JP2013069769A - Method of manufacturing tft substrate and laser annealing apparatus - Google Patents

Method of manufacturing tft substrate and laser annealing apparatus Download PDF

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Shogo Nishizaki
昭吾 西崎
Yoshinori Onishi
芳紀 大西
Yasuaki Murata
康明 村田
Shin Asari
伸 浅利
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a TFT substrate in which a TFT substrate is easily exfoliated from a metal film, and the TFT substrate and a support substrate thereof are made possible to be separated from a dummy substrate and the metal film.SOLUTION: A method of manufacturing a TFT substrate 100 formed by sandwiching a structure 103 including a functional element between a first substrate 101 and a second substrate 102, at least includes a step in which after forming a metal film 105 made of pillar-shaped crystal particles, the first substrate 101, the structure 103, and the second substrate 102 on a dummy substrate 104 in this order, a focal point La of a laser beam L is condensed to the metal film 105, and the dummy substrate 104 and the metal film 105 are separated from the first substrate 101, the structure 103 and the second substrate 102.

Description

本発明は、ＴＦＴ基板の製造方法およびレーザーアニール装置に関するものである。   The present invention relates to a TFT substrate manufacturing method and a laser annealing apparatus.

近年、携帯電話に代表される電子機器の小型・軽量化、多機能化が急速に進展している。それに伴って、搭載されるＴＦＴ基板等の素子基板に対して、機器が屈曲しても物理的に破壊されず、特性も変化しないことが要求されている。こうした屈曲性を実現する方法として、素子基板自体を折り曲げられるように、フレキシブル化する方法が広く適用されつつあり、屈曲性をさらに向上させるための技術開発が進められている。   In recent years, electronic devices typified by mobile phones have been rapidly reduced in size, weight and functionality. Accordingly, it is required that an element substrate such as a TFT substrate to be mounted is not physically broken even when the device is bent and the characteristics are not changed. As a method for realizing such flexibility, a flexible method is being applied so that the element substrate itself can be bent, and technical development for further improving the flexibility is underway.

フレキシブル化されたＴＦＴ基板は、ポリイミド等のフレキシブルな材料からなる基板（フレックス基板）に、所定の機能素子を形成してなる。フレックス基板には、熱が加わった際に大きく変形する性質があり、熱処理等のプロセス処理中に、形状を維持させることが難しい。そのため、フレックス基板を含む被処理体のプロセス処理は、ガラス等の剛性を有する基板（ダミー基板）に、被処理体を固定して行われる。被処理体の固定は、犠牲層（剥離層）を介してダミー基板に接合して行われる。一般に、犠牲層を構成する材料としては、アモルファスシリコン、金属の酸化物、金属の窒化物等の無機材料が用いられる（特許文献１）。   A flexible TFT substrate is formed by forming predetermined functional elements on a substrate (flex substrate) made of a flexible material such as polyimide. The flex substrate has a property of being greatly deformed when heat is applied, and it is difficult to maintain the shape during a process such as heat treatment. Therefore, the process of the object to be processed including the flex substrate is performed by fixing the object to be processed to a rigid substrate (dummy substrate) such as glass. The object to be processed is fixed by being bonded to the dummy substrate via a sacrificial layer (peeling layer). In general, an inorganic material such as amorphous silicon, a metal oxide, or a metal nitride is used as a material constituting the sacrificial layer (Patent Document 1).

特許文献１によれば、被処理体に対するプロセス処理を行って形成されたＴＦＴ基板は、レーザー光を用いることにより、犠牲層から剥離させることができるとされている。この剥離は、犠牲層のＴＦＴ基板側の表面を構成する結晶構造が、レーザー光の熱により変化し、ＴＦＴ基板との密着性を失った状態になることを利用するものである。レーザー光は、ダミー基板側から犠牲層の内部に入射し、犠牲層において、焦点が集光するように制御される。   According to Patent Document 1, a TFT substrate formed by performing a process on an object to be processed can be separated from a sacrificial layer by using laser light. This peeling utilizes the fact that the crystal structure constituting the surface of the sacrificial layer on the TFT substrate side is changed by the heat of the laser beam and loses the adhesion to the TFT substrate. Laser light is incident on the inside of the sacrificial layer from the dummy substrate side, and is controlled so that the focal point is focused on the sacrificial layer.

