JP2013074218A - Imprint method to electronic component - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid damage due to burning of an element formed in an electronic component at the time of imprinting, and to avoid deterioration of a seal in the manufacturing process thereof.SOLUTION: In the imprint method to an electronic component, surface roughening is performed so as to form at least two kinds of rough surface 2x, 2y having different roughness on the rear surface of a piezoelectric wafer W on which electronic components 1 are formed collectively. Subsequently, predetermined information is imprinted, and the roughness of at least two kinds of different rough surface thus formed is identified by binary-coded identification processing.

Description

本発明は、電子部品、例えば、弾性表面波デバイス(以下、SAWデバイスという)、への捺印方法に関する。   The present invention relates to a method for marking electronic components such as surface acoustic wave devices (hereinafter referred to as SAW devices).

電子部品、例えば、SAWデバイスでは、水晶、LiTaO3,LiNbO3等からなる圧電ウエハの主面上に櫛歯状の電極(IDT電極)と配線電極を形成した後、圧電ウエハから個々のSAWデバイスの個片に分割し、該個片をセラミック・パッケージ内に搭載し、金属配線を用いてワイヤーボンディングで素子パッケージを接続したり、あるいは素子配線上にバンプを設けてフリップチップ実装により接続した後、パッケージ内に封止するのが一般的であった。 In the case of an electronic component, for example, a SAW device, comb-shaped electrodes (IDT electrodes) and wiring electrodes are formed on the main surface of a piezoelectric wafer made of quartz, LiTaO 3 , LiNbO 3, etc., and then each SAW device is separated from the piezoelectric wafer. After being divided into individual pieces and mounting the pieces in a ceramic package and connecting the element package by wire bonding using metal wiring, or by providing bumps on the element wiring and connecting by flip chip mounting It was common to seal in a package.

昨今は、さらなる電子部品の小型化、低背化を図るため、ウエハ製造工程で、封止や電極形成までを行うウエハレベル・チップサイズ・パッケージ(略称WL−CSP)が実用化されるようになった。   Nowadays, in order to further reduce the size and height of electronic components, a wafer level chip size package (abbreviated as WL-CSP) that performs sealing and electrode formation in the wafer manufacturing process is put into practical use. became.

一方、電子部品を小型化しても、電子部品のチップ裏面には、品名や、例えばIDT電極の方向性等の表記(マーキング)を依然として表示(捺印)することが必要とされている。こうした状況下で、電子部品の低背化を維持し、かつ、安価に表示を電子部品に形成する技術は数が限られていて、レーザあるいはインク等による従来の表示技術は、小型化した電子部品への適用が困難になりつつあった。   On the other hand, even if the electronic component is downsized, it is still necessary to display (mark) the name of the product and the notation (marking) such as the directionality of the IDT electrode on the back surface of the chip of the electronic component. Under such circumstances, there are a limited number of technologies for maintaining the low profile of electronic components and forming displays on electronic components at low cost, and conventional display technologies using lasers or inks are miniaturized electronic devices. Application to parts was becoming difficult.

電子部品、例えば、SAWデバイス、では、結晶構造の透明な圧電ウエハの主面上に、櫛歯電極等の素子パターンを金属薄膜で形成する。このため、YAG,CO2あるいはグリーンレーザ等のレーザ装置を用いて、ウエハの裏面に、直接、文字、記号等を捺印(マーキング)すると、レーザ光が、透明なウエハを透過し、ウエハの主面に形成した素子、例えば、内部電極を焼いてしまい、損傷を与えるおそれがあった。そのため、圧電ウエハに直接レーザで品番等を捺印をするのは極めて困難であった。 In an electronic component, for example, a SAW device, an element pattern such as a comb-shaped electrode is formed on a main surface of a transparent piezoelectric wafer having a crystal structure with a metal thin film. For this reason, when a laser device such as YAG, CO 2 or a green laser is used to directly mark (mark) characters, symbols, etc. on the back surface of the wafer, the laser beam is transmitted through the transparent wafer, and the main wafer An element formed on the surface, for example, an internal electrode may be burned to cause damage. Therefore, it is very difficult to directly mark the product number on the piezoelectric wafer with a laser.

