JP2013110154A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2013110154A
JP2013110154A JP2011251629A JP2011251629A JP2013110154A JP 2013110154 A JP2013110154 A JP 2013110154A JP 2011251629 A JP2011251629 A JP 2011251629A JP 2011251629 A JP2011251629 A JP 2011251629A JP 2013110154 A JP2013110154 A JP 2013110154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
substrate
emitting element
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011251629A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuji Matsuo
哲二 松尾
Hideyuki Watanabe
英之 渡邉
Airei Niwa
愛玲 丹羽
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
サンケン電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd, サンケン電気株式会社 filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP2011251629A priority Critical patent/JP2013110154A/en
Publication of JP2013110154A publication Critical patent/JP2013110154A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device capable of restraining chromaticity variation and deterioration of reliability due to variation of output light from a substrate side face.SOLUTION: The light emitting device comprises: a light emitting element 10; a substrate 20 on which the light emitting element 10 is mounted and that absorbs incident emission light of the light emitting element 10 to prevent the emission light from being outputted from a side face; a package 30 having a recess for housing the light emitting element 10 and the substrate 20; a die mounting agent 40 for fixing the substrate 20 to the package 30 on a bottom face of the recess of the package 30; and a phosphor layer 50 containing a phosphor 51 filled in the recess, excited by the emission light of the light emitting element 10 and radiating excitation light. Mixture light of the emission light and the excitation light of the light emitting element 10 is outputted.

Description

本発明は、蛍光体を用いて光を出力する発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device that outputs light with a phosphor.

発光ダイオード(LED)などの発光素子を光源に用いた発光装置が実用化されている。 Light-emitting device using a light emitting element such as a light emitting diode (LED) as a light source have been put into practical use. 白色光を出力する発光装置を実現するために、赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する複数のLEDが使用されたり、青色LEDと各種の青色励起蛍光体(黄色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体)とを組み合わせた擬似白色LEDが使用されたりしている。 To realize a light emitting device that outputs white light, red light, green light, or a plurality of LED are used for emitting blue light, respectively, the blue excitation phosphor blue LED and various (yellow phosphor, a green phosphor , pseudo white LED obtained by combining the red phosphor) is or are used.

発光素子は、明るさや発光効率を向上させるために、一般的にサファイア基板や炭化シリコン(SiC)基板などの透光性を有する基板上に搭載される(例えば特許文献1参照。)。 Light emitting elements, in order to improve the brightness and luminous efficiency, generally equipped with is on a substrate having a light transmitting property such as a sapphire substrate or a silicon carbide (SiC) substrate (for example, see Patent Document 1.). 同様に、パッケージに基板を固定するダイマウント剤にも光透過率の高いものや光反射率の高い白色のものが用いられている。 Similarly, those high white high or light reflectivity of even light transmittance die mount agent for fixing the substrate is used in the package.

特開2004−207519号公報 JP 2004-207519 JP

透光性を有する基板上に発光素子が配置された場合、発光素子からの出射光が等方に広がる。 If the light emitting element formed over a light-transmitting substrate are arranged, light emitted from the light emitting element is spread isotropically. そのため、基板に入射した出射光が基板を透過した後に基板側面からも出力される。 Therefore, the outgoing light incident on the substrate is output from the substrate side after passing through the substrate. 基板をパッケージに実装するためのダイマウント剤の塗布量の変動により、基板側面に付着するダイマウント剤の膜厚や底面からの這い上がり量(高さ)が変化する。 The variation in the coating amount of die mount agent for mounting the substrate in a package, creeping of the film thickness and the bottom surface of the die mount agent adhering to the substrate side (height) changes. これによる基板側面における遮光量の変化によって、基板側面から出力される光の光量がばらつく。 By the light shielding amount of change in the substrate side by this, the amount of light output from the substrate side varies. その結果、発光素子の出射光と蛍光体からの励起光との混色による白色出力光の色度ばらつきが発生するという問題が生じる。 As a result, a problem that the chromaticity variation of the white output light by mixing the excitation light from the emission light and the phosphor of the light emitting element is generated occurs.

更に、パッケージが光反射部分を有する場合、光反射部分の反射率が光エネルギーによって経時劣化する。 Further, if the package has a light reflecting portion, the reflectance of the light reflecting portion is time degradation by light energy. このため、発光装置の信頼性が著しく低下し、特に色度変化が大きい。 Therefore, the reliability is significantly lowered in the light emitting device, especially large chromaticity change.

