JP2013050590A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】シール材に含まれる不純物に起因して表示不具合が発生することを防止した液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、一対の基板としての素子基板１０および対向基板２０と、平面視で、一対の基板の外縁に沿って配置され、一対の基板を貼り合わせたシール材４０と、一対の基板の間に挟持された液晶層５０と、一対の基板のうちのいずれか一方に複数の画素電極１５を含み、シール材４０よりも内側に画素領域Ｅと、一対の基板の間の画素領域Ｅを囲む位置に形成された隔壁２３と、を備え、隔壁２３は一対の基板のうち対向基板２０に一体形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。

液晶装置として、液晶層を挟持する第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の他方の基板に対向した面に、液晶層を形成する際に供給する液晶材料の流れを制御するための突起部が形成された液晶表示パネルが知られている（特許文献１）。
特許文献１によれば、液晶中のイオン性不純物が液晶の注入時に注入口付近で配向膜にトラップされることに起因する表示むらを低減できるとしている。

このようにイオン性不純物が配向膜にトラップされることに起因する表示むらを改善する他の例としては、薄膜トランジスタ基板と対向基板の少なくともいずれか一方に、両基板を接着するためのシール樹脂における注入口部位を除くパターン線に沿って無機性あるいは有機性の付加型絶縁膜が両基板面に接するように形成された薄膜トランジスタ型液晶表示装置が知られている（特許文献２）。
特許文献２によれば、付加型絶縁膜をシール樹脂よりも内側に形成することにより、シール樹脂中から発生するイオン性不純物や汚染ガスの有効画素部への混入・拡散を効果的に阻止して、表示特性の劣化を抑制できるとしている。

特開２００１−１８３６８３号公報 特開平１１−２０２３６３号公報

しかしながら、特許文献１の液晶表示パネルでは、液晶材料の流れを制御するための突起部が設けられる平面的な範囲が注入口付近だけに限定されている。また、液晶層の厚み方向において突起部が突出しているものの、突起部を乗り越えてイオン性不純物が液晶層に拡散するおそれがある。
一方、特許文献２の薄膜トランジスタ型液晶表示装置では、基板上に形成された付加型絶縁膜の幅が狭いので基板に対する密着性を十分に確保できないおそれがある。つまり、基板と密着していない部分からイオン性不純物や汚染ガスが液晶層に浸入するおそれがある。
また、シール樹脂と付加型絶縁膜とを互いに密着させることが難しく、シール樹脂と付加型絶縁膜との間に隙間が生じた状態で基板に外力が加わった場合には、付加型絶縁膜を支点として基板が撓み、その結果、液晶層の厚みが変動し易いという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の液晶装置は、一対の基板と、平面視で、前記一対の基板の外縁に沿って配置され、前記一対の基板を貼り合わせたシール材と、前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうちのいずれか一方に複数の画素電極を含み、前記シール材よりも内側に画素領域と、前記一対の基板の間の前記画素領域を囲む位置に形成された隔壁と、を備え、前記隔壁は前記一対の基板の少なくとも一方に一体的に形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、隔壁は、一対の基板のうち少なくとも一方の基板と一体的に形成されているので、隔壁の幅が狭くなっても基板から剥がれてしまうことがない。また、隔壁は液晶が充填される画素領域を囲んでいるので、少なくともシール材に含まれる不純物が画素領域内に浸入して表示むらが発生することを防止することができる。つまり、少なくともシール材に含まれる不純物に起因する表示むらの発生が防止され、安定した表示品質と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の前記シール材と平面的に重なる部分に凹部を有し、前記隔壁は、前記凹部の底面から突出するように形成され、前記シール材には前記液晶層の厚みよりも径が大きなギャップ材が含まれていることを特徴とする。
この構成によれば、液晶層の厚みよりも大きな径を有するギャップ材を含むシール材を用いて液晶装置を構成することができるので、液晶層の厚みと同じ径のギャップ材を用いた場合に比べて液晶層の厚みばらつきを小さくすることができる。

［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記隔壁は、前記一対の基板のうち一方の基板から突出する第１隔壁と、他方の基板から突出する第２隔壁とが突き合わされて構成されてなるとしてもよい。
この構成によれば、片方の基板から隔壁を突出させる場合に比べて、第１隔壁および第２隔壁をそれぞれの基板から突出させる高さを小さくできるので、容易に第１隔壁および第２隔壁からなる隔壁を形成することができる。

［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記隔壁は、前記シール材よりも内側で前記シール材から離間して形成され、前記シール材と前記隔壁との隙間の少なくとも一部に液晶が充填されていることが好ましい。
この構成によれば、シール材と隔壁との隙間を単なる空間とする場合に比べて、隙間に液晶が充填されることで、当該隙間における基板間のギャップが安定し、惹いては一対の基板間に挟持された液晶層の厚みが、例えば温度や圧力などの環境変化に対して変動し難くなる。つまり安定した光学特性が得られる。

［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記シール材は少なくとも１つのシール開口部を有し、前記隔壁は少なくとも１つの隔壁開口部を有することを特徴とする。
この構成によれば、例えば、減圧下で一方の基板に液晶を滴下して他方の基板と貼り合わせる滴下方式で液晶を充填した場合、一定の液晶層の厚みを確保した上で、余分な液晶を隔壁開口部とシール開口部とを経由して排出させることができる。その後にシール開口部を封止すればよい。

［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記隔壁開口部は、前記シール開口部に面した前記隔壁の一方の辺部に対向する他方の辺部に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、シール開口部を封止する封止材中に不純物が含まれていたとしても、当該不純物が隔壁の内側の画素領域に到達し難くなる。つまり、シール材中に加えて封止材中の不純物に起因する表示むらの発生も抑制できる。

