JP2013058596A - 物体検出センサおよびそれを備えた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子1は第1波長に強度ピークを有する光を出射する。受光素子2は第1波長と第2波長とに感度ピークを切り換える。第1受光量判定回路9は、感度ピークが上記第1波長の受光素子2の受光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定する。第2受光量判定回路10は、感度ピークが上記第2波長の受光素子2の受光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定する。検出判定回路11は、第1受光量判定回路9が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、第2受光量判定回路10が第2判定閾値以下であると判定した場合に、被検出物体8を検出したと判定する。こうして、被検出物体8が近づいていないにも関わらず、上記第1波長の光を含む外乱光を受光することによって被検出物体8が近づいたと誤動作するのを防止する。
【選択図】図2
Description
第1波長に強度ピークを有する光を出射する発光素子と、
上記第1波長と上記第1波長とは異なる第2波長とに感度ピークを有すると共に、上記発光素子から出射された光の被検出物体からの反射光を含む光を受光して受光量を表す受光信号を出力する受光素子と、
上記受光素子の感度ピークを、上記第1波長と上記第2波長とに切り換える切換スイッチと、
感度ピークが上記第1波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第1受光量判定回路と、
感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第2受光量判定回路と、
上記第1受光量判定回路からの判定信号と上記第2受光量判定回路からの判定信号とに基づいて、上記被検出物体を検出したか否かを判定して、検出結果を表す検出信号を出力する検出判定回路と
を備え、
上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であると判定した場合に、上記被検出物体を検出したと判定するように構成されている
ことを特徴としている。
上記検出判定回路は、
一旦上記被検出物体を検出したと判定した後は、
感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2受光量判定回路の第2判定閾値以下である状態を維持している場合には、上記第1受光量判定回路による判定結果に拘わらず、上記被検出物体の検出状態を保持する。
上記検出判定回路は、
一旦上記被検出物体を検出したと判定した後に、
上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値以下であると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えたと判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されている。
上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えていると判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されている。
上記第2受光量判定回路は、
上記受光素子によって受光された光の光量が常に上記第2判定閾値以下を維持している状態で、上記検出判定回路により上記被検出物体を検出したと判定された場合には、判定閾値を、上記第2判定閾値から、上記受光素子からの上記第1受光量判定回路への受光信号が上記第1判定閾値を超える直前における上記受光素子からの当該第2受光量判定回路への受光信号の値である第3判定閾値に変更するように構成されている。
上記受光素子は、同一領域に形成されたPN接合による2つのフォトダイオードで構成されており、
上記2つのフォトダイオードのうちの一つは、第1導電型の半導体基板と、この第1導電型の半導体基板の表面に第1深さで形成された第2導電型の領域とでなるPN接合で構成される第1フォトダイオードであり、
上記2つのフォトダイオードのうちの他の一つは、上記第2導電型の領域と、この第2導電型の領域の表面に上記第1深さよりも浅い第2深さで形成された第1導電型の領域とでなるPN接合で構成される第2フォトダイオードであり、
上記第1フォトダイオードは上記第1波長に感度ピークを有しており、
上記第2フォトダイオードは上記第2波長に感度ピークを有している。
上記受光素子は、上記発光素子と当該受光素子との配列方向に、複数に細分化されている部分受光部よりなる。
上記複数に細分化された夫々の部分受光部の受光量を時系列で比較して、上記被検出物体が近づいているか、遠ざかっているかを判定する判定手段を備えている。
上記発光素子は、レーザー発光素子である。
上記第1波長に強度ピークを有する光は、赤外光であり、
上記第2波長を呈する光は、可視光である。
図1は、本実施の形態の物体検出センサにおける発光素子と受光素子との概略構成を示す。
図3は、上記被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて来る場合において、発光素子1の発光タイミングと、第1受光量判定回路9による判定タイミングと、第2受光量判定回路10による判定タイミングと、検出判定回路11による検出信号の出力タイミングと、を示している。また、図4は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。
図5は、上記被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後、被検出物体8がさらに物体検出センサ7に近づく場合において、発光素子1の発光タイミング(図5(a))と、第1受光量判定回路9による判定タイミング(図5(b))と、第2受光量判定回路10による判定タイミング(図5(c))と、検出判定回路11による検出信号の出力タイミング(図5(d))とを示している。また、図6は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。
「受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合には、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下であっても(つまり、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号の光量に拘わらず)、被検出物体8を検出したと判定する」
と変更するようにしている。
図7は、上記被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後に、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合において、発光素子1の発光タイミング(図7(a))と、第1受光量判定回路9による判定タイミング(図7(b))と、第2受光量判定回路10による判定タイミング(図7(c))と、検出判定回路11による検出信号の出力タイミング(図7(d))とを示している。また、図8は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。
「受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合には、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下であっても、被検出物体8を検出したと判定する」
と変更した場合であっても、検出判定回路11は、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかっていることを正しく検出することができるのである。
図9は、上記被検出物体8の周囲が暗い状態において、被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合において、上記発光素子1による発光タイミング(図9(a))と、第1受光量判定回路9による判定タイミング(図9(b))と、第2受光量判定回路10による判定タイミング(図9(c))と、検出判定回路11による検出信号の出力タイミング(図9(d))とを示している。また、図10は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。
