JP2013118756A - Driving device of power switching element - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a driving device of a power switching element capable of protecting a power switching element from overvoltage and capable of suppressing unnecessary drop of switching speed of a switching state.SOLUTION: A control part 5 raises a switching speed by using a speed change circuit part 4 if a voltage value is a second voltage threshold Vth 2 or less and a current value detected by a current detection part 3 is a first current threshold Ith 1 or less in a case where the voltage value detected by a voltage detection part 2 exceeds a first voltage threshold Vth 1. The control part 5 raises a switching speed by using the speed change circuit part 4 if the current value is a second current threshold Ith 2 or less and the voltage value detected by the voltage detection part 2 is the first voltage threshold Vth 1 or less in a case where the current value detected by the current detection part 3 exceeds the first current threshold Ith 1.

Description

本発明は、パワースイッチング素子の駆動装置に関する。   The present invention relates to a drive device for a power switching element.

パワースイッチング素子は、例えばモータジェネレータなどのモータに電力を供給する回路に用いられる。例えば、2つのパワースイッチング素子を直列に接続した素子回路を3相設けてインバータを構成してモータを駆動する。パワースイッチング素子の駆動装置は、これら電力供給用の素子回路に用いられるパワースイッチング素子を駆動(オン/オフ)するための装置である。   The power switching element is used in a circuit that supplies power to a motor such as a motor generator. For example, an inverter is formed by providing three phases of element circuits in which two power switching elements are connected in series to drive a motor. The power switching element driving device is a device for driving (on / off) the power switching element used in these element circuits for supplying power.

特開2011−30361号公報(特許文献1)に記載の駆動装置では、スイッチング状態の切替速度を可変とし、パワースイッチング素子の端子間電圧を検出し、端子間電圧が安全閾値を超えた場合に切替速度を低下させている。特許文献1の駆動装置では、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を抑えつつ、サージノイズを抑えてパワースイッチング素子の耐圧を超える電圧の印加を回避することが可能となる。   In the driving device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-30361 (Patent Document 1), when the switching speed of the switching state is variable, the voltage between the terminals of the power switching element is detected, and the voltage between the terminals exceeds the safety threshold. The switching speed is reduced. In the driving device of Patent Document 1, it is possible to avoid application of a voltage exceeding the withstand voltage of the power switching element by suppressing surge noise while suppressing power loss associated with switching of the switching state.

また、特開2011−10441号公報(特許文献2)に記載の駆動装置では、パワースイッチング素子に流れる電流を検出し、その電流値が安全閾値を超えた場合に切替速度を低下させている。特許文献2の駆動装置では、特許文献1同様、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を抑えつつ、サージノイズを抑えることが可能となる。   Moreover, in the drive device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-10441 (Patent Document 2), the current flowing through the power switching element is detected, and the switching speed is reduced when the current value exceeds the safety threshold. In the driving device of Patent Document 2, as in Patent Document 1, surge noise can be suppressed while suppressing power loss associated with switching of the switching state.

特開2011−30361号公報JP 2011-30361 A 特開2011−10441号公報JP 2011-10441 A

しかしながら、特許文献1の駆動装置では、パワースイッチング素子の端子間電圧のみに基づいて切替速度の高速・低速を切り替えている。パワースイッチング素子に流れる電流量が小さい場合、端子間電圧が大きくてもサージノイズは大きくならず、切替速度を低速化する必要はない。つまり、特許文献1の駆動装置では、切替速度を低速化する必要のない場合でも低速化してしまい、切替に伴う電力損失の面で問題があった。さらには、端子間電圧のみに基づいて切替速度を選択するため、大電流時にもサージノイズが耐圧を超えないよう大きめのマージンをとって安全閾値を小さくとる必要がある。   However, in the drive device of Patent Document 1, the switching speed is switched between high speed and low speed based only on the voltage across the terminals of the power switching element. When the amount of current flowing through the power switching element is small, surge noise does not increase even if the voltage between terminals is large, and there is no need to reduce the switching speed. That is, the drive device of Patent Document 1 has a problem in terms of power loss due to switching because the switching speed is reduced even when it is not necessary to reduce the switching speed. Furthermore, since the switching speed is selected based only on the voltage between the terminals, it is necessary to take a large margin and set a small safety threshold so that surge noise does not exceed the withstand voltage even at a large current.

また、特許文献2の駆動装置では、パワースイッチング素子に流れる電流のみに基づいて切替速度を切り替えている。電流値が大きい場合でも、端子間電圧が小さい場合は、切替速度を低速化する必要はなく、特許文献2の駆動装置では、特許文献1同様、不要な低速化や安全閾値のマージンなど、切替に伴う電力損失の面で問題があった。   Moreover, in the drive apparatus of patent document 2, switching speed is switched based only on the electric current which flows into a power switching element. Even if the current value is large, if the voltage between the terminals is small, it is not necessary to reduce the switching speed. In the driving device of Patent Document 2, switching is unnecessary such as unnecessary speed reduction and safety threshold margin as in Patent Document 1. There was a problem in terms of power loss.

本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、パワースイッチング素子を電圧超過から保護するとともに、スイッチング状態の切替速度の不要な低速化を抑えることができるパワースイッチング素子の駆動装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and protects the power switching element from excessive voltage and suppresses an unnecessary reduction in switching speed of the switching state. The purpose is to provide.

