JP2013062339A - Composite substrate, electronic device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite substrate which improves the reliability, and to provide an electronic device and an electronic apparatus which include the composite substrate.SOLUTION: A composite substrate 1 includes: an insulation part 20 serving as a substrate body; and a separation part 15 penetrating through the insulation part 20. The separation part 15 is formed into a pillar shape having a flange part 15a at one end part and has a recessed part 15c, which is formed over the flange part 15a and a pillar shape part 15b and penetrates through the flange part 15a, and an opening 15d formed by the recessed part 15c in an area ranging from the flange part 15a to the pillar shape part 15b. A portion in the recessed part 15c at the insulation part 20 and a portion which surrounds the pillar shape part 15b are integrated through the opening 15d.

Description

本発明は、複合基板、この複合基板を備えた電子デバイス及び電子機器に関する。   The present invention relates to a composite substrate, an electronic device including the composite substrate, and an electronic apparatus.

従来、複合基板としては、相互に対向する一対の主面を有するガラス基板本体と、一対の主面の両方で少なくとも一部が露出するようにガラス基板本体に埋設されたシリコン島状体と、を具備したガラス基板が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1によれば、このガラス基板は、ガラス基板本体とシリコン島状体との界面で高い密着性が得られるとされている。
Conventionally, as a composite substrate, a glass substrate body having a pair of main surfaces facing each other, a silicon island body embedded in the glass substrate body so that at least a part of both of the pair of main surfaces are exposed, There is known a glass substrate provided with (for example, see Patent Document 1).
According to Patent Document 1, this glass substrate is said to have high adhesion at the interface between the glass substrate body and the silicon island.

特開2006−47279号公報JP 2006-47279 A

特許文献1によれば、上記ガラス基板は、シリコン島状体が加熱されたガラス基板に押し込まれることによりガラス基板本体に固定されている構成となっている。
しかしながら、上記ガラス基板は、実施の形態において、シリコン島状体が例えば、略円錐状、略角錐状、円柱状、角柱状などの、ガラス基板本体に係合する部分がない形状に形成されている。
このことから、上記ガラス基板は、厚さ方向に加わる外力に対するシリコン島状体の固定強度が不十分となる虞がある。
これにより、上記ガラス基板は、厚さ方向に加わる外力によって、シリコン島状体がガラス基板本体に対して厚さ方向にずれてしまう、あるいはガラス基板本体から脱落してしまうなどの不具合が発生する虞がある。
この結果、上記ガラス基板は、例えば、ガラス基板本体とシリコン島状体との気密性(密着性)を十分に保持できなくなり、信頼性が低下するという問題がある。
According to Patent Document 1, the glass substrate is configured to be fixed to the glass substrate body by pressing the silicon islands into the heated glass substrate.
However, in the embodiment, the glass substrate is formed in a shape in which the silicon island-like body does not have a portion that engages with the glass substrate body, such as a substantially conical shape, a substantially pyramid shape, a cylindrical shape, or a prism shape. Yes.
For this reason, the glass substrate may have insufficient fixing strength of the silicon island with respect to external force applied in the thickness direction.
As a result, the glass substrate has a problem that the silicon island is displaced in the thickness direction with respect to the glass substrate main body due to an external force applied in the thickness direction, or falls off the glass substrate main body. There is a fear.
As a result, for example, the glass substrate cannot sufficiently maintain the airtightness (adhesiveness) between the glass substrate body and the silicon island, and there is a problem that the reliability is lowered.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例にかかる複合基板は、絶縁部と、前記絶縁部を貫通して設けられ、両端が露出し、且つ、一方の端部に設けられているつば部及び該つば部上に設けられている柱状部を備えた導電部と、を備え、前記導電部は、前記つば部及び柱状部の内部に跨って設けられている凹部と、前記凹部に連通している開口部とを含み、前記開口部を介して前記つば部及び前記柱状部の内部に前記絶縁部が充填されていることを特徴とする。   Application Example 1 A composite substrate according to this application example includes an insulating part, a collar provided through the insulating part, both ends exposed, and a collar provided at one end, and the collar A conductive portion provided with a columnar portion provided on the concave portion provided across the collar portion and the columnar portion, and an opening communicating with the concave portion. The insulating part is filled in the collar part and the columnar part through the opening.

これによれば、複合基板は、導電部がつば部及び柱状部の内部に跨って設けられている凹部と、凹部に連通している開口部とを含み、開口部を介してつば部及び柱状部の内部に絶縁部が充填されている。
これにより、複合基板は、導電部が絶縁部に係合することとなり、厚さ方向に加わる外力に対する導電部(シリコン島状体に相当)の固定強度を、上記特許文献1の構成と比較して、格段に向上させることが可能となる。
この結果、複合基板は、上記特許文献1の構成よりも信頼性を向上させることができる。
According to this, the composite substrate includes a concave portion in which the conductive portion is provided across the inside of the collar portion and the columnar portion and an opening portion communicating with the concave portion, and the collar portion and the columnar shape via the opening portion. The inside of the part is filled with an insulating part.
Thus, in the composite substrate, the conductive portion is engaged with the insulating portion, and the fixing strength of the conductive portion (corresponding to a silicon island) with respect to the external force applied in the thickness direction is compared with the configuration of Patent Document 1. Thus, it becomes possible to significantly improve.
As a result, the composite substrate can be more reliable than the configuration of Patent Document 1.

[適用例2]上記適用例にかかる複合基板において、導電性を有すると共に、平面視で前記絶縁部の外周を枠状に取り巻く外周枠部を備えたことが好ましい。   Application Example 2 The composite substrate according to the application example described above preferably includes an outer peripheral frame portion that has conductivity and surrounds the outer periphery of the insulating portion in a frame shape in plan view.

これによれば、複合基板は、導電性を有すると共に、平面視で絶縁部の外周を枠状に取り巻く外周枠部を備えたことから、例えば、外周枠部を接地電位(GND)とすることにより、外部からのノイズ、静電気などに対するシールド効果を発揮することが可能となる。   According to this, the composite substrate has conductivity, and has an outer peripheral frame portion surrounding the outer periphery of the insulating portion in a frame shape in plan view. For example, the outer peripheral frame portion is set to a ground potential (GND). Thus, it is possible to exert a shielding effect against external noise, static electricity, and the like.

[適用例3]上記適用例にかかる複合基板において、前記外周枠部と前記導電部とを接続する梁部を備えたことが好ましい。   Application Example 3 In the composite substrate according to the application example described above, it is preferable that a beam portion that connects the outer peripheral frame portion and the conductive portion is provided.

これによれば、複合基板は、外周枠部と導電部とを接続する梁部を備えたことから、例えば、外部部材が搭載される導電部の電位を、梁部を介して外周枠部と同じ接地電位とすることで、外部部材に対する外部からのノイズ、静電気などに対するシールド効果を発揮することが可能となる。   According to this, since the composite substrate includes the beam portion that connects the outer peripheral frame portion and the conductive portion, for example, the potential of the conductive portion on which the external member is mounted is transferred to the outer peripheral frame portion via the beam portion. By setting the same ground potential, it is possible to exert a shielding effect against external noise and static electricity with respect to the external member.