上記問題点に鑑み、本発明は、基板側面からの出力光の変動による色度ばらつき及び信頼性の低下を抑制できる発光装置を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention aims to provide a light emitting device capable of suppressing reduction in chromaticity variation and reliability due to the variation of the output light from the substrate side.

本発明の一態様によれば、(イ)発光素子と、(ロ)発光素子を搭載し、入射された発光素子の出射光を吸収することでその出射光を側面から出力させない基板と、(ハ)発光素子及び基板を格納する凹部を有するパッケージと、(ニ)パッケージの凹部の底面において基板をパッケージに固定するダイマウント剤と、(ホ)凹部に充填された、発光素子の出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体を含有する蛍光体層とを備え、発光素子の出射光と励起光との混色光を出力する発光装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, and (b) light-emitting element, a substrate which does not output the light emitted from the side surface by absorbing light emitted (b) mounting a light emitting element, the incident light-( a package having a recess for storing c) light-emitting element and the substrate, (and die mount agent for fixing the substrate to the package at the bottom of the recess of the two) package, filled in (e) the recess, the light emitted from the light emitting element and a phosphor layer containing a phosphor that emits excitation light is excited, light emitting device is provided for outputting a mixed light of the excitation light and the light emitted from the light emitting element.

本発明によれば、基板側面からの出力光の変動による色度ばらつき及び信頼性の低下を抑制できる発光装置を提供できる。 The present invention can provide a light emitting device capable of suppressing reduction in chromaticity variation and reliability due to the variation of the output light from the substrate side.

本発明の第1の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a structure of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 比較例の発光装置の構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a structure of a light emitting device of the comparative example. 本発明の第1の実施形態の第1の変形例に係る発光装置の構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a structure of a light emitting device according to a first modification of the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態の第2の変形例に係る発光装置の構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a structure of a light emitting device according to a second modification of the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a structure of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention. 図6(a)は本発明の第2の実施形態に係る発光装置の出力光のxy色度図であり、図6(b)は図2に示した比較例の発光装置の出力光のxy色度図である。 6 (a) is a xy chromaticity diagram of the output light of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention, xy of the output light of the light emitting device of the comparative example shown in FIG. 6 (b) Figure 2 it is a chromaticity diagram.

次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施形態を説明する。 Next, with reference to the accompanying drawings, illustrating the first and second embodiments of the present invention. 以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。 In the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. 又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。 Further, the embodiments described below are intended to illustrate the devices and methods for embodying the technical idea of ​​the present invention, the technical idea of ​​the present invention, the shape of the components, structure, arrangement, etc. not to those described below. この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Embodiments of the invention may be added in the claims, various changes.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
本発明の第1の実施形態に係る発光装置1は、図1に示すように、発光素子10と、発光素子10を搭載し、入射された発光素子10の出射光を吸収することでその出射光を側面から出力させない基板20と、発光素子10及び基板20を格納する凹部を有し、その凹部の内壁面31が光反射面であるパッケージ30と、パッケージ30の凹部の底面において基板20をパッケージ30に固定するダイマウント剤40と、凹部に充填された、発光素子10の出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体51を含有する蛍光体層50とを備える。 The light emitting device 1 according to a first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the left and the light emitting element 10, and mounting the light emitting element 10, by absorbing the emitted light of the incident light-emitting element 10 a substrate 20 which does not output from the side of Shako has a recess for storing the light emitting element 10 and the substrate 20, a package 30 inner wall 31 of the recess is a light reflecting surface, the substrate 20 at the bottom of the recess of the package 30 It comprises a die mounting material 40 to be fixed to the package 30, filled in the concave portion, and a phosphor layer 50 containing the phosphor 51 that emits excitation light is excited by the light emitted from the light emitting element 10. 発光装置1は、発光素子10の出射光と励起光とが混色された出力光Lを出力する。 The light emitting device 1 outputs the output light L emitted from the light emitting element 10 and the excitation light are mixed.

図1に示した発光装置1では、上部よりも底部が狭い凹部を有するパッケージ30の凹部底面に、発光素子10が配置されている。 In the light emitting device 1 shown in FIG. 1, the recess bottom surface of the package 30 to the bottom than the top has a narrow recess, the light emitting element 10 is disposed. 発光素子10には、LEDやレーザダイオードなどの半導体発光素子が採用可能である。 The light emitting element 10, the semiconductor light emitting element such as an LED or laser diode can be adopted.