請求項1に記載の発明は、パワースイッチング素子の駆動装置であって、高電位側のパワースイッチング素子及び低電位側のパワースイッチング素子が直列に接続された電力変換用の素子回路について、前記パワースイッチング素子のオン/オフを制御する制御部と、前記パワースイッチング素子のオンされた際における前記パワースイッチング素子の入力端子及び出力端子間の電圧を検出する電圧検出部と、前記パワースイッチング素子のオフされた際における前記パワースイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部と、前記制御部によって前記パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度が少なくとも低速と高速とで選択可能な変速回路部と、を備え、前記制御部は、前記パワースイッチング素子の保護に関して設定された第一電圧閾値及び第一電流閾値と、前記第一電圧閾値より大きく前記パワースイッチング素子の耐圧値よりも小さい第二電圧閾値と、前記第一電流閾値より大きく且つ前記電圧検出部で検出された電圧値が第一電圧閾値以下である場合にサージノイズと前記電圧値の和が前記耐圧値を超えないように設定された第二電流閾値に基づいて、前記変速回路部における前記切替速度を選択し、前記電圧値が前記第二電圧閾値を超えた場合、前記電流検出部で検出された電流値が前記第二電流閾値を超えた場合、又は、前記電圧値が前記第一電圧閾値を超えて且つ前記電流値が前記第一電流閾値を超えた場合には、前記変速回路部により前記切替速度を低速とし、前記電圧検出部で検出された電圧値が前記第一電圧閾値以下で且つ前記電流検出部で検出された電流値が前記第一電流閾値以下である場合には、前記変速回路部により前記切替速度を高速とし、前記電圧値が前記第一電圧閾値を超えた場合、前記電圧値が前記第二電圧閾値以下で且つ前記電流値が前記第一電流閾値以下であれば、前記変速回路部により前記切替速度を高速とし、前記電流値が前記第一電流閾値を超えた場合、前記電流値が前記第二電流閾値以下で且つ前記電圧値が前記第一電圧閾値以下であれば、前記変速回路部により前記切替速度を高速とすることを特徴とする。   The invention according to claim 1 is a power switching element driving device, wherein the power conversion element circuit in which a high-potential side power switching element and a low-potential side power switching element are connected in series is used for the power conversion element circuit. A control unit for controlling on / off of the switching element, a voltage detection unit for detecting a voltage between the input terminal and the output terminal of the power switching element when the power switching element is turned on, and turning off the power switching element A current detection unit that detects a current flowing through the power switching element when the switching is performed, and a transmission circuit unit that allows the switching unit to select a switching speed of the switching state of the power switching element at least between low speed and high speed. The control unit is set with respect to protection of the power switching element. A first voltage threshold value and a first current threshold value, a second voltage threshold value that is larger than the first voltage threshold value and smaller than a withstand voltage value of the power switching element, and larger than the first current threshold value and detected by the voltage detection unit. The switching speed in the transmission circuit unit based on a second current threshold value set so that the sum of surge noise and the voltage value does not exceed the withstand voltage value when the measured voltage value is less than or equal to the first voltage threshold value. And when the voltage value exceeds the second voltage threshold, the current value detected by the current detector exceeds the second current threshold, or the voltage value is the first voltage threshold. And the current value exceeds the first current threshold value, the switching speed is reduced by the transmission circuit unit, and the voltage value detected by the voltage detection unit is less than or equal to the first voltage threshold value. And the current detection When the current value detected in step S1 is less than or equal to the first current threshold value, the shift speed is increased by the transmission circuit unit, and the voltage value exceeds the first voltage threshold value when the voltage value exceeds the first voltage threshold value. If the current value is less than or equal to a second voltage threshold and the current value is less than or equal to the first current threshold, the speed change speed is increased by the transmission circuit unit, and the current value exceeds the first current threshold. Is less than the second current threshold value and the voltage value is less than or equal to the first voltage threshold value, the switching speed is increased by the transmission circuit unit.

請求項1に記載の発明によれば、パワースイッチング素子の端子間の電圧及び電流を監視することで、従来不要に低速制御されていたケースを無くし、適切に高速選択することができる。また、本発明では、電圧値及び電流値についてそれぞれ2つの閾値を設けており、両値の組み合わせを考慮して変速制御している。これにより、パワースイッチング素子を電圧超過から適切に保護することができる。このように本発明によれば、パワースイッチング素子を電圧超過から保護するとともに、スイッチング状態の切替速度の不要な低速化を抑えることができる。   According to the first aspect of the present invention, by monitoring the voltage and current between the terminals of the power switching element, it is possible to eliminate the case where the conventional low speed control is unnecessary and to appropriately select the high speed. In the present invention, two threshold values are provided for the voltage value and the current value, respectively, and the shift control is performed in consideration of the combination of both values. Thereby, a power switching element can be appropriately protected from an excess voltage. As described above, according to the present invention, it is possible to protect the power switching element from excessive voltage and to suppress unnecessary reduction of the switching speed of the switching state.

本実施形態のパワースイッチング素子の駆動装置の回路構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the drive device of the power switching element of this embodiment. 電圧値及びサージノイズを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating a voltage value and surge noise. 本実施形態のパワースイッチング素子の駆動装置における変速制御を示すタイムチャートである。It is a time chart which shows the shift control in the drive device of the power switching element of this embodiment.

