JP2013084949A - Sealed semiconductor and method of manufacturing the same - Google Patents

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Yuto Taniguchi
裕人 谷口
Masahiko Watanabe
雅彦 渡邊
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a sealed semiconductor that can mold sealed resin (precursor) into a desired shape relatively easily and demold the sealed semiconductor easily even when a mold release film is preheated at a low temperature region.SOLUTION: A method of manufacturing a sealed semiconductor includes a mold release film installation process, a sealed resin injection process, a semiconductor immersion process, and a sealed resin solidification process. In the mold release film installation process, a mold release film 200 having a cushion layer 220 whose main component is polyolefin is made to follow a recess (cavity) 310 of a mold 300. In the sealed resin injection process, sealed resin 400 is injected into a recess 311 (hereinafter, referred to as a "mould release recess"), which the mold release film is made to follow. In the semiconductor immersion process, a semiconductor 120 is immersed into the sealed resin in the mold release recess. In the sealed resin solidification process, sealed resin is solidified with the semiconductor being immersed in the mold resin.

Description

本発明は、封止半導体およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a sealed semiconductor and a method for manufacturing the same.

過去に「支持体上に実装された発光素子、例えば、LEDチップを硬化性シリコーン組成物により封止すること」が提案されている(例えば、特開2010−245477号公報等参照)。このように発光素子を樹脂封止する方法としては、例えば、「支持体上に実装された発光素子の配置に対応する凹状キャビティを有する型に、非常に薄い離型フィルムを被覆し、次いで、凹状キャビティに硬化性シリコーン組成物を充填した後、発光素子を実装した支持体を型に圧接して、硬化性シリコーン組成物を硬化する方法」が挙げられる。   In the past, it has been proposed that “a light emitting element mounted on a support, for example, an LED chip is sealed with a curable silicone composition” (see, for example, JP 2010-245477 A). As a method for resin-sealing the light-emitting element in this manner, for example, “a mold having a concave cavity corresponding to the arrangement of the light-emitting element mounted on the support is coated with a very thin release film, and then And a method of curing the curable silicone composition by filling the concave cavity with the curable silicone composition and then pressing the support on which the light emitting element is mounted on the mold.

特開2010−245477号公報JP 2010-245477 A

しかし、従前の方法には、「離型フィルムが低温度域(100℃未満の温度域)で予備加熱されると、離型フィルムが十分に金型に追従することができない」という問題がある。すなわち、従前の方法では、低温度域において樹脂封止が行われる場合、離型フィルムを型の凹部(キャビティ)に沿わせにくく、封止樹脂(前駆体)を所望の形状に成形しにくい。   However, the conventional method has a problem that "if the release film is preheated in a low temperature range (a temperature range of less than 100 ° C), the release film cannot sufficiently follow the mold". . That is, in the conventional method, when resin sealing is performed in a low temperature range, it is difficult to fit the release film along the concave portion (cavity) of the mold, and it is difficult to mold the sealing resin (precursor) into a desired shape.

本発明の課題は、低温度域で樹脂封止が行われる場合であっても封止樹脂(前駆体)を比較的容易に所望の形状に成形することができると共に、封止半導体を容易に脱型することができる封止半導体の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to form a sealing resin (precursor) into a desired shape relatively easily even when resin sealing is performed in a low temperature range, and to easily form a sealing semiconductor. It is providing the manufacturing method of the sealing semiconductor which can be demolded.

(1)
本発明の一局面に係る封止半導体の製造方法は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等注入工程、半導体浸漬工程および封止樹脂等固化工程を備える。離型フィルム設置工程では、型の凹部に離型フィルムが沿わせられる。なお、この離型フィルムは、クッション層および離型層を有する。クッション層は、ポリオレフィンを主成分とする。離型層は、クッション層の少なくとも片側に設けられる。封止樹脂等注入工程では、離型フィルムが沿わせられた凹部(以下「離型凹部」という)に封止樹脂または封止樹脂前駆体が注入される。半導体浸漬工程では、離型凹部内の封止樹脂中または封止樹脂前駆体中に半導体が浸漬される。封止樹脂等固化工程では、半導体が封止樹脂または封止樹脂前駆体に浸漬された状態で、封止樹脂または封止樹脂前駆体が固化される。
(1)
The manufacturing method of the sealing semiconductor which concerns on 1 aspect of this invention is equipped with a mold release film installation process, injection | pouring processes, such as sealing resin, a semiconductor immersion process, and solidification processes, such as sealing resin. In the release film installation step, the release film is placed in the recess of the mold. In addition, this release film has a cushion layer and a release layer. The cushion layer is mainly composed of polyolefin. The release layer is provided on at least one side of the cushion layer. In the step of injecting the sealing resin or the like, the sealing resin or the sealing resin precursor is injected into a recess (hereinafter referred to as “release mold recess”) along which the release film is placed. In the semiconductor dipping step, the semiconductor is dipped in the sealing resin or the sealing resin precursor in the release recess. In the sealing resin or the like solidifying step, the sealing resin or the sealing resin precursor is solidified in a state where the semiconductor is immersed in the sealing resin or the sealing resin precursor.

この封止半導体の製造方法では、離型フィルム設置工程において、クッション層付きの離型フィルムが、型の凹部に沿わせられる。このため、この封止半導体の製造方法では、封止された半導体を容易に脱型することができる。   In this method for manufacturing a sealed semiconductor, the release film with a cushion layer is placed along the recess of the mold in the release film installation step. For this reason, in this manufacturing method of a sealed semiconductor, the sealed semiconductor can be easily demolded.

また、通常、ポリオレフィンを主成分とするクッション層付きの離型フィルムは、低温度域で予備加熱される場合、フッ素樹脂フィルム等の単層フィルムに比べて十分に柔らかくなる。このため、この封止半導体の製造方法では、離型フィルム設置工程において離型フィルムが低温度域で予備加熱される場合であっても、離型フィルムを比較的容易に型の凹部に沿わせることができる。   In general, a release film with a cushion layer mainly composed of polyolefin is sufficiently softer than a single-layer film such as a fluororesin film when preheated in a low temperature range. For this reason, in this manufacturing method of a sealing semiconductor, even when the release film is preheated in a low temperature region in the release film installation step, the release film is relatively easily aligned with the recess of the mold. be able to.

したがって、この封止半導体の製造方法では、低温度域で樹脂封止が行われる場合であっても封止樹脂(前駆体)を比較的容易に所望の形状に成形することができると共に、封止半導体を容易に脱型することができる。   Therefore, in this method of manufacturing a sealing semiconductor, the sealing resin (precursor) can be molded into a desired shape relatively easily even when resin sealing is performed in a low temperature range. The stop semiconductor can be easily removed.

(2)
上述(1)の封止半導体の製造方法において、離型フィルムは、120℃における貯蔵弾性率が10.0MPa以上120.0MPa以下であることが好ましい。
(2)
In the above-described method for producing a sealed semiconductor (1), the release film preferably has a storage elastic modulus at 120 ° C. of 10.0 MPa or more and 120.0 MPa or less.

120℃における離型フィルムの貯蔵弾性率がこの範囲内であれば、封止半導体の製造方法の離型フィルム設置工程において、離型フィルムを容易に型の凹部に沿わせることができるからである。   This is because if the storage elastic modulus of the release film at 120 ° C. is within this range, the release film can be easily aligned with the concave portion of the mold in the release film installation step of the manufacturing method of the sealing semiconductor. .

(3)
上述(1)または(2)の封止半導体の製造方法において、離型フィルムは、30℃における貯蔵弾性率が100.0MPa以上800.0MPa以下であることが好ましい。
(3)
In the method for producing a sealed semiconductor according to the above (1) or (2), the release film preferably has a storage elastic modulus at 30 ° C. of 100.0 MPa or more and 800.0 MPa or less.

30℃における離型フィルムの貯蔵弾性率がこの範囲内であれば、封止半導体の製造方法の離型フィルム設置工程において、低温度域においても離型フィルムを容易に型の凹部に沿わせることができるからである。   If the storage elastic modulus of the release film at 30 ° C. is within this range, the release film can be easily along the recess of the mold even in a low temperature range in the release film installation process of the manufacturing method of the sealing semiconductor. Because you can.

(4)
本発明の他の局面に係る封止半導体は、上述(1)から(3)のいずれかに係る封止半導体の製造方法により得られる。
(4)
A sealed semiconductor according to another aspect of the present invention is obtained by the method for manufacturing a sealed semiconductor according to any one of (1) to (3) above.

(5)
上述(1)から(3)のいずれかに係る封止半導体の製造方法において、封止半導体は、封止光半導体であるのが好ましい。
(5)
In the method for manufacturing a sealed semiconductor according to any one of the above (1) to (3), the sealed semiconductor is preferably a sealed optical semiconductor.

(6)
本発明の他の局面に係る封止光半導体は、上述(5)の封止半導体の製造方法により得られる。
(6)
The sealed optical semiconductor according to another aspect of the present invention is obtained by the above-described method for manufacturing a sealed semiconductor (5).

