JP2013062500A - Reflection substrate for led light-emitting element and led package - Google Patents

Reflection substrate for led light-emitting element and led package Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection substrate for an LED light-emitting element, excellent in both specular reflectance and diffuse reflectance and capable of achieving high luminous efficiency, and to provide an LED package.SOLUTION: The reflection substrate for an LED light-emitting element has a surface for mounting an LED light-emitting element. Within the surface, a surface at least other than a portion where the LED light-emitting element is mounted has an arithmetic mean roughness Ra of 0.50 to 1.00 μm and an average interval Psm of irregularity of 10 to 20 μm.

Description

本発明は、発光ダイオード(以下、「LED」という。)パッケージに用いられるLED発光素子用反射基板に関するものである。   The present invention relates to a reflective substrate for an LED light emitting element used in a light emitting diode (hereinafter referred to as “LED”) package.

一般的に、LEDは、蛍光灯と比較して、電力使用量が1/100、寿命が40倍(40000時間)と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でLEDが採用される重要な要素となっている。
特に白色LEDは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色LED(30〜150Lm/W)も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯(20〜110Lm/W)を逆転している。
これにより、蛍光灯に代わり白色LEDの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色LEDが採用されるケースも増えつつある。
In general, LEDs are said to have a power consumption of 1/100 and a lifespan of 40 times (40000 hours) compared to fluorescent lamps. Such a feature of power saving and long life is an important factor in adopting LEDs in an environment-oriented flow.
In particular, white LEDs are excellent in color rendering properties and have a merit that a power supply circuit is simpler than fluorescent lamps, and therefore, expectations for light sources for illumination are increasing.
In recent years, white LEDs (30 to 150 Lm / W) with high luminous efficiency, which are required as a light source for illumination, have appeared one after another, and the fluorescent lamp (20 to 110 Lm / W) has been reversed in terms of light use efficiency in practical use. doing.
As a result, the flow of practical use of white LEDs instead of fluorescent lamps has increased rapidly, and the number of cases in which white LEDs are employed as backlights or illumination light sources for liquid crystal display devices is increasing.

このような白色LEDに使用できる基板として、特許文献1には、「少なくとも、絶縁層と、該絶縁層と接して設けられる金属層とを有する光反射基板において、320nm超〜700nm波長光の全反射率が50%以上であって、且つ、300nm〜320nm波長光の全反射率が60%以上であることを特徴とする、光反射基板。」が記載されており([請求項1][請求項12])、光反射基板の表面が平均波長0.01〜100μmの凹凸である態様も記載されている([請求項2])。   As a substrate that can be used for such a white LED, Patent Document 1 discloses that “at least a light reflecting substrate having an insulating layer and a metal layer provided in contact with the insulating layer has a wavelength of more than 320 nm to 700 nm. The light reflecting substrate is characterized in that the reflectance is 50% or more and the total reflectance of light having a wavelength of 300 nm to 320 nm is 60% or more. (Claim 12]), an embodiment is also described in which the surface of the light reflecting substrate is uneven with an average wavelength of 0.01 to 100 μm ([Claim 2]).

また、特許文献2には、「アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、前記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が20原子%以下であり、前記アルミニウム基板の表面が、平均波長5〜100μmの大波構造および/または平均開口径0.7〜5μmの中波構造の形状を有する絶縁基板。」が記載されている([請求項1][請求項3])。   Patent Document 2 states that “an insulating substrate having an aluminum substrate and an insulating layer provided on the surface of the aluminum substrate, wherein the insulating layer is an anodized film of aluminum and constitutes the insulating layer. Among elements, the content of elements other than aluminum and oxygen is 20 atomic% or less, and the surface of the aluminum substrate has a large wave structure with an average wavelength of 5 to 100 μm and / or a medium wave with an average opening diameter of 0.7 to 5 μm. An insulating substrate having a structure shape ”is described ([claim 1] [claim 3]).

国際公開第2010/150810号International Publication No. 2010/150810 特開2011−132590号公報JP 2011-132590 A

本発明者は、特許文献1および2に記載された基板について検討を行った結果、基板の表面形状によっては、高い正反射率は維持するものの、拡散反射率が低下する場合があることを明らかとし、発光効率の改善に余地があることを明らかとした。   As a result of studying the substrates described in Patent Documents 1 and 2, the present inventor clearly shows that, depending on the surface shape of the substrate, although the high regular reflectance is maintained, the diffuse reflectance may decrease. It was clarified that there is room for improvement in luminous efficiency.

そこで、本発明は、正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができるLED発光素子用反射基板およびLEDパッケージを提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a reflective substrate for an LED light emitting element and an LED package that are excellent in both regular reflectance and diffuse reflectance and can achieve high luminous efficiency.

本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、算術平均粗さRaおよび凹凸の平均間隔Psmが特定の範囲内となる表面を有する反射基板を用いることにより、正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(5)を提供する。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventor of the present invention uses a reflective substrate having a surface in which the arithmetic average roughness Ra and the average interval Psm of the unevenness are within a specific range. The present invention was completed by finding out that it was excellent in any of the rates and that high luminous efficiency could be achieved.
That is, the present invention provides the following (1) to (5).

(1) LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、
表面のうち、少なくともLED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。
(1) A LED light emitting element reflective substrate having a surface on which the LED light emitting element is mounted,
Among the surfaces, at least the surface other than the portion where the LED light emitting element is mounted has an arithmetic average roughness Ra of 0.50 to 1.00 μm, and an average unevenness interval Psm of 10 to 20 μm. Reflective substrate.

(2) 表面が、金属基板上に設けられる反射層の表面であり、
反射層が、平均粒子径が0.1〜5μmの無機粒子を用いて形成される(1)に記載のLED発光素子用反射基板。
(2) The surface is the surface of the reflective layer provided on the metal substrate,
The reflective substrate for an LED light-emitting element according to (1), wherein the reflective layer is formed using inorganic particles having an average particle diameter of 0.1 to 5 μm.

(3) 反射層が、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成される(2)に記載のLED発光素子用反射基板。   (3) The LED light-emitting element according to (2), wherein the reflective layer is further formed using at least one inorganic binder selected from the group consisting of aluminum phosphate, sodium silicate, and aluminum chloride. Reflective substrate.

(4) 反射層が、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成される(2)に記載のLED発光素子用反射基板。   (4) The reflective layer is further formed using at least one thermosetting resin selected from the group consisting of epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, and silicon resin ( The reflective substrate for LED light emitting elements as described in 2).

(5) (1)〜(4)のいずれかに記載のLED発光素子用反射基板と、表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージ。   (5) An LED package having the reflective substrate for an LED light-emitting element according to any one of (1) to (4) and an LED light-emitting element mounted on the surface.

以下に説明するように、本発明によれば、正反射率および拡散反射率のいずれにも優れ、高い発光効率を達成することができるLED発光素子用反射基板およびLEDパッケージを提供することができる。
また、本発明のLEDパッケージは、拡散反射率が高いことから、蛍光灯代替LED灯具に好適に用いることができるため有用である。
As will be described below, according to the present invention, it is possible to provide a reflective substrate for an LED light emitting element and an LED package which are excellent in both regular reflectance and diffuse reflectance and can achieve high luminous efficiency. .
Moreover, since the LED package of this invention has a high diffuse reflectance, it can be used suitably for a fluorescent lamp alternative LED lamp, and is useful.

図1(A)および(B)は、本発明のLED発光素子用反射基板の好適な実施態様の例を示した模式的な断面図である。1A and 1B are schematic cross-sectional views showing examples of preferred embodiments of the reflective substrate for an LED light emitting device of the present invention. 図2は、本発明のLED発光素子用反射基板の他の好適な実施態様の例を示した模式的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of another preferred embodiment of the reflective substrate for an LED light emitting device of the present invention. 図3は、本発明のLEDパッケージの好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a preferred embodiment of the LED package of the present invention.