しかしながら、本発明者が、特許文献１に記載される方法にしたがって実験を行ったところ、ＴＦＴ基板の犠牲層からの剥離は容易でなかった。犠牲層の構成材料として用いられる、アモルファスシリコン、金属の酸化物、金属の窒化物等は、いずれも熱の吸収効率が低いため、ダミー基板側から入射させたレーザー光を十分に吸収しきれていない虞がある。そこで、本発明者は、剥離が容易でない原因として、犠牲層において十分な熱が発生せず、犠牲層とＴＦＴ基板との密着性が弱まり難い点を想定している。   However, when the inventor conducted an experiment according to the method described in Patent Document 1, it was not easy to peel the TFT substrate from the sacrificial layer. Amorphous silicon, metal oxides, metal nitrides, etc. used as the constituent material of the sacrificial layer all have low heat absorption efficiency, so that they can fully absorb the laser light incident from the dummy substrate side. There is no fear. Therefore, the present inventor assumes that the reason why peeling is not easy is that sufficient heat is not generated in the sacrificial layer, and the adhesion between the sacrificial layer and the TFT substrate is difficult to weaken.

ＴＦＴ基板を剥離させるレーザー光としては、主にエキシマレーザー光が用いられており、ランニングコストの高いことが課題とされている。また、エキシマレーザー光は目視できない光であるため、照射する位置の調整が難しいとされている。   As laser light for peeling the TFT substrate, excimer laser light is mainly used, and the problem is that the running cost is high. Further, since excimer laser light is light that cannot be seen, adjustment of the irradiation position is considered difficult.

特表２０１０−５１６０２１号公報Special table 2010-516021

本発明は、以上のような点を考慮してなされたものであり、ＴＦＴ基板を犠牲層から容易に剥離するとともに、ＴＦＴ基板とダミー基板とを分離することを可能とする、ＴＦＴ基板の製造方法を提供することを、第一の目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and is capable of easily peeling the TFT substrate from the sacrificial layer and separating the TFT substrate from the dummy substrate. The primary purpose is to provide a method.

また、本発明は、金属膜にグリーンレーザー光を照射し、グリーンレーザー光の焦点を金属膜上で走査させることが可能な、レーザーアニール装置を提供することを、第二の目的とする。   It is a second object of the present invention to provide a laser annealing apparatus that can irradiate a metal film with green laser light and scan the focus of the green laser light on the metal film.

本発明の請求項１に係るＴＦＴ基板の製造方法は、第一基板と第二基板との間に、機能素子を含む構造体を挟んでなるＴＦＴ基板の製造方法であって、ダミー基板の上に、柱状の結晶粒子からなる金属膜と、前記第一基板と、前記構造体と、前記第二基板とを順に形成した後に、前記金属膜に、レーザー光の焦点を集光させて、前記ダミー基板と前記金属膜とを、前記第一基板と前記構造体と前記第二基板から分離する工程を、少なくとも有することを特徴とする。   A manufacturing method of a TFT substrate according to claim 1 of the present invention is a manufacturing method of a TFT substrate in which a structure including a functional element is sandwiched between a first substrate and a second substrate. In addition, after forming the metal film composed of columnar crystal particles, the first substrate, the structure, and the second substrate in order, the metal film is focused on the laser beam, The method includes at least a step of separating the dummy substrate and the metal film from the first substrate, the structure, and the second substrate.

本発明の請求項２に係るＴＦＴ基板の製造方法は、請求項１において、前記金属膜は、モリブデン元素を含むことを特徴とする。   The TFT substrate manufacturing method according to claim 2 of the present invention is characterized in that, in claim 1, the metal film contains a molybdenum element.

本発明の請求項３に係るＴＦＴ基板の製造方法は、請求項１または２において、前記レーザー光として、グリーンレーザー光を用いることを特徴とする。   A manufacturing method of a TFT substrate according to claim 3 of the present invention is characterized in that, in claim 1 or 2, green laser light is used as the laser light.

本発明の請求項４に係るレーザーアニール装置は、ダミー基板とＴＦＴ基板との間に挟まれた金属膜を加熱して、該金属膜の結晶構造を熱変化させるレーザーアニール装置であって、前記金属膜に向けてグリーンレーザー光を照射する光源と、前記グリーンレーザー光の焦点を、前記金属膜上で走査させる手段と、を少なくとも有することを特徴とする。   A laser annealing apparatus according to claim 4 of the present invention is a laser annealing apparatus for heating a metal film sandwiched between a dummy substrate and a TFT substrate to thermally change the crystal structure of the metal film, It has at least a light source for irradiating a green laser light toward the metal film, and means for scanning the focus of the green laser light on the metal film.

