JP2013119510A - Method for processing glass substrate with laser - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which processing of a glass substrate such as drilling or groove forming can be performed more rapidly with a laser.SOLUTION: The method for processing a glass substrate with a laser includes (a) a step of subjecting the glass substrate to laser processing in a state where the glass substrate is heated. When the softening point of the glass substrate is represented by Ts(°C) and the glass transition temperature of the glass substrate by Tg(°C), the glass substrate is subjected to laser processing in a state where the glass substrate is heated at a temperature of Tg or higher to a temperature lower than Ts.

Description

本発明は、レーザを用いてガラス基板を加工する方法に関する。   The present invention relates to a method for processing a glass substrate using a laser.

従来より、レーザを用いて、ガラス基板に凹部、溝、貫通孔、および/または貫通溝などの構造物を形成する技術が知られている。例えば、非特許文献1には、エキシマレーザを用いて、ガラスに孔加工や溝加工を行う方法が記載されている。
が記載されている。
Conventionally, a technique for forming a structure such as a recess, a groove, a through hole, and / or a through groove on a glass substrate using a laser is known. For example, Non-Patent Document 1 describes a method of drilling or grooving glass using an excimer laser.
Is described.

"Excimer Laser Technology",Dick Basting編,LAMBDA PHYSIK出版"Excimer Laser Technology", edited by Dick Basting, published by LAMBDA PHYSIK

前述のように、レーザを用いて、ガラス基板に各種構造物を形成する技術が知られている。しかしながら、ガラス基板のレーザ加工技術の分野では、ガラス基板により効率的に貫通孔および/または貫通溝のような構造物を形成するため、加工速度のさらなる向上に対する要望がある。   As described above, a technique for forming various structures on a glass substrate using a laser is known. However, in the field of laser processing technology for glass substrates, there is a demand for further improvement in processing speed in order to efficiently form structures such as through holes and / or through grooves with glass substrates.

本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、レーザを用いて、より迅速にガラス基板を加工することが可能な方法の提供を目的とする。   This invention is made | formed in view of such a background, and this invention aims at provision of the method which can process a glass substrate more rapidly using a laser.

本発明では、レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、
(a)ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程
を有する、方法が提供される。
In the present invention, a method of processing a glass substrate using a laser,
(A) A method is provided that includes a step of performing laser processing on the glass substrate while the glass substrate is heated.

ここで、本発明による方法では、前記(a)の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の軟化点をTs(℃)としたとき、室温よりも高く軟化点Ts未満の温度に加熱されても良い。   Here, in the method according to the present invention, in the step (a), when the softening point of the glass substrate is Ts (° C.), the glass substrate is heated to a temperature higher than room temperature and lower than the softening point Ts. May be.

また、本発明による方法では、前記(a)の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板のガラス転移温度をTg(℃)としたとき、Tg以上でTsよりも低い温度に加熱されても良い。   In the method according to the present invention, in the step (a), the glass substrate may be heated to a temperature higher than Tg and lower than Ts when the glass transition temperature of the glass substrate is Tg (° C.). good.

また、本発明による方法では、前記(a)の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の屈伏点をTd(℃)としたとき、Tg〜Tdの範囲の温度に加熱されても良い。   In the method according to the present invention, in the step (a), the glass substrate may be heated to a temperature in the range of Tg to Td, where Td (° C.) is the yield point of the glass substrate.

また、本発明による方法において、前記レーザは、波長が400nm以下のレーザであっても良い。   In the method according to the present invention, the laser may be a laser having a wavelength of 400 nm or less.

また、本発明による方法では、前記(a)の工程により、前記ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および非貫通溝からなる群から選定された少なくとも一つの構造物が形成されても良い。   In the method according to the present invention, at least one structure selected from the group consisting of a recess, a through hole, a through groove, a non-through hole, and a non-through groove is formed on the glass substrate by the step (a). It may be formed.

また、本発明による方法では、前記(a)の工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が一つ形成されても良い。   In the method according to the present invention, one of the at least one structures may be formed by performing the step (a) once.

あるいは、本発明による方法では、前記(a)の工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が複数形成されても良い。   Alternatively, in the method according to the present invention, a plurality of the at least one structure may be formed by performing the step (a) once.

また、本発明による方法では、前記ガラス基板の加熱は、加熱手段により行われ、該加熱手段は、レーザ光およびヒーターからなる群から選定された少なくとも一つであっても良い。   In the method according to the present invention, the glass substrate may be heated by a heating unit, and the heating unit may be at least one selected from the group consisting of a laser beam and a heater.

本発明では、レーザを用いて、より迅速にガラス基板を加工することが可能な方法を提供することができる。   In the present invention, a method capable of processing a glass substrate more rapidly using a laser can be provided.

本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一例の概略的なフロー図である。It is a schematic flowchart of an example of the laser processing method of the glass substrate by this invention. 本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の際に使用され得る装置の概略的な構成図である。It is a schematic block diagram of the apparatus which can be used in the case of the laser processing method of the glass substrate by this invention. 実施例1における、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示したグラフである。4 is a graph showing the relationship between the number of shots and the processing depth at each heating temperature in Example 1. 実施例1における加熱温度と加工速度増加率の関係を示したグラフである。3 is a graph showing a relationship between a heating temperature and a processing rate increase rate in Example 1. 実施例2における、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示したグラフである。10 is a graph showing the relationship between the number of shots and the processing depth at each heating temperature in Example 2. 実施例2における加熱温度と加工速度増加率の関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the heating temperature in Example 2, and a processing rate increase rate.