本発明の実施の形態に係る予備光デバイスの側面図である。It is a side view of the backup optical device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の離型フィルム設置工程における予備光デバイス、離型フィルムおよび金型の配置関係を示す図である。It is a figure which shows the arrangement | positioning relationship of the preliminary | backup optical device, a release film, and a metal mold | die in the release film installation process of the sealing method of the optical semiconductor which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の離型フィルム設置工程において金型の凹部に離型フィルムが沿わせられた状態を示す図である。なお、本図において、予備光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型は縦断面図で表されている。It is a figure which shows the state by which the release film was put in the recessed part of a metal mold | die in the release film installation process of the sealing method of the optical semiconductor which concerns on embodiment of this invention. In addition, in this figure, a preliminary | backup optical device and a release film are represented by the side view, and the metal mold | die is represented by the longitudinal cross-sectional view. 本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の封止樹脂等注入工程において離型フィルムに覆われた金型に封止樹脂等を注入した状態を示す図である。なお、本図において、予備光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型および封止樹脂等は縦断面図で表されている。It is a figure which shows the state which inject | poured sealing resin etc. into the metal mold | die covered with the release film in the injection | pouring resin etc. process of the sealing method of the optical semiconductor which concerns on embodiment of this invention. In this figure, the preliminary optical device and the release film are represented by side views, and the mold and the sealing resin are represented by longitudinal sectional views. 本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の光半導体浸漬工程において金型に対して予備光デバイスが圧接された状態を示す図である。なお、本図において、予備光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型および封止樹脂等は縦断面図で表されている。It is a figure which shows the state by which the preliminary | backup optical device was press-contacted with respect to the metal mold | die in the optical semiconductor immersion process of the sealing method of the optical semiconductor which concerns on embodiment of this invention. In this figure, the preliminary optical device and the release film are represented by side views, and the mold and the sealing resin are represented by longitudinal sectional views. 本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法の封止樹脂等固化工程において封止樹脂等が固化された状態を示す図である。なお、本図において、光デバイスおよび離型フィルムは側面図で表され、金型および固化封止樹脂は縦断面図で表されている。It is a figure which shows the state by which sealing resin etc. were solidified in the sealing resin etc. solidification process of the sealing method of the optical semiconductor which concerns on embodiment of this invention. In this figure, the optical device and the release film are represented by side views, and the mold and the solidified sealing resin are represented by longitudinal sectional views. 本発明の実施の形態に係る光デバイスの側面図である。1 is a side view of an optical device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る離型フィルムの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the release film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る離型フィルムの製造装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing apparatus of the release film which concerns on embodiment of this invention. 変形例に係る離型フィルムの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the release film which concerns on a modification.

<光半導体の封止方法>
本発明の実施の形態に係る光半導体の封止方法(封止光半導体の製造方法)は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等注入工程、光半導体浸漬工程および封止樹脂等固化工程を有する。
<Optical semiconductor sealing method>
An optical semiconductor sealing method (sealing optical semiconductor manufacturing method) according to an embodiment of the present invention includes a release film installation step, a sealing resin injection step, an optical semiconductor immersion step, and a sealing resin solidification step. Have.

なお、本実施の形態において、封止対象となる光半導体としては、例えば、発光ダイオード(LED)チップなどが挙げられる。本実施の形態において、光半導体120は、図1に示されるように、支持体110の上に実装されている。また、支持体110には回路(図示せず)が形成されており、その回路にはボンディングワイヤ130を介して光半導体120が電気接続されている。なお、以下、このようなデバイス100を「予備光デバイス」と称する。   In the present embodiment, examples of the optical semiconductor to be sealed include a light emitting diode (LED) chip. In the present embodiment, the optical semiconductor 120 is mounted on the support 110 as shown in FIG. Further, a circuit (not shown) is formed on the support 110, and the optical semiconductor 120 is electrically connected to the circuit via a bonding wire 130. Hereinafter, such a device 100 is referred to as a “backup optical device”.

上述のLEDチップとしては、液相成長法、MOCVD法等の方法により基板上に窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、セレン化亜鉛(ZnSe)、炭化ケイ素(SiC)、リン化ガリウム(GaP)、ヒ化ガリウム(GaAs)、ヒ化ガリウムアルミニウム(GaAlAs)、窒化ガリウムアルミニウム(GaAlN)、リン化アルミニウムインジウムガリウム(AlInGaP)、窒化インジウムガリウム(InGaN)、窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlInGaN)等の半導体が発光層として形成されたものが好ましい。また、支持体110としては、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板、ポリイミド樹脂・エポキシ樹脂・BTレジン等の有機樹脂基板が挙げられる。ボンディングワイヤ130としては、金線あるいはアルミニウム線などが挙げられる。なお、支持体110には、回路の外部リード等が設けられてもよい。   As the above-described LED chip, indium nitride (InN), aluminum nitride (AlN), gallium nitride (GaN), zinc selenide (ZnSe), silicon carbide (SiC) is formed on the substrate by a liquid phase growth method, MOCVD method or the like. ), Gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAs), gallium aluminum arsenide (GaAlAs), gallium aluminum nitride (GaAlN), aluminum indium gallium phosphide (AlInGaP), indium gallium nitride (InGaN), aluminum indium nitride It is preferable that a semiconductor such as gallium (AlInGaN) is formed as the light emitting layer. Examples of the support 110 include ceramic substrates, silicon substrates, metal substrates, and organic resin substrates such as polyimide resin, epoxy resin, and BT resin. Examples of the bonding wire 130 include a gold wire and an aluminum wire. The support 110 may be provided with an external lead of a circuit.

以下、各工程について詳述する。
(1)離型フィルム設置工程
離型フィルム設置工程では、図2および図3に示されるように、金型300の凹部(キャビティ)310に離型フィルム200が沿わせられる。なお、この離型フィルム200については、後に詳述する。本工程では、離型フィルム200が金型300を覆った後にエア吸引装置(図示せず)により空気孔320を介して金型300の凹部310内の空気が吸引される。その結果、離型フィルム200が金型300の凹部310に沿うことになる。なお、封止樹脂等固化工程完了後は、空気孔320を通じて凹部310に空気が供給されることにより、離型フィルム200が金型300から剥がされると共に、光デバイス101(後述)が脱型される。
Hereinafter, each process is explained in full detail.
(1) Release Film Installation Step In the release film installation step, as shown in FIGS. 2 and 3, the release film 200 is placed along the recess (cavity) 310 of the mold 300. The release film 200 will be described in detail later. In this step, after the release film 200 covers the mold 300, the air in the recess 310 of the mold 300 is sucked through the air holes 320 by an air suction device (not shown). As a result, the release film 200 is along the recess 310 of the mold 300. In addition, after completion | finish of sealing resin etc. solidification process, while air is supplied to the recessed part 310 through the air hole 320, while the release film 200 is peeled from the metal mold | die 300, the optical device 101 (after-mentioned) is demolded. The

(2)封止樹脂等注入工程
封止樹脂等注入工程では、図3および図4に示されるように、離型フィルム200が沿わせられた凹部(以下「離型凹部」という)311に封止樹脂または封止樹脂前駆体(以下、これらをまとめて「封止樹脂等」と称する)400が注入される。なお、封止樹脂前駆体としては、硬化性シリコーン組成物および硬化性エポキシ組成物などが挙げられる。
(2) Sealing resin injection process In the sealing resin injection process, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, sealing is performed in a recess (hereinafter referred to as “release recess”) 311 along which the release film 200 is placed. A stop resin or a sealing resin precursor (hereinafter collectively referred to as “sealing resin or the like”) 400 is injected. In addition, as a sealing resin precursor, a curable silicone composition, a curable epoxy composition, etc. are mentioned.

(3)光半導体浸漬工程
光半導体浸漬工程では、図5に示されるように、光半導体120およびボンディングワイヤ130が金型300の離型凹部311に対向するように予備光デバイス100が金型300に被せられ、金型300に対して予備光デバイス100が圧接される。その結果、離型凹部311内の封止樹脂等400中に光半導体120およびボンディングワイヤ130が浸漬される。
(3) Optical Semiconductor Immersion Step In the optical semiconductor immersion step, as shown in FIG. 5, the preliminary optical device 100 is placed in the mold 300 so that the optical semiconductor 120 and the bonding wire 130 face the mold release recess 311 of the mold 300. The spare optical device 100 is pressed against the mold 300. As a result, the optical semiconductor 120 and the bonding wire 130 are immersed in the sealing resin 400 or the like in the release recess 311.

(4)封止樹脂等固化工程
封止樹脂等固化工程では、図6および図7に示されるように、光半導体120およびボンディングワイヤ130が封止樹脂等400に浸漬された状態で、封止樹脂等400が固化され、光デバイス101が作製される。なお、本工程において、封止樹脂等400が熱可塑性樹脂である場合、封止樹脂等400は、冷却されることにより固化される。一方、封止樹脂等400が硬化性樹脂の前駆体である場合、封止樹脂等400は、加熱硬化または活性エネルギー線硬化により固化される。なお、以下、固化された封止樹脂等400を「固化封止樹脂」と称し、符号401を付する(図6および図7参照)。
(4) Sealing resin etc. solidifying step In the sealing resin etc. solidifying step, as shown in FIG. 6 and FIG. 7, the optical semiconductor 120 and the bonding wire 130 are immersed in the sealing resin etc. 400. The resin 400 or the like is solidified, and the optical device 101 is manufactured. In this step, when the sealing resin 400 is a thermoplastic resin, the sealing resin 400 is solidified by cooling. On the other hand, when the sealing resin 400 is a precursor of a curable resin, the sealing resin 400 is solidified by heat curing or active energy ray curing. Hereinafter, the solidified sealing resin 400 or the like is referred to as “solidified sealing resin” and denoted by reference numeral 401 (see FIGS. 6 and 7).

