JP2013098303A - Cleaning and drying agent, and method of cleaning and drying substrate using the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a cleaning and drying agent which is used for cleaning and drying an extremely fine and precise pattern, releases no fluorine ion, and has no flash point; and a method of cleaning and drying a substrate.SOLUTION: The cleaning and drying agent contains fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2).

Description

本発明は、ガラス表面、金属表面等の無機部材を洗浄するための洗浄乾燥剤および洗浄乾燥方法に関する。特に、半導体シリコンウェハ、フォトマスク、光ディスクまたは液晶ディスプレイ用ガラス基板等の基板洗浄のための洗浄乾燥剤、およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に関する。   The present invention relates to a cleaning / drying agent and a cleaning / drying method for cleaning inorganic members such as glass surfaces and metal surfaces. In particular, the present invention relates to a cleaning / drying agent for cleaning a substrate such as a semiconductor silicon wafer, a photomask, an optical disk, or a glass substrate for a liquid crystal display, and a method for cleaning and drying a substrate using the same.

半導体デバイス等の集積回路は著しく微細化してきており、半導体デバイスにフォトリソグラフィー等で集積回路を作製するために使用するフォトマスクの描画パターン、また、液晶ディスプレイ用のブラックマトリックス(BM)基板のパターンも微細化してきている。以下、回路パターンまたは画素パターン等が基板上に形成された、描画パターンおよびその転写パターンを単にパターンという。   Integrated circuits such as semiconductor devices have been remarkably miniaturized. Photomask drawing patterns used for manufacturing integrated circuits on semiconductor devices by photolithography and the like, and patterns of black matrix (BM) substrates for liquid crystal displays Are also becoming finer. Hereinafter, a drawing pattern and its transfer pattern in which a circuit pattern or a pixel pattern is formed on a substrate are simply referred to as a pattern.

半導体デバイスまたはフォトマスクに、極微細なパターンを形成するためには、例えば、シリコンウェハまたはガラス基板等の素板の汚れおよび研磨粉の除去、その後、Cr膜等を形成した金属薄膜付き基板からの汚れの除去、フォトリソグラフィーにおけるレジスト、現像液またはエッチング液等の工程残渣の除去、これら工程における環境からの異物、例えば装置および人からの発塵等の除去を目的として、洗浄が必要である。さらに、洗浄終了時は基板が乾いていることが好ましく、乾きジミのないことが重要である。   In order to form a very fine pattern on a semiconductor device or photomask, for example, removal of dirt and polishing powder on a base plate such as a silicon wafer or a glass substrate, and then from a substrate with a metal thin film on which a Cr film or the like is formed Cleaning is necessary for the purpose of removal of dirt, removal of process residues such as resist, developing solution or etching solution in photolithography, and removal of foreign matters from the environment, such as dust generated from equipment and people, in these processes. . Furthermore, it is preferable that the substrate is dry at the end of cleaning, and it is important that there is no dry spot.

デバイス上の微細構造が微細化すればするほどに、洗浄方法にさらなる進歩が求められる。例えば、パーティクルを除去した後のイオン交換水または純水(以下、単に水ということがある)を使用した洗浄では、洗浄後の水切りが悪いと、残留した洗剤による洗剤ジミ、および基板表面のシリカが純水に溶解乾燥することにより生じるウォーターマーク等の乾きジミが発生し、また純水の表面張力により微細構造が壊れる等の問題が生じる懸念があり、集積度を高めた半導体ウェハ等の高アスペクト比のパターンを洗浄し難いという問題があった。   The finer the microstructure on the device, the more advanced the cleaning method is required. For example, in cleaning using ion-exchanged water or pure water after removing particles (hereinafter sometimes simply referred to as water), if the draining after cleaning is poor, detergent residue due to residual detergent and silica on the substrate surface There is a risk that dry spots such as watermarks will be generated by dissolving and drying in pure water, and the fine structure may be broken due to the surface tension of pure water. There was a problem that it was difficult to clean the aspect ratio pattern.

有機溶剤を用いる前記基板の洗浄乾燥方法として、イソプロピルアルコール(2−プロパノール、以下、IPAと略する)蒸気による洗浄乾燥方法(以下、IPAベーパ洗浄と略することがある)が知られている。IPAベーパ洗浄は、IPAを加熱して発生したIPA蒸気が還流する槽内(以下、IPAベーパ槽と略することがある)に基板をホルダーごと入れ、IPAを基板表面に凝縮させて基板表面の異物または汚れを洗い流し、IPAベーパ槽内から引き上げつつ乾燥させる洗浄乾燥方法であり、温純水槽引き上げ乾燥および温純水すすぎ後のエアーノズルまたはエアーナイフによるエアーブローによる空気吹き付け乾燥に比べ、洗剤ジミおよびウォーターマークの乾きジミの発生が少ない。また、前段が洗剤槽、すすぎ槽等を有する水系洗浄の場合、最終段の純水槽から出た直後の基板をIPAベーパ槽に移すことで、水とIPAを速やかに置換することができ、乾きジミを防止する乾燥方法として好適に採用されている。   As a method for cleaning and drying the substrate using an organic solvent, a cleaning and drying method using isopropyl alcohol (2-propanol, hereinafter abbreviated as IPA) vapor (hereinafter sometimes abbreviated as IPA vapor cleaning) is known. In the IPA vapor cleaning, the substrate is put together with the holder in a tank in which the IPA vapor generated by heating the IPA is refluxed (hereinafter sometimes abbreviated as IPA vapor tank), and the IPA is condensed on the substrate surface. This is a washing and drying method in which foreign matter or dirt is washed out and dried while pulling up from the IPA vapor tank. Compared with air blow drying by air nozzle or air knife after hot pure water tank pull-up drying and warm pure water rinse, There is little generation of dry marks on the mark. Also, in the case of water-based cleaning in which the previous stage has a detergent tank, a rinsing tank, etc., water and IPA can be quickly replaced by transferring the substrate immediately after coming out of the final stage pure water tank to the IPA vapor tank, and drying. It is suitably employed as a drying method for preventing jimi.

しかしながら、IPAベーパ洗浄は、可燃性のIPAを使うこと、IPAベーパ槽が大きくなりすぎると、IPAベーパ槽内におけるIPAの還流が困難となるため、メーター角を超える世代の液晶ガラス基板の洗浄乾燥方法には不向きであること等の問題があった。   However, IPA vapor cleaning uses flammable IPA. If the IPA vapor tank becomes too large, it becomes difficult to circulate IPA in the IPA vapor tank. There were problems such as being unsuitable for the method.

例えば、特許文献1には、有機溶剤の蒸気の純水への溶解を防止してパーティクルの転写を抑制することができる基板処理装置が開示され、基板表面の純水と置換するためにIPA蒸気が用いられている。いずれにしても、可燃性の有機溶媒を用いる洗浄乾燥方法は、洗浄装置の防火対策および防爆設備化の必要性があるという問題がある。   For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that can prevent the dissolution of an organic solvent vapor in pure water and suppress the transfer of particles, and uses IPA vapor to replace the pure water on the substrate surface. Is used. In any case, the cleaning and drying method using a flammable organic solvent has a problem that there is a need for fire prevention measures and explosion-proof equipment for the cleaning device.

また、特許文献2に、前記問題を解決するために、IPAの代わりに不燃性の1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール(以下、HFIPと略する)を水切り剤として用いた基板乾燥装置が開示されている。HFIPは難燃性の含フッ素アルコールであり、中程度の酸解離定数(pKa)を有し、高い洗浄効果も期待される。   Further, in Patent Document 2, in order to solve the above problem, nonflammable 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol (hereinafter abbreviated as HFIP) is drained instead of IPA. A substrate drying apparatus used as an agent is disclosed. HFIP is a flame retardant fluorine-containing alcohol, has a moderate acid dissociation constant (pKa), and is expected to have a high cleaning effect.