図1に示した発光素子10は、n型クラッド層11、活性層12及びp型クラッド層13が積層された構造である。 Emitting element 10 shown in FIG. 1, n-type cladding layer 11, a structure in which the active layer 12 and the p-type cladding layer 13 are stacked. n型クラッド層11にはn側電極110が接続されており、図示を省略した外部の負電源からボンディングワイヤなどを介して電子がn側電極110に供給される。 The n-type cladding layer 11 is connected to the n-side electrode 110, electrons are supplied to the n-side electrode 110 from the negative power source of the external, not shown via a bonding wire. これにより、n型クラッド層11から活性層12に電子が供給される。 Thus, electrons are supplied from the n-type cladding layer 11 into the active layer 12.

p型クラッド層13にはp側電極130が接続されており、図示を省略した外部の正電源からボンディングワイヤなどを介して正孔(ホール)がp側電極130に供給される。 The p-type cladding layer 13 is connected to the p-side electrode 130, a hole (holes) is supplied to the p-side electrode 130 from an external positive power supply which is not shown via a bonding wire. これにより、p型クラッド層13から活性層12に正孔が供給される。 Accordingly, holes are supplied to the active layer 12 from the p-type cladding layer 13.

活性層12は、例えばInGaN膜とGaN膜を交互に積層した多重量子井戸(MQW)構造を有する。 The active layer 12 has a multiple quantum well (MQW) structure by alternately stacking, for example, InGaN layer and the GaN film. n型クラッド層11から供給された電子とp型クラッド層13から供給された正孔とが活性層12で再結合して光を発生する。 And n-type cladding layer 11 holes supplied from the electron and p-type cladding layer 13 which is supplied from recombine in the active layer 12 generates light.

蛍光体層50には、蛍光体51を含有するシリコン樹脂などが採用可能である。 The phosphor layer 50, a silicon resin containing a phosphor 51 can be employed. 蛍光体層50に含まれる蛍光体51は、発光素子10の出射光に応じて決定される。 Phosphor 51 contained in the phosphor layer 50 is determined according to the light emitted from the light emitting element 10. 例えば、発光素子10が青色光を出射する場合には、青色光に励起されて黄色光を放射するイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)などが蛍光体51として用いられる。 For example, when the light emitting element 10 emits blue light, such as yttrium aluminum garnet is excited to blue light to emit yellow light (YAG) is used as the phosphor 51. このとき、発光素子10から出射された青色光の一部が蛍光体51を励起することにより、黄色光に波長変換される。 At this time, part of the blue light emitted from the light emitting element 10 by exciting the phosphor 51, is wavelength-converted into yellow light. 蛍光体51から放射された黄色光と発光素子10から出射された青色光とが混合されることにより、白色の出力光Lが発光装置1から出力される。 By the yellow light emitted from the phosphor 51 and the blue light emitted from the light emitting element 10 are mixed, white output light L is outputted from the light-emitting device 1. 発光素子10をパッケージ30の凹部底面に配置することにより、出力光Lの指向性が向上する。 By disposing the light emitting element 10 in the recess bottom surface of the package 30, thereby improving directivity of the output light L.

なお、パッケージ30の内壁面31を光反射面とすることにより、パッケージ30内部で光が散乱し、発光装置1の明るさや発光効率を向上させることができる。 Incidentally, the inner wall surface 31 of the package 30 by the light reflecting surfaces, light is scattered inside the package 30, it is possible to improve the brightness and luminous efficiency of the light emitting device 1. 例えば、内壁面31に銀(Ag)膜や白色の樹脂を塗布することにより、内壁面31を光反射面にする。 For example, by applying a silver (Ag) film or a white resin on the inner wall surface 31, the inner wall surface 31 on the light reflecting surface.

図1に示した基板20は、透光性基板21の側面に、光反射層22と光吸収層23を積層して配置された構造である。 Substrate 20 shown in FIG. 1, the side surface of the transparent substrate 21, a structure which is arranged a light-reflecting layer 22 and the light absorbing layer 23 is laminated. 発光素子10から透光性基板21に入射された光は光反射層22によって反射される。 Light from the light emitting element 10 is incident on the light-transmissive substrate 21 is reflected by the light reflecting layer 22. 更に、透光性基板21の側面から外部に向かう光は光吸収層23に吸収される。 Furthermore, light directed to the outside from the side surface of the transparent substrate 21 is absorbed by the light absorbing layer 23. このため、基板20を透過した発光素子10の出射光が基板20の側面から出力されることが防止される。 Therefore, the light emitted from the light emitting element 10 that passes through the substrate 20 is prevented from being output from the side surfaces of the substrate 20.

