JP2013122041A - 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が満足できるレジスト組成物に用いるポリマーを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物の（共）重合体。

［式（Ｉ）中、Ｌ^１は単結合、＊−Ｘ^１−等を表す。Ｌ^２は＊−Ａ^５−Ｘ^７−Ａ^６−等を表す。環Ｗ^１は芳香族環を表す。環Ｗ^２は脂肪族環等を表す。Ｒ^１はヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ^２はアルキル基、アルコキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ^３はハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。ｓ及びｔは０〜２の整数を表す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、化合物、樹脂、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関する。

特許文献１には、以下に示す、式（ｕ−Ａ）で表される構造単位を有する樹脂が記載されている。

特開２０１０−２５６８７５号公報

従来から知られる上記レジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕式（Ｉ）で表される化合物。

［式（Ｉ）中、
Ｌ^１は、単結合、＊−Ｘ^１−、＊−Ｘ^２−Ａ^１−、＊−Ｘ^３−Ａ^２−Ｘ^４−又は＊−Ｘ^５−Ａ^３−Ｘ^６−Ａ^４−（＊は、Ｏとの結合手を表す。）を表す。
Ｌ^２は、＊−Ａ^５−Ｘ^７−Ａ^６−、＊−Ａ^７−Ｘ^８−Ａ^８−Ｘ^９−、＊−Ａ^９−Ｘ^１０−Ａ^１０−Ｘ^１１−Ａ^１１−又は＊−Ａ^１２−（＊は、環Ｗ^１との結合手を表す。）を表す。
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６、Ｘ^７、Ｘ^８、Ｘ^９、Ｘ^１０及びＸ^１１は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ａ^１１及びＡ^１２は、それぞれ独立に、酸素原子又は−ＣＯ−Ｏ−を表す。
環Ｗ^１は、炭素数６〜１８の芳香族環を表す。
環Ｗ^２は、炭素数４〜１８の脂肪族環を表し、前記脂肪族環を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、前記脂肪族環に含まれるメチレン基の少なくとも１つは、カルボニル基に置き換わっている。
Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^２は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基を表す。
Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２のとき、複数存在するＲ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２のとき、複数存在するＲ^２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。］

〔２〕前記Ｌ^１が、＊−ＣＨＲ^４−（Ｒ^４は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。＊は、Ｏとの結合手を表す。）である前記〔１〕記載の化合物。
〔３〕前記Ｌ^２が、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）である前記〔１〕又は〔２〕記載の化合物。
〔４〕前記Ｗ^１が、ベンゼン環である前記〔１〕〜〔３〕のいずれか記載の化合物。
〔５〕前記〔１〕〜〔４〕のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
〔６〕さらに、酸に不安定な基を有するモノマー（但し、前記式（Ｉ）で表される化合物ではない）に由来する構造単位を有する前記〔５〕記載の樹脂。

〔７〕前記酸に不安定な基を有するモノマーが、式（ａ１−１）で表されるモノマー又は式（ａ１−２）で表されるモノマーである前記〔６〕記載の樹脂。

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

〔８〕ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を、さらに有する前記〔５〕〜〔７〕のいずれか記載の樹脂。
〔９〕前記ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーが、式（ａ２−１）で表されるモノマーである前記〔８〕記載の樹脂。

［式（ａ２−１）中、
Ｌ^ａ３は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ２−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ１４は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ１５及びＲ^ａ１６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。］

〔１０〕前記〔５〕〜〔９〕のいずれか記載の樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
〔１１〕前記酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される前記〔１０〕記載のレジスト組成物。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^ｂ１は、単結合又は２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

〔１２〕式（Ｂ１）におけるＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である前記〔１１〕記載のレジスト組成物。
〔１３〕さらに、塩基性化合物を含有する前記〔１０〕〜〔１２〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔１４〕（１）前記〔１０〕〜〔１３〕のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明の化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物を用いれば、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）に優れたレジストパターンを製造できる。

本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。脂肪族炭化水素基のうち、アルキル基のように直鎖状又は分岐状をとることができるものは、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、「Ｃ」に付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。
さらに、本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。
炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。
炭化水素基は、その一部に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基（飽和炭化水素基）が好ましい。

脂肪族炭化水素基のうち１価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基（Ｃ_１）、エチル基（Ｃ_２）、プロピル基（Ｃ_３）、ブチル基（Ｃ_４）、ペンチル基（Ｃ_５）、ヘキシル基（Ｃ_６）、ヘプチル基（Ｃ_７）、オクチル基（Ｃ_８）、デシル基（Ｃ_１０）、ドデシル基（Ｃ_１２）、ヘキサデシル基（Ｃ_１４）、ペンタデシル基（Ｃ_１５）、ヘキシルデシル基（Ｃ_１６）、ヘプタデシル基（Ｃ_１７）及びオクタデシル基（Ｃ_１８）などが挙げられる。
脂肪族炭化水素基のうち２価のものとしては、アルキル基から水素原子を１個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。

脂環式炭化水素基は、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれも包含する。
脂環式炭化水素基のうち１価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式（ＫＡ−１）〜（ＫＡ−７）で表されるシクロアルカンの水素原子を１個取り去った基である。

多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式（ＫＡ−８）〜（ＫＡ−２２）で表されるシクロアルカンの水素原子を１個取り去った基である。

脂環式炭化水素基のうち２価のものとしては、式（ＫＡ−１）〜式（ＫＡ−２２）の脂環式炭化水素から水素原子を２個取り去った基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基（Ｃ_１）、エトキシ基（Ｃ_２）、プロポキシ基（Ｃ_３）、ブトキシ基（Ｃ_４）、ペンチルオキシ基（Ｃ_５）、ヘキシルオキシ基（Ｃ_６）、ヘプチルオキシ基（Ｃ_７）、オクチルオキシ基（Ｃ_８）、デシルオキシ基（Ｃ_１０）及びドデシルオキシ基（Ｃ_１２）などが挙げられる。
アシル基としては、アセチル基（Ｃ_２）、プロピオニル基（Ｃ_３）、ブチリル基（Ｃ_４）、バレリル基（Ｃ_５）、ヘキサノイル基（Ｃ_６）、ヘプタノイル基（Ｃ_７）、オクタノイル基（Ｃ_８）、デカノイル基（Ｃ_１０）及びドデカノイル基（Ｃ_１２）などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基（Ｃ_７）などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。

アラルキル基としては、ベンジル基（Ｃ_７）、フェネチル基（Ｃ_８）、フェニルプロピル基（Ｃ_９）、ナフチルメチル基（Ｃ_１１）及びナフチルエチル基（Ｃ_１２）などが挙げられる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基（Ｃ_６）、ナフチルオキシ基（Ｃ_１０）、アントリルオキシ基（Ｃ_１４）、ビフェニルオキシ基（Ｃ_１２）、フェナントリルオキシ基（Ｃ_１４）及びフルオレニルオキシ基（Ｃ_１３）などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基（Ｃ_６）、ナフチル基（Ｃ_１０）、アントリル基（Ｃ_１４）、ビフェニル基（Ｃ_１２）、フェナントリル基（Ｃ_１４）及びフルオレニル基（Ｃ_１３）などが挙げられる。
芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。該アルキル基は、脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、該アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。