本発明の請求項５に係るレーザーアニール装置は、請求項４において、前記グリーンレーザー光のパワー密度は、前記金属膜において、３６７．６［ｍＪ／ｃｍ２］以上であることを特徴とする。 The laser annealing apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the laser annealing apparatus according to the fourth aspect, wherein the power density of the green laser beam is 367.6 [mJ / cm 2 ] or more in the metal film.

本発明に係るＴＦＴ基板の製造方法によれば、ＴＦＴ基板をダミー基板から剥離させる際の犠牲層（剥離層）として金属膜を用いる。金属膜は、ダミー基板側から金属膜に入射したレーザー光を、効率的に吸収する。そして、レーザー光の吸収により、金属膜から熱が発生するため、金属膜と第一基板との密着性が弱まり、ＴＦＴ基板を金属膜から容易に剥離するとともに、ＴＦＴ基板とダミー基板とを分離することができる。   According to the method for manufacturing a TFT substrate according to the present invention, a metal film is used as a sacrificial layer (peeling layer) when the TFT substrate is peeled from the dummy substrate. The metal film efficiently absorbs laser light incident on the metal film from the dummy substrate side. And since the heat is generated from the metal film due to the absorption of the laser beam, the adhesion between the metal film and the first substrate is weakened, the TFT substrate is easily peeled off from the metal film, and the TFT substrate and the dummy substrate are separated. can do.

本発明に係るレーザーアニール装置の構成によれば、金属膜にグリーンレーザー光を照射し、グリーンレーザー光の焦点を金属膜上で走査させることができる。そして、グリーンレーザー光を、金属膜に走査させるとともに吸収させ、熱を発生させることにより、金属膜のＴＦＴ基板に対する密着性を弱めることができる。また、従来のようにエキシマレーザー光を照射する光源として用いる場合に比べて、ランニングコストを低く抑えることができる。また、グリーンレーザー光は、目視が可能な光であるため、照射する位置の調整が容易となる。   According to the configuration of the laser annealing apparatus according to the present invention, the metal film can be irradiated with green laser light, and the focus of the green laser light can be scanned on the metal film. Then, the green laser light is scanned and absorbed by the metal film, and heat is generated, whereby the adhesion of the metal film to the TFT substrate can be weakened. In addition, the running cost can be reduced compared to the conventional case where the excimer laser light is used as a light source. Further, since the green laser light is light that can be visually observed, adjustment of the irradiation position becomes easy.

第一実施形態に係るＴＦＴ基板の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the TFT substrate which concerns on 1st embodiment. （ａ）〜（ｄ）第一実施形態に係るＴＦＴ基板の製造工程図である。(A)-(d) It is a manufacturing-process figure of the TFT substrate which concerns on 1st embodiment. （ａ）、（ｂ）第一実施形態に係るＴＦＴ基板の製造工程図である。(A), (b) It is a manufacturing-process figure of the TFT substrate which concerns on 1st embodiment. レーザーアニール装置の斜視図である。It is a perspective view of a laser annealing apparatus. レーザー光を成形する光学系の一例について、説明する図である。It is a figure explaining an example of the optical system which shape | molds a laser beam. レーザー光の照射部を拡大した図である。It is the figure which expanded the irradiation part of the laser beam.

以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。   Hereinafter, based on a preferred embodiment, the present invention will be described with reference to the drawings.

＜第一実施形態＞
図１は、第一実施形態に係るＴＦＴ基板１００の構成例を示す図である。ＴＦＴ基板１００は、第一基板１０１と第二基板１０２との間に、機能素子を含む構造体１０３を挟んでなる。 <First embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a TFT substrate 100 according to the first embodiment. The TFT substrate 100 is formed by sandwiching a structure 103 including a functional element between a first substrate 101 and a second substrate 102.

第一基板１０１は、ポリイミド等のフレキシブルな材料により構成された、平板状の基材である。第二基板１０２は、ポリイミド等のフレキシブルな材料により構成された、平板状の基材であってもよいし、ガラスやプラスティック等により構成された、剛性を有する平板状の基材であってもよい。第一基板１０１および第二基板１０２が、いずれもフレキシブルな材料により構成される場合には、製造されるＴＦＴ基板１００を、紙のように柔軟な表示装置とすることができる。機能素子を含む構造体１０３は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としての動作を実現させるものであればよく、その内部構成が限定されることはない。   The first substrate 101 is a flat base material made of a flexible material such as polyimide. The second substrate 102 may be a flat base material made of a flexible material such as polyimide, or may be a rigid flat base material made of glass or plastic. Good. When the first substrate 101 and the second substrate 102 are both made of a flexible material, the manufactured TFT substrate 100 can be a flexible display device such as paper. The structure 103 including a functional element may be any structure that realizes an operation as a thin film transistor (TFT), and an internal structure thereof is not limited.

