLの成分と、その低域端fLの成分の2倍波に相当する周波数2fLの成分の双方が増幅器自身の通過帯域に含まれる。
そのため、バランス型広帯域増幅器の動作周波数がfLであるとき、その高調波成分である周波数2fLの成分の輻射を抑圧する必要がある場合、180°電力分配合成回路からなるプッシュプル増幅器が用いられることがある。あるいは、増幅器の外部に切換機能又は可変機能を有するフィルタが接続されることがある。
In a balanced wideband amplifier having an operating frequency band width of 1 octave or an operating frequency band width of 1 octave or more, a low-frequency end f L component and a low-frequency end f L component in the operating frequency band Both components of the frequency 2f L corresponding to the second harmonic wave are included in the passband of the amplifier itself.
Therefore, when the operating frequency of the balanced broadband amplifier is f L , a push-pull amplifier composed of a 180 ° power distribution / combination circuit is used when it is necessary to suppress the radiation of the harmonic component of the frequency 2f L. May be. Alternatively, a filter having a switching function or a variable function may be connected to the outside of the amplifier.

ここで、図3は以下の特許文献1に開示されているバランス型広帯域増幅器を示す構成図であり、このバランス型広帯域増幅器は、180°電力合成分配回路(バラン)を用いたプッシュプル型増幅器である。
図3のプッシュプル型増幅器では、増幅対象の信号の周波数がfLである場合、当該増幅器を構成している一対の単位増幅器の出力端子において、周波数fLの成分が互いに逆相になり、周波数fLの2倍波2fLの成分が同相になる。
そのため、出力側の180°電力合成回路において、周波数fLの成分が2合成されて出力されるが、2倍波2fLの成分は互いに逆相で相殺されるため出力されない。
Here, FIG. 3 is a block diagram showing a balanced broadband amplifier disclosed in the following Patent Document 1, and this balanced broadband amplifier is a push-pull amplifier using a 180 ° power combining / distributing circuit (balun). It is.
The push-pull amplifier of FIG. 3, when the frequency of the signal to be amplified is f L, the output terminal of the pair of units amplifiers constituting the amplifier, become reverse phase component of the frequency f L from each other, The component of the second harmonic 2f L of the frequency f L is in phase.
Therefore, in the 180 ° power combining circuit on the output side, the two components of the frequency f L are combined and output, but the components of the second harmonic 2f L cancel each other out of phase and are not output.

また、図4は広帯域増幅器の出力側に、SPDT(Single−Pole Dual−Throw)スイッチからなる切換型フィルタが接続されているバランス型広帯域増幅器を示す構成図である。
広帯域増幅器においては、動作周波数帯域の低域端をfLとすると、周波数fLの2倍波周波数2fLが動作周波数帯域に含まれるため、周波数fLの成分を増幅する際に、2倍波周波数2fLの輻射を抑圧することができない。
そこで、図4のバランス型広帯域増幅器では、SPDTスイッチを広帯域増幅器の出力端に接続し、そのSPDTスイッチが、2倍波周波数2fLを通過させる伝送線路と、2倍波周波数2fLの通過を阻止するフィルタとを切り換えるようにしている。
これにより、広帯域増幅器の動作周波数が周波数fLのときには、SPDTスイッチをフィルタ側に切換えることで2倍波2fLの輻射を抑圧し、広帯域増幅器の動作周波数が2倍波周波数2fLのときは、SPDTスイッチを伝送線路側に切り換えることで増幅された2倍波2fLの成分を通過させることができる。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a balanced broadband amplifier in which a switching filter composed of an SPDT (Single-Pole Dual-Throw) switch is connected to the output side of the broadband amplifier.
In wideband amplifier, a low-frequency end of the operating frequency band when the f L, since the second harmonic frequency 2f L frequency f L is included in the operating frequency band, when amplifying the component of the frequency f L, twice The radiation of the wave frequency 2f L cannot be suppressed.
Therefore, in the balanced broadband amplifier of FIG. 4, to connect the SPDT switch to the output end of the wide-band amplifier, the SPDT switch, the transmission line passing the second harmonic frequency 2f L, the passage of the second harmonic frequency 2f L The filter to be blocked is switched.
Thereby, when the operating frequency of the broadband amplifier is the frequency f L , the radiation of the second harmonic 2f L is suppressed by switching the SPDT switch to the filter side, and when the operating frequency of the broadband amplifier is the second harmonic frequency 2f L By switching the SPDT switch to the transmission line side, the amplified second harmonic 2f L component can be passed.

