JP2013121112A - 個体撮像装置および撮像装置、並びに撮像方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大きな光量の露光により垂直レジスタに蓄積された電荷による画像の劣化を抑制する。
【解決手段】光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部に蓄積された電荷が読み出しゲート部を介して読み出され、読み出しゲート部を介して読み出された電荷が垂直レジスタに転送され、垂直レジスタに保持された電荷が、画素分離のために設けられているチャンネルストップ部を介して、センサ部の隣の他のセンサ部に転送され、基板に捨てられる。
【選択図】図９

Description

本技術は個体撮像装置および撮像装置、並びに撮像方法に関し、特に大きな光量の露光により垂直レジスタに蓄積された電荷による画像の劣化を抑制するようにした個体撮像装置および撮像装置、並びに撮像方法に関する。

固体撮像装置（イメージセンサ）として、CCD（Charge Coupled Device）固体撮像装置が知られている。CCD固体撮像装置は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、さらにカメラ付き携帯電話機などの各種の撮像装置に用いられている。

図１は、従来の画素の構成を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。

これらの図に示されるように、CCD撮像装置１においては、基板１１の上面に２酸化珪素（SiO2）よりなる絶縁膜２１が形成されている。そして絶縁膜２１の下側には、画素毎に、センサ部（ＰＤ）１７、読み出しゲート部（ＲＯＧ）１８、垂直レジスタ（Ｖreg）１９、チャンネルストップ部（ＣＳ）２０が形成されている。

垂直レジスタ１９の上方の絶縁膜２１の上面には、ポリ電極１６が形成され、その上に金属配線１４が形成されている。そしてこれらのポリ電極１６と金属配線１４は、絶縁膜１５により被覆されている。さらに絶縁膜１５は金属遮光膜１２により被覆されている。

金属遮光膜１２のセンサ部１７に対向する部分には、開口部１３が形成されている。この開口部１３から光が入射し、フォトダイオードからなるセンサ部１７が入射光量に対応する電荷を発生し、蓄積する。

図３は、読み出し時のタイミングを表すタイミングチャートであり、図４は、読み出し時の画素部のポテンシャルの変化を表す図であり、図５は垂直レジスタのポテンシャルの変化を表す図である。以下、これらの図を参照して、読み出し時の動作について説明する。いま、Ｖ６相駆動で垂直の２画素の出力を加算する駆動モードでの読み出し、すなわち４／６ライン読み出しを行うものとする。

図３に示されるように、垂直方向に配列されている各画素の電極Ｖ１乃至Ｖ６のうち、最初に電極Ｖ１に読み出しパルスが印加された後、電極Ｖ５に読み出しパルスが印加される。なお、金属遮光膜１２には０Ｖの定電圧が、そして基板１１には７Ｖの定電圧が、それぞれ供給されている。

電極Ｖ５の読み出しが開始されると、図４のその直後の時刻ｔ１のタイミングに示されるように、センサ部１７−１の電荷が、隣接する読み出しゲート部１８を介して垂直レジスタ１９に読み出される。

この読み出しが、時刻ｔ２において完了すると、図４の時刻ｔ２のタイミングに示されるように、電荷が垂直レジスタ１９に保持される。

電極Ｖ５に対する読み出しパルスの供給が終了した後の時刻ｔ３においては、読み出しゲート部１８のポテンシャルが低下する（図４において上方向に遷移する）。

図５に示されるように、時刻ｔ１で電極Ｖ５から垂直レジスタ１９に読み出された電荷は、時刻ｔ２において電極Ｖ６，Ｖ１に対応する位置に転送され、時刻ｔ３においては、さらに電極Ｖ２に対応する位置に転送される。

このような動作が繰り返され、電荷が垂直レジスタ１９内を順次転送され、水平レジスタからさらに水平方向に転送される。しかし、電荷量が多いと、電極Ｖ３，Ｖ４まで電荷が溢れる。

ところで、このような画素信号を読み出す前に、垂直レジスタ１９に蓄積した不要電荷を高速に掃き出すことが提案されている（例えば特許文献１）。

すなわち、撮像装置を使用していない期間においては、垂直レジスタ１９に電圧が印加されていないので、垂直レジスタ１９に不要な電荷が溜まることになる。この垂直レジスタ１９に溜まった不要な電荷を掃き出しておかないと、その不要な電荷が少なくとも１フレーム目の撮像画像に現れてしまう。そこで掃き出し処理を行う必要がある。