以下、本発明について説明する。   The present invention will be described below.

本発明では、
レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、
(a)ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程
を有する、方法が提供される。
In the present invention,
A method of processing a glass substrate using a laser,
(A) A method is provided that includes a step of performing laser processing on the glass substrate while the glass substrate is heated.

前述のように、レーザを用いたガラス基板の加工の分野においては、加工効率のさらなる向上が求められている。   As described above, in the field of processing a glass substrate using a laser, further improvement in processing efficiency is required.

本発明による方法では、ガラス基板を加熱した状態で、該ガラス基板のレーザ加工が行われるという特徴を有する。この場合、ガラス基板の加熱により原子の結合が切れ易くなり、ガラス基板に対する加工速度を高めることができる。従って、本発明では、レーザによる加工効率を向上させることが可能となる。   The method according to the present invention is characterized in that laser processing of the glass substrate is performed while the glass substrate is heated. In this case, the bonding of atoms can be easily broken by heating the glass substrate, and the processing speed for the glass substrate can be increased. Therefore, in the present invention, it is possible to improve the processing efficiency by the laser.

また、従来のレーザによるガラス基板の加工方法では、室温のガラス基板に対するレーザ照射により、ガラス基板が局部的に加熱される。さらに、その後レーザを非照射とすることにより、ガラス基板の被照射位置が局部的に冷却される。このため、従来の方法では、特に、同じ箇所に対してレーザ照射を繰り返し行う場合(以下、「繰り返し照射加工」という)などにおいて、ガラス基板が熱衝撃を受け、これによりガラス基板にクラックおよび/または割れ等の欠陥が生じる場合がある。特に繰り返し周波数が高い加工の場合は、上記割れ等の欠陥が顕著に発生する場合がある。   Moreover, in the processing method of the glass substrate by the conventional laser, a glass substrate is heated locally by the laser irradiation with respect to the glass substrate of room temperature. Furthermore, the irradiation position of the glass substrate is locally cooled by not irradiating the laser thereafter. Therefore, in the conventional method, particularly when laser irradiation is repeatedly performed on the same portion (hereinafter, referred to as “repetitive irradiation processing”), the glass substrate is subjected to thermal shock, which causes cracks and / or damage to the glass substrate. Or defects such as cracks may occur. In particular, in the case of processing with a high repetition frequency, defects such as cracks may occur remarkably.

さらに、従来のレーザによるガラス基板の加工方法では、同様の理由により、加工後のガラス基板に残留応力が蓄積され易いという問題がある。このため、加工後のガラス基板の保管中に、ガラス基板にクラックおよび/または割れ等の欠陥(いわゆる「後割れ」)が生じる場合がある。   Furthermore, the conventional method for processing a glass substrate using a laser has a problem in that residual stress tends to be accumulated on the processed glass substrate for the same reason. For this reason, during storage of the glass substrate after processing, defects such as cracks and / or cracks (so-called “post-cracking”) may occur in the glass substrate.

これに対して、本発明による方法では、レーザ加工の際にガラス基板が加熱されているため、ガラス基板のレーザ照射位置での局部的な温度上昇、およびその後のガラス基板の急激な温度低下を抑制することができる。従って、本発明による方法では、繰り返し照射加工を行った場合であっても、ガラス基板に局部的な熱衝撃が加わることが抑制され、クラックおよび/または割れ等の発生を有意に抑制することができるという追加の効果が得られる。   On the other hand, in the method according to the present invention, since the glass substrate is heated during the laser processing, a local temperature increase at the laser irradiation position of the glass substrate and a rapid temperature decrease thereafter. Can be suppressed. Therefore, in the method according to the present invention, even when repeated irradiation processing is performed, local thermal shock is suppressed from being applied to the glass substrate, and generation of cracks and / or cracks can be significantly suppressed. An additional effect is possible.

また、本発明による方法では、加工中、ガラス基板が加熱されているため、ガラス基板に残留応力が蓄積されにくい。このため、本発明による方法では、「後割れ」の問題も有意に抑制することができるという追加の効果が得られる。   In the method according to the present invention, since the glass substrate is heated during processing, residual stress is not easily accumulated on the glass substrate. For this reason, the method according to the present invention provides the additional effect that the problem of “post-cracking” can be significantly suppressed.

ここで、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法において、加熱時のガラス基板の温度は、室温より高く、ガラス基板の軟化点Ts未満の範囲であることが好ましい。ガラス基板の温度を軟化点Ts以上の温度まで加熱すると、ガラス基板に反りや変形などが生じる場合がある。また、レーザ照射位置ずれが発生し、加工に大きな問題が生じるおそれがある。   Here, in the laser processing method for a glass substrate according to the present invention, the temperature of the glass substrate during heating is preferably higher than room temperature and less than the softening point Ts of the glass substrate. When the temperature of the glass substrate is heated to a temperature equal to or higher than the softening point Ts, the glass substrate may be warped or deformed. Moreover, there is a possibility that a laser irradiation position shift occurs and a serious problem occurs in processing.