また、固化封止樹脂401は、支持体110および光半導体120に接着していることが好ましい。この固化封止樹脂401は、透明な樹脂であってもよいし、蛍光体等を含有した樹脂であってもよい。また、この固化封止樹脂401の形状は、特に限定されず、一般的には、凸レンズ状、円すい台状、四角すい台状であるが、凸レンズ状であることが好ましい。   Further, the solidified sealing resin 401 is preferably bonded to the support 110 and the optical semiconductor 120. The solidified sealing resin 401 may be a transparent resin or a resin containing a phosphor or the like. The shape of the solidified sealing resin 401 is not particularly limited, and is generally a convex lens shape, a truncated cone shape, or a square truncated cone shape, but is preferably a convex lens shape.

(5)その他の工程
なお、本実施の形態では、封止樹脂等固化工程の後工程として切断工程が設けられてもかまわない。切断工程では、ダイシングソー、レーザー等によって支持体110が切断または破断されることによって、光デバイス101から複数個の光デバイスが製造される。
(5) Other steps In the present embodiment, a cutting step may be provided as a subsequent step of the sealing resin or the like solidifying step. In the cutting step, a plurality of optical devices are manufactured from the optical device 101 by cutting or breaking the support 110 with a dicing saw, a laser, or the like.

<離型フィルムの詳細>
本発明の実施の形態に係る離型フィルム200は、図8に示されるように、主に、離型層210およびクッション層220から構成される。なお、本実施の形態において、離型フィルム200の厚みは25〜300μmであるのが好ましい。
<Details of release film>
The release film 200 according to the embodiment of the present invention is mainly composed of a release layer 210 and a cushion layer 220 as shown in FIG. In the present embodiment, the release film 200 preferably has a thickness of 25 to 300 μm.

以下、これらの層それぞれについて詳述する。
<離型フィルムの構成層の詳細>
1.離型層
離型層210は、封止樹脂等400および固化封止樹脂401に対して良好な離型性を有する樹脂(以下、「離型層形成樹脂」と称する)から形成される。そのような離型層形成樹脂としては、例えば、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)(以下「TPX(登録商標)樹脂」と称する)を主成分とする樹脂、シンジオタクチック構造を有するポリスチレン系樹脂(以下「SPS樹脂」と称する)を主成分とする樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂を主成分とする樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、本実施の形態において、離型層210の厚みは5μm以上であるのが好ましく、10μm以上であるのがより好ましい。以下、各離型層形成樹脂につき詳述する。
Hereinafter, each of these layers will be described in detail.
<Details of constituent layers of release film>
1. Release Layer The release layer 210 is formed of a resin having good release properties with respect to the sealing resin 400 and the solidified sealing resin 401 (hereinafter referred to as “release layer forming resin”). As such a release layer forming resin, for example, a resin mainly composed of poly (4-methyl-1-pentene) (hereinafter referred to as “TPX (registered trademark) resin”), a polystyrene having a syndiotactic structure. Examples thereof include a resin mainly composed of an epoxy resin (hereinafter referred to as “SPS resin”), a resin mainly composed of polybutylene terephthalate resin, and a resin mainly composed of a polyether ester block copolymer. In the present embodiment, the thickness of the release layer 210 is preferably 5 μm or more, and more preferably 10 μm or more. Hereinafter, each release layer forming resin will be described in detail.

(1)TPX樹脂を主成分とする樹脂
TPX樹脂を主成分とする樹脂には、TPX樹脂が90重量%以上含有されているのが好ましく、95重量%以上含有されているのが好ましい。なお、離型層210はTPX樹脂のみから形成されてもかまわない。なお、TPX樹脂は、三井化学(株)から商品名TPX(登録商標)として市販されている。
(1) Resin mainly composed of TPX resin The resin mainly composed of TPX resin preferably contains 90% by weight or more, preferably 95% by weight or more of TPX resin. Note that the release layer 210 may be formed of only TPX resin. TPX resin is commercially available from Mitsui Chemicals, Inc. under the trade name TPX (registered trademark).

(2)SPS樹脂を主成分とする樹脂
SPS樹脂を主成分とする樹脂は、出光興産(株)から商品名ザレック(登録商標)(XAREC(登録商標))として市販されている。離型層形成樹脂におけるSPS樹脂の含有率は、70重量%以上90重量%以下であるが、85重量%以上90重量%以下であるのが好ましい。
(2) Resin mainly composed of SPS resin Resin mainly composed of SPS resin is commercially available from Idemitsu Kosan Co., Ltd. under the trade name Zalek (registered trademark) (XAREC (registered trademark)). The content of the SPS resin in the release layer forming resin is 70% by weight or more and 90% by weight or less, but preferably 85% by weight or more and 90% by weight or less.

SPS樹脂とは、シンジオタクチック構造、すなわち炭素−炭素シグマ結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体規則構造を有する樹脂である。   The SPS resin is a resin having a syndiotactic structure, that is, a stereoregular structure in which phenyl groups and substituted phenyl groups as side chains are alternately located in opposite directions with respect to the main chain formed from carbon-carbon sigma bonds. is there.

なお、このようなSPS樹脂としては、例えば、特開2000−038461号公報に示されるように、ラセミダイアッドで75%以上、好ましくは85%以上、若しくはラセミペンタッドで30%以上、好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ(アルキルスチレン)、ポリ(アリールスチレン)、ポリ(ハロゲン化スチレン)、ポリ(ハロゲン化アルキルスチレン)、ポリ(アルコキシスチレン)、ポリ(ビニル安息香酸エステル)、これらの水素化重合体およびこれらの混合物、あるいはこれらを主成分とする共重合体などが挙げられる。   As such SPS resin, for example, as disclosed in JP-A-2000-038461, racemic dyad is 75% or more, preferably 85% or more, or racemic pentad is 30% or more, preferably Polystyrene, poly (alkyl styrene), poly (aryl styrene), poly (halogenated styrene), poly (halogenated alkyl styrene), poly (alkoxy styrene), poly (vinyl benzoic acid) having a syndiotacticity of 50% or more Esters), hydrogenated polymers thereof and mixtures thereof, or copolymers based on these.

ポリ(アルキルスチレン)としては、例えば、ポリ(メチルスチレン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(イソプロピルスチレン)、ポリ(t−ブチルスチレン)等が挙げられる。   Examples of poly (alkyl styrene) include poly (methyl styrene), poly (ethyl styrene), poly (isopropyl styrene), poly (t-butyl styrene), and the like.

ポリ(アリールスチレン)としては、例えば、ポリ(フェニルスチレン)、ポリ(ビニルナフタレン)、ポリ(ビニルスチレン)等が挙げられる。   Examples of poly (aryl styrene) include poly (phenyl styrene), poly (vinyl naphthalene), poly (vinyl styrene), and the like.

ポリ(ハロゲン化スチレン)としては、例えば、ポリ(クロロスチレン)、ポリ(ブロモスチレン)、ポリ(フルオロスチレン)等が挙げられる。   Examples of poly (halogenated styrene) include poly (chlorostyrene), poly (bromostyrene), poly (fluorostyrene), and the like.

ポリ(ハロゲン化アルキルスチレン)としては、例えば、ポリ(クロロメチルスチレン)等が挙げられる。   Examples of poly (halogenated alkylstyrene) include poly (chloromethylstyrene).

ポリ(アルコキシスチレン)としては、ポリ(メトキシスチレン)、ポリ(エトキシスチレン)等が挙げられる。   Examples of poly (alkoxystyrene) include poly (methoxystyrene) and poly (ethoxystyrene).

なお、上述のうち、ポリスチレン、ポリ(p−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレン)、ポリ(p−t−プチルスチレン)、ポリ(p−クロロスチレン)、ポリ(m−クロロスチレン)、ポリ(p−フルオロスチレン)、水素化ポリスチレン及びこれらの構造単位を含む共重合体が特に好ましい。   Of the above, polystyrene, poly (p-methylstyrene), poly (m-methylstyrene), poly (pt-ptylstyrene), poly (p-chlorostyrene), poly (m-chlorostyrene), Particularly preferred are poly (p-fluorostyrene), hydrogenated polystyrene and copolymers containing these structural units.

なお、かかる場合、離型層形成樹脂の結晶化度は、示差走査熱量計(DSC)による測定において14.0%以上30.0%未満であるのが好ましい。離型層形成樹脂の結晶化度が上述の通りであると、従来の離型フィルムよりも良好な型追従性を得ることができるからである。   In such a case, the crystallinity of the release layer forming resin is preferably 14.0% or more and less than 30.0% as measured by a differential scanning calorimeter (DSC). This is because when the crystallinity of the release layer forming resin is as described above, better mold followability than that of a conventional release film can be obtained.

(3)ポリブチレンテレフタレート樹脂を主成分とする樹脂
ポリブチレンテレフタレートを主成分とする樹脂には、ポリブチレンテレフタレートが90重量%以上含有されているのが好ましく、95重量%以上含有されているのが好ましい。なお、離型層210はポリブチレンテレフタレートのみから形成されてもかまわない。
(3) Resin mainly composed of polybutylene terephthalate resin The resin mainly composed of polybutylene terephthalate preferably contains 90% by weight or more of polybutylene terephthalate, and contains 95% by weight or more. Is preferred. The release layer 210 may be formed only from polybutylene terephthalate.