可燃性の有機溶剤を用いない洗浄方法には、液体状態または超臨界状態の二酸化炭素を基板に接触させる方法、超臨界ハイドロフルオロカーボンを基板に接触させる方法がある。   Cleaning methods that do not use a flammable organic solvent include a method in which carbon dioxide in a liquid state or a supercritical state is brought into contact with the substrate, and a method in which supercritical hydrofluorocarbon is brought into contact with the substrate.

例えば、液体状態または超臨界状態の二酸化炭素による方法は、二酸化炭素の表面張力が低く、基板の極微細なパターン構造を洗浄する効果があり、水系洗浄の代替として提案される。しかしながら、液体状態または超臨界状態の二酸化炭素を高価な圧力装置で得なければならず、工業的には使い難く、有効な洗浄方法とは言えない。   For example, a method using carbon dioxide in a liquid state or a supercritical state has a low surface tension of carbon dioxide and has an effect of cleaning an extremely fine pattern structure of a substrate, and is proposed as an alternative to aqueous cleaning. However, carbon dioxide in a liquid state or a supercritical state must be obtained with an expensive pressure device, which is difficult to use industrially and cannot be said to be an effective cleaning method.

一方、超臨界ハイドロフルオロカーボンによる方法は、超臨界ハイドロフルオロカーボンの表面張力は低く洗浄効果が期待でき、ハイドロフルオロカーボン類(以下、HFC’sと略することがある)は、クロロフルオロカーボン類(以下、CFCと略することがある)に比較してオゾン層を破壊し難く環境により優しい代替フロンであるが、こと基板洗浄に関しては、それほどの効果のないことが知られている。例えば、Leblancは、「それら(HFC類)は塩素を含有しないが、その高い蒸気圧と低い溶解性により不十分な洗浄剤となっている。」と非特許文献1に記載している。このことは、非特許文献2に記載のように、「(HFC類は)他の溶媒の担体として、およびすすぎ剤として有用であるが、(溶解力の指針である)カウリブタノール数が約10であり、それ自体では関係する大抵の汚れについての溶解力は殆ど又は全くない。」とコメントするKanegsbergによって支持されている。   On the other hand, in the method using supercritical hydrofluorocarbon, the surface tension of supercritical hydrofluorocarbon is low and a cleaning effect can be expected. Hydrofluorocarbons (hereinafter sometimes abbreviated as HFC's) are chlorofluorocarbons (hereinafter referred to as CFC). This is a substitute CFC that is less environmentally friendly than the ozone layer and is known to be less effective for substrate cleaning. For example, Leblanc describes in "Non-Patent Document 1" that "they (HFCs) do not contain chlorine but are insufficient cleaning agents due to their high vapor pressure and low solubility". This is because, as described in Non-Patent Document 2, “(HFCs) are useful as carriers for other solvents and as rinsing agents, but the Kauributanol number (which is an indicator of solubility power) is about 10 “There is little or no solvent power for most soils involved by itself,” is supported by Kanegsberg.

非特許文献1および非特許文献2、液化二酸化炭素、超臨界二酸化炭素、液化ハイドロフルオロカーボンまたは超臨界ハイドロフルオロカーボンのみを用い洗浄を行ったとしてもそれ自体に汚れの溶解性はなく、基板洗浄等を行う場合、汚れに対して溶解性の高い溶剤とともに用いる必要があった。   Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2, even if cleaning is performed using only liquefied carbon dioxide, supercritical carbon dioxide, liquefied hydrofluorocarbon, or supercritical hydrofluorocarbon, the soil itself is not soluble, and substrate cleaning is performed. When performed, it was necessary to use a solvent that is highly soluble in dirt.

特開2002−252201号公報JP 2002-252201 A 特開2009−212445号公報JP 2009-212445 A

The Evolution of Cleaning Solvents, Precision Cleaning, May, 1997, p.14The Evolution of Cleaning Solvents, Precision Cleaning, May, 1997, p.14 Precision Cleaning Without Ozone Depleting Chemicals", Chemistry & Industry, October, 1996, p. 788Precision Cleaning Without Ozone Depleting Chemicals ", Chemistry & Industry, October, 1996, p. 788

基板洗浄における洗浄効果を高めるためには、通常、−20℃以上での洗浄が必要であり、温度が高くなる毎に洗浄力が増し、基板の乾燥が容易となる。しかしながら、高温、150℃におけるHFIPの安定性を試したところ、フッ化物イオンが発生することがわかった。このことは、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノールのOH基が結合する炭素は、電子吸引性のトリフルオロメチル基2つと結合しており、当該炭素に結合した水素は、ハイドロカーボン系の水素と比較すると高い酸性度を有していると推測され、以下の反応により、β炭素に結合したフッ素と協奏的に脱離するためであると考えられた。

Figure 2013098303
In order to enhance the cleaning effect in substrate cleaning, cleaning at −20 ° C. or higher is usually required, and the cleaning power increases as the temperature increases, and the substrate can be easily dried. However, when the stability of HFIP at high temperature and 150 ° C. was tested, it was found that fluoride ions were generated. This indicates that the carbon to which the OH group of 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol is bonded is bonded to two electron-withdrawing trifluoromethyl groups and bonded to the carbon. The hydrogen was estimated to have a higher acidity than hydrocarbon-based hydrogen, and was thought to be due to the concerted elimination of fluorine bound to β-carbon by the following reaction.
Figure 2013098303

最終的に、HFIPはジフルオロビニルエーテルとなる。尚、本発明において、フッ化物イオンとは、フッ素原子が電子を1つ得て単独でイオン化した陰イオン(F)のことをいう。 Eventually, HFIP becomes difluorovinyl ether. In the present invention, the fluoride ion means an anion (F ) in which a fluorine atom obtains one electron and is ionized alone.

フッ化物イオンはシリル(Si)−酸素結合を開裂することが知られており、シリコン基板を侵し、シリコン基板からシリコンが剥がれダストとなる、また剥がれたシリコンのダストが基板に付着することで微細構造の欠陥の要因になり得ることから、HFIPを半導体ウェハ、フォトマスク用または液晶表示装置用ガラス基板等に使用するシリコンウェハおよびガラス基板の洗浄乾燥剤としては使用し難いという問題があった。   Fluoride ions are known to cleave silyl (Si) -oxygen bonds, attacking the silicon substrate and peeling off the silicon from the silicon substrate to become dust. Since it can be a cause of structural defects, there is a problem that it is difficult to use HFIP as a cleaning / drying agent for silicon wafers and glass substrates that use semiconductor wafers, photomasks, or glass substrates for liquid crystal display devices.

また、シリコンウェハの洗浄において、アンモニア等のアルカリ雰囲気下にてシリコンウェハを純水洗浄した後に乾燥させる方法があり、表面張力を低下させる助剤を添加するとシリコンウェハ上の高アスペクト比のパターンを崩壊し難くすることが知られている。 当該助剤として、HFIPを使用すると、以下に示すように、HFIPがアンモニアと反応し、錯体を形成し、その後、水素原子が脱離することがフッ化物イオン発生の原因となると考えられた。

Figure 2013098303
In addition, there is a method of cleaning a silicon wafer in pure water under an alkaline atmosphere such as ammonia and then drying it. If an auxiliary agent that lowers the surface tension is added, a high aspect ratio pattern on the silicon wafer is formed. It is known to make it difficult to collapse. When HFIP was used as the auxiliary agent, as shown below, it was considered that HFIP reacts with ammonia to form a complex, and then the release of hydrogen atoms causes the generation of fluoride ions.
Figure 2013098303

HFIP等の含フッ素2級アルコールは、−20℃以上では、分極したOH部位および不安定な水素原子を含むことによりフッ化物イオンが発生し易く、シリコンウェハ、マスク用ガラス基板または液晶用ガラス基板の洗浄乾燥工程に使用し難いという問題があった。   Fluorine-containing secondary alcohols such as HFIP tend to generate fluoride ions by containing polarized OH sites and unstable hydrogen atoms at −20 ° C. or more, and silicon wafers, glass substrates for masks or glass substrates for liquid crystals There was a problem that it was difficult to use in the washing and drying process.