次に、好ましい実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。本実施形態では、本発明をハイブリッド車に適用したものについて説明する。本実施形態におけるパワースイッチング素子の駆動装置(以下、駆動装置と略称する)1は、車載装置(ここではモータジェネレータ)9に接続される3相の素子回路8を構成するパワースイッチング素子81、82を駆動する装置である。   Next, the present invention will be described in more detail with reference to preferred embodiments. In the present embodiment, the present invention is applied to a hybrid vehicle. A power switching element driving device (hereinafter abbreviated as a driving device) 1 in the present embodiment is a power switching element 81, 82 constituting a three-phase element circuit 8 connected to a vehicle-mounted device (here, a motor generator) 9. It is a device which drives.

素子回路8は、高電位側のパワースイッチング素子81と低電位側のパワースイッチング素子82を直列接続した回路である。パワースイッチング素子81、82の接続点が、モータジェネレータ9の各相にそれぞれ接続されている。   The element circuit 8 is a circuit in which a high potential side power switching element 81 and a low potential side power switching element 82 are connected in series. Connection points of the power switching elements 81 and 82 are connected to the respective phases of the motor generator 9.

パワースイッチング素子81、82は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)で構成されている。パワースイッチング素子81、82は、公知の構成であって、フリーホイールダイオードFDと、センス端子STと、を備えている。   The power switching elements 81 and 82 are constituted by insulated gate bipolar transistors (IGBT). The power switching elements 81 and 82 have a known configuration and include a free wheel diode FD and a sense terminal ST.

(駆動装置1)
本実施形態の駆動装置1は、ドライブユニットであって、主に、電圧検出部2と、電流検出部3と、変速回路部4と、制御部5と、を備えている。駆動装置1は、パワースイッチング素子81、82毎に設置されている。一対の駆動装置1は、絶縁手段を有するインターフェースを介して通信可能となっている。また、駆動装置1は、高電圧のバッテリにより給電されている。ここでは、パワースイッチング素子81に接続された駆動装置1について説明する。
(Driver 1)
The drive device 1 of the present embodiment is a drive unit, and mainly includes a voltage detection unit 2, a current detection unit 3, a transmission circuit unit 4, and a control unit 5. The driving device 1 is installed for each of the power switching elements 81 and 82. The pair of drive devices 1 can communicate via an interface having an insulating means. The driving device 1 is powered by a high voltage battery. Here, the drive device 1 connected to the power switching element 81 will be described.

電圧検出部2は、パワースイッチング素子81の入力端子(コレクタ)及び出力端子(エミッタ)間の電圧(以下、端子間電圧とも称する)を検出するものである。電圧検出部2は、入力端子及び出力端子間(以下、端子間とも称する)に直列接続された2つの抵抗、すなわち、第一抵抗体21と、第二抵抗体22と、を備えている。   The voltage detector 2 detects a voltage between the input terminal (collector) and the output terminal (emitter) of the power switching element 81 (hereinafter also referred to as an inter-terminal voltage). The voltage detection unit 2 includes two resistors connected in series between an input terminal and an output terminal (hereinafter also referred to as “between terminals”), that is, a first resistor 21 and a second resistor 22.

第一抵抗体21は、一方がパワースイッチング素子81の入力端子に接続され、他方が第二抵抗体22及び制御部5に接続された抵抗体(線形素子)である。第二抵抗体22は、一方が第一抵抗体に接続され、他方がパワースイッチング素子81の出力端子に接続された抵抗体(線形素子)である。第二抵抗体22の抵抗値は、第一抵抗体21の抵抗値よりも十分に小さい。電圧検出部2は、制御部5で扱える電圧レベルにするために端子間電圧を分圧し、分圧した電圧を制御部5に伝えることで端子間電圧を検出する。   One of the first resistors 21 is a resistor (linear element) connected to the input terminal of the power switching element 81 and the other connected to the second resistor 22 and the control unit 5. The second resistor 22 is a resistor (linear element) in which one is connected to the first resistor and the other is connected to the output terminal of the power switching element 81. The resistance value of the second resistor 22 is sufficiently smaller than the resistance value of the first resistor 21. The voltage detection unit 2 divides the inter-terminal voltage in order to obtain a voltage level that can be handled by the control unit 5, and transmits the divided voltage to the control unit 5 to detect the inter-terminal voltage.

電流検出部3は、パワースイッチング素子81の入力端子及び出力端子間に流れる電流(以下、端子間電流とも称する)を検出するものである。電流検出部3は、一方がセンス端子ST及び制御部5に接続され、他方がパワースイッチング素子81の出力端子に接続されたセンス抵抗(シャント抵抗)31を有している。   The current detection unit 3 detects a current flowing between the input terminal and the output terminal of the power switching element 81 (hereinafter also referred to as an inter-terminal current). The current detection unit 3 includes a sense resistor (shunt resistor) 31 that is connected to the sense terminal ST and the control unit 5 and connected to the output terminal of the power switching element 81 on the other side.