[適用例4]上記適用例にかかる複合基板において、前記絶縁部は、ホウケイ酸ガラスを含み、前記導電部は、シリコンを含むことが好ましい。   Application Example 4 In the composite substrate according to the application example, it is preferable that the insulating portion includes borosilicate glass and the conductive portion includes silicon.

これによれば、複合基板は、絶縁部がホウケイ酸ガラスを含み、導電部がシリコンを含むことから、絶縁部と導電部との絶縁分離を確実に行うことができる。
加えて、複合基板は、導電部がシリコンを含むことから、その物性により加工精度の高い複合基板を提供することができる。
また、複合基板は、絶縁部がホウケイ酸ガラスを含み、導電部がシリコンを含むことから、絶縁部と導電部との陽極接合が可能となる。
これにより、複合基板は、接合部材を別途用意する必要のない陽極接合を用いた効率的な製造方法を採用することが可能となる。
According to this, since the insulating part includes borosilicate glass and the conductive part includes silicon, the insulating separation between the insulating part and the conductive part can be reliably performed.
In addition, since the conductive portion contains silicon, the composite substrate can provide a composite substrate with high processing accuracy due to its physical properties.
In the composite substrate, since the insulating portion includes borosilicate glass and the conductive portion includes silicon, anodic bonding between the insulating portion and the conductive portion is possible.
Thus, the composite substrate can employ an efficient manufacturing method using anodic bonding that does not require a separate bonding member.

[適用例5]上記適用例にかかる複合基板において、前記絶縁部は、可撓性を有する樹脂を含んでなることが好ましい。   Application Example 5 In the composite substrate according to the application example, it is preferable that the insulating portion includes a flexible resin.

これによれば、複合基板は、絶縁部が可撓性を有する樹脂を含んでなることから、例えば、絶縁部にポリイミド系の樹脂を用いることで、折り曲げることが可能なフレキシブル複合基板を提供することができる。   According to this, since the composite substrate includes the flexible resin in the insulating portion, for example, a flexible composite substrate that can be bent by using a polyimide-based resin for the insulating portion is provided. be able to.

[適用例6]上記適用例にかかる複合基板において、前記導電部の前記柱状部は、角柱状であり、前記開口部が前記角柱の前記絶縁部と接する面のそれぞれに設けられていることが好ましい。   Application Example 6 In the composite substrate according to the application example described above, the columnar portion of the conductive portion has a prismatic shape, and the opening is provided on each of the surfaces in contact with the insulating portion of the prism. preferable.

これによれば、複合基板は、導電部の柱状部が角柱状であり、開口部が角柱の絶縁部と接する面のそれぞれに設けられていることから、厚さ方向に加わる外力に対する導電部の固定強度を、更に向上させることができる。   According to this, in the composite substrate, the columnar portion of the conductive portion has a prismatic shape, and the opening is provided on each of the surfaces in contact with the insulating portion of the rectangular column, so that the conductive portion against the external force applied in the thickness direction is provided. The fixing strength can be further improved.

[適用例7]上記適用例にかかる複合基板において、前記導電部の前記柱状部は、円柱状であることが好ましい。   Application Example 7 In the composite substrate according to the application example described above, it is preferable that the columnar portion of the conductive portion has a cylindrical shape.

これによれば、複合基板は、導電部の柱状部が円柱状であることから、外力などが加わることにより生じる応力を、柱状部全体に略均等に分散させることができる。   According to this, since the columnar portion of the conductive portion is cylindrical, the composite substrate can disperse the stress generated by applying an external force or the like substantially evenly over the entire columnar portion.

[適用例8]本適用例にかかる電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載の複合基板と、前記複合基板に搭載された機能素子と、を備えたことを特徴とする。   Application Example 8 An electronic device according to this application example includes the composite substrate according to any one of the application examples described above and a functional element mounted on the composite substrate.

これによれば、本構成の電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載の複合基板と、複合基板に搭載された機能素子と、を備えたことから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果を奏する電子デバイスを提供することができる。   According to this, since the electronic device of this configuration includes the composite substrate described in any one of the application examples described above and the functional element mounted on the composite substrate, the electronic device according to any one of the application examples described above. An electronic device having the described effects can be provided.

[適用例9]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の複合基板を備えたことを特徴とする。   Application Example 9 An electronic device according to this application example includes the composite substrate according to any one of the application examples described above.

これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の複合基板を備えたことから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。   According to this, since the electronic apparatus of this configuration includes the composite substrate described in any one of the above application examples, it is possible to provide an electronic apparatus that exhibits the effects described in any one of the above application examples. it can.

複合基板の一例の概略構成を示す模式図であり、(a)は要部斜視図、(b)は、導電部の拡大斜視図、(c)は(a)のA−A線での断面図。It is a schematic diagram which shows schematic structure of an example of a composite substrate, (a) is a principal part perspective view, (b) is an expanded perspective view of an electroconductive part, (c) is the cross section in the AA of (a). Figure. 図1(b)の模式平面図であり、(a)は第1主面側から見た平面図、(b)は第2主面側から見た平面図。It is a schematic plan view of FIG.1 (b), (a) is the top view seen from the 1st main surface side, (b) is the top view seen from the 2nd main surface side. 複合基板の製造工程の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the manufacturing process of a composite substrate. (a)〜(d)は、各主要製造工程を説明する模式断面図。(A)-(d) is a schematic cross section explaining each main manufacturing process. (e)〜(g)は、各主要製造工程を説明する模式断面図。(E)-(g) is a schematic cross section explaining each main manufacturing process. ホウケイ酸ガラスの加熱温度と粘度との関係を表すグラフ。The graph showing the relationship between the heating temperature and viscosity of borosilicate glass. 分離部の柱状部形状のバリエーションを示す模式平面図であり、(a)は六角柱状の柱状部を示す平面図、(b)は円柱状の柱状部を示す平面図。It is a schematic top view which shows the variation of the columnar part shape of a isolation | separation part, (a) is a top view which shows a hexagonal columnar columnar part, (b) is a top view which shows a cylindrical columnar part. 物理量センサーの概略構成を示す模式部分展開斜視図。The model partial expansion perspective view which shows schematic structure of a physical quantity sensor. 複合基板を備えた電子機器としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the mobile type (or notebook type) personal computer as an electronic device provided with the composite substrate. 複合基板を備えた電子機器としての携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) as an electronic device provided with the composite substrate. 複合基板を備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the digital still camera as an electronic device provided with the composite substrate.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

(実施形態)
<複合基板>
最初に、複合基板の概略構成について説明する。
図1は、ウエハー状に複数個取りされた状態の複合基板の一例の概略構成を示す模式図である。図1(a)は、要部斜視図であり、図1(b)は、導電部の拡大斜視図であり、図1(c)は、図1(a)のA−A線での断面図である。
図2は、図1(b)の模式平面図であり、図2(a)は、第1主面側から見た平面図、図2(b)は、第2主面側から見た平面図である。
なお、以降の図を含め、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図1(a)の2点鎖線は、個片に分割する際の分割線を表す。
(Embodiment)
<Composite substrate>
First, a schematic configuration of the composite substrate will be described.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an example of a composite substrate in a state where a plurality of wafers are taken. 1A is a perspective view of a main part, FIG. 1B is an enlarged perspective view of a conductive part, and FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG.
2 is a schematic plan view of FIG. 1B, FIG. 2A is a plan view seen from the first main surface side, and FIG. 2B is a plan view seen from the second main surface side. FIG.
In addition, for convenience of explanation, including the following figures, the dimensional ratios of the constituent elements are different from actual ones. Moreover, the two-dot chain line of Fig.1 (a) represents the dividing line at the time of dividing | segmenting into a piece.

