JP2013128049A - 電磁波発生素子、電磁波発生装置および電磁波発生方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電磁波発生装置100は、平面状に電磁波パルスLT1を発生させる装置である。電磁波発生装置100は、電磁波発生素子10と、光照射部200と、逆バイアス電圧印加回路11とを備える。電磁波発生素子10は、p型シリコン層14とn型シリコン層15とが平面状に積層されることによって形成される空乏層形成体90と、空乏層形成体90の一方の面に形成されており、空乏層形成体90から発生する電磁波パルスLT1の波長に対応した形成間隔P1で等間隔に並列された複数の並行電極部121を含む受光面電極12と、空乏層形成体90の他方の面に形成されている受光面電極12とを備える。逆バイアス電圧印加回路11は、受光面電極12と裏面電極13とを介して、空乏層形成体90に形成された空乏層を逆バイアス状態とする電圧を印加する。
【選択図】図1
Description
<電磁波発生装置100>
図1は、電磁波発生装置100および検出装置40を示すブロック図である。電磁波発生装置100は、受光した光に応じて電磁波を発生させる電磁波発生素子10、パルス光を出射するフェムト秒レーザ20、パルス光を二次元走査させる二次元走査部30、および、電磁波発生装置100の全体の動作を制御する制御部80を備えている。
図2は、電磁波発生素子10の受光面10Aを示す平面図である。また、図3は、電磁波発生素子10の裏面10Bを示す平面図である。また、図4は、電磁波発生素子10の概略断面図である。
次に、図7を参照しつつ、電磁波パルス発生の流れについて説明する。なお、以下に説明する電磁波パルス発生の流れは、一例であり、適宜変更可能である。
図8は、第2実施形態に係る電磁波発生素子10aの受光面10aA示す部分平面図である。なお、以下の説明において、第1実施形態の場合と同様の機能を有する要素については同一符号を付してその説明を省略する。
図9は、第3実施形態に係る電磁波発生素子10bの概略を示す部分側面図である。本実施形態では、裏面電極13bが、複数の対向電極部131を有している。各対向電極部131は、並行電極部121と対向する位置に設けられており、相互に間隔をあけて形成されている。なお、図示を省略するが、各々の対向電極部131は、他の位置にある電極部分によって電気的に接続されている。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
100 電磁波発生装置
10A,10aA 受光面
10B,10Bb 裏面
11 逆バイアス電圧印加回路
12,12a 受光面電極
121 並行電極部
123 交差電極部
13 裏面電極
131 対向電極部
14 p型シリコン層
15 n型シリコン層
16 反射防止膜
17 pn接合部
200 光照射部
20 フェムト秒レーザ
30 二次元走査部
40 検出装置
80 制御部
90 空乏層形成体
LP1 パルス光
LT1 電磁波パルス
P1 形成間隔
Claims (12)
- パルス光の照射に応じて、電磁波パルスを発生させる電磁波発生素子であって、
p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、
前記空乏層形成体の一方の面に形成されており、前記空乏層形成体から発生する前記電磁波の波長に対応した形成間隔で等間隔に並列された複数の並行電極部を含む受光面電極と、
前記空乏層形成体の他方の面に形成されている裏面電極と、
を備える電磁波発生素子。 - 請求項1に記載の電磁波発生素子において、
前記受光面電極および前記裏面電極を介して、前記空乏層を逆バイアス状態とする電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路、
をさらに備える電磁波発生素子。 - 請求項1または2に記載の電磁波発生素子において、
前記受光面電極は、前記並行電極部に交差するとともに、前記形成間隔に一致する間隔で等間隔に並列された複数の交差電極部、をさらに含む電磁波発生素子。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の電磁波発生素子において、
前記裏面電極が、前記並行電極部と対向するとともに、相互に間隔をあけて形成される複数の対向電極部を含む電磁波発生素子。 - 請求項1から4までのいずれか1項に記載の電磁波発生素子において、
前記形成間隔が、0.3mm以上30mm以下である電磁波発生素子。 - 請求項1から4までのいずれか1項に記載の電磁波発生素子において、
前記形成間隔が、0.6mm以上3mm以下である電磁波発生素子。 - 平面状に電磁波を発生させる電磁波発生装置であって、
p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されており、前記空乏層形成体から発生する前記電磁波の波長に対応した形成間隔で等間隔に並列された複数の並行電極部を含む受光面電極と、前記空乏層形成体の他方の面に形成されている裏面電極と、を有する電磁波発生素子と、
前記電磁波発生素子に向けてパルス光を照射する光照射部と、
前記受光面電極と前記裏面電極とを介して、前記空乏層形成体に形成された空乏層を逆バイアス状態とするための電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路と、
を備える電磁波発生装置。 - 請求項7に記載の電磁波発生装置において、
前記光照射部は、前記パルス光を前記電磁波発生素子に対して走査させる走査部、を備える電磁波発生装置。 - 請求項8に記載の電磁波発生装置において、
前記走査部は、複数の前記並行電極部のそれぞれに沿う位置に前記パルス光を照射するとともに、前記形成間隔と一致する間隔毎に、所要時間の間、前記パルス光を照射する電磁波発生装置。 - 平面状に電磁波を発生させる電磁波発生方法であって、
(a) パルス光を出射するステップと、
(b) 前記光を、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されている受光面電極と、他方の面に形成されている裏面電極と、を備える電磁波発生素子に対して照射して、前記電磁波発生素子から電磁波を平面状に発生させるステップと、
を含み、
前記(b)ステップは、
(b-1) 前記受光面電極と前記裏面電極とを介して、前記空乏層形成体に形成された空乏層を逆バイアス状態とするための電圧を印加するステップ、を含む電磁波発生方法。 - 請求項10に記載の電磁波発生方法において、
前記(b)ステップは、
(b-2) 前記電磁波発生素子に対して、前記パルス光を走査させるステップ、を含む電磁波発生方法。 - 請求項11に記載の電磁波発生方法において、
前記(b-2)ステップは、複数の前記並行電極部のそれぞれに沿う位置に前記パルス光を照射するとともに、前記形成間隔と一致する間隔毎に、所要時間の間、前記パルス光を照射するステップである電磁波発生方法。
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