［適用例７］上記適用例の液晶装置において、前記隔壁と前記画素領域との間に前記画素領域を囲む遮光膜が形成されていることが好ましい。
この構成によれば、液晶層中の液晶分子を所定の方向に配向させるための配向膜として例えば無機材料を斜め蒸着して得られる無機配向膜を採用した場合、基板から突出する隔壁によって無機配向膜の形成が隔壁周辺で阻害されたとしても、隔壁と画素領域との間に画素領域を囲む遮光膜が形成されているので、無機配向膜の形成が阻害された部分の液晶分子の配向むらが目立ち難くなる。

［適用例８］本適用例の液晶装置の製造方法は、一対の基板により挟持された液晶層と、複数の画素電極を含む画素領域とを有する液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記画素領域を囲む位置に隔壁を一体的に形成する第１工程と、前記一方の基板の前記隔壁で囲まれた領域に所定量の液晶を滴下する第２工程と、前記一対の基板のうち他方の基板に前記隔壁よりも外側で前記隔壁から離間した位置にシール材を額縁状に配置する第３工程と、前記液晶が滴下された前記一方の基板と、前記シール材が配置された前記他方の基板とを減圧下で前記シール材を介して貼り合わせる第４工程と、を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、隔壁は、一対の基板のうち一方の基板に一体的に形成されるので、隔壁の幅が狭くなっても一方の基板から剥がれてしまうことがない。また、隔壁は液晶が充填される画素領域を囲んでいるので、少なくともシール材に含まれる不純物が画素領域内に浸入して表示むらが発生することを防止することができる。つまり、隔壁によって少なくともシール材に含まれる不純物に起因する表示むらの発生が防止され、安定した表示品質と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置を製造することができる。

［適用例９］本適用例の他の液晶装置の製造方法は、一対の基板により挟持された液晶層と、複数の画素電極を含む画素領域とを有する液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記画素領域を囲む位置に隔壁を一体的に形成する第１工程と、前記一対の基板のうち他方の基板に前記隔壁よりも外側で前記隔壁から離間した位置にシール材を額縁状に配置する第２工程と、前記他方の基板の前記シール材で囲まれた領域に所定量の液晶を滴下する第３工程と、前記液晶が滴下された前記他方の基板と、前記一方の基板とを減圧下で前記シール材を介して貼り合わせる第４工程と、を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、第４工程では、シール材で囲まれた領域に所定量の液晶が滴下された他方の基板と、隔壁が形成された一方の基板とを貼り合わせるので、画素領域に加えてシール材と隔壁との隙間にも液晶を容易に充填できる。つまり、少なくともシール材に含まれる不純物に起因する表示むらの発生が防止され、且つシール材と隔壁との隙間に液晶が充填されるので、一対の基板間における液晶層の厚みが環境変化によって変化し難く、より安定した表示品質と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置を製造することができる。

［適用例１０］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記第１工程は、前記一方の基板の前記シール材と平面的に重なる部分に凹部を形成すると共に前記凹部の底面から突出するように前記隔壁を形成し、前記第３工程は、前記液晶層の厚みよりも径が大きなギャップ材が含まれた前記シール材を用いることを特徴とする。
この方法によれば、液晶層の厚みよりも大きな径を有するギャップ材を含むシール材を用いて液晶装置を製造することができるので、液晶層の厚みと同じ径のギャップ材を用いた場合に比べて液晶層の厚みばらつきが小さい液晶装置を製造することができる。

［適用例１１］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記隔壁は、少なくとも１つの隔壁開口部を有するように形成され、前記シール材は、少なくとも１つのシール開口部を有するように形成されるとしてもよい。
この方法によれば、第３工程において、滴下方式で液晶を充填した場合、一定の液晶層の厚みを確保した上で、余分な液晶を隔壁開口部とシール開口部とを経由して排出させることができる。つまり、より厚みばらつきが少ない液晶層を有する液晶装置を製造することができる。

［適用例１２］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、上記適用例の液晶装置を備えているので、安定した表示品質と高い信頼性とを兼ね備えた電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。 図１のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）はマザー基板における液晶装置の配置を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図。 （ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｆ）〜（ｈ）は第１実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 第３実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。 第４実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は第４実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 第５実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例の液晶装置の構成を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図である。

図１および図２に示すように、液晶装置１００は、一対の基板としての素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。
素子基板１０は、例えば透明な石英やガラスなどの基板あるいは不透明なシリコン基板を用いることができる。サイズは対向基板２０よりも大きく、対向基板２０の１辺部側に突出した端子部１０ａを有する。
対向基板２０は、透明な例えば石英やガラスなどの基板を用いることができる。両基板は、シール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶５０ａが封入されて液晶層５０を構成している。詳しくは後述するが、減圧下で一対の基板のいずれか一方に所定量の液晶５０ａを滴下した後に、両基板を重ね合わせて接合するＯＤＦ（One Drop Fill）方式によって液晶５０ａが封入されている。

一対の基板間において額縁状に配置されたシール材４０の内側には、複数の画素Ｐがマトリックス状に配置された画素領域Ｅが設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐだけでなく、表示に寄与する複数の画素Ｐを取り囲むように配置されたダミー画素を含んでいてもよい。
画素領域Ｅとシール材４０との間には、素子基板１０の端子部１０ａに沿ってデータ線駆動回路１０１が設けられている。該端子部１０ａと直交し互いに対向する他の２辺部に沿って走査線駆動回路１０２が設けられている。該端子部１０ａと対向する他の１辺部に沿って検査回路１０３が設けられている。これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を周辺回路と呼ぶ。
上記周辺回路のうちデータ線駆動回路１０１と走査線駆動回路１０２とにそれぞれ電気的に接続された配線１０５ａが端子部１０ａに配列した複数の外部接続用端子１０４にそれぞれ接続している。また、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５ｂが該端子部１０ａと対向する他の１辺部に沿って検査回路１０３との間に設けられている。
以降、データ線駆動回路１０１や検査回路１０３が延在する方向をＸ方向とし、走査線駆動回路１０２が延在する方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた画素電極１５と、画素電極１５の電気的な制御に係るスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Thin Film transistor；以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、ＴＦＴ３０に繋がる信号線類（図示省略）と、画素電極１５を覆う配向膜（図示省略）とが形成されている。