＜式（Ｉ）で表される化合物（以下「化合物（Ｉ）」という場合がある）＞
本発明の化合物（Ｉ）は、式（Ｉ）で表される。

［式（Ｉ）中、
Ｌ^１は、単結合、＊−Ｘ^１−、＊−Ｘ^２−Ａ^１−、＊−Ｘ^３−Ａ^２−Ｘ^４−又は＊−Ｘ^５−Ａ^３−Ｘ^６−Ａ^４−（＊は、Ｏとの結合手を表す。）を表す。
Ｌ^２は、＊−Ａ^５−Ｘ^７−Ａ^６−、＊−Ａ^７−Ｘ^８−Ａ^８−Ｘ^９−、＊−Ａ^９−Ｘ^１０−Ａ^１０−Ｘ^１１−Ａ^１１−又は＊−Ａ^１２−（＊は、環Ｗ^１との結合手を表す。）を表す。
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６、Ｘ^７、Ｘ^８、Ｘ^９、Ｘ^１０及びＸ^１１は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ａ^１１及びＡ^１２は、それぞれ独立に、酸素原子又は−ＣＯ−Ｏ−を表す。
環Ｗ^１は、炭素数６〜１８の芳香族環を表す。
環Ｗ^２は、炭素数４〜１８の脂肪族環を表し、前記脂肪族環を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、前記脂肪族環に含まれるメチレン基の少なくとも１つは、カルボニル基に置き換わっている。
Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^２は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基を表す。
Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２のとき、複数存在するＲ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２のとき、複数存在するＲ^２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。］

Ｌ^１に含まれる２価の炭素数１〜６のアルカンジイル基としては、直鎖状アルカンジイル基又は分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；及び、該直鎖状アルキレン基に、アルキル基（好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基）の側鎖を有したもの、例えば、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｌ^１に含まれる＊−Ｘ^２−Ａ^１−（＊は、Ｏとの結合手を表す。）としては、例えば、＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−等が挙げられる。
Ｌ^１に含まれる＊−Ｘ^３−Ａ^２−Ｘ^４−としては、例えば、＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−、＊−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−等が挙げられる。
Ｌ^１に含まれる＊−Ｘ^５−Ａ^３−Ｘ^６−Ａ^４−としては、例えば、＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−等が挙げられる。
Ｌ^１は、単結合又は＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。
Ｌ^２に含まれる＊−Ａ^５−Ｘ^７−Ａ^６−としては、例えば、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−等が挙げられる。
Ｌ^２に含まれる＊−Ａ^７−Ｘ^８−Ａ^８−Ｘ^９−としては、例えば、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−、＊−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−等が挙げられる。
Ｌ^２に含まれる＊−Ａ^９−Ｘ^１０−Ａ^１０−Ｘ^１１−Ａ^１１−としては、例えば、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−等が挙げられる。
Ｌ^２に含まれる＊−Ａ^１２−としては、例えば、＊−ＣＯ−Ｏ−等が挙げられる。
Ｌ^２は、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ_２−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることがより好ましく、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましい。

環Ｗ^１で表される炭素数６〜１８の芳香族環とは、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等、アントラセン環が挙げられ、ベンゼン環が好ましい。
環Ｗ^２で表される炭素数４〜１８の飽和炭化水素環としては、下記の環が挙げられ、式（Ｗ^２−ａ）で表される環又は式（Ｗ^２−ｂ）で表される環が好ましい。

Ｒ^１及びＲ^２で表される炭素数１〜６のアルキル基としては、すでに例示したものを含み、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^２で表される炭素数１〜６のアルコキシ基としては、すでに例示したものを含み、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基などが挙げられる。

Ｒ^２で表される炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びペンチルオキシカルボニル基などが挙げられる。
Ｒ^３のハロゲン原子は、すでに例示したものを含む。
Ｒ^３の「ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基」のうち、アルキル基はＲ^１などで説明したとおりである。かかるアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されたものが、ハロゲン原子を有する炭素数１〜６のアルキル基に該当する。ハロゲン原子を有するアルキル基の中では、フッ素原子を有するアルキル基が好ましく、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置換されたペルフルオロアルキル基がさらに好ましい。このペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。

式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。

ここに示す式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−２４）でそれぞれ表される化合物（Ｉ）において、以下に示す部分構造Ｍを、以下に示す部分構造Ａに置き換えたものも化合物（Ｉ）の具体例として挙げることができる。

式（Ｉ）において、例えば、Ｌ^１が、＊−ＣＨＲ^４−（＊はＯとの結合手を表す。）、Ｌ^２が、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−（＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）である化合物（Ｉ）［式（ＩＡ）で表される化合物］は、以下の製造方法によって製造することができる。

［式中、環Ｗ^１、環Ｗ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｓ及びｔは、それぞれ上記と同じ意味を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

式（ＩＡ−ａ）で表される化合物と式（ＩＡ−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ＩＡ−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。

［Ｙ^１及びＹ^２は、ハロゲン原子を表す。］
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。Ｙ^１とＹ^２とはそれぞれ異なっていてもよいが、ともに塩素原子であることが好ましい。

式（ＩＡ−ａ）で表される化合物としては、以下で表される化合物などが挙げられる。

式（ＩＡ−ｂ）で表される化合物としては、以下で表される化合物などが挙げられる。

また、式（ＩＡ−ｃ）で表される化合物として、以下で表される化合物は、市場より容易に入手することが出来る。

式（ＩＡ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＡ−ｄ）で表される化合物とを触媒の存在下、溶媒中で反応させることにより、式（ＩＡ−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。触媒としては、ピリジン等が挙げられる。

式（ＩＡ−ｄ）で表される化合物としては、以下で表される化合物などが挙げられる。

式（ＩＡ−ｅ）で表される化合物を溶媒中で還元することにより、式（ＩＡ−ｆ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。

式（ＩＡ）で表される化合物は、式（ＩＡ−ｆ）で表される化合物と式（ＩＡ−ｇ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。

［Ｙ^３は、ハロゲン原子又は（メタ）アクリロイルオキシ基を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。］
触媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリジンなどが挙げられる。
溶剤としては、例えば、メチルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
式（ＩＡ−ｇ）で表される化合物としては、（メタ）アクリル酸クロライド、（メタ）アクリル酸無水物等が挙げられる。

式（Ｉ）において、また、例えば、Ｌ^１が、＊−ＣＨ_２−（＊はＯとの結合手を表す。）、Ｌ^２が、＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）である式（ＩＢ）で表される化合物の製造方法を下記に示す。

［式中、環Ｗ^１、環Ｗ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｓ及びｔは、それぞれ上記と同じ意味を表す。］

式（ＩＢ−ａ）で表される化合物と式（ＩＢ−ｂ）で表される化合物を溶剤中で、反応させることにより、式（ＩＢ−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。

式（ＩＢ−ａ）で表される化合物としては、以下で表される化合物などが挙げられる。

式（ＩＢ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＢ−ｄ）で表される化合物を、溶媒中で反応させることにより、式（ＩＢ−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。

式（ＩＢ−ｄ）で表される化合物としては、以下で表される化合物などが挙げられる。

式（ＩＢ−ｅ）で表される化合物を溶媒中で還元することにより、式（ＩＢ−ｆ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。還元剤としては、リチウムアルミニウムハイドライド等が挙げられる。