加熱時のガラス基板の温度は、ガラス基板のガラス転移温度をTgとしたとき、転移温度Tg以上で、軟化点Ts未満の範囲であることがより好ましい。特に、加熱時のガラス基板の温度は、ガラス基板の屈伏点をTdとしたとき、転移温度Tgから屈伏点Tdの範囲であることがより好ましい。ガラス基板の加熱温度をこのような範囲に調整した場合、極めて大きなレーザ加工速度を得ることができる。   The temperature of the glass substrate during heating is more preferably in the range of not less than the transition temperature Tg and less than the softening point Ts, where Tg is the glass transition temperature of the glass substrate. In particular, the temperature of the glass substrate during heating is more preferably in the range from the transition temperature Tg to the yield point Td, where Td is the yield point of the glass substrate. When the heating temperature of the glass substrate is adjusted to such a range, an extremely large laser processing speed can be obtained.

なお、本願において、ガラス基板の軟化点Ts、ガラス転移温度Tg、および屈伏点Tdは、以下の方法で測定した値を意味する。   In the present application, the softening point Ts, the glass transition temperature Tg, and the yield point Td of the glass substrate mean values measured by the following methods.

熱機械分析装置(TMA)を用い、十分にアニールされた試料を毎分4℃の一定速度で加熱したときに得られる、温度と試料の伸びの関係を示す熱膨張曲線において、高温側と低温側との直線部分を延長した交点に対応する温度を、ガラス転移点Tgとする。また、熱膨張曲線において、見かけ上、膨張が停止する温度を屈伏点Tdとする。軟化点Tsの測定は、JIS−R3104およびASTM−C338に規定されているファイバーエロンゲーション法を用いて行う。   In the thermal expansion curve showing the relationship between temperature and sample elongation obtained when a fully annealed sample is heated at a constant rate of 4 ° C. per minute using a thermomechanical analyzer (TMA), Let the temperature corresponding to the intersection which extended the linear part with the side be the glass transition point Tg. Further, in the thermal expansion curve, the temperature at which the expansion stops apparently is defined as a yield point Td. The softening point Ts is measured using a fiber elongation method defined in JIS-R3104 and ASTM-C338.

本発明によるガラス基板のレーザ加工方法では、従来よりも効率的に、ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および/または非貫通溝などの各種特徴物を形成することができる。   In the laser processing method for a glass substrate according to the present invention, various features such as a recess, a through hole, a through groove, a non-through hole, and / or a non-through groove can be formed on the glass substrate more efficiently than before. it can.

(本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一態様)
以下、図面を参照して、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の具体例について説明する。
(One aspect of laser processing method of glass substrate according to the present invention)
Hereinafter, a specific example of a laser processing method for a glass substrate according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1には、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一例の概略的なフロー図を示す。   FIG. 1 shows a schematic flowchart of an example of a laser processing method for a glass substrate according to the present invention.

図1に示すように、本発明による一態様において、ガラス基板のレーザ加工方法は、
(1)ガラス基板を準備する工程(ステップS110)と、
(2)前記ガラス基板を加熱する工程(ステップS120)と、
(3)前記ガラス基板に対してレーザを照射し、前記ガラス基板を加工する工程(ステップS130)と、
を有しても良い。
As shown in FIG. 1, in one aspect according to the present invention, a laser processing method for a glass substrate comprises:
(1) a step of preparing a glass substrate (step S110);
(2) heating the glass substrate (step S120);
(3) irradiating the glass substrate with a laser to process the glass substrate (step S130);
You may have.

以下、各工程について詳しく説明する。   Hereinafter, each step will be described in detail.

(ステップS110)
まず、被加工対象となるガラス基板が準備される。
(Step S110)
First, a glass substrate to be processed is prepared.

ガラス基板は、例えば、第1の表面および第2の表面を有する。ガラス基板の組成は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、および無アルカリガラス等であっても良い。   The glass substrate has, for example, a first surface and a second surface. The composition of the glass substrate is not particularly limited. The glass substrate may be, for example, soda lime glass, borosilicate glass, silica glass, and alkali-free glass.

ガラス基板の厚さは、特に限られない。ガラス基板の厚さは、例えば、0.1mm〜3mmの範囲であっても良い。   The thickness of the glass substrate is not particularly limited. The thickness of the glass substrate may be, for example, in the range of 0.1 mm to 3 mm.

(ステップS120)
次に、ステップS110で準備されたガラス基板が加熱される。
(Step S120)
Next, the glass substrate prepared in step S110 is heated.

加熱の方法は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、ヒーター等の加熱手段によって、直接的または間接的に加熱されても良い。   The heating method is not particularly limited. The glass substrate may be heated directly or indirectly by a heating means such as a heater.

直接加熱の方法としては、ガラス基板を、例えばホットプレートのような熱源に直接接するように配置する方法が挙げられる。また、ガラス基板に対して、広範囲にわたってレーザ(例えば、COレーザのような低エネルギーレーザ)を照射して、これにより、ガラス基板全体を加熱しても良い。 Examples of the direct heating method include a method in which the glass substrate is disposed so as to be in direct contact with a heat source such as a hot plate. In addition, the glass substrate may be irradiated with a laser (for example, a low energy laser such as a CO 2 laser) over a wide range, thereby heating the entire glass substrate.

また、間接的な加熱方法としては、ガラス基板の加工を、温度制御されたチャンバ内で実施する方法等が挙げられる。   Moreover, as an indirect heating method, the method etc. which implement the process of a glass substrate in the chamber by which temperature control was carried out are mentioned.

ガラス基板の加熱温度は、室温よりも高い温度であれば、特に限られない。   The heating temperature of the glass substrate is not particularly limited as long as it is higher than room temperature.