また、結晶性ウエハは、かりに、短波長のグリーンレーザ、エキシマレーザあるいはフェムト秒レーザを用いても、レーザ光が照射された部位にクラックを生じ、ウエハが破損するから、レーザ光により、直接、ウエハに表示を捺印することが極めて困難であった。   Moreover, even if a short wavelength green laser, excimer laser, or femtosecond laser is used for a crystalline wafer, a crack is generated in a portion irradiated with laser light, and the wafer is damaged. It was extremely difficult to stamp the display on the wafer.

さらに、ウエハ単位で最初の工程からパッケージング工程まで全ての工程を完了するウエハレベル・チップサイズ・パッケージでは、電子部品への捺印方法として、ゴム印によるインクの転写、あるいは全く表示をしない、または、例えば、SAWデバイスの表面波の方向性のみを識別する方法がある。これに関し、表示内容を極力簡略化し、例えば、電子部品の片側のみに方向性マークを表示する等の手段の他、ウエハ裏面に樹脂シートを貼り付けて、このシートに表示(捺印)を行う方法がある。   Furthermore, in the wafer level chip size package that completes all processes from the first process to the packaging process in units of wafers, as a method for marking electronic parts, ink transfer by rubber stamps, or no display at all, or For example, there is a method for identifying only the directionality of the surface wave of the SAW device. In this regard, the display content is simplified as much as possible. For example, in addition to means for displaying a directional mark on only one side of an electronic component, a method of displaying (stamping) a resin sheet on the back surface of the wafer There is.

一方、電子部品では、その小型化、低背化が進み、ウエハレベルで、一貫して、素子形成、封止、端子形成を行うことが多いが、前述した理由により、ウエハに直接マーキングを行うためには、樹脂シートをウエハの裏面に貼り付け、この樹脂部分に捺印するか、または透明でないウエハを用いて捺印するか、あるいはインクをウエハに転写する必要があった。   On the other hand, electronic components are becoming smaller and lower in profile, and in many cases, device formation, sealing, and terminal formation are performed consistently at the wafer level. For the reasons described above, direct marking is performed on the wafer. For this purpose, it is necessary to attach a resin sheet to the back surface of the wafer and stamp the resin portion, or to stamp using a non-transparent wafer, or to transfer the ink to the wafer.

また、インクジェット方式では、インクのドットサイズが大きく(例えば、60μm)であり、小型の電子部品への表示には、この種方式は、ドットサイズが大きすぎて文字の表示には不向きであった。   In addition, in the ink jet method, the ink dot size is large (for example, 60 μm), and this type method is not suitable for displaying characters because the dot size is too large for display on a small electronic component. .

さらに、電子部品、例えば、SAWデバイスでは、一般に、圧電素子の能動面(主面)からウエハの裏面に漏れ伝わる振動が能動素子の裏面で反射し、SAWデバイスの特性を悪化させるため、数μmの微小な突起をもつインクを、微細に塗布しても、表面エネルギーが低く濡れ広がり易いので、インクが印刷面で滲んでしまい、表示した文字の識別が困難になるおそれがあった。   Furthermore, in an electronic component, for example, a SAW device, in general, vibration that leaks from the active surface (main surface) of the piezoelectric element to the back surface of the wafer is reflected on the back surface of the active element and deteriorates the characteristics of the SAW device. Even if the ink having the minute protrusions is finely applied, the surface energy is low and the ink easily spreads out, so that the ink may bleed on the printing surface and the displayed characters may be difficult to identify.