センス端子STは、パワースイッチング素子81の入力端子及び出力端子間に流れる電流やフリーホイールダイオードFDに流れる電流と相関を有する微小な電流を出力する端子である。センス抵抗31にかかる電圧値は、制御部5に伝送される。制御部5は、センス抵抗31の電圧を電流値に換算し、それをパワースイッチング素子81に流れる電流として、第一電流閾値及び第二電流閾値と比較する。   The sense terminal ST is a terminal that outputs a minute current having a correlation with a current flowing between the input terminal and the output terminal of the power switching element 81 and a current flowing through the free wheel diode FD. The voltage value applied to the sense resistor 31 is transmitted to the control unit 5. The control unit 5 converts the voltage of the sense resistor 31 into a current value, and compares it with the first current threshold and the second current threshold as a current flowing through the power switching element 81.

変速回路部4は、低速側回路41と、高速側回路42と、を備えている。低速側回路41は、一方がパワースイッチング素子81の制御端子(ゲート)に接続され、他方が制御部5に接続された抵抗体である。高速側回路42は、同様に、一方がパワースイッチング素子81の制御端子に接続され、他方が制御部5に接続された抵抗体である。高速側回路42の抵抗値は、低速側回路41の抵抗値よりも小さい。変速回路部4は、低速側回路41及び高速側回路42の抵抗値の違いにより、スイッチング状態(オン・オフ)の切替速度を選択可能としている。   The transmission circuit unit 4 includes a low speed side circuit 41 and a high speed side circuit 42. The low-speed circuit 41 is a resistor having one connected to the control terminal (gate) of the power switching element 81 and the other connected to the control unit 5. Similarly, the high-speed side circuit 42 is a resistor having one connected to the control terminal of the power switching element 81 and the other connected to the control unit 5. The resistance value of the high speed side circuit 42 is smaller than the resistance value of the low speed side circuit 41. The transmission circuit unit 4 can select the switching speed of the switching state (ON / OFF) depending on the difference in resistance value between the low speed side circuit 41 and the high speed side circuit 42.

制御部5は、モータジェネレータ9の駆動に関する制御装置(図示しないECU)からのスイッチング素子駆動信号を受けて、当該駆動信号に基づいてパワースイッチング素子81のオン・オフを制御する。制御部5は、予め設定された第一電圧閾値Vth1及び第二電圧閾値Vth2と電圧検出部2からの検出結果とを比較し、予め設定された第一電流閾値Ith1及び第二電流閾値Ith2と電流検出部3からの検出結果とを比較する。比較については、公知の方法が用いられ、例えばコンパレータを多段に設置し、それぞれに基準電圧の電源を接続することで複数の閾値を設けることができる。   Control unit 5 receives a switching element drive signal from a control device (an ECU (not shown)) related to driving of motor generator 9, and controls on / off of power switching element 81 based on the drive signal. The control unit 5 compares the first voltage threshold value Vth1 and the second voltage threshold value Vth2 set in advance with the detection result from the voltage detection unit 2, and sets the first current threshold value Ith1 and the second current threshold value Ith2 set in advance. The detection result from the current detection unit 3 is compared. For the comparison, a known method is used. For example, a plurality of thresholds can be provided by installing comparators in multiple stages and connecting a power supply of a reference voltage to each.

第一電圧閾値Vth1は、パワースイッチング素子81、82の保護に関する閾値であり、電流値に関わらず、印加電圧(E+e)がパワースイッチング素子81、82の耐圧値Vmaxを超えないように設定される値である。例えば、図2及び図3に示すように、第一電圧閾値Vth1は、電圧値Eに基づいて、サージノイズe(e=L(di/dt))が、想定される最大端子間電流の場合でも耐圧値を超えないように設定されている。したがって、第一電圧閾値Vth1は、安全のために大きなマージンがとられて低い値に設定されている(特許文献1参照)。設定は、回路によって異なり、実験やシミュレーションによって決定できる。Lは回路のインダクタンスである。   The first voltage threshold value Vth1 is a threshold value related to protection of the power switching elements 81 and 82, and is set so that the applied voltage (E + e) does not exceed the withstand voltage value Vmax of the power switching elements 81 and 82 regardless of the current value. Value. For example, as shown in FIGS. 2 and 3, the first voltage threshold value Vth1 is based on the voltage value E, and the surge noise e (e = L (di / dt)) is the assumed maximum current between terminals. But it is set not to exceed the pressure resistance. Therefore, the first voltage threshold value Vth1 is set to a low value with a large margin for safety (see Patent Document 1). The setting depends on the circuit and can be determined by experimentation or simulation. L is the inductance of the circuit.

第二電圧閾値Vth2は、第一電圧閾値Vth1より大きく耐圧値Vmaxよりも小さい値である。詳細には、第二電圧閾値Vth2は、電流値(端子間電流)を考慮して設定される値であり、電流値が第一電流閾値Ith1以下である場合に、印加電圧(E+e)が耐圧値Vmaxを超えない電圧値に設定されている。例えば、第二電圧閾値Vth2は、電流値が第一電流閾値Ith1以下である場合に、印加電圧(E+e)が耐圧値Vmaxを超えない最大の電圧値に設定できる。第二電圧閾値Vth2は、第一電圧閾値Vth1同様、実験等で決定される。   The second voltage threshold value Vth2 is larger than the first voltage threshold value Vth1 and smaller than the withstand voltage value Vmax. Specifically, the second voltage threshold value Vth2 is a value set in consideration of the current value (inter-terminal current). When the current value is equal to or less than the first current threshold value Ith1, the applied voltage (E + e) is a withstand voltage. The voltage value is set not to exceed the value Vmax. For example, the second voltage threshold value Vth2 can be set to the maximum voltage value at which the applied voltage (E + e) does not exceed the withstand voltage value Vmax when the current value is equal to or less than the first current threshold value Ith1. Similar to the first voltage threshold Vth1, the second voltage threshold Vth2 is determined by experiments or the like.