［ＴＦＴ基板の製造方法］
図２（ａ）〜（ｄ）、３（ａ）、（ｂ）は、第一実施形態に係るＴＦＴ基板の製造工程図である。第一実施形態に係るＴＦＴ基板１００の製造方法について、図２（ａ）〜（ｄ）、３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。 [TFT substrate manufacturing method]
2A to 2D, 3A, and 2B are manufacturing process diagrams of the TFT substrate according to the first embodiment. A method for manufacturing the TFT substrate 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 (a) to (d), 3 (a), and (b).

まず、図２（ａ）に示すように、プロセス処理中の被処理体を支持する、ダミー基板１０４の一方の主面１０４ａに、犠牲層（剥離層）として機能させる金属膜１０５を形成する。ダミー基板１０４は、後の工程にてレーザー光を照射するため、レーザー光に対して比較的透明な、ガラス基板等を用いることが望ましい。   First, as shown in FIG. 2A, a metal film 105 that functions as a sacrificial layer (peeling layer) is formed on one main surface 104a of the dummy substrate 104 that supports the object to be processed. The dummy substrate 104 is preferably a glass substrate that is relatively transparent to the laser light in order to irradiate the laser light in a later process.

金属膜１０５は、柱状の結晶粒子で構成され、厚さは１０〜５００［ｎｍ］である。また、金属膜１０５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）等の元素を少なくとも含む、純金属膜であることが望ましい。なお、図１（ａ）では、ダミー基板の一方の主面１０４ａのうち全域に、金属膜１０５を形成する例を示したが、金属膜１０５を必ずしも全域に形成する必要はなく、剥離する領域に適宜形成すればよい。   The metal film 105 is composed of columnar crystal particles and has a thickness of 10 to 500 [nm]. The metal film 105 is preferably a pure metal film containing at least an element such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), or nickel (Ni). Although FIG. 1A shows an example in which the metal film 105 is formed over the entire area of one main surface 104a of the dummy substrate, the metal film 105 is not necessarily formed over the entire area. May be formed as appropriate.

次に、図２（ｂ）に示すように、金属膜１０５の上に、第一基板１０１を形成する。このとき、第一基板１０１の一方の主面１０１ａが、ダミー基板の一方の主面１０４ａと対向するとともに、第一基板１０１は、金属膜１０５を介してダミー基板１０４と接合された状態となる。   Next, as shown in FIG. 2B, the first substrate 101 is formed on the metal film 105. At this time, one main surface 101a of the first substrate 101 faces one main surface 104a of the dummy substrate, and the first substrate 101 is joined to the dummy substrate 104 via the metal film 105. .

次に、図２（ｃ）に示すように、第一基板の他方の主面１０１ｂに、ＴＦＴ形成用の所定のプロセス処理を行って、機能素子を含む構造体１０３を形成する。   Next, as shown in FIG. 2C, a predetermined process for forming a TFT is performed on the other main surface 101b of the first substrate to form a structure 103 including functional elements.

次に、図２（ｄ）に示すように、構造体１０３の上に、剛性を有する第二基板１０２を形成する。このとき、第二基板１０２の一方の主面１０２ａが、第一基板の他方の主面と対向するとともに、第二基板１０２は、構造体１０３を介して第一基板１０１と接合された状態となる。なお、構造体１０３の上に第二基板１０２を形成しておくことにより、後述の工程において分離されたＴＦＴ基板が、フレキシブル性を有する第一基板１０１とともに反って変形するのを抑えることができる。   Next, as shown in FIG. 2D, a rigid second substrate 102 is formed on the structure 103. At this time, one main surface 102a of the second substrate 102 faces the other main surface of the first substrate, and the second substrate 102 is bonded to the first substrate 101 via the structure 103. Become. Note that by forming the second substrate 102 over the structure 103, the TFT substrate separated in a process described later can be prevented from being warped and deformed together with the flexible first substrate 101. .