式（ＩＢ）で表される化合物は、式（ＩＢ−ｆ）で表される化合物と式（ＩＢ−ｇ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。

［Ｙ^２は、ハロゲン原子又は（メタ）アクリロイルオキシ基を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。］
触媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリジンなどが挙げられる。
溶剤としては、例えば、メチルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
式（ＩＢ−ｇ）で表される化合物としては、（メタ）アクリル酸クロライド、（メタ）アクリル酸無水物等が挙げられる。

化合物（Ｉ）及び後述する当該化合物（Ｉ）に由来の構造単位を有する樹脂は、新規化合物であり、特に、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有する樹脂は、該樹脂を含有するレジスト組成物を用いることにより、形状に優れたレジストパターンを製造できるという効果を発現する。

＜樹脂＞
本発明の樹脂は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を含む。
レジスト組成物に用いる本発明の樹脂は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位に加え、さらに、酸に不安定な基を有するモノマー、特に、（メタ）アクリルモノマーに由来する構造単位を有することが好ましい。ただし、酸に不安定な基を有するモノマーは、式（Ｉ）で表される化合物ではない。以下、化合物（Ｉ）に由来する構造単位と、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位とを有する樹脂を「樹脂（Ａ）」という場合がある。
この樹脂（Ａ）は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であることが好ましく、さらに、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることがより好ましい。

「酸の作用によりアルカリに溶解し得る」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
このような酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂（Ａ）は、化合物（Ｉ）と、酸に不安定な基を有するモノマー（以下「酸不安定モノマー（ａ１）」という場合がある）とを重合することによって製造することができる。かかる樹脂（Ａ）の製造において、酸不安定モノマー（ａ１）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ａ）において、該樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対する式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位の含有割合は１〜５０モル％の範囲が好ましく、３〜４５モル％の範囲がより好ましく、５〜４０モル％の範囲がさらに好ましい。

＜酸不安定モノマー（ａ１）＞
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が脱離することで、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式（１）で表される基（酸不安定基（１））又は式（２）で表される基（酸不安定基（２））などが挙げられる。

［式（１）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の複素環基を形成し、前記炭化水素基及び２価の炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３のアルキル基及び脂環式炭化水素基の具体例は、炭素数が各々の範囲で、すでに例示したものを含む。該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数３〜１６である。

Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^ａ１）（Ｒ^ａ２）（Ｒ^ａ３）基としては、下記の基が挙げられる。

該２価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１２である。

酸不安定基（１）としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^ａ３がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２がアルキル基であり、Ｒ^ａ３がアダマンチル基である基）などが挙げられる。
Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。これらの具体例は各々の炭素数の範囲で、すでに例示したものを含む。
Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’が結合して形成する２価の複素環基は、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２が結合して形成する２価の炭化水素基の１つの炭素原子が１つの酸素原子と置き換わったものが挙げられる。
好ましくは、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’のうち少なくとも１つが水素原子である。

酸不安定基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。

酸不安定モノマー（ａ１）は、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂（Ａ）を用いることにより、より一層解像度に優れたレジスト組成物を得ることができる。
酸不安定基モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーである。
酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有する（メタ）アクリルモノマーとして、好ましくは式（ａ１−１）で表されるモノマー及び式（ａ１−２）で表されるモノマーが挙げられる。樹脂（Ａ）の製造において、これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）においては、Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、好ましくは、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−（ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。）であり、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基の具体例は炭素数１〜８の範囲において、すでに例示するものを含むが、Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７の脂環式炭化水素基の具体例は炭素数３〜１０の範囲において、すでに例示するものを含むが、該脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下、より好ましくは６以下である。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は、好ましくは０又は１である。

式（ａ１−１）で表されるモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

式（ａ１−２）で表されるモノマーとしては、例えば、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）及び式（ａ１−２−９）、式（ａ１−２−１０）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）又は式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が式（ａ１−１）で表されるモノマー及び／又は式（ａ１−２）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％であり、さらに好ましくは３０〜６０モル％である。

他のモノマー（ａ１）としては、例えば、式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−５）」という場合がある）を用いてもよい。

［式（ａ１−５）中、
Ｒ^３１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^ａ１は、単結合又は＊−［ＣＨ_２］_ｋ４−ＣＯ−Ｌ^ａ４−を表す。ここで、ｋ４は１〜４の整数を表す。＊は、Ｌ^ａ１との結合手を表す。
Ｌ^ａ１、Ｌ^ａ２、Ｌ^ａ３及びＬ^ａ４は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３の整数を表す。
ｓ１’は、０〜３の整数を表す。］

式（ａ１−５）においては、Ｒ³¹は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ^ａ１は、酸素原子が好ましい。
Ｌ^ａ２及びＬ^ａ３は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ^ａ１は、単結合又は＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

モノマー（ａ１−５）としては、以下のモノマーが挙げられる。

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜９５モル％が好ましく、３〜９０モル％がより好ましく、５〜８５モル％がさらに好ましい。
樹脂（Ａ）は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位及び酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位に加えて、酸に不安定な基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）に由来する構造単位を有していることが好ましい。この場合の樹脂（Ａ）が有する酸安定モノマーに由来する構造単位は、１種であっても、２種以上であってもよい。
樹脂（Ａ）が、化合物（Ｉ）と、酸不安定モノマー（ａ１）と、酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位は、樹脂（Ａ）の全構造単位において、好ましくは１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％である。また、アダマンチル基を有する酸不安定モノマー（ａ１）（特に、式（ａ１−１）で表されるモノマー）に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位の合計に対して１５モル％以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、該樹脂（Ａ）を含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）」という場合がある）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）」という場合がある）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）含有するレジスト組成物によれば、優れた解像度でレジストパターンを製造でき、後述するレジストパターンの製造において、塗布膜又は組成物層の基板に対する密着性が良好になる傾向がある。

＜ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）＞
本発明のレジスト組成物が、ＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）あるいは電子線又はＥＵＶ光などの高エネルギー線照射に用いられる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、該レジスト組成物に含有する樹脂（Ａ）は、好ましくは、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２−０）、例えばヒドロキシスチレン類を使用して製造されたものである。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などに用いられる場合は、該レジスト組成物に含有する樹脂（Ａ）は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用して製造されたものである。この場合の樹脂（Ａ）の製造には、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−０）で表されるｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^ａ３０は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^ａ３１は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^ａ３１は互いに同一であるか相異なる。］

Ｒ^ａ３０及びＲ^ａ３１におけるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^ａ３０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ３０及びＲ^ａ３１におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒ^ａ３０は、好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数１又は２のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基等が挙げられ、好ましくは、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数１又は２のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。
Ｒ^ａ３１のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
Ｒ^ａ３１のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。
ｍａは、好ましくは、０〜２であり、より好ましくは、０又は１であり、さらに好ましくは、０である。

このようなフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）は、フェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマー及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸又は塩基で脱保護することによって製造することができる。樹脂（Ａ）は、酸不安定基モノマー（ａ１）に由来する構造単位を有しているので、保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基を脱保護する際には、該酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により、脱保護することが好ましい。保護基としては、例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、４−ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。

フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６３４号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−０−１）及び式（ａ２−０−２）で表されるモノマーが好ましい。樹脂（Ａ）を製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。