図1、図2に示すように、複合基板1は、基板本体である平板状の絶縁部20と、絶縁部20を厚さ方向に貫通する導電部としての複数の分離部15と、を備えている。
分離部15は、絶縁部20に連接し露出する平面である第1主面11及び第2主面13を有している。そして、分離部15は、第2主面13側の一方の端部につば部15aが設けられ、つば部15a上に柱状部15bが設けられ、つば部15aと柱状部15bの内部とに跨り、つば部15aを厚さ方向(第1主面11と第2主面13とを結ぶ方向)に貫通する凹部15cと、凹部15cが設けられることにより、つば部15aから柱状部15bにかけて形成された(換言すれば、凹部15cに連通した)開口部15dと、を有している。
これにより、複合基板1は、絶縁部20における分離部15の凹部15c内の部分と、柱状部15bを取り巻く部分とが、開口部15dを介して一体化されている。換言すれば、複合基板1は、開口部15dを介してつば部15a及び柱状部15bの内部に絶縁部20が充填されている。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the composite substrate 1 includes a flat plate-like insulating portion 20 that is a substrate body, and a plurality of separating portions 15 as conductive portions that penetrate the insulating portion 20 in the thickness direction. ing.
The separation portion 15 has a first main surface 11 and a second main surface 13 which are flat surfaces connected to and exposed to the insulating portion 20. The separating portion 15 is provided with a collar portion 15a at one end portion on the second main surface 13 side, a columnar portion 15b is provided on the collar portion 15a, and straddles the collar portion 15a and the inside of the columnar portion 15b. The recess 15c penetrating the collar portion 15a in the thickness direction (the direction connecting the first main surface 11 and the second main surface 13) and the recess 15c are provided so as to extend from the collar portion 15a to the columnar portion 15b. (In other words, an opening 15d communicating with the recess 15c).
Thus, in the composite substrate 1, the part in the recess 15 c of the separation part 15 in the insulating part 20 and the part surrounding the columnar part 15 b are integrated via the opening 15 d. In other words, the composite substrate 1 is filled with the insulating portion 20 inside the collar portion 15a and the columnar portion 15b through the opening 15d.

分離部15は、柱状部15bが角柱状(ここでは、四角柱状)であり、開口部15dが四角柱(柱状部15b)の絶縁部20と接する面(ここでは、4つの側面)のそれぞれに設けられている(ここでは、4箇所に設けられている)。
図2に示すように、分離部15の凹部15cの平面形状は、菱形形状(換言すれば、上記柱状部15bを、柱状部15bの中心を回転軸にして45度回転させた四角形形状)であり、平面視で柱状部15bと交差し、柱状部15bの外側に出る部分が平面視における開口部15dとなる。なお、分かり易くするために図2(a)では第1主面11に、図2(b)では、第2主面13に網かけを施してある。
一方、厚さ方向においては、図1(c)に示すように、凹部15cの深さD1と、つば部15aの厚さT1との差の部分(D1−T1)が開口部15dとなる。
The separation portion 15 has a columnar portion 15b having a prismatic shape (here, a quadrangular columnar shape) and an opening portion 15d on each of the surfaces (here, four side surfaces) in contact with the insulating portion 20 of the quadrangular column (the columnar portion 15b). Provided (here, provided at four locations).
As shown in FIG. 2, the planar shape of the concave portion 15c of the separating portion 15 is a rhombus shape (in other words, a rectangular shape obtained by rotating the columnar portion 15b by 45 degrees around the center of the columnar portion 15b). Yes, a portion that intersects the columnar portion 15b in a plan view and goes outside the columnar portion 15b is an opening 15d in the plan view. For easy understanding, the first main surface 11 is shaded in FIG. 2A and the second main surface 13 is shaded in FIG. 2B.
On the other hand, in the thickness direction, as shown in FIG. 1C, the difference (D1-T1) between the depth D1 of the recess 15c and the thickness T1 of the flange 15a becomes the opening 15d.

複合基板1は、導電性を有すると共に、平面視で絶縁部20の外周を枠状(ここでは、四角い枠状)に取り巻く外周枠部10を備えている。また、複合基板1は、外周枠部10と分離部15とを接続する(機械的及び電気的に接続する)梁部12を備えている。なお、説明の便宜上、梁部12により外周枠部10と接続された分離部15を引き出し部16という。
なお、複合基板1は、外周枠部10にも、つば部10a、開口部10dが形成されていることが好ましい。
The composite substrate 1 has conductivity and includes an outer peripheral frame portion 10 that surrounds the outer periphery of the insulating portion 20 in a frame shape (here, a square frame shape) in plan view. The composite substrate 1 includes a beam portion 12 that connects (mechanically and electrically connects) the outer peripheral frame portion 10 and the separation portion 15. For convenience of explanation, the separating portion 15 connected to the outer peripheral frame portion 10 by the beam portion 12 is referred to as a drawer portion 16.
In the composite substrate 1, it is preferable that a collar 10 a and an opening 10 d are also formed in the outer peripheral frame 10.

分離部15、外周枠部10及び引き出し部16には、例えば、リン、ボロンなどの不純物がドープされた単結晶シリコン、ポリシリコンなどの低抵抗シリコンが用いられている。そして、絶縁部20には、例えば、ナトリウムなどのアルカリ金属イオン(可動イオン)を含んだホウケイ酸ガラスが用いられている。   For the separation portion 15, the outer peripheral frame portion 10, and the lead portion 16, for example, low-resistance silicon such as single crystal silicon or polysilicon doped with impurities such as phosphorus and boron is used. The insulating portion 20 is made of, for example, borosilicate glass containing alkali metal ions (movable ions) such as sodium.

図1(c)に示すように、分離部15及び引き出し部16の少なくとも一部には、第1主面11及び第2主面13に電極パッド17が設けられている。電極パッド17の材料としては、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このように形成された分離部15及び引き出し部16は、例えば、第1主面11側の外部部材(外部素子、外部機器)と、第2主面13側の外部部材とを、第1主面11側及び第2主面13側間の気密性を有した状態で電気的に接続する貫通電極として機能する。
As shown in FIG. 1C, electrode pads 17 are provided on the first main surface 11 and the second main surface 13 in at least a part of the separation portion 15 and the lead portion 16. Examples of the material of the electrode pad 17 include Au, Pt, Ag, Cu, Al, and alloys containing these, and one or more of these can be used in combination.
The separation part 15 and the drawer part 16 formed in this way are, for example, an external member (external element, external device) on the first main surface 11 side and an external member on the second main surface 13 side. It functions as a through electrode that is electrically connected in a state of having airtightness between the surface 11 side and the second main surface 13 side.