特開平11−112252号公報(図1)Japanese Patent Laid-Open No. 11-112252 (FIG. 1)

従来のバランス型広帯域増幅器は以上のように構成されているので、2倍波2fLの成分を抑圧することができるが、プッシュプル型増幅器では、一対の単位増幅器からの反射波が互いに同相で合成されるため、増幅器全体の入出力反射係数が大きくなってしまう課題があった。特に動作周波数帯域の幅が1オクターブを超えるような広帯域増幅器では、単位増幅器の反射係数を小さく保つことが困難であるため、この課題が顕在化する傾向にある。
また、SPDTスイッチが、2倍波周波数2fLを通過させる伝送線路と、2倍波周波数2fLの通過を阻止するフィルタとを切り換える方式では、SPDTスイッチが複数個のSPST(Single−Pole Single−Throw)スイッチから構成されることが一般的であるため、回路寸法の大型化を招いてしまう課題があった。また、切換型フィルタを構成する伝送線路とフィルタの回路寸法と相まって回路寸法がかなり大きくなってしまう課題があった。
Since the conventional balanced broadband amplifier is configured as described above, the component of the second harmonic 2f L can be suppressed. However, in the push-pull amplifier, the reflected waves from the pair of unit amplifiers are in phase with each other. Due to the synthesis, there is a problem that the input / output reflection coefficient of the entire amplifier becomes large. In particular, in a wide-band amplifier whose operating frequency band exceeds one octave, it is difficult to keep the reflection coefficient of the unit amplifier small, and this problem tends to become apparent.
Further, SPDT switch, a transmission line which passes the second harmonic frequency 2f L, in the method for switching a filter for blocking passage of the second harmonic frequency 2f L, SPDT switch a plurality of SPST (Single-Pole Single- Since it is generally composed of a (Throw) switch, there is a problem in that the circuit size is increased. In addition, there is a problem that the circuit size becomes considerably large in combination with the circuit size of the transmission line and the filter constituting the switching filter.

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小型の回路構成で、高調波を抑圧することができるバランス型広帯域増幅器を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a balanced broadband amplifier capable of suppressing harmonics with a small circuit configuration.

この発明に係るバランス型広帯域増幅器は、位相差が90度である入力電力を2分配する90°ハイブリッドと、90°ハイブリッドにより2分配された入力電力を増幅する動作周波数帯域の幅が1オクターブである一対の単位増幅器と、一対の単位増幅器により増幅された入力電力を合成する90°ハイブリッドとを備え、一対の単位増幅器の動作周波数帯域における低域端の2倍の周波数で共振状態となる一対の直列共振回路と、一対の直列共振回路の間に直列に接続されている単極/単投スイッチとから構成されている帯域通過型回路が、一対の単位増幅器の出力端子間に接続されているようにしたものである。   The balanced broadband amplifier according to the present invention has a 90 ° hybrid that divides input power having a phase difference of 90 degrees into two, and an operating frequency band that amplifies the input power divided by the 90 ° hybrid into one octave. A pair of unit amplifiers and a 90 ° hybrid that synthesizes the input power amplified by the pair of unit amplifiers, and a pair that is in a resonance state at a frequency twice that of the low end in the operating frequency band of the pair of unit amplifiers. A band-pass circuit composed of a series resonant circuit and a single pole / single throw switch connected in series between a pair of series resonant circuits is connected between the output terminals of a pair of unit amplifiers. It is what you have.

この発明によれば、一対の単位増幅器の動作周波数帯域における低域端の2倍の周波数で共振状態となる一対の直列共振回路と、一対の直列共振回路の間に直列に接続されている単極/単投スイッチとから構成されている帯域通過型回路が、一対の単位増幅器の出力端子間に接続されているように構成したので、小型の回路構成で、高調波を抑圧することができる効果がある。   According to the present invention, a pair of series resonant circuits that are in a resonance state at twice the frequency of the low frequency end in the operating frequency band of the pair of unit amplifiers, and a single unit connected in series between the pair of series resonant circuits. Since the band-pass circuit composed of the pole / single throw switch is connected between the output terminals of the pair of unit amplifiers, harmonics can be suppressed with a small circuit configuration. effective.