樹脂（Ａ）が式（ａ２−０）で表されるスチレン系モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜９０モル％であり、好ましくは１０〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％である。

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。

［式（ａ２−１）中、
Ｌ^ａ３は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ２−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ１４は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ１５及びＲ^ａ１６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。
式（ａ２−１）では、Ｌ^ａ３は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｆ１−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^ａ１４は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ１５は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^ａ１６は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。］

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常３〜４５モル％であり、好ましくは５〜４０モル％であり、より好ましくは５〜３５モル％であり、さらに好ましくは５〜１５モル％である。

＜ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）＞
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される。樹脂（Ａ）の製造の際には、これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

［式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、
Ｌ^ａ４〜Ｌ^ａ６は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−を表す。
ｋ３は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ１８〜Ｒ^ａ２０は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ２１は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^ａ２２及びＲ^ａ２３は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｐ１、ｑ１又はｒ１が２以上のとき、それぞれ、複数のＲ^ａ２１、Ｒ^ａ２２又はＲ^ａ２３は、互いに同一であるか相異なる。
式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中の、Ｌ^ａ４〜Ｌ^ａ６としては、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。）であることが好ましく、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^ａ１８〜Ｒ^ａ２１は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ２２及びＲ^ａ２３は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。］

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）、式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ３−１−１）又は式（ａ３−２−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）がラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。

＜その他のモノマー（ａ４）＞
樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマー（以下「モノマー（ａ４）」という場合がある）に由来する構造単位を有していてもよい。
かかるモノマー（ａ４）としては、例えば、フッ素原子を有する式（ａ４−１）で表される化合物（以下、「モノマー（ａ４−１）」という場合がある）などが挙げられる。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^４１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^４１は、式（ａ４−ｇ１）で表される基を表す。

（式（ａ４−ｇ１）中、
ｓｓは０〜２の整数を表す。
Ａ^４０及びＡ^４３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
ｓｓが２のとき、複数存在するＡ^４０は、互いに同一であるか相異なる。
Ｘ^４０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
ｓｓが２のとき、複数存在するＸ^４０は、互いに同一であるか相異なる。）
Ｒ^４２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

基（ａ４−ｇ１）は、Ｘ^４０のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等の原子又は原子団を含むことがある２価の基である。ただし、基（ａ４−ｇ１）において、ｓｓが０である場合、この基（ａ４−ｇ１）はＡ^４３となる。
Ａ^４０及びＡ^４３の脂肪族炭化水素基の具体例は、炭素数１〜５の範囲ですでに例示したアルカンジイル基又は２価の脂環式炭化水素基を含むが、これらの中でも、Ａ^４０及びＡ^４３は、炭素数１〜５のアルカンジイル基が好ましく、炭素数１〜４のアルカンジイル基がさらに好ましく、エチレン基が特に好ましい。

酸素原子を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

カルボニル基を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

カルボニルオキシ基を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

オキシカルボニル基を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

Ａ^４１としては、式（ａ４−ｇ１）においてｓｓが０であり、Ａ^４３が炭素数１〜５のアルカンジイル基であるものが好ましく、炭素数１〜４のアルカンジイル基がさらに好ましく、エチレン基が特に好ましい。
Ｒ^４２のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基は、部分的に炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、炭素−炭素不飽和結合を有さない飽和のものが好ましい。脂肪族飽和炭化水素基としては、アルキル基（直鎖及び分岐状）及び脂環式炭化水素基、並びにアルキル基及び脂環式炭化水素基を組み合わせた脂肪族炭化水素基などが挙げられ、これらの基の含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されている。なお、アルキル基及び脂環式炭化水素基の具体例はそれぞれの炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。

Ｒ^４２がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、Ａ^４１がエチレン基である化合物（ａ４−１）は、以下の式（ａ４−１−１）〜式（ａ４−１−２２）でそれぞれ表されるモノマー（ａ４−１）が挙げられる。

Ｒ^４２のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基は、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子で置換されたペルフルオロアルキル基（例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基など）、シクロアルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子で置換されたペルフルオロシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒ^４２が、ペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基である化合物は、上述の式（ａ４−１−３）、式（ａ４−１−４）、式（ａ４−１−７）、式（ａ４−１−８）、式（ａ４−１−１１）、式（ａ４−１−１２）、式（ａ４−１−１５）、式（ａ４−１−１６）、式（ａ４−１−１９）、式（ａ４−１−２０）、式（ａ４−１−２１）及び式（ａ４−１−２２）のいずれかで表される化合物が該当する。
Ｒ^４２としては、ペルフルオロアルキル基が好ましい。さらに好ましくは、炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。

Ｒ^４２は、酸素原子を含む基で中断されていてもよい。この場合の好ましいＲ^４２は、例えば、式（ａ−ｇ２）で表される。

［式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^１３は、炭素数１〜１８の２価の脂肪族炭化水素基を表し、Ａ^１４は、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表すが、Ａ^１３及びＡ^１４の炭素数の合計は１８以下である。Ａ^１３及びＡ^１４のうち少なくとも一方がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基である。
Ｘ^１２は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。］

式（ａ−ｇ２）において、Ａ^１３の２価の脂肪族炭化水素基は典型的には、アルカンジイル基又は２価の脂環式炭化水素基であり、当該アルカンジイル基及び２価の脂環式炭化水素基は、上述のとおりフッ素原子を有することもある。なお、当該アルカンジイル基及び２価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は置換基に置換されていてもよく、その場合の置換基は好ましくは、フッ素原子以外のハロゲン原子である。一方、Ａ^１４の脂肪族炭化水素基は典型的には、アルキル基又は１価の脂環式炭化水素基であり、当該アルキル基及び１価の脂環式炭化水素基は、上述のとおりフッ素原子を有することもある。なお、当該アルキル基及び２価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は置換基に置換されていてもよく、その場合の置換基は好ましくは、フッ素原子以外のハロゲン原子である。Ａ^１３及びＡ^１４は少なくも一方がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるが、中でも、Ａ^１３がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であると好ましい。

＊−Ａ^１３−Ｘ^１２−Ａ^１４（＊はカルボニル基との結合手である）としては、好ましくは、以下の構造が挙げられる。

Ｒ^４２が、式（ａ−ｇ２）で表される基であるモノマー（ａ４−１）としては、以下の式（ａ４−１’）で表されるもの（以下、「モノマー（ａ４−１’）」という場合がある）が挙げられる。

［式（ａ４−１’）中、
全ての符号はいずれも、上記と同じ意味である。］

モノマー（ａ４−１’）において、上述のとおり、Ａ^１４がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるものが好ましく、そのなかでも、フッ素原子を有するアルカンジイル基であるものがより好ましく、ペルフルオロアルカンジイル基であるものがさらに好ましい。「ペルフルオロアルカンジイル基」とは、水素原子の全部がフッ素原子に置換されたアルカンジイル基をいう。

Ａ^１３がペルフルオロアルカンジイル基であり、Ａ^４１がエチレン基であるモノマー（ａ４−１’）としては、以下の式（ａ４−１’−１）〜式（ａ４−１’−２２）で表される化合物が挙げられる。