本発明は、上記課題を解決し、洗浄能力が高く、洗浄時にフッ化物イオンの発生がない不燃性の洗浄乾燥剤、およびそれを用いた、乾きジミの発生しない基板の洗浄乾燥方法を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described problems, and provides a non-flammable cleaning / drying agent that has high cleaning ability and does not generate fluoride ions during cleaning, and a method for cleaning and drying a substrate that does not generate dry spots using the same. For the purpose.

含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールは、−20℃以上の洗浄温度において、フッ化物イオンを発生し難い。含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを含む洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法において、問題は解決された。   The fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol hardly generates fluoride ions at a cleaning temperature of −20 ° C. or higher. The problem was solved in the cleaning / drying agent containing the fluorine-containing tertiary alcohol or the fluorine-containing tertiary diol and the method of cleaning / drying the substrate using the same.

即ち、HFIPにおいて、水酸基が直接結合した炭素原子に直接、水素原子が結合していなければ、フッ化物イオンの発生はなくなると思われた。そこで、本発明者らは、含フッ素3級アルコールの150℃での安定性を確認したところ、長時間にわたりフッ化物イオンの発生が見られないことがわかった。通常、フッ素化合物はフッ素の含有率が大きいと、具体的にはフッ素の含有が40質量%以上では不燃性であることが知られており、殆どの含フッ素3級アルコールは不燃性である。   In other words, in HFIP, it was considered that the generation of fluoride ions would be eliminated unless a hydrogen atom was directly bonded to a carbon atom to which a hydroxyl group was directly bonded. Therefore, the present inventors confirmed the stability of the fluorine-containing tertiary alcohol at 150 ° C., and found that generation of fluoride ions was not observed for a long time. Usually, fluorine compounds are known to have non-flammability when the fluorine content is large, specifically when the fluorine content is 40% by mass or more, and most fluorine-containing tertiary alcohols are non-flammable.

含フッ素2級アルコールであるHFIPに比較して、このように含フッ素3級アルコールおよび含フッ素3級ジオールは、フッ化物イオン発生の発生がなく、シリコンウェハおよびガラス基板の汚れまたは異物除去に対し優れた洗浄効果を示した。   Compared with HFIP, which is a fluorinated secondary alcohol, the fluorinated tertiary alcohol and the fluorinated tertiary diol do not generate fluoride ions. Excellent cleaning effect.

また、純水で表面がぬれた状態の基板と接触させることで、容易に基板上の水と置換し、乾きジミのない乾燥基板が得られた。   In addition, by bringing the substrate into contact with a substrate whose surface was wet with pure water, it was easily replaced with water on the substrate, and a dry substrate free from dry spots was obtained.

即ち、本発明は以下の発明1〜8により構成される。     That is, this invention is comprised by the following inventions 1-8.

[発明1]
一般式(1):

Figure 2013098303
[Invention 1]
General formula (1):
Figure 2013098303

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級アルコール、または一般式(2):

Figure 2013098303
(In the formula, R 1 to R 3 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
Or a fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (2):
Figure 2013098303

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級ジオールを含む、洗浄乾燥剤。
(In the formula, R 4 to R 7 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
A cleaning / drying agent comprising a fluorine-containing tertiary diol represented by:

[発明2]
〜Rのうち、少なくとも1つ以上がトリフルオロメチル基であり、R〜Rのうち、少なくとも2つ以上がトリフルオロメチル基である発明1の洗浄乾燥剤。
[Invention 2]
The cleaning / drying agent according to invention 1, wherein at least one of R 1 to R 3 is a trifluoromethyl group, and at least two of R 4 to R 7 are trifluoromethyl groups.

[発明3]
さらに、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、ケトン、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素および芳香族炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加えてなる、発明1または発明2の洗浄乾燥剤。
[Invention 3]
Furthermore, pure water, carbon dioxide, alcohol, nitrile, ketone, amide, sulfoxide, ether, hydrofluorocarbon, hydrofluoroether, at least one compound selected from the group consisting of hydrocarbons and aromatic hydrocarbons is added, The cleaning / drying agent of Invention 1 or Invention 2.

[発明4]
発明1〜3の洗浄乾燥剤が、イオン交換樹脂と接触、または塩基性水溶液と混合した後に蒸留したものである、洗浄乾燥剤。
[Invention 4]
The cleaning / drying agent according to any one of Inventions 1 to 3, which is distilled after contacting with an ion exchange resin or mixing with a basic aqueous solution.

[発明5]
一般式(1):

Figure 2013098303
[Invention 5]
General formula (1):
Figure 2013098303

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級アルコール、または一般式(2):

Figure 2013098303
(In the formula, R 1 to R 3 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
Or a fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (2):
Figure 2013098303

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級ジオールに、基板を接触させて、−20℃以上、200℃以下の温度下で基板の洗浄および乾燥を行う、基板の洗浄乾燥方法。
(In the formula, R 4 to R 7 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
A cleaning and drying method for a substrate, wherein the substrate is brought into contact with a fluorine-containing tertiary diol represented by the formula, and the substrate is cleaned and dried at a temperature of −20 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

[発明6]
前記一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールまたは前記一般式(2)で示される含フッ素3級ジオールに、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、ケトン、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素および芳香族炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加えた後、基板と接触させる、発明5の方法。
[Invention 6]
To the fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or the fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2), pure water, carbon dioxide, alcohol, nitrile, ketone, amide, sulfoxide, ether, The method of Invention 5, wherein at least one compound selected from the group consisting of hydrofluorocarbons, hydrofluoroethers, hydrocarbons and aromatic hydrocarbons is added and then contacted with the substrate.

[発明7]
前記一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)で示される含フッ素3級ジオールをイオン交換樹脂と接触、または塩基性水溶液と混合した後に蒸留した後、基板と接触させる、発明5または6の方法。
[Invention 7]
The fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or the fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2) is contacted with an ion exchange resin or mixed with a basic aqueous solution and then distilled, The method of invention 5 or 6, wherein the contact is made.

[発明8]
前記一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)で示される含フッ素3級ジオールを、イオン交換樹脂と接触、または塩基性水溶液と混合した後に蒸留し、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、ケトン、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素および芳香族炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加えた後、基板と接触させる、発明5または6の方法。
[Invention 8]
The fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or the fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2) is contacted with an ion exchange resin or mixed with a basic aqueous solution and then distilled to obtain pure water. , Carbon dioxide, alcohol, nitrile, ketone, amide, sulfoxide, ether, hydrofluorocarbon, hydrofluoroether, at least one compound selected from the group consisting of hydrocarbons and aromatic hydrocarbons, and then contact with the substrate The method of invention 5 or 6.

本発明の洗浄乾燥剤は、特定の含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを含み、フッ素含有率、40質量%以上では不燃性であり、表面にパターンを形成した物を含む半導体シリコンウェハ、フォトマスク、光ディスクまたは液晶ディスプレイ用ガラス基板等の洗浄乾燥剤として好適に使用される。また、−20℃以上の温度下でも、フッ化物イオンが発生しない。   The cleaning / drying agent of the present invention contains a specific fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol, is nonflammable at a fluorine content of 40% by mass or more, and contains a semiconductor silicon wafer having a pattern formed on the surface It is suitably used as a cleaning / drying agent for photomasks, optical disks, glass substrates for liquid crystal displays, and the like. Further, fluoride ions are not generated even at a temperature of −20 ° C. or higher.

また本発明の基板の洗浄乾燥方法に用いる、特定の含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールは、水で塗れた状態の基板の表面の水との置換が容易であり、洗浄工程の最終段とすることで、洗浄後に乾きジミのない乾燥した基板を提供できる。本発明の基板の洗浄乾燥方法は、Cr成膜等の金属薄膜形成工程、レジスト塗布工程等の工程の直前における基板の乾燥に好適に使用される。   Further, the specific fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol used in the substrate cleaning and drying method of the present invention can be easily replaced with water on the surface of the substrate coated with water, so that the final cleaning step is completed. By providing a step, it is possible to provide a dry substrate that does not have a dry spot after cleaning. The substrate cleaning / drying method of the present invention is suitably used for drying a substrate immediately before a metal thin film forming step such as Cr film formation and a resist coating step.