この発明の実施の形態1によるバランス型広帯域増幅器を示す構成図である。1 is a configuration diagram illustrating a balanced broadband amplifier according to a first embodiment of the present invention. FIG. この発明の実施の形態1によるバランス型広帯域増幅器の等価回路を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a balanced broadband amplifier according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 特許文献1に開示されているバランス型広帯域増幅器を示す構成図である。1 is a configuration diagram showing a balanced broadband amplifier disclosed in Patent Document 1. FIG. 広帯域増幅器の出力側に、SPDTスイッチからなる切換型フィルタが接続されているバランス型広帯域増幅器を示す構成図である。It is a block diagram which shows the balance type wideband amplifier by which the switching type filter which consists of SPDT switches is connected to the output side of the wideband amplifier.

実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるバランス型広帯域増幅器を示す構成図である。
図1において、誘電体基板1は伝送線路2、90°ハイブリッド3,5や単位増幅器4a,4bなどが表示面に形成されているが、裏面は金属で裏打ちされている基板である。
伝送線路2は金属導体で構成されており、誘電体基板1の表面に形成されている。
90°ハイブリッド3は例えばランゲカプラから構成されており、位相差が90度である入力信号の電力を2分配して、分配後の信号を単位増幅器4a,4bに出力する。
なお、90°ハイブリッド3の分配端子は単位増幅器4a,4bの入力端子が接続されており、一方の入力端子は伝送線路2を介して誘電体基板1の入力端子と接続され、他方の入力端子は薄膜抵抗6を介してスルーホール7(誘電体基板1の表裏面を電気的に接続する部材)と接続されている。
Embodiment 1 FIG.
1 is a block diagram showing a balanced broadband amplifier according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1, a dielectric substrate 1 is a substrate on which a transmission line 2, 90 ° hybrids 3, 5 and unit amplifiers 4a and 4b are formed on the display surface, but the back surface is lined with metal.
The transmission line 2 is made of a metal conductor and is formed on the surface of the dielectric substrate 1.
The 90 ° hybrid 3 is composed of, for example, a Lange coupler, and distributes the power of the input signal whose phase difference is 90 degrees into two, and outputs the distributed signal to the unit amplifiers 4a and 4b.
The distribution terminals of the 90 ° hybrid 3 are connected to the input terminals of the unit amplifiers 4a and 4b. One input terminal is connected to the input terminal of the dielectric substrate 1 through the transmission line 2, and the other input terminal. Is connected to a through hole 7 (a member for electrically connecting the front and back surfaces of the dielectric substrate 1) through a thin film resistor 6.

単位増幅器4aは動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上の増幅器(例えば、動作周波数帯域の低域端fLが1GHzであれば、動作周波数帯域の高域端fHが2GHz以上の増幅器)であり、90°ハイブリッド3により2分配された一方の信号を増幅し、増幅後の信号を伝送線路2を介して90°ハイブリッド5に出力する。
単位増幅器4bは動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上の増幅器であり、90°ハイブリッド3により2分配された他方の信号を増幅し、増幅後の信号を伝送線路2を介して90°ハイブリッド5に出力する。
Unit amplifier 4a is the width of the operating frequency band is one octave or more amplifiers (e.g., if the low-frequency end f L of the operating frequency band is a 1 GHz, the high-frequency end f H of the operating frequency band than amplifiers 2 GHz) be The one signal distributed by the 90 ° hybrid 3 is amplified, and the amplified signal is output to the 90 ° hybrid 5 through the transmission line 2.
The unit amplifier 4b is an amplifier having an operating frequency band width of 1 octave or more, amplifies the other signal divided into two by the 90 ° hybrid 3, and sends the amplified signal to the 90 ° hybrid 5 through the transmission line 2. Output.

90°ハイブリッド5は例えばランゲカプラから構成されており、一対の単位増幅器4a,4bにより増幅された信号の電力を合成する。
なお、90°ハイブリッド5の入力端子は単位増幅器4a,4bの出力端子が接続されており、一方の出力端子は伝送線路2を介して誘電体基板1の出力端子と接続され、他方の出力端子は薄膜抵抗6を介してスルーホール7と接続されている。
The 90 ° hybrid 5 is composed of, for example, a Lange coupler, and synthesizes the power of the signals amplified by the pair of unit amplifiers 4a and 4b.
The input terminal of the 90 ° hybrid 5 is connected to the output terminals of the unit amplifiers 4a and 4b. One output terminal is connected to the output terminal of the dielectric substrate 1 through the transmission line 2, and the other output terminal. Is connected to a through hole 7 through a thin film resistor 6.