Ａ^１３及びＡ^１４の炭素数は、これらの合計が１７以下である範囲で任意に選択されるが、Ａ^１３の炭素数は１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。
Ａ^１４の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましい。さらに好ましいＡ^１４は、炭素数６〜１２の脂環式炭化水素基であり、シクロヘキシル基及びアダマンチル基が特に好ましい。
樹脂（Ａ）がモノマー（ａ４−１）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常、１〜２０モル％であり、２〜１５モル％が好ましく、３〜１０モル％がより好ましい。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位、式（Ｉ）で表される化合物とは異なる酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）及びシクロへキシル基を有するモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種（さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１））であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはヒドロキシスチレンを有する酸安定モノマー（ａ２−０）又はヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。
樹脂（Ａ）の構造単位の好ましい構成比としては、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位：式（Ｉ）で表される化合物とは異なる酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）：ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）：その他のモノマー（ａ４）＝１〜５０：２０〜６０：３０〜７０：１〜２０（好ましくは、３〜４５：２５〜５５：３５〜６５：２〜１５、より好ましくは、５〜４０：２５〜５０：３５〜６５：３〜１０）である。

樹脂（Ａ）の構造単位のより好ましい構成比としては、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位：式（Ｉ）で表される化合物とは異なる酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）：ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）＝１〜５０：２０〜６０：３０〜７０（好ましくは、３〜４５：２５〜５５：３５〜６５、より好ましくは、５〜４０：２５〜５０：３５〜６５）である。
樹脂（Ａ）の構造単位のさらに好ましい構成比としては、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位：式（Ｉ）で表される化合物とは異なる酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）：ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）：ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）＝１〜５０：２０〜６０：３〜３５：２５〜６５（好ましくは、３〜４５：２５〜５５：４〜３０：３０〜６５、より好ましくは、５〜４０：２５〜５０：５〜２５：３５〜６０）である。

樹脂（Ａ）のより好ましい具体例としては、下記（Ａ−１）〜（Ａ−１２）の樹脂が挙げられる。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１０，０００以下）である。この重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、ポリスチレン標準で求めた値であり、その分析条件は本願の実施例に記載する。

＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有する樹脂、好ましくは上述した樹脂（Ａ）と、酸発生剤とを含む。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物を含むことが好ましい。
本発明のレジスト組成物においては、樹脂（Ａ）の含有量は、組成物の固形分中８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤（Ｄ）を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
本発明のレジスト組成物においては、樹脂（Ａ）以外に、さらに、フッ素原子を有するモノマーに由来する構造単位を有する樹脂（Ｘ）を含有していてもよい。ここで、フッ素原子を有するモノマーとしては、上述したモノマー（ａ４−１）が挙げられる。樹脂（Ｘ）は、レジスト組成物において、添加剤樹脂として使用することができる。
なお、樹脂（Ｘ）は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有してもよい。
樹脂（Ｘ）が、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有する場合、酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する他の樹脂を本発明のレジスト組成物に含有させてもよい。

樹脂（Ｘ）が、モノマー（ａ４−１）に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位に対して、７０〜１００モル％が好ましく、８０〜１００モル％がより好ましく、９０〜１００モル％がさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）が、モノマー（ａ４−１）に由来する構造単位及び化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有する場合、樹脂（Ｘ）の構造単位の好ましい構成比としては、モル比基準で、モノマー（ａ４−１）に由来する構造単位：化合物（Ｉ）に由来する構造単位＝７０〜９９：１〜３０であり、好ましくは、８０〜９７：３〜２０であり、より好ましくは、８５〜９９：１〜１５である。
なお、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有する樹脂（Ｘ）をレジスト組成物に含有させる場合に併用する樹脂としては、酸不安定モノマー（ａ１）、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）を重合させた共重合体が好ましい。
本発明のレジスト組成物に含有される樹脂において、樹脂（Ａ）に加えて、樹脂（Ｘ）を含有する場合、樹脂（Ｘ）の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．１〜１０質量％が好ましく、０．３〜５質量％がより好ましく、０．５〜３質量％がさらに好ましい。化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有しない樹脂と、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有する樹脂（Ｘ）を併用する場合は、ここに示した樹脂（Ａ）と樹脂（Ｘ）との含有率において、樹脂（Ａ）を、化合物（Ｉ）に由来する構造単位を有しない樹脂に置き換えればよい。

＜酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）＞
レジスト分野に用いられる酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。本発明のレジスト組成物に含有する酸発生剤（Ｂ）としては、非イオン系酸発生剤であっても、イオン系酸発生剤であっても、それらの組み合わせであってもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。
酸発生剤（Ｂ）としては、レジスト分野で使用される酸発生剤（特に光酸発生剤）だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線（光）によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）で表されるもの（以下、「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある）である。この酸発生剤（Ｂ１）のうち、正電荷を有するＺ^＋は「有機カチオン」といい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」ということがある。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^ｂ１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^１及びＱ^２のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式（Ｂ１）では、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Ｌ^ｂ１の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。これらのアルカンジイル基及び２価の脂環式炭化水素基の具体例は、各々の炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。

Ｌ^ｂ１における前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）のいずれかで示される基が挙げられる。Ｌ^ｂ１は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で示される基である。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）は、その左右を式（Ｂ１）に合わせて記載しており、左側で−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−にある炭素原子と結合し、右側で−Ｙと結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）の具体例も同様である。

［式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）中、
Ｌ^ｂ２は、単結合又は炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ３は、単結合又は炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ４は、炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ３及びＬ^ｂ４の合計炭素数の上限は１３である。
Ｌ^ｂ５は、単結合又は炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ６は、炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ５及びＬ^ｂ６の合計炭素数の上限は１５である。
Ｌ^ｂ７は、単結合又は炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ８は、炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ７及びＬ^ｂ８の合計炭素数の上限は１６である。
Ｌ^ｂ９は、単結合又は炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１０は、炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ９及びＬ^ｂ１０の合計炭素数の上限は１４である。
Ｌ^ｂ１１及びＬ^ｂ１２は、単結合又は炭素数１〜１１の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１３は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ１１、Ｌ^ｂ１２及びＬ^ｂ１３の合計炭素数の上限は１２である。
Ｌ^ｂ１４及びＬ^ｂ１５は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１６は、炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ１４、Ｌ^ｂ１５及びＬ^ｂ１６の合計炭素数の上限は１４である。］

式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−７）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

これらの中でも、Ｌ^ｂ１は、式（ｂ１−１）で表される基が好ましく、Ｌ^ｂ２が単結合又は炭素数１〜６の飽和炭化水素基である式（ｂ１−１）で表される２価の基であることがより好ましい。

Ｙのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２−ジメチルエチル基、プロピル基、１−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−プロピルブチル基、ペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、１−メチルヘプチル基、オクチル基、メチルオクチル基、メチルノニル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
Ｙの脂環式炭化水素基としては、例えば、以下の式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）で表される基が好ましい。
アルキル基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、アルキル基に含まれるメチレン基が酸素原子、カルボニル基又は酸素原子とカルボニル基とに置き換わった基、以下の式（Ｙ１２）〜式（Ｙ２６）で表される基等が挙げられる。

なかでも、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）でそれぞれ表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）及び式（Ｙ１９）でそれぞれ表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）及び式（Ｙ１４）でそれぞれ表される基である。