対向基板２０の液晶層５０側の表面には、画素領域Ｅを囲む額縁状の遮光膜としての見切り部２１と、見切り部２１を覆う共通電極２２と、共通電極２２を覆う配向膜（図示省略）とが形成されている。また、対向基板２０は画素領域Ｅを囲む見切り部２１とシール材４０との間に形成された隔壁２３を有している。

隔壁２３は、対向基板２０から突出して素子基板１０の表面に接するように対向基板２０と一体形成されている。また、シール材４０よりも内側において離間した位置に形成され、平面的には見切り部２１を囲むように額縁状に形成されている。つまり、隔壁２３は少なくとも画素領域Ｅの液晶層５０を区画している。また、隔壁２３とシール材４０との間に隙間４５が生じており、該隙間４５にも液晶５０ａが充填されている。

見切り部２１は、遮光性を有する例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＮｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）などの金属材料またはその酸化物などの金属化合物を用いて形成されている。なお、遮光性の顔料などを含有した樹脂材料を用いて形成してもよい。
また、見切り部２１は、素子基板１０に設けられる少なくとも上記周辺回路と平面的に重なるように額縁状に形成されている。これにより、周辺回路へ侵入する光を遮断して、周辺回路における光誤動作を防いでいる。また、不必要な光が画素領域Ｅに入射することを防いでいる。図１および図２では図示を省略したが、遮光膜は、画素領域Ｅを囲む見切り部２１だけでなく、１つ１つの画素Ｐを区画するようにも形成されている。すなわち、遮光膜は、対向基板２０の液晶層５０側においてブラックマトリックス（ＢＭ）としても存在している。

シール材４０は、熱硬化型あるいは紫外線硬化型の例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂からなり、一対の基板に挟持された液晶層５０の厚みを規定するためのギャップ材４１を含んでいる。ギャップ材４１は、一定の径を有する例えば硬質材料であるガラスやセラミックスあるいは樹脂製のビーズ（球体）やファイバー（柱状体）を用いることができる。

共通電極２２は、透明であって、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの導電性材料を用いて蒸着法やスパッタ法により成膜されている。

対向基板２０に設けられた共通電極２２は、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線１０５ｃに電気的に接続している。配線１０５ｃの一方の端は、端子部１０ａに向けて延設され、外部接続用端子１０４に接続している。

上記配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃは、例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの低抵抗金属材料からなるものであり、これに接続された外部接続用端子１０４は、該低抵抗金属材料からなる基部にさらに低抵抗なＡｕ（金）などのメッキが施されたものである。外部接続用端子１０４だけが端子部１０ａに露出するように、これに繋がる上記配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃは保護膜（図示省略）で覆われている。

画素電極１５や共通電極２２を覆う配向膜は、例えばポリイミドなどの有機樹脂材料や酸化シリコンなどの無機材料からなる。液晶層５０における液晶分子は、例えばノーマリーブラックの光学設計条件に基づいて配向膜の表面において所定の方位角とプレチルト角とが与えられ、配向膜面において配向している。

本実施形態の液晶装置１００は透過型であって、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光板（図示省略）が光学設計に基づいて配置されて用いられる。

＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。図３は液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図４（ａ）はマザー基板における液晶装置の配置を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線で切った概略断面図、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ｆ）〜（ｈ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。

図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板側において、ＴＦＴ３０やこれに繋がる信号配線などを形成する素子形成工程（ステップＳ１）と、画素電極形成工程（ステップＳ２）と、配向膜形成工程（ステップＳ３）と、シール材配置工程（ステップＳ４）とを備えている。また、対向基板側において、隔壁形成工程（ステップＳ５）と、見切り部２１を含むブラックマトリクス（ＢＭ）を形成するＢＭ形成工程（ステップＳ６）と、共通電極形成工程（ステップＳ７）と、配向膜形成工程（ステップＳ８）と、液晶滴下工程（ステップＳ９）とを備えている。さらに、シール材４０が配置された素子基板１０と液晶５０ａが滴下された対向基板２０とを貼り合わせる工程（ステップＳ１０）と、スクライブ工程（ステップＳ１１）とを備えている。

また、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、２つのマザー基板Ｍ１，Ｍ２を用いて行われる。マザー基板Ｍ１，Ｍ２はウェハ状の例えば石英基板であって、オリフィスを基準としてマザー基板Ｍ１には複数の素子基板１０がＸ方向とＹ方向とに密着してレイアウト（多面付け）され、マザー基板Ｍ２には対向基板２０がマザー基板Ｍ１の素子基板１０の配置に対応してレイアウト（多面付け）されている。マザー基板Ｍ１，Ｍ２は、それぞれに後述する工程を経て加工された後に、所定の位置で貼り合わされ、素子基板１０および対向基板２０の外形に対応したスクライブラインに沿ってスクライブ・ブレイクされて個々の液晶装置１００が取り出される。

以降、図３の各工程について、図５および図６を参照して説明するが、図５および図６は上記マザー基板Ｍ１，Ｍ２における素子基板１０や対向基板２０の加工状態を示すものである。