透光性基板21は、サファイア基板やSiC基板などである。 The transparent substrate 21 is a sapphire substrate or SiC substrate. 光反射層22には、例えばアルミニウム(Al)やAu(金)などの金属膜を採用可能である。 The light reflecting layer 22 is, for example, aluminum (Al), Au (gold) can adopt a metal film such as. 光吸収層23は、例えばカーボンコートや、酸化シリコン(SiO 2 )膜とジルコニア(ZrO 2 )膜を交互に積層した干渉層などである。 Light absorbing layer 23 may be, for example, a carbon coating, a silicon oxide (SiO 2) film and zirconia (ZrO 2) film and the like interference layer alternately laminated. 光吸収層23は、発光素子10の出射光、蛍光体51の励起光、それらの混色光などの光を吸収する。 Light absorbing layer 23 absorbs light emitted from the light emitting element 10, the excitation light of the phosphor 51, the light such as those mixed color light.

基板20とパッケージ30を接着するダイマウント剤40の塗布量の変動により、基板20の側面に付着するダイマウント剤40の厚みや底面からの這い上がり量(高さ)が変化する。 The variation in the coating amount of die mounting material 40 for bonding the substrate 20 and the package 30, creeping of the thickness and the bottom surface of the die mounting material 40 adhering to the side surface of the substrate 20 (height) changes. その結果、図2に示すように光反射層22や光吸収層23が透光性基板21の側面に配置されていない比較例1Aでは、ダイマウント剤40の付着量の多寡に応じて基板20側面における遮光量が変化し、基板20の側面から出力される光の光量がばらつく。 As a result, in Comparative Example 1A light reflecting layer 22 and the light absorbing layer 23 is not disposed on the side surface of the transparent substrate 21 as shown in FIG. 2, the substrate 20 in accordance with the amount of deposition of die mounting material 40 amount shading changes on the side, the amount of light output from the side surface of the substrate 20 is varied. このため、出力光Lの光量が発光装置毎に異なることになり、製品の歩留まりが低下する。 Therefore, the light amount of the output light L becomes different for each light emitting device, the yield of product is reduced.

しかしながら、図1に示した発光装置1では、光吸収層23によって基板20の側面から光が出力されることが防止される。 However, the light emitting device 1 shown in FIG. 1, the light from the side surface of the substrate 20 is output is prevented by the light absorbing layer 23. このため、発光装置毎の出力光Lの光量のばらつきが発生せず、歩留まりを向上させることができる。 Therefore, variations in the quantity of the output light L for each light emitting device does not occur, it is possible to improve the yield.

なお、光吸収層23は、透光性基板21の側面から光を外部に出力させない機能と共に、パッケージ30内で反射して基板20の側面に外側から到達した発光素子10の出射光の一部を吸収する機能を有する。 The light absorbing layer 23, together with the ability to not output from the side surfaces of the transparent substrate 21 with light to outside, a part of the light emitted from the light emitting element 10 that reaches from the outside on the side surface of the substrate 20 is reflected by the package 30 within It has a function to absorb. このため、基板20を透過して側面から出力された光及び基板20の側面で反射した光が、パッケージ30の光反射面に入射することを抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the light reflected by the side surfaces of the light and the substrate 20 outputted from the side passes through the substrate 20 is incident on the light reflecting surface of the package 30.

蛍光体層50を構成する樹脂や外部から浸入する水分と反応することにより、パッケージ30の凹部の内壁面31の光反射率が劣化する。 By reaction with moisture from entering from the resin and the outside constituting the phosphor layer 50, the light reflectance of the inner wall surface 31 of the recess of the package 30 is degraded. この劣化は光エネルギーによって促進される。 This degradation is promoted by light energy. このため、凹部の内壁面31の、特に発光素子10及び基板20の側面と対向する部分において、光反射率が経時劣化する。 Therefore, the inner wall surface 31 of the recess, in particular in the side opposite to the portion of the light emitting element 10 and the substrate 20, the light reflectivity deteriorates over time.