(4)ポリエーテルエステルブロック共重合体を主成分とする樹脂
ポリエーテルエステルブロック共重合体を主成分とする樹脂には、ポリエーテルエステルブロック共重合体が90重量%以上含有されているのが好ましく、95重量%以上含有されているのが好ましい。なお、離型層210はポリエーテルエステルブロック共重合体のみから形成されてもかまわない。
(4) Resin mainly composed of polyetherester block copolymer The resin composed mainly of polyetherester block copolymer contains 90% by weight or more of polyetherester block copolymer. Preferably, it is contained at 95% by weight or more. The release layer 210 may be formed only from the polyether ester block copolymer.

ポリエーテルエステルブロック共重合体は、ポリエーテルセグメントと、ポリエステルセグメントとから主に構成される。なお、ポリエーテルセグメントとポリエステルセグメントとの重量比は、80:20から90:10の範囲内であるのが好ましい。また、ポリエーテルセグメントの構成単位は主にオキシブチレン単位であるのが好ましく、ポリエステルセグメントの構成単位は主に下記化学式(I)に示されるエステル単位であるのが好ましい。なお、このようなポリエーテルエステルブロック共重合体は、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)から商品名ノバデュラン(登録商標)5505S、5510Sとして市販されている。
The polyether ester block copolymer is mainly composed of a polyether segment and a polyester segment. The weight ratio of the polyether segment to the polyester segment is preferably in the range of 80:20 to 90:10. The structural unit of the polyether segment is preferably mainly an oxybutylene unit, and the structural unit of the polyester segment is preferably an ester unit mainly represented by the following chemical formula (I). Such polyetherester block copolymers are commercially available from Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd. under the trade names Novaduran (registered trademark) 5505S and 5510S.

(4)TPX樹脂、SPS樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体以外の樹脂
離型層形成樹脂を構成するTPX樹脂、SPS樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体以外の樹脂としては、例えば、エラストマー樹脂や、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂(PPS)等が挙げられる。なお、これらの樹脂は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。
(4) Resin other than TPX resin, SPS resin, polybutylene terephthalate resin, polyether ester block copolymer TPX resin, SPS resin, polybutylene terephthalate resin, polyether ester block copolymer constituting release layer forming resin Examples of other resins include elastomer resins, polyolefin resins, polystyrene resins, polyester resins, polyamide resins, polyphenylene ether resins, polyphenylene sulfide resins (PPS), and the like. In addition, these resin can be used individually or in combination of 2 or more types.

なお、エラストマー樹脂としては、例えば、天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ネオプレン、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エピクロロヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体(SBR)、水素添加スチレン−ブタジエンブロック共重合体(SEB)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SBS)、水素添加スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレン−イソプレンブロック共重合体(SIR)、水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体(SIS)、水素添加スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体(SEPS)、またはエチレンプロピレンゴム(EPM)、エチレンプロピレンジエンゴム(EPDM)、直鎖状低密度ポリエチレン系エラストマー等のオレフィン系ゴム、もしくはブタジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム(ABS)、メチルメタアクリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム(MBS)、メチルメタアクリレート−ブチルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム(MAS)、オクチルアクリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム(MABS)、アルキルアクリレート−ブタジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム(AABS)、ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム(SBR)、メチルメタアクリレート−ブチルアクリレート−シロキサン等のシロキサン含有コアシェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、またはこれらを変性したゴム等が挙げられる。   Examples of the elastomer resin include natural rubber, polybutadiene, polyisoprene, polyisobutylene, neoprene, polysulfide rubber, thiocol rubber, acrylic rubber, urethane rubber, silicone rubber, epichlorohydrin rubber, styrene-butadiene block copolymer (SBR). ), Hydrogenated styrene-butadiene block copolymer (SEB), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), hydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-isoprene block copolymer (SIR), hydrogenated styrene-isoprene block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), hydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer (S PS), or ethylene propylene rubber (EPM), ethylene propylene diene rubber (EPDM), olefin rubber such as linear low density polyethylene elastomer, or butadiene-acrylonitrile-styrene-core shell rubber (ABS), methyl methacrylate- Butadiene-styrene-core shell rubber (MBS), methyl methacrylate-butyl acrylate-styrene-core shell rubber (MAS), octyl acrylate-butadiene-styrene-core shell rubber (MABS), alkyl acrylate-butadiene-acrylonitrile-styrene-core shell rubber ( ABS), butadiene-styrene-core shell rubber (SBR), siloxane-containing cores such as methyl methacrylate-butyl acrylate-siloxane Particulate elastic material of the core-shell type, such as Rugomu, or they were modified rubber, and the like.

ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、直鎖状高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高圧法低密度ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、ポリブテン、1,2−ポリブタジエン、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)、環状ポリオレフィン及びこれらの共重合体(例えば、エチレン−メタアクリル酸メチル共重合体等)等が挙げられる。   Examples of the polyolefin resin include linear high-density polyethylene, linear low-density polyethylene, high-pressure low-density polyethylene, isotactic polypropylene, syndiotactic polypropylene, block polypropylene, random polypropylene, polybutene, 1,2- Examples thereof include polybutadiene, poly (4-methyl-1-pentene), cyclic polyolefin, and copolymers thereof (for example, ethylene-methyl methacrylate copolymer).

ポリスチレン系樹脂としては、例えば、アタクチックポリスチレン、アイソタクチックポリスチレン、高耐衝撃ポリスチレン(HIPS)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS)、スチレン−メタアクリル酸共重合体、スチレン−メタアクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン−メタアクリル酸・グリシジルエステル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、スチレン−アクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−フマル酸共重合体等が挙げられる。   Examples of the polystyrene resin include atactic polystyrene, isotactic polystyrene, high impact polystyrene (HIPS), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS), acrylonitrile-styrene copolymer (AS), and styrene-meta. Acrylic acid copolymer, styrene-methacrylic acid / alkyl ester copolymer, styrene-methacrylic acid / glycidyl ester copolymer, styrene-acrylic acid copolymer, styrene-acrylic acid / alkyl ester copolymer, styrene -Maleic acid copolymer, styrene-fumaric acid copolymer and the like.

ポリエステル系樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。   Examples of the polyester-based resin include polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and the like.

ポリアミド系樹脂としては、例えば、ナイロン(登録商標)6、ナイロン(登録商標)6,6等が挙げられる。   Examples of the polyamide-based resin include nylon (registered trademark) 6, nylon (registered trademark) 6, 6, and the like.

(3)その他
離型性形成樹脂には、各種の添加剤、例えば、アンチブロッキング剤、酸化防止剤、核剤、帯電防止剤、プロセスオイル、可塑剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、顔料等が配合されてもかまわない。
(3) Others For the mold release forming resin, various additives such as anti-blocking agent, antioxidant, nucleating agent, antistatic agent, process oil, plasticizer, mold release agent, flame retardant, flame retardant aid Agents, pigments, etc. may be blended.

なお、アンチブロッキング剤としては、以下のような無機粒子または有機粒子が挙げられる。無機粒子としては、IA族、IIA族、IVA族、VIA族、VIIA族、VIIIA族、IB族、IIB族、IIIB族、IVB族元素の酸化物、水酸化物、硫化物、窒素化物、ハロゲン化物、炭酸塩、硫酸塩、酢酸塩、燐酸塩、亜燐酸塩、有機カルボン酸塩、珪酸塩、チタン酸塩、硼酸塩およびそれらの含水化合物、並びにそれらを中心とする複合化合物および天然鉱物粒子が挙げられる。   In addition, as an antiblocking agent, the following inorganic particles or organic particles are mentioned. Inorganic particles include Group IA, Group IIA, Group IVA, Group VIA, Group VIIA, Group VIIIA, Group IB, Group IIB, Group IIIB, Group IVB oxides, hydroxides, sulfides, nitrides, halogens , Carbonates, sulfates, acetates, phosphates, phosphites, organic carboxylates, silicates, titanates, borates and their water-containing compounds, and composite compounds and natural mineral particles centered on them Is mentioned.