第一電流閾値Ith1は、パワースイッチング素子81、82の保護に関する閾値であり、電圧値(端子間電圧)Eに関わらず、印加電圧(E+e)が耐圧値Vmaxを超えないように設定される値である。したがって、第一電流閾値Ith1は、安全のために大きなマージンがとられて低い値に設定されている(特許文献2参照)。サージノイズeは、電流の時間変化(di/dt)で決まり、想定される最大電圧Eの場合でも印加電圧(E+e)が耐電圧Vmaxを超えないように設定されている。第一電流閾値Ith1は実験等により決定される。   The first current threshold Ith1 is a threshold relating to protection of the power switching elements 81 and 82, and is a value set so that the applied voltage (E + e) does not exceed the withstand voltage value Vmax regardless of the voltage value (inter-terminal voltage) E. It is. Therefore, the first current threshold Ith1 is set to a low value with a large margin for safety (see Patent Document 2). The surge noise e is determined by the time change (di / dt) of the current, and is set so that the applied voltage (E + e) does not exceed the withstand voltage Vmax even in the case of the assumed maximum voltage E. The first current threshold value Ith1 is determined by experiments or the like.

第二電流閾値Ith2は、第一電流閾値Ith1より大きく設定されている。詳細には、第二電流閾値Ith2は、電圧値Eを考慮して設定される値であり、電圧値Eが第一電圧閾値Vth1以下である場合に、印加電圧(E+e)が耐圧値Vmaxを超えない電流値に設定されている。例えば、第二電流閾値Ith2は、電圧値Eが第一電圧閾値Vth1以下である場合に、印加電圧(E+e)が耐圧値Vmaxを超えない最大の電流値に設定できる。第二電流閾値Ith2も実験等により決定される。   The second current threshold Ith2 is set larger than the first current threshold Ith1. Specifically, the second current threshold value Ith2 is a value set in consideration of the voltage value E. When the voltage value E is equal to or lower than the first voltage threshold value Vth1, the applied voltage (E + e) has a breakdown voltage value Vmax. The current value is set not to exceed. For example, the second current threshold Ith2 can be set to the maximum current value at which the applied voltage (E + e) does not exceed the withstand voltage value Vmax when the voltage value E is equal to or less than the first voltage threshold Vth1. The second current threshold value Ith2 is also determined by experiments or the like.

制御部5は、図3に示すように、スイッチング素子駆動信号(以下、駆動信号とも称する)のオン(ON)のタイミングにおける電圧検出部2の検出結果(電圧値)と、第一電圧閾値Vth1及び第二電圧閾値Vth2とを比較する。検出される電圧値は、駆動信号のオフの期間にパワースイッチング素子81、82の端子間にチャージされたほぼ一定の電圧Eである。また、制御部5は、駆動信号のオフ(OFF)のタイミングにおける電流検出部3の検出結果(電流値)と、第一電流閾値Ith1及び第二電流閾値Ith2とを比較する。検出される電流値は、駆動信号のオンの期間にパワースイッチング素子81、82に流れる電流の最大値である。   As shown in FIG. 3, the control unit 5 detects the detection result (voltage value) of the voltage detection unit 2 at the ON timing of the switching element drive signal (hereinafter also referred to as drive signal) and the first voltage threshold value Vth1. And the second voltage threshold value Vth2. The detected voltage value is a substantially constant voltage E charged between the terminals of the power switching elements 81 and 82 during the off period of the drive signal. Further, the control unit 5 compares the detection result (current value) of the current detection unit 3 at the timing of turning off the drive signal with the first current threshold value Ith1 and the second current threshold value Ith2. The detected current value is the maximum value of the current flowing through the power switching elements 81 and 82 during the ON period of the drive signal.

制御部5は、検出された電圧値が第二電圧閾値Vth2を超えた場合、検出された電流値が第二電流閾値Ith2を超えた場合、又は、検出された電圧値が第一電圧閾値Vth1を超えて且つ検出された電流値が第一電流閾値Ith1を超えた場合には、変速回路部4により切替速度を低速とする。具体的に、制御部5は、上記の何れかの場合に、パワースイッチング素子81の制御端子(ゲート)への電圧印加経路を低速側回路41に変更する。   The control unit 5 determines whether the detected voltage value exceeds the second voltage threshold Vth2, the detected current value exceeds the second current threshold Ith2, or the detected voltage value is the first voltage threshold Vth1. When the detected current value exceeds the first current threshold Ith1, the transmission circuit unit 4 sets the switching speed to a low speed. Specifically, the control unit 5 changes the voltage application path to the control terminal (gate) of the power switching element 81 to the low-speed circuit 41 in any of the above cases.