他方、粘度の高いインクをウエハに凸版印刷の手法で転写することも可能であるが、0.3mm角程度の文字サイズが凸版印刷の限界であり、かつ、表示する内容を変更する場合には、そのつど、凸版を交換する必要があった。また、接触式印字法では、インク供給、版摩耗等により印字の品質が安定しない問題があった。   On the other hand, it is possible to transfer high-viscosity ink to a wafer by a letterpress printing technique, but a letter size of about 0.3 mm square is the limit of letterpress printing, and the content to be displayed is changed. Each time, it was necessary to change the letterpress. Further, the contact printing method has a problem that the printing quality is not stable due to ink supply, plate wear, and the like.

また、電子部品の表面(チップ裏面)に刻印し、該刻印を含む該表面にインクを塗布した後、該刻印凹部外に付着したインクの除去を吹き付ける研磨粒子の粒径を刻印の幅より大きくしてブラスト法により行い、鮮明で消滅しない捺印をするようにした方法がある。しかし、この方法では、依然として、レーザー光により刻印をするので、レーザー光がチップを透過してしまい、チップの主面に形成した素子に損傷を与える恐れがあった。   In addition, the surface of the electronic component (the back surface of the chip) is engraved, and after the ink is applied to the surface including the engraving, the particle size of the abrasive particles that spray the removal of the ink adhering to the outside of the engraved recess is larger than the width of the engraving. Then, there is a method in which the blast method is used to make a clear and non-disappearing seal. However, in this method, since the marking is still performed with the laser beam, the laser beam is transmitted through the chip, and there is a possibility that the element formed on the main surface of the chip is damaged.

さらに、前記した従来の捺印(マーキング)方法では、電子部品の製造工程で使用するメッキ工程の酸、フォトレジスト現像液、各種溶剤、熱等により劣化しない捺印(マーキング)が十分担保できなかった。   Furthermore, the above-described conventional marking method cannot sufficiently secure the marking that does not deteriorate due to acid, photoresist developer, various solvents, heat, etc. in the plating process used in the manufacturing process of the electronic component.

また、電子部品の容器の表面に微粒子をサンドブラストにより吹付け、情報表示部分の表面反射率を変えることにより、表示機能をもたせ、例えば2進数化処理をして識別するものもあったが、高価な画像処理装置等が必要であった。   In addition, there is a display function provided by spraying fine particles on the surface of the electronic component container by sandblasting and changing the surface reflectance of the information display part, for example, binarization processing. An image processing apparatus or the like is required.

特開2007−250970号公報JP 2007-250970 A 特開2008−244228号公報JP 2008-244228 A 特開2009−017454号公報JP 2009-017454 A 特開昭61−228991号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-228991 特開2007−97038号公報JP 2007-97038 A

本発明が解決しようとする課題は、捺印の際の電子部品の素子の焼けによる損傷及びその製造工程における捺印の劣化を回避することである。   The problem to be solved by the present invention is to avoid damage caused by burning of elements of electronic components during stamping and deterioration of the stamp in the manufacturing process.

上記した課題を解決するため、本発明は、電子部品を一括して形成するウエハの裏面に2種類の異なる粗さを有する粗面を形成するよう粗面加工を行い所定の情報を捺印し、該形成された2種類の粗面の粗さを2進数化識別処理により識別するようにしたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention performs rough surface processing so as to form a rough surface having two different roughnesses on the back surface of a wafer on which electronic components are collectively formed, and imprints predetermined information. It is characterized in that the roughness of the two types of rough surfaces formed is identified by binary digitization identification processing.

本発明では、前記粗面加工が、サンドブラストにより行われることを特徴とする。   In the present invention, the rough surface processing is performed by sandblasting.

また、本発明では、前記粗面加工が、ジェット・スクラブにより行われることを特徴とする。   In the present invention, the rough surface processing is performed by jet scrubbing.

さらに、本発明では、前記粗面加工が、フォトリソグラフィー技法により行われることを特徴とする。   Furthermore, the present invention is characterized in that the rough surface processing is performed by a photolithography technique.

またさらに、前記粗面加工が、スクリーンマスクを用いて行われることを特徴とする。   Still further, the rough surface processing is performed using a screen mask.

