JP2013131626A - Wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載する配線基板に関するものである。 The present invention relates to a wiring board on which a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element is mounted.
図5に、半導体集積回路素子等の半導体素子Sを搭載するための従来の配線基板20を示す。図5に示すように、従来の配線基板20は、上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部11aを有する絶縁基板11の上面から下面にかけて複数の配線導体12を配設してなる。さらに絶縁基板11の上下面には、配線導体12の一部を露出させるようにしてソルダーレジスト層13が被着されている。絶縁基板11やソルダーレジスト層13は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂系絶縁材料からなる。また、配線導体12は、例えば銅箔や銅めっき等の銅系の金属材料からなる。
FIG. 5 shows a
配線導体12は、その一部が搭載部11a上に露出して半導体素子接続パッド14を形成している。この半導体素子接続パッド14には、半導体素子Sの電極Tが半田を介して接続される。また、配線導体12の別の一部は、絶縁基板11の下面に露出して外部接続パッド15を形成している。この外部接続パッド15は、外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続される。なお、これらの半導体素子接続パッド14と外部接続パッド15とは、それぞれ対応するもの同士が絶縁基板11内部に配設された配線導体12を介して互いに接続されている。
A part of the
さらに、絶縁基板11の上面外周部には、配線導体12の一部からなる検査用パッド16が配設されている。検査用パッド16は、互いに対となった第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bとを有している。これらの第1の導体パターン16aおよび第2の導体パターン16bは、それぞれが特定の半導体素子接続パッド14に電気的に接続されている。そして、半導体素子接続パッド14に半導体素子Sの電極Tを接続した後、検査用パッド16に電気的検査装置のプローブを接続して測定することにより、半導体素子Sの動作の状態を確認することができる。
Further, an
絶縁基板11の上下面に被着されたソルダーレジスト層13のうち、上面側のソルダーレジスト層13は、半導体素子接続パッド14を個別に露出させる開口部13aと検査用パッド16の第1の導体パターン16aおよび第2の導体パターン16bの対を一括して露出させる開口部13bとを有している。また下面側のソルダーレジスト層13は、外部接続パッド15を個別に露出させる開口部13cを有している。
Of the
そして、この配線基板20においては、半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16におけるソルダーレジスト層13からの露出表面にニッケルめっき層と金めっき層とを無電解めっき法により順次被着させておくことがある。これらのめっき層を被着させることにより、半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の酸化腐食を防止するとともに半導体素子接続パッド14と半導体素子Sの電極Tとの接続および外部接続パッド15と外部の電気回路基板の配線導体との接続ならびに検査用パッド16と電気的検査装置のプローブとの接続を良好としている。
In this
なお、ソルダーレジスト層13から露出する半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の表面に無電解めっき法によりニッケルめっき層と金めっき層とを順次被着させるには、以下に述べる方法が採用される。
In order to sequentially deposit the nickel plating layer and the gold plating layer on the surface of the semiconductor
まず、半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16を露出させるソルダーレジスト層13が被着された配線基板20を準備する。
First, a
次に、この配線基板20を洗浄して半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の露出表面の汚れや酸化膜を除去する。洗浄には、アルカリ洗浄や酸洗浄、純水洗浄等の各種洗浄が用いられる。
Next, the
次に、洗浄された半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の露出表面に無電解めっきのためのパラジウム触媒を付与する。パラジウム触媒を付与するには、パラジウム触媒溶液の中に配線基板20を所定時間浸漬した後に触媒溶液中から引き上げる方法が採用される。
Next, a palladium catalyst for electroless plating is applied to the exposed surfaces of the cleaned semiconductor
次に、触媒が付与された半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の表面に無電解ニッケルめっき層を被着させる。無電解ニッケルめっき層を被着させるには、無電解ニッケルめっき液中に配線基板20を所定時間浸漬した後に無電解ニッケルめっき液中から引き上げる方法が採用される。
Next, an electroless nickel plating layer is deposited on the surfaces of the semiconductor
次に、無電解ニッケルめっき層が被着された半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の表面に無電解金めっき層を被着させる。無電解金めっき層を被着させるには、無電解金めっき液中に配線基板20を所定時間浸漬した後に無電解金めっき液中から引き上げる方法が採用される。
Next, the electroless gold plating layer is deposited on the surfaces of the semiconductor
以上のようにして、ソルダーレジスト層13から露出する半導体素子接続パッド14および外部接続パッド15ならびに検査用パッド16の表面に無電解めっき法によりニッケルめっき層と金めっき層とが被着される。なお、パラジウム触媒溶液や無電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液への配線基板20の浸漬は、配線基板20を垂直に立てた状態で行なわれる。したがって引上げも垂直に立てた状態で行なわれ、引上げた後は、純水洗浄の後、乾燥が行なわれる。
As described above, the nickel plating layer and the gold plating layer are deposited on the surfaces of the semiconductor
しかしながら、近時の配線基板は、その高密度微細配線化が進んでおり、検査用パッド16においても、第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bとの間隔が例えば30μm以下の狭いものが出現するようになってきている。このように第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bとの間隔が30μm以下の狭いものである場合、第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bとの間の電気的な絶縁性が損なわれてしまうことがあった。
However, recent wiring boards have been developed with high density and fine wiring, and even in the
そこで、本発明者が詳細に観察した結果、図6に示すように、配線基板20をパラジウム触媒溶液や無電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液中に浸漬した後に引き上げた際、第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bとを露出させるソルダーレジスト層13の開口部13bの下端側において、触媒溶液やめっき液が良好に排出されないまま第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bとの間に残渣Rとして残り、それにより第1の導体パターン16aと第2の導体パターン16bと間に微量のめっき金属層が析出してそれが電気的な絶縁性を低下させていることが分かった。
Therefore, as a result of detailed observation by the present inventor, as shown in FIG. 6, when the
本発明は、ソルダーレジスト層から露出する近接した導体パターン間における電気的な絶縁信頼性の高い配線基板を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a wiring board having high electrical insulation reliability between adjacent conductor patterns exposed from a solder resist layer.