次に、図３（ａ）に示すように、ダミー基板１０４側から金属膜１０５に向けてレーザー光Ｌを照射し、金属膜１０５の第一基板１０１側の表面に、レーザー光の焦点Ｌａを集光させて走査する。これにより、図３（ｂ）に示すように、第一基板１０１から金属膜１０５を剥離するとともに、ダミー基板１０４と金属膜１０５とを、第一基板１０１と構造体１０３と第二基板１０２とから分離することができる。そして、分離した第一基板１０１と構造体１０３と第二基板１０２とで構成される、ＴＦＴ基板１００を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 3A, the laser beam L is irradiated from the dummy substrate 104 side toward the metal film 105, and the focus La of the laser beam is set on the surface of the metal film 105 on the first substrate 101 side. Focus and scan. As a result, as shown in FIG. 3B, the metal film 105 is peeled from the first substrate 101, and the dummy substrate 104 and the metal film 105 are replaced with the first substrate 101, the structure 103, and the second substrate 102. Can be separated from Then, the TFT substrate 100 including the separated first substrate 101, structure 103, and second substrate 102 can be obtained.

以上説明したように、第一実施形態に係るＴＦＴ基板１００の製造方法によれば、ＴＦＴ基板１００をダミー基板１０４から剥離させる際の犠牲層（剥離層）として金属膜１０５を用いる。金属膜１０５は、ダミー基板１０４側から金属膜１０５に入射したレーザー光を、効率的に吸収する。そして、レーザー光の吸収により、金属膜１０５から熱が発生するため、金属膜１０５と第一基板１０１との密着性が弱まり、ＴＦＴ基板１００を金属膜１０５から容易に剥離するとともに、ＴＦＴ基板１００とダミー基板１０４とを分離することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the TFT substrate 100 according to the first embodiment, the metal film 105 is used as a sacrificial layer (peeling layer) when the TFT substrate 100 is peeled from the dummy substrate 104. The metal film 105 efficiently absorbs laser light incident on the metal film 105 from the dummy substrate 104 side. Then, heat is generated from the metal film 105 due to the absorption of the laser beam, so that the adhesion between the metal film 105 and the first substrate 101 is weakened, and the TFT substrate 100 is easily peeled off from the metal film 105 and the TFT substrate 100. And the dummy substrate 104 can be separated.

なお、ＴＦＴ基板１００から金属膜１０５を剥離させる工程においては、金属膜１０５に向けて照射するレーザー光として、グリーンレーザー光や、ＹＡＧレーザー等の赤外光を用いることが望ましい。一例として、グリーンレーザー光の照射を実現する光学系について、以下に説明する。   Note that in the step of peeling the metal film 105 from the TFT substrate 100, it is desirable to use infrared light such as green laser light or YAG laser as the laser light with which the metal film 105 is irradiated. As an example, an optical system that realizes irradiation with green laser light will be described below.

［グリーンレーザー光照射装置］
図４は、図３（ａ）、（ｂ）に示した、ＴＦＴ基板１００を金属膜１０５およびダミー基板１０４から分離する工程を実現するために用いる、レーザーアニール装置２００の斜視図である。レーザーアニール装置２００は、被処理体２０２の仕込み／取り出し室２０１と、被処理体２０２に対してレーザーアニール処理を行うアニール室２０３と、グリーンレーザー光発振器２０５と、それらの制御盤（操作盤）２０７とで構成される。被処理体２０２は、図２（ｄ）に示した工程後の状態であって、ＴＦＴ基板１００とダミー基板１０４とが、金属膜１０５を介して接合してなるものとする。アニール室２０３内には、被処理体２０２を支持（固定）するステージ２０４が配されている。 [Green laser light irradiation device]
FIG. 4 is a perspective view of a laser annealing apparatus 200 used for realizing the step of separating the TFT substrate 100 from the metal film 105 and the dummy substrate 104 shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). The laser annealing apparatus 200 includes a preparation / removal chamber 201 for an object to be processed 202, an annealing chamber 203 for performing laser annealing on the object to be processed 202, a green laser light oscillator 205, and a control panel (operation panel) thereof. 207. The target object 202 is in the state after the process shown in FIG. 2D, and the TFT substrate 100 and the dummy substrate 104 are joined via the metal film 105. A stage 204 that supports (fixes) the workpiece 202 is disposed in the annealing chamber 203.