[LED発光素子用反射基板]
本発明のLED発光素子用反射基板(以下、単に「本発明の反射基板」という。)は、LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、上記表面のうち、少なくとも上記LED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRa(以下、単に「Ra」ともいう。)が0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psm(以下、単に「Psm」ともいう。)が10〜20μmである反射基板である。
ここで、「LED発光素子を実装する表面」とは、LED発光素子が実装される部分の表面(以下、「表面(実装領域)」ともいう。)およびLED発光素子が実装される部分以外の表面(以下、「表面(非実装領域)」ともいう。)を含む表面である。
また、「Ra」および「Psm」は、それぞれ、JIS B0601:2001に記載された表面性状パラメータのことをいい、本発明においては、いずれも触針式の表面粗さ計(例えば、SURFCOM480A、ACCRETECH(東京精密)社製)を用いて測定することができる。
[Reflective substrate for LED light emitting element]
The reflective substrate for an LED light-emitting element of the present invention (hereinafter simply referred to as “the reflective substrate of the present invention”) is a reflective substrate for an LED light-emitting element having a surface on which the LED light-emitting element is mounted. The surface other than the portion on which the LED light emitting element is mounted has an arithmetic average roughness Ra (hereinafter also simply referred to as “Ra”) of 0.50 to 1.00 μm, and an average interval Psm (hereinafter referred to as unevenness). , Simply referred to as “Psm”) is a reflective substrate having a thickness of 10 to 20 μm.
Here, the “surface on which the LED light emitting element is mounted” means the surface of the part where the LED light emitting element is mounted (hereinafter also referred to as “surface (mounting region)”) and the part other than the part where the LED light emitting element is mounted. A surface including a surface (hereinafter also referred to as “surface (non-mounting region)”).
“Ra” and “Psm” refer to surface property parameters described in JIS B0601: 2001, respectively. In the present invention, both are stylus type surface roughness meters (for example, SURFCOM 480A, ACCRETECH). (Manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.).

〔表面形状〕
本発明においては、上記表面(非実装領域)のRaは0.50〜1.00μmであり、0.65〜0.90μmであるのが好ましい。
上記表面(非実装領域)のRaがこの範囲であると、正反射率および拡散反射率が良好となる。
[Surface shape]
In the present invention, Ra of the surface (non-mounting region) is 0.50 to 1.00 μm, preferably 0.65 to 0.90 μm.
When the Ra of the surface (non-mounting region) is within this range, the regular reflectance and the diffuse reflectance are good.

また、本発明においては、上記表面(非実装領域)のPsmは10〜20μmであり、10〜15μmであるのが好ましい。
上記表面(非実装領域)のPsmがこの範囲であると、拡散反射率がより良好となり、拡散反射率と正反射率との比率(拡散反射率/正反射率)が95%より大きくなる。
Moreover, in this invention, Psm of the said surface (non-mounting area | region) is 10-20 micrometers, and it is preferable that it is 10-15 micrometers.
When the Psm of the surface (non-mounting region) is within this range, the diffuse reflectance is better, and the ratio of diffuse reflectance to regular reflectance (diffuse reflectance / regular reflectance) is greater than 95%.

なお、正反射率および拡散反射率が更に良好となる理由から、上記表面(実装領域)やLED発光素子を囲繞するように接合された枠体(例えば、特開2004−207678号公報の符号2参照。)の表面(以下、「枠体表面」ともいう。)のRaおよびPsmについても、上述した各数値範囲であるのが好ましい。   For the reason that the regular reflectance and the diffuse reflectance are further improved, a frame body joined so as to surround the surface (mounting region) and the LED light emitting element (for example, reference numeral 2 in JP 2004-207678 A). Also, Ra and Psm on the surface (hereinafter also referred to as “frame surface”) are preferably in the numerical ranges described above.

〔第1態様〕
本発明においては、図1に示すように、本発明の反射基板1における表面(非実装領域)および表面(実装領域)は、金属基板2上に設けられる反射層3の表面で構成されていてもよい。
なお、図1中、符号4は後述する無機粒子を示し、符号5は後述する無機系結着剤を示し、符号6は後述する熱硬化性樹脂を示す。
[First embodiment]
In the present invention, as shown in FIG. 1, the surface (non-mounting region) and the surface (mounting region) of the reflective substrate 1 of the present invention are constituted by the surface of the reflective layer 3 provided on the metal substrate 2. Also good.
In FIG. 1, reference numeral 4 indicates inorganic particles described later, reference numeral 5 indicates an inorganic binder described later, and reference numeral 6 indicates a thermosetting resin described later.

<金属基板>
上記金属基板の素材である金属は特に限定されず、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
上記金属基板は、加工性および強度にも優れる理由から、以下に詳述するアルミニウム基板であるのが好ましい。
<Metal substrate>
The metal that is the material of the metal substrate is not particularly limited, and specific examples thereof include aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth, antimony, and the like.
The metal substrate is preferably an aluminum substrate, which will be described in detail below, because it is excellent in workability and strength.

(アルミニウム基板)
上記アルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、10質量%以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法(例えば、鋳造方法等)等については特に限定されず、特許文献1(国際公開第2010/150810号)の[0031]〜[0051]段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
(Aluminum substrate)
As the aluminum substrate, a known aluminum substrate can be used. In addition to a pure aluminum substrate, an alloy plate containing aluminum as a main component and a trace amount of foreign elements; high purity aluminum is used for low purity aluminum (for example, recycled material). It is also possible to use a vapor-deposited substrate; a substrate in which a surface of silicon wafer, quartz, glass or the like is coated with high-purity aluminum by a method such as vapor deposition or sputtering; a resin substrate laminated with aluminum;
Here, the foreign elements that may be included in the alloy plate include silicon, iron, copper, manganese, magnesium, chromium, zinc, bismuth, nickel, titanium, etc., and the content of the foreign elements in the alloy is It is preferably 10% by mass or less.
Such an aluminum substrate is not particularly limited in terms of composition, preparation method (for example, casting method, etc.), and is described in paragraphs [0031] to [0051] of Patent Document 1 (International Publication No. 2010/150810). The composition, preparation method, and the like can be appropriately employed.

本発明においては、上記アルミニウム基板の厚みは、0.1〜2.0mm程度であり、0.15〜1.5mmであるのが好ましく、0.2〜1.0mmであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。   In the present invention, the aluminum substrate has a thickness of about 0.1 to 2.0 mm, preferably 0.15 to 1.5 mm, and more preferably 0.2 to 1.0 mm. This thickness can be appropriately changed according to the user's wishes or the like.

<反射層>
一方、上記反射層は、上記表面(非実装領域)のRaおよびPsmを上述した各数値範囲にする観点から、平均粒子径が0.1〜5μm、好ましくは0.5〜2μmの無機粒子を用いて形成されるものである。
ここで、平均粒子径とは、上記無機粒子の粒子径の平均値をいい、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された50%体積累積径(D50)をいう。
<Reflective layer>
On the other hand, the reflective layer is made of inorganic particles having an average particle diameter of 0.1 to 5 μm, preferably 0.5 to 2 μm, from the viewpoint of setting Ra and Psm on the surface (non-mounting region) to the numerical ranges described above. It is formed using.
Here, the average particle diameter means an average value of the particle diameters of the inorganic particles, and in the present invention, it means a 50% volume cumulative diameter (D50) measured using a laser diffraction particle size distribution measuring device.

(無機粒子)
上記無機粒子の種類は特に限定されず、例えば、従来公知の金属酸化物、金属水酸化物、炭酸塩、硫酸化物などを用いることができ、中でも、金属酸化物を用いるのが好ましい。
上記無機粒子としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物;水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどの水酸化物;炭酸カルシウム(軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、極微細炭酸カルシウムなど)、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウムなどの炭酸塩;硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸化物;また、その他に、カルシウムカーボネート、方解石、大理石、石膏、カオリンクレー、焼成クレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
この中でも、後述する熱硬化性樹脂や無機系結着剤との親和性が良好となる理由から、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウムが好ましい。
(Inorganic particles)
The kind of the inorganic particles is not particularly limited. For example, conventionally known metal oxides, metal hydroxides, carbonates, sulfates, and the like can be used, and among these, metal oxides are preferably used.
Specific examples of the inorganic particles include metal oxides such as aluminum oxide (alumina), magnesium oxide, yttrium oxide, titanium oxide, zinc oxide, silicon dioxide, and zirconium oxide; aluminum hydroxide, calcium hydroxide, Hydroxides such as magnesium hydroxide; calcium carbonate (light calcium carbonate, heavy calcium carbonate, ultrafine calcium carbonate, etc.), carbonates such as barium carbonate, magnesium carbonate, strontium carbonate; sulfates such as calcium sulfate and barium sulfate Other examples include calcium carbonate, calcite, marble, gypsum, kaolin clay, calcined clay, talc, sericite, optical glass, glass beads, and the like.
Among these, aluminum oxide, silicon dioxide, and aluminum hydroxide are preferable because the affinity with the thermosetting resin and inorganic binder described later is good.

本発明においては、上記無機粒子は、2種類以上の粒子や、2種類以上の平均粒子径を有する粒子を併用してもよい。
種類や平均粒子径の異なる粒子を併用することにより、上記反射層の強度の向上や、上記反射層と上記金属基板との密着強度の向上を図ることができる。
In the present invention, the inorganic particles may be used in combination of two or more kinds of particles or two or more kinds of particles having an average particle diameter.
By using particles of different types and average particle sizes in combination, it is possible to improve the strength of the reflective layer and improve the adhesion strength between the reflective layer and the metal substrate.