本発明の配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の表面に互いに隣接して形成された第1の導体パターンおよび第2の導体パターンと、前記絶縁基板の表面に被着されており、前記第1の導体パターンおよび第2の導体パターンの一部を露出させる開口部を有するとともに該開口部の開口縁が前記第1の導体パターンと第2の導体パターンとの間を横切るよに形成されたソルダーレジスト層と、前記開口部から露出する前記第1の導体パターンおよび第2の導体パターンの表面に被着された無電解めっき金属層と、を具備して成る配線基板であって、前記開口縁は、前記第1の導体パターンと第2の導体パターンとの間で前記開口部の外側または内側に向けてV字状に屈曲する屈曲部を有することを特徴とするものである。 The wiring board of the present invention is attached to the surface of the insulating substrate, the first conductor pattern and the second conductor pattern formed adjacent to each other on the surface of the insulating substrate, and the surface of the insulating substrate, An opening that exposes part of the first conductor pattern and the second conductor pattern is formed, and an opening edge of the opening crosses between the first conductor pattern and the second conductor pattern. A solder resist layer and an electroless plating metal layer deposited on the surfaces of the first conductor pattern and the second conductor pattern exposed from the opening, The opening edge has a bent portion that is bent in a V shape toward the outer side or the inner side of the opening portion between the first conductor pattern and the second conductor pattern.
本発明の配線配線によれば、互いに隣接して形成された第1の導体パターンおよび第2の導体パターンとの間を横切るソルダーレジスト層の開口縁は、第1の導体パターンと第2の導体パターンとの間でソルダーレジスト層の開口部の外側または内側に向けてV字状に屈曲する屈曲部を有することから、配線基板をパラジウム触媒溶液や無電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液に浸漬した後に引き上げた際、触媒溶液やめっき液が屈曲部を伝って第1の導体パターンと第2の導体パターンとの間から良好に排出される。したがって、第1の導体パターンと第2の導体パターンとの間に触媒溶液やめっき液の残渣に起因して微量なめっき金属層が析出することはなく、両者間における電気的な絶縁信頼性の高い配線基板を提供することができる。 According to the wiring wiring of the present invention, the opening edge of the solder resist layer that crosses between the first conductor pattern and the second conductor pattern formed adjacent to each other is formed between the first conductor pattern and the second conductor. Since it has a bent part that bends in a V shape toward the outside or inside of the opening of the solder resist layer between the pattern and the pattern, the wiring board is made into a palladium catalyst solution, an electroless nickel plating solution, or an electroless gold plating solution. When it is pulled up after being immersed, the catalyst solution and the plating solution are well discharged from between the first conductor pattern and the second conductor pattern along the bent portion. Therefore, a trace amount of the plated metal layer is not deposited between the first conductor pattern and the second conductor pattern due to the residue of the catalyst solution or the plating solution, and the electrical insulation reliability between the two is not increased. A high wiring board can be provided.