Ｙにおける脂肪族炭化水素基の置換基は、例えば、ハロゲン原子（但し、フッ素原子を除く）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ_２）_ｊ２−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^ｂ１で表される基（式中、Ｒ^ｂ１は、炭素数１〜１６の炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）などが挙げられる。Ｙの置換基である芳香族炭化水素基及びアラルキル基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基等が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。

Ｙとしては、例えば以下のものが挙げられる。

なかでも、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基がより好ましく、置換基を有していてもよいアダマンチル基がさらに好ましく、アダマンチル基、オキソアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基が特に好ましい。
式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。以下の式において、符号の定義は上記と同じ意味であり、Ｒ^ｂ２及びＲ^ｂ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基（好ましくは、メチル基）を表す。

式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

Ｙが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−ｓ−０）〜式（ｂ１−ｓ−９）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−ｓ−１０）〜式（ｂ１−ｓ−１８）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−ｓ−１９）〜式（ｂ１−ｓ−２９）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙが芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−ｓ−３０）〜式（ｂ１−ｓ−３５）のいずれかで表されるものが挙げられる。

Ｙが、ラクトン環基又はスルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−ｓ−３６）〜式（ｂ１−ｓ−４１）のいずれかで表されるものが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）に含まれるカチオンとしては、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、より好ましくは、以下の式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表される有機カチオン〔以下、各式の番号に応じて、「カチオン（ｂ２−１）」、「カチオン（ｂ２−２）」、「カチオン（ｂ２−３）」及び「カチオン（ｂ２−４）」ということがある。〕である。

［式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^ｂ４〜Ｒ^ｂ６は、互いに独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ^ｂ４、Ｒ^ｂ５及びＲ^ｂ６から選ばれる２つが一緒になって、それらが結合する硫黄原子と共に硫黄原子を含む環を形成してもよい。
Ｒ^ｂ４、Ｒ^ｂ５及びＲ^ｂ６から選ばれる２つが一緒になってそれらが結合する硫黄原子と共に形成してもよい環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数３〜１８の環が好ましく、炭素数４〜１３の環がより好ましい。

Ｒ^ｂ７及びＲ^ｂ８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、互いに独立に０〜５の整数を表す。ｍ２が２以上である場合、複数のＲ^ｂ７は互いに同一であっても異なってもよく、ｎ２が２以上である場合、複数のＲ^ｂ８は互いに同一であっても異なってもよい。

Ｒ^ｂ９及びＲ^ｂ１０は、互いに独立に、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１２）又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（好ましくは、炭素数４〜１２）を表す。
Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とは、互いに結合して硫黄原子を含む３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｒ^ｂ１１は、水素原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１２）、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基（好ましくは、炭素数４〜１２）又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ^ｂ１２は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２は、互いに結合して３員〜１２員（好ましくは３員〜７員）環を形成していてもよく、該環を構成しているメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｒ^ｂ１３〜Ｒ^ｂ１８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^ｂ１１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２及びｔ２は、互いに独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、互いに独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上であるとき、複数のＲ^ｂ１３は互いに同一であっても異なってもよく、ｐ２が２以上であるとき、複数のＲ^ｂ１４は互いに同一であっても異なってもよく、ｑ２が２以上であるとき、複数のＲ^ｂ１５は互いに同一であっても異なってもよく、ｒ２が２以上であるとき、複数のＲ^ｂ１６は互いに同一であっても異なってもよく、ｓ２が２以上であるとき、複数のＲ^ｂ１７は互いに同一であっても異なってもよく、ｔ２が２以上であるとき、複数のＲ^ｂ１８は互いに同一であっても異なってもよい。］

脂肪族炭化水素基としては、アルキル基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１２の脂肪族炭化水素基のうち好ましい基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基である。
Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１１の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基及びイソボルニル基である。

Ｒ^ｂ１２の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基である。
Ｒ^ｂ１２の脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基は、典型的にはアラルキル基であり、具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とが結合してそれらが結合している硫黄原子と共に形成する環としては、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とが結合してそれらが結合している原子と共に形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。

上述の有機カチオンの中でも、カチオン（ｂ２−１）が好ましく、以下の式（ｂ２−１−１）で表される有機カチオン〔以下、「カチオン（ｂ２−１−１）」という場合がある。〕がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２、ｗ２及びｘ２が共に０である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２、ｗ２及びｘ２が共に１であり、Ｒ^ｂ１９、Ｒ^ｂ２０及びＲ^ｂ２１がいずれもメチル基である。）がさらに好ましい。

［式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^ｂ１９、Ｒ^ｂ２０及びＲ^ｂ２１は、互いに独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、Ｒ^ｂ１９、Ｒ^ｂ２０及びＲ^ｂ２１から選ばれる２つが一緒になって単結合、−Ｏ−又は炭素数１〜４の２価の脂肪族炭化水素基を表し、硫黄原子を含む環を形成してもよい。
脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数は１〜１２であり、より好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基であり、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を有していてもよい。
脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数は４〜１８であり、置換基として、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、互いに独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。
ｖ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１９は互いに同一でも異なってもよく、ｗ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ２０は互いに同一でも異なってもよく、ｘ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ２１は互いに同一でも異なってもよい。
なかでも、Ｒ^ｂ１９、Ｒ^ｂ２０及びＲ^ｂ２１は、互いに独立に、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である。］

カチオン（ｂ２−１−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオンが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ１）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン（ｂ１−１−１）〜アニオン（ｂ１−１−９）のいずれかとカチオン（ｂ２−１−１）との組合せ、並びにアニオン（ｂ１−１−１）〜（ｂ１−１−９）のいずれかとカチオン（ｂ２−３）との組合せが挙げられる。
酸発生剤（Ｂ１）としては、好ましくは、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−２４）のいずれかで表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリアリールスルホニウムカチオンを含む塩である式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−１８）、式（Ｂ１−１９）、式（Ｂ１−２０）、式（Ｂ１−２１）、式（Ｂ１−２２）、式（Ｂ１−２３）及び式（Ｂ１−２４）が挙げられる。

本発明のレジスト組成物における酸発生剤（Ｂ）の含有率は、該レジスト組成物に含有される樹脂の総量を基準にして好ましい範囲が定められる。該樹脂が、樹脂（Ａ）である場合、樹脂（Ａ）の総量に対して、酸発生剤（Ｂ）の含有率は、好ましくは１質量％以上（より好ましくは３質量％以上）、好ましくは４０質量％以下（より好ましくは３５質量％以下）である。なお、本発明のレジスト組成物に含まれる樹脂が例えば、樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｘ）の混合物である場合、すでに説明した酸発生剤（Ｂ）の好ましい含有率において、「樹脂（Ａ）の総量」を「樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｘ）」に置き換えればよい。
酸発生剤（Ｂ）は、上述したように、酸発生剤（Ｂ１）とは異なる酸発生剤を含んでいてもよく、この場合は、酸発生剤（Ｂ）の総量における酸発生剤（Ｂ１）の含有割合は、７０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。ただし、本発明のレジスト組成物における酸発生剤（Ｂ）は、実質的に酸発生剤（Ｂ１）のみであることがさらに好ましい。