アニール室２０３は、被処理体２０２の搬送路（不図示）を介して、仕込み／取り出し室２０１と接続されている。また、アニール室２０３は、グリーンレーザー光Ｌの導光路２０６を介して、グリーンレーザー光発振器２０５と接続されている。導光路（光学系）２０６は、グリーンレーザー光Ｌを所望の形状となるように成形しつつ、グリーンレーザー光発振器２０５内に配された光源（不図示）から、アニール室２０３内に配された被処理体２０２へ導く機能を備えている。制御盤（操作盤）２０７は、仕込み／取り出し室２０１、アニール室２０３、グリーンレーザー光発信器２０５のそれぞれと電気的に接続されている。   The annealing chamber 203 is connected to the preparation / removal chamber 201 via a conveyance path (not shown) of the workpiece 202. The annealing chamber 203 is connected to the green laser light oscillator 205 via the light guide path 206 for the green laser light L. The light guide path (optical system) 206 is disposed in the annealing chamber 203 from a light source (not shown) disposed in the green laser light oscillator 205 while forming the green laser light L into a desired shape. A function of guiding the workpiece 202 is provided. The control panel (operation panel) 207 is electrically connected to each of the preparation / removal chamber 201, the annealing chamber 203, and the green laser light transmitter 205.

図５は、図４に示した導光路（光学系）２０６の構成例について、説明する図である。導光路２０６は、レーザー光の反射用ミラー２０９、誘導用レンズ２１０、成形用レンズ２１１を備えている。グリーンレーザー光Ｌは、反射用ミラー２０９および誘導用レンズ２１０によって構成される導光路２０６を経由して、被処理体２０２に到達する。また、グリーンレーザー光Ｌは、導光路２０６を経由する間に、成形用レンズ２１１によって、所望の形状となるように成形される。   FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of the light guide (optical system) 206 illustrated in FIG. The light guide path 206 includes a laser beam reflecting mirror 209, a guiding lens 210, and a molding lens 211. The green laser light L reaches the workpiece 202 via the light guide path 206 constituted by the reflecting mirror 209 and the guiding lens 210. Further, the green laser light L is shaped to have a desired shape by the shaping lens 211 while passing through the light guide path 206.

図６は、図４に示した被処理体２０２における、グリーンレーザー光Ｌの照射部を拡大し、ダミー基板１０４、金属膜１０５のみを模式的に示した図である。被処理体２０２に照射されたグリーンレーザー光Ｌは、ダミー基板１０４を透過して、金属膜１０５内に入射し、金属膜１０５において、焦点が集光されるように制御される。グリーンレーザー光Ｌが照射された領域１０５ａにおいては、金属膜１０５の改質し、グリーンレーザー光Ｌが照射されていない領域１０５ｂに比べて、金属膜１０５とＴＦＴ基板１００との密着性が弱まることになる。   FIG. 6 is a diagram schematically showing only the dummy substrate 104 and the metal film 105 by magnifying the irradiated portion of the green laser light L in the workpiece 202 shown in FIG. The green laser light L irradiated to the object 202 is transmitted through the dummy substrate 104 and is incident on the metal film 105, and is controlled so that the focal point is focused on the metal film 105. In the region 105a irradiated with the green laser light L, the metal film 105 is modified, and the adhesion between the metal film 105 and the TFT substrate 100 is weaker than that in the region 105b not irradiated with the green laser light L. become.

図６においては、Ｙ方向の広がりＬｂを有する線状（帯状）のグリーンレーザー光Ｌを、Ｘ方向に走査する例を示しているが、グリーンレーザー光Ｌの形状および走査方法は、この例に限定されない。すなわち、例えば、点状のグリーンレーザー光ＬをＸ方向およびＹ方向に走査させてもよいし、Ｘ方向に広がりをもった線状（または帯状）のグリーンレーザー光Ｌを、Ｙ方向に走査させてもよい。   FIG. 6 shows an example in which a linear (band-like) green laser beam L having a spread Lb in the Y direction is scanned in the X direction. The shape and scanning method of the green laser beam L are shown in this example. It is not limited. That is, for example, the dot-shaped green laser light L may be scanned in the X direction and the Y direction, or the linear (or strip-shaped) green laser light L having a spread in the X direction is scanned in the Y direction. May be.

金属膜１０５に対するグリーンレーザー光Ｌの照射位置の移動は、グリーンレーザー光Ｌを走査させて行ってもよいが、ステージ２０４をグリーンレーザー光Ｌと相対的に移動させて行ってもよい。   The movement of the irradiation position of the green laser light L with respect to the metal film 105 may be performed by scanning the green laser light L, but may be performed by moving the stage 204 relative to the green laser light L.