直列共振回路8aは一端が単位増幅器4aの出力端子と接続されており、単位増幅器4aの動作周波数帯域における低域端fLの2倍の周波数2fLで共振状態となる回路であり、直列共振回路8aは、インダクタとして動作する高インピーダンスの伝送線路9と、櫛型の導体パターンを対向させることで形成されているインターデジタルキャパシタ10とから構成されている。
直列共振回路8bは一端が単位増幅器4bの出力端子と接続され、他端がN型FET11を介して直列共振回路8aと接続されており、単位増幅器4bの動作周波数帯域における低域端fLの2倍の周波数2fLで共振状態となる回路であり、直列共振回路8bは、インダクタとして動作する高インピーダンスの伝送線路9と、櫛型の導体パターンを対向させることで形成されているインターデジタルキャパシタ10とから構成されている。
One end of the series resonance circuit 8a is connected to the output terminal of the unit amplifier 4a, and is in a resonance state at a frequency 2f L that is twice the low frequency end f L in the operating frequency band of the unit amplifier 4a. The circuit 8a includes a high-impedance transmission line 9 that operates as an inductor, and an interdigital capacitor 10 formed by facing a comb-shaped conductor pattern.
One end of the series resonance circuit 8b is connected to the output terminal of the unit amplifier 4b, and the other end is connected to the series resonance circuit 8a via the N-type FET 11, and the low frequency end f L in the operating frequency band of the unit amplifier 4b. The series resonance circuit 8b is a circuit that is in a resonance state at twice the frequency 2f L , and the series resonance circuit 8b is an interdigital capacitor formed by opposing a high impedance transmission line 9 that operates as an inductor and a comb-shaped conductor pattern. 10.

N型FET(電界効果トランジスタ)11はSPSTスイッチ(単極/単投スイッチ)として動作するスイッチであり、直列共振回路8aと直列共振回路8bの間に直列に接続されており、直列共振回路8a,8b及びN型FET11から帯域通過型回路が構成されている。
なお、単位増幅器4aの動作周波数帯域の幅が1オクターブである場合、1個の帯域通過型回路が単位増幅器4a,4bの出力端子間に接続されるが、単位増幅器4aの動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上である場合、複数個の帯域通過型回路が単位増幅器4a,4bの出力端子間に並列に接続される。
図1の例では、2個の帯域通過型回路が単位増幅器4a,4bの出力端子間に並列に接続されている。
The N-type FET (field effect transistor) 11 is a switch that operates as an SPST switch (single pole / single throw switch), and is connected in series between the series resonance circuit 8a and the series resonance circuit 8b. , 8b and the N-type FET 11 constitute a band-pass circuit.
When the operating frequency band width of the unit amplifier 4a is 1 octave, one band-pass circuit is connected between the output terminals of the unit amplifiers 4a and 4b, but the operating frequency band width of the unit amplifier 4a. Is one octave or more, a plurality of band-pass circuits are connected in parallel between the output terminals of the unit amplifiers 4a and 4b.
In the example of FIG. 1, two band-pass circuits are connected in parallel between the output terminals of the unit amplifiers 4a and 4b.

電極13は薄膜抵抗12(増幅する高周波成分の漏洩を防ぐだけの高い抵抗値を有する抵抗)を介してN型FET11と接続されており、N型FET11に対して制御電圧を供給する。
なお、図1のバランス型広帯域増幅器では、誘電体基板1の外部からバイアス電圧が単位増幅器4a,4bに印加されるものとして、そのバイアス回路の図示は省略している。
The electrode 13 is connected to the N-type FET 11 via a thin film resistor 12 (a resistor having a high resistance value that prevents leakage of a high-frequency component to be amplified), and supplies a control voltage to the N-type FET 11.
In the balanced broadband amplifier shown in FIG. 1, the bias circuit is not shown because the bias voltage is applied to the unit amplifiers 4a and 4b from the outside of the dielectric substrate 1.