以下、本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に使用する含フッ素アルコール、含フッ素3級ジオール、その他化合物、洗浄乾燥方法について順を追って説明する。   Hereinafter, the fluorine-containing alcohol, fluorine-containing tertiary diol, other compounds, and the cleaning and drying method used in the cleaning and drying agent of the present invention and the substrate cleaning and drying method using the same will be described in order.

1. 含フッ素3級アルコール
本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に用いる含フッ素3級アルコールは、一般式(1):

Figure 2013098303
1. Fluorine-containing tertiary alcohol The fluorine-containing tertiary alcohol used in the cleaning / drying agent of the present invention and the substrate cleaning / drying method using the same is represented by the general formula (1):
Figure 2013098303

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される。
(In the formula, R 1 to R 3 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
It is represented by

当該含フッ素3級アルコールは、OH基が結合した炭素に水素が結合していないことにより、塩基性条件下にてもフッ化物イオンの発生を抑制できる。   The fluorine-containing tertiary alcohol can suppress the generation of fluoride ions even under basic conditions because hydrogen is not bonded to carbon bonded to an OH group.

当該含フッ素3級アルコールが不燃性を有するには、一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールにおいて、フッ素の含有は40質量%以上であることが好ましい。   In order for the fluorine-containing tertiary alcohol to have nonflammability, the fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) preferably contains 40% by mass or more of fluorine.

具体的には、一般式(1)において、R〜Rの全てがトリフロオロメチル基である1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−トリフルオロメチル−2−プロパノール(別名、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−(トリフルオロメチル)プロパン−2−オール、以下PFTBと呼ぶことがある)、またはR〜R中で1つがメチル基であり、他の2つがトリフルオロメチル基である、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−メチルプロパン−2−オール(以下、HFTBと呼ぶことがある)を挙げられ、本発明の洗浄乾燥剤、およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に好適に使用される。 Specifically, in the general formula (1), all of R 1 to R 3 are trifluoromethyl groups, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-trifluoromethyl-2- Propanol (also known as 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2- (trifluoromethyl) propan-2-ol, hereinafter sometimes referred to as PFTB), or 1 in R 1 to R 3 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-methylpropan-2-ol (hereinafter sometimes referred to as HFTB), one of which is a methyl group and the other two are trifluoromethyl groups And is preferably used in the cleaning / drying agent of the present invention and the method for cleaning and drying a substrate using the same.

2.含フッ素3級ジオール
本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に用いる含フッ素3級ジオールは、一般式(2):

Figure 2013098303
2. Fluorine-containing tertiary diol The fluorine-containing tertiary diol used in the cleaning / drying agent of the present invention and the substrate cleaning / drying method using the same is represented by the general formula (2):
Figure 2013098303

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される。
(In the formula, R 4 to R 7 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
It is represented by

当該含フッ素3級ジオールは、OH基が結合した炭素に水素が結合していないことにより、塩基性条件下にてもフッ化物イオンの発生を抑制できる。   The fluorine-containing tertiary diol can suppress generation of fluoride ions even under basic conditions because hydrogen is not bonded to carbon bonded with an OH group.

当該含フッ素3級アルコールが不燃性を有するには、一般式(2)で表される願フッ素級ジオールにおいて、フッ素の含有が40%以上であることが好ましい。   In order for the fluorine-containing tertiary alcohol to have nonflammability, the fluorine content in the desired fluorine-grade diol represented by the general formula (2) is preferably 40% or more.

具体的には、一般式(2)において、R〜Rの全てがトリフロオロメチル基である1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2,3−ビス(トリフルオロメチル)−2,3−ブタンジオール(以下、PFPiと呼ぶことがある)が挙げられ、本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に好適に使用される。 Specifically, in the general formula (2), 1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2,3-bis (trifluoro) in which all of R 4 to R 7 are trifluoromethyl groups. Methyl) -2,3-butanediol (hereinafter sometimes referred to as PFPi), and is preferably used in the cleaning / drying agent of the present invention and the substrate cleaning / drying method using the same.

3.フッ化物イオンの除去
含フッ素アルコールはその合成において、フッ素原子を含まないアルコールをフッ素化している場合、フッ化物イオンを含有している虞があり、本発明において、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールが、コンタミ(contamination)としてフッ化物イオンを含む場合、フッ化物イオンがシリコンウェハまたはガラス基板を浸すこととなるので、本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に使用する前にフッ化物イオンを除去しておくことが好ましい。
3. Removal of fluoride ion In the synthesis of a fluorine-containing alcohol, when an alcohol containing no fluorine atom is fluorinated, there is a possibility of containing a fluoride ion. In the present invention, a fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing alcohol may be used. When the tertiary diol contains fluoride ions as contamination, the fluoride ions immerse the silicon wafer or the glass substrate. Therefore, the cleaning / drying agent of the present invention and the substrate cleaning / drying method using the same are used. It is preferable to remove fluoride ions before use.

本発明者らが、フッ化物イオンの除去方法について鋭意検討したところ、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオール中にフッ化物イオンが存在したとしても、フッ化物イオンをイオン交換樹脂に吸着させること、または塩基性水溶液と中和反応させて塩にすることで、除去が可能であった。塩基性水溶液としては具体的には、重曹水(炭酸水素ナトリウム、NaHCO水溶液)が挙げられ、重曹水で含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを数回洗浄した後で蒸留することを数回繰り返すことが好ましく、その際、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを洗浄助剤、乾燥助剤としての溶剤と混合した後に蒸留水やイオン交換水で洗浄して蒸留することが好ましい。 As a result of intensive studies on the method for removing fluoride ions, the present inventors adsorb fluoride ions on the ion exchange resin even if fluoride ions are present in the fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. Or by neutralization with a basic aqueous solution to form a salt. Specific examples of the basic aqueous solution include sodium bicarbonate water (sodium hydrogen carbonate, NaHCO 3 aqueous solution). After the fluorine-containing tertiary alcohol or the fluorine-containing tertiary diol is washed several times with sodium bicarbonate water, distillation is performed. It is preferable to repeat several times, in which case the fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol is mixed with a solvent as a cleaning aid and a drying aid, and then washed with distilled water or ion-exchanged water and distilled. preferable.

4.他の化合物の添加
本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法に用いる、含フッ素3級アルコールおよび含フッ素3級ジオールはともに分極した化合物であり、また、フッ素―炭素結合を有する化合物は親油性であることから、基板に付着するイオン性を含む水性の汚れおよび油性の汚れの除去ともに有効である。さらに、粘性または融点を調整する、洗浄能力をさらに向上させる、イオン性の汚れおよび油性の汚れを溶解するまたは、洗浄後の速乾性を得るため乾燥速度を調整する助剤として、含フッ素3級アルコールおよび含フッ素3級ジオール以外の他の化合物を添加剤として加えてもよい。
4). Addition of other compounds Both the fluorine-containing tertiary alcohol and the fluorine-containing tertiary diol used in the cleaning / drying agent of the present invention and the method of cleaning / drying a substrate using the same are polarized compounds, and have a fluorine-carbon bond. Since the compound which has it is lipophilic, it is effective in removing both aqueous stains containing ionicity and oily stains adhering to the substrate. Further, fluorine-containing tertiary as an auxiliary agent for adjusting viscosity or melting point, further improving cleaning ability, dissolving ionic and oily soils, or adjusting the drying speed to obtain quick-drying after cleaning Other compounds other than alcohol and fluorine-containing tertiary diol may be added as an additive.

このような化合物としては、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素または芳香族炭化水素が挙げられ、これらの化合物は、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールに単独で添加しても、混合して加えてもよい。   Examples of such compounds include pure water, carbon dioxide, alcohols, nitriles, amides, sulfoxides, ethers, hydrofluorocarbons, hydrofluoroethers, hydrocarbons or aromatic hydrocarbons, and these compounds include fluorine-containing tertiary compounds. The alcohol or fluorine-containing tertiary diol may be added alone or in combination.