ウエハー状に複数個取りされた状態の複合基板1は、図示しないダイシングソーなどの分割装置により図1(a)に示す分割線(2点鎖線)に沿って個片に分割される。   A plurality of composite substrates 1 in a wafer shape are divided into individual pieces along a dividing line (two-dot chain line) shown in FIG. 1A by a dividing device such as a dicing saw (not shown).

次に、複合基板1の製造方法について説明する。
図3は、複合基板の製造工程の一例を示すフローチャートであり、図4(a)〜(d)、図5(e)〜(g)は、各主要製造工程を説明する模式断面図である。なお、これらの断面図は、図1(a)のB−B線での断面図に相当する。
図3に示すように、複合基板1の製造方法は、柱状部形成工程S1と、ガラス基板接合工程S2と、凹部形成工程S3と、加熱・吸引工程S4と、研磨工程S5と、電極パッド形成工程S6と、分割工程S7と、を有している。
Next, a method for manufacturing the composite substrate 1 will be described.
FIG. 3 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the composite substrate, and FIGS. 4A to 4D and 5E to 5G are schematic cross-sectional views for explaining the main manufacturing processes. . These cross-sectional views correspond to the cross-sectional view taken along line BB in FIG.
As shown in FIG. 3, the manufacturing method of the composite substrate 1 includes a columnar portion forming step S1, a glass substrate bonding step S2, a concave portion forming step S3, a heating / suction step S4, a polishing step S5, and an electrode pad formation. It has process S6 and division process S7.

[柱状部形成工程S1]
まず、図4(a)に示すように、例えば、厚さ約300μmの、後に分離部15、外周枠部10及び引き出し部16となるシリコン基板115の第1主面11に、SiO2(二酸化ケイ素)を含んでなるマスクパターン101をフォトリソグラフィー法により形成する。
ついで、SF6(六フッ化硫黄)をエッチングガスとして第1主面11を、例えば、約200μmの深さまでドライエッチングし、分離部15の柱状部15b、引き出し部16の柱状部16b及び外周枠部10における柱状部に相当する部分の外形形状を形成する。
[Columnar Forming Step S1]
First, as shown in FIG. 4A, for example, SiO 2 (dioxide dioxide) is formed on the first main surface 11 of the silicon substrate 115 having a thickness of about 300 μm, which will later become the separation portion 15, the outer peripheral frame portion 10, and the extraction portion 16. A mask pattern 101 containing silicon is formed by a photolithography method.
Next, the first main surface 11 is dry-etched to a depth of, for example, about 200 μm using SF 6 (sulfur hexafluoride) as an etching gas, and the columnar portion 15b of the separation portion 15, the columnar portion 16b of the lead-out portion 16, and the outer peripheral frame. The outer shape of the part corresponding to the columnar part in the part 10 is formed.

[ガラス基板接合工程S2]
ついで、図4(b)に示すように、シリコン基板115の第1主面11に、例えば、厚さ約400μmの、後に絶縁部20となるガラス基板120を陽極接合法により接合する。
詳述すると、低抵抗シリコンであるシリコン基板115と、ナトリウムなどのアルカリ金属イオン(可動イオン)を含むホウケイ酸ガラスであるガラス基板120とを、約320℃の窒素雰囲気中で約800Vの電圧印加により陽極接合する。これにより、シリコン基板115とガラス基板120とは、静電引力により界面に共有結合が生じ強固に接合される。
[Glass substrate bonding step S2]
Next, as shown in FIG. 4B, a glass substrate 120 having a thickness of about 400 μm, which will later become the insulating portion 20, is bonded to the first main surface 11 of the silicon substrate 115 by an anodic bonding method.
More specifically, a voltage of about 800 V is applied to a silicon substrate 115 that is low-resistance silicon and a glass substrate 120 that is borosilicate glass containing alkali metal ions (mobile ions) such as sodium in a nitrogen atmosphere at about 320 ° C. Anodic bonding is performed. As a result, the silicon substrate 115 and the glass substrate 120 are strongly bonded to each other due to a covalent bond at the interface due to electrostatic attraction.

[凹部形成工程S3]
ついで、図4(c)に示すように、シリコン基板115の第2主面13に、SiO2からなるマスクパターン102をフォトリソグラフィー法により形成する。
ついで、SF6をエッチングガスとして第2主面13を、例えば、約200μmの深さまでドライエッチングし、複数の凹部15c,16cと、分離部15、外周枠部10及び引き出し部16をそれぞれ独立(分離)させる凹部18と、を形成する。
これにより、開口部15d,16d、つば部15a,16a,10aが形成される。このとき、図4(c)では図示しないが、外周枠部10にも、開口部10d(図1(c)参照)が形成される。そして、互いに繋がっていた分離部15、外周枠部10及び引き出し部16の第2主面13側が分離する。
[Concave forming step S3]
Next, as shown in FIG. 4C, a mask pattern 102 made of SiO 2 is formed on the second main surface 13 of the silicon substrate 115 by photolithography.
Next, the second main surface 13 is dry-etched to a depth of, for example, about 200 μm using SF 6 as an etching gas, and the plurality of recesses 15c, 16c, the separation portion 15, the outer peripheral frame portion 10, and the lead portion 16 are independent ( And a recess 18 to be separated).
Thereby, the openings 15d and 16d and the flanges 15a, 16a and 10a are formed. At this time, although not shown in FIG. 4C, an opening 10 d (see FIG. 1C) is also formed in the outer peripheral frame portion 10. And the 2nd main surface 13 side of the isolation | separation part 15, the outer periphery frame part 10, and the drawer | drawing-out part 16 which were mutually connected isolate | separates.

[加熱・吸引工程S4]
ついで、図4(d)に示すように、製造装置50を用いて、シリコン基板115の第1主面11側の分離部15、外周枠部10及び引き出し部16を取り巻く部分(以降、第1凹部116という)及び第2主面13側の凹部15c,16c,18、図示しない外周枠部10の凹部(以降、第2凹部118という)にガラス基板120を充填する。
複合基板1の製造装置50は、シリコン基板115の第2主面13を載置面51に載置し、シリコン基板115を介してガラス基板120を加熱して粘性流動状態にする加熱部52と、加熱部52の平滑な載置面51に設けられた複数の微細な貫通孔53を介してシリコン基板115の第2主面13側から吸引し、粘性流動状態のガラス基板120をシリコン基板115の第1凹部116及び第2凹部118に充填する吸引部54と、シリコン基板115、ガラス基板120、加熱部52、吸引部54の吸引口部分を収容する気密チャンバー55と、を備えた構成となっている。
[Heating / Suction Step S4]
Next, as shown in FIG. 4D, using the manufacturing apparatus 50, a portion surrounding the separation portion 15, the outer peripheral frame portion 10, and the drawer portion 16 on the first main surface 11 side of the silicon substrate 115 (hereinafter referred to as a first portion). The glass substrate 120 is filled in the recesses 116), the recesses 15 c, 16 c, 18 on the second main surface 13 side, and the recesses of the outer peripheral frame 10 (not shown) (hereinafter referred to as the second recesses 118).
The composite substrate 1 manufacturing apparatus 50 includes a heating unit 52 that places the second main surface 13 of the silicon substrate 115 on the placement surface 51 and heats the glass substrate 120 via the silicon substrate 115 to bring the glass substrate 120 into a viscous flow state. The glass substrate 120 in a viscous flow state is sucked from the second main surface 13 side of the silicon substrate 115 through a plurality of fine through holes 53 provided on the smooth mounting surface 51 of the heating unit 52. A suction section 54 that fills the first recess 116 and the second recess 118, a silicon substrate 115, a glass substrate 120, a heating section 52, and an airtight chamber 55 that accommodates the suction port portion of the suction section 54. It has become.