次に動作について説明する。
図1のバランス型広帯域増幅器は、単位増幅器4a,4bや、90°ハイブリッド3,5などから構成されているが、これらの構成要素は、いずれも1オクターブ以上の動作周波数帯域幅を有しているため、増幅器全体としても、1オクターブ以上の動作周波数帯域幅を有している。
Next, the operation will be described.
The balanced broadband amplifier of FIG. 1 is composed of unit amplifiers 4a and 4b, 90 ° hybrids 3 and 5 and the like, and these components all have an operating frequency bandwidth of 1 octave or more. Therefore, the entire amplifier also has an operating frequency bandwidth of one octave or more.

この実施の形態1では、バランス型増幅器を構成している単位増幅器4a,4bの出力側に、高インピーダンスの伝送線路9とインターデジタルキャパシタ10からなる一対の直列共振回路8a,8bと、SPSTスイッチであるN型FET11と、N型FET11に対して制御電圧を印加する電極13とを加えたものであり、その等価回路は、図2のようになる。
以下、図2に示す等価回路に基づいて、バランス型広帯域増幅器の動作を説明する。
In the first embodiment, on the output side of unit amplifiers 4a and 4b constituting a balanced amplifier, a pair of series resonant circuits 8a and 8b composed of a high impedance transmission line 9 and an interdigital capacitor 10, and an SPST switch 2 and an electrode 13 for applying a control voltage to the N-type FET 11, and an equivalent circuit thereof is as shown in FIG.
The operation of the balanced broadband amplifier will be described below based on the equivalent circuit shown in FIG.

バランス型広帯域増幅器が一般的に有する利点として、増幅器全体の入出力端子から見た入出力反射係数を小さくできることが挙げられる。
例として、単位増幅器4a,4bの入力側をみると、入力端子から入力された信号が、90°ハイブリッド3により90°の位相差で2分配されて単位増幅器4a,4bに入力され、その反射波は90°ハイブリッド3に再び入力されるが、これらの反射波は、90°ハイブリッド3の端子のうち、抵抗Zoが接続されている端子(薄膜抵抗6を介してスルーホール7と接続されている端子)で、互いに同相で出力されて合成され、誘電体基板1の入力端子では、互いに逆相で出力されて相殺される。
したがって、抵抗Zoを90°ハイブリッド3の入力インピーダンス(通常は50Ω)として、その一端を電気的に接地することで、反射波を抵抗Zoに吸収させて、増幅器全体で見た入力反射係数を十分小さくすることができる。
同様の動作原理により、増幅器全体の出力側反射係数も小さくすることができる。
The general advantage of balanced broadband amplifiers is that the input / output reflection coefficient seen from the input / output terminals of the entire amplifier can be reduced.
As an example, when looking at the input side of the unit amplifiers 4a and 4b, the signal input from the input terminal is divided into two by the 90 ° hybrid 3 with a phase difference of 90 ° and input to the unit amplifiers 4a and 4b, and the reflection thereof. The waves are input again to the 90 ° hybrid 3, but these reflected waves are connected to the through hole 7 via the thin film resistor 6 to which the resistor Zo is connected among the 90 ° hybrid 3 terminals. Are output in the same phase with each other and synthesized. The input terminals of the dielectric substrate 1 are output in opposite phases with each other and cancel each other.
Therefore, the resistance Zo is the 90 ° hybrid 3 input impedance (usually 50Ω), and one end thereof is electrically grounded, so that the reflected wave is absorbed by the resistance Zo, and the input reflection coefficient seen by the entire amplifier is sufficient. Can be small.
The output side reflection coefficient of the entire amplifier can be reduced by the same operation principle.

次に、この実施の形態1によるバランス型広帯域増幅器が有するもう一つの利点(高調波抑圧機能)について説明する。
図1のバランス型広帯域増幅器は、上述したように、1オクターブ以上の動作周波数帯域幅を有しているため、その動作周波数帯域における低域端fLの2倍の周波数2fLが本増幅器の動作帯域に含まれ、バランス型広帯域増幅器を運用する際に一般的に要求される高調波抑圧が難しくなる(特に、電力レベルが比較的大きくなる2倍波の抑圧が難しくなる)。
Next, another advantage (harmonic suppression function) of the balanced broadband amplifier according to the first embodiment will be described.
Since the balanced broadband amplifier of FIG. 1 has an operating frequency bandwidth of one octave or more as described above, a frequency 2f L that is twice the low frequency end f L in the operating frequency band is It is difficult to suppress harmonics that are included in the operating band and are generally required when operating a balanced broadband amplifier (particularly, it is difficult to suppress the second harmonic with a relatively high power level).