具体的には、アルコールは、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノールまたはエチレングリコールが挙げられ、ニトリルは、アセトニトリル、またはベンゾニトリル、ケトンは、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−iso−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトンまたはメチル−iso−ブチルケトンが挙げられ、アミドは、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、またはN,N−ジメチルイミダゾリジノンが挙げられ、スルホキシドは、ジメチルスルホキシドが挙げられ、エーテルは、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、またはテトラヒドロフランが挙げられ、ハイドロフルオロカーボンは、ISO817:2005で定められた冷媒番号で表して、HFC−23、HFC−32、HFC−125、HFC−134a、HFC−143a、HFC−152a、HFC−227ea、HFC−236fa、HFC−245fa、HFC−365mfc、HFC−43−10meeまたはHFC−447efが挙げられ、ハイドロフルオロエーテルは、ISO817:2005で定められた冷媒番号で表して、HFE−245mc、HFE−143m、HFE−254pc、HFE−347pc−f、HFE−55−10mec−fc、HFE−7100、HFE−7200、HFE−7300またはHFE−7600が挙げられ、芳香族系炭化水素は、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、パーフルオロベンゼン、炭化水素は、ブタン、ペンタン、ヘキサンまたはヘプタンが挙げられ、これら化合物より選ばれる少なくとも1種の化合物を用いることが好ましい。  Specifically, the alcohol includes methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol or ethylene glycol, the nitrile includes acetonitrile or benzonitrile, the ketone includes acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, Examples include methyl-iso-propylketone, methyl-n-butylketone, or methyl-iso-butylketone, and amides include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, or N, N-dimethylimidazolidinone. The sulfoxide includes dimethyl sulfoxide, the ether includes diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, or tetrahydrofuran, and the hydrofluorocarbon includes ISO. 17: HFC-23, HFC-32, HFC-125, HFC-134a, HFC-143a, HFC-152a, HFC-227ea, HFC-236fa, HFC-245fa, HFC -365mfc, HFC-43-10mee or HFC-447ef, and the hydrofluoroether is represented by a refrigerant number defined in ISO 817: 2005, and HFE-245mc, HFE-143m, HFE-254pc, HFE-347pc- f, HFE-55-10 mec-fc, HFE-7100, HFE-7200, HFE-7300 or HFE-7600, and aromatic hydrocarbons include benzene, toluene, xylene, mesitylene, perfluorobenzene, hydrocarbons The pig , Pentane, hexane or heptane and the like, it is preferable to use at least one compound selected from these compounds.

これらの化合物のうち、消防法上の危険物に属する可燃性化合物の含有が高いことは、難燃性の洗浄乾燥剤を得るという本発明の趣旨に反するため好ましくない。そのため、添加剤として使用する化合物が消防法上の危険物に属する可燃性である場合の添加量は、本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法における含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを基準として、0.1質量%以上、200質量%以下が好ましく、さらに好ましくは0.5質量%以上、50質量%以下である。具体的には、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオール1gに対して、好ましくは0.001g以上、2g以下、さらに好ましくは0.005g以上、0.5g以下加える。添加量が0.1質量%未満であると、前述の添加効果が得られなく、200質量%(2倍)を超えると引火点が低下し、可燃性となり好ましくない。   Among these compounds, a high content of combustible compounds belonging to hazardous materials under the Fire Service Law is not preferable because it is contrary to the gist of the present invention to obtain a flame-retardant cleaning / drying agent. Therefore, when the compound used as an additive is flammable belonging to a dangerous substance under the Fire Service Law, the amount of addition is the fluorine-containing tertiary alcohol in the cleaning / drying agent of the present invention and the substrate cleaning / drying method using the same. 0.1 mass% or more and 200 mass% or less are preferable on the basis of fluorine-containing tertiary diol, More preferably, it is 0.5 mass% or more and 50 mass% or less. Specifically, it is preferably 0.001 g or more and 2 g or less, more preferably 0.005 g or more and 0.5 g or less, with respect to 1 g of fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. If the addition amount is less than 0.1% by mass, the above-described addition effect cannot be obtained, and if it exceeds 200% by mass (twice), the flash point is lowered and combustibility becomes unfavorable.

ハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルはフッ素の含有効果により引火点がない物が多く、あったとしても高く、消防法上の危険物に属さないことが多い。消防法上の危険物に属さないハイドロフルオロカーボン系化合物またはハイドロフルオロエーテル化合物の添加量は、本発明の洗浄乾燥剤および洗浄方法において任意であるが、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを基準として、0.1質量%以上、1000質量%以下が好ましく、さらに好ましくは0.5質量%以上、500質量%以下である。具体的には、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオール1gに対して、0.001g以上、10g以下、さらに好ましくは0.005g以上、5g以下加える。添加量が0.1質量%未満であると、前述の添加効果が得られなく、1000質量%(10倍)を超えると、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを含むことによる洗浄性能が劣化する。   Hydrofluorocarbons and hydrofluoroethers often have no flash point due to the effect of fluorine content, and even if they are high, they often do not belong to dangerous materials under the Fire Service Law. The amount of the hydrofluorocarbon-based compound or hydrofluoroether compound that does not belong to a hazardous material under the Fire Service Law is arbitrary in the cleaning / drying agent and the cleaning method of the present invention, but fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol is used. As a reference, 0.1 mass% or more and 1000 mass% or less are preferable, More preferably, it is 0.5 mass% or more and 500 mass% or less. Specifically, 0.001 g or more and 10 g or less, more preferably 0.005 g or more and 5 g or less is added to 1 g of fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. When the addition amount is less than 0.1% by mass, the above-described addition effect cannot be obtained, and when it exceeds 1000% by mass (10 times), the cleaning performance due to the inclusion of the fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. Deteriorates.

上記以外の化合物、即ち、純水および二酸化炭素は、いずれも引火点を有しておらず、前記目的で任意の割合で混合することができる。混合できる水および二酸化炭素の量は、各々の含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオール化合物に対して固有の量であるが、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを基準として、0.1質量%以上、10000質量%以下が好ましく、さらに好ましくは0.5質量%以上、1000質量%以下である。具体的には、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオール1gに対して、0.001g以上、100g以下、さらに好ましくは0.005g以上、1g以下加える。添加量が0.1質量%未満であると、前述の添加効果が得られなく、10000質量%(100倍)を超えると、含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールを含むことによる洗浄性能が劣化する。   Compounds other than those described above, i.e., pure water and carbon dioxide, do not have any flash point, and can be mixed in any proportion for the above purpose. The amount of water and carbon dioxide that can be mixed is a specific amount for each fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol compound, but 0% based on the fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. It is preferably 1% by mass or more and 10000% by mass or less, and more preferably 0.5% by mass or more and 1000% by mass or less. Specifically, 0.001 g or more and 100 g or less, more preferably 0.005 g or more and 1 g or less is added to 1 g of fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. When the addition amount is less than 0.1% by mass, the above-described addition effect cannot be obtained, and when it exceeds 10,000% by mass (100 times), the cleaning performance due to the inclusion of the fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol. Deteriorates.