このような無機粒子の具体的な例としては、フッ化リチウム、ホウ砂(ホウ酸ナトリウム含水塩)等のIA族元素化合物;炭酸マグネシウム、リン酸マグネシウム、酸化マグネシウム(マグネシア)、塩化マグネシウム、酢酸マグネシウム、フッ化マグネシウム、チタン酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム含水塩(タルク)、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、亜リン酸カルシウム、硫酸カルシウム(石膏)、酢酸カルシウム、テレフタル酸カルシウム、水酸化カルシウム、ケイ酸カルシウム、フッ化カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、炭酸バリウム、リン酸バリウム、硫酸バリウム、亜硫酸バリウム等のIIA族元素化合物;二酸化チタン(チタニア)、一酸化チタン、窒化チタン、二酸化ジルコニウム(ジルコニア)、一酸化ジルコニウム等のIVA族元素化合物;二酸化モリブデン、三酸化モリブデン、硫化モリブデン等のVIA族元素化合物;塩化マンガン、酢酸マンガン等のVIIA族元素化合物;塩化コバルト、酢酸コバルト等のVIII族元素化合物;ヨウ化第一銅等のIB族元素化合物;酸化亜鉛、酢酸亜鉛等のIIB族元素化合物;酸化アルミニウム(アルミナ)、水酸化アルミニウム、フッ化アルミニウム、アルミナシリケート(ケイ酸アルミナ、カオリン、カオリナイト)等のIIIB族元素化合物;酸化ケイ素(シリカ、シリカゲル)、石墨、カーボン、グラファイト、ガラス等のIVB族元素化合物;カーナル石、カイナイト、雲母(マイカ、キンウンモ)、バイロース鉱等の天然鉱物の粒子が挙げられる。   Specific examples of such inorganic particles include group IA element compounds such as lithium fluoride and borax (sodium borate hydrate); magnesium carbonate, magnesium phosphate, magnesium oxide (magnesia), magnesium chloride, acetic acid Magnesium, magnesium fluoride, magnesium titanate, magnesium silicate, magnesium silicate hydrate (talc), calcium carbonate, calcium phosphate, calcium phosphite, calcium sulfate (gypsum), calcium acetate, calcium terephthalate, calcium hydroxide, silicic acid Group IIA element compounds such as calcium, calcium fluoride, calcium titanate, strontium titanate, barium carbonate, barium phosphate, barium sulfate, barium sulfite; titanium dioxide (titania), titanium monoxide, titanium nitride, diacid Group IVA element compounds such as zirconium (zirconia) and zirconium monoxide; Group VIA element compounds such as molybdenum dioxide, molybdenum trioxide and molybdenum sulfide; Group VIIA element compounds such as manganese chloride and manganese acetate; Cobalt chloride and cobalt acetate Group VIII element compounds; Group IB element compounds such as cuprous iodide; Group IIB element compounds such as zinc oxide and zinc acetate; Aluminum oxide (alumina), aluminum hydroxide, aluminum fluoride, alumina silicate (alumina silicate, Group IIIB element compounds such as kaolin and kaolinite; Group IVB element compounds such as silicon oxide (silica, silica gel), graphite, carbon, graphite, glass; carnal stone, kainite, mica (mica, quinumo), and villose ore Examples include natural mineral particles.

有機粒子としては、フッ素樹脂、メラミン系樹脂、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、アクリル系レジンシリコーン及びそれらの架橋体が挙げられる。   Examples of the organic particles include fluororesins, melamine resins, styrene-divinylbenzene copolymers, acrylic resin silicones, and cross-linked products thereof.

上述の無機粒子や有機粒子の平均粒径は0.1〜10μmであるのが好ましく、添加量は0.01〜15重量%であるのが好ましい。   The average particle size of the above-mentioned inorganic particles and organic particles is preferably 0.1 to 10 μm, and the addition amount is preferably 0.01 to 15% by weight.

なお、これらのアンチブロッキング剤は単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。   In addition, these antiblocking agents can be used individually or in combination of 2 or more types.

酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、2−[(1−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ペンチルフェニル)エチル]−4,6−ジ−t−ペンチルフェニルアクリレートなどが挙げられる。なお、これらの酸化防止剤は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。   As antioxidant, phosphorus antioxidant, phenolic antioxidant, sulfur antioxidant, 2-[(1-hydroxy-3,5-di-t-pentylphenyl) ethyl] -4,6- And di-t-pentylphenyl acrylate. These antioxidants can be used alone or in combination of two or more.

核剤としては、アルミニウムジ(p−t−ブチルベンゾエート)等のカルボン酸の金属塩、メチレンビス(2,4−ジ−t−ブチルフェノール)アシッドホスフェートナトリウム等のリン酸の金属塩、タルク、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。なお、これらの核剤は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。   Nucleating agents include metal salts of carboxylic acids such as aluminum di (pt-butylbenzoate), metal salts of phosphoric acid such as methylenebis (2,4-di-t-butylphenol) acid phosphate, talc, phthalocyanine derivatives Etc. In addition, these nucleating agents can be used individually or in combination of 2 or more types.

可塑剤としては、ポリエチレングリコール、ポリアミドオリゴマー、エチレンビスステアロアマイド、フタル酸エステル、ポリスチレンオリゴマー、ポリエチレンワックス、シリコーンオイル等が挙げられる。なお、これらの可塑剤は、単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the plasticizer include polyethylene glycol, polyamide oligomer, ethylene bisstearamide, phthalate ester, polystyrene oligomer, polyethylene wax, silicone oil, and the like. In addition, these plasticizers can be used individually or in combination of 2 or more types.

離型剤としては、ポリエチレンワックス、シリコーンオイル、長鎖カルボン酸、長鎖カルボン酸金属塩等が挙げられる。なお、これらの離型剤は単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the release agent include polyethylene wax, silicone oil, long chain carboxylic acid, and long chain carboxylic acid metal salt. In addition, these mold release agents can be used individually or in combination of 2 or more types.

プロセスオイルとしては、パラフィン系オイル、ナフテン系オイル、アロマ系オイル等が挙げられる。なお、これらの中でもn−d−M法で算出されるパラフィン(直鎖)に関わる炭素数の全炭素数に対する百分率が60%Cp以上のパラフィン系オイルが好ましい。   Examples of the process oil include paraffinic oil, naphthenic oil, and aromatic oil. Of these, paraffinic oils having a percentage of the number of carbon atoms related to paraffin (straight chain) calculated by the ndM method to the total number of carbon atoms of 60% Cp or more are preferable.

プロセスオイルの粘度は、40℃での動粘度が15〜600csであるのが好ましく、15〜500csであるのがさらに好ましい。また、プロセスオイルの添加量は、離型性形成樹脂100重量部に対して0.01〜1.5重量部であるのが好ましく、0.05〜1.4重量部であるのがより好ましく、0.1〜1.3重量部であるのがさらに好ましい。なお、これらのプロセスオイルは、単独で、または、二種以上を組み合わせて用いることができる。   The viscosity of the process oil is preferably 15 to 600 cs at 40 ° C., more preferably 15 to 500 cs. The amount of process oil added is preferably 0.01 to 1.5 parts by weight, more preferably 0.05 to 1.4 parts by weight, based on 100 parts by weight of the release-forming resin. More preferably, the content is 0.1 to 1.3 parts by weight. In addition, these process oil can be used individually or in combination of 2 or more types.

2.クッション層
クッション層220は、本実施の形態において、ポリプロピレンまたはエチレン−メタアクリル酸メチル共重合体を主成分とする樹脂(以下「クッション層形成樹脂」と称する)から形成される。なお、クッション層形成樹脂は、ポリプロピレンまたはエチレン−メタアクリル酸メチル共重合体のみから形成されてもかまわない。また、このクッション層形成樹脂には、離型層210との接着性を良好にする目的で、上述の離型層形成樹脂中の主成分樹脂(TPX樹脂、SPS樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体)が添加されてもかまわない。このクッション層形成樹脂には、加熱時における流れ出しを防止する目的で、ポリオレフィン系樹脂を添加してもかまわない。なお、ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、直鎖状高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高圧法低密度ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、ポリブテン、1,2−ポリブタジエン、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)、環状ポリオレフィン及びこれらの共重合体等が挙げられる。
本実施の形態において、離型層210とクッション層220との接着性が良好でない場合、それらの層の間にアンカー層やプライマー層(接着層)を介在させてもかまわない。
2. Cushion Layer Cushion layer 220 is formed of a resin mainly composed of polypropylene or ethylene-methyl methacrylate copolymer (hereinafter referred to as “cushion layer forming resin”) in the present embodiment. The cushion layer forming resin may be formed only from polypropylene or ethylene-methyl methacrylate copolymer. In addition, for the purpose of improving the adhesiveness to the release layer 210, the cushion layer forming resin includes a main component resin (TPX resin, SPS resin, polyetherester block copolymer) in the release layer forming resin described above. (Union) may be added. A polyolefin-based resin may be added to the cushion layer forming resin for the purpose of preventing flow-out during heating. Examples of the polyolefin resin include linear high-density polyethylene, linear low-density polyethylene, high-pressure low-density polyethylene, isotactic polypropylene, syndiotactic polypropylene, block polypropylene, random polypropylene, polybutene, 1, Examples include 2-polybutadiene, poly (4-methyl-1-pentene), cyclic polyolefin, and copolymers thereof.
In this embodiment, when the adhesiveness between the release layer 210 and the cushion layer 220 is not good, an anchor layer or a primer layer (adhesive layer) may be interposed between these layers.

なお、このクッション層形成樹脂には、必要に応じて、本発明の趣旨を損ねない範囲で、その他、上述のエラストマー樹脂や添加剤が配合されてもかまわない。   In addition, the above-mentioned elastomer resin and additives may be blended with the cushion layer forming resin as necessary, as long as the spirit of the present invention is not impaired.

<離型フィルムの製造方法>
本実施の形態に係る離型フィルム200は、共押出法や押出ラミネート法等の方法で製造することができる。
<Method for producing release film>
The release film 200 according to the present embodiment can be manufactured by a method such as a coextrusion method or an extrusion lamination method.