本発明では、前記粗面加工が、メタルマスクを用いて行われることを特徴とする。   In the present invention, the rough surface processing is performed using a metal mask.

本発明では、前記粗面加工が、圧電ウエハの裏面の掘り下げ量を調整して行われることを特徴とする。   In the present invention, the rough surface processing is performed by adjusting an amount of digging down the back surface of the piezoelectric wafer.

本発明では、前記所定の情報が、前記電子部品を識別する文字、記号、模様、方向、管理情報、識別管理情報であることを特徴とする。   In the present invention, the predetermined information is a character, a symbol, a pattern, a direction, management information, and identification management information for identifying the electronic component.

捺印の際の電子部品の素子の焼けによる損傷が回避され、かつ、電子部品の製造工程における捺印の劣化がなくなる。   Damage due to burning of the elements of the electronic component at the time of marking is avoided, and the deterioration of the marking in the manufacturing process of the electronic component is eliminated.

本発明の電子部品への捺印方法を実施する電子部品、例えば、SAWデバイス、の縦断面図を示す。The longitudinal cross-sectional view of the electronic component which implements the marking method to the electronic component of this invention, for example, a SAW device, is shown. 本発明の電子部品への捺印方法をウエハレベルで実施する際の各電子部品の配列等を示す平面図である。It is a top view which shows the arrangement | sequence etc. of each electronic component at the time of implementing the marking method to the electronic component of this invention at a wafer level. 本発明の電子部品への捺印方法の実施例を示し、(a)はウエハ表面にサンドブラストにより2種類の異なった粗さの粗面を形成した実施例の平面図、(b)は、その縦断面図を示す。1 shows an embodiment of a method for marking an electronic component according to the present invention, wherein (a) is a plan view of an embodiment in which two types of rough surfaces are formed on the wafer surface by sandblasting, and (b) is a longitudinal section thereof. A plane view is shown. フォトリソグラフィー技法によりウエハ表面に2種類の異なった粗さの粗面を形成した文字、記号、模様等を捺印する実施例を示し、(a)は、その平面図、(b)は、その縦断面図を、それぞれ示す。An example of marking characters, symbols, patterns, etc., on which two types of rough surfaces are formed on the wafer surface by photolithography technique is shown, (a) is a plan view thereof, and (b) is a longitudinal section thereof. Each side view is shown. 本発明の電子部品の製造工程のフローチャートを示す。The flowchart of the manufacturing process of the electronic component of this invention is shown.

以下、本発明の捺印方法を適用する電子部品及びその電子部品への捺印方法の実施例を添付した図面に基づいて説明する。   Embodiments of an electronic component to which the marking method of the present invention is applied and a method for marking the electronic component will be described below with reference to the accompanying drawings.

電子部品の実施例
図1は、本発明の圧電部品の実施例であるSAWデバイスを示す。
Embodiment of Electronic Component FIG. 1 shows a SAW device which is an embodiment of a piezoelectric component of the present invention.

このSAWデバイス1は、図1に示すように、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等の圧電性基板あるいは基板上に形成した圧電機能を有する圧電基板(ウエハ)2と、この圧電基板2の主面にスバッタリングあるいは蒸着により形成されたアルミ膜からなるIDT電極3と、感光性樹脂フィルムからなり圧電基板2の主面上に積層されたその上端部に開口部を有する外囲壁部4と、この外囲壁部4の上端面に積層される同じく感光性樹脂フィルムからなる天井部5とからなり、積層された外囲壁部4と天井部5と圧電基板2の主面との間にIDT電極3及び配線電極を囲む中空部Cが形成されている。 As shown in FIG. 1, this SAW device 1 includes a piezoelectric substrate (wafer) 2 having a piezoelectric function formed on a piezoelectric substrate such as lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or the like. An IDT electrode 3 made of an aluminum film formed on the main surface of the piezoelectric substrate 2 by sputtering or vapor deposition, and an opening at its upper end made of a photosensitive resin film and laminated on the main surface of the piezoelectric substrate 2 And a ceiling part 5 made of the same photosensitive resin film laminated on the upper end surface of the outer wall part 4, and the laminated outer wall part 4, ceiling part 5 and piezoelectric substrate 2 are laminated. A hollow portion C surrounding the IDT electrode 3 and the wiring electrode is formed between the main surface and the main surface.