制御端子への電圧印加(充電)により、スイッチング状態がオン状態に切り替えられ、制御端子からの放電によりオフ状態に切り替えられる。制御端子への充放電速度がスイッチング状態の切替速度に相当し、低速側回路41により充放電速度が遅くなることで切替速度が低速となる。切替速度が低速になるとは、図2における電圧上昇の傾きが小さくなる(dtが大きくなる)ことを意味する。切替速度を低速とすることで、サージノイズeの値を小さく抑えることができる。   The switching state is switched to the on state by voltage application (charging) to the control terminal, and the switching state is switched to the off state by discharging from the control terminal. The charge / discharge speed to the control terminal corresponds to the switching speed in the switching state, and the charge / discharge speed is slowed by the low-speed circuit 41, so that the switching speed is slow. A low switching speed means that the slope of the voltage increase in FIG. 2 becomes small (dt becomes large). By making the switching speed low, the value of surge noise e can be kept small.

一方、制御部5は、検出された電圧値が第一電圧閾値Vth1以下で且つ検出された電流値が第一電流閾値Ith1以下である場合には、変速回路部4により切替速度を高速とする。また、制御部5は、検出された電圧値が第一電圧閾値Vth1を超えた場合、当該電圧値が第二電圧閾値Vth2以下で且つ検出された電流値が第一電流閾値Ith1以下であれば、変速回路部4により切替速度を高速とする。また、制御部5は、検出された電流値が第一電流閾値Ith1を超えた場合、当該電流値が第二電流閾値Ith2以下で且つ検出された電圧値が第一電圧閾値Vth1以下であれば、変速回路部4により切替速度を高速とする。   On the other hand, when the detected voltage value is equal to or lower than the first voltage threshold value Vth1 and the detected current value is equal to or lower than the first current threshold value Ith1, the control unit 5 increases the switching speed by the transmission circuit unit 4. . In addition, when the detected voltage value exceeds the first voltage threshold value Vth1, the control unit 5 determines that the voltage value is equal to or less than the second voltage threshold value Vth2 and the detected current value is equal to or less than the first current threshold value Ith1. The switching speed is increased by the transmission circuit unit 4. In addition, when the detected current value exceeds the first current threshold Ith1, the control unit 5 determines that the current value is equal to or less than the second current threshold Ith2 and the detected voltage value is equal to or less than the first voltage threshold Vth1. The switching speed is increased by the transmission circuit unit 4.

具体的に、制御部5は、上記の何れかの場合に、パワースイッチング素子81の制御端子(ゲート)への電圧印加経路を高速側回路42に変更する。制御端子への充放電速度が高速側回路42により速くなると、図2における電圧上昇の傾きが大きくなり(dtが小さくなり)、サージノイズeの値は大きくなるが、電力損失が小さくなる。   Specifically, the control unit 5 changes the voltage application path to the control terminal (gate) of the power switching element 81 to the high-speed circuit 42 in any of the above cases. When the charge / discharge speed to the control terminal is increased by the high-speed circuit 42, the slope of the voltage rise in FIG. 2 increases (dt decreases), the value of the surge noise e increases, but the power loss decreases.

ここで、制御部5の変速制御について、図3を参照して具体的に説明する。図3に示すように、最初の駆動信号のオン(a1)において検出された電圧値(端子間電圧)は、第一電圧閾値Vth1及び第二電圧閾値Vth2を超えている。したがって、制御部5は変速回路部4の低速側回路41を選択し、次回のオン・オフの際には、低速側回路41を介して制御端子(ゲート)を充放電する。   Here, the shift control of the control unit 5 will be specifically described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the voltage value (inter-terminal voltage) detected when the first drive signal is turned on (a1) exceeds the first voltage threshold Vth1 and the second voltage threshold Vth2. Therefore, the control unit 5 selects the low speed side circuit 41 of the transmission circuit unit 4 and charges / discharges the control terminal (gate) via the low speed side circuit 41 at the next on / off.

次のオフ(b1)で検出された電流値(端子間電流)は、第一電流閾値Ith1及び第二電流閾値Ith2を超えている。したがって、制御部5は、引き続き低速側回路41を選択する。   The current value (current between terminals) detected at the next off (b1) exceeds the first current threshold Ith1 and the second current threshold Ith2. Therefore, the control unit 5 continues to select the low speed side circuit 41.

次のオン(a2)で検出された電圧値は、第一電圧閾値Vth1より大きく第二電圧閾値Vth2以下の値となっている。この場合、制御部5は、次のオフ(b2)まで選択を低速側回路41で維持する。次のオフ(b2)で検出された電流値は、第一電流閾値Ith1及び第二電流閾値Ith2を超えている。したがって、制御部5は、引き続き低速側回路41を選択する。   The voltage value detected at the next ON (a2) is larger than the first voltage threshold Vth1 and equal to or smaller than the second voltage threshold Vth2. In this case, the control unit 5 maintains the selection in the low-speed circuit 41 until the next off (b2). The current value detected at the next off (b2) exceeds the first current threshold Ith1 and the second current threshold Ith2. Therefore, the control unit 5 continues to select the low speed side circuit 41.