まず、素子基板側のステップＳ１の素子工程では、図５（ａ）に示すように、一対の基板のうち他方の基板としての素子基板１０上にＴＦＴ３０やこれに繋がる信号配線、信号線配線に繋がる複数の外部接続用端子１０４、そして、データ線駆動回路１０１や検査回路１０３を含む周辺回路を形成する。ＴＦＴ３０を含むこれらの回路構成の形成方法は、公知の方法を用いて形成することができる。例えば、ＴＦＴ３０の半導体層は、高温で成膜されたポリシリコン膜に不純物イオンを選択的に注入して、チャネル領域と該チャネル領域を挟んだ接合領域とソース・ドレイン領域とが形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用することができる。

ステップＳ２の画素電極形成工程では、同じく図５（ａ）に示すように画素ごとに画素電極１５を形成する。画素電極１５は透光性の例えばＩＴＯなどの導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形成される。

ステップＳ３の配向膜形成工程では、同じく図５（ａ）に示すように、少なくとも画素電極１５を覆って配向膜１８を形成する。本実施形態の配向膜１８は、酸化シリコンを斜め蒸着して形成された柱状体（カラム）の集合体である。柱状体（カラム）は基板面において所定の方向に傾斜するように斜め蒸着の基板面に対する方位角と蒸着角度が設定されている。

ステップＳ４のシール材配置工程では、図５（ｂ）に示すように、素子基板１０上において所定の間隔をおいて画素領域Ｅを囲むようにシール材４０を額縁状に配置する。シール材４０の配置方法としては、スクリーンなどを用いた印刷法やノズルからシール材４０を吐出しながら額縁状に配置する定量吐出法などを用いることができる。本実施形態では、配向膜１８の面にシール材４０以外の物が接触しない上記定量吐出法を用いている。また、シール材４０のノズルからの吐出性を考慮して、ギャップ材４１として一定の径を有するガラス製のビーズ（球体）を用いている。

次に、対向基板側のステップＳ５の隔壁形成工程では、図５（ｃ）に示すように、一対の基板のうち一方の基板としての対向基板２０の厚みよりも厚いマザー基板Ｍ２を用意し、隔壁２３に相当する部分をレジスト６０で被覆する。このようにレジスト６０が形成されたマザー基板Ｍ２をドライエッチングあるいはウェットエッチングすることにより、図５（ｄ）に示すように、対向基板２０と一体であって基板面から突出した隔壁２３を形成することができる。例えば石英基板を用いてマザー基板Ｍ２を構成し、ドライエッチングする場合には、フッ素系の処理ガスを用いる。ウェットエッチングする場合には、ＨＦ（フッ化水素）を含むエッチング溶液を用いる。なお、隔壁２３は一定の幅で形成されることが寸法精度上で望ましいが、断面視で頭頂部の幅よりも基板側の幅が広い台形状であってもよい。対向基板２０における平面的な隔壁２３の位置は、前述したように、見切り部２１とシール材４０との間であって、シール材４０から離間した位置である。
また、対向基板２０から突出した隔壁２３の高さは、液晶層５０の厚みを考慮して決定される。本実施形態では、高さが１．５μｍ〜３μｍの範囲で設定され、幅が数十μｍの隔壁２３を形成した。

ステップＳ６のＢＭ形成工程では、図５（ｅ）に示すように、隔壁２３よりも内側において画素領域Ｅを囲む位置に見切り部２１を形成する。本実施形態では、遮光性材料としてＣｒ（クロム）を用いて成膜し、これをパターニングして見切り部２１を形成している。なお、前述したように、画素Ｐを区画するＢＭも同時に形成している。

ステップＳ７の共通電極形成工程では、同じく図５（ｅ）に示すように、見切り部２１を覆って例えばＩＴＯなどの透明導電膜を蒸着法やスパッタ法などを用いて成膜して共通電極２２を形成する。先の図１に示したように共通電極２２は対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続する必要がある。図５（ｅ）では、共通電極２２が隔壁２３を覆って形成されておらず、隔壁２３の内側と外側とにおいて電気的に共通電極２２が繋がっていないように図示されているが、上下導通部１０６付近では隔壁２３を被覆し、それ以外の部分では少なくとも隔壁２３の頭頂部２３ａには共通電極２２が残らないように上記透明導電膜がパターニングされている。
なお、上記透明導電膜の成膜方法によっては、上記透明導電膜が隔壁２３の頭頂部２３ａや側壁２３ｂに成膜され難く、実質的に隔壁２３の内側と外側とで共通電極２２が導通しないことが考えられる。その場合には、例えば上下導通部１０６を隔壁２３の内側に配置して素子基板１０側に設けられた配線と接続させる方法が挙げられる。

ステップＳ８の配向膜形成工程では、同じく図５（ｅ）に示すように、共通電極２２を覆う配向膜２４を形成する。本実施形態の配向膜２４は、素子基板１０側の配向膜１８と同様に酸化シリコンを斜め蒸着して形成された柱状体（カラム）の集合体である。対向基板２０には隔壁２３があり、斜め蒸着の際に隔壁２３によって邪魔されて配向膜２４が形成されない部分が隔壁２３の周辺に発生することが考えられる。隔壁２３の周辺で配向膜２４が形成されない部分が生じ、液晶分子の配向が乱れて光漏れなどの不具合が発生しても、画素領域Ｅと隔壁２３との間には見切り部２１が形成されているので、上記不具合を視認することはできない、あるいは上記不具合が目立ち難い。

ステップＳ９の液晶滴下工程では、図６（ｆ）に示すように、対向基板２０の隔壁２３によって囲まれた領域に液晶５０ａをノズル７０から滴下する。液晶５０ａは、次の貼り合わせ工程（ステップＳ１０）において素子基板１０と対向基板２０とを所定の間隔をおいて貼り合わせてなる液晶層５０の体積を考慮して所定量が滴下される。なお、図６（ｆ）では滴下された液晶５０ａが隔壁２３によって囲まれた領域に行き渡っているが、これに限定されるものではない。例えば、隔壁２３によって囲まれた領域の中央部分に滴下されるとしてもよい。