ただし、一般に、200℃以上の高温の方が、レーザ加工速度の上昇が顕著になる。また、前述のように、通常は、加熱温度として、ガラス基板の軟化点Ts未満の温度が選定される。前述のように、加熱温度は、ガラス基板のガラス転移温度をTgとしたとき、Tg以上でTs未満の範囲であることが好ましい。特に、前述のように、加熱温度は、ガラス基板の屈伏点をTdとしたとき、Tg〜Tdの範囲であることがより好ましい。   However, in general, the increase in laser processing speed becomes more remarkable at a high temperature of 200 ° C. or higher. As described above, usually, a temperature lower than the softening point Ts of the glass substrate is selected as the heating temperature. As described above, the heating temperature is preferably in the range of Tg or more and less than Ts, where Tg is the glass transition temperature of the glass substrate. In particular, as described above, the heating temperature is more preferably in the range of Tg to Td, where Td is the yield point of the glass substrate.

(ステップS130)
次に、ガラス基板が加熱された状態で、ガラス基板に対してレーザが照射され、これにより、ガラス基板が加工される。
(Step S130)
Next, with the glass substrate heated, the glass substrate is irradiated with laser, whereby the glass substrate is processed.

レーザの種類は、特に限られないが、レーザは、例えば、エキシマレーザ(XeCl:波長308nm、KrF:波長248nm、ArF:波長193nm)、YAGレーザ(波長1064nm)、YVO4レーザ(波長1064nm)、チタンサファイアレーザ(波長800nm)、または炭酸ガスレーザ(波長10.6μm)等であっても良い。YAGレーザおよびYVO4レーザは、前述の基本波の他に、例えば、2倍波、3倍波、4倍波、または5倍波のレーザであっても良い。例えば、2倍波のYAGおよびYVO4レーザは、532nmの波長を有し、3倍波のYAGおよびYVO4レーザは、355nmの波長を有し、4倍波のYAGおよびYVO4レーザは、266nmの波長を有し、5倍波のYAGおよびYVO4レーザは、213nmの波長を有する。   The type of laser is not particularly limited, but lasers are, for example, excimer laser (XeCl: wavelength 308 nm, KrF: wavelength 248 nm, ArF: wavelength 193 nm), YAG laser (wavelength 1064 nm), YVO4 laser (wavelength 1064 nm), titanium A sapphire laser (wavelength 800 nm) or a carbon dioxide laser (wavelength 10.6 μm) may be used. The YAG laser and the YVO4 laser may be, for example, a second harmonic, a third harmonic, a fourth harmonic, or a fifth harmonic laser in addition to the fundamental wave described above. For example, a second harmonic YAG and YVO4 laser has a wavelength of 532 nm, a third harmonic YAG and YVO4 laser has a wavelength of 355 nm, and a fourth harmonic YAG and YVO4 laser has a wavelength of 266 nm. The fifth harmonic YAG and YVO4 lasers have a wavelength of 213 nm.

特に、波長400nm以下のエキシマレーザ(XeCl:波長308nm、KrF:波長248nm、ArF:波長193nm)、YAGレーザおよびYVO4レーザの3倍波、4倍波、5倍波レーザは、ガラスへの熱的影響が少ないため、クラック発生や後割れの心配が少なく好適である。   In particular, excimer lasers with a wavelength of 400 nm or less (XeCl: wavelength 308 nm, KrF: wavelength 248 nm, ArF: wavelength 193 nm), YAG laser and YVO4 laser third harmonic, fourth harmonic, and fifth harmonic lasers are thermally Since there is little influence, there is little fear of crack generation and post-cracking, which is preferable.

照射するレーザは、オン/オフの繰り返し波形、または変調された繰り返し波形を有しても良い。   The irradiating laser may have an on / off repetitive waveform or a modulated repetitive waveform.

また、ガラス基板に照射されるレーザは、ガラス基板に対して走査されても良い。これにより、ガラス基板に対して、より複雑な特徴物を形成する加工を行うことが可能になる。   Moreover, the laser irradiated to the glass substrate may be scanned with respect to the glass substrate. Thereby, it becomes possible to perform the process which forms a more complicated characteristic object with respect to a glass substrate.

レーザ照射またはレーザ照射とレーザ走査の組み合わせ(以下、いずれの場合も単に、「レーザ(の)照射」と称する)により、ガラス基板には、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および/または非貫通溝などの各種特徴物が形成される。   By the laser irradiation or a combination of laser irradiation and laser scanning (hereinafter simply referred to as “laser irradiation”), the glass substrate has a recess, a through hole, a through groove, a non-through hole, and / or Alternatively, various features such as non-through grooves are formed.

なお、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数は、一つであっても、複数であっても良い。レーザのスポット数が一つの場合、「1回」のレーザ加工により、ガラス基板には単一の特徴物が形成される。これに対して、レーザスポットの数が複数の場合、「1回」のレーザ加工により、ガラス基板に複数の特徴物を形成することができる。   Note that the number of laser spots irradiated onto the glass substrate at one time may be one or plural. When the number of laser spots is one, a single feature is formed on the glass substrate by "one time" laser processing. On the other hand, when there are a plurality of laser spots, a plurality of features can be formed on the glass substrate by “one time” laser processing.