5.基板の洗浄乾燥方法
本発明の洗浄乾燥剤を用いて基板を洗浄乾燥する際の温度は、本発明の洗浄乾燥剤に含まれる含フッ素3級アルコールまたは含フッ素3級ジオールが固化しない範囲の温度であればよく、さらに前述の添加剤を加えることで固化しないように調整することが可能である。洗浄効果は、洗浄温度が高いほど向上するが、本発明の洗浄乾燥剤の組成物における沸点を超える温度で洗浄する場合は、還流槽等の装置より洗浄乾燥剤が外部へ流出しないように考慮して上限を決めることが好ましい。好ましい洗浄温度は、−20℃以上、200℃以下であり、より好ましくは、30℃以上、150以下である。洗浄温度が、−20℃未満では洗浄効果が少なく、洗浄後の基板は塗れた状態であり汚れ付着および洗浄ジミが発生する可能性があり実用的とは言い難く、200℃を超える場合は、還流槽等の装置より洗浄乾燥剤が外部へ流出しやすく、密閉槽とすると装置の圧力上昇が問題となる。洗浄乾燥は、上記温度範囲内で一定の温度で行ってもよく、上記温度範囲内の低い温度で洗浄を行った後、それより高い温度で基板を乾燥させてもよい。
5. Substrate cleaning / drying method The temperature at which the substrate is cleaned and dried using the cleaning / drying agent of the present invention is within the range where the fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol contained in the cleaning / drying agent of the present invention does not solidify. It can be adjusted as long as it is not solidified by adding the aforementioned additives. The cleaning effect improves as the cleaning temperature increases. However, when cleaning at a temperature exceeding the boiling point of the cleaning / drying agent composition of the present invention, consideration is given so that the cleaning / drying agent does not flow out of the apparatus such as a reflux tank. Thus, it is preferable to determine the upper limit. A preferable washing temperature is −20 ° C. or more and 200 ° C. or less, and more preferably 30 ° C. or more and 150 or less. When the cleaning temperature is less than −20 ° C., the cleaning effect is small, the substrate after cleaning is in a painted state, and there is a possibility that dirt adhesion and cleaning spots may occur, which is not practical. The cleaning desiccant easily flows out of the apparatus such as the reflux tank, and if the tank is used as a sealed tank, a rise in the pressure of the apparatus becomes a problem. The cleaning and drying may be performed at a constant temperature within the above temperature range, or after cleaning at a low temperature within the above temperature range, the substrate may be dried at a higher temperature.

本発明の基板の洗浄乾燥方法において、洗浄効果を向上させ、また乾燥において、水と含フッ素3級アルコールもしくは含フッ素3級ジオールの置換を容易とするためには、これらを気相−液相の臨界にある超臨界流体とすることが好ましい。一般的に、含フッ素3級アルコールもしくは含フッ素3級ジオールを含む洗浄乾燥剤または乾燥に使う組成物を超臨界流体とするための温度および圧力は、高温高圧が必要であり、当業者であれば容易に決めることができる。詳しくは、超臨界流体とは、物質の気相−液相間の相転移が起こりうる温度および圧力の範囲の限界を示す相図上の点である、臨界点以上の温度・圧力下においた物質の状態のことをいう。   In the method for cleaning and drying a substrate according to the present invention, in order to improve the cleaning effect and facilitate the replacement of water with a fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol in drying, these are vapor phase-liquid phase. It is preferable to use a supercritical fluid that is at the critical point. In general, the temperature and pressure for making a cleaning / drying agent containing a fluorine-containing tertiary alcohol or fluorine-containing tertiary diol or a composition used for drying a supercritical fluid requires high temperature and high pressure, and those skilled in the art will know. Can be easily determined. Specifically, a supercritical fluid is a point on the phase diagram that indicates the limits of the temperature and pressure range where a phase transition between a gas phase and a liquid phase of a substance can occur. It refers to the state of matter.

洗浄乾燥装置は、前述のように開放系または密閉系の装置、いずれも使用できるが、洗浄温度が洗浄乾燥剤の沸点を超える場合は、洗浄乾燥剤の還流が可能な開放系装置、あるいは密閉系の装置を使用することが望ましい。洗浄または乾燥時の温度が洗浄乾燥剤の組成物の沸点を超えない場合は、開放系および密閉系のいずれを使用してもよい。   As described above, the cleaning / drying apparatus can be either an open system or a closed system. However, if the cleaning temperature exceeds the boiling point of the cleaning desiccant, the cleaning / drying apparatus can be refluxed or sealed. It is desirable to use system devices. When the temperature at the time of washing or drying does not exceed the boiling point of the composition of the washing and drying agent, either an open system or a closed system may be used.

本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法において、使用後の洗浄乾燥剤は、所定の手法により廃棄することも可能であるが、蒸留により、汚れ・異物等の汚染物質を除去した後、再度洗浄乾燥剤として洗浄乾燥に使用してもよい。再使用する際に、沸点の異なる添加剤を用いている場合は、洗浄乾燥剤の組成を再度調整することを目的として、洗浄乾燥剤が含む含フッ素3級アルコール、含フッ素3級ジオールまたは添加物のいずれか不足したものを回収物に添加し、再度洗浄乾燥剤とすることができる。   In the cleaning / drying agent of the present invention and the substrate cleaning / drying method using the same, the used cleaning / drying agent can be discarded by a predetermined method. After removal, it may be used again for washing and drying as a washing and drying agent. When using an additive having a different boiling point when reused, the fluorine-containing tertiary alcohol, fluorine-containing tertiary diol or addition contained in the cleaning / drying agent is added for the purpose of adjusting the composition of the cleaning / drying agent again. Any deficient product can be added to the recovered material and used again as a washing and drying agent.

以下、実施例により本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法の具体例を示し、IPA等用いた従来の洗浄乾燥に対しての、本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法について、洗浄乾燥剤の難燃性および洗浄乾燥性能の優位性を示す。尚、洗浄乾燥剤が含む組成物の純度は、ガスクロマトグラフィーにより測定し、その他の化合物に対する面積%で示した。尚、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, specific examples of the cleaning / drying agent of the present invention and the method of cleaning / drying a substrate using the same will be described by way of examples. As for the method of cleaning and drying the substrate, the flame retardancy of the cleaning and drying agent and the superiority of the cleaning and drying performance are shown. In addition, the purity of the composition contained in the washing / drying agent was measured by gas chromatography and represented by area% with respect to other compounds. The present invention is not limited to the following examples.

初めに、実施例1〜3および比較例1に示すとおり、各洗浄乾燥剤の調製を行った。尚、フッ素イオントラップ剤には市販のもの(商品名、ハロゲンキラー、ブイテック株式会社製)を使用した。ハロゲンキラーはMgxAly(OH)z・X・nHO(Xは陰イオン根)の化学式で表されるものが高い陰イオン吸着交換能を有し、中でハロゲンイオンを効率良く除去するとされる。 First, as shown in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, each washing and drying agent was prepared. A commercially available fluorine ion trapping agent (trade name, halogen killer, manufactured by Vitec Co., Ltd.) was used. Halogen killer is expressed by the chemical formula MgxAly (OH) z.X.nH 2 O (X is an anion root) and has a high anion adsorption exchange ability, and it is said that halogen ions can be efficiently removed. .

[実施例1]
市販のフッ素イオントラップ剤(商品名、ハロゲンキラー、ブイテック株式会社製)3gおよび含フッ素3級アルコールである1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−(トリフルオロメチル)プロパン−2−オール、(以下、PFTBと略する)300gに添加し、10℃以下で純水30gを添加した。室温(20℃)で30分攪拌後に精密蒸留を行い、ガスクロマトグラフィーにおける純度99.9面積%以上、収量267gで回収した。回収したPFTBは無色透明の液体であった。イオンクロマトグラフィーでフッ化物イオンの含有を測定したところ、10ppb以下であることを確認した。
[Example 1]
3 g of a commercially available fluorine ion trapping agent (trade name, halogen killer, manufactured by V-Tech Co., Ltd.) and 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2- (trifluoromethyl) propane which is a fluorine-containing tertiary alcohol 2-ol was added to 300 g (hereinafter abbreviated as PFTB), and 30 g of pure water was added at 10 ° C. or lower. After stirring for 30 minutes at room temperature (20 ° C.), precision distillation was performed, and the product was recovered with a purity of 99.9% by area or more in gas chromatography at a yield of 267 g. The recovered PFTB was a colorless and transparent liquid. When the content of fluoride ion was measured by ion chromatography, it was confirmed that it was 10 ppb or less.