ステップＳ１０の貼り合わせ工程では、図６（ｇ）に示すように、所定量の液晶５０ａが滴下された対向基板２０と素子基板１０とを減圧下で対向配置する。図６（ｈ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、シール材４０を硬化させる。これにより、素子基板１０と対向基板２０とを所定の間隔をおいて接着させる。このとき、隔壁２３とシール材４０との間の隙間４５にも所定量のうちの一部の液晶５０ａが充填される。
なお、液晶５０ａは一対の基板を貼り合わせる前に脱気しておくことが好ましい。また、シール材４０の硬化は、本工程において完全に行う必要はない。本実施形態では、シール材４０として紫外線と熱併用硬化型のエポキシ系接着剤を用い、貼り合わせ工程では減圧下で上記所定の間隔を保ちつつ紫外線を照射することによってシール材４０を仮硬化させ、常圧下で熱と紫外線の両方を用いて本硬化させている。

ステップＳ１１のスクライブ工程では、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、所定の位置で貼り合わされた２つのマザー基板Ｍ１，Ｍ２の素子基板１０および対向基板２０の外形に対応したスクライブラインに沿ってスクライブ・ブレイクされる。また、素子基板１０の端子部１０ａに対向するマザー基板Ｍ２の不要な部分Ｍ２ａが取り除かれ、個々の液晶装置１００が取り出される。

以上に述べた第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００およびその製造方法によれば、一対の基板間に額縁状に配置されたシール材４０の内側に、同じく対向基板２０において額縁状に形成された隔壁２３を有している。隔壁２３は頭頂部２３ａが素子基板１０と接しており、液晶層５０を区画している。したがって、シール材４０に含まれる金属イオンや未硬化物（硬化開始剤、溶媒）などの不純物が画素領域Ｅへ浸入することが阻まれる。それゆえに、該不純物が画素領域Ｅの液晶層５０に浸入して部分的に比抵抗が低下することなどに起因する表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示品質と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置１００を提供あるいは製造することができる。また、隔壁２３は、対向基板２０に一体形成されているので、隔壁２３の幅が小さくても外力によって対向基板２０から容易にはがれない。つまり、該不純物の画素領域Ｅへの浸入を確実に阻止できる。

（２）対向基板２０の隔壁２３と画素領域Ｅとの間に遮光性の見切り部２１が形成されているので、配向膜形成工程において隔壁２３の周辺に配向膜１８の成膜むらが生じても、成膜むらに起因する表示むらが視認されない、あるいは目立たない。

（３）対向基板２０において隔壁２３はシール材４０の内側でシール材４０から離間した位置に形成される。また、貼り合わせ工程では、隔壁２３とシール材４０との隙間４５にも一部の液晶５０ａが充填される。したがって、上記隙間４５が空間である場合に比べて、外部環境変化に伴う液晶層５０の厚みの変化を抑制することができる。つまり、外部環境変化に伴う液晶層５０の厚みばらつきが小さくなり、安定した光学特性が実現される。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置の製造方法について、図７および図８を参照して説明する。図７は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図８（ａ）〜（ｃ）は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態と同じであり、同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。

図７に示すように、本実施形態の液晶装置１００の他の製造方法は、素子基板側において、素子形成工程（ステップＳ２１）と、画素電極形成工程（ステップＳ２２）と、配向膜形成工程（ステップＳ２３）と、シール材配置工程（ステップＳ２４）と、液晶滴下工程（ステップＳ２５）とを備えている。また、対向基板側において、隔壁形成工程（ステップＳ２６）と、ＢＭ形成工程（ステップＳ２７）と、共通電極形成工程（ステップＳ２８）と、配向膜形成工程（ステップＳ２９）と、を備えている。さらに、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる工程（ステップＳ３０）と、スクライブ工程（ステップＳ３１）とを備えている。

素子基板側の素子形成工程（ステップＳ２１）〜シール材配置工程（ステップＳ２４）は、第１実施形態のステップＳ１〜ステップＳ４と同じである。また、対向基板側の隔壁形成工程（ステップＳ２６）〜配向膜形成工程（ステップＳ２９）は、第１実施形態のステップＳ５〜ステップＳ８と同じである。したがって、以降、第１実施形態と異なる工程について図８を参照して説明する。

素子基板側のステップＳ２５の液晶滴下工程では、図８（ａ）に示すように、素子基板１０のシール材４０で囲まれた領域に所定量の液晶５０ａをノズル７０から滴下する。このとき、液晶５０ａがシール材４０で囲まれた領域に行き渡るように滴下することが好ましい。

ステップＳ３０の貼り合わせ工程では、図８（ｂ）に示すように、所定量の液晶５０ａが滴下された素子基板１０と対向基板２０とを減圧下で対向配置する。図８（ｃ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、シール材４０を硬化させる。これにより、素子基板１０と対向基板２０とを所定の間隔をおいて接着させる。

以上に述べた第２実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）および（２）に加えて、以下の効果が得られる。
（４）貼り合わせ工程（ステップＳ３０）では、シール材４０で囲まれた領域に液晶５０ａが滴下された素子基板１０に対して、隔壁２３を有する対向基板２０を貼り合わせるので、第１実施形態に比べて、隔壁２３とシール材４０との間の隙間４５に確実に液晶５０ａを充填することができる。つまり、隙間４５には空間が存在し難いので、外部環境変化に伴う液晶層５０の厚みばらつきがより抑制され、より安定した光学特性が実現される。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置について、図９を参照して説明する。図９は第３実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。第３実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して隔壁の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。図９は、第１実施形態における図１のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図である図２に相当するものである。

図９に示すように、本実施形態の液晶装置１５０は、素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板に挟持された液晶層５０とを有している。