ここで、レーザ加工の回数が「1回」とは、ガラス基板の所望の位置に、最終形状の特徴物を形成する工程を一度実施することを意味する。従って、レーザ加工の回数は、ガラス基板にレーザが実際に照射された回数、すなわちレーザのショット数を意味するものではないことに留意する必要がある。   Here, the number of times of laser processing is “one time” means that the step of forming the final-shaped feature is performed once at a desired position on the glass substrate. Therefore, it should be noted that the number of times of laser processing does not mean the number of times the laser is actually irradiated on the glass substrate, that is, the number of shots of the laser.

例えば、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数が3つある場合、「1回」のレーザ加工の実施により、ガラス基板に最終的に3つの特徴物を加工形成することができる。この場合、「1回」のレーザ加工には、同一の3箇所に必要回数分、レーザを照射することが含まれる。   For example, when there are three laser spots that are irradiated onto the glass substrate at a time, it is possible to finally form and form three features on the glass substrate by performing “once” laser processing. In this case, “one-time” laser processing includes irradiating the same three locations with the laser for the required number of times.

同様に、例えば、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数が一つの場合、ガラス基板に3つの特徴物を加工形成する際には、場所を変えた計「3回」のレーザ加工が実施される。   Similarly, for example, when the number of laser spots irradiated onto the glass substrate is one, when processing and forming three features on the glass substrate, a total of “three times” laser processing is performed. To be implemented.

(本発明による方法に使用され得る装置)
次に、前述のような本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置について、説明する。
(Apparatus that can be used in the method according to the invention)
Next, an apparatus that can be used in the above-described laser processing method for a glass substrate according to the present invention will be described.

図2には、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置の構成を模式的に示す。   In FIG. 2, the structure of the apparatus which can be used for the laser processing method of the glass substrate by this invention is shown typically.

図2に示すように、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置200は、レーザ光源(図示されていない)から放射された主レーザ220と、該主レーザ220を複数の分岐レーザ光260A、260B、260Cに分岐する回折光学素子230と、各分岐レーザ光260A、260B、260Cをガラス基板210の所望の位置に収束させるレンズ250と、ガラス基板210を加熱することが可能な加熱装置290とを備える。   As shown in FIG. 2, an apparatus 200 that can be used in the laser processing method for a glass substrate according to the present invention includes a main laser 220 emitted from a laser light source (not shown), and a plurality of branched lasers. Diffractive optical element 230 that branches into light 260A, 260B, and 260C, lens 250 that converges each branched laser beam 260A, 260B, and 260C to a desired position on glass substrate 210, and heating that can heat glass substrate 210 Device 290.

レーザ光源は、特に限られないが、例えば、エキシマレーザ光源(XeCl:波長308nm、KrF:波長248nm、ArF:波長193nm)、YAGレーザ光源(波長1064nm)、YVO4レーザ光源(波長1064nm)、チタンサファイアレーザ光源(波長800nm)、または炭酸ガスレーザ光源(波長10.6μm)等であっても良い。YAGレーザ光源およびYVO4レーザ光源は、前述の基本波の他に、例えば、2倍波または3倍波のレーザ源であっても良い。例えば、2倍波のYAGレーザは、532nmの波長を有し、3倍波のYAGレーザは、355nmの波長を有する。   The laser light source is not particularly limited. For example, an excimer laser light source (XeCl: wavelength 308 nm, KrF: wavelength 248 nm, ArF: wavelength 193 nm), YAG laser light source (wavelength 1064 nm), YVO4 laser light source (wavelength 1064 nm), titanium sapphire A laser light source (wavelength 800 nm), a carbon dioxide laser light source (wavelength 10.6 μm), or the like may be used. The YAG laser light source and the YVO4 laser light source may be, for example, a second harmonic wave source or a third harmonic wave laser source in addition to the fundamental wave described above. For example, a second harmonic YAG laser has a wavelength of 532 nm, and a third harmonic YAG laser has a wavelength of 355 nm.

主レーザ220の出力は、特に限られないが、主レーザ220のパワーが大きいほど、一度に多くの分岐レーザ光260A、260B、260Cを得ることができるため有利である。   Although the output of the main laser 220 is not particularly limited, the larger the power of the main laser 220 is, the more advantageous it is because more branched laser beams 260A, 260B, and 260C can be obtained at one time.

なお、主レーザ220は、オン/オフの繰り返し波形、または変調された繰り返し波形を有しても良い。   The main laser 220 may have an ON / OFF repetitive waveform or a modulated repetitive waveform.

回折光学素子230は、一つの主レーザ220を複数の分岐レーザ光260A、260B、260Cに分割することができる素子であれば、いかなる素子であっても良く、例えば、回折光学素子の代わりにビームスプリッタ等を使用しても良い。   The diffractive optical element 230 may be any element as long as it can divide one main laser 220 into a plurality of branched laser beams 260A, 260B, and 260C. A splitter or the like may be used.

このような構成の装置200を用いてガラス基板210を加工する際には、まず、第1の表面212および第2の表面214を有するガラス基板210が、加熱装置290により加熱される。図2の例では、加熱装置290は、ガラス基板210の第2の表面214と接するようにして配置される。   When the glass substrate 210 is processed using the apparatus 200 having such a configuration, first, the glass substrate 210 having the first surface 212 and the second surface 214 is heated by the heating device 290. In the example of FIG. 2, the heating device 290 is disposed in contact with the second surface 214 of the glass substrate 210.