また、本発明においては、上記無機粒子の形状は特に限定はされず、例えば、球状、多面体状(例えば、20面体状、12面体状等)、立方体状、4面体状、表面に凹凸状ないし凸状の突起を複数有する形状(以下、「コンペイトウ形状」ともいう。)、板状、針状等いずれであってもよい。
これらのうち、断熱性に優れる理由から、球状、多面体状、立方体状、4面体状、コンペイトウ形状が好ましく、入手が容易で断熱性により優れる理由から、球状であるのがより好ましい。
In the present invention, the shape of the inorganic particles is not particularly limited. For example, the shape is spherical, polyhedral (for example, icosahedron, dodecahedron, etc.), cubic, tetrahedral, or uneven on the surface. It may be any shape having a plurality of convex protrusions (hereinafter also referred to as “compete shape”), a plate shape, a needle shape, or the like.
Among these, spherical, polyhedral, cubic, tetrahedral, and complex shapes are preferred for the reason of excellent heat insulation, and spherical is more preferred for reasons of easy availability and excellent heat insulation.

更に、本発明においては、正反射率および拡散反射率がより良好となる理由から、屈折率が1.5〜1.8の無機粒子を用いることが好ましい。
上記屈折率を満たす無機粒子としては、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、大理石、石膏、カオリンクレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
Furthermore, in the present invention, it is preferable to use inorganic particles having a refractive index of 1.5 to 1.8 because the regular reflectance and the diffuse reflectance are improved.
Examples of inorganic particles satisfying the refractive index include aluminum oxide (alumina), magnesium oxide, aluminum hydroxide, calcium hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, barium carbonate, magnesium carbonate, strontium carbonate, calcium sulfate, and barium sulfate. , Marble, plaster, kaolin clay, talc, sericite, optical glass, glass beads and the like.

(無機系結着剤)
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成されるのが好ましい。
(Inorganic binder)
The reflective layer is selected from the group consisting of aluminum phosphate, sodium silicate, and aluminum chloride because the strength of the reflective layer is improved and the adhesion strength between the reflective layer and the metal substrate is also improved. It is preferably formed using at least one inorganic binder.

(熱硬化性樹脂)
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂等からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成されるのが好ましい。
(Thermosetting resin)
The reflective layer further improves the strength of the reflective layer, and also improves the adhesion strength between the reflective layer and the metal substrate, and further, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester. It is preferably formed using at least one thermosetting resin selected from the group consisting of a resin and a silicon resin.

上記反射層には、上述した無機粒子、無機系結着剤および熱硬化性樹脂以外に、他の化合物を含有してもよい。
他の化合物としては、例えば、分散剤(水、有機溶媒)、光重合可能なモノマー、光重合開始剤、架橋剤、架橋促進剤、界面活性剤等が挙げられる。
The reflective layer may contain other compounds in addition to the inorganic particles, the inorganic binder, and the thermosetting resin described above.
Examples of the other compound include a dispersant (water, organic solvent), a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator, a crosslinking agent, a crosslinking accelerator, and a surfactant.

(形成方法)
本発明においては、上記反射層の形成方法は特に限定されず、例えば、上記金属基板上に、上記無機粒子と上記無機系結着剤または上記熱硬化性樹脂とを含有する塗布液(組成物)をスクリーン印刷等により塗布し、乾燥させる方法等により形成することができる。
(Formation method)
In the present invention, the method for forming the reflective layer is not particularly limited. For example, a coating liquid (composition) containing the inorganic particles and the inorganic binder or the thermosetting resin on the metal substrate. ) By screen printing or the like and dried.

〔第2態様〕
本発明においては、図2に示すように、本発明の反射基板1における表面(非実装領域)および表面(実装領域)は、アルミナセラミックスからなる絶縁基板7の表面で構成されていてもよい。
上記アルミナセラミックスとしては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム(Al23)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等の焼結体が挙げられる。
[Second embodiment]
In the present invention, as shown in FIG. 2, the surface (non-mounting region) and the surface (mounting region) of the reflective substrate 1 of the present invention may be constituted by the surface of an insulating substrate 7 made of alumina ceramics.
Specific examples of the alumina ceramic include sintered bodies such as an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) sintered body and an aluminum nitride (AlN) sintered body.

<エッチング>
本発明においては、上記絶縁基板は、上記表面(非実装領域)のRaおよびPsmを上述した各数値範囲にする観点から、上記アルミナセラミックスからなる焼結体の表面に所望のエッチングを施して得られるのである。
ここで、上記エッチングとしては、例えば、以下に示すアルカリエッチング処理が好適に挙げられる。
<Etching>
In the present invention, the insulating substrate is obtained by performing desired etching on the surface of the sintered body made of alumina ceramic from the viewpoint of setting Ra and Psm of the surface (non-mounting region) to the above numerical ranges. It is done.
Here, as the etching, for example, the following alkali etching treatment is preferably exemplified.

(アルカリエッチング処理)
アルカリエッチング処理は、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させ、表面に存在する焼結体の粒界のエッジ部分を溶解させ、滑らかな凹凸(うねり)を持つ表面に変えることを目的として行われる。
(Alkaline etching treatment)
In the alkali etching treatment, the insulating substrate is brought into contact with an alkaline solution to dissolve the surface layer, dissolve the edge portion of the grain boundary of the sintered body existing on the surface, and change the surface to have a smooth unevenness (swell). It is done for the purpose.

本発明においては、アルカリエッチング処理のエッチング量は、上記表面(非実装領域)のPsmを10〜20μmとする観点から、1g/m2以上であるのが好ましく、5〜20g/m2であるのがより好ましい。 In the present invention, the etching amount of the alkali etching treatment, the Psm for the surface (non-mounting region) from the viewpoint of a 10 to 20 [mu] m, preferably at 1 g / m 2 or more, is 5 to 20 g / m 2 Is more preferable.

上記アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩;炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩;アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩;グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩;第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。   Examples of the alkali used in the alkaline solution include caustic alkali and alkali metal salts. Specifically, examples of caustic alkali include caustic soda and caustic potash. Examples of alkali metal salts include alkali metal silicates such as sodium silicate, sodium silicate, potassium metasilicate, and potassium silicate; alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; sodium aluminate and alumina. Alkali metal aluminates such as potassium acid; alkali metal aldones such as sodium gluconate and potassium gluconate; dibasic sodium phosphate, dibasic potassium phosphate, tribasic sodium phosphate, tertiary potassium phosphate, etc. An alkali metal hydrogen phosphate is mentioned. Among these, a caustic alkali solution and a solution containing both a caustic alkali and an alkali metal aluminate are preferable from the viewpoint of high etching rate and low cost. In particular, an aqueous solution of caustic soda is preferable.

また、上記アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、1〜50質量%であるのが好ましく、10〜35質量%であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、0.01〜10質量%であるのが好ましく、3〜8質量%であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は20〜90℃であるのが好ましい。処理時間は1〜120秒であるのが好ましい。   Moreover, although the density | concentration of the said alkaline solution can be determined according to the etching amount, it is preferable that it is 1-50 mass%, and it is more preferable that it is 10-35 mass%. When aluminum ions are dissolved in the alkaline solution, the concentration of aluminum ions is preferably 0.01 to 10% by mass, and more preferably 3 to 8% by mass. The temperature of the alkaline solution is preferably 20 to 90 ° C. The treatment time is preferably 1 to 120 seconds.

また、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルカリ溶液を入れた槽の中に絶縁基板を通過させる方法、アルカリ溶液を入れた槽の中に絶縁基板を浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。   Examples of the method of bringing the insulating substrate into contact with the alkaline solution include, for example, a method of passing the insulating substrate in a bath containing an alkaline solution, a method of immersing the insulating substrate in a bath containing an alkaline solution, The method of spraying a solution on the surface of an aluminum substrate is mentioned.

<反射層(銀蒸着膜)>
本発明においては、上記絶縁基板は、正反射率および拡散反射率がより良好となる理由から、上記絶縁基板上に銀(Ag)蒸着膜からなる反射層を有していてもよい。
ここで、上記Ag蒸着膜の膜厚は、上記表面(非実装領域)の表面形状を維持する観点から、0.1〜10μmであるのが好ましく、0.5〜1μmであるのがより好ましい。なお、膜厚の調整は、蒸着装置で用いるAg線質量を変更することにより行い、膜厚は、線質量を変えて平滑なガラス基板上に成膜した膜厚保を非接触干渉膜厚計を用いて測定することにより作成した検量線から算出することができる。
<Reflective layer (silver deposited film)>
In the present invention, the insulating substrate may have a reflective layer made of a silver (Ag) vapor deposition film on the insulating substrate for the reason that the regular reflectance and the diffuse reflectance are better.
Here, from the viewpoint of maintaining the surface shape of the surface (non-mounting region), the thickness of the Ag vapor deposition film is preferably 0.1 to 10 μm, and more preferably 0.5 to 1 μm. . The film thickness is adjusted by changing the mass of the Ag wire used in the vapor deposition apparatus. The film thickness is maintained by using a non-contact interference film thickness meter to maintain the film thickness formed on a smooth glass substrate by changing the line mass. It is possible to calculate from a calibration curve created by measuring using.