図11は、上記被検出物体8の周囲が暗い状態において、被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合において、発光素子1の発光タイミング(図11(a))と、第1受光量判定回路9による判定タイミング(図11(b))と、第2受光量判定回路10による判定タイミング(図11(c))と、検出判定回路11による検出信号の出力タイミング(図11(d))とを示している。また、図12は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。
本実施の形態は、上記第1実施の形態における受光素子2の具体的構造に関する。
図15は、本実施の形態における発光素子と受光素子との概略構成を示す。但し、図15(a)は縦断面図であり、図15(b)は平面図である。図1の場合と同様に、発光素子1と受光素子2とは同じ基板3上に取り付けられており、発光素子1および受光素子2は透明の1次モールド樹脂4,5でモールドされている。そして、1次モールド樹脂4,5の周囲には、遮光性のある2次モールド樹脂6が設けられている。
2…受光素子
2a,2b…受光素子の細分化領域
3…基板
4,5…1次モールド樹脂
6…2次モールド樹脂
7…物体検出センサ
8…被検出物体
9…第1受光量判定回路
10…第2受光量判定回路
11…検出判定回路
15…p型基板
16…n型不純物拡散領域
17…p型不純物拡散領域
18…共通端子
19…切換スイッチ
21…受光スポット
Claims (11)
- 第1波長に強度ピークを有する光を出射する発光素子と、
上記第1波長と上記第1波長とは異なる第2波長とに感度ピークを有すると共に、上記発光素子から出射された光の被検出物体からの反射光を含む光を受光して受光量を表す受光信号を出力する受光素子と、
上記受光素子の感度ピークを、上記第1波長と上記第2波長とに切り換える切換スイッチと、
感度ピークが上記第1波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第1受光量判定回路と、
感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第2受光量判定回路と、
上記第1受光量判定回路からの判定信号と上記第2受光量判定回路からの判定信号とに基づいて、上記被検出物体を検出したか否かを判定して、検出結果を表す検出信号を出力する検出判定回路と
を備え、
上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であると判定した場合に、上記被検出物体を検出したと判定するように構成されている
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1に記載の物体検出センサにおいて、
上記検出判定回路は、
一旦上記被検出物体を検出したと判定した後は、
感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2受光量判定回路の第2判定閾値以下である状態を維持している場合には、上記第1受光量判定回路による判定結果に拘わらず、上記被検出物体の検出状態を保持する
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1あるいは請求項2に記載の物体検出センサにおいて、
上記検出判定回路は、
一旦上記被検出物体を検出したと判定した後に、
上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値以下であると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えたと判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されている
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1から請求項3までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、
上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えていると判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されている
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1あるいは請求項2に記載の物体検出センサにおいて、
上記第2受光量判定回路は、
上記受光素子によって受光された光の光量が常に上記第2判定閾値以下を維持している状態で、上記検出判定回路により上記被検出物体を検出したと判定された場合には、判定閾値を、上記第2判定閾値から、上記受光素子からの上記第1受光量判定回路への受光信号が上記第1判定閾値を超える直前における上記受光素子からの当該第2受光量判定回路への受光信号の値である第3判定閾値に変更するように構成されている
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1から請求項5までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、
上記受光素子は、同一領域に形成されたPN接合による2つのフォトダイオードで構成されており、
上記2つのフォトダイオードのうちの一つは、第1導電型の半導体基板と、この第1導電型の半導体基板の表面に第1深さで形成された第2導電型の領域とでなるPN接合で構成される第1フォトダイオードであり、
上記2つのフォトダイオードのうちの他の一つは、上記第2導電型の領域と、この第2導電型の領域の表面に上記第1深さよりも浅い第2深さで形成された第1導電型の領域とでなるPN接合で構成される第2フォトダイオードであり、
上記第1フォトダイオードは上記第1波長に感度ピークを有しており、
上記第2フォトダイオードは上記第2波長に感度ピークを有している
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1から請求項6までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、
上記受光素子は、上記発光素子と当該受光素子との配列方向に、複数に細分化されている部分受光部よりなる
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項7に記載の物体検出センサにおいて、
上記複数に細分化された夫々の部分受光部の受光量を時系列で比較して、上記被検出物体が近づいているか、遠ざかっているかを判定する判定手段を備えた
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項7あるいは請求項8に記載の物体検出センサにおいて、
上記発光素子は、レーザー発光素子である
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1から請求項9までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、
上記第1波長に強度ピークを有する光は、赤外光であり、
上記第2波長を呈する光は、可視光である
ことを特徴とする物体検出センサ。 - 請求項1から請求項10までの何れか一つに記載の物体検出センサを備えた
ことを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|
JP2011195926A JP2013058596A (ja) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | 物体検出センサおよびそれを備えた電子機器 |
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JP2011195926A Pending JP2013058596A (ja) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | 物体検出センサおよびそれを備えた電子機器 |
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- 2011-09-08 JP JP2011195926A patent/JP2013058596A/ja active Pending
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