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を添付の図を参照して説明する。図1に示すように、本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と配線導体2とソルダーレジスト層3とを具備している。
Next, an example of an embodiment of the wiring board of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. As shown in FIG. 1, the
絶縁基板1は、略四角形状の平板であり、樹脂系絶縁材料からなる。樹脂系絶縁材料としては、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁材料や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂中に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁フィラーを分散させた絶縁材料が好適に用いられる。
The
絶縁基板1の上面中央部には半導体素子Sを搭載するための搭載部1aが形成されている。また、絶縁基板1の下面は、外部の電気回路基板と接続するための外部接続面となっている。
A mounting portion 1 a for mounting the semiconductor element S is formed at the center of the upper surface of the
配線導体2は、厚みが10〜20μm程度の銅箔や銅めっき層からなり、絶縁基板1の上面から下面にかけて被着されている。配線導体2の一部は、絶縁基板1の搭載部1a上に露出して複数の半導体素子接続パッド4を形成している。半導体素子接続パッド4は、例えば直径が50〜100μm程度の円形である。半導体素子接続パッド4には、半導体素子Sの電極Tが接続される。また、配線導体2の別の一部は、絶縁基板1の下面に露出して複数の外部接続パッド5を形成している。外部接続パッド5は、例えば直径が300〜1000μm程度の円形である。外部接続パッド5は、外部の電気回路基板の配線導体に接続される。なお、これらの半導体素子接続パッド4と外部接続パッド5とは、それぞれ対応するもの同士が絶縁基板1の内部に配設された配線導体2を介して互いに電気的に接続されている。
The
さらに、絶縁基板1の上面外周部には、配線導体2の一部からなる検査用パッド6が配設されている。検査用パッド6は、互いに対となって配置された第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとを有している。これらの第1の導体パターン6aおよび第2の導体パターン6bは、それぞれが特定の半導体素子接続パッド4に電気的に接続されている。なお第1の導体パターン6aおよび第2の導体パターン6bはそれぞれの幅が20〜50μm程度であり、互いに20〜30μm程度の間隔をあけて配置されている。そして、半導体素子接続パッド4に半導体素子Sの電極Tを接続した後、検査用パッド6に電気的検査装置のプローブを接続して測定することにより、半導体素子Sの動作の状態を確認することができる。
Further, an
ソルダーレジスト層3は、絶縁基板1の上下面に被着されている。そして上面側のソルダーレジスト層3は、半導体素子接続パッド4を個別に露出させる開口部3aと検査用パッド6の第1の導体パターン6aおよび第2の導体パターン6bの対を一括して露出させる開口部3bとを有している。下面側のソルダーレジスト層3は、外部接続パッド5を個別に露出させる開口部3cを有している。このようなソルダーレジスト層3は、厚みが10〜30μm程度の樹脂系の電気絶縁材料からなる。ソルダーレジスト層3を形成する樹脂系の電気絶縁材料としては、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた材料が好適に用いられる。
The solder resist
ソルダーレジスト層3から露出する半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の表面には、図示しない無電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着されている。無電解ニッケルめっき層の厚みは0.1〜3μm程度である。また無電解金めっき層の厚みは、0.02〜0.2μm程度である。これらのめっき層を被着させることにより、半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の酸化腐食を防止するとともに半導体素子接続パッド4と半導体素子Sの電極Tとの接続および外部接続パッド5と外部の電気回路基板の配線導体との接続ならびに検査用パッド6と電気的検査装置のプローブとの接続を良好としている。
An electroless nickel plating layer and an electroless gold plating layer (not shown) are sequentially deposited on the surfaces of the semiconductor
なお、ソルダーレジスト層3から露出する半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の表面に無電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とを被着させるには、従来と同様の方法が採用される。
In order to deposit the electroless nickel plating layer and the electroless gold plating layer on the surfaces of the semiconductor
即ち、まず、半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6を露出させるソルダーレジスト層3が被着された配線基10を準備する。
That is, first, a
次に、この配線基板10を洗浄して半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の露出表面の汚れや酸化膜を除去する。洗浄には、アルカリ洗浄や酸洗浄、純水洗浄等の各種洗浄が用いられる。
Next, the
次に、洗浄された半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の露出表面に無電解めっきのためのパラジウム触媒を付与する。パラジウム触媒を付与するには、パラジウム触媒溶液の中に配線基板10を所定時間浸漬した後に触媒溶液中から引き上げる方法が採用される。
Next, a palladium catalyst for electroless plating is applied to the exposed surfaces of the cleaned semiconductor
次に、触媒が付与された半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の表面に無電解ニッケルめっき層を被着させる。無電解ニッケルめっき層を被着させるには、無電解ニッケルめっき液中に配線基板10を所定時間浸漬した後に無電解ニッケルめっき液中から引き上げる方法が採用される。
Next, an electroless nickel plating layer is deposited on the surfaces of the semiconductor
次に、無電解ニッケルめっき層が被着された半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の表面に無電解金めっき層を被着させる。無電解金めっき層を被着させるには、無電解金めっき液中に配線基板10を所定時間浸漬した後に無電解金めっき液中から引き上げる方法が採用される。
Next, the electroless gold plating layer is deposited on the surfaces of the semiconductor