詳述すると、まず、気密チャンバー55内において、シリコン基板115の第2主面13を、ヒーターなどを備えた加熱部52の載置面51に載置し、加熱部52によりシリコン基板115を介してガラス基板120を加熱して粘性流動状態にする。
この際、加熱温度は、図6のホウケイ酸ガラスの加熱温度と粘度との関係を表すグラフに示すように、ガラス基板120の粘度η(dPa・s)の対数Logηが7.5〜14.0(dPa・s)の範囲内となるように設定されていることが好ましい。
加熱温度の一例としては、例えば、ホウケイ酸ガラスのガラス転移点以上で、且つ、ガラス軟化点以下の温度である約525℃〜約820℃の温度範囲が挙げられる。なお、後述するように、本製造方法は、真空状態で加熱することから、大気圧下で加熱する場合よりも加熱時間を短くすることが可能となる。
More specifically, first, in the hermetic chamber 55, the second main surface 13 of the silicon substrate 115 is placed on the placement surface 51 of the heating unit 52 provided with a heater or the like, and the heating unit 52 passes the silicon substrate 115 through the silicon substrate 115. The glass substrate 120 is heated to a viscous flow state.
At this time, the logarithm Log η of the viscosity η (dPa · s) of the glass substrate 120 is 7.5 to 14.4 as shown in the graph showing the relationship between the heating temperature and the viscosity of the borosilicate glass in FIG. It is preferably set to be within the range of 0 (dPa · s).
As an example of heating temperature, the temperature range of about 525 degreeC-about 820 degreeC which is the glass transition point of borosilicate glass and the temperature below a glass softening point is mentioned, for example. As will be described later, since the present manufacturing method is heated in a vacuum state, the heating time can be shortened as compared with the case of heating at atmospheric pressure.

上記加熱と共に、ガラス基板120を、吸引部54により加熱部52の載置面51に設けられた複数の微細な貫通孔53を介して、シリコン基板115の第2主面13側から真空状態(10-2Pa程度の減圧状態)で吸引(真空引き)する。これにより、粘性流動状態のガラス基板120を、シリコン基板115の第1凹部116及び、第1凹部116と第2凹部118との連通部分(開口部10d,15d,16d)から第2凹部118に充填する。
このとき、シリコン基板115の第2主面13は、吸引により加熱部52の載置面51に密着している(吸着されている)ことから、第2主面13側への粘性流動状態のガラス基板120の侵入や、分離部15の移動(位置ずれ)が回避される。
Along with the heating, the glass substrate 120 is vacuumed from the second main surface 13 side of the silicon substrate 115 through the plurality of fine through holes 53 provided on the mounting surface 51 of the heating unit 52 by the suction unit 54 ( Suction (evacuation) is performed at a reduced pressure of about 10 −2 Pa. Thereby, the glass substrate 120 in the viscous flow state is transferred from the first recess 116 of the silicon substrate 115 and the communication portion (opening portions 10d, 15d, 16d) between the first recess 116 and the second recess 118 to the second recess 118. Fill.
At this time, since the second main surface 13 of the silicon substrate 115 is in close contact (adsorbed) with the mounting surface 51 of the heating unit 52 by suction, the second main surface 13 is in a viscous flow state toward the second main surface 13 side. Intrusion of the glass substrate 120 and movement (position shift) of the separation unit 15 are avoided.

[研磨工程S5]
ついで、図5(e)に示すように、ウエハー状態の複合基板1の第1主面11側及び第2主面13側を研磨し、吸引時にシリコン基板115の第1主面11に僅かに残ったガラス基板120の残渣や、吸引時に貫通孔53内に引き込まれ、シリコン基板115の第2主面13から外側(貫通孔53側)に僅かに突出したガラス基板120の突出部を平滑化する。
[Polishing step S5]
Next, as shown in FIG. 5 (e), the first main surface 11 side and the second main surface 13 side of the composite substrate 1 in the wafer state are polished, and slightly attracted to the first main surface 11 of the silicon substrate 115 during suction. The remaining glass substrate 120 residue and the protruding portion of the glass substrate 120 that is drawn into the through hole 53 during suction and slightly protrudes from the second main surface 13 of the silicon substrate 115 to the outside (through hole 53 side) are smoothed. To do.

[電極パッド形成工程S6]
ついで、図5(f)に示すように、分離部15及び引き出し部16の第1主面11側及び第2主面13側に、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金などの電極材料を用いて、蒸着またはスパッタリングにより電極パッド17を形成する。
これにより、分離部15及び引き出し部16は、貫通電極としての機能を有することとなる。
[Electrode pad forming step S6]
Next, as shown in FIG. 5 (f), for example, Au, Pt, Ag, Cu, Al, or these are included on the first main surface 11 side and the second main surface 13 side of the separation portion 15 and the lead-out portion 16. An electrode pad 17 is formed by vapor deposition or sputtering using an electrode material such as an alloy.
Thereby, the separation part 15 and the lead part 16 have a function as a through electrode.

[分割工程S7]
ついで、図5(g)に示すように、ウエハー状態の複合基板1を図示しないダイシングソーなどの分割装置により、分割線19に沿って個片に分割する。これにより、例えば、後述する図8に示す物理量センサー2に用いられるような複合基板1を得る。
なお、上記柱状部形成工程S1及び凹部形成工程S3におけるドライエッチングに代えて、ウエットエッチングとしてもよい。
[Division step S7]
Next, as shown in FIG. 5G, the composite substrate 1 in a wafer state is divided into individual pieces along a dividing line 19 by a dividing device such as a dicing saw (not shown). Thereby, for example, a composite substrate 1 used in a physical quantity sensor 2 shown in FIG.
In addition, it may be wet etching instead of the dry etching in the columnar portion forming step S1 and the concave portion forming step S3.

上述したように、本実施形態の複合基板1は、分離部15が、つば部15aを有する柱状であって、つば部15aと柱状部15bとに跨り、つば部15aを貫通する凹部15cと、つば部15aから柱状部15bにかけて形成された開口部15dとを、有している。そして、複合基板1は、絶縁部20における凹部15c内の部分と、柱状部15bを取り巻く部分とが、開口部15dを介して一体化されている。
これにより、複合基板1は、分離部15が絶縁部20に係合することとなり、厚さ方向に加わる外力に対する分離部15の固定強度を、従来の特許文献1の構成と比較して、格段に向上させることが可能となる。この結果、複合基板1は、特許文献1の構成よりも信頼性を向上させることができる。
As described above, in the composite substrate 1 of the present embodiment, the separation portion 15 has a columnar shape having the collar portion 15a, the recess portion 15c straddling the collar portion 15a and the columnar portion 15b, and penetrating the collar portion 15a, And an opening 15d formed from the collar portion 15a to the columnar portion 15b. In the composite substrate 1, a portion in the recess 15 c in the insulating portion 20 and a portion surrounding the columnar portion 15 b are integrated through the opening 15 d.
Thereby, in the composite substrate 1, the separation portion 15 is engaged with the insulating portion 20, and the fixing strength of the separation portion 15 with respect to the external force applied in the thickness direction is significantly higher than that of the configuration of the conventional Patent Document 1. Can be improved. As a result, the composite substrate 1 can be more reliable than the configuration of Patent Document 1.