(形成方法)
上記Ag蒸着膜の形成方法は特に限定されず、従来公知の金属蒸着装置を用いて形成することができる。
(Formation method)
The formation method of the said Ag vapor deposition film is not specifically limited, It can form using a conventionally well-known metal vapor deposition apparatus.

〔共通態様〕
<配線層>
本発明の反射基板は、LED発光素子を実装するに当たり、配線層(金属配線層)を有していてもよい。
本発明においては、上記配線層は、LED発光素子が実装される側の表面の一部に設けられてもよいし、LED発光素子が実装される側の表面(以下、本段落において「実装面」という。)とは反対側の表面(裏面)の一部に設けられてLED発光素子の実装面とスルーホールを介して電気的に接続されてもよい。
[Common mode]
<Wiring layer>
The reflective substrate of the present invention may have a wiring layer (metal wiring layer) when mounting the LED light emitting element.
In the present invention, the wiring layer may be provided on a part of the surface on which the LED light emitting element is mounted, or the surface on which the LED light emitting element is mounted (hereinafter referred to as “mounting surface” in this paragraph). ”) And may be electrically connected to the mounting surface of the LED light emitting element via a through hole.

上記配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)等が挙げられ、これらを1種単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からCuを用いるのが好ましい。なお、Cuによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Au層やNi/Au層を設けていてもよい。
The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it is a material that conducts electricity. Specific examples thereof include gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), magnesium (Mg), Nickel (Ni) etc. are mentioned, These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Of these, Cu is preferably used because of its low electrical resistance. Note that an Au layer or a Ni / Au layer may be provided on the surface layer of the wiring layer made of Cu from the viewpoint of improving the ease of wire bonding.

また、上記配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、0.5〜1000μmが好ましく、1〜500μmがより好ましく、5〜250μmが特に好ましい。   The thickness of the wiring layer is preferably 0.5 to 1000 μm, more preferably 1 to 500 μm, and particularly preferably 5 to 250 μm, from the viewpoint of conduction reliability and package compactness.

上記配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜/均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。
As a method of forming the wiring layer, in addition to various plating processes such as an electrolytic plating process, an electroless plating process, and a displacement plating process, a sputtering process, a vapor deposition process, a vacuum bonding process for metal foil, and an adhesion process with an adhesive layer provided. Etc.
Among these, from the viewpoint of high heat resistance, the metal-only layer formation is preferable, and from the viewpoint of thick film / uniform formation and high adhesion, layer formation by plating is particularly preferable.

上記めっき処理は、無機材料に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきを用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分(例えば、金属塩、還元剤等)と補助成分(例えば、pH調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等)から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、SE−650・666・680、SEK−670・797、SFK−63(いずれも日本カニゼン社製)、メルプレートNI−4128、エンプレートNI−433、エンプレートNI−411(いずれもメルテックス社製)等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。
Since the plating process is a plating process for an inorganic material, it is preferable to use a technique in which a reduced metal layer called a seed layer is provided and then a thick metal layer is formed using the metal layer.
In addition, it is preferable to use electroless plating for the formation of the seed layer. The plating solution includes a main component (for example, a metal salt and a reducing agent) and an auxiliary component (for example, a pH adjusting agent, a buffering agent, a complex). It is preferable to use a solution composed of an agent, accelerator, stabilizer, improver, etc. In addition, as a plating solution, SE-650 * 666 * 680, SEK-670 * 797, SFK-63 (all manufactured by Nippon Kanisen Co., Ltd.), Melplate NI-4128, Enplate NI-433, Enplate NI-411 Commercial products such as those manufactured by Meltex can be used as appropriate.
Further, when copper is used as the material for the wiring layer, various electrolytic solutions containing sulfuric acid, copper sulfate, hydrochloric acid, polyethylene glycol and a surfactant as main components and other various additives can be used.

このようにして形成される配線層は、LED発光素子の実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にLEDが実装される箇所には、再度金属層(半田も含む)を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすいように適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)等の金属素材が好ましく、加熱によるLEDの実装の観点では、半田、または、Niを介してのAu、Agを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。
The wiring layer formed in this way is patterned by a known method according to the mounting design of the LED light emitting element. In addition, a metal layer (including solder) is provided again at a location where the LED is actually mounted, and can be appropriately processed so as to be easily connected by thermocompression bonding, flip chip, wire bonding, or the like.
As a suitable metal layer, a metal material such as solder or gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), magnesium (Mg), nickel (Ni) is preferable. From the viewpoint of mounting reliability, a method of providing Au or Ag via solder or Ni is preferable from the viewpoint of connection reliability.

配線層の形成方法として以下で説明する金属インクを用いてインクジェット印刷法またはスクリーン印刷法によりパターンを形成すれば、凹凸のある表面に多くの工程を必要とせずに簡易にパターンを有する配線層を形成することができる。   If a pattern is formed by an inkjet printing method or a screen printing method using a metal ink described below as a method for forming a wiring layer, a wiring layer having a pattern can be easily formed without requiring many steps on an uneven surface. Can be formed.

(インクジェット印刷法)
導体金属を含む金属インクを用いてインクジェット印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線層を形成することができる。具体的には、金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。
(Inkjet printing method)
A wiring layer can be formed on a desired portion of the surface of the reflective substrate by ink jet printing using a metal ink containing a conductive metal. Specifically, a wiring pattern is formed with metal ink, and then fired to form a wiring.
Examples of the metal ink include those obtained by uniformly dispersing fine particles of a conductive metal in a solvent containing a binder, a surfactant, and the like. In this case, the solvent needs to have both affinity for the conductive metal and volatility.

金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子;酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子;Cr−Co−Mn−Fe、Cr−Cu、Cr−Cu−Mn、Mn−Fe−Cu、Cr−Co−Fe、Co−Mn−Fe、Co−Ni−Cr−Feなどの複合合金の微粒子;銀めっき、銅などのめっき複合体の微粒子;等が挙げられ、これらを1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。
Conductive metals contained in the metal ink include fine particles of metals such as silver, copper, gold, platinum, nickel, aluminum, iron, palladium, chromium, molybdenum, tungsten; silver oxide, cobalt oxide, iron oxide, ruthenium oxide, etc. Metal oxide fine particles; Cr—Co—Mn—Fe, Cr—Cu, Cr—Cu—Mn, Mn—Fe—Cu, Cr—Co—Fe, Co—Mn—Fe, Co—Ni—Cr—Fe, etc. Fine particles of a composite alloy of the above; fine particles of a plating composite such as silver plating and copper; and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
Among these, metal fine particles are preferable, silver, copper, and gold are more preferable, oxidation resistance is excellent, it is difficult to form a high-insulation oxide, and the cost is low, and the conductivity after firing the wiring pattern is improved. For this reason, silver is particularly preferable.

微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点から、1〜20nmが好ましく、5〜10nmがより好ましい。
The shape of the conductive metal that is a fine particle is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a granular shape, and a scaly shape. From the viewpoint of increasing the contact area between the fine particles and improving the conductivity, the scaly shape is preferable. preferable.
The average size of the conductor metal contained in the metal ink is preferably 1 to 20 nm and more preferably 5 to 10 nm from the viewpoint of increasing the filling rate in the wiring pattern formed with the metal ink and improving the conductivity.

(スクリーン印刷法)
導体金属を含む金属インクを用いてスクリーン印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。
(Screen printing method)
A wiring pattern is formed on a desired portion of the surface of the reflective substrate by screen printing using a metal ink containing a conductive metal, and then fired to form a wiring.
The supply of the metallic ink by the screen printing method can be performed by providing a transmissive portion according to the wiring pattern on the screen and squeezing the metallic ink from the transmissive portion.
As a metal ink containing a conductor metal, what was used by the inkjet printing method mentioned above can be used.

[LEDパッケージ]
以下に、本発明のLEDパッケージについて詳細に説明する。
本発明のLEDパッケージは、上述した本発明の反射基板と、その表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージである。
次に、本発明のLEDパッケージの構成について、図3を用いて説明する。
[LED package]
Below, the LED package of this invention is demonstrated in detail.
The LED package of the present invention is an LED package having the above-described reflective substrate of the present invention and an LED light emitting element mounted on the surface thereof.
Next, the configuration of the LED package of the present invention will be described with reference to FIG.