しかし、図1に示した発光装置1では、上記のように基板20の側面に入射する光が吸収される。 However, the light emitting device 1 shown in FIG. 1, light incident on the side surface of the substrate 20 as described above is absorbed. 更に、基板20の側面から光が出力されることが防止される。 Furthermore, it is possible to prevent light from the side surface of the substrate 20 is output. このため、基板20の側面とパッケージ30の内壁面31間における光量が減少する。 Therefore, the amount of light between the inner wall surface 31 side and the package 30 of the substrate 20 is reduced. その結果、内壁面31の光反射率の劣化を抑制することができる。 As a result, it is possible to suppress the deterioration of the light reflectance of the inner wall surface 31.

なお、基板20の側面から出力される光や基板20の側面において反射される光の量を減らすために、基板20の側面の高さ、即ち基板20の厚みは薄いことが好ましい。 In order to reduce the amount of light reflected at the side surface of the light and the substrate 20 outputted from the side of the substrate 20, the height of the side surface of the substrate 20, i.e. the thickness of the substrate 20 is preferably thin. このため、例えば基板20の厚さを150μm以下にする。 Thus, for example, the thickness of the substrate 20 to 150μm or less. これにより、内壁面31の光反射率の劣化を更に抑制することができる。 Thus, it is possible to further suppress the deterioration of the light reflectance of the inner wall surface 31.

発光素子10の上面から出射された光の一部は、パッケージ30内で反射して基板20の側面に達する。 Part of the light emitted from the upper surface of the light emitting element 10 reaches the side surface of the substrate 20 is reflected by the package 30 within. このため、発光素子10の出射光、蛍光体51の励起光、それらの混色光などの光を吸収する光吸収特性を有する材料をダイマウント剤40に使用することで、基板20側面の光量を更に減少できる。 Therefore, the light emitted from the light emitting element 10, the excitation light of the phosphors 51, a material having a light absorption property of absorbing light, such as those mixed color light by using a die mount material 40, the amount of the substrate 20 side It can be further reduced. このためには、ダイマウント剤40を透明ではないものや白色でないものにする。 For this purpose, to those that are not intended and white it is not transparent the die mounting material 40. 例えば、ダイマウント剤40に灰色の銀ペーストを使用する。 For example, using the gray silver paste die mounting material 40. また、同様の理由で、パッケージ30に光吸収特性を有する材料(透明ではないものや白色でないもの)を使用してもよい。 For the same reason, the package 30 (those that are not intended not transparent or white) materials having light absorption properties may be used. 例えば、カーボンを混入させた樹脂からなるパッケージ30を採用可能である。 For example, it is possible to adopt a package 30 made of resin is mixed with carbon.

以上に説明したように、本発明の第1の実施形態に係る発光装置1では、基板20の側面からの光の出力、及び側面からの基板20への光の入射や側面での光の反射が防止される。 As described above, the light emitting device 1 according to a first embodiment of the present invention, the output of light from the side surface of the substrate 20, and the reflection of light at the incident or side of the light to the substrate 20 from the side There is prevented. その結果、発光装置1においては、出力光Lの光量のばらつきやパッケージ30の光反射面の経時劣化が抑制される。 As a result, in the light emitting device 1, aging of the light reflecting surface of the light amount variations or the package 30 of the output light L is suppressed. したがって、図1に示した発光装置1によれば、出力光Lの変動による色度ばらつき及び信頼性の低下を抑制される。 Therefore, according to the light emitting device 1 shown in FIG. 1, it is suppress a reduction in chromaticity variation and reliability due to the variation of the output light L. また、歩留まりの向上により、低価格の発光装置1を提供できる。 Also, by improving the yield, it is possible to provide a light emitting device 1 of the low price.

<第1の変形例> <First Modification>
図3に、本発明の第1の実施形態の第1の変形例に係る発光装置1を示す。 Figure 3 shows the light emitting device 1 according to a first modification of the first embodiment of the present invention. 図3に示した発光装置1では、基板20の側面に光反射層22が配置されず、光吸収層23のみが配置されている。 In the light emitting device 1 shown in FIG. 3, the light reflecting layer 22 is not disposed on the side surface of the substrate 20, only the light absorbing layer 23 is disposed.

光反射層22がなくても、光吸収層23のみによって基板20の側面からの光の出力及び基板20の側面での光の反射を防止することができる。 Even without the light reflective layer 22, may be the only light-absorbing layer 23 to prevent reflection of light at the output and the side surface of the substrate 20 of the light from the side surface of the substrate 20. 基板20の側面に光吸収層23のみを配置することにより、発光装置1の製造工程の短縮や製造コストの低減を実現できる。 By placing the side surface of the substrate 20 only the light absorbing layer 23 can be realized to reduce the shortening and production cost of the light emitting device 1 of the manufacturing process.