＜塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）＞
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物（Ｃ）を含むことが好ましい。塩基性化合物（Ｃ）はクエンチャーとして作用する。
塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物（Ｃ）として、好ましくは、式（Ｃ１）で表される化合物〜式（Ｃ８）で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｃ１）中、Ｒ^ｃ１、Ｒ^ｃ２及びＲ^ｃ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

［式（Ｃ１−１）中、Ｒ^ｃ２及びＲ^ｃ３は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^ｃ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^ｃ４は、互いに同一であるか相異なる。］

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、Ｒ^ｃ５、Ｒ^ｃ６、Ｒ^ｃ７及びＲ^ｃ８は、それぞれ独立に、Ｒ^ｃ１と同じ意味を表す。
Ｒ^ｃ９は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアシル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^ｃ９は、互いに同一であるか相異なる。］

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、Ｒ^ｃ１０、Ｒ^ｃ１１、Ｒ^ｃ１２、Ｒ^ｃ１３及びＲ^ｃ１６は、それぞれ独立に、Ｒ^ｃ１と同じ意味を表す。
Ｒ^ｃ１４、Ｒ^ｃ１５及びＲ^ｃ１７は、それぞれ独立に、Ｒ^ｃ４と同じ意味を表す。
ｏ３及びｐ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｏ３又はｐ３が２以上であるとき、それぞれ、複数のＲ^ｃ１４及びＲ^ｃ１５は互いに同一であるか相異なる。
Ｌ^ｃ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、Ｒ^ｃ１８、Ｒ^ｃ１９及びＲ^ｃ２０は、それぞれ独立に、Ｒ^ｃ４と同じ意味を表す。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｑ３、ｒ３及びｓ３が２以上であるとき、それぞれ、複数のＲ^ｃ１８、Ｒ^ｃ１９及びＲ^ｃ２０は互いに同一であるか相異なる。
Ｌ^ｃ２は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基及びアシル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン、４−メチルピリジン等が挙げられる。

式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。
本発明のレジスト組成物に塩基性化合物（Ｃ）を含有する場合、その含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、０．０１〜５質量％程度であり、より好ましく０．０１〜３質量％程度であり、特に好ましく０．０１〜１質量％程度である。

＜溶剤（以下「溶剤（Ｄ）」という場合がある＞
本発明のレジスト組成物は、溶剤（Ｄ）を含有すると、後述するレジストパターンの製造がより容易となるので好ましい。この場合の溶剤（Ｄ）の含有率は、例えばレジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、例えば９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。
溶剤（Ｄ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
溶剤（Ｄ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類等を挙げることができる。溶剤（Ｄ）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

＜その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）＞
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

＜本レジスト組成物及びその調製方法＞
本レジスト組成物は、樹脂（好ましくは、樹脂（Ａ）、又は樹脂（Ａ）と樹脂（Ｘ）との混合物）及び酸発生剤（Ｂ）ならびに必要に応じて用いられる溶剤（Ｄ）、塩基性化合物（Ｃ）又はその他の成分（Ｆ）を混合することで調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤（Ｄ）に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選べばよく、混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。
このように、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）並びに必要に応じて用いられる溶剤（Ｄ）、塩基性化合物（Ｃ）又は成分（Ｆ）の各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。
塗布後の組成物を乾燥させて、溶剤を除去する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤等の揮発成分を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、乾燥された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が例示される。また、圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度が例示される。
得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線や、プラズマから発生される極端紫外光（ＥＵＶ）を照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光光源が電子線の場合は、フォトマスクを使用せずに、所望のパターンを直接描画してもよい。

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）が行われる。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃が好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間が好ましい。
現像液の種類を選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

＜用途＞
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に利用できる。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
実施例において、重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型、カラムは”ＴＳＫｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ”３本、溶媒はテトラヒドロフラン）により下記の条件で求めた値である。
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

実施例１：式（Ｉ−１）で表される化合物の合成

式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物９．４２部、テトラヒドロフラン２８．２６部及びピリジン６．０２部を反応器に仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、０℃まで冷却した。得られた混合物に、同温度を保持したまま、式（Ｉ１−ａ）で表される化合物１４．３６部を、１時間かけて添加した。さらに、温度を１０℃まで上げ、１０℃に到達した時点から、同温度で１時間攪拌した。得られた反応混合物に、酢酸エチル２００部、５％塩酸水溶液１２部及びイオン交換水１００部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置後、分液した。回収された有機層に、イオン交換水１００部を加え、２３℃で３０分間攪拌した後、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｉ１−ｃ）で表される化合物９．８２部を得た。

式（Ｉ１−ｃ）で表される化合物６．１９部及びアセトニトリル１８．５７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、水素化ホウ素ナトリウム０．３６部及びイオン交換水５．３２部を仕込み、５℃で３時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水３０部及び酢酸エチル１００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層にイオン交換水３０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した後、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物３．８８部を得た。

式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物２．０４部、Ｎ−メチルピロリジン１．８３部、メチルイソブチルケトン２０部を仕込み、攪拌下、式（Ｉ１−ｅ）で表される化合物０．７７部を添加し、６０℃で５時間攪拌した。その後、反応マスにイオン交換水１０部を添加、攪拌後、分液水洗を行った。この水洗の操作を５回行った。回収された有機層を濃縮後、カラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ、展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｉ−１）で表される化合物１．２４部を得た。
ＭＳ：４００．２

実施例２：式（Ｉ−１５）で表される化合物の合成

式（Ｉ１５−ａ）で表される塩１０．００部及びアセトニトリル６０部を仕込み、４０℃で３０分間攪拌し、式（Ｉ１５−ｂ）で表される化合物１０．７９部を仕込み、６０℃で１時間攪拌することにより、式（Ｉ１５−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。

得られた式（Ｉ１５−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、式（Ｉ１５−ｄ）で表される化合物８．６３部を仕込み、２３℃で１時間攪拌した後、さらに、７０℃で１８時間攪拌した。得られた反応マスに、酢酸エチル２００部及びイオン交換水１００部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を５回行った。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｉ１５−ｅ）で表される化合物１２．１１部を得た。

テトラヒドロフラン６２．５部に、５℃で、リチウムアルミニウムハイドライド１．５９部を仕込み、その後、式（Ｉ１５−ｅ）１２．０４部及びテトラヒドロフラン３７．５部の混合溶液を、５℃で１時間かけて滴下した後、２３℃で１２時間攪拌した。さらに、５０℃で２時間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、１０％硫酸２４．５４部を滴下した後、クロロホルム２００部及び５％炭酸水素ナトリウム水溶液１００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層にイオン交換水１００部を加え、２３℃で３０分間攪拌した後、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｉ１５−ｆ）で表される化合物９．２８部を得た。

式（Ｉ１５−ｆ）で表される化合物１．７７部、Ｎ−メチルピロリジン１．８３部、メチルイソブチルケトン２０部を仕込み、攪拌下、式（Ｉ１５−ｇ）で表される化合物０．７７部を添加し、６０℃で５時間攪拌した。その後、反応マスにイオン交換水１０部を添加、攪拌後、分液水洗を行った。この水洗の操作を５回行った。回収された有機層を濃縮後、カラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ、展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｉ−１５）で表される化合物１．０２部を得た。
ＭＳ：３５６．１