図3に示すように、LEDパッケージ20は、反射基板1の表面(反射層3)上に実装されたLED9を有する。また、LED9は、蛍光粒子10を混入した透明樹脂11でモールドされており、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層8を有する本発明の反射基板1にワイヤボンディングされている。   As shown in FIG. 3, the LED package 20 includes an LED 9 mounted on the surface of the reflective substrate 1 (reflective layer 3). The LED 9 is molded with a transparent resin 11 mixed with fluorescent particles 10 and is wire-bonded to the reflective substrate 1 of the present invention having a metal wiring layer 8 that also serves as an electrode for external connection.

本発明においては、上記LED発光素子は、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
In the present invention, the LED light emitting element is formed by forming a semiconductor such as GaAlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, AlInGaN on the substrate as the light emitting layer. It is done.
Examples of the semiconductor structure include a homostructure, a heterostructure, or a double heterostructure having a MIS junction, a PIN junction, or a PN junction. Various emission wavelengths can be selected from ultraviolet light to infrared light depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal.

また、上記透明樹脂の材質は、熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色LEDを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。
The material of the transparent resin is preferably a thermosetting resin.
The thermosetting resin is preferably formed of at least one selected from the group consisting of epoxy resins, modified epoxy resins, silicone resins, modified silicone resins, acrylate resins, urethane resins, and polyimide resins. , Modified epoxy resin, silicone resin, and modified silicone resin are preferable.
Further, the transparent resin is preferably hard to protect the blue LED.
Moreover, it is preferable to use resin excellent in heat resistance, a weather resistance, and light resistance for transparent resin.
The transparent resin may be mixed with at least one selected from the group consisting of a filler, a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, an ultraviolet absorber, and an antioxidant so as to have a predetermined function. it can.

更に、上記蛍光粒子は、青色LEDからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体;Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体;Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体;Eu等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体;等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Furthermore, the said fluorescent particle should just absorb the light from blue LED and wavelength-convert it into the light of a different wavelength.
Specific examples of the fluorescent particles include nitride-based phosphors, oxynitride-based phosphors, sialon-based phosphors, and β-sialon-based phosphors that are mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce. An alkaline earth halogen apatite phosphor, an alkaline earth metal borate phosphor, an alkaline earth metal aluminate phosphor mainly activated by a lanthanoid group such as Eu, or a transition metal group element such as Mn; Alkaline earth silicate phosphor, alkaline earth sulfide phosphor, alkaline earth thiogallate phosphor, alkaline earth silicon nitride phosphor, germanate phosphor; mainly activated by lanthanoid elements such as Ce Rare earth aluminate phosphors, rare earth silicate phosphors, organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as Eu, etc., and these may be used alone, It may be used in combination with more species.

一方、本発明のLEDパッケージは、紫外〜青色LEDとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系LEDパッケージとしても使用することができる。
これらの蛍光発光体が青色LEDからの青色光を吸収して蛍光(黄色系蛍光)を生じ、この蛍光と青色LEDの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色LED光源チップと黄色蛍光体1種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外LED光源チップと赤色/緑色/青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色/緑色/青色3光源で白色発光させる「RGB光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のLEDパッケージを使用することができる。
On the other hand, the LED package of the present invention can also be used as a phosphor mixed color white LED package using an ultraviolet to blue LED and a fluorescent light emitter that absorbs the LED and emits fluorescence in the visible light region.
These fluorescent light emitters absorb blue light from the blue LED to generate fluorescence (yellowish fluorescent light), and white light is emitted from the light emitting element by the fluorescent light and the afterglow of the blue LED.
The above-described method is a so-called “pseudo white light emission type” in which a blue LED light source chip and one kind of yellow phosphor are combined. In addition, for example, an ultraviolet to near-ultraviolet LED light source chip and red / green / blue fluorescence. LED of the present invention as a light-emitting unit using a known light-emitting method such as “ultraviolet to near-ultraviolet light source type” in which several types of bodies are combined, and “RGB light source type” that emits white light with three red / green / blue light sources Package can be used.

本発明のLEDパッケージにおいて、本発明の反射基板にLED発光素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は220〜350℃が好ましく、240〜320℃がより好ましく、260〜300℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から2秒〜10分が好ましく、5秒〜5分がより好ましく、10秒〜3分が特に好ましい。
In the LED package of the present invention, the method of mounting the LED light emitting element on the reflective substrate of the present invention involves mounting by heating, but the thermocompression bonding including solder reflow and the mounting method by flip chip provide uniform and reliable mounting. From the viewpoint of applying, the maximum attainable temperature is preferably 220 to 350 ° C, more preferably 240 to 320 ° C, and particularly preferably 260 to 300 ° C.
The time for maintaining these maximum temperatures is preferably from 2 seconds to 10 minutes, more preferably from 5 seconds to 5 minutes, and particularly preferably from 10 seconds to 3 minutes.

また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、80〜300℃が好ましく、90〜250℃がより好ましく、100〜200℃が特に好ましい。加熱時間としては、2秒〜10分が好ましく、5秒〜5分がより好ましく、10秒〜3分が特に好ましい。   Moreover, as temperature at the time of mounting by wire bonding, from a viewpoint of performing reliable mounting, 80-300 degreeC is preferable, 90-250 degreeC is more preferable, and 100-200 degreeC is especially preferable. The heating time is preferably 2 seconds to 10 minutes, more preferably 5 seconds to 5 minutes, and particularly preferably 10 seconds to 3 minutes.

以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〔反射基板の作製〕
<比較例1>
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1800℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体からなる反射基板を作製した。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
[Production of reflective substrate]
<Comparative Example 1>
After kneading 100 g of alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, manufactured by Showa Denko KK), 0.5 g of polyvinyl alcohol (PVA) binder and 20 g of water, firing was performed at 300 ° C. for 2 hours. .
Next, it was molded into a size of 2 mm in thickness of 3 cm × 3 cm by a press, heated at a heating rate of 400 ° C./hour, held at 1800 ° C. for 8 hours, sintered, and alumina. A reflective substrate made of a ceramic sintered body was produced.

<比較例2>
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を30分間施し、表面を25g/m2溶解させた反射基板を作製した。
<Comparative example 2>
The alumina ceramic sintered body produced in Comparative Example 1 was subjected to an etching treatment by spraying for 30 minutes using an aqueous solution having a caustic soda concentration of 5.0 mass% and a temperature of 40 ° C., and the surface was dissolved at 25 g / m 2. A substrate was produced.

<実施例1>
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を10分間施し、表面を8g/m2溶解させた反射基板を作製した。
<Example 1>
The alumina ceramic sintered body produced in Comparative Example 1 was subjected to an etching process by spraying for 10 minutes using an aqueous solution having a caustic soda concentration of 5.0 mass% and a temperature of 40 ° C., and the surface was dissolved at 8 g / m 2. A substrate was produced.

<比較例3>
比較例1で作製したアルミナセラミックス焼結体の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が0.7μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
<Comparative Example 3>
Using a metal vapor deposition device (JEE-4X, manufactured by JEOL) on the surface of the alumina ceramic sintered body produced in Comparative Example 1, Ag vapor was used so that the film thickness was 0.7 μm using Ag wire as the radiation source. A reflective substrate on which a film was formed was produced.

<比較例4>
実施例1で作製した反射基板(エッチングを施したアルミナセラミックス焼結体)の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が15μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
<Comparative example 4>
A metal deposition apparatus (JEE-4X, manufactured by JEOL) is used on the surface of the reflective substrate (etched alumina ceramic sintered body) produced in Example 1, and Ag wire is used as the radiation source, and the film thickness is 15 μm. A reflective substrate on which an Ag vapor deposition film was formed was prepared.

<実施例2>
実施例1で作製した反射基板(エッチングを施したアルミナセラミックス焼結体)の表面に、金属蒸着装置(JEE−4X、JEOL社製)を用い、線源としてAg線を用い、膜厚が0.7μmとなるようにAg蒸着膜を形成させた反射基板を作製した。
<Example 2>
A metal vapor deposition apparatus (JEE-4X, manufactured by JEOL) is used on the surface of the reflective substrate (etched alumina ceramic sintered body) produced in Example 1, the Ag wire is used as the radiation source, and the film thickness is 0. A reflective substrate on which an Ag vapor deposition film was formed so as to be 0.7 μm was produced.