次のオン(a3)で検出された電圧値は、第一電圧閾値Vth1より大きく第二電圧閾値Vth2以下の値となっている。この場合、制御部5は、次のオフ(b3)まで選択を低速側回路41で維持する。次のオフ(b3)で検出された電流値は、第一電流閾値Ith1より大きく第二電流閾値Ith2以下となっている。したがって、制御部5は、引き続き低速側回路41を選択する。   The voltage value detected at the next ON (a3) is greater than the first voltage threshold Vth1 and equal to or less than the second voltage threshold Vth2. In this case, the control unit 5 maintains the selection in the low-speed circuit 41 until the next off (b3). The current value detected at the next off (b3) is greater than the first current threshold Ith1 and less than or equal to the second current threshold Ith2. Therefore, the control unit 5 continues to select the low speed side circuit 41.

次のオン(a4)で検出された電圧値は、第一電圧閾値Vth1より大きく第二電圧閾値Vth2以下の値となっている。この場合、制御部5は、次のオフ(b4)まで選択を低速側回路41で維持する。次のオフ(b4)で検出された電流値は、第一電流閾値Ith1以下となっている。この場合、制御部5は、制御端子への電圧印加経路について、変速回路部4の高速側回路42を選択する。つまり、制御部5は、スイッチング状態の切替速度を高速に切り替える。   The voltage value detected at the next ON (a4) is larger than the first voltage threshold Vth1 and equal to or smaller than the second voltage threshold Vth2. In this case, the control unit 5 maintains the selection in the low-speed circuit 41 until the next off (b4). The current value detected at the next off (b4) is equal to or less than the first current threshold Ith1. In this case, the control unit 5 selects the high-speed side circuit 42 of the transmission circuit unit 4 for the voltage application path to the control terminal. That is, the control unit 5 switches the switching speed of the switching state at high speed.

次のオン(a5)で検出された電圧値は、第一電圧閾値Vth1以下となっている。この場合、制御部5は、次のオフ(b5)まで選択を高速側回路42で維持する。次のオフ(b5)で検出された電流値は、第一電流閾値Ith1より大きく第二電流閾値Ith2以下となっている。したがって、制御部5は、引き続き高速側回路42を選択する。   The voltage value detected at the next ON (a5) is equal to or lower than the first voltage threshold value Vth1. In this case, the control unit 5 maintains the selection in the high-speed side circuit 42 until the next off (b5). The current value detected at the next off (b5) is greater than the first current threshold Ith1 and less than or equal to the second current threshold Ith2. Therefore, the control unit 5 continues to select the high speed side circuit 42.

このように、制御部5は、電圧値が第二電圧閾値Vth2を超えた場合又は電流値が第二電流閾値Ith2を超えた場合には、電流値(前者の場合)又は電圧値(後者の場合)に関わらず、切替速度を低速にする。一方、上記以外の場合、本実施形態の制御部5は、1つのオン状態におけるオン(an)とオフ(bn)(nは自然数)で検出された各検出結果に基づいて切替速度の選択を行う。つまり、この場合、1つのオン状態期間では速度変更は行われず、オフの際に速度選択がなされる。なお、制御部5は、1つのオフ状態におけるオフ(bn)とオン(a(n+1))で検出された各検出結果に基づいて切替速度を選択しても良い。   As described above, when the voltage value exceeds the second voltage threshold value Vth2 or when the current value exceeds the second current threshold value Ith2, the control unit 5 determines the current value (in the former case) or the voltage value (in the latter case). ) Change the switching speed to a low speed regardless. On the other hand, in the case other than the above, the control unit 5 of the present embodiment selects the switching speed based on each detection result detected in on (an) and off (bn) (n is a natural number) in one on state. Do. That is, in this case, the speed is not changed during one on-state period, and the speed is selected when it is off. Note that the control unit 5 may select the switching speed based on each detection result detected in off (bn) and on (a (n + 1)) in one off state.

本実施形態によれば、パワースイッチング素子81、82の端子間の電圧及び電流を監視することで、従来不要に低速制御されていた低速選択のケースを無くし、適切に高速選択することができる。つまり、電圧値及び電流値を把握することで、変速に関する電圧閾値及び電流閾値を大きくすることができ、高速選択できる幅を大きくし、電力変換効率を高めることができる。本実施形態では、電圧値及び電流値についてそれぞれ2つの閾値を設けており、両値の組み合わせを考慮して変速制御している。これにより、パワースイッチング素子を電圧超過から適切に保護することができる。以上、本実施形態の駆動装置1によれば、パワースイッチング素子81、82を電圧超過から保護するとともに、スイッチング状態の切替速度の不要な低速化を抑えることができる。   According to the present embodiment, by monitoring the voltage and current between the terminals of the power switching elements 81 and 82, the case of low speed selection that has been conventionally controlled at low speed can be eliminated, and appropriate high speed selection can be performed. That is, by grasping the voltage value and the current value, it is possible to increase the voltage threshold value and the current threshold value related to the shift, increase the range for high-speed selection, and increase the power conversion efficiency. In this embodiment, two threshold values are provided for each of the voltage value and the current value, and the shift control is performed in consideration of the combination of both values. Thereby, a power switching element can be appropriately protected from an excess voltage. As described above, according to the driving device 1 of the present embodiment, the power switching elements 81 and 82 can be protected from excessive voltage, and unnecessary switching speed of the switching state can be suppressed.