素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた画素電極１５と、画素電極１５の電気的な制御に係るＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に繋がる信号線類（図示省略）と、データ線駆動回路１０１および検査回路１０３を含む周辺回路と、少なくとも画素電極１５を覆う配向膜１８とが形成されている。
また、素子基板１０は、複数の画素電極１５を含む画素領域Ｅおよび周辺回路を囲んで配置され、素子基板１０と一体形成された第２隔壁１０ｃを有している。

対向基板２０の液晶層５０側の表面には、画素領域Ｅを囲む額縁状の見切り部２１と、見切り部２１を覆う共通電極２２と、共通電極２２を覆う配向膜２４とが形成されている。また、対向基板２０は画素領域Ｅを囲む見切り部２１とシール材４０との間に対向基板２０と一体形成された第１隔壁２３ｃを有している。

つまり、第３実施形態の液晶装置１５０における隔壁は、素子基板１０から突出して形成された第２隔壁１０ｃと、対向基板２０から突出して形成された第１隔壁２３ｃとが突き合わされて構成されている。第２隔壁１０ｃおよび第１隔壁２３ｃにおけるそれぞれの高さは、液晶層５０の設計上の厚みやそれぞれの基板上に形成される電極や配向膜などの厚みを考慮して決定される。また、第２隔壁１０ｃの高さと第１隔壁２３ｃの高さとが同じである必要はない。とりわけ、素子基板１０側では、第２隔壁１０ｃを乗り越えて多くの信号配線などを配置する必要があるので、信号配線などの形成に支障をきたさない程度の高さとすることが好ましい。
なお、図９では、第２隔壁１０ｃの幅と第１隔壁２３ｃの幅をほぼ同じとしたが、これに限定されず、例えば、第１隔壁２３ｃの幅を第２隔壁１０ｃよりも大きくしてもよい。これによれば、素子基板１０と対向基板２０とを所定の位置で貼り合わせる際の位置精度によって、第２隔壁１０ｃと第１隔壁２３ｃの突き合せがずれても、液晶層５０を区画する隔壁の機能を低下させることがない。

以上に述べた第３実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）〜（３）に加えて、以下の効果が得られる。
（５）第３実施形態における液晶装置１５０の隔壁は、他方の基板としての素子基板１０から突出して形成された第２隔壁１０ｃと、一方の基板としての対向基板２０から突出して形成された第１隔壁２３ｃとが突き合わされて構成されている。したがって、第１実施形態のように対向基板２０から突出させた隔壁２３に比べて、第２隔壁１０ｃと第１隔壁２３ｃのそれぞれの高さを小さくすることができる。つまりは、ドライエッチングあるいはウェットエッチングの処理時間を短くすることができ、隔壁を容易あるいは精度よく形成することができる。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態の液晶装置およびその製造方法について、図１０および図１１を参照して説明する。図１０は第４実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図、図１１（ａ）〜（ｄ）は第４実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。
第４実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して対向基板の構成を部分的に異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。図１０は、第１実施形態における図１のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図である図２に相当するものである。

図１０に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板に挟持された液晶層５０とを有している。

素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた画素電極１５と、画素電極１５の電気的な制御に係るＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に繋がる信号線類（図示省略）と、データ線駆動回路１０１および検査回路１０３を含む周辺回路と、少なくとも画素電極１５を覆う配向膜１８とが形成されている。

対向基板２０の液晶層５０側の表面には、画素領域Ｅを囲む額縁状の見切り部２１と、見切り部２１を覆う共通電極２２と、共通電極２２を覆う配向膜２４とが形成されている。また、対向基板２０は画素領域Ｅを囲む見切り部２１とシール材４０との間に対向基板２０と一体形成された隔壁２３を有している。

隔壁２３は、見切り部２１よりも外側において対向基板２０の外形に達するように形成された凹部２０ａの底面から素子基板１０に向けて突出し、頭頂部が素子基板１０の表面に接するように形成されている。
見切り部２１が形成された対向基板２０の表面２０ｂと隔壁２３との間には溝２０ｃが形成されている。言い換えれば、隔壁２３は、凹部２０ａにおいて、表面２０ｂとシール材４０とからそれぞれ離間して形成されている。

シール材４０は、凹部２０ａと重なる位置に配置されており、画素領域Ｅにおける液晶層５０の設計上の厚みｄ₀よりも径ｄ₁が大きいギャップ材４２を含んでいる。

例えば、液晶層５０の設計上の厚みｄ₀を１．８μｍとし、共通電極２２および配向膜２４の総厚を０．２μｍとし、凹部２０ａの表面ｂからの深さを０．４μｍとすると、凹部２０ａから突出する隔壁２３の高さは、２．４μｍとなる。よって、ギャップ材４２の径ｄ₁は、２．２μｍとなる。つまり、凹部２０ａの深さに相当する分、液晶層５０の厚みｄ₀よりも大きな径ｄ₁のギャップ材４２を用いて液晶装置２００が構成される。

例えば、ギャップ材４２としてガラスなどのセラミックスからなるビーズ（球体）を用いると、径ｄ₁が小さくなるほど高い真球度を維持することが困難になる。本実施形態では、液晶層５０の設計上の厚みｄ₀よりも径ｄ₁が大きなギャップ材４２を用いることができ、第１実施形態に比べて液晶層５０の厚みｄ₀の実際のばらつきを小さくできる点で有利である。

次に、本実施形態の液晶装置２００の製造方法について、図１１を参照して説明する。上述したように本実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態の液晶装置１００に対して対向基板２０の構成を部分的に異ならせたものであるから、他の素子基板１０の製造工程や素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせ工程などは第１実施形態の製造方法を適用することができる。したがって、第１実施形態と異なる対向基板２０の隔壁形成工程について説明する。