特開２００２−１０１３４４号公報

しかしながら、提案されている方法は、露光期間の前に、不要電荷の一部を基板に掃き出し、その電荷量を少なくした上で、さらに高速の掃き出し処理を行うものである。その結果、大きな光量の露光により垂直レジスタに蓄積された電荷による画像の劣化を抑制することができない。

本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、大きな光量の露光により垂直レジスタに蓄積された電荷による画像の劣化を抑制するものである。

本技術の一側面は、光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部と、前記センサ部に蓄積された前記電荷を読み出す読み出しゲート部と、前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を転送する垂直レジスタと、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせるチャンネルストップ部とを備える固体撮像装置である。

前記チャンネルストップ部の前記電荷の転送をゲートするゲート電極は、光を前記センサ部に入射させる開口部を有し、光が前記垂直レジスタに入射するのを防止する遮光膜とすることができる。

前記センサ部に蓄積された前記電荷を前記垂直レジスタに読み出すための読み出しパルスの印加期間中であって、前記電荷の前記垂直レジスタへの読み出しが完了した後、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する前記他のセンサ部に転送するために、前記遮光膜にパルスを印加させるとともに、前記垂直レジスタから隣接する前記他のセンサ部に転送された前記電荷を前記基板に捨てさせるために、前記基板にシャッタパルスを印加させることができる。

前記遮光膜に印加される前記パルスは、前記チャンネルストップ部のポテンシャルが、前記垂直レジスタの駆動信号の最大値より深くなり、かつ、飽和信号量を確保できる大きさに設定させることができる。

本技術の他の側面は、光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部と、前記センサ部に蓄積された前記電荷を読み出す読み出しゲート部と、前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を転送する垂直レジスタと、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせるチャンネルストップ部とを備える撮像装置である。

本技術のさらに他の側面は、光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部に蓄積された前記電荷を読み出しゲート部を介して読み出し、前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を垂直レジスタに転送し、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部にチャンネルストップ部を介して転送し、基板に捨てさせる撮像方法である。

本技術の一側面においては、光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部に蓄積された電荷が読み出しゲート部を介して読み出され、読み出しゲート部を介して読み出された電荷が垂直レジスタに転送され、垂直レジスタに保持された前記電荷が隣接する他のセンサ部にチャンネルストップ部を介して転送され、基板に捨てられる。

以上のように、本技術の一側面によれば、大きな光量の露光により垂直レジスタに蓄積された電荷による画像の劣化を抑制することができる。

従来の画素の構成を示す平面図である。 図１のＡ−Ｂ線断面図である。 読み出し時のタイミングを表すタイミングチャートである。 読み出し時の画素部のポテンシャルの変化を表す図である。 垂直レジスタのポテンシャルの変化を表す図である。 本技術の固体撮像装置の一実施の形態の全体の構成を示す図である。 画素配置の例を示す図である。 本技術の画素の構成を示す平面図である。 図８のＡ−Ｂ線断面図である。 読み出し時のタイミングを表すタイミングチャートである。 読み出し時の画素部のポテンシャルの変化を表す図である。 垂直レジスタのポテンシャルの変化を表す図である。 本技術の撮像装置の一実施の形態の構成を示すブロック図である。

以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態(個体撮像装置)
（１）固体撮像装置の全体の構成
（２）撮像エリアの構成
（３）動作
２．第２の実施の形態（撮像装置）
３．その他

第１の実施の形態(個体撮像装置)
［固体撮像装置の全体の構成］

図６は、本技術の固体撮像装置１０１の一実施の形態の全体の構成を示す図である。撮像エリア１１４は、複数のセンサ部１１１、センサ部１１１に対応する読み出しゲート部１１２、および垂直レジスタ１１３により構成されている。

センサ部１１１は、図６の垂直方向および水平方向にマトリックス状に配列され、入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する。読み出しゲート部１１２は、対応するセンサ部１１１の信号電荷を垂直レジスタ１１３に読み出す。垂直レジスタ１１３は垂直方向に設けられ、対応する垂直方向のセンサ部１１１から読み出しゲート部１１２を介して読み出された信号電荷を垂直転送する。