さらに、図1に示すように、圧電基板2の、例えば、その四隅には、4本の電極柱(電極ポスト)6が封止樹脂Pに形成された孔(ビアホール)中に電解メッキで形成され、電極柱6の上端部は、圧電基板2の主面に形成された配線電極と、またその他端部は、端子電極7にそれぞれ電気的に接続されている。そして、必要に応じて、これらの貫通電極7の下端部には半田ボール電極10が固着され、それらの周りにフラックスが供給されて、実装基板B(プリント基板)の外部配線電極(図示なし)に半田ボール電極10がそれぞれ接続される。ここで、貫通電極7の下端部に半田ボール電極10を固着させる理由は、貫通電極7間のピッチが、例えば、200μ程度に狭くなると実装基板Pへの接続作業が極めて困難となるので、半導体素子のモジュール化のために、客先でプリント基板に実装作業をする際、予め貫通電極7の下端部に直径が150μ程度の半田ボールを固着させて、半田ボール電極10を構成するようにする。なお、客先で貫通電極7を直接半田ペーストを用いて実装基板Bへ接続できる場合は、半田ボール電極10を固着させなくてもよい。   Further, as shown in FIG. 1, for example, at the four corners of the piezoelectric substrate 2, four electrode columns (electrode posts) 6 are formed by electrolytic plating in holes (via holes) formed in the sealing resin P. The upper end portion of the electrode column 6 is electrically connected to the wiring electrode formed on the main surface of the piezoelectric substrate 2, and the other end portion is electrically connected to the terminal electrode 7. Then, if necessary, solder ball electrodes 10 are fixed to the lower end portions of these through electrodes 7, and flux is supplied around them to external wiring electrodes (not shown) of the mounting board B (printed board). The solder ball electrode 10 is connected to each. Here, the reason why the solder ball electrode 10 is fixed to the lower end portion of the through electrode 7 is that the connection work to the mounting substrate P becomes extremely difficult when the pitch between the through electrodes 7 is reduced to, for example, about 200 μm. In order to modularize the element, when a customer performs a mounting operation on a printed circuit board, a solder ball having a diameter of about 150 μm is fixed to the lower end portion of the through electrode 7 in advance to constitute the solder ball electrode 10. . If the customer can connect the through electrode 7 directly to the mounting substrate B using solder paste, the solder ball electrode 10 need not be fixed.

ここで、櫛歯電極3と配線電極とが圧電素子を構成し、圧電素子として、弾性表面波(SAW)素子のほかに、FBAR、MEMSで製造した素子等に適用可能である。   Here, the comb electrode 3 and the wiring electrode constitute a piezoelectric element, and the piezoelectric element can be applied to an element manufactured by FBAR, MEMS, etc. in addition to a surface acoustic wave (SAW) element.

とくに、本発明の捺印方法が適用される電子部品の実施例である、SAWデバイスでは、図1に示す、ほぼ透明な圧電ウエハ2の裏面2aにサンドブラスト等で粗面加工を施して、文字、記号等(例えば、製品型式、ロット番号、表面波の方向性、製造年月日)が識別できるように、捺印がされている。   In particular, in the SAW device, which is an embodiment of an electronic component to which the marking method of the present invention is applied, the rough surface processing is performed on the back surface 2a of the substantially transparent piezoelectric wafer 2 shown in FIG. Marks are provided so that symbols and the like (for example, product type, lot number, surface wave directionality, date of manufacture) can be identified.