共押出法では、フィードブロック、マルチマニホールドダイを使用して離型層210とクッション層220とを同時に押し出すことにより離型フィルム200を製造する。なお、共押出法では、ダイス510を通過した融解物Mは、図9に示されるように、第1ロール530に誘導されると共にタッチロール520によって第1ロール530に固定化され、第1ロール530から脱離するまでの間に第1ロール530により冷却され、離型フィルム200となる。その後、その離型フィルム200は、第2ロール540によりフィルム送り方向(図9の矢印参照)下流側に送られ、最終的に巻取ロール(図示せず)に巻き取られる。なお、このとき、第1ロール530の温度は30〜100℃であるのが好ましく、タッチロール520の温度は30〜100℃であるのが好ましく、第1ロール530に対する第2ロール540の周速比は0.990〜0.998であるのが好ましい。   In the coextrusion method, the release film 200 is manufactured by simultaneously extruding the release layer 210 and the cushion layer 220 using a feed block and a multi-manifold die. In the coextrusion method, the melt M that has passed through the die 510 is guided to the first roll 530 and fixed to the first roll 530 by the touch roll 520 as shown in FIG. The release film 200 is cooled by the first roll 530 until it is detached from the 530. Thereafter, the release film 200 is sent to the downstream side in the film feeding direction (see the arrow in FIG. 9) by the second roll 540 and is finally taken up by a take-up roll (not shown). At this time, the temperature of the first roll 530 is preferably 30 to 100 ° C., the temperature of the touch roll 520 is preferably 30 to 100 ° C., and the peripheral speed of the second roll 540 with respect to the first roll 530. The ratio is preferably from 0.990 to 0.998.

押出しラミネート法では、押出機シリンダーの温度を200〜300℃に設定して離型層210を押出し、その離型層210をクッション層220と合流させることにより離型層210とクッション層220とを積層して離型フィルム200を製造する。なお、押出しラミネート法では、ダイス510を通過した離型層形成樹脂の融解物Mは、図9に示されるように、第1ロール530に誘導されると共にタッチロール520によって第1ロール530に固定化され、第1ロール530から脱離するまでの間に第1ロール530により冷却されて離型層フィルムFとなる。その後、その離型層フィルムFは、第2ロール540によりフィルム送り方向(図9の矢印参照)下流側に送られる。そして、フィルム送り方向下流側に送られた離型層フィルムFに、クッション層形成樹脂の溶融物(図示せず)が合流させられて離型層フィルムFと一体化され、離型フィルム200が製造される。なお、このようにして製造された離型フィルム200は、さらにフィルム送り方向下流側に設けられる巻取ロール(図示せず)に巻き取られる。なお、このときも、第1ロール530の温度は30〜100℃であるのが好ましく、タッチロール520の温度は30〜100℃であるのが好ましく、第1ロール530に対する第2ロール540の周速比は0.990〜0.998であるのが好ましい。   In the extrusion laminating method, the temperature of the extruder cylinder is set to 200 to 300 ° C., the release layer 210 is extruded, and the release layer 210 and the cushion layer 220 are joined together to form the release layer 210 and the cushion layer 220. The release film 200 is manufactured by laminating. In the extrusion laminating method, the release layer forming resin melt M that has passed through the die 510 is guided to the first roll 530 and fixed to the first roll 530 by the touch roll 520 as shown in FIG. Before being released from the first roll 530 and cooled by the first roll 530 to form the release layer film F. Thereafter, the release layer film F is sent downstream by the second roll 540 in the film feeding direction (see the arrow in FIG. 9). And the melt (not shown) of cushion layer formation resin is made to merge with release layer film F sent to the film feed direction downstream side, and it is integrated with release layer film F, and release film 200 is made. Manufactured. In addition, the release film 200 manufactured in this way is further wound up by the winding roll (not shown) provided in the film feed direction downstream side. At this time, the temperature of the first roll 530 is preferably 30 to 100 ° C., the temperature of the touch roll 520 is preferably 30 to 100 ° C., and the circumference of the second roll 540 with respect to the first roll 530 is The speed ratio is preferably 0.990 to 0.998.

なお、必要に応じて、上述のようにして得られた離型フィルム200の離型層210中のTPX樹脂、SPS樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルエステルブロック共重合体の結晶化度を公知の熱処理装置により調節してもかまわない。例えば、テンター装置を使用し乾燥機の中にて離型フィルム200を熱固定する方法や熱処理ロールを使用して50〜220℃近辺で熱処理を行えばよい。   If necessary, the crystallinity of the TPX resin, SPS resin, polybutylene terephthalate resin, and polyetherester block copolymer in the release layer 210 of the release film 200 obtained as described above is publicly known. It may be adjusted by the heat treatment apparatus. For example, the heat treatment may be performed in the vicinity of 50 to 220 ° C. using a method of heat-setting the release film 200 in a dryer using a tenter device or a heat treatment roll.

<変形例>
先の実施の形態では、クッション層220の片側にのみ離型層210が設けられる離型フィルム200が紹介されたが、図10に示されるように、クッション層220の両側に離型層210a,210bが設けられる離型フィルム200Aも本発明の一実施の形態に含まれる。なお、以下、符号210aの離型層を「第1離型層」と称し、符号210bの離型層を「第2離型層」と称する。
<Modification>
In the previous embodiment, the release film 200 in which the release layer 210 is provided only on one side of the cushion layer 220 was introduced. However, as shown in FIG. 10, the release layers 210 a, A release film 200A provided with 210b is also included in one embodiment of the present invention. Hereinafter, the release layer denoted by reference numeral 210a is referred to as a “first release layer”, and the release layer denoted by reference numeral 210b is referred to as a “second release layer”.

第1離型層210aは、先の実施の形態に係る離型層210と同一の構造を有する。その一方、第2離型層210bは、第1離型層210aと同一の構造を有していてもよいし、第1離型層210aと異なる構造を有していてもよい。後者の場合、第2離型層210bとクッション層220と接着力が低下するおそれがあるが、そのような場合には、第2離型層210bとクッション層220との間にアンカー層やプライマー層(接着層)を介在させてもよい。   The first release layer 210a has the same structure as the release layer 210 according to the previous embodiment. On the other hand, the second release layer 210b may have the same structure as the first release layer 210a or may have a different structure from the first release layer 210a. In the latter case, the adhesive force between the second release layer 210b and the cushion layer 220 may be reduced. In such a case, an anchor layer or a primer is interposed between the second release layer 210b and the cushion layer 220. A layer (adhesive layer) may be interposed.

<実施例>
以下、実施例を示して本発明をより詳細に説明する。
<Example>
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

1.離型フィルムの製造
(1)離型層の原料
離型層の原料として、TPX樹脂(三井化学(株)社製のTPX(登録商標)MX002)を用いた。
1. Production of Release Film (1) Release Layer Raw Material TPX resin (TPX (registered trademark) MX002 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) was used as a release layer raw material.

(2)クッション層の原料
クッション層の原料として、エチレン−メタアクリル酸メチル共重合体(メタアクリル酸メチル誘導単位含有量:5重量%)(住友化学(株)製のアクリフト(登録商標)WD106)(以下「EMMA」と称する)を用いた。
(2) Cushion Layer Raw Material As a cushion layer raw material, ethylene-methyl methacrylate copolymer (methyl methacrylate derived unit content: 5% by weight) (Aclift (registered trademark) WD106 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) ) (Hereinafter referred to as “EMMA”).

(3)離型フィルムの作製
共押出法を利用して、クッション層の表裏に同一の離型層を有する離型フィルム(図10参照)を作製した。
(3) Production of Release Film A release film (see FIG. 10) having the same release layer on the front and back sides of the cushion layer was produced using a coextrusion method.

なお、具体的には、マルチマニホールドダイを使用してTPX樹脂、EMMAおよびTPX樹脂 を同時に押し出して離型フィルムを作製した。なお、このときの第1ロール530の温度は30℃であり、タッチロール520の温度は30℃であり、第1ロール530に対する第2ロール540の周速比は0.990であった。   Specifically, a release film was prepared by simultaneously extruding TPX resin, EMMA and TPX resin using a multi-manifold die. In addition, the temperature of the 1st roll 530 at this time was 30 degreeC, the temperature of the touch roll 520 was 30 degreeC, and the peripheral speed ratio of the 2nd roll 540 with respect to the 1st roll 530 was 0.990.

この離型フィルムの離型層の厚みは表裏共に15μmであり、クッション層の厚みは20μmであった。   The thickness of the release layer of this release film was 15 μm on both sides, and the thickness of the cushion layer was 20 μm.

2.離型フィルムの評価
(1)離型フィルムの型追従性および成形品外観の評価
先ず、金型温度120℃の条件下、上述のようにして得られた離型フィルムを、16個の半球状凹部(半径3.5mm)を有する金型に被せ、空気吸引機を用いて700Torrで空気孔から半球状凹部中の空気を排出し、離型フィルムを半球状凹部に沿わせた(図2および図3参照)。そして、その約10秒後の離型フィルムの状態(型追従性)を目視にて確認した。なお、この確認において、離型フィルムが金型の凹部の表面積の80%以上に沿っていればA評価とし、離型フィルムが金型の凹部の表面積の60%以上に沿っていればB評価とし、離型フィルムが金型の凹部の表面積の60%未満にしか沿っていなければC評価とした。なお、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はA評価であった(表1参照)。
2. Evaluation of release film (1) Evaluation of mold followability of mold release film and appearance of molded product First, the release film obtained as described above under the condition of a mold temperature of 120 ° C. was divided into 16 hemispheres. A mold having a recess (radius of 3.5 mm) was put on, and air in the hemispherical recess was discharged from the air hole at 700 Torr using an air suction machine, and the release film was placed along the hemispherical recess (see FIGS. 2 and 2). (See FIG. 3). Then, the state (mold followability) of the release film after about 10 seconds was visually confirmed. In this confirmation, if the release film is along 80% or more of the surface area of the concave portion of the mold, the evaluation is A, and if the release film is along 60% or more of the surface area of the concave portion of the mold, it is evaluated as B. If the release film is only along less than 60% of the surface area of the concave portion of the mold, it was rated as C. In addition, the mold followable | trackability of the release film which concerns on a present Example was A evaluation (refer Table 1).