また、複合基板1は、導電性を有すると共に、平面視で絶縁部20の外周を枠状に取り巻く外周枠部10を備えたことから、例えば、外周枠部10を接地電位(GND)とすることにより、外部からのノイズ、静電気などに対するシールド効果を発揮することが可能となる。   In addition, since the composite substrate 1 includes the outer peripheral frame portion 10 that has conductivity and surrounds the outer periphery of the insulating portion 20 in a plan view in a plan view, for example, the outer peripheral frame portion 10 is set to a ground potential (GND). As a result, it is possible to exert a shielding effect against external noise, static electricity, and the like.

また、複合基板1は、外周枠部10と分離部15とを接続する梁部12を備えたことから、例えば、外部部材が搭載される引き出し部16の電位を、梁部12を介して外周枠部10と同じ接地電位とすることで、外部部材に対する外部からのノイズ、静電気などに対するシールド効果を発揮することが可能となる。   In addition, since the composite substrate 1 includes the beam portion 12 that connects the outer peripheral frame portion 10 and the separation portion 15, for example, the potential of the drawer portion 16 on which an external member is mounted is set to the outer periphery via the beam portion 12. By setting the same ground potential as that of the frame part 10, it is possible to exert a shielding effect against external noise and static electricity with respect to the external member.

また、複合基板1は、絶縁部20がホウケイ酸ガラスを含み、分離部15がシリコンを含むことから、絶縁部20と分離部15との絶縁分離を確実に行うことができる。
加えて、複合基板1は、分離部15がシリコンを含むから、その物性により加工精度の高い複合基板を提供することができる。
また、複合基板1は、絶縁部20がホウケイ酸ガラスを含み、分離部15がシリコンを含むことから、絶縁部20(ガラス基板120)と分離部15(シリコン基板115)との陽極接合が可能となる。
これにより、複合基板1は、製造工程においてガラス基板120とシリコン基板115とを陽極接合することによって、接合部材を別途用意することなく、効率的な製造が可能となる。
Moreover, since the insulating part 20 contains borosilicate glass and the separating part 15 contains silicon, the composite substrate 1 can reliably perform the insulating separation between the insulating part 20 and the separating part 15.
In addition, since the separation part 15 contains silicon, the composite substrate 1 can provide a composite substrate with high processing accuracy due to its physical properties.
Moreover, since the insulating part 20 contains borosilicate glass and the separating part 15 contains silicon, the composite substrate 1 can be anodic bonded to the insulating part 20 (glass substrate 120) and the separating part 15 (silicon substrate 115). It becomes.
Thus, the composite substrate 1 can be efficiently manufactured without separately preparing a bonding member by anodically bonding the glass substrate 120 and the silicon substrate 115 in the manufacturing process.

また、複合基板1は、分離部15の柱状部15bが四角柱状であり、開口部15dが四角柱(柱状部15b)の絶縁部20と接する4面のそれぞれに設けられていることから、厚さ方向に加わる外力に対する分離部15の固定強度を、例えば、開口部15dが4面の内の一部の面に設けられている場合よりも、更に向上させることができる。
なお、分離部15(引き出し部16)の柱状部15b(16b)の形状は、四角柱状に限定されるものではなく、図7に示すような形状であってもよい。
Further, in the composite substrate 1, the columnar portion 15b of the separation portion 15 is a quadrangular columnar shape, and the opening 15d is provided on each of the four surfaces in contact with the insulating portion 20 of the quadrangular column (columnar portion 15b). For example, the fixing strength of the separating portion 15 against the external force applied in the vertical direction can be further improved as compared with the case where the opening portion 15d is provided on a part of the four surfaces.
Note that the shape of the columnar portion 15b (16b) of the separation portion 15 (drawer portion 16) is not limited to a square columnar shape, and may be a shape as shown in FIG.

図7は、分離部の柱状部形状のバリエーションを示す模式平面図であり、図7(a)は、六角柱状の柱状部を示す平面図、図7(b)は、円柱状の柱状部を示す平面図である。
図7(a)に示すように、分離部15の柱状部15bの形状は、六角柱状であってもよい。これによれば、複合基板1は、凹部15cの平面形状を柱状部15bの形状に合わせて六角形とすることで、開口部15dを6箇所設けることができる。
この結果、複合基板1は、厚さ方向に加わる外力に対する分離部15の固定強度を、上記実施形態よりも更に向上させることが可能となる。
なお、分離部15の柱状部15bの形状は、三角柱状であってもよく、五角柱状や八角柱状などの多角柱状であってもよい。
FIG. 7 is a schematic plan view showing variations of the columnar part shape of the separation part, FIG. 7A is a plan view showing the hexagonal columnar part, and FIG. 7B is a columnar part. FIG.
As shown in FIG. 7A, the columnar portion 15b of the separating portion 15 may have a hexagonal columnar shape. According to this, the composite substrate 1 can be provided with six openings 15d by making the planar shape of the recess 15c into a hexagon according to the shape of the columnar portion 15b.
As a result, the composite substrate 1 can further improve the fixing strength of the separation portion 15 against an external force applied in the thickness direction, as compared with the above embodiment.
The shape of the columnar portion 15b of the separating portion 15 may be a triangular prism shape, or may be a polygonal column shape such as a pentagonal column shape or an octagonal column shape.

また、図7(b)に示すように、分離部15の柱状部15bの形状は、円柱状であってもよい。これによれば、複合基板1は、分離部15の柱状部15bが円柱状であることから、外力などが加わることにより生じる応力を、柱状部15b全体に略均等に分散させることができる。
なお、分離部15の柱状部15bの形状は、角柱状でもなく円柱状でもない、例えば、楕円柱状などの異形柱状であってもよい。
Moreover, as shown in FIG.7 (b), the columnar part 15b of the isolation | separation part 15 may be cylindrical. According to this, since the columnar part 15b of the separation part 15 is cylindrical, the composite substrate 1 can disperse the stress generated by the application of an external force or the like substantially uniformly throughout the columnar part 15b.
Note that the shape of the columnar portion 15b of the separation portion 15 may be neither a prismatic column nor a cylindrical shape, for example, an irregular columnar shape such as an elliptical columnar shape.