<比較例5>
(アルミニウム基板の作製)
Si:0.06質量%、Fe:0.30質量%、Cu:0.005質量%、Mn:0.001質量%、Mg:0.001質量%、Zn:0.001質量%、Ti:0.03質量%を含有し、残部はAlと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ500mm、幅1200mmの鋳塊をDC鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均10mmの厚さで面削機により削り取った後、550℃で、約5時間均熱保持し、温度400℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ2.7mmの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を500℃で行った後、冷間圧延で、厚さ1.0mmに仕上げ、JIS 1050材のアルミニウム基板を得た。
<Comparative Example 5>
(Preparation of aluminum substrate)
Si: 0.06 mass%, Fe: 0.30 mass%, Cu: 0.005 mass%, Mn: 0.001 mass%, Mg: 0.001 mass%, Zn: 0.001 mass%, Ti: Containing 0.03% by mass, the balance is prepared using Al and an inevitable impurity aluminum alloy, and after performing the molten metal treatment and filtration, an ingot having a thickness of 500 mm and a width of 1200 mm is obtained by a DC casting method. Produced.
Next, the surface was shaved with a chamfering machine with an average thickness of 10 mm, soaked at 550 ° C. for about 5 hours, and when the temperature dropped to 400 ° C., the thickness was 2.7 mm using a hot rolling mill. A rolled plate was used.
Furthermore, after performing heat processing at 500 degreeC using a continuous annealing machine, it finished by cold rolling to thickness 1.0mm, and obtained the aluminum substrate of JIS1050 material.

(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)190gと、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)225gと、光重合開始剤(IRGACURE907、チバスペシャルティケミカルズ社製)20gと、単量体成分(ジペンタエリスリトルヘキサアクリレート)15gと、シリコーンオイル(KS−66、信越シリコーン社製)3gと、溶剤(カルビトールアセテート)20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(Preparation of reflective layer forming material)
190 g of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatechs), 225 g of bisphenol A epoxy resin (Japan Epoxy Resin), 20 g of photopolymerization initiator (IRGACURE907, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), , 15g of monomer component (dipentaerythritol hexaacrylate), 3g of silicone oil (KS-66, manufactured by Shin-Etsu Silicone) and 20g of solvent (carbitol acetate) are kneaded to form a reflective layer. A functional resin composition was prepared.

(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
(Formation of reflective layer)
The said thermosetting resin composition was apply | coated with the screen printing method with respect to the said aluminum substrate, and the reflective board | substrate which has a reflection layer was produced by making it dry.
Specifically, using a 100-mesh polyester bias plate, solid printing was performed to a film thickness of 40 μm, and then the film was dried at 80 ° C. for 10 minutes in a hot air circulation drying furnace.

<比較例6>
上記アルミニウム基板に代えて、エンボス加工アルミニウム基板(エンボスシートSE6、住友軽金属社製)を用いた以外は、比較例5と同様の方法により、反射基板を作製した。
<Comparative Example 6>
A reflective substrate was produced in the same manner as in Comparative Example 5, except that an embossed aluminum substrate (embossed sheet SE6, manufactured by Sumitomo Light Metal Co., Ltd.) was used instead of the aluminum substrate.

<比較例7>
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)を用いた以外は、比較例5で調製した反射層形成材料と同様の方法により、熱硬化性樹脂組成物を調製した。
次いで、比較例5で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記熱硬化性樹脂を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。
<Comparative Example 7>
First, Comparative Example 5 except that alumina particles (AO509-1, average particle size: 10 μm, manufactured by Admatex) were used instead of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatex). A thermosetting resin composition was prepared by the same method as the reflective layer forming material prepared in 1.
Next, the above thermosetting resin was further applied to the reflective substrate having the reflective layer produced in Comparative Example 5 so as to have a film thickness of 40 μm, and then at 80 ° C. for 10 minutes in a hot air circulation drying oven. A reflective substrate was produced by drying.

<実施例3>
アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例7と同様の方法により、反射基板を作製した。
<Example 3>
Except for using alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, Showa Denko) instead of alumina particles (AO509-1, average particle size: 10 μm, manufactured by Admatex), A reflective substrate was produced in the same manner as in Comparative Example 7.

<実施例4>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)190gと、下記に示す方法で調製した変性ポリジメチルシロキサン含有物20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(変性ポリジメチルシロキサンの調製)
撹拌装置、温度計、滴下ラインを取り付けた反応容器に、エチルシリケート(シリケート40、n=4〜6、多摩化学工業社製)1.0gを入れ、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサン(HBSIL039、質量平均分子量;32,000相当、荒川化学社製)32.0gと、大気中(室温)にて約30分間、撹拌混合し、混成物である原料液Aを得た。ここで、エチルシリケートと、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサンで用いられたシリケートは、同じ種類および同じ特性を持つシリケートを使用した。
そして、原料液Aを加水分解工程および縮合工程にて、必要量の水0.93gを約1時間かけて滴下して加え、撹拌混合した。その後、撹拌しながら約30分かけて室温まで自然冷却し、変性ポリジメチルシロキサン含有物を得た。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
<Example 4>
(Preparation of aluminum substrate)
An aluminum substrate similar to that in Comparative Example 5 was produced.
(Preparation of reflective layer forming material)
190 k of alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, manufactured by Showa Denko KK) and 20 g of a modified polydimethylsiloxane-containing material prepared by the method described below, heat for forming a reflective layer A curable resin composition was prepared.
(Preparation of modified polydimethylsiloxane)
Into a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer, and a dropping line, 1.0 g of ethyl silicate (silicate 40, n = 4 to 6, manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.) was put, and polydimethyl having ethyl silicate alkoxy-modified at both ends. 32.0 g of siloxane (HBSIL039, mass average molecular weight; equivalent to 32,000, manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) was mixed with stirring in the atmosphere (room temperature) for about 30 minutes to obtain a raw material liquid A as a hybrid. Here, silicates having the same type and the same characteristics were used as silicates used in ethyl silicate and polydimethylsiloxane obtained by alkoxy-modifying ethyl silicate at both ends.
Then, the raw material liquid A was added dropwise over a period of about 1 hour with 0.93 g of a required amount of water in the hydrolysis step and the condensation step, and mixed with stirring. Then, it naturally cooled to room temperature over about 30 minutes, stirring, and obtained the modified polydimethylsiloxane containing material.
(Formation of reflective layer)
The said thermosetting resin composition was apply | coated with the screen printing method with respect to the said aluminum substrate, and the reflective board | substrate which has a reflection layer was produced by making it dry.
Specifically, using a 100-mesh polyester bias plate, solid printing was performed to a film thickness of 40 μm, and then the film was dried at 80 ° C. for 10 minutes in a hot air circulation drying furnace.

<実施例5>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)190gと、下記に示す組成のフェノール樹脂組成物20gとを混練し、反射層を形成する熱硬化性樹脂組成物を調製した。
(フェノール樹脂組成物)
・ノボラック樹脂(m−クレゾール/p−クレゾール=60/40、重量平均分子量7,000、未反応クレゾール0.5質量%含有) 0.90g
・メタクリル酸エチル/メタクリル酸イソブチル/メタクリル酸共重合体(モル比35/35/30) 0.10g
・フッ素系界面活性剤(メガファックF−780F、大日本インキ化学工業社製、固形分30質量%) 0.0045g(固形分換算)
・メチルエチルケトン 12g
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚40μmとなるようにベタ印刷し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
<Example 5>
(Preparation of aluminum substrate)
An aluminum substrate similar to that in Comparative Example 5 was produced.
(Preparation of reflective layer forming material)
A thermosetting resin composition for kneading 190 g of alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, manufactured by Showa Denko KK) and 20 g of a phenol resin composition having the following composition to form a reflective layer. A product was prepared.
(Phenolic resin composition)
Novolak resin (m-cresol / p-cresol = 60/40, weight average molecular weight 7,000, containing 0.5% by mass of unreacted cresol) 0.90 g
・ Ethyl methacrylate / isobutyl methacrylate / methacrylic acid copolymer (molar ratio 35/35/30) 0.10 g
・ Fluorosurfactant (Megafac F-780F, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, solid content: 30% by mass) 0.0045 g (solid content conversion)
・ Methyl ethyl ketone 12g
(Formation of reflective layer)
The said thermosetting resin composition was apply | coated with the screen printing method with respect to the said aluminum substrate, and the reflective board | substrate which has a reflection layer was produced by making it dry.
Specifically, using a 100-mesh polyester bias plate, solid printing was performed to a film thickness of 40 μm, and then the film was dried at 80 ° C. for 10 minutes in a hot air circulation drying furnace.