<第2の変形例> <Second Modification>
図4に、本発明の第1の実施形態の第2の変形例に係る発光装置1を示す。 4 shows a light-emitting device 1 according to a second modification of the first embodiment of the present invention. 図4に示した発光装置1では、基板20が配置されたパッケージ30のパッケージベース部分から、少なくともダイマウント剤40が這い上がった高さまで、基板20の側面に光反射層22と光吸収層23が配置されている。 In the light emitting device 1 shown in FIG. 4, the package base portion of the package 30 where the substrate 20 is disposed, at least die mount agent until 40 creeps up height, the light reflective layer on the side surfaces of the substrate 20 22 and the light absorbing layer 23 There has been placed.

基板20の側面から出力される光のうち、ダイマウント剤40を透過しない光の光量は、発光装置1毎のばらつきが少ない。 Among the light output from the side surface of the substrate 20, the amount of light not transmitted through the die mount agent 40, variations among the light-emitting device 1 is small. ダイマウント剤40での反射光の光量のばらつきも少ない。 Variations in the amount of light reflected by the die mounting material 40 is also small. このため、ダイマウント剤40が基板20の底面から側面の下部にかけて形成されている場合に、基板20の側面のダイマウント剤40が付着した領域のみに光反射層22と光吸収層23を配置することにより、出力光Lの光量の変動を抑制できる。 Therefore, when the die mounting material 40 is formed over the lower portion of the side surface from the bottom surface of the substrate 20, placing the light reflection layer 22 and the light-absorbing layer 23 only in the region where the die mounting material 40 side of the substrate 20 is attached by, it can suppress variations in light quantity of output light L. なお、図3と同様に基板20の側面に光反射層22を配置せず、光吸収層23のみを配置してもよい。 Incidentally, without disposing the light reflecting layer 22 on the side surfaces of the substrate 20 similarly to FIG. 3, it may be disposed only the light absorbing layer 23.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図5に示す本発明の第2の実施形態に係る発光装置1は、光吸収特性を有する基板20を備えることが図1に示した発光装置1と異なる点である。 5 in the light emitting device 1 according to the second embodiment of the present invention illustrated, it comprises a substrate 20 having light absorption characteristics are different from the light emitting device 1 shown in FIG. その他の構成については、第1の実施形態と同様である。 The other configuration is the same as the first embodiment. 図5に示した基板20には、透明でない基板及び白色でない基板などが使用される。 The substrate 20 shown in FIG. 5, such as a substrate not substrates and white non-transparent are used. 例えば、シリコン基板やゲルマニウム(Ge)基板などを基板20に採用可能である。 For example, it is possible to employ such as a silicon substrate or a germanium (Ge) substrate on the substrate 20.

光吸収材料からなる基板20を使用することにより、発光素子10の出射光が基板20を透過して側面から出力することを防止できる。 By using a substrate 20 made of a light absorbing material, the light emitted from the light emitting element 10 can be prevented to output from the side passes through the substrate 20. このため、基板20の側面におけるダイマウント剤40の塗布量が変動しても、基板20の側面から出力される光の光量がばらつくことに起因する、発光装置毎の出力光Lの光量のばらつきは発生しない。 Therefore, even if the variation coating amount of die mounting material 40 on the side of the substrate 20, due to the amount of light output from the side surfaces of the substrate 20 is varied, the variation of the light amount of the output light L for each light emitting device It does not occur.

また、パッケージ30内で反射して基板20の側面に外側から到達した光は、基板20に吸収される。 Further, the light from the outside on the side surface of the substrate 20 is reflected by the package 30 within is absorbed by the substrate 20. このため、基板20の側面とパッケージ30の内壁面31間における光量が減少する。 Therefore, the amount of light between the inner wall surface 31 side and the package 30 of the substrate 20 is reduced. その結果、内壁面31の光反射率の劣化を抑制することができる。 As a result, it is possible to suppress the deterioration of the light reflectance of the inner wall surface 31.