以上のようにして、ソルダーレジスト層3から露出する半導体素子接続パッド4および外部接続パッド5ならびに検査用パッド6の表面に無電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが被着される。なお、パラジウム触媒溶液や無電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液への配線基板10の浸漬は、配線基板10を垂直に立てた状態で行なわれる。したがって引上げも垂直に立てた状態で行なわれ、引上げた後は、純水洗浄の後、乾燥が行なわれる。
As described above, the electroless nickel plating layer and the electroless gold plating layer are deposited on the surfaces of the semiconductor
ところで本例の配線基板10においては、検査用パッド6を露出させるソルダーレジスト3の開口部3bの開口縁が第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間を横切る位置に開口部3bの外側に向けてV字状に屈曲する屈曲部Aが形成されている。このように、開口部3bの開口縁が第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間に開口部3bの外側に向けてV字状に屈曲する屈曲部Aを有することら、図2に示すように、配線基板10をパラジウム触媒溶液や無電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液中に浸漬した後に引き上げた際、第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとを露出させるソルダーレジスト層3の開口部3bの下端側において、触媒溶液やめっき液が屈曲部Aを伝って第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間から排出される。したがって、第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間に触媒溶液やめっき液の残渣Rに起因して微量なめっき金属層が析出することはなく、両者間における電気的な絶縁信頼性の高い配線基板10を提供することができる。
By the way, in the
なお、V字状に屈曲する屈曲部Aは、その幅Wが15μm未満では屈曲部Aを良好な形状で形成することが困難となる傾向にあり、50μmを超えると第1の導体パターン6aや第2の導体パターン6bが屈曲部A内に露出する面積が大きくなり、第1の導体パターン6aや第2の導体パターン6bの露出形状が歪なものとなる。したがって、屈曲部Aの幅Wは15〜50μmの範囲が好ましい。また屈曲部Aは、その深さDが15μm未満では第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間の電気的な絶縁信頼性を十分に確保することが困難となり、50μmを超えると屈曲部Aの深さDが不要に深くなってしまう。したがって、屈曲部Aの深さDは、15〜50μmの範囲が好ましい。さらに屈曲部Aは、その角度θが30度未満では屈曲部Aを良好な形状で形成することが困難となり、角度θが90度を超えると、第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間の電気的な絶縁信頼性を十分に確保することが困難となる。したがって、屈曲部Aの角度θは30〜60度の範囲が好ましい。
The bent portion A bent in a V shape tends to have difficulty in forming the bent portion A in a good shape if the width W is less than 15 μm, and if the width W exceeds 50 μm, the
なお本発明は、上述した実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば上述した実施形態の一例では、開口部3bの開口縁が第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間に開口部3bの外側に向けてV字状に屈曲する屈曲部Aを有していたが、図3に示すように、開口部3bの開口縁が第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間に開口部3bの内側に向けてV字状に屈曲する屈曲部Bを有していてもよい。なお、図3および図4において図1および図2で示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。この場合も、図4に示すように、配線基板10をパラジウム触媒溶液や無電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液中に浸漬した後に引き上げた際、第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとを露出させるソルダーレジスト層3の開口部3bの下端側において、触媒溶液やめっき液が屈曲部Bを伝って第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間から排出される。したがって、第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間に触媒溶液やめっき液の残渣Rに起因して微量なめっき金属層が析出することはなく、両者間における電気的な絶縁信頼性の高い配線基板10を提供することができる。
In addition, this invention is not limited to an example of embodiment mentioned above, It cannot be overemphasized that a various change is possible if it is the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the example of the embodiment described above, the bent portion A in which the opening edge of the
なお、V字状に屈曲する屈曲部Bは、その幅Wが20μm未満では第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間の電気的な絶縁信頼性を十分に確保することが困難となり、50μmを超えると、第1の導体パターン6aや第2の導体パターン6bに覆いかぶさる面積が大きくなり、第1の導体パターン6aや第2の導体パターン6bの露出形状が歪なものとなる。したがって、屈曲部Bの幅Wは20〜50μmの範囲が好ましい。また屈曲部Bは、その高さHが10μm未満では第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間の電気的な絶縁信頼性を十分に確保することが困難となり、50μmを超えると屈曲部Bの高さHが不要に高くなってしまう。したがって、屈曲部Bの高さHは、10〜50μmの範囲が好ましい。さらに屈曲部Bは、その角度θが30度未満では屈曲部Bを良好な形状で形成することが困難となる傾向にあり、角度θが120度を超えると、第1の導体パターン6aと第2の導体パターン6bとの間の電気的な絶縁信頼性を十分に確保することが困難となる。したがって、屈曲部Bの角度θは30〜120度の範囲が好ましい。
The bent portion B bent in a V-shape can sufficiently secure the electrical insulation reliability between the
1 絶縁基板
2 配線導体
3 ソルダーレジスト層
3b 開口部
6a 第1の導体パターン
6b 第2の導体パターン
10 配線基板
A,B 屈曲部
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