グリーンレーザー光Ｌは、金属膜１０５において、所望のパワー密度となるように調整される。表１は、ＴＦＴ基板を金属膜１０５から剥離させるのに必要な、グリーンレーザー光のパワー密度を調べる実験を行い、その結果をまとめたものである。表１の左欄の数値は、金属膜１０５における、グリーンレーザー光Ｌのパワー密度を示し、各パワー密度で照射された場合における、ＴＦＴ基板と金属膜１０５との剥離の可否を、表１の右欄に示している。   The green laser light L is adjusted in the metal film 105 so as to have a desired power density. Table 1 summarizes the results of experiments conducted to examine the power density of green laser light necessary for peeling the TFT substrate from the metal film 105. The numerical values in the left column of Table 1 indicate the power density of the green laser light L in the metal film 105. Whether or not the TFT substrate and the metal film 105 can be peeled when irradiated at each power density is shown in Table 1. Shown in the right column.

表１に示す実験結果によれば、金属膜１０５において、パワー密度が３６７．６［ｍＪ／ｃｍ２］以上である場合に、ＴＦＴ基板を金属膜１０５から剥離することが可能となる。なお、金属膜１０５において、パワー密度がこの範囲に保たれるならば、グリーンレーザー光Ｌは、金属膜１０５に対して、垂直に照射されなくてもよい。 According to the experimental results shown in Table 1, when the power density of the metal film 105 is 367.6 [mJ / cm 2 ] or more, the TFT substrate can be peeled from the metal film 105. If the power density is maintained in this range in the metal film 105, the green laser light L may not be irradiated perpendicularly to the metal film 105.

Figure 2013069769
Figure 2013069769

上述したレーザーアニール装置２００の構成によれば、金属膜１０５にグリーンレーザー光Ｌを照射し、グリーンレーザー光の焦点Ｌａを金属膜１０５上で走査させることができる。そして、グリーンレーザー光の焦点Ｌａを、金属膜１０５において走査させることにより、金属膜１０５のＴＦＴ基板に対する密着性を弱めることができる。また、従来のようにエキシマレーザー光を照射する光源を用いる場合に比べて、ランニングコストを低く抑えることができる。また、グリーンレーザー光Ｌは、目視が可能な光であるため、照射する位置の調整が容易となる。   According to the configuration of the laser annealing apparatus 200 described above, the metal film 105 can be irradiated with the green laser light L, and the focus La of the green laser light can be scanned on the metal film 105. Then, the focus La of the green laser light is scanned in the metal film 105, whereby the adhesion of the metal film 105 to the TFT substrate can be weakened. In addition, the running cost can be reduced as compared with the conventional case where a light source that irradiates excimer laser light is used. In addition, since the green laser light L is light that can be visually observed, the irradiation position can be easily adjusted.

本発明は、フレキシブルディスプレイパネルを製造する場合に対し、広く適用することが出来る。   The present invention can be widely applied to the case of manufacturing a flexible display panel.

１０１・・・第一基板、１０２・・・第二基板、１０３・・・構造体、
１０４・・・ダミー基板、１０５・・・金属膜、２００・・・レーザーアニール装置、
２０８・・・光源、Ｌ・・・レーザー光、Ｌａ・・・焦点。 101 ... first substrate, 102 ... second substrate, 103 ... structure,
104 ... dummy substrate, 105 ... metal film, 200 ... laser annealing device,
208: Light source, L: Laser light, La: Focus.

Claims (5)