なお、分離部15の凹部15cの平面形状は、菱形(四角形)や六角形などの多角形に限定されるものではなく、例えば、図7(b)に示すような、十字穴付きねじの十字穴形状のような形状であってもよい。これによれば、複合基板1は、隣り合う開口部15d間の柱状部15bの径方向(第1主面11に沿った方向)の肉厚を十分に確保することが可能となることから、分離部15の固定強度を更に向上させることができる。
なお、つば部15aの平面形状は、四角形状に限定されるものではなく、五角形や六角形、八角形などの多角形状としてもよく、円形状としてもよい。
Note that the planar shape of the recess 15c of the separating portion 15 is not limited to a polygon such as a rhombus (quadrangle) or a hexagon, and for example, a cross of a cross-recessed screw as shown in FIG. It may be a shape like a hole. According to this, the composite substrate 1 can sufficiently secure the thickness in the radial direction (the direction along the first main surface 11) of the columnar portion 15b between the adjacent openings 15d. The fixing strength of the separation part 15 can be further improved.
The planar shape of the collar portion 15a is not limited to a quadrangular shape, and may be a polygonal shape such as a pentagon, hexagon, or octagon, or a circular shape.

また、複合基板1は、ホウケイ酸ガラスに変えて可撓性を有する樹脂を絶縁部20に用いてもよい。これによれば、複合基板1は、絶縁部20が可撓性を有する樹脂を含んでなることから、例えば、絶縁部20にポリイミド系の樹脂を用いることで、折り曲げることが可能なフレキシブル複合基板を提供することができる。
なお、引き出し部16、外周枠部10は、複合基板1の用途によっては、なくてもよい。
Further, the composite substrate 1 may use a flexible resin for the insulating portion 20 instead of borosilicate glass. According to this, since the insulating substrate 20 includes a flexible resin, the composite substrate 1 can be bent by using, for example, a polyimide resin for the insulating member 20. Can be provided.
In addition, the drawer | drawing-out part 16 and the outer periphery frame part 10 do not need depending on the use of the composite substrate 1. FIG.

<電子デバイス>
次に、複合基板と、複合基板に搭載された機能素子と、を備えた電子デバイスについて説明する。
上述した複合基板1は、例えば、電子デバイスのパッケージ機能を兼ね備えた基板として用いることが可能である。ここでは、複合基板1を備えた電子デバイスの一例としての物理量センサーについて説明する。
図8は、物理量センサーの概略構成を示す模式部分展開斜視図である。
<Electronic device>
Next, an electronic device including a composite substrate and a functional element mounted on the composite substrate will be described.
The composite substrate 1 described above can be used as a substrate having a package function of an electronic device, for example. Here, a physical quantity sensor as an example of an electronic device including the composite substrate 1 will be described.
FIG. 8 is a schematic partially developed perspective view showing a schematic configuration of the physical quantity sensor.

図8に示すように、物理量センサー2は、パッケージベースを兼ねた複合基板1と、複合基板1に搭載された機能素子の一例としてのセンサー素子30と、センサー素子30を覆い複合基板1に気密に接合されたキャップ40(蓋体)と、を備えている。
これにより、物理量センサー2は、複合基板1とキャップ40とで、センサー素子30を収容するパッケージ60が構成されていることとなる。
As shown in FIG. 8, the physical quantity sensor 2 includes a composite substrate 1 that also serves as a package base, a sensor element 30 as an example of a functional element mounted on the composite substrate 1, and covers the sensor element 30 and is airtight to the composite substrate 1. And a cap 40 (lid) joined to each other.
Thus, in the physical quantity sensor 2, the composite substrate 1 and the cap 40 constitute a package 60 that houses the sensor element 30.

センサー素子30は、例えば、複合基板1の引き出し部16に取り付けられ、センサー素子30の図示しない複数の端子は、例えば、Au、Alなどの金属ワイヤー31を用いたワイヤーボンディングにより、複合基板1の分離部15(引き出し部16)にそれぞれ接続されている(電気的に接続されている)。
なお、センサー素子30は、表裏を反転し、複数の端子が直接またはAu、Al、ハンダなどのバンプを介して、分離部15(引き出し部16)にフリップチップ実装される構成とすることも可能である。
The sensor element 30 is attached to, for example, the drawer portion 16 of the composite substrate 1, and a plurality of terminals (not shown) of the sensor element 30 are formed on the composite substrate 1 by wire bonding using a metal wire 31 such as Au or Al. Each is connected (electrically connected) to the separation part 15 (drawer part 16).
The sensor element 30 can also be configured to be flip-chip mounted on the separating portion 15 (leading portion 16) with a plurality of terminals reversed directly or via bumps such as Au, Al, solder, etc. It is.

キャップ40は、一面が開口した箱状に形成されており、内部空間41を介してセンサー素子30、金属ワイヤー31を覆い、開口側が複合基板1の外周枠部10に接合されている。なお、キャップ40は、ナトリウムなどのアルカリ金属イオン(可動イオン)を含むガラス(例えば、ホウケイ酸ガラス)を用いることにより、複合基板1のシリコンを含んでなる外周枠部10との陽極接合が可能となる。
また、物理量センサー2は、キャップ40に導電性材料を用いることにより、例えば、外周枠部10を接地電位(GND)とすることで、複合基板1とキャップ40とによって、外部からのノイズ、静電気などに対するシールド効果を発揮することが可能となる。
The cap 40 is formed in a box shape with one surface opened, covers the sensor element 30 and the metal wire 31 through the internal space 41, and the opening side is joined to the outer peripheral frame portion 10 of the composite substrate 1. The cap 40 can be anodic bonded to the outer peripheral frame 10 containing silicon of the composite substrate 1 by using glass (for example, borosilicate glass) containing alkali metal ions (mobile ions) such as sodium. It becomes.
Further, the physical quantity sensor 2 uses a conductive material for the cap 40, for example, by setting the outer peripheral frame portion 10 to the ground potential (GND), so that the composite substrate 1 and the cap 40 can cause noise and static electricity from the outside. It is possible to exert a shielding effect against such as.

物理量センサー2の内部空間41は、気密に封止されており、センサー素子30の種類(例えば、圧力センサー、加速度センサー、角速度センサーなど)や物理量の検出方法によって、真空状態(減圧状態)または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
このような構成により、物理量センサー2は、センサー素子30を、複合基板1の貫通電極として機能し固定強度の向上によって信頼性が向上した分離部15(引き出し部16)を介して、内部空間41の気密性を維持しつつ、外部部材と電気的に接続させることが可能となる。この結果、物理量センサー2は、例えば、特許文献1のガラス基板を用いた場合よりも、信頼性を向上させることができる。
なお、電子デバイスは、上述した物理量センサーなどのセンサーデバイスに限定されるものではなく、例えば、水晶振動子、水晶発振器などのタイミングデバイスや、周波数フィルター、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスなどにも適用可能である。
The internal space 41 of the physical quantity sensor 2 is hermetically sealed. Depending on the type of the sensor element 30 (for example, a pressure sensor, an acceleration sensor, an angular velocity sensor, etc.) and a physical quantity detection method, a vacuum state (depressurized state) or nitrogen It is in a state filled with an inert gas such as helium or argon.
With such a configuration, the physical quantity sensor 2 has the internal space 41 via the separation unit 15 (drawer unit 16) that functions as the through electrode of the composite substrate 1 and the reliability is improved by improving the fixing strength. It is possible to make an electrical connection with an external member while maintaining the airtightness. As a result, the physical quantity sensor 2 can improve reliability as compared with, for example, the case where the glass substrate of Patent Document 1 is used.
Note that the electronic device is not limited to the above-described sensor device such as a physical quantity sensor. For example, the electronic device may be a timing device such as a crystal resonator or a crystal oscillator, a frequency filter, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device, or the like. Applicable.