なお、駆動装置1は、ソフトシャットダウンゲート抵抗71やスイッチング素子72を有しており、パワースイッチング素子81、82の短絡時には、ソフトシャットダウンが行われる。また、電圧低下検出回路6によって、駆動装置1の電源電圧(VccP・COMP間電圧又はVccN・COMN間電圧)が所定値以下であることが検出された場合には、パワースイッチング素子81、82の損失増加による破損を防止するために、スイッチングが中止される。   The driving device 1 includes a soft shutdown gate resistor 71 and a switching element 72, and when the power switching elements 81 and 82 are short-circuited, the soft shutdown is performed. When the voltage drop detection circuit 6 detects that the power supply voltage (the voltage between VccP and COMP or the voltage between VccN and COMN) of the driving device 1 is not more than a predetermined value, the power switching elements 81 and 82 Switching is stopped to prevent damage due to increased loss.

1:駆動装置、 2:電圧検出部、 3:電流検出部、
4:変速回路部、 41:低速側回路、 42:高速側回路、
5:制御部、
8:素子回路、 81、82:パワースイッチング素子、
FD:フリーホイールダイオード、 ST:センス端子
1: drive device, 2: voltage detection unit, 3: current detection unit,
4: transmission circuit portion, 41: low speed side circuit, 42: high speed side circuit,
5: Control unit,
8: Element circuit 81, 82: Power switching element
FD: Freewheel diode, ST: Sense terminal

Claims (1)

高電位側のパワースイッチング素子及び低電位側のパワースイッチング素子が直列に接続された電力変換用の素子回路について、前記パワースイッチング素子のオン/オフを制御する制御部と、
前記パワースイッチング素子のオンされた際における前記パワースイッチング素子の入力端子及び出力端子間の電圧を検出する電圧検出部と、
前記パワースイッチング素子のオフされた際における前記パワースイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記制御部によって前記パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度が少なくとも低速と高速とで選択可能な変速回路部と、
を備え、
前記制御部は、
前記パワースイッチング素子の保護に関して設定された第一電圧閾値及び第一電流閾値と、前記第一電圧閾値より大きく前記パワースイッチング素子の耐圧値よりも小さい第二電圧閾値と、前記第一電流閾値より大きく且つ前記電圧検出部で検出された電圧値が第一電圧閾値以下である場合にサージノイズと前記電圧値の和が前記耐圧値を超えないように設定された第二電流閾値に基づいて、前記変速回路部における前記切替速度を選択し、
前記電圧値が前記第二電圧閾値を超えた場合、前記電流検出部で検出された電流値が前記第二電流閾値を超えた場合、又は、前記電圧値が前記第一電圧閾値を超えて且つ前記電流値が前記第一電流閾値を超えた場合には、前記変速回路部により前記切替速度を低速とし、
前記電圧検出部で検出された電圧値が前記第一電圧閾値以下で且つ前記電流検出部で検出された電流値が前記第一電流閾値以下である場合には、前記変速回路部により前記切替速度を高速とし、
前記電圧値が前記第一電圧閾値を超えた場合、前記電圧値が前記第二電圧閾値以下で且つ前記電流値が前記第一電流閾値以下であれば、前記変速回路部により前記切替速度を高速とし、
前記電流値が前記第一電流閾値を超えた場合、前記電流値が前記第二電流閾値以下で且つ前記電圧値が前記第一電圧閾値以下であれば、前記変速回路部により前記切替速度を高速とすることを特徴とするパワースイッチング素子の駆動装置。
For a power conversion element circuit in which a high-potential side power switching element and a low-potential side power switching element are connected in series, a control unit that controls on / off of the power switching element;
A voltage detection unit for detecting a voltage between an input terminal and an output terminal of the power switching element when the power switching element is turned on;
A current detector that detects a current flowing through the power switching element when the power switching element is turned off;
A speed change circuit unit capable of selecting at least a low speed and a high speed as a switching speed of the switching state of the power switching element by the control unit;
With
The controller is
From the first voltage threshold value and the first current threshold value set for the protection of the power switching element, a second voltage threshold value that is larger than the first voltage threshold value and smaller than the withstand voltage value of the power switching element, and the first current threshold value. Based on a second current threshold value that is set so that the sum of surge noise and the voltage value does not exceed the withstand voltage value when the voltage value detected by the voltage detector is less than or equal to the first voltage threshold value. Select the switching speed in the transmission circuit unit,
When the voltage value exceeds the second voltage threshold, when the current value detected by the current detection unit exceeds the second current threshold, or when the voltage value exceeds the first voltage threshold and When the current value exceeds the first current threshold, the switching speed is reduced by the transmission circuit unit,
When the voltage value detected by the voltage detection unit is less than or equal to the first voltage threshold value and the current value detected by the current detection unit is less than or equal to the first current threshold value, the speed change circuit unit causes the switching speed to be changed. And fast
When the voltage value exceeds the first voltage threshold, if the voltage value is less than or equal to the second voltage threshold and the current value is less than or equal to the first current threshold, the transmission circuit unit increases the switching speed. age,
When the current value exceeds the first current threshold value, the switching circuit speeds up the switching speed if the current value is less than the second current threshold value and the voltage value is less than the first voltage threshold value. A drive device for a power switching element.
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