この実施の形態1では、周波数fLの成分を増幅して通過させながら、周波数2fLの成分だけを抑圧するために、単位増幅器4a,4bの出力側に、一対の直列共振回路8a,8b(L1、C1の直列共振回路)とN型FET11を接続している。
増幅器全体の入力端子から周波数fLの信号が位相角0°で入力されるとすると、単位増幅器4a,4bの入力端子における周波数fLの成分の位相角は各々0°,−90°となり、単位増幅器4a,4bの出力端子には,増幅された周波数fLの成分が各々位相角0°,−90°となる(単位増幅器の通過移相量は0°と考える)。
In the first embodiment, a pair of series resonance circuits 8a and 8b are provided on the output side of the unit amplifiers 4a and 4b in order to suppress only the component of the frequency 2f L while amplifying and passing the component of the frequency f L. (L1 and C1 series resonance circuit) and the N-type FET 11 are connected.
If a signal of frequency f L is input from the input terminal of the entire amplifier at a phase angle of 0 °, the phase angle of the component of frequency f L at the input terminals of the unit amplifiers 4a and 4b is 0 ° and −90 °, respectively. At the output terminals of the unit amplifiers 4a and 4b, the components of the amplified frequency f L become phase angles of 0 ° and −90 °, respectively (the passing phase shift amount of the unit amplifier is considered to be 0 °).

一方、単位増幅器4a,4bの非線形性により、単位増幅器4a,4bの出力端子には、周波数2fLの成分が発生するが、その位相角は各々0°,−180°となり、周波数fLの成分の2倍となる。
したがって、図2に示す回路対称面は、周波数2fLの成分に対しては電気的短絡面となり、図2に示す直列共振回路8a,8bの共振周波数を2fLとして、N型FET11をオン状態(電極13が正の制御電圧をN型FET11に印加する)とすることで、図2における点Aと点Bは、いずれも周波数2fLにおいて電気的短絡点となる。
このため、周波数2fLの成分は、点Aと点Bで全反射され、増幅器全体の出力端子へは出力されない。
On the other hand, the unit amplifier 4a, the nonlinearity of 4b, the unit amplifier 4a, the output terminal of the 4b, but the component of the frequency 2f L occurs, the phase angle are each 0 °, -180 °, and the frequency f L Twice the component.
Therefore, the circuit symmetry plane shown in FIG. 2 has an electrically shorting plane for the component of the frequency 2f L, the series resonant circuit 8a shown in FIG. 2, the resonant frequency of 8b as 2f L, on state N-type FET11 By setting (the electrode 13 applies a positive control voltage to the N-type FET 11), both the points A and B in FIG. 2 become electrical short-circuit points at the frequency 2f L.
For this reason, the component of the frequency 2f L is totally reflected at the points A and B, and is not output to the output terminal of the entire amplifier.

直列共振回路8a,8bは、周波数がfLであれば、そのインピーダンスが十分大きくなるため、図2における点A,点Bにおいて、直列共振回路8a,8bの影響は無視でき、増幅すべき周波数fLの成分は殆ど損失なく、増幅器全体の出力端子へ出力される。
このとき、増幅器への入力周波数がfLより、ある程度大きくなったとしても、その2倍波の周波数において、点Aと点Bが電気的短絡に近い状態となるため、一定の2倍波の抑圧特性を呈することが可能となる。
Since the impedance of the series resonant circuits 8a and 8b is sufficiently large if the frequency is f L , the influence of the series resonant circuits 8a and 8b can be ignored at points A and B in FIG. The component of f L is output to the output terminal of the entire amplifier with almost no loss.
At this time, even if the input frequency to the amplifier becomes somewhat higher than f L , the point A and the point B are close to an electrical short circuit at the frequency of the second harmonic, so that a constant second harmonic It is possible to exhibit suppression characteristics.