図6(a)と図6(b)に、図5に示した発光装置1と図2に示した比較例1Aの色度ばらつきをそれぞれ示す。 6 (a) and in FIG. 6 (b), respectively chromaticity variation of Comparative Example 1A shown in the light emitting device 1 and 2 shown in FIG. 図6(a)と図6(b)とを比較して明らかなように、図5に示した発光装置1は比較例1Aに比べて色度ばらつきが小さい。 FIGS. 6 (a) and FIG. 6 (b) and compared as apparent to, light emitting device 1 shown in FIG. 5 is a chromaticity variation smaller than the comparative example 1A.

以上に説明したように、本発明の第2の実施形態に係る発光装置1によれば、出力光Lの変動による色度ばらつき及び信頼性の低下が抑制され、更に、歩留まりの向上によって低価格の発光装置を提供できる。 As described above, according to the light emitting device 1 according to the second embodiment of the present invention, reduction in chromaticity variation and reliability due to the variation of the output light L can be suppressed, further, low cost by improving the yield possible to provide a light emitting device.

他は、第1の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。 Others are substantially similar to the first embodiment, a duplicate description will be omitted. 例えば、光吸収特性を有する材料をダイマウント剤40やパッケージ30に採用してもよい。 For example, it may be employed a material having a light absorption property in the die mounting material 40 and package 30.

(その他の実施形態) (Other embodiments)
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。 As described above, the present invention has been described by the embodiments, the description and drawings which constitute part of this disclosure should not be understood as limiting the invention. この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。 Those skilled Various alternative embodiments, implementation examples, and application techniques will be apparent.

既に述べた実施形態の説明においては、パッケージ30に格納された発光素子10が1つである例を示したが、発光装置1が複数の発光素子10を備えてもよい。 In the description of the previously described embodiment, although the light emitting element 10 stored in the package 30 is an example, which is one, the light emitting device 1 may comprise a plurality of light-emitting elements 10. また、発光素子10の出射光が青色光であり、蛍光体層50に含まれる蛍光体の励起光が黄色である場合を示したが、発光素子10の出射光と蛍光体の組み合わせはこれに限られるものではない。 Further, an outgoing light blue light-emitting element 10, although the excitation light of the phosphor contained in the phosphor layer 50 showed a case is yellow, a combination of the emitted light and phosphor light emitting element 10 to the present invention is not limited. 例えば、近紫外光を出射する発光素子10と、近紫外光によって励起されて赤色光、緑色光、及び青色光を放射する蛍光体を蛍光体層50に含有させてもよい。 For example, a light-emitting element 10 that emits near ultraviolet light, may be contained red light by being excited by near ultraviolet light, green light, and a phosphor that emits blue light in the phosphor layer 50. また、発光装置1の出力光Lが白色光以外であってもよい。 Further, the output light L of the light emitting device 1 may be other than white light.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。 Thus, the present invention naturally includes various embodiments which are not described here. したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 Accordingly, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

1…発光装置 10…発光素子 11…n型クラッド層 12…活性層 13…p型クラッド層 20…基板 21…透光性基板 22…光反射層 23…光吸収層 30…パッケージ 31…内壁面 40…ダイマウント剤 50…蛍光体層 51…蛍光体 110…n側電極 130…p側電極 1 ... light emitting device 10 ... light-emitting element 11 ... n-type cladding layer 12 ... active layer 13 ... p-type cladding layer 20 ... substrate 21 ... translucent substrate 22 ... light reflection layer 23 ... light absorbing layer 30 ... package 31 ... inner wall surface 40 ... die mounting material 50 ... phosphor layer 51 ... phosphor 110 ... n-side electrode 130 ... p-side electrode

Claims (8)