また、上述の状態で、離型フィルムに覆われた半球状凹部に硬化性シリコーン組成物を注入した後、金型に予備光デバイスを圧接しながら、その硬化性シリコーン組成物を120℃の温度下で5分間、熱硬化させた。そして、「硬化性シリコーン組成物の硬化物が半球状凹部に完全に転写したもの」をA評価とし、「同硬化物が半球状凹部の形状を完全に転写しきれなかったもの」及び「同硬化物に歪や欠損が発生したもの」をB評価とした。なお、本実施例に係る離型フィルムを用いて得られた硬化物(成形品)の外観はA評価であった(表1参照)。   Further, in the above-described state, after injecting the curable silicone composition into the hemispherical recesses covered with the release film, the curable silicone composition is heated to 120 ° C. while pressing the preliminary optical device against the mold. Heat cured under 5 minutes. “A cured product of the curable silicone composition completely transferred to the hemispherical recesses” was evaluated as A, and “the cured product could not completely transfer the shape of the hemispherical recesses” and “the same. “The cured product was distorted or chipped” was evaluated as B. In addition, the external appearance of the hardened | cured material (molded article) obtained using the release film which concerns on a present Example was A evaluation (refer Table 1).

(2)離型フィルムの貯蔵弾性率
離型フィルムの貯蔵弾性率は、「セイコー電子(株)製DMS−210型」粘弾性測定装置を用いて測定された。具体的には、離型フィルムを幅4.0mm、長さ20.0mmに切り出して試験片を作製した後、その試験片をチャックに固定した。そして、その試験片を引っ張りながらその試験片の貯蔵弾性率を測定した。なお、30℃での貯蔵弾性率をXとして、測定結果を以下のようにA判定およびB判定で分類した。
A判定:100.0MPa≦X≦800.0MPa
B判定:X<100.0MPaまたは800.0MPa<X
また、120℃での貯蔵弾性率をYとして、測定結果を以下のようにA判定およびB判定で分類した。
A判定:10.0MPa≦Y≦120.0MPa
B判定:Y<10.0MPaまたは120.0MPa<Y
本実施例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はA判定であり、120℃における貯蔵弾性率はA判定であった(表1参照)。
(2) Storage Elastic Modulus of Release Film The storage elastic modulus of the release film was measured using “DMS-210 type manufactured by Seiko Electronics Co., Ltd.” viscoelasticity measuring device. Specifically, the release film was cut into a width of 4.0 mm and a length of 20.0 mm to prepare a test piece, and then the test piece was fixed to a chuck. And the storage elastic modulus of the test piece was measured while pulling the test piece. In addition, the storage elastic modulus in 30 degreeC was set to X, and the measurement result was classified by A determination and B determination as follows.
A determination: 100.0 MPa ≦ X ≦ 800.0 MPa
B determination: X <100.0 MPa or 800.0 MPa <X
Moreover, the storage elastic modulus in 120 degreeC was set to Y, and the measurement result was classified by A determination and B determination as follows.
A determination: 10.0 MPa ≦ Y ≦ 120.0 MPa
B determination: Y <10.0 MPa or 120.0 MPa <Y
The storage elastic modulus at 30 ° C. of the release film according to this example was A determination, and the storage elastic modulus at 120 ° C. was A determination (see Table 1).

クッション層の原料としてポリプロピレン(住友化学(株)製 ノーブレン FLX80E4)を用いた以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し、実施例1と同様にして離型フィルムの評価を行った。   A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that polypropylene (Noblen FLX80E4 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used as a material for the cushion layer, and the release film was evaluated in the same manner as in Example 1. It was.

評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はB評価であり、成形品外観はA評価であった(表1参照)。また、本実施例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はA判定であり、同離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はA判定であった(表1参照)。   As a result of the evaluation, the mold followability of the release film according to this example was B evaluation, and the appearance of the molded product was A evaluation (see Table 1). Moreover, the storage elastic modulus in 30 degreeC of the release film which concerns on a present Example was A determination, and the storage elastic modulus in 120 degreeC of the release film was A determination (refer Table 1).

クッション層の原料としてポリプロピレン(住友化学(株)製 ノーブレンFLX80E4)70重量部とTPX樹脂(三井化学(株)社製のTPX(登録商標)MX002)30重量部の混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し、実施例1と同様にして離型フィルムの評価を行った。   Except using a mixture of 70 parts by weight of polypropylene (Nobrene FLX80E4 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and 30 parts by weight of TPX resin (TPX (registered trademark) MX002 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) as a material for the cushion layer A release film was prepared in the same manner as in Example 1, and the release film was evaluated in the same manner as in Example 1.

評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はB評価であり、成形品外観はA評価であった(表1参照)。また、本実施例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はA判定であり、同離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はA判定であった(表1参照)。   As a result of the evaluation, the mold followability of the release film according to this example was B evaluation, and the appearance of the molded product was A evaluation (see Table 1). Moreover, the storage elastic modulus in 30 degreeC of the release film which concerns on a present Example was A determination, and the storage elastic modulus in 120 degreeC of the release film was A determination (refer Table 1).

離型層の原料としてSPS樹脂(出光興産(株)社製のザレック(登録商標)S107)を用いた以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し、実施例1と同様にして離型フィルムの評価を行った。   A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that SPS resin (Zarek (registered trademark) S107 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was used as a raw material for the release layer. The release film was evaluated.

評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はA評価であり、成形品外観はA評価であった(表1参照)。また、本実施例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はA判定であり、同離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はA判定であった(表1参照)。   As a result of the evaluation, the mold followability of the release film according to this example was A evaluation, and the appearance of the molded product was A evaluation (see Table 1). Moreover, the storage elastic modulus in 30 degreeC of the release film which concerns on a present Example was A determination, and the storage elastic modulus in 120 degreeC of the release film was A determination (refer Table 1).

離型層の原料としてポリブチレンテレフタレート/ポリテトラメチレングリコールブロック共重合体(ポリブチレンテレフタレート構成単位/ポリテトラメチレングリコール構成単位 90重量部/10重量部)(三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製のノバデュラン(登録商標)5505S)を用いた以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し、実施例1と同様にして離型フィルムの評価を行った。   Polybutylene terephthalate / polytetramethylene glycol block copolymer (polybutylene terephthalate structural unit / polytetramethylene glycol structural unit 90 parts by weight / 10 parts by weight) (Novaduran manufactured by Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd.) A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that (registered trademark) 5505S) was used, and the release film was evaluated in the same manner as in Example 1.

評価の結果、本実施例に係る離型フィルムの型追従性はA評価であり、成形品外観はA評価であった(表1参照)。また、本実施例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はA判定であり、同離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はA判定であった(表1参照)。
(比較例1)
As a result of the evaluation, the mold followability of the release film according to this example was A evaluation, and the appearance of the molded product was A evaluation (see Table 1). Moreover, the storage elastic modulus in 30 degreeC of the release film which concerns on a present Example was A determination, and the storage elastic modulus in 120 degreeC of the release film was A determination (refer Table 1).
(Comparative Example 1)

押出法を利用して、TPX樹脂の単層型離型フィルムを作製した。なお、この単層型離型フィルムの厚みは50μmであった。そして、実施例1と同様にしてこの単層型離型フィルムの評価を行った。   A single-layer release film of TPX resin was produced using an extrusion method. The single-layer release film had a thickness of 50 μm. Then, this single-layer release film was evaluated in the same manner as in Example 1.

評価の結果、本比較例に係る単層型離型フィルムの型追従性はC評価であり、成形品外観もB評価であった(表1参照)。また、本比較例に係る単層型離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はA判定であり、同単層型離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はB判定であった(表1参照)。
(比較例2)
As a result of the evaluation, the mold followability of the single-layer mold release film according to this comparative example was C evaluation, and the appearance of the molded product was also B evaluation (see Table 1). Further, the storage elastic modulus at 30 ° C. of the single-layer release film according to this comparative example was A, and the storage elastic modulus at 120 ° C. of the single-layer release film was B (see Table 1). ).
(Comparative Example 2)

1.離型フィルムの製造
(1)離型層の原料
離型層の原料として、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体(エチレン含有率:41重量%)(以下「ETFE」と称する)を用いた。
1. Production of Release Film (1) Release Layer Raw Material An ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ethylene content: 41% by weight) (hereinafter referred to as “ETFE”) was used as a release layer raw material.

(2)耐熱樹脂層の原料
耐熱樹脂層の原料として、ポリアミド−66(旭化成(株)製のレオナ1700S)(以下「PA−66」と称する)を用いた。
(2) Raw material for heat-resistant resin layer Polyamide-66 (Leona 1700S manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) (hereinafter referred to as “PA-66”) was used as a raw material for the heat-resistant resin layer.