しかし、直列共振回路8a,8bにより遮断できる2倍波周波数範囲は、ある程度制限される。
この実施の形態1では、直列共振回路8a,8bで対応できない2倍波周波数を抑圧するために、図2に示すもう一つ別の直列共振回路8a,8b(L2、C2の直列共振回路)とN型FET11を接続している。
この直列共振回路8a,8b(L2、C2の直列共振回路)では、直列共振周波数が2fLより高い周波数2fL’に設定されており、上述した動作と同様の原理により、増幅器への入力周波数がfL’(>fL)のときの2倍波2fL’の周波数成分を抑圧することができる。
However, the second harmonic frequency range that can be cut off by the series resonant circuits 8a and 8b is limited to some extent.
In the first embodiment, another series resonance circuit 8a, 8b (series resonance circuit of L2, C2) shown in FIG. 2 is used in order to suppress the second harmonic frequency that cannot be handled by the series resonance circuits 8a, 8b. And N-type FET 11 are connected.
The series resonant circuit 8a, the 8b (L2, C2 series resonance circuit), and the series resonant frequency is set to a higher frequency 2f L 'than 2f L, the principle similar to the operation described above, the input frequency to the amplifier It is possible to suppress the frequency component of the second harmonic 2f L 'when is L L (> f L ).

例えば、広帯域増幅器の動作周波数帯域幅が1:3(低域端fL、高域端3fL)の場合には、2fL’≒3fLとすることが考えられる。
なお、この実施の形態1において、増幅器に入力される増幅すべき周波数が、上述したfLやfL’ではなく、2fLや2fL’となる場合には、直列共振回路8a,8b(L1、C1の直列共振回路、あるいは、L2、C2の直列共振回路)のN型FET11をオフ状態として、直列共振回路8a,8bが周波数2fLあるいは2fL’でほぼ影響しないようにする。
これにより、周波数2fLあるいは2fL’で不要な内部損失を有さない高利得な広帯域増幅器を構成することができる。
For example, the operating frequency bandwidth of the wideband amplifier 1: in the case of 3 (Teiikitan f L, Koikitan 3f L), it can be considered that a 2f L '≒ 3f L.
In the first embodiment, when the frequency to be amplified input to the amplifier is 2f L or 2f L ′ instead of the above-described f L or f L ′, the series resonant circuits 8a and 8b ( The N-type FET 11 of the L1 and C1 series resonance circuit or the L2 and C2 series resonance circuit) is turned off so that the series resonance circuits 8a and 8b have almost no influence at the frequency 2f L or 2f L ′.
As a result, it is possible to configure a high-gain wideband amplifier that has no unnecessary internal loss at the frequency 2f L or 2f L ′.

なお、直列共振回路8a,8b(L1、C1の直列共振回路、あるいは、L2、C2の直列共振回路)とN型FET11からなる通過帯域型回路を、図2の点A,点Bの位置ではなく、バランス増幅器全体の出力端子(図2の点Cの位置)に接続することも考えられる。
しかし、この場合、N型FET11をオフ状態としたときに、N型FET11に印加される電圧が、この実施の形態1の場合と比べて大きくなるため、N型FET11の過電力による破壊や、歪信号成分の増加による通信品質の劣化を招く可能性が高まる問題が生じる。
この実施の形態1の構成を採ることにより、それらの可能性を低減することが可能となる。
Note that the passband circuit composed of the series resonance circuits 8a and 8b (L1, C1 series resonance circuit or L2, C2 series resonance circuit) and the N-type FET 11 is located at the points A and B in FIG. Instead, it is conceivable to connect to the output terminal of the entire balance amplifier (at the position of point C in FIG. 2).
However, in this case, when the N-type FET 11 is turned off, the voltage applied to the N-type FET 11 becomes larger than that in the case of the first embodiment. There arises a problem that there is an increased possibility of communication quality deterioration due to an increase in distortion signal components.
By adopting the configuration of the first embodiment, it is possible to reduce those possibilities.

このように、90°ハイブリッド3,5及び単位増幅器4a,4bから構成され、動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上のバランス型広帯域増幅器において、単位増幅器4a,4bの出力端子間に一対の直列共振回路8a,8bとN型FET11からなる通過帯域型回路を接続し、増幅対象の信号周波数に応じて、N型FET11を適宜切り換えることで、入出力反射係数が広帯域に亘り小さくなり、また、増幅対象の信号の周波数の高調波が増幅器自身の増幅帯域に含まれる場合でも、その高調波を抑圧することが可能となる。   In this way, in a balanced broadband amplifier composed of 90 ° hybrids 3 and 5 and unit amplifiers 4a and 4b and having an operating frequency band width of 1 octave or more, a pair of series resonances between the output terminals of the unit amplifiers 4a and 4b. By connecting the circuits 8a and 8b and the passband circuit composed of the N-type FET 11 and appropriately switching the N-type FET 11 in accordance with the signal frequency to be amplified, the input / output reflection coefficient is reduced over a wide band. Even when the harmonic of the frequency of the target signal is included in the amplification band of the amplifier itself, the harmonic can be suppressed.