[実施例2]
PFTBの替わりに、PTFBと同じく含フッ素3級アルコールである、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−メチルプロパン−2−オール(以下、HFTBと略する)300gを用いて、実施例1と同様の手順で操作を行い、ガスクロマトグラフィーにおける純度が99.9面積%以上、収量244gで回収した。回収したHFTBは無色透明の液体であった。イオンクロマトグラフィーでフッ化物イオン含有を確認したところ、10ppb以下であることを確認した。
[Example 2]
Instead of PFTB, 300 g of 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-methylpropan-2-ol (hereinafter abbreviated as HFTB), which is a fluorine-containing tertiary alcohol, like PTFB, is used. Then, the operation was performed in the same procedure as in Example 1, and the purity in gas chromatography was 99.9 area% or more and the yield was 244 g. The recovered HFTB was a colorless and transparent liquid. When the content of fluoride ions was confirmed by ion chromatography, it was confirmed to be 10 ppb or less.

[実施例3]
PFTBの替わりに、含フッ素3級ジオールである、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2,3−ビス(トリフルオロメチル)ブタン−2,3−ジオール(以下、PFPiと略する)300gを用いて、実施例1と同様の手順で操作を行い、ガスクロマトグラフィーにおける純度が99.9面積%以上、収量220gで回収した。回収したPFPiは無色透明の液体であった。イオンクロマトグラフィーでフッ化物イオン含有を確認したところ、10ppb以下であることを確認した。
[Example 3]
Instead of PFTB, fluorine-containing tertiary diol, 1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2,3-bis (trifluoromethyl) butane-2,3-diol (hereinafter referred to as PFPi) The same procedure as in Example 1 was performed using 300 g, and the purity in gas chromatography was 99.9 area% or more and the yield was 220 g. The recovered PFPi was a colorless and transparent liquid. When the content of fluoride ions was confirmed by ion chromatography, it was confirmed to be 10 ppb or less.

[比較例1]
PFTBの替わりに、含フッ素2級アルコールである、HFIP(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール)300gを用いて、実施例1と同様の手順で操作を行い、ガスクロマトグラフィーにおける純度が99.9面積%以上、収量280gで回収した。回収したHFIPは無色透明の液体であった。イオンクロマトグラフィーでフッ化物イオン含有量を確認したところ60ppbが含まれることを確認した。
[Comparative Example 1]
Instead of PFTB, HFIP (1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol) 300 g, which is a fluorine-containing secondary alcohol, was used in the same procedure as in Example 1. The purity in gas chromatography was 99.9 area% or more and the yield was 280 g. The recovered HFIP was a colorless and transparent liquid. When the fluoride ion content was confirmed by ion chromatography, it was confirmed that 60 ppb was contained.

上記各実施例および比較例に用いたPFTB、HFTB、PFPi、HFIPの構造式を以下に示す。

Figure 2013098303
The structural formulas of PFTB, HFTB, PFPi, and HFIP used in the above examples and comparative examples are shown below.
Figure 2013098303

次いで、精密蒸留後の、含フッ素3級アルコールであるPFTB(実施例1)およびHFTB(実施例2)、含フッ素3級ジオールであるPFPi(実施例3)ならびに含フッ素2級アルコールであるHFIP(比較例1)、各々30mLを、50mLのステンレス製オートクレーブに入れ、密封した後にオイルバスで150℃に加温下、48時間加熱した。室温まで冷却した後に蓋を開けて内容物5mLを取り出し、さらに残りを150℃、48時間加熱し、加熱後に室温(20℃)まで冷却し、蓋を開けて内容物を取り出した。得られた内容物に関してイオンクロマトグラフィーでフッ化物イオンの含有量を測定した。内容物の着色状況とともに、表1に耐熱性の評価結果を示す。

Figure 2013098303
Next, after precision distillation, PFTB (Example 1) and HFTB (Example 2) which are fluorine-containing tertiary alcohol, PFPi (Example 3) which is a fluorine-containing tertiary diol, and HFIP which is a fluorine-containing secondary alcohol. (Comparative Example 1) Each 30 mL was placed in a 50 mL stainless steel autoclave, sealed, and heated in an oil bath at 150 ° C. for 48 hours. After cooling to room temperature, the lid was opened and 5 mL of the contents were taken out. The remainder was heated at 150 ° C. for 48 hours, cooled to room temperature (20 ° C.) after heating, the lid was opened, and the contents were taken out. The content of the fluoride ion was measured by ion chromatography for the obtained contents. Table 1 shows the heat resistance evaluation results together with the coloring of the contents.
Figure 2013098303

表1に示したフッ化物イオンの含有量の測定結果は、α位がすべて炭素置換基で結合され炭素−水素結合がない含フッ素3級アルコール(PFTB、HFTB)および含フッ素3級ジオール(PFPi)は、150℃で連続的に加熱してもフッ化物イオンを遊離しないことを示していた。具体的には、表1の実施例1〜3に示すように、PFTBは、48時間、15ppb、96時間、20ppbであった。HFTBは48時間、30ppb、96時間、46ppbであった。PFPiは、48時間、18ppb、96時間、21ppbであった。48時間経過後は着色が見られず、96時間経過後は、HFTBのみが僅かに黄色く着色した程度であり、高い耐熱性を示した。 The measurement results of the fluoride ion content shown in Table 1 show that fluorine-containing tertiary alcohols (PFTB, HFTB) and fluorine-containing tertiary diols (PFPi) in which all the α-positions are bonded by a carbon substituent and have no carbon-hydrogen bond. ) Showed that fluoride ions were not liberated even when continuously heated at 150 ° C. Specifically, as shown in Examples 1 to 3 in Table 1, PFTB was 48 hours, 15 ppb, 96 hours, and 20 ppb. HFTB was 48 hours, 30 ppb, 96 hours, 46 ppb. PFPi was 48 hours, 18 ppb, 96 hours, 21 ppb. After 48 hours, no coloring was observed, and after 96 hours, only HFTB was colored slightly yellow, indicating high heat resistance.

比較して、α位炭素に水素−炭素結合およびβ位炭素にフッ素−炭素結合を有する含フッ素2級アルコールであるHFIPは、150℃で連続的に加熱することにより、フッ化物イオンを遊離する。表1の比較例1に示すように、48時間、220ppb、96時間397ppbであった。また、48時間経過後に黄色く着色し、96時間経過後は褐色に着色していた。洗浄乾燥剤が、フッ化物イオンを数百ppbのオーダーで含有すると、高アスペクト比のパターン微細構造を有するシリコンウェハ表面にダメージを与えることがわかった。   In comparison, HFIP, which is a fluorine-containing secondary alcohol having a hydrogen-carbon bond at the α-position carbon and a fluorine-carbon bond at the β-position carbon, releases fluoride ions by continuous heating at 150 ° C. . As shown in Comparative Example 1 of Table 1, they were 48 hours, 220 ppb, and 96 hours 397 ppb. Further, it was colored yellow after 48 hours and was colored brown after 96 hours. It has been found that when the cleaning desiccant contains fluoride ions in the order of several hundreds of ppb, the surface of the silicon wafer having a high aspect ratio pattern microstructure is damaged.

表1に示した結果より、含フッ素3級アルコール(PFTB、HFTB)および含フッ素3級ジオール(PFPi)のフッ素の含有は、150℃で96時間、連続的に加熱しても最大46ppb(HFTB)であり、シリコンウェハの洗浄および乾燥工程において当該発明の含フッ素3級アルコールおよび含フッ素3級ジオールを含む洗浄乾燥剤およびそれを用いた洗浄乾燥方法を使用することが有効であることがわかった。   From the results shown in Table 1, the fluorine content of the fluorine-containing tertiary alcohol (PFTB, HFTB) and fluorine-containing tertiary diol (PFPi) is 46 ppb (HFTB) even when continuously heated at 150 ° C. for 96 hours. It is found that it is effective to use the cleaning / drying agent containing the fluorine-containing tertiary alcohol and fluorine-containing tertiary diol of the present invention and the cleaning / drying method using the same in the cleaning and drying process of the silicon wafer. It was.