本実施形態の液晶装置２００の製造方法における隔壁形成工程では、図１１（ａ）に示すように、対向基板２０の厚みよりも厚いマザー基板Ｍ２を用意し、前述した見切り部２１が形成される表面２０ｂに相当する部分をレジスト６０で被覆する。このようにレジスト６０が形成されたマザー基板Ｍ２の表面Ｍ２ｂを隔壁２３の頭頂部２３ａに相当する部分までドライエッチングあるいはウェットエッチングする。これにより、図１１（ｂ）に示すように、マザー基板Ｍ２に凹部Ｍ２ｃが形成される。

次に、図１１（ｃ）に示すように、一旦、レジスト６０を剥離した後に、凹部Ｍ２ｃの隔壁２３の頭頂部２３ａに相当する部分を覆って再びレジスト６０を形成する。そして、マザー基板Ｍ２の表面Ｍ２ｂと凹部Ｍ２ｃとを表面２０ｂに相当する部分まで再びドライエッチングあるいはウェットエッチングする。これにより、図１１（ｄ）に示すように、対向基板２０の外形に至る凹部２０ａと、凹部２０ａの底面から突出した隔壁２３と、隔壁２３よりも高さが低く、平坦な表面２０ｂを有する凸部２０ｄとを有する対向基板２０が形成される。

本実施形態では、隔壁２３と凸部２０ｄとの間に溝２０ｃが形成される。つまり、隔壁２３は凸部２０ｄから離間した位置に形成される。
上記のようなエッチング方法を用いれば、隔壁２３と凸部２０ｄとを密着させた状態で形成することも可能ではあるが、図１１（ｃ）に示したように、隔壁２３の頭頂部２３ａに相当する部分を再びレジスト６０で覆う際に、レジスト６０の高い位置精度が求められる。所望の位置に対してずれた状態でレジスト６０が形成されると、先に形成された凹部Ｍ２ｃの影響がエッチング後に残って、隔壁２３の頭頂部２３ａに段差が生ずるおそれがある。それゆえ、所望の幅と平坦な頭頂部２３ａとを有する隔壁２３を形成するため、レジスト６０の形成における位置精度を考慮して、マザー基板Ｍ２の凹部Ｍ２ｃの底面において表面Ｍ２ｂから離間した位置にレジスト６０を形成している。

以上に述べた第４実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）〜（３）に加えて、以下の効果が得られる。
（６）液晶装置２００の液晶層５０を区画する隔壁２３は、対向基板２０に形成された凹部２０ａの底面から突出し、素子基板１０の配向膜１８の表面に接するように形成されている。シール材４０は凹部２０ａと平面的に重なる位置に配置され、液晶層５０の厚みｄ₀よりも径ｄ₁が大きなギャップ材４２を含んでいる。したがって、第１実施形態に比べて液晶層５０の厚みｄ₀の実際のばらつきを小さくできる。つまり、より安定した光学特性を実現できる。

（第５実施形態）
次に、第５実施形態の液晶装置について、図１２を参照して説明する。図１２は第５実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。第５実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して素子基板および対向基板の構成を部分的に異ならせたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。図１２は、第１実施形態における図１のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図である図２に相当するものである。

図１２に示すように、本実施形態の液晶装置２５０は、素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板に挟持された液晶層５０とを有している。

素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた画素電極１５と、画素電極１５の電気的な制御に係るＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に繋がる信号線類（図示省略）と、データ線駆動回路１０１および検査回路１０３を含む周辺回路と、が形成されている。
また、素子基板１０のシール材４０と平面的に重なる部分に凹部１０ｂが形成されている。配向膜１８は画素領域Ｅの複数の画素電極１５を覆うと共に、凹部１０ｂにおいてシール材４０と重なる部分を覆うように形成されている。

対向基板２０の液晶層５０側の表面には、画素領域Ｅを囲む額縁状の見切り部２１と、見切り部２１を覆う共通電極２２と、共通電極２２を覆う配向膜２４とが形成されている。また、対向基板２０は画素領域Ｅを囲む見切り部２１とシール材４０との間に対向基板２０と一体形成された隔壁２３を有している。

隔壁２３は、見切り部２１よりも外側において対向基板２０の外形に達するように形成された凹部２０ａの底面から素子基板１０に向けて突出し、頭頂部が素子基板１０の凹部１０ｂに形成された配向膜１８に接するように形成されている。
見切り部２１が形成された対向基板２０の表面２０ｂと隔壁２３との間には溝２０ｃが形成されている。言い換えれば、隔壁２３は、凹部２０ａにおいて、表面２０ｂとシール材４０とからそれぞれ離間して形成されている。

シール材４０は、素子基板１０の凹部１０ｂおよび対向基板２０の凹部２０ａとそれぞれ重なる位置に配置されており、画素領域Ｅにおける液晶層５０の設計上の厚みｄ₂よりも径ｄ₁が大きいギャップ材４２を含んでいる。本実施形態の液晶装置２５０における液晶層５０の設計上の厚みｄ₂は、第４実施形態の液晶装置２００における液晶層５０の設計上の厚みｄ₀よりも小さい。言い換えれば、本実施形態の液晶装置２５０では、液晶層５０の設計上の厚みｄ₂が第４実施形態より小さくても、シール材４０は第４実施形態と同じギャップ材４２を含んで構成されている。

以上に述べた第５実施形態によれば、第１実施形態の効果（１）〜（３）に加えて、以下の効果が得られる。
（７）液晶装置２５０は、シール材４０と平面的に重なる素子基板１０の部分に凹部１０ｂが形成され、同じくシール材４０と平面的に重なる対向基板２０の部分に凹部２０ａが形成されている。したがって、液晶層５０の設計上の厚みｄ₂が第４実施形態より小さくても、シール材４０は第４実施形態と同じギャップ材４２を含んで構成することができる。すなわち、液晶層５０の厚みｄ₂がより小さく（薄く）なっても、同じ径ｄ₁を有するギャップ材４２を用いることができるので、液晶層５０の厚みｄ₂の実際のばらつきを小さくし、所望の光学特性を実現することができる。