<比較例8>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
水90g、リン酸85%(和光純薬)55gおよび水酸化アルミニウム(和光純薬)25gを混合したバインダー液Aに、無機粒子としてアルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
(反射層の形成)
上記アルミニウム基板に対して、上記無機組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、100メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚70μmとなるようにベタ印刷し、その後、250℃で30分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
なお、反射層におけるリン酸アルミニウム(無機系結着剤)の存在は、赤外分光法(IR)により確認した。
<Comparative Example 8>
(Preparation of aluminum substrate)
An aluminum substrate similar to that in Comparative Example 5 was produced.
(Preparation of reflective layer forming material)
A binder liquid A in which 90 g of water, 55 g of phosphoric acid 85% (Wako Pure Chemical Industries) and 25 g of aluminum hydroxide (Wako Pure Chemical Industries) are mixed, and alumina particles (Admafine, average particle diameter: 45 nm, manufactured by Admatex Co., Ltd.) as inorganic particles. ) Was added and stirred to prepare an inorganic composition forming a reflective layer.
(Formation of reflective layer)
The said inorganic composition was apply | coated with the screen printing method with respect to the said aluminum substrate, and the reflective board | substrate which has a reflection layer was produced by making it dry.
Specifically, solid printing was performed using a 100-mesh polyester bias plate to a film thickness of 70 μm, and then the film was dried at 250 ° C. for 30 minutes in a hot air circulation type drying furnace.
The presence of aluminum phosphate (inorganic binder) in the reflective layer was confirmed by infrared spectroscopy (IR).

<比較例9>
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AO509−1、平均粒子径:10μm、アドマテックス社製)を用いた以外は、比較例8で調製した反射層形成材料と同様の方法により、無機組成物を調製した。
次いで、比較例8で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記無機組成物を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。なお、下記第1表、反射層を形成する無機粒子の粒径については、反射基板表面の反射層を形成する無機粒子(アルミナ粒子、AO509−1)の粒径を記載している。
<Comparative Example 9>
First, Comparative Example 8 except that alumina particles (AO509-1, average particle size: 10 μm, manufactured by Admatex) were used instead of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatex). An inorganic composition was prepared in the same manner as the reflective layer forming material prepared in 1.
Next, the inorganic composition was further applied to the reflective substrate having the reflective layer produced in Comparative Example 8 so as to have a film thickness of 40 μm, and then dried at 80 ° C. for 10 minutes in a hot air circulation drying oven. Thus, a reflective substrate was produced. In addition, about the particle size of the inorganic particle which forms the following Table 1 and a reflective layer, the particle size of the inorganic particle (alumina particle, AO509-1) which forms the reflective layer of a reflective substrate surface is described.

<実施例6>
アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
<Example 6>
A comparison was made except that alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, Showa Denko) were used instead of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatechs). A reflective substrate was produced in the same manner as in Example 8.

<実施例7>
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
(反射層形成材料)
以下に示す組成のバインダー液Bを100g用い、それに対して無機粒子としてアルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
<バインダー液Bの組成>
・塩酸85% (和光純薬) 46.9g
・水酸化アルミニウム(和光純薬) 11g
・水 90g
<Example 7>
A reflective substrate was produced in the same manner as in Comparative Example 8, except that the following inorganic composition was used as the reflective layer forming material.
(Reflective layer forming material)
By using 100 g of the binder liquid B having the composition shown below, and adding 250 g of alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, manufactured by Showa Denko KK) as inorganic particles, and stirring them, An inorganic composition for forming a reflective layer was prepared.
<Composition of binder liquid B>
・ 85% hydrochloric acid (Wako Pure Chemical) 46.9g
・ Aluminum hydroxide (Wako Pure Chemical) 11g
・ Water 90g

<実施例8>
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
(反射層形成材料の調製)
富山化学社製の3号ケイ酸ソーダ原液(比重1.4)と水とを質量比1:1になるように混合したバインダー液Cに、無機粒子としてアルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を250g添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
<Example 8>
A reflective substrate was produced in the same manner as in Comparative Example 8, except that the following inorganic composition was used as the reflective layer forming material.
(Preparation of reflective layer forming material)
No. 3 sodium silicate stock solution (specific gravity 1.4) manufactured by Toyama Chemical Co., Ltd. and water mixed in a mass ratio of 1: 1 were mixed with alumina particles (AL-160SG-3, average) as inorganic particles. 250 g of a particle size of 0.52 μm (manufactured by Showa Denko KK) was added and stirred to prepare an inorganic composition forming a reflective layer.

<実施例9>
まず、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)を用いた以外は、比較例8で調製した反射層形成材料と同様の方法により、無機組成物を調製した。
次いで、比較例8で作製した反射層を有する反射基板に対して、更に上記無機組成物を膜厚40μmとなるように塗布し、その後、80℃で10分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させることにより、反射基板を作製した。なお、下記第1表、反射層を形成する無機粒子の粒径については、反射基板表面の反射層を形成する無機粒子(アルミナ粒子、AL−160SG−3)の粒径を記載している。
<Example 9>
First, alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, Showa Denko) were used instead of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatechs). An inorganic composition was prepared in the same manner as the reflective layer forming material prepared in Comparative Example 8.
Next, the inorganic composition was further applied to the reflective substrate having the reflective layer produced in Comparative Example 8 so as to have a film thickness of 40 μm, and then dried at 80 ° C. for 10 minutes in a hot air circulation drying oven. Thus, a reflective substrate was produced. In addition, about the particle size of the inorganic particle which forms the following Table 1 and a reflective layer, the particle size of the inorganic particle (alumina particle, AL-160SG-3) which forms the reflective layer of a reflective substrate surface is described.

<実施例10>
反射層形成材料の無機粒子として、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、水酸化アルミニウム(BF013、平均粒子径:1.2μm、日本軽金属社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
<Example 10>
As the inorganic particles of the reflective layer forming material, aluminum hydroxide (BF013, average particle size: 1.2 μm, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd.) was used instead of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatex). A reflective substrate was produced in the same manner as in Comparative Example 8 except that it was used.

<実施例11>
反射層形成材料の無機粒子として、アルミナ粒子(アドマファイン、平均粒子径:45nm、アドマテックス社製)に代えて、硫酸バリウム(W−1、平均粒子径:1.5μm、竹原化学工業社製)を用いた以外は、比較例8と同様の方法により、反射基板を作製した。
<Example 11>
As inorganic particles of the reflective layer forming material, barium sulfate (W-1, average particle size: 1.5 μm, manufactured by Takehara Chemical Industry Co., Ltd.) was used instead of alumina particles (Admafine, average particle size: 45 nm, manufactured by Admatechs). A reflective substrate was produced in the same manner as in Comparative Example 8, except that

<実施例12>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層の作製)
アルミナ粒子(AL−160SG−3、平均粒子径:0.52μm、昭和電工社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1800℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度5.0質量%、温度40℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を15分間施し、表面を12g/m2溶解させた反射層を作製した。
(反射基板の作製)
上記アルミニウム基板の表面に刷毛を用いて無機接着剤(スミセラムS−17、朝日化学工業社製)を塗布し、速やかに上記反射層(焼結体)を圧着した後に、80℃で30分乾燥させ、更に150℃で1時間硬化させることにより、上記アルミニウム基板と上記反射層とを接着させた反射基板を作製した。
<Example 12>
(Preparation of aluminum substrate)
An aluminum substrate similar to that in Comparative Example 5 was produced.
(Production of reflective layer)
After kneading 100 g of alumina particles (AL-160SG-3, average particle size: 0.52 μm, manufactured by Showa Denko KK), 0.5 g of polyvinyl alcohol (PVA) binder and 20 g of water, firing was performed at 300 ° C. for 2 hours. .
Next, it was molded into a size of 2 mm in thickness of 3 cm × 3 cm by a press, heated at a heating rate of 400 ° C./hour, held at 1800 ° C. for 8 hours, sintered, and alumina. A ceramic sintered body was produced.
Next, the produced alumina ceramic sintered body was subjected to an etching process by spraying using an aqueous solution having a caustic soda concentration of 5.0 mass% and a temperature of 40 ° C. for 15 minutes, and a reflective layer having a surface dissolved of 12 g / m 2 was obtained. Produced.
(Production of reflective substrate)
An inorganic adhesive (Sumiceram S-17, manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd.) is applied to the surface of the aluminum substrate using a brush, and the reflective layer (sintered body) is quickly pressed and dried at 80 ° C. for 30 minutes. Then, by further curing at 150 ° C. for 1 hour, a reflective substrate in which the aluminum substrate and the reflective layer were adhered was produced.