[参考例]
前述のフッ素イオントラップ剤(商品名、ハロゲンキラー、ブイテック株式会社製)を加えずに、PFTB、300gに純水100gを添加して、攪拌後に二層分離した下層を分液ロートを用いて取り出し、精密蒸留を行ったところ、ガスクロマトグラフィー純度99.9面積%以上、収率275gで回収することができた。イオンクロマトグラフィーでフッ化物イオン含有量を確認したところ500ppbの含量であることを確認した。
[Reference example]
Without adding the above-mentioned fluorine ion trapping agent (trade name, Halogen Killer, manufactured by Vitec Co., Ltd.), 100 g of pure water was added to 300 g of PFTB, and the lower layer separated into two layers after stirring was taken out using a separating funnel As a result of precision distillation, it was possible to recover the gas chromatography with a purity of 99.9% by area or more and a yield of 275 g. When the fluoride ion content was confirmed by ion chromatography, it was confirmed to be 500 ppb.

すなわち含フッ素アルコールを純水で洗浄する手法ではフッ化物イオンを除去するのは困難であることがわかった。   That is, it was found that it was difficult to remove fluoride ions by the method of washing the fluorinated alcohol with pure water.

本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法は、半導体用シリコンウェハ、液晶表示装置用、フォトマスク用および光ディスク用ガラス基板等の洗浄−乾燥工程に好適に用いられる。   The cleaning / drying agent and the substrate cleaning / drying method using the cleaning / drying agent of the present invention are suitably used in a cleaning-drying process for semiconductor silicon wafers, liquid crystal display devices, photomasks, and optical disk glass substrates.

また近年、構造の微細化が進む半導体デバイスのリソグラフィーによる製造工程において、レジスト成膜、エッチング、レジスト剥離などの各工程における、洗浄−乾燥後のパターン倒れを防止するために、超臨界流体、または界面活性剤が添加された洗浄液による洗浄乾燥方法が検討されている。本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法は、洗浄乾燥に用いる洗浄乾燥剤を超臨界流体とすることが可能であり、好適に使用される。   In recent years, in the manufacturing process by lithography of semiconductor devices whose structures have been miniaturized, in order to prevent pattern collapse after cleaning-drying in each process such as resist film formation, etching, resist peeling, etc., or A cleaning and drying method using a cleaning liquid to which a surfactant is added has been studied. The cleaning / drying agent and the method for cleaning / drying a substrate using the same according to the present invention can be preferably used because the cleaning / drying agent used for cleaning / drying can be a supercritical fluid.

また、半導体デバイス製造における、めっき工程は配線の要であり、本発明の基板の洗浄乾燥方法は、半導体デバイスのメッキにおける洗浄乾燥において有効である。   Moreover, the plating process in semiconductor device manufacture is the key to wiring, and the method for cleaning and drying a substrate of the present invention is effective in cleaning and drying in plating of a semiconductor device.

本発明の洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法は、金属薄膜、金属酸化物膜、および複合膜製造における、無機化合物の蒸着、堆積、電気めっき、化学めっきにおいては、これらの前工程または後工程である洗浄および乾燥において有用である。   The cleaning / drying agent and the method of cleaning / drying a substrate using the same according to the present invention are used in the deposition of inorganic compounds, deposition, electroplating, and chemical plating in the production of metal thin films, metal oxide films, and composite films. It is useful in washing and drying, which are processes or subsequent processes.

Claims (8)

一般式(1):
Figure 2013098303
(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級アルコール、または一般式(2):
Figure 2013098303
(式(2)中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級ジオールを含む、洗浄乾燥剤。
General formula (1):
Figure 2013098303
(In the formula, R 1 to R 3 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
Or a fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (2):
Figure 2013098303
(In Formula (2), R < 4 > -R < 7 > is respectively independently a C1-C7 linear alkyl group or a C3-C7 cyclic alkyl group, and the hydrogen atom in the said alkyl group Is partially or entirely substituted with a fluorine atom.)
A cleaning / drying agent comprising a fluorine-containing tertiary diol represented by:
〜Rのうち、少なくとも1つ以上がトリフルオロメチル基であり、R〜Rのうち、少なくとも2つ以上がトリフルオロメチル基である請求項1の洗浄乾燥剤。 The cleaning / drying agent according to claim 1, wherein at least one of R 1 to R 3 is a trifluoromethyl group and at least two of R 4 to R 7 are trifluoromethyl groups. さらに、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、ケトン、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素および芳香族炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加えてなる、請求項1または請求項2に記載の洗浄乾燥剤。   Furthermore, pure water, carbon dioxide, alcohol, nitrile, ketone, amide, sulfoxide, ether, hydrofluorocarbon, hydrofluoroether, at least one compound selected from the group consisting of hydrocarbons and aromatic hydrocarbons is added, The cleaning / drying agent according to claim 1 or 2. 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の洗浄乾燥剤が、イオン交換樹脂と接触、または塩基性水溶液と混合した後に蒸留したものである、洗浄乾燥剤。   A cleaning / drying agent obtained by distillation after the cleaning / drying agent according to any one of claims 1 to 3 is brought into contact with an ion exchange resin or mixed with a basic aqueous solution. 一般式(1):
Figure 2013098303
(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級アルコール、または一般式(2):
Figure 2013098303
(式(2)中、R〜Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、または炭素数3〜7の環状アルキル基であり、当該アルキル基中の水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されている。)
で表される含フッ素3級ジオールに、基板を接触させて、−20℃以上、200℃以下の温度下で基板の洗浄および乾燥を行う、基板の洗浄乾燥方法。
General formula (1):
Figure 2013098303
(In the formula, R 1 to R 3 are each independently a linear alkyl group having 1 to 7 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and a part of hydrogen atoms in the alkyl group. Or all are substituted with fluorine atoms.)
Or a fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (2):
Figure 2013098303
(In Formula (2), R < 4 > -R < 7 > is respectively independently a C1-C7 linear alkyl group or a C3-C7 cyclic alkyl group, and the hydrogen atom in the said alkyl group Is partially or entirely substituted with a fluorine atom.)
A cleaning and drying method for a substrate, wherein the substrate is brought into contact with a fluorine-containing tertiary diol represented by the formula, and the substrate is cleaned and dried at a temperature of −20 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.
前記一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールまたは前記一般式(2)で示される含フッ素3級ジオールに、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、ケトン、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素および芳香族炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加えた後、基板と接触させる、請求項5に記載の方法。   To the fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or the fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2), pure water, carbon dioxide, alcohol, nitrile, ketone, amide, sulfoxide, ether, 6. The method according to claim 5, wherein at least one compound selected from the group consisting of hydrofluorocarbons, hydrofluoroethers, hydrocarbons and aromatic hydrocarbons is added and then contacted with the substrate. 前記一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)で示される含フッ素3級ジオールをイオン交換樹脂と接触、または塩基性水溶液と混合した後に蒸留した後、基板と接触させる、請求項5または請求項6に記載の方法。   The fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or the fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2) is contacted with an ion exchange resin or mixed with a basic aqueous solution and then distilled, The method according to claim 5 or 6, wherein the contact is performed. 前記一般式(1)で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)で示される含フッ素3級ジオールをイオン交換樹脂と接触、または塩基性水溶液と混合した後に蒸留し、純水、二酸化炭素、アルコール、ニトリル、ケトン、アミド、スルホキシド、エーテル、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、炭化水素および芳香族炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を加えた後、基板と接触させる、請求項5または請求項6に記載の方法。   The fluorine-containing tertiary alcohol represented by the general formula (1) or the fluorine-containing tertiary diol represented by the general formula (2) is contacted with an ion exchange resin or mixed with a basic aqueous solution and then distilled to obtain pure water, After adding at least one compound selected from the group consisting of carbon dioxide, alcohol, nitrile, ketone, amide, sulfoxide, ether, hydrofluorocarbon, hydrofluoroether, hydrocarbon and aromatic hydrocarbon, contact with the substrate; 7. A method according to claim 5 or claim 6.
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