<電子機器>
次に、複合基板を備えた電子機器について説明する。
図9は、複合基板を備えた電子機器としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図9に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1101を有する表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、複合基板1が内蔵されている。
<Electronic equipment>
Next, an electronic device provided with the composite substrate will be described.
FIG. 9 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic apparatus including the composite substrate.
As shown in FIG. 9, the personal computer 1100 includes a main body portion 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display portion 1101. The display unit 1106 is connected to the main body portion 1104 via a hinge structure portion. And is rotatably supported.
Such a personal computer 1100 incorporates the composite substrate 1.

図10は、複合基板を備えた電子機器としての携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
図10に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1201が配置されている。
このような携帯電話機1200には、複合基板1が内蔵されている。
FIG. 10 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone (including PHS) as an electronic apparatus including the composite substrate.
As shown in FIG. 10, the cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display unit 1201 is disposed between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. .
Such a cellular phone 1200 incorporates the composite substrate 1.

図11は、複合基板を備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図11には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面(図中手前側)には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中奥側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
FIG. 11 is a perspective view illustrating a configuration of a digital still camera as an electronic apparatus including the composite substrate. Note that FIG. 11 also shows a simple connection with an external device.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.
A display unit 1310 is provided on the back surface (front side in the figure) of the case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and the display unit 1310 is configured to perform display based on an imaging signal from the CCD. Functions as a viewfinder that displays images as electronic images.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the back side in the figure) of the case 1302.

撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、複合基板1が内蔵されている。
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308.
In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, if necessary. Further, the imaging signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.
Such a digital still camera 1300 incorporates the composite substrate 1.

このような電子機器は、信頼性に優れた複合基板1を備えたことから、優れた性能を発揮することができる。
なお、上記複合基板1を備えた電子機器は、図9のパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図10の携帯電話機、図11のデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
Since such an electronic apparatus includes the composite substrate 1 having excellent reliability, it can exhibit excellent performance.
In addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 9, the mobile phone in FIG. 10, and the digital still camera in FIG. Inkjet printers), laptop personal computers, televisions, video cameras, video tape recorders, various navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices, word processors, workstations, televisions Telephone, crime prevention TV monitor, electronic binoculars, POS terminal, medical equipment (for example, electronic thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish detector, various measuring devices, Instruments (eg, vehicles, aircraft, Instruments of 舶), can be applied to a flight simulator.

1…複合基板、2…電子デバイスとしての物理量センサー、10…外周枠部、10a…つば部、10d…開口部、11…第1主面、12…梁部、13…第2主面、15…導電部としての分離部、15a…つば部、15b…柱状部、15c…凹部、15d…開口部、16…引き出し部、16a…つば部、16b…柱状部、16c…凹部、16d…開口部、17…電極パッド、18…凹部、19…分割線、20…絶縁部、30…機能素子としてのセンサー素子、31…金属ワイヤー、40…キャップ、41…内部空間、50…製造装置、51…載置面、52…加熱部、53…貫通孔、54…吸引部、55…気密チャンバー、60…パッケージ、101,102…マスクパターン、115…シリコン基板、116…第1凹部、118…第2凹部、120…ガラス基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Composite substrate, 2 ... Physical quantity sensor as electronic device, 10 ... Peripheral frame part, 10a ... Collar part, 10d ... Opening part, 11 ... 1st main surface, 12 ... Beam part, 13 ... 2nd main surface, 15 ... Separation part as conductive part, 15a ... collar part, 15b ... columnar part, 15c ... concave part, 15d ... opening part, 16 ... drawer part, 16a ... collar part, 16b ... columnar part, 16c ... concave part, 16d ... opening part DESCRIPTION OF SYMBOLS 17 ... Electrode pad, 18 ... Recessed part, 19 ... Dividing line, 20 ... Insulating part, 30 ... Sensor element as a functional element, 31 ... Metal wire, 40 ... Cap, 41 ... Internal space, 50 ... Manufacturing apparatus, 51 ... Placement surface, 52 ... heating part, 53 ... through hole, 54 ... suction part, 55 ... airtight chamber, 60 ... package, 101,102 ... mask pattern, 115 ... silicon substrate, 116 ... first recess, 118 ... second Recess, 1 0 ... glass substrate.

Claims (9)

絶縁部と、
前記絶縁部を貫通して設けられ、両端が露出し、且つ、一方の端部に設けられているつば部及び該つば部上に設けられている柱状部を備えた導電部と、を備え、
前記導電部は、前記つば部及び柱状部の内部に跨って設けられている凹部と、前記凹部に連通している開口部とを含み、前記開口部を介して前記つば部及び前記柱状部の内部に前記絶縁部が充填されていることを特徴とする複合基板。
An insulating part;
A conductive portion provided through the insulating portion, exposed at both ends, and having a flange portion provided at one end portion and a columnar portion provided on the flange portion;
The conductive portion includes a recess provided across the inside of the collar portion and the columnar portion, and an opening portion communicating with the recess portion, and the collar portion and the columnar portion are interposed through the opening portion. A composite substrate, wherein the insulating portion is filled therein.
請求項1に記載の複合基板において、導電性を有すると共に、平面視で前記絶縁部の外周を枠状に取り巻く外周枠部を備えたことを特徴とする複合基板。   The composite substrate according to claim 1, further comprising an outer peripheral frame portion that has conductivity and surrounds the outer periphery of the insulating portion in a frame shape in plan view. 請求項2に記載の複合基板において、前記外周枠部と前記導電部とを接続する梁部を備えたことを特徴とする複合基板。   The composite substrate according to claim 2, further comprising a beam portion that connects the outer peripheral frame portion and the conductive portion. 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の複合基板において、前記絶縁部は、ホウケイ酸ガラスを含み、前記導電部は、シリコンを含むことを特徴とする複合基板。   4. The composite substrate according to claim 1, wherein the insulating portion includes borosilicate glass, and the conductive portion includes silicon. 5. 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の複合基板において、前記絶縁部は、可撓性を有する樹脂を含んでなることを特徴とする複合基板。   4. The composite substrate according to claim 1, wherein the insulating portion includes a flexible resin. 5. 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の複合基板において、前記導電部の前記柱状部は、角柱状であり、前記開口部が前記角柱の前記絶縁部と接する面のそれぞれに設けられていることを特徴とする複合基板。   6. The composite substrate according to claim 1, wherein the columnar portion of the conductive portion has a prismatic shape, and the opening is provided on each of the surfaces in contact with the insulating portion of the prismatic column. A composite substrate characterized by the above. 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の複合基板において、前記導電部の前記柱状部は、円柱状であることを特徴とする複合基板。   6. The composite substrate according to claim 1, wherein the columnar portion of the conductive portion has a columnar shape. 7. 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の複合基板と、
前記複合基板に搭載された機能素子と、を備えたことを特徴とする電子デバイス。
A composite substrate according to any one of claims 1 to 7,
An electronic device comprising: a functional element mounted on the composite substrate.
請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の複合基板を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the composite substrate according to any one of claims 1 to 7.
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