この撮像エリア１１４において、センサ部１１１は例えばＰＮ接合のフォトダイオードを有している。このセンサ部１１１に蓄積された信号電荷は、読み出しゲート部１１２に後述する読み出しパルスが印加されることにより垂直レジスタ１１３に読み出される。CCDにより構成される垂直レジスタ１１３は、例えば６相の垂直転送クロックφＶ１〜φＶ６によって転送駆動され、読み出された信号電荷を水平ブランキング期間の一部にて１走査線（１ライン）に相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。

撮像エリア１１４の図面上の下側には、水平レジスタ１１５が配されている。この水平レジスタ１１５には、複数本の垂直レジスタ１１３から１ラインに相当する信号電荷が順次転送される。水平レジスタ１１５は、例えば２相の水平転送クロックφＨ１，φＨ２によって転送駆動され、複数本の垂直レジスタ１１３から移された１ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。

水平レジスタ１１５の転送先の端部には、例えばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷電圧変換部１１６が設けられている。この電荷電圧変換部１１６は、水平レジスタ１１５によって水平転送されてきた信号電荷を順次電圧信号に変換して出力する。この電圧信号は、被写体からの光の入射量に応じたCCD出力OUTとして導出される。以上により、インターライン転送方式のCCD固体撮像装置である固体撮像装置１０１が構成されている。

タイミングジェネレータ１１７は、垂直転送クロックφＶ１〜φＶ６と水平転送クロックφＨ１，φＨ２を発生する。

［撮像エリアの構成］

図７は、画素配置の例を示す図である。撮像エリア１１４のセンサ部１１１により構成される画素は、図７に示されるように、ベイヤー配列とされている。Ｖ１〜Ｖ６は、垂直転送クロックφＶ１〜φＶ６が供給される垂直レジスタ１１３の電極を表している。上から順番に、電極Ｖ１〜Ｖ６に対応する水平方向の画素が配列され、この配列が繰り返されている。

電極Ｖ１，Ｖ３，Ｖ５に対応する水平方向の画素は、左から順番に、Ｇｂ，Ｂ，Ｇｂ，Ｂ，・・・とされ、電極Ｖ２，Ｖ４，Ｖ６に対応する水平方向の画素は、左から順番に、Ｒ，Ｇｒ，Ｒ，Ｇｒ，・・・とされている。Ｒ，Ｂは、それぞれ赤または青の色信号を出力する画素であり、Ｇｂ，Ｇｒは、それぞれ緑の色信号を出力する画素である。

次に、図８と図９を参照して、センサ部１１１により構成される画素のより詳細な構成について説明する。図８は、画素の構成を示す平面図であり、図９は図８のＡ−Ｂ線断面図である。

なお、図８と図９においては、画素２１０をより詳細に説明するために、左右に隣接する２つの画素２１０を、画素２１０−１，２１０−２と表している。そしてそれらを構成する各部にも、その符号に−１，−２を付加して区別する。それらを個々に区別する必要が無い場合には、符号の−１，−２は省略する。

これらの図に示されるように、個体撮像装置１０１においては、例えばＮ型の半導体基板からなる基板２１１の上面に、２酸化珪素（SiO2）よりなる絶縁膜２１８が形成されている。絶縁膜２１８の下側には、画素毎に、センサ部（ＰＤ）１１１、読み出しゲート部（ＲＯＧ）１１２、垂直レジスタ（Ｖreg）１１３、チャンネルストップ部（ＣＳ）２１７が形成されている。

センサ部１１１はフォトダイオードを有し、入射光量に対応する電荷を発止し、蓄積する。読み出しゲート部１１２は、対応するセンサ部１１１により蓄積された電荷を読み出し、垂直レジスタ１１３に転送する。垂直レジスタ（Ｖreg）１１３はセンサ部１１１より供給された電荷を水平レジスタ１１５に向けて転送する。チャンネルストップ部２１７は、隣接する画素との分離を行う。

垂直レジスタ１１３の上方の絶縁膜２１８の上面には、垂直レジスタ１１３の電極である、例えばポリシリコンよりなる電極２１６が形成され、その上に信号を伝送する金属配線２１４が形成されている。そしてこれらの電極２１６と金属配線２１４は、絶縁膜２１５により被覆されている。さらに絶縁膜２１５は例えばアルミニウム等の金属からなる遮光膜２１２により被覆され、光が入射しないようになされている。