なお、本願発明はその発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。   In the present invention, any constituent element of the embodiment can be modified or any constituent element of the embodiment can be omitted within the scope of the invention.

1 誘電体基板、2 伝送線路、3,5 90°ハイブリッド、4a,4b 単位増幅器、6 薄膜抵抗、7 スルーホール、8a,8b 直列共振回路、9 高インピーダンスの伝送線路、10 インターデジタルキャパシタ、11 N型FET(単極/単投スイッチ)、12 薄膜抵抗、13 電極。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric board | substrate, 2 Transmission line, 3,5 90 degree hybrid, 4a, 4b Unit amplifier, 6 Thin film resistor, 7 Through hole, 8a, 8b Series resonance circuit, 9 High impedance transmission line, 10 Interdigital capacitor, 11 N-type FET (single pole / single throw switch), 12 thin film resistors, 13 electrodes.

Claims (2)

位相差が90度である入力電力を2分配する90°ハイブリッドと、上記90°ハイブリッドにより2分配された入力電力を増幅する動作周波数帯域の幅が1オクターブである一対の単位増幅器と、上記一対の単位増幅器により増幅された入力電力を合成する90°ハイブリッドとを備えたバランス型広帯域増幅器において、
上記一対の単位増幅器の動作周波数帯域における低域端の2倍の周波数で共振状態となる一対の直列共振回路と、上記一対の直列共振回路の間に直列に接続されている単極/単投スイッチとから構成されている帯域通過型回路が、上記一対の単位増幅器の出力端子間に接続されていることを特徴とするバランス型広帯域増幅器。
A 90 ° hybrid that splits input power with a phase difference of 90 degrees into two, a pair of unit amplifiers that have an operating frequency band width of 1 octave for amplifying the input power split into two by the 90 ° hybrid, and the pair In a balanced wideband amplifier comprising a 90 ° hybrid that synthesizes input power amplified by unit amplifiers of
A pair of series resonant circuits that resonate at a frequency twice the lower end in the operating frequency band of the pair of unit amplifiers, and a single pole / single throw connected in series between the pair of series resonant circuits A balanced wideband amplifier characterized in that a band-pass circuit composed of a switch is connected between the output terminals of the pair of unit amplifiers.
位相差が90度である入力電力を2分配する90°ハイブリッドと、上記90°ハイブリッドにより2分配された入力電力を増幅する動作周波数帯域の幅が1オクターブ以上である一対の単位増幅器と、上記一対の単位増幅器により増幅された入力電力を合成する90°ハイブリッドとを備えたバランス型広帯域増幅器において、
上記一対の単位増幅器の動作周波数帯域における低域端の2倍の周波数で共振状態となる一対の直列共振回路と、上記一対の直列共振回路の間に直列に接続されている単極/単投スイッチとから構成されている帯域通過型回路が、上記一対の単位増幅器の出力端子間に複数個並列に接続されていることを特徴とするバランス型広帯域増幅器。
A 90 ° hybrid that divides input power with a phase difference of 90 degrees into two, a pair of unit amplifiers that have an operating frequency band width of 1 octave or more for amplifying the input power divided into two by the 90 ° hybrid, and In a balanced wideband amplifier comprising a 90 ° hybrid that synthesizes input power amplified by a pair of unit amplifiers,
A pair of series resonant circuits that resonate at a frequency twice the lower end in the operating frequency band of the pair of unit amplifiers, and a single pole / single throw connected in series between the pair of series resonant circuits A balanced broadband amplifier characterized in that a plurality of band-pass circuits composed of switches are connected in parallel between the output terminals of the pair of unit amplifiers.
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US10797657B2 (en) 2017-12-27 2020-10-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Matching network and power amplifier circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10797657B2 (en) 2017-12-27 2020-10-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Matching network and power amplifier circuit
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CN110739922A (en) * 2019-11-10 2020-01-31 扬州船用电子仪器研究所(中国船舶重工集团公司第七二三研究所) ultra-wideband solid-state power amplifier synthesis circuit

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