次に、ガラス基板210が加熱され、所定の温度に達したことが確認されてから、レーザ光源からガラス基板210の第1の表面212に向かって、主レーザ220が放射される。主レーザ220は、回折光学素子230において、例えば、3つの分岐レーザ光260(260A、260B、260C)に分岐される。   Next, after it is confirmed that the glass substrate 210 is heated and reaches a predetermined temperature, the main laser 220 is emitted from the laser light source toward the first surface 212 of the glass substrate 210. In the diffractive optical element 230, the main laser 220 is branched into, for example, three branched laser beams 260 (260A, 260B, 260C).

各分岐レーザ光260A、260B、260Cは、レンズ250によって収束され、それぞれ、分岐レーザ光265A、265B、265Cとなる。さらに、これらの分岐レーザ光265A、265B、265Cは、ガラス基板210の第1の表面212に、それぞれ、焦点270A、270B、270Cを形成する。   The branched laser beams 260A, 260B, and 260C are converged by the lens 250 to become branched laser beams 265A, 265B, and 265C, respectively. Further, these branched laser beams 265A, 265B, and 265C form focal points 270A, 270B, and 270C on the first surface 212 of the glass substrate 210, respectively.

各焦点270A、270B、および270Cのスポット直径は、レンズ250等の性能等によっても異なるが、例えば、0.1μm〜100μm程度であっても良い。   The spot diameters of the focal points 270A, 270B, and 270C vary depending on the performance of the lens 250 and the like, but may be, for example, about 0.1 μm to 100 μm.

各焦点270A、270B、および270Cの間隔は、特に限られない。各焦点270A、270B、および270Cの間隔は、例えば、20μm〜400μmの範囲であり、50μm〜250μmの範囲であっても良い。   The distance between the focal points 270A, 270B, and 270C is not particularly limited. The distance between the focal points 270A, 270B, and 270C is, for example, in the range of 20 μm to 400 μm, and may be in the range of 50 μm to 250 μm.

なお、ガラス基板210に複雑な特徴物を形成する場合、一連の分岐レーザ光265A、265B、265Cを、所望の方向に走査しても良い。また、ガラス基板210に貫通孔および/または貫通溝のような特徴物を形成する場合は、分岐レーザ光265A、265B、265Cによる加熱装置290の損傷を防ぐため、ガラス基板210と加熱装置290の間に、スペーサを配置しても良い。   Note that when a complicated feature is formed on the glass substrate 210, a series of branched laser beams 265A, 265B, and 265C may be scanned in a desired direction. Further, in the case where a feature such as a through hole and / or a through groove is formed in the glass substrate 210, the glass substrate 210 and the heating device 290 can be prevented from being damaged by the branched laser beams 265A, 265B, and 265C. A spacer may be disposed between them.

以上の工程により、ガラス基板210が加工され、ガラス基板210に各種特徴物が形成される。   Through the above steps, the glass substrate 210 is processed, and various features are formed on the glass substrate 210.

なお、図2の例では、装置200を使用することにより、1回のレーザ加工により、3つの特徴物が形成される。   In the example of FIG. 2, by using the apparatus 200, three features are formed by one laser processing.

しかしながら、本発明による方法に使用され得る装置の構成は、このような態様に限られるものではない。例えば、装置200において、分岐レーザ光265の数は、2つまたは4つ以上にしても良い。この場合、1回のレーザ加工により、2または4つ以上の特徴物を形成することができる。   However, the configuration of the apparatus that can be used in the method according to the present invention is not limited to such an embodiment. For example, in the apparatus 200, the number of the branched laser beams 265 may be two or four or more. In this case, two or four or more features can be formed by one laser processing.

また、回折光学素子230を使用せずに、主レーザ220をそのまま使用した場合、1回のレーザ加工により、単一の特徴物を形成することができる。このような態様は、特に、使用レーザ光のエネルギーが比較的小さい場合に、有益である。   Further, when the main laser 220 is used as it is without using the diffractive optical element 230, a single feature can be formed by one laser processing. Such an aspect is particularly beneficial when the energy of the laser beam used is relatively small.

また、エキシマレーザのようなビームサイズが大きなレーザを用いる場合、パターンが形成されたマスクを介して、マスクパターンをガラス基板上に縮小投影して、加工する方法が好ましい。この場合、一度に多くの箇所を加工することが可能となる。   Further, when a laser having a large beam size such as an excimer laser is used, a method in which a mask pattern is reduced and projected onto a glass substrate through a mask on which a pattern is formed is preferable. In this case, it becomes possible to process many places at once.

次に、本発明による実施例について説明する。   Next, examples according to the present invention will be described.

(実施例1)
以下の方法で、ガラス基板を各温度に加熱した状態でガラス基板に対してレーザ加工を行い、加工速度を評価した。
Example 1
Laser processing was performed on the glass substrate in a state where the glass substrate was heated to each temperature by the following method, and the processing speed was evaluated.

ガラス基板には、市販のソーダライムガラスを使用した。ガラス基板の寸法は、縦25mm×横75mm×厚さ0.2mmとした。このソーダライムガラスのガラス転移温度Tgは、約540℃であり、屈伏点Tdは、約580℃であり、軟化点Tgは、約740℃である。   A commercially available soda lime glass was used for the glass substrate. The size of the glass substrate was 25 mm long × 75 mm wide × 0.2 mm thick. The soda lime glass has a glass transition temperature Tg of about 540 ° C., a yield point Td of about 580 ° C., and a softening point Tg of about 740 ° C.