なお、図1に示す圧電ウエハ2の表面(能動面)2b(櫛歯電極、配線電極等の能動素子形成面)に粗面加工をして文字、記号等を捺印することも可能であるが、図1に符号Pで示すように、能動面は、樹脂封止されるので、外部から見えなくなるから、適当ではない。   The surface (active surface) 2b (active element forming surface such as comb-tooth electrode and wiring electrode) of the piezoelectric wafer 2 shown in FIG. 1 can be roughened to mark characters, symbols, etc. As shown by the symbol P in FIG. 1, the active surface is not suitable because it is not sealed from the outside because it is resin-sealed.

電子部品への捺印方法の実施例
本発明の電子部品の捺印方法では、図2に示すような、例えば、100個の圧電部品が形成可能な集合圧電基板(ウエハ)Wを、図5の製造工程のフローチャートに示すように準備し(工程S1)、ウエハWの主面に成膜する(工程S2)。
Example of Method for Stamping Electronic Components In the method for marking electronic components of the present invention, as shown in FIG. 2, for example, a collective piezoelectric substrate (wafer) W on which 100 piezoelectric components can be formed is manufactured as shown in FIG. As shown in the flowchart of the process, preparation is performed (process S1), and a film is formed on the main surface of the wafer W (process S2).

次いで、ウエハの主面に形成した成膜面にパターニングして、櫛歯電極(IDT)、配線・貫通電極等の能動素子を形成する(工程S3)。   Next, patterning is performed on the film formation surface formed on the main surface of the wafer to form active elements such as comb-teeth electrodes (IDT) and wiring / penetrating electrodes (step S3).

そして、ウエハWの裏面2aに2種類の異なった粗さをもつ粗面2x,2y(図3、及び図4参照)を形成するため粗面加工を行い(工程S4)、その後、個片にダイシングソー等により、図2に示すダイシングラインDに沿って分割して(工程5)、個々の圧電部品1を製造する。   Then, rough surface processing is performed to form two types of rough surfaces 2x and 2y (see FIG. 3 and FIG. 4) having different roughnesses on the back surface 2a of the wafer W (step S4), and then into individual pieces. Each piezoelectric component 1 is manufactured by dividing along a dicing line D shown in FIG. 2 with a dicing saw or the like (step 5).

とくに、本発明の電子部品の捺印方法の実施例では、ウエハレベル・チップサイズ・パッケージ(略称WL−CSP)で、圧電ウエハ(集合圧電基板、以下、“ウエハ”という)に多数の電子部品を一括して形成する際、ウエハの裏面2aへの所定の粗面加工(荒らし)を粗面の粗さを異なった2種類の粗面に分けて行い、製造される電子部品の文字、記号、製品の方向性(例えば、表面波の方向性)、模様、管理情報、識別管理情報Dを捺印(マーキング)して、それら捺印の拡大鏡による目視または画像処理装置による2進数化識別処理を行うようにする。   In particular, in an embodiment of the electronic component marking method of the present invention, a wafer level chip size package (abbreviated as WL-CSP) is used to attach a large number of electronic components to a piezoelectric wafer (collective piezoelectric substrate, hereinafter referred to as “wafer”). When forming in a lump, a predetermined rough surface processing (roughening) on the back surface 2a of the wafer is performed by dividing the roughness of the rough surface into two types of rough surfaces. Product directionality (for example, surface wave directionality), pattern, management information, and identification management information D are marked (marked), and these markings are visually checked with a magnifying glass or binary identification processing is performed by an image processing apparatus. Like that.

本発明の電子部品の捺印方法の第1実施例として、図3(a)に示すように、前記所定の粗面加工にサンドブラストを用い、ウエハの表面(電子部品の上面(チップの裏面))に粗さAと粗さBの少なくとも2種類の粗面2x,2y、が形成されるように粗面加工を行う。   As a first embodiment of the electronic component marking method of the present invention, as shown in FIG. 3A, the surface of the wafer (the upper surface of the electronic component (the back surface of the chip)) is obtained by using sandblast for the predetermined rough surface processing. The rough surface processing is performed so that at least two types of rough surfaces 2x and 2y of roughness A and roughness B are formed.