第一基板と第二基板との間に、機能素子を含む構造体を挟んでなるＴＦＴ基板の製造方法であって、
ダミー基板の上に、柱状の結晶粒子からなる金属膜と、前記第一基板と、前記構造体と、前記第二基板とを順に形成した後に、
前記金属膜に、レーザー光の焦点を集光させて、前記ダミー基板と前記金属膜とを、前記第一基板と前記構造体と前記第二基板から分離する工程を、少なくとも有することを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。 A TFT substrate manufacturing method comprising a structure including a functional element between a first substrate and a second substrate,
On the dummy substrate, after sequentially forming the metal film made of columnar crystal particles, the first substrate, the structure, and the second substrate,
At least a step of condensing the focus of laser light on the metal film to separate the dummy substrate and the metal film from the first substrate, the structure, and the second substrate, A manufacturing method of a TFT substrate. 前記金属膜は、モリブデン元素を含むことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。   The method for manufacturing a TFT substrate according to claim 1, wherein the metal film contains a molybdenum element. 前記レーザー光として、グリーンレーザー光を用いることを特徴とする請求項１または２に記載のＴＦＴ基板の製造方法。   The method for manufacturing a TFT substrate according to claim 1, wherein green laser light is used as the laser light. ダミー基板とＴＦＴ基板との間に挟まれた金属膜を加熱して、該金属膜の結晶構造を熱変化させるレーザーアニール装置であって、
前記金属膜に向けてグリーンレーザー光を照射する光源と、
前記グリーンレーザー光の焦点を、前記金属膜上で走査させる手段と、を少なくとも有することを特徴とするレーザーアニール装置。 A laser annealing apparatus that heats a metal film sandwiched between a dummy substrate and a TFT substrate to thermally change the crystal structure of the metal film,
A light source that emits green laser light toward the metal film;
And a means for scanning the focus of the green laser light on the metal film. 前記グリーンレーザー光のパワー密度は、前記金属膜において、３６７．６［ｍＪ／ｃｍ２］以上であることを特徴とする請求項４に記載のレーザーアニール装置。 5. The laser annealing apparatus according to claim 4, wherein a power density of the green laser light is 367.6 [mJ / cm 2 ] or more in the metal film.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104091535A (en) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 Flexible display panel motherboard and manufacturing method of flexible display panel
CN104175653A (en) * 2013-05-28 2014-12-03 三星显示有限公司 Glass laminate, display element and display apparatus
JP2016115930A (en) * 2014-12-11 2016-06-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Manufacturing method of electronic element, manufacturing method of flexible substrate, lamination substrate and electronic element
JP2017183717A (en) * 2016-03-24 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and manufacturing method for the same, and peeling device
JPWO2018065861A1 (en) * 2016-10-07 2019-07-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Method of cleaning glass substrate, method of manufacturing semiconductor device, and glass substrate
WO2019178744A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 深圳市柔宇科技有限公司 Flexible cover plate, flexible component, and electronic device
JP2021103782A (en) * 2016-04-12 2021-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of semiconductor device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229548A (en) * 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Vehicle, display device and method for manufacturing semiconductor device
JP2006121059A (en) * 2004-09-24 2006-05-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2007115869A (en) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujitsu Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2007258234A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Nara Institute Of Science & Technology Semiconductor element, manufacturing method thereof thin film transistor, and laser annealing device
US20070257311A1 (en) * 2004-09-24 2007-11-08 Semiconductor Energy Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same
JP2008177182A (en) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp Process for fabricating thin film device
JP2008211191A (en) * 2007-02-02 2008-09-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
JP2009231533A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Seiko Epson Corp Peeling method, peeling apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229548A (en) * 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Vehicle, display device and method for manufacturing semiconductor device
JP2006121059A (en) * 2004-09-24 2006-05-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20070257311A1 (en) * 2004-09-24 2007-11-08 Semiconductor Energy Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same
JP2007115869A (en) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujitsu Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2007258234A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Nara Institute Of Science & Technology Semiconductor element, manufacturing method thereof thin film transistor, and laser annealing device
JP2008177182A (en) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp Process for fabricating thin film device
JP2008211191A (en) * 2007-02-02 2008-09-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
US20090004772A1 (en) * 2007-02-02 2009-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2009231533A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Seiko Epson Corp Peeling method, peeling apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104175653A (en) * 2013-05-28 2014-12-03 三星显示有限公司 Glass laminate, display element and display apparatus
CN104091535A (en) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 Flexible display panel motherboard and manufacturing method of flexible display panel
WO2016000418A1 (en) * 2014-06-30 2016-01-07 京东方科技集团股份有限公司 Flexible display panel motherboard and manufacturing method for flexible display panel
CN104091535B (en) * 2014-06-30 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 The preparation method of a kind of flexible display panels motherboard and flexible display panels
US9570692B2 (en) 2014-06-30 2017-02-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Motherboard of flexible display panel and method for manufacturing flexible display panel
JP2016115930A (en) * 2014-12-11 2016-06-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Manufacturing method of electronic element, manufacturing method of flexible substrate, lamination substrate and electronic element
JP2017183717A (en) * 2016-03-24 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and manufacturing method for the same, and peeling device
US11107846B2 (en) 2016-03-24 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
JP2021103782A (en) * 2016-04-12 2021-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of semiconductor device
US11574937B2 (en) 2016-04-12 2023-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
JPWO2018065861A1 (en) * 2016-10-07 2019-07-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Method of cleaning glass substrate, method of manufacturing semiconductor device, and glass substrate
JP7143210B2 (en) 2016-10-07 2022-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of semiconductor device
US11637009B2 (en) 2016-10-07 2023-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cleaning method of glass substrate, manufacturing method of semiconductor device, and glass substrate
WO2019178744A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 深圳市柔宇科技有限公司 Flexible cover plate, flexible component, and electronic device

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