加工用レーザには、波長約193nmのエキシマレーザを使用した。前記ガラス基板の一方の表面に、マスクを介してエキシマレーザ光を縮小投影し、マスクパターンに沿った加工を行った。直径約60μmの複数の穴部を形成した。パルス波の繰り返し周波数は、50Hzとし、フルエンスは、4J/cmとした。 An excimer laser having a wavelength of about 193 nm was used as the processing laser. Excimer laser light was reduced and projected onto one surface of the glass substrate through a mask, and processing along the mask pattern was performed. A plurality of holes having a diameter of about 60 μm were formed. The repetition frequency of the pulse wave was 50 Hz, and the fluence was 4 J / cm 2 .

ガラス基板の加熱には、市販のホットプレートを使用し、このホットプレート上にガラス基板を載せた状態で、ガラス基板のレーザ加工を行った。加熱温度は、200℃、400℃、および600℃とした。また、比較のため、非加熱状態(すなわち室温)のガラス基板に対しても、同様のレーザ加工を行った。   A commercially available hot plate was used for heating the glass substrate, and laser processing of the glass substrate was performed with the glass substrate placed on the hot plate. The heating temperature was 200 ° C, 400 ° C, and 600 ° C. For comparison, the same laser processing was performed on a non-heated (ie, room temperature) glass substrate.

所定の回数のレーザショット毎にガラス基板を取り出し、レーザ照射部分の加工深さを測定した。   The glass substrate was taken out every predetermined number of laser shots, and the processing depth of the laser irradiated portion was measured.

表1には、各温度において得られた加工深さの測定結果をまとめて示す。   Table 1 summarizes the measurement results of the processing depth obtained at each temperature.

Figure 2013119510
図3には、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示す。この図3から、いずれの加熱温度においても、加工深さは、ショット数の増加に伴い、ほぼ直線的に増加する傾向にあることがわかる。
Figure 2013119510
FIG. 3 shows the relationship between the number of shots and the processing depth at each heating temperature. From FIG. 3, it can be seen that at any heating temperature, the processing depth tends to increase almost linearly as the number of shots increases.

なお、図3において、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係から得られた直線の傾きを、前述の表1の「直線の傾き」の欄に示した。   In FIG. 3, the slope of the straight line obtained from the relationship between the number of shots at each heating temperature and the processing depth is shown in the “straight line” column of Table 1 above.

図4には、加熱温度と加工速度の関係を示す。図4において、縦軸の加工速度は、図3の各加熱温度での測定結果における直線の傾きから算出した。なお、縦軸は、室温(すなわち非加熱状態)のガラス基板における加工速度を基準として、これに対する増加率で表示した。   FIG. 4 shows the relationship between the heating temperature and the processing speed. In FIG. 4, the processing speed on the vertical axis was calculated from the slope of the straight line in the measurement results at each heating temperature in FIG. In addition, the vertical axis | shaft was displayed by the increase rate with respect to this on the basis of the processing speed in the glass substrate of room temperature (namely, non-heating state).

図4から、ガラス基板を加熱した場合、加熱しない場合に比べて、約10%以上の加工速度の向上が得られることがわかる。特に、加熱温度が400℃および600℃の場合、加工速度は、非加熱状態での結果に比べて約18%も向上した。   FIG. 4 shows that when the glass substrate is heated, an improvement in processing speed of about 10% or more can be obtained as compared with the case where the glass substrate is not heated. In particular, when the heating temperature was 400 ° C. and 600 ° C., the processing speed was improved by about 18% compared to the result in the non-heated state.

ソーダライムガラス基板のガラス転移温度Tgは、約540℃であり、屈伏点Tdは、約580℃である。従って、図4から、ガラス基板をガラス転移温度Tg〜屈伏点Tdの範囲に加熱した場合(400℃〜600℃)、加工速度が最大となることがわかった。   The soda-lime glass substrate has a glass transition temperature Tg of about 540 ° C. and a yield point Td of about 580 ° C. Therefore, FIG. 4 shows that when the glass substrate is heated in the range of the glass transition temperature Tg to the yield point Td (400 ° C. to 600 ° C.), the processing speed becomes maximum.

(実施例2)
実施例1と同様の方法により、ガラス基板を各温度に加熱した状態でガラス基板に対してレーザ加工を行い、加工速度を評価した。ただし、この実施例2では、被加工対象となるガラス基板として、無アルカリガラス製の基板を使用した。このガラス基板のガラス転移温度Tgは、約660℃であり、屈伏点Tdは、約740℃であり、軟化点Tgは、約880℃である。
(Example 2)
By the same method as in Example 1, laser processing was performed on the glass substrate while the glass substrate was heated to each temperature, and the processing speed was evaluated. However, in Example 2, a non-alkali glass substrate was used as the glass substrate to be processed. The glass transition temperature Tg of this glass substrate is about 660 ° C., the yield point Td is about 740 ° C., and the softening point Tg is about 880 ° C.

表2には、各温度において得られた加工深さの測定結果をまとめて示す。   Table 2 summarizes the measurement results of the processing depth obtained at each temperature.