この場合、サンドブラストする粗さAとBとは、粗さA>粗さBあるいは粗さB>粗さAとし、電子部品、例えば、SAWデバイスのSAWの伝播方向(方向性)を判別できるようにする。ここで、サンドブラストする粗面の粗さの調節は、使用する研磨剤(粒子)の番手(例えば、#800〜#1000の範囲から適宜選択する)を2種類以上の番手に適宜変えて行い、ウエハのサンドブラスト面にマスクとなるドライフィルム(例えば、東京応化工業製、オーデイルBF−440)を被せてサンドブラストを行い、ブラスト面と非ブラスト面あるいは粗さの異なるブラスト面との光沢(光学反射率)の差等を、画像処理装置を使用して自動的に2進数化した識別記号(粗さA,B)を識別して当該SAW(表面弾性波)の伝播方向を識別するか、あるいは、拡大鏡等を用いても目視で2進数化した識別記号を識別して当該方向性を識別する。この識別方法は、以下に述べる他の捺印方法にも適用できる。   In this case, the roughness A and B to be sandblasted is such that roughness A> roughness B or roughness B> roughness A, so that the propagation direction (direction) of SAW of an electronic component, for example, a SAW device can be determined. To. Here, the adjustment of the roughness of the rough surface to be sandblasted is performed by appropriately changing the count of the abrasive (particle) to be used (for example, appropriately selected from the range of # 800 to # 1000) to two or more types of counts, A sand blast surface of the wafer is covered with a dry film (for example, Odeil BF-440, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and sand blasting is performed. The gloss (optical reflectivity) between the blast surface and a non-blast surface or a blast surface having a different roughness. ) Or the like, and the identification symbol (roughness A, B) automatically binarized using an image processing device to identify the propagation direction of the SAW (surface acoustic wave), or Even when a magnifying glass or the like is used, the identification symbol binarized visually is identified to identify the directionality. This identification method can also be applied to other marking methods described below.

また、上記したサンドブラストによる粗面加工に代えて、アルミナ粉を加工面に噴射するジェット・スクラブによる粗面加工を用いることができる。   Moreover, it can replace with the rough surface process by the above-mentioned sand blasting, and can use the rough surface process by the jet scrub which inject | emits an alumina powder to a processed surface.

次に、本発明の電子部品の捺印方法の第2実施例として、図4に示すように、前記所定の粗面加工にフォトリソグラフィー技法を用いて、ウエハの裏面2aに文字、記号、模様等の捺印を行う。すなわち、通常のフォトリソグラフィー技法と同じように、図4(a)に示すように、例えば、ウエハの裏面2aにフォトレジストを塗布し、数字A123を打ち抜いたマスクを用いて露光、現像、エッチングを行い、その後、残余のフォトレジストを除去し、ウエハの裏面2aに数字(A123)を顕出させて捺印し、電子部品の識別に用いる。フォトリソグラフィー技法によれば、微小な文字、記号等の捺印が可能となる。   Next, as a second embodiment of the electronic component marking method of the present invention, as shown in FIG. 4, a photolithographic technique is used for the predetermined rough surface processing, and characters, symbols, patterns, etc. are formed on the back surface 2a of the wafer. The seal is performed. That is, as in a normal photolithography technique, as shown in FIG. 4A, for example, a photoresist is applied to the back surface 2a of the wafer, and exposure, development, and etching are performed using a mask in which the numeral A123 is punched out. After that, the remaining photoresist is removed, and a number (A123) is exposed and printed on the back surface 2a of the wafer, which is used for identification of electronic components. According to the photolithography technique, it is possible to mark minute characters and symbols.

また、開口部を有するスクリーンマスクまたはメタルマスクを用いてサンドブラスト等によりウエハの表面の粗面加工を行い、該開口部に相当するウエハの表面に文字、記号、模様等を捺印してもよい。   Alternatively, the surface of the wafer may be roughened by sandblasting using a screen mask or metal mask having an opening, and characters, symbols, patterns, etc. may be imprinted on the surface of the wafer corresponding to the opening.