樹脂の合成
樹脂［樹脂（Ａ）など］の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを、それぞれ「モノマー（ａ１−１−１）」、「モノマー（ａ１−１−２）」、「モノマー（ａ２−１−１）」、「モノマー（ａ３−１−１）」、「モノマー（Ｍ−Ａ）」、「モノマー（Ｉ−１）」及び「モノマー（Ｉ−１５）」という。

実施例３〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマー（ａ１−１−１）７．０３部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（ａ２−１−１）３．５５部、モノマー（Ｉ−１）６．０１部に１，４−ジオキサン３１．１８部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３２４．３２部とイオン交換水８１．０８部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン３．１２部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．２２部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が４．３×１０^３の共重合体２０．４１部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−１）、ｐ−ヒドロキシスチレン、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（Ｉ−１）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とする。

実施例４〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマー（ａ１−１−２）７．４５部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（ａ２−１−１）１．７７部、モノマー（ａ３−１−１）１．２８部、モノマー（Ｉ−１）６．０１部に１，４−ジオキサン３１．１１部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３２３．５３部とイオン交換水８０．８８部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン３．１１部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．２２部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が４．３×１０^３の共重合体２０．４４部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−２）、ｐ−ヒドロキシスチレン、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（Ｉ−１）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２とする。

実施例５〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマー（ａ１−１−１）８．１１部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（Ｉ−１）５．５５部に１，４−ジオキサン２８．２６部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．７３部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール２９３．８９部とイオン交換水７３．４７部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．８３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．０１部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が４．４×１０^３の共重合体２０．８９部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−１）、ｐ−ヒドロキシスチレン及びモノマー（Ｉ−１）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ３とする。

実施例６〔樹脂Ａ４の合成〕
モノマー（ａ１−１−２）７．４５部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（ａ２−１−１）１．７７部、モノマー（ａ３−１−１）１．２８部、モノマー（Ｉ−１５）５．３５部に１，４−ジオキサン３０．４５部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３２０部とイオン交換水８０部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン３．１１部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．２２部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が４．５×１０^３の共重合体１９．８８部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−２）、ｐ−ヒドロキシスチレン、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（Ｉ−１５）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ４とする。

合成例１〔樹脂Ａ５の合成〕
モノマー（ａ１−１−１）８．１１部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（Ｍ−Ａ）６．１８部に１，４−ジオキサン２８．９０部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．７３部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３００．５２部とイオン交換水７５．１３部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．８９部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸２．０６部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が４．５×１０^３の共重合体２１．４９部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−１）、ｐ−ヒドロキシスチレン及びモノマー（Ｍ−Ａ）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ５とする。

実施例７〜１０及び比較例１
＜レジスト組成物の調製＞
実施例３〜６及び合成例１で得られた樹脂Ａ１〜樹脂Ａ５；
以下に示す酸発生剤Ｂ１−１１；
以下に示す塩基性化合物Ｃ１；
の各々を表１に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１：実施例３で得られた樹脂Ａ１
Ａ２：実施例４で得られた樹脂Ａ２
Ａ３：実施例５で得られた樹脂Ａ３
Ａ４：実施例６で得られた樹脂Ａ４
Ａ５：合成例１で得られた樹脂Ａ５
＜酸発生剤＞
Ｂ１−１１：

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ１：

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １００部
γ−ブチロラクトン ５部

（電子線照射によるレジストパターンの製造及びその評価）
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理し、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が０．０６μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」欄に示す温度で６０秒間プリベークして、組成物層を形成した。このように組成物層を形成したそれぞれのウェハに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

＜ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）＞
８０ｎｍのラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量で得られたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅（ＬＥＲ）が、
４．５ｎｍ以下であるものを○、
４．５ｎｍを超えるものを×とした。
以上のようにして求められたラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）の結果を、上述の水準評価で表し、かつ、カッコ内にＬＥＲ（ｎｍ）を数値で記した。その結果を表２に示す。

本発明の化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物を用いれば、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）に優れたレジストパターンを製造できる。

Claims (14)

1. 式（Ｉ）で表される化合物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｌ^１は、単結合、＊−Ｘ^１−、＊−Ｘ^２−Ａ^１−、＊−Ｘ^３−Ａ^２−Ｘ^４−又は＊−Ｘ^５−Ａ^３−Ｘ^６−Ａ^４−（＊は、Ｏとの結合手を表す。）を表す。
   Ｌ^２は、＊−Ａ^５−Ｘ^７−Ａ^６−、＊−Ａ^７−Ｘ^８−Ａ^８−Ｘ^９−、＊−Ａ^９−Ｘ^１０−Ａ^１０−Ｘ^１１−Ａ^１１−又は＊−Ａ^１２−（＊は、環Ｗ^１との結合手を表す。）を表す。
   Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６、Ｘ^７、Ｘ^８、Ｘ^９、Ｘ^１０及びＸ^１１は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
   Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ａ^１１及びＡ^１２は、それぞれ独立に、酸素原子又は−ＣＯ−Ｏ−を表す。
   環Ｗ^１は、炭素数６〜１８の芳香族環を表す。
   環Ｗ^２は、炭素数４〜１８の脂肪族環を表し、前記脂肪族環を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、前記脂肪族環に含まれるメチレン基の少なくとも１つは、カルボニル基に置き換わっている。
   Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｒ^２は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基を表す。
   Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
   ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２のとき、複数存在するＲ^１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
   ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２のとき、複数存在するＲ^２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
2. 前記Ｌ^１が、＊−ＣＨＲ^４−（Ｒ^４は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。＊は、Ｏとの結合手を表す。）である請求項１記載の化合物。
3. 前記Ｌ^２が、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）である請求項１又は２記載の化合物。
4. 前記環Ｗ^１が、ベンゼン環である請求項１〜３のいずれか記載の化合物。
5. 請求項１〜４のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
6. さらに、酸に不安定な基を有するモノマー（但し、前記式（Ｉ）で表される化合物ではない）に由来する構造単位を有する請求項５記載の樹脂。
7. 前記酸に不安定な基を有するモノマーが、式（ａ１−１）で表されるモノマー又は式（ａ１−２）で表されるモノマーである請求項６記載の樹脂。
   

   

   ［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
   Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
   Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
   ｍ１は０〜１４の整数を表す。
   ｎ１は０〜１０の整数を表す。
   ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
8. さらに、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する請求項５〜７のいずれか記載の樹脂。
9. 前記ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーが、式（ａ２−１）で表されるモノマーである請求項８記載の樹脂。
   

   

   ［式（ａ２−１）中、
   Ｌ^ａ３は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ２−ＣＯ−Ｏ−を表し、
   ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
   Ｒ^ａ１４は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^ａ１５及びＲ^ａ１６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
   ｏ１は、０〜１０の整数を表す。］
10. 請求項５〜９のいずれか記載の樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
11. 前記酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される請求項１０記載のレジスト組成物。
    

    

    ［式（Ｂ１）中、
    Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
    Ｌ^ｂ１は、単結合又は２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
    Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
    Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］
12. 式（Ｂ１）におけるＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である請求項１１記載のレジスト組成物。
13. さらに、塩基性化合物を含有する請求項１０〜１２のいずれか記載のレジスト組成物。
14. （１）請求項１０〜１３のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
    （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
    （３）組成物層に露光する工程、
    （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
    （５）加熱後の組成物層を現像する工程
    を含むレジストパターンの製造方法。