Figure 2013119510
図5には、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示す。この図5から、無アルカリガラス製の基板の場合も、加熱温度に関わらず、加工深さは、ショット数の増加に伴い、直線的に増加する傾向にあることがわかる。
Figure 2013119510
FIG. 5 shows the relationship between the number of shots at each heating temperature and the processing depth. From FIG. 5, it can be seen that, even in the case of a substrate made of alkali-free glass, the processing depth tends to increase linearly as the number of shots increases, regardless of the heating temperature.

なお、図5において、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係から得られた直線の傾きを、前述の表2の「直線の傾き」の欄に示した。   In FIG. 5, the slope of the straight line obtained from the relationship between the number of shots at each heating temperature and the processing depth is shown in the “straight line” column of Table 2 above.

図6には、加熱温度と加工速度の関係を示す。図6において、縦軸の加工速度は、図5の各加熱温度での測定結果における直線の傾きから算出した。なお、縦軸は、室温(すなわち非加熱状態)のガラス基板における加工速度を基準として、これに対する増加率で表示した。   FIG. 6 shows the relationship between the heating temperature and the processing speed. In FIG. 6, the processing speed on the vertical axis was calculated from the slope of the straight line in the measurement results at each heating temperature in FIG. In addition, the vertical axis | shaft was displayed by the increase rate with respect to this on the basis of the processing speed in the glass substrate of room temperature (namely, non-heating state).

図6から、ガラス基板を加熱することにより、加熱しない場合に比べて、約5%以上の加工速度の向上が得られることがわかる。特に、加熱温度が600℃〜800℃の場合、加工速度は、非加熱状態での結果に比べて約11%〜約22%も向上した。   From FIG. 6, it can be seen that heating the glass substrate can improve the processing speed by about 5% or more compared to the case of not heating. In particular, when the heating temperature was 600 ° C. to 800 ° C., the processing speed was improved by about 11% to about 22% compared to the result in the non-heated state.

無アルカリガラス基板のガラス転移温度Tgは、約660℃であり、屈伏点Tdは、約740℃である。従って、図6から、ガラス基板をガラス転移温度Tg〜屈伏点Tdの範囲に加熱した場合(600℃〜800℃)、良好な加工速度が得られることがわかった。   The glass transition temperature Tg of the alkali-free glass substrate is about 660 ° C., and the yield point Td is about 740 ° C. Therefore, FIG. 6 shows that when the glass substrate is heated in the range of the glass transition temperature Tg to the yield point Td (600 ° C. to 800 ° C.), a good processing speed can be obtained.

このように、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法では、加工速度を有意に向上することができることがわかった。   Thus, it has been found that the processing speed can be significantly improved in the method of laser processing a glass substrate according to the present invention.

本発明は、ガラス基板のレーザ加工方法に適用することができる。   The present invention can be applied to a laser processing method of a glass substrate.

200 装置
210 ガラス基板
212 第1の表面
214 第2の表面
220 主レーザ
230 回折光学素子
250 レンズ
260A、260B、260C 分岐レーザ光
265A、265B、265C 分岐レーザ光
270A、270B、270C 焦点
290 加熱装置
200 Device 210 Glass substrate 212 First surface 214 Second surface 220 Main laser 230 Diffractive optical element 250 Lens 260A, 260B, 260C Branched laser light 265A, 265B, 265C Branched laser light 270A, 270B, 270C Focus 290 Heating device

Claims (9)

レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、
(a)ガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程
を有する、方法。
A method of processing a glass substrate using a laser,
(A) A step of performing laser processing on the glass substrate while the glass substrate is heated.
前記(a)の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の軟化点をTs(℃)としたとき、室温よりも高く軟化点Ts未満の温度に加熱される、請求項1に記載の方法。   2. The method according to claim 1, wherein in the step (a), the glass substrate is heated to a temperature higher than room temperature and lower than the softening point Ts, where Ts (° C.) is the softening point of the glass substrate. . 前記(a)の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板のガラス転移温度をTg(℃)としたとき、Tg以上でTsよりも低い温度に加熱される、請求項1または2に記載の方法。   The said (a) process WHEREIN: When the glass transition temperature of this glass substrate is set to Tg (degreeC), the said glass substrate is heated to temperature lower than Ts more than Tg. Method. 前記(a)の工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の屈伏点をTd(℃)としたとき、Tg〜Tdの範囲の温度に加熱される、請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。   In the step (a), the glass substrate is heated to a temperature in the range of Tg to Td, where Td (° C.) is the yield point of the glass substrate. The method described in 1. 前記レーザは、波長が400nm以下のレーザである、請求項1乃至4のいずれか一つに記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the laser is a laser having a wavelength of 400 nm or less. 前記(a)の工程により、前記ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および非貫通溝からなる群から選定された少なくとも一つの構造物が形成される、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の方法。   The step (a) forms at least one structure selected from the group consisting of a recess, a through hole, a through groove, a non-through hole, and a non-through groove on the glass substrate. 6. The method according to any one of 5. 前記(a)の工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が一つ形成される、請求項6に記載の方法。   The method according to claim 6, wherein the at least one structure is formed by performing step (a) once. 前記(a)の工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が複数形成される、請求項6に記載の方法。   The method according to claim 6, wherein a plurality of the at least one structure are formed by performing step (a) once. 前記ガラス基板の加熱は、加熱手段により行われ、該加熱手段は、レーザ光およびヒーターからなる群から選定された少なくとも一つである、請求項1乃至8のいずれか一つに記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the glass substrate is heated by a heating unit, and the heating unit is at least one selected from the group consisting of a laser beam and a heater.
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