(3)接着層の原料
離型層と耐熱樹脂層とを接着する接着層の原料として、ポリエステル系接着剤(PEs系AD)を用いた。
(3) Adhesive Layer Raw Material A polyester-based adhesive (PEs AD) was used as a raw material for the adhesive layer that bonds the release layer and the heat-resistant resin layer.

(4)離型フィルムの作製
先ず、PA−66を300℃で溶融押出して膜厚30μmのポリアミドフィルムを作製した。次いで、このポリアミドフィルムの片面に、乾燥後の膜厚が1μmとなるようにポリエステル系接着剤を塗布して、ポリアミドフィルムの片面上に接着層を形成した。続いて、この接着層付きポリアミドフィルムを押出ラミネート装置に設置した。その後、離型層の膜厚が15μmとなるようにT型ダイのスリット幅を調整しながらETFEを320℃で溶融押出し、ETFEフィルムを作製した。そして、バックロールを用いてこのETFEフィルムを接着層付きポリアミドフィルムに130℃でラミネートして、離型フィルムを得た。
(4) Production of Release Film First, PA-66 was melt extruded at 300 ° C. to produce a polyamide film having a thickness of 30 μm. Next, a polyester adhesive was applied to one side of the polyamide film so that the film thickness after drying was 1 μm, and an adhesive layer was formed on one side of the polyamide film. Subsequently, this polyamide film with an adhesive layer was placed in an extrusion laminating apparatus. Thereafter, ETFE was melt extruded at 320 ° C. while adjusting the slit width of the T-type die so that the film thickness of the release layer was 15 μm, thereby producing an ETFE film. And this ETFE film was laminated at 130 degreeC on the polyamide film with an adhesive layer using the back roll, and the release film was obtained.

2.離型フィルムの評価
実施例1と同様にして、本比較例に係る離型フィルムの評価を行った。
評価の結果、本比較例に係る離型フィルムの型追従性はC評価であり、成形品外観もB評価であった(表1参照)。また、本比較例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はB判定であり、同離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はB判定であった(表1参照)。
(比較例3)
2. Evaluation of Release Film In the same manner as in Example 1, the release film according to this comparative example was evaluated.
As a result of evaluation, the mold followability of the release film according to this comparative example was C evaluation, and the appearance of the molded product was also B evaluation (see Table 1). Moreover, the storage elastic modulus in 30 degreeC of the release film which concerns on this comparative example was B determination, and the storage elastic modulus in 120 degreeC of the release film was B determination (refer Table 1).
(Comparative Example 3)

1.離型フィルムの製造
(1)離型層の原料
第1離型層の原料として、4−メチル−1−ペンテンとダイアレン168(三菱化学(株)製の炭素数16と18のα−オレフィンの混合物)との共重合体(ダイアレン168の含有量:1.5重量%)(以下「MP共重合体」と称する)を用いた。
1. Production of release film (1) Raw material for release layer As raw material for the first release layer, 4-methyl-1-pentene and dialene 168 (Mitsubishi Chemical Corporation's 16- and 18-carbon α-olefins) And a copolymer (content of diallene 168: 1.5% by weight) (hereinafter referred to as “MP copolymer”).

(2)耐熱樹脂層の原料
耐熱樹脂層の原料として、ポリアミド−66(旭化成(株)製のレオナ1700S)(以下「PA−66」と称する)を用いた。
(2) Raw material for heat-resistant resin layer Polyamide-66 (Leona 1700S manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) (hereinafter referred to as “PA-66”) was used as a raw material for the heat-resistant resin layer.

(3)接着層の原料
離型層と耐熱樹脂層とを接着する接着層の原料として、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)に無水マレイン酸をグラフトしたグラフト共重合体(以下「MA−g−MP共重合体」と称する)を用いた。
(3) Raw Material for Adhesive Layer As a raw material for the adhesive layer that bonds the release layer and the heat-resistant resin layer, a graft copolymer obtained by grafting maleic anhydride onto poly (4-methyl-1-pentene) (hereinafter referred to as “MA-”). g-MP copolymer ").

(4)離型フィルムの作製
共押出法を利用して、耐熱樹脂層の表裏に同一の接着層および離型層を有する離型フィルムを作製した。
(4) Production of release film Using a coextrusion method, a release film having the same adhesive layer and release layer on the front and back of the heat-resistant resin layer was produced.

なお、具体的には、フィードブロック、マルチマニホールドダイを使用してMP共重合体、MA−g−MP共重合体、PA−66、MA−g−MP共重合体およびMP共重合体を同時に押し出して離型フィルムを作製した。   Specifically, MP copolymer, MA-g-MP copolymer, PA-66, MA-g-MP copolymer and MP copolymer are simultaneously mixed using a feed block and a multi-manifold die. A release film was prepared by extrusion.

この離型フィルムの離型層の厚みは表裏共に15μmであり、接着層の厚みは表裏共に5μmであり、クッション層の厚みは25μmであった。   The thickness of the release layer of this release film was 15 μm on both sides, the thickness of the adhesive layer was 5 μm on both sides, and the thickness of the cushion layer was 25 μm.

2.離型フィルムの評価
実施例1と同様にして本比較例に係る離型フィルムの評価を行った。
評価の結果、本比較例に係る離型フィルムの型追従性はC評価であり、成形品外観もB評価であった(表1参照)。また、本比較例に係る離型フィルムの30℃における貯蔵弾性率はB判定であり、同離型フィルムの120℃における貯蔵弾性率はB判定であった(表1参照)。
2. Evaluation of Release Film The release film according to this comparative example was evaluated in the same manner as in Example 1.
As a result of evaluation, the mold followability of the release film according to this comparative example was C evaluation, and the appearance of the molded product was also B evaluation (see Table 1). Moreover, the storage elastic modulus in 30 degreeC of the release film which concerns on this comparative example was B determination, and the storage elastic modulus in 120 degreeC of the release film was B determination (refer Table 1).

100 予備光デバイス
101 光デバイス
110 支持体
120 光半導体(半導体)
130 ボンディングワイヤ
200 離型フィルム
200A 離型フィルム
210 離型層
210a 第1離型層
210b 第2離型層
220 クッション層
300 金型(型)
310 凹部
311 離型凹部
320 空気孔
400 封止樹脂等(封止樹脂または封止樹脂前駆体)
401 固化封止樹脂
510 ダイス
520 タッチロール
530 第1ロール
540 第2ロール
100 Preliminary optical device 101 Optical device 110 Support 120 Optical semiconductor (semiconductor)
130 Bonding wire 200 Release film 200A Release film 210 Release layer 210a First release layer 210b Second release layer 220 Cushion layer 300 Mold (mold)
310 Concave part 311 Release concave part 320 Air hole 400 Sealing resin, etc. (sealing resin or sealing resin precursor)
401 Solidified sealing resin 510 Dice 520 Touch roll 530 First roll 540 Second roll

Claims (6)

ポリオレフィンを主成分とするクッション層と、前記クッション層の少なくとも片側に設けられる離型層とを有する離型フィルムを、型の凹部に沿わせる離型フィルム設置工程と、
前記離型フィルムが沿わせられた前記凹部(以下「離型凹部」という)に封止樹脂または封止樹脂前駆体を注入する封止樹脂等注入工程と、
前記離型凹部内の封止樹脂中または封止樹脂前駆体中に半導体を浸漬する半導体浸漬工程と、
半導体を前記封止樹脂または前記封止樹脂前駆体に浸漬させた状態で、前記封止樹脂または前記封止樹脂前駆体を固化させる封止樹脂等固化工程と
を備える、封止半導体の製造方法。
A release film installation step in which a release film having a cushion layer mainly composed of polyolefin and a release layer provided on at least one side of the cushion layer is disposed along a recess of the mold;
A sealing resin injection step for injecting a sealing resin or a sealing resin precursor into the concave portion (hereinafter referred to as “release concave portion”) along which the release film is placed;
A semiconductor immersion step of immersing a semiconductor in the sealing resin or the sealing resin precursor in the release recess;
A method for producing a sealing semiconductor, comprising: a step of solidifying the sealing resin or the sealing resin precursor in a state where the semiconductor is immersed in the sealing resin or the sealing resin precursor, and the like. .
前記離型フィルムは、120℃における貯蔵弾性率が10.0MPa以上120.0MPa以下である
請求項1に記載の封止半導体の製造方法。
The method for producing a sealed semiconductor according to claim 1, wherein the release film has a storage elastic modulus at 120 ° C. of 10.0 MPa or more and 120.0 MPa or less.
前記離型フィルムは、30℃における貯蔵弾性率が100.0MPa以上800.0MPa以下である
請求項1または2に記載の封止半導体の製造方法。
The method for producing a sealed semiconductor according to claim 1, wherein the release film has a storage elastic modulus at 30 ° C. of 100.0 MPa or more and 800.0 MPa or less.
請求項1から3のいずれか1項に記載の封止半導体の製造方法により得られる、封止半導体。   The sealing semiconductor obtained by the manufacturing method of the sealing semiconductor of any one of Claim 1 to 3. 前記封止半導体は、封止光半導体である
請求項1から3のいずれか1項に記載の封止半導体の製造方法。
The method for manufacturing a sealed semiconductor according to claim 1, wherein the sealed semiconductor is a sealed optical semiconductor.
請求項5に記載の封止半導体の製造方法により得られる、封止光半導体。   A sealed optical semiconductor obtained by the method for producing a sealed semiconductor according to claim 5.
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