遮光膜２１２のセンサ部１１１に対向する部分には、開口部２１３が形成されている。この開口部２１３から光がフォトダイオードからなるセンサ部１１１に入射される。

図８と図９において、図中右側に位置する画素２１０−１は、センサ部１１１−１、読み出しゲート部１１２−１、垂直レジスタ１１３−１、チャンネルストップ部２１７−１、電極２１６−１、金属配線２１４−１、絶縁膜２１５−１、遮光膜２１２−１を有している。また、画素２１０−１の遮光膜２１２−１は、そのチャンネルストップ部２１７−１を覆うように、隣接する画素２１０−２の方向（図９の左方向）に延びるゲート電極部２１２Ａ−１を有している。

同様に、図８と図９において、図中左側に位置する画素２１０−２は、センサ部１１１−２、読み出しゲート部１１２−２、垂直レジスタ１１３−２、チャンネルストップ部２１７−２、電極２１６−２、金属配線２１４−２、絶縁膜２１５−２、遮光膜２１２−２を有している。また、画素２１０−２の遮光膜２１２−２は、そのチャンネルストップ部２１７−２を覆うように、隣接する画素２１０−３（図示せず）の方向（図９の左方向）に延びるゲート電極部２１２Ａ−２を有している。

遮光膜２１２は、図８と図９の図中左側にゲート電極２１２Ａを有するので、その左側（チャンネルストップ部２１７側）の幅Ｗ_Ｌは、右側（センサー部１１１側）の幅Ｗ_Ｒより広くなっている。

［動作］

次に、図１０乃至図１２を参照して、読み出し動作について説明する。

図１０は、読み出し時のタイミングを表すタイミングチャートであり、図１１は、読み出し時の画素２１０のポテンシャルの変化を表す図であり、図１２は垂直レジスタ１１３のポテンシャルの変化を表す図である。以下、これらの図を参照して、読み出し時の動作について説明する。いま、Ｖ６相駆動で垂直の２画素の出力を加算する駆動モードでの読み出し、すなわち４／６ライン読み出しを行うものとする。

図１０に示されるように、垂直方向に配列されている画素の電極Ｖ１乃至Ｖ６のうち、最初に電極Ｖ１において時刻ｔ１から時刻ｔ２まで読み出しパルスが印加され、対応するセンサ部１１１の電荷が読み出される。その後、電極Ｖ５において、時刻ｔ３から時刻ｔ７まで読み出しパルスが印加され、対応するセンサ部１１１の電荷が読み出される。図７に示されるように、電極Ｖ１の画素と、それに加算される電極Ｖ５の画素は、同じ色の画素である。それぞれは一方が緑（Ｇｂ）（または青（Ｂ））であれば、他方も緑（Ｇｂ）（または青（Ｂ））である。

電極Ｖ５における時刻ｔ３から開始された電荷の読み出しは、時刻ｔ５までに完了するものとする。この実施の形態においては、読み出しが完了する時刻ｔ５より後の時刻であって、読み出しパルスが終了する時刻ｔ７より前の時刻ｔ６において、遮光膜２１２により構成されるゲート電極２１２Ａに、例えば０〜１３Ｖの電圧が所定の期間印加される。さらに同じタイミングで、基板２１１に例えば２０Ｖのシャッタパルス、つまり電荷を基板２１１に掃き出すためのパルスが印加される。

これらのパルスの印加のタイミングが、信号電荷が完全に読み出される時刻ｔ５より早いと、信号混色や信号消失のおそれがある。また、パルスの印加のタイミングが、読み出しパルスの終了得時刻ｔ７より遅いと、信号電荷が垂直レジスタ１１３から溢れるおそれがある。そこで、これらのパルスの印加のタイミングは、時刻ｔ５より遅く、時刻ｔ７より早い時刻とされる。

時刻ｔ３において電極Ｖ５の読み出しが開始されると、図１１に、その直後の時刻ｔ４のタイミングで示されるように、センサ部１１１−１の電荷が、隣接する読み出しゲート部１１２−１を介して垂直レジスタ１１３−１に読み出される。