<実施例13>
(アルミニウム基板の作製)
比較例5と同様のアルミニウム基板を作製した。
(反射層の作製)
酸化チタン粒子(PT−301、平均粒子径:0.24μm、石原産業社製)100gとポリビニルアルコール(PVA)バインダー0.5gと水20gとを混練した後に、300℃で2時間、焼成した。
次いで、プレスにて、3cm×3cm四方で、厚さ2mmのサイズに成形し、昇温速度400℃/時で加熱し、1500℃になったところで8時間保持して、焼結を行い、酸化チタンセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製した酸化チタンセラミックス焼結体に対して、液温30℃の1%フッ酸中に10分間浸漬させ、表面を4g/m2溶解させた反射層を作製した。
(反射基板の作製)
実施例12と同様の方法により、上記アルミニウム基板の表面に上記反射層を接着させた反射基板を作製した。
<Example 13>
(Preparation of aluminum substrate)
An aluminum substrate similar to that in Comparative Example 5 was produced.
(Production of reflective layer)
After kneading 100 g of titanium oxide particles (PT-301, average particle size: 0.24 μm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), 0.5 g of polyvinyl alcohol (PVA) binder and 20 g of water, the mixture was baked at 300 ° C. for 2 hours.
Next, it was molded into a size of 2 mm in thickness of 3 cm × 3 cm by a press, heated at a heating rate of 400 ° C./hour, held at 1500 ° C. for 8 hours, sintered, and oxidized. A titanium ceramic sintered body was prepared.
Next, the produced titanium oxide ceramic sintered body was immersed in 1% hydrofluoric acid at a liquid temperature of 30 ° C. for 10 minutes to produce a reflective layer having a surface dissolved by 4 g / m 2 .
(Production of reflective substrate)
A reflective substrate in which the reflective layer was adhered to the surface of the aluminum substrate was produced in the same manner as in Example 12.

<比較例10>
特許文献2(特開2011−132590号公報)の[0095]〜[0106]、[0114]および[0119]段落に記載された実施例1の絶縁基板を反射基板として用いた。
<Comparative Example 10>
The insulating substrate of Example 1 described in paragraphs [0095] to [0106], [0114] and [0119] of Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2011-132590) was used as a reflective substrate.

〔表面形状の測定〕
上記で作製した各光反射基板の表面形状について、触針式の表面粗さ計(SURFCOM480A、ACCRETECH(東京精密)社製)を用いて、RaおよびPsmを測定した。これらの結果を下記第1表に示す。
[Surface shape measurement]
About the surface shape of each light reflection board produced above, Ra and Psm were measured using a stylus type surface roughness meter (SURFCOM 480A, ACCRETECH (Tokyo Seimitsu) company make). These results are shown in Table 1 below.

〔反射率〕
作製した絶縁反射基板について、X−rite社製SP−60型積分球光度計を用いて、400〜700nmの正反射率(SPINモードの全平均)および拡散反射率(SPEXモードの全平均)を測定した。これらの結果とともに、反射率の比率(拡散反射率/正反射率)を下記第1表に示す。
[Reflectance]
Using the SP-60 type integrating sphere photometer manufactured by X-Rite, the specular reflectance (total average of SPIN mode) and diffuse reflectance (total average of SPEX mode) of 400 to 700 nm were measured for the produced insulating reflective substrate. It was measured. Along with these results, the reflectance ratio (diffuse reflectance / regular reflectance) is shown in Table 1 below.

〔発光効率〕
作製した各反射基板の表面に青色LED発光素子をワイヤボンディング法により実装し、Cu配線層と青色LED発光素子とを接続した。
青色LED発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型LEDパッケージを作製した。
作製した各擬似白色型LEDパッケージについて、10Vの電圧で駆動した際の電流(A)と、色度X値=0.33での光束量(lm)とを測定し、下記式から発光効率(lm/W)を算出した。結果を下記第1表に示す。
発光効率(lm/W)=光束量(lm)/(電流(A)×10(V))
[Luminescence efficiency]
A blue LED light emitting element was mounted on the surface of each of the produced reflective substrates by a wire bonding method, and the Cu wiring layer and the blue LED light emitting element were connected.
After mounting the blue LED light emitting element, a pseudo white LED package was produced by providing a sealing material containing a yellow phosphor on the surface.
About each produced pseudo white type LED package, the electric current (A) at the time of driving with the voltage of 10V and the light beam quantity (lm) in chromaticity X value = 0.33 are measured, and luminous efficiency ( lm / W) was calculated. The results are shown in Table 1 below.
Luminous efficiency (lm / W) = light flux (lm) / (current (A) × 10 (V))

第1表に示す結果から、RaおよびPsmのいずれか一方または両方が所定の数値範囲外にある表面形状を有する反射基板は、比較例7および10を除き、拡散反射率の値が正反射率よりも1割程度劣り、比率(拡散反射率/正反射率)が95%以下となることが分かった。
また、比較例7で作製した反射基板は、発光効率が低いことが分かった。
同様に、比較例10で作製した反射基板は、Psmが小さくなり、発光効率が低下することが分かった。
これに対し、RaおよびPsmがいずれも所定の数値範囲内にある表面形状を有する反射基板は、正反射率および拡散反射率がいずれも高く、それらの比率(拡散反射率/正反射率)も95%より大きくなり、高い発光効率を達成できることが分かり、いずれも蛍光灯代替LED灯具として有用であることが分かった(実施例1〜13)。
特に、実施例1と実施例2〜13との比較から、上記表面形状が、反射層の表面形状である場合に発光効率がより高くなる傾向があることが分かった。
From the results shown in Table 1, the reflection substrate having a surface shape in which one or both of Ra and Psm are outside the predetermined numerical range has a diffuse reflectance value of regular reflectance except for Comparative Examples 7 and 10. It was found that the ratio (diffuse reflectance / regular reflectance) was 95% or less.
Moreover, it turned out that the reflective substrate produced in the comparative example 7 has low luminous efficiency.
Similarly, it was found that the reflective substrate produced in Comparative Example 10 had a small Psm and reduced luminous efficiency.
In contrast, a reflective substrate having a surface shape in which Ra and Psm are both within a predetermined numerical range has a high regular reflectance and a diffuse reflectance, and their ratio (diffuse reflectance / regular reflectance) is also high. It became larger than 95%, and it turned out that high luminous efficiency can be achieved, and it turned out that all are useful as a fluorescent lamp alternative LED lamp (Examples 1-13).
In particular, comparison between Example 1 and Examples 2 to 13 reveals that the light emission efficiency tends to be higher when the surface shape is the surface shape of the reflective layer.

1 反射基板
2 金属基板
3 反射層
4 無機粒子
5 無機系結着剤
6 熱硬化性樹脂
7 絶縁基板(アルミナセラミックス)
8 金属配線層
9 LED発光素子
10 蛍光粒子
11 透明樹脂
20 LEDパッケージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reflective substrate 2 Metal substrate 3 Reflective layer 4 Inorganic particle 5 Inorganic binder 6 Thermosetting resin 7 Insulating substrate (alumina ceramics)
8 Metal wiring layer 9 LED light emitting element 10 Fluorescent particle 11 Transparent resin 20 LED package

Claims (5)

LED発光素子を実装する表面を有するLED発光素子用反射基板であって、
前記表面のうち、少なくとも前記LED発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さRaが0.50〜1.00μmであり、かつ、凹凸の平均間隔Psmが10〜20μmであるLED発光素子用反射基板。
A LED light emitting element reflective substrate having a surface on which the LED light emitting element is mounted,
Among the surfaces, at least the surface other than the portion on which the LED light emitting element is mounted has an arithmetic average roughness Ra of 0.50 to 1.00 μm, and an unevenness average interval Psm of 10 to 20 μm. Reflective substrate for light emitting element.
前記表面が、金属基板上に設けられる反射層の表面であり、
前記反射層が、平均粒子径が0.1〜5μmの無機粒子を用いて形成される請求項1に記載のLED発光素子用反射基板。
The surface is a surface of a reflective layer provided on a metal substrate;
The reflective board | substrate for LED light emitting elements of Claim 1 in which the said reflection layer is formed using an inorganic particle with an average particle diameter of 0.1-5 micrometers.
前記反射層が、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系結着剤を用いて形成される請求項2に記載のLED発光素子用反射基板。   The reflection for LED light emitting elements according to claim 2, wherein the reflection layer is further formed using at least one inorganic binder selected from the group consisting of aluminum phosphate, sodium silicate and aluminum chloride. substrate. 前記反射層が、さらに、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂およびケイ素樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の熱硬化性樹脂を用いて形成される請求項2に記載のLED発光素子用反射基板。   The reflective layer is further formed using at least one thermosetting resin selected from the group consisting of an epoxy resin, a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, an unsaturated polyester resin, and a silicon resin. The reflective board | substrate for LED light emitting elements of description. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のLED発光素子用反射基板と、前記表面に実装されたLED発光素子とを有するLEDパッケージ。   The LED package which has the reflecting substrate for LED light emitting elements of any one of Claims 1-4, and the LED light emitting element mounted in the said surface.
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