  1. 発光素子と、 A light-emitting element,
    前記発光素子を搭載し、入射された前記発光素子の出射光を吸収することで該出射光を側面から出力させない基板と、 Mounting the light emitting element, a substrate which does not output said output Shako from the side by absorbing light emitted incident the light emitting element,
    前記発光素子及び前記基板を格納する凹部を有するパッケージと、 A package having a recess for storing the light emitting element and the substrate,
    前記パッケージの前記凹部の底面において前記基板を前記パッケージに固定するダイマウント剤と、 A die mount agent for fixing the substrate to the package at the bottom of the recess of the package,
    前記凹部に充填された、前記発光素子の前記出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体を含有する蛍光体層と を備え、前記出射光と前記励起光との混色光を出力する発光装置。 Filled in the concave portion, wherein it is excited by the light emitted from the light emitting element and a phosphor layer containing a phosphor which emits excitation light, and outputs the mixed light of the excitation light and the outgoing light emitting apparatus.
  2. 前記基板の側面に光吸収材料からなる光吸収層が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, characterized in that the light-absorbing layer is arranged comprising a light absorbing material on a side surface of the substrate.
  3. 前記基板の側面と前記光吸収層との間に光反射層が配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 2, characterized in that the light reflecting layer is disposed between the light absorbing layer and a side surface of the substrate.
  4. 前記ダイマウント剤が前記基板の底面から前記側面の下部にかけて配置されている場合に、前記底面から前記側面の前記ダイマウント剤が配置された高さまで前記光吸収層が配置されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の発光装置。 Characterized in that said die mount agent when placed over the lower portion of the side surface from the bottom surface of the substrate, the light absorbing layer from the bottom surface to the height die mounting material is disposed of the side is located the light emitting device according to claim 2 or 3.
  5. 前記基板が、光吸収材料からなることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 Wherein the substrate, the light emitting device according to claim 1, characterized in that it consists of a light absorbing material.
  6. 前記ダイマウント剤が、光吸収材料からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。 The die mount agent, the light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it consists of a light absorbing material.
  7. 前記パッケージが、光吸収材料からなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。 The package, the light emitting device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it consists of a light absorbing material.
  8. 前記発光素子の前記出射光が青色光であり、前記励起光が黄色光であることを特徴とす請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。 Wherein the light emitted from the light emitting element is a blue light emitting device according to any one of the features and to claims 1 to 7 in that the excitation light is yellow light.
JP2011251629A 2011-11-17 2011-11-17 Light emitting device Pending JP2013110154A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011251629A JP2013110154A (en) 2011-11-17 2011-11-17 Light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011251629A JP2013110154A (en) 2011-11-17 2011-11-17 Light emitting device
TW101142794A TWI502776B (en) 2011-11-17 2012-11-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013110154A true JP2013110154A (en) 2013-06-06

Family

ID=48706656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011251629A Pending JP2013110154A (en) 2011-11-17 2011-11-17 Light emitting device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2013110154A (en)
TW (1) TWI502776B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012206A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP2015133403A (en) * 2014-01-14 2015-07-23 株式会社東芝 The light-emitting device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI636587B (en) * 2017-07-28 2018-09-21 泰谷光電科技股份有限公司

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57148383A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Nec Corp Semiconductor light-emitting element
JP2010021259A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp Optical semiconductor device
JP2010171130A (en) * 2009-01-21 2010-08-05 Showa Denko Kk Lamp, and method of manufacturing the same
JP2011138849A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Nichia Corp Light emitting device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3456938B2 (en) * 1999-02-17 2003-10-14 松下電器産業株式会社 The semiconductor laser device, an optical disk apparatus and an optical integrated device
AT410266B (en) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Light source with a light emitting element
JP2009004625A (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57148383A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Nec Corp Semiconductor light-emitting element
JP2010021259A (en) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp Optical semiconductor device
JP2010171130A (en) * 2009-01-21 2010-08-05 Showa Denko Kk Lamp, and method of manufacturing the same
JP2011138849A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Nichia Corp Light emitting device and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012206A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP2015133403A (en) * 2014-01-14 2015-07-23 株式会社東芝 The light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201322503A (en) 2013-06-01
TWI502776B (en) 2015-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3655267B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US7691650B2 (en) Thin film light emitting diode
JP5278023B2 (en) Method for manufacturing a light emitting device
US8314429B1 (en) Multi color active regions for white light emitting diode
JP4289027B2 (en) The light-emitting device
JP4101468B2 (en) Method for manufacturing a light emitting device
CN101297412B (en) Radiation-emitting optoelectronic component
JP5345178B2 (en) The light-emitting element
JP5044329B2 (en) The light-emitting device
JP4020092B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US6943379B2 (en) Light emitting diode
JP3486345B2 (en) Semiconductor light-emitting device
JP4264109B2 (en) The light-emitting device
CN102201507B (en) Light-emitting device
US9419186B2 (en) Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same
JP5326705B2 (en) The light-emitting device
US7816855B2 (en) LED device having diffuse reflective surface
JP4122791B2 (en) The light-emitting device
JP4447806B2 (en) The light-emitting device
CN1921159B (en) Light source with UV LED and UV reflector
JP5326837B2 (en) The light-emitting device
CN101013734B (en) Light emitting diode module
JP5305758B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US7242030B2 (en) Quantum dot/quantum well light emitting diode
JP5228412B2 (en) Semiconductor light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150811

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150812

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20151216