この読み出しが、時刻ｔ５において完了すると、図１１の時刻ｔ５のタイミングに示されるように、読み出された電荷が垂直レジスタ１１３−１に蓄積される。

時刻ｔ６において遮光膜２１２（すなわちゲート電極２１２Ａ）と基板２１１にパルスが印加されると、図１１の時刻ｔ６のタイミングに示されるように、チャンネルストップ部２１７−１のポテンシャルが上昇し（図１１において下方に遷移し）、基板２１１のポテンシャルも上昇する。

遮光膜２１２に印加されるパルスの大きさは、チャンネルストップ部２１７−１のポテンシャルが、垂直レジスタ１１３−１の駆動信号の最大値より深くなり、かつ、飽和信号量を確保できる大きさになるように設定される。その結果、読み出しパルスが終了した時刻ｔ７より後の時刻ｔ８においては、図１１に示されるように、読み出しゲート部１１２−１のポテンシャルが低下し（図１１において上方向に遷移し）、余剰電荷が隣接するセンサ部１１１−２を介して基板２１１に掃き出される。ここで余剰電荷は、ポテンシャルＶＬより深く、チャンネルストップ部２１７−１のポテンシャルＶcsより浅い範囲の電荷である。

なお、図１２において、時刻ｔ４では、電極Ｖ２，Ｖ３のポテンシャルがＶＬ、電極Ｖ１，Ｖ６のポテンシャルがＶＭ、電極Ｖ５のポテンシャルがＶＴ、電極Ｖ４のポテンシャルがＶＬである。この状態は、時刻ｔ５，ｔ６においても同様である。

時刻ｔ８では、電極Ｖ３のポテンシャルがＶＬ、電極Ｖ２，Ｖ１，Ｖ６，Ｖ５のポテンシャルがＶＭ、電極Ｖ４のポテンシャルがＶＬである。この状態は、時刻ｔ９においても同様である。

これらのポテンシャルＶＬ，ＶＭ，ＶＴは、それぞれ図１０の駆動信号の図中最も下側の値、中間の値、および最も上側の値にそれぞれ対応する。

このようにして、大きな光量の露光により垂直レジスタに蓄積された電荷による画像の劣化を抑制することができる。つまり、垂直レジスタ１１３に溜まった不要電荷が撮像画像に現れることが抑制される。

電極Ｖ５に対する読み出しパルスが終了し、さらに遮光膜２１２と基板２１１に対するパルスが終了した後の時刻ｔ９においては、チャンネルストップ部２１７−１のポテンシャルが元のレベルまで浅くなる（図１１において上方向に遷移する）。基板２１１のポテンシャルも元のレベルまで浅くなる。

図１２に示されるように、時刻ｔ４において電極Ｖ５で垂直レジスタ１１３−１に読み出された電荷は、時刻ｔ５，ｔ６において電極Ｖ６，Ｖ１に対応する位置に転送され、時刻ｔ８，ｔ９においては、さらに電極Ｖ２に対応する位置に転送される。

このような動作が繰り返され、電荷が垂直レジスタ１９内を順次転送され、水平レジスタ１１５に転送される。そして水平レジスタ１１５によりさらに水平方向に転送され、電荷電圧変換部１１６により信号電圧に変換され、外部に出力される。

＜第２の実施の形態＞
［撮像装置］

図１３は、本技術の撮像装置の実施の形態の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、この撮像装置３０１は、光学系３１１、個体撮像装置３１２、信号処理部３１３、記録再生部３１４、記録部３１５、および制御部３１６により構成されている。撮像装置３０１は、ビデオカメラ、デジタルカメラなどの他、カメラ付きの携帯電話機やスマートフォンなどを構成する。

光学系３１１はレンズ等を含み、被写体からの光を集光し、個体撮像装置３１２に入射する。個体撮像装置３１２は、上述した個体撮像装置２０１と同様の構成を有し、光学系３１１からの光に対応する画像信号を生成し、信号処理部３１３に出力する。信号処理部３１３は、個体撮像装置３１２からの画像信号を処理し、記録部３１５に記録するのに適した信号を生成する。記録再生部３１４は、信号処理部３１３から供給された信号を記録部３１５に供給し、記録させる。記録再生部３１４はまた、記録部３１５に記録された信号を再生し、図示せぬ表示部に出力する。記録部３１５は、ハードディスク、半導体メモリなどの記録媒体により構成される。制御部３１６は例えばマイクロプロセッサなどにより構成され、ユーザからの指令に応じて各部を制御する。

なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

［その他］

本技術は、以下のような構成もとることができる。

（１）
光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部と、
前記センサ部に蓄積された前記電荷を読み出す読み出しゲート部と、
前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を転送する垂直レジスタと、
画素分離のために設けられているとともに、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせるチャンネルストップ部と
を備える固体撮像装置。
（２）
前記チャンネルストップ部の前記電荷の転送をゲートするゲート電極は、光を前記センサ部に入射させる開口部を有し、光が前記垂直レジスタに入射するのを防止する遮光膜である
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記センサ部に蓄積された前記電荷を前記垂直レジスタに読み出すための読み出しパルスの印加期間中であって、前記電荷の前記垂直レジスタへの読み出しが完了した後、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する前記他のセンサ部に転送するために、前記遮光膜にパルスが印加されるとともに、前記垂直レジスタから隣接する前記他のセンサ部に転送された前記電荷を前記基板に捨てさせるために、前記基板にシャッタパルスが印加される
前記（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記遮光膜に印加される前記パルスは、前記チャンネルストップ部のポテンシャルが、前記垂直レジスタの駆動信号の最大値より深くなり、かつ、飽和信号量を確保できる大きさに設定される
前記（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部と、
前記センサ部に蓄積された前記電荷を読み出す読み出しゲート部と、
前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を転送する垂直レジスタと、
画素分離のために設けられているとともに、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせるチャンネルストップ部と
を備える撮像装置。
（６）
光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部に蓄積された前記電荷を読み出しゲート部を介して読み出し、
前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を垂直レジスタに転送し、
前記垂直レジスタに保持された前記電荷を、画素分離のために設けられているチャンネルストップ部を介して、前記センサ部の隣の他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせる
撮像方法。

１０１ 個体撮像装置， １１１，１１１−１，１１１−２ センサ部， １１２，１１２−１，１１２−２ 読み出しゲート部， １１３，１１３−１，１１３−２ 垂直レジスタ， １１４ 撮像エリア， １１５ 水平レジスタ， １１６ 電荷電圧変換部， ２１０−１，２１０−２ 画素， ２１１ 基板， ２１２−１，２１２−２ 遮光膜， ２１３−１，２１３−２ 開口部， ２１４−１，２１４−２ 金属配線， ２１６−１，２１６−２ ポリシリコン電極， ２１７−１，２１７−２ チャンネルストップ部， ２１８ 絶縁膜

Claims (6)

1. 光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部と、
   前記センサ部に蓄積された前記電荷を読み出す読み出しゲート部と、
   前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を転送する垂直レジスタと、
   画素分離のために設けられているとともに、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせるチャンネルストップ部と
   を備える固体撮像装置。
2. 前記チャンネルストップ部の前記電荷の転送をゲートするゲート電極は、光を前記センサ部に入射させる開口部を有し、光が前記垂直レジスタに入射するのを防止する遮光膜である
   請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記センサ部に蓄積された前記電荷を前記垂直レジスタに読み出すための読み出しパルスの印加期間中であって、前記電荷の前記垂直レジスタへの読み出しが完了した後、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する前記他のセンサ部に転送するために、前記遮光膜にパルスが印加されるとともに、前記垂直レジスタから隣接する前記他のセンサ部に転送された前記電荷を前記基板に捨てさせるために、前記基板にシャッタパルスが印加される
   請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記遮光膜に印加される前記パルスは、前記チャンネルストップ部のポテンシャルが、前記垂直レジスタの駆動信号の最大値より深くなり、かつ、飽和信号量を確保できる大きさになるように設定される
   請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部と、
   前記センサ部に蓄積された前記電荷を読み出す読み出しゲート部と、
   前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を転送する垂直レジスタと、
   画素分離のために設けられているとともに、前記垂直レジスタに保持された前記電荷を隣接する他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせるチャンネルストップ部と
   を備える撮像装置。
6. 光を受光し、対応する電荷を蓄積するマトリックス状に配置されたセンサ部に蓄積された前記電荷を読み出しゲート部を介して読み出し、
   前記読み出しゲート部を介して読み出された前記電荷を垂直レジスタに転送し、
   前記垂直レジスタに保持された前記電荷を、画素分離のために設けられているチャンネルストップ部を介して、前記センサ部の隣の他のセンサ部に転送し、基板に捨てさせる
   撮像方法。

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