さらに、ウエハの表面に形成する粗面の掘り込み量を調節して粗面加工を行い、ウエハの表面に文字、記号、模様等を捺印してもよい。   Further, the rough surface processing may be performed by adjusting the digging amount of the rough surface formed on the surface of the wafer, and characters, symbols, patterns, etc. may be stamped on the surface of the wafer.

また、本発明の電子部品への捺印方法では、集合基板であるウエハ上でまとめて個々の電子部品となる部分に捺印するので、図2に示すように、最終形態の電子部品の寸法と配列に合わせて捺印を行い、その後、図5に示すように、各個片の電子部品にダイシングソー等で切り出して、個片化する。   Further, in the method for marking electronic parts according to the present invention, since the parts to be the individual electronic parts are collectively stamped on the wafer as the collective substrate, the dimensions and arrangement of the electronic parts in the final form as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 5, each electronic component is cut out with a dicing saw or the like and separated into individual pieces.

1 電子部品(SAWデバイス)
2 圧電ウエハ
3 櫛歯電極(IDT)
4 配線電極
5 端子電極
6 貫通電極
8 外囲壁
9 天井壁
B 実装基板
C 中空部
D ダイシングライン
P 樹脂封止部
W 圧電ウエハ(集合圧電基板)
1 Electronic components (SAW devices)
2 Piezoelectric wafer 3 Comb electrode (IDT)
4 Wiring electrode 5 Terminal electrode 6 Through electrode 8 Outer wall 9 Ceiling wall B Mounting substrate C Hollow part D Dicing line P Resin sealing part W Piezoelectric wafer (collective piezoelectric substrate)

Claims (8)

電子部品を一括して形成するウエハの裏面に2種類の異なる粗さを有する粗面を形成するよう粗面加工を行い所定の情報を捺印し、該形成された少なくとも2種類の粗面の粗さを2進数化識別処理により識別するようにしたことを特徴とする電子部品への捺印方法。   Electronic parts are collectively formed. Roughening is performed so as to form two types of rough surfaces on the back surface of the wafer, and predetermined information is imprinted, and at least two types of rough surfaces formed are roughened. A method for marking electronic parts, characterized in that identification is performed by binary digitization identification processing. 前記粗面加工が、サンドブラストにより行われることを特徴とする請求項1に記載の電子部品への捺印方法。   The method for marking an electronic component according to claim 1, wherein the rough surface processing is performed by sandblasting. 前記粗面加工が、ジェット・スクラブにより行われることを特徴とする請求項1に記載の電子部品への捺印方法。   The method for marking an electronic component according to claim 1, wherein the rough surface processing is performed by jet scrubbing. 前記粗面加工が、フォトリソグラフィー技法により行われることを特徴とする請求項1に記載の電子部品への捺印方法。   The method for marking an electronic component according to claim 1, wherein the rough surface processing is performed by a photolithography technique. 前記粗面加工が、スクリーンマスクを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の電子部品への捺印方法。   The method for marking an electronic component according to claim 1, wherein the rough surface processing is performed using a screen mask. 前記粗面加工が、メタルマスクを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の電子部品への捺印方法。   The method for marking an electronic component according to claim 1, wherein the rough surface processing is performed using a metal mask. 前記粗面加工が、圧電ウエハの裏面の掘り下げ量を調整して行われることを特徴とする請求項1に記載の電子部品への捺印方法。   The method for marking an electronic component according to claim 1, wherein the rough surface processing is performed by adjusting an amount of digging of the back surface of the piezoelectric wafer. 前記所定の情報が、前記電子部品を識別する文字、記号、模様、方向、管理情報、識別管理情報を表示することを特徴とする請求項1から7に記載の電子部品への捺印方法。   8. The method of marking electronic parts according to claim 1, wherein the predetermined information displays characters, symbols, patterns, directions, management information, and identification management information for identifying the electronic parts.
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WO2021049400A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社村田製作所 Electronic component module and production method for electronic component module

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