以上、本発明の液晶装置について、第１〜第５実施形態の例を挙げて説明したが、これらの実施形態を組み合わせた例も挙げることができる。例えば、第３実施形態の隔壁の構成を第５実施形態に当てはめることも可能である。つまり、第５実施形態の液晶装置２５０において、素子基板１０の凹部１０ｂから突出させた第１隔壁と、対向基板２０の凹部２０ａから突出させた第２隔壁とを突き合わせて、液晶層５０を区画する隔壁を構成してもよい。

（第６実施形態）
次に、本発明の液晶装置が適用された電子機器について、図１３を参照して説明する。図１３は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

＜投射型表示装置＞
図１３に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、シール材４０に含まれる不純物の拡散に起因する表示不具合が防止され、安定した表示品質と高い信頼性とが得られる液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、優れた表示品位が実現され、長期に渡っての使用においても表示品質が低下し難い信頼性が実現されている。もちろん、第１実施形態の液晶装置１００に代えて、第３実施形態の液晶装置１５０、第４実施形態の液晶装置２００、第５実施形態の液晶装置２５０を採用することもできる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および該液晶装置の製造方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記実施形態の液晶装置１００において、隔壁２３は対向基板２０に対して一体形成されることに限定されない。例えば、対向基板２０の基材（マザー基板Ｍ２）として石英基板を用い、酸化シリコンなどの酸化膜を石英基板に対して優れた密着性を示すＣＶＤ法などを用いて基材表面に厚膜形成する。酸化膜が形成された側の表面を前述したようにドライエッチングあるいはウェットエッチングすることで、対向基板２０上において酸化膜からなる隔壁２３を形成するとしてもよい。このようにすれば、対向基板２０に対して隔壁２３を一体的に形成することができる。このような隔壁形成方法は、上記他の実施形態の液晶装置１５０，２００，２５０にも適用できる。

（変形例２）上記液晶装置１００において、液晶層５０を挟持する一対の基板間における隔壁２３やシール材４０の配置はこれに限定されない。図１４は変形例の液晶装置の構成を示す概略平面図である。例えば、図１４に示すように、シール材４０は、素子基板１０の端子部１０ａに沿った辺部側において、シール開口部４０ａを有している。シール開口部４０ａは、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂などからなる封止材８０によって封止されている。見切り部２１とシール材４０との間に形成された隔壁２３は、シール開口部４０ａに面する一方の辺部と対向する他方の辺部において複数（５つ）の隔壁開口部２３ｄを有している。このような隔壁２３とシール材４０との構成において、前述したようにＯＤＦ方式で液晶５０ａを一対の基板間に充填すると、液晶層５０の厚みを一定とした後に、余分な液晶５０ａを複数の隔壁開口部２３ｄと、隔壁２３とシール材４０との間の隙間４５と、シール開口部４０ａとを経由して、液晶装置１００の外部に排出させることができる。余分な液晶５０ａを排出させた後に、シール開口部４０ａを封止材８０によって封止すればよい。また、余分な液晶５０ａを外部に排出せずに、上記隙間４５に充填させた状態でシール開口部４０ａを封止してもよい。
このような隔壁２３とシール材４０の構成によれば、ＯＤＦ方式によって滴下する液晶５０ａの量を高精度に管理しなくても、画素領域Ｅにおいて所望の厚みを有する液晶層５０を実現できる。なお、隔壁開口部２３ｄとシール開口部４０ａはそれぞれ少なくとも１つ形成すればよい。
また、ＯＤＦ方式によらず、シール開口部４０ａを注入口として機能させ所謂真空注入方式により、シール開口部４０ａから隙間４５と隔壁開口部２３ｄとを経由して画素領域Ｅに液晶５０ａを充填してもよい。その場合には、シール材４０だけでなく封止材８０に含まれる不純物が画素領域Ｅの液晶層５０に拡散することを抑制することができる。
また、このような隔壁２３とシール材４０の構成は、他の実施形態の液晶装置１５０，２００，２５０においても適用することができる。

（変形例３）上記実施形態の液晶装置１００，１５０，２００，２５０は、カラーフィルターを備えた対向基板２０を用いて構成してもよい。これによれば、フルカラー表示が可能な液晶装置１００，１５０，２００，２５０を提供できる。

（変形例４）上記隔壁２３の構造を適用可能な液晶装置１００は透過型に限定されない。例えば画素Ｐの画素電極１５が光反射性を有する反射型の液晶装置や、画素Ｐが光反射領域と光透過領域とを有する半透過反射型、画素Ｐが半透過型の液晶装置にも適用可能である。他の実施形態の液晶装置１５０，２００，２５０においても同様である。

（変形例５）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…他方の基板としての素子基板、１０ｂ…凹部、１０ｃ…第２隔壁、１５…画素電極、２０…一方の基板としての対向基板、２０ａ…凹部、２１…遮光膜としての見切り部、２３…隔壁、２３ｃ…第１隔壁、２３ｄ…隔壁開口部、４０…シール材、４０ａ…シール開口部、４１，４２…ギャップ材、４５…シール材と隔壁との隙間、５０…液晶層、５０ａ…液晶、１００，１５０，２００，２５０…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域。

Claims (12)

1. 一対の基板と、
   平面視で、前記一対の基板の外縁に沿って配置され、前記一対の基板を貼り合わせたシール材と、
   前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、
   前記一対の基板のうちのいずれか一方に複数の画素電極を含み、前記シール材よりも内側に画素領域と、
   前記一対の基板の間の前記画素領域を囲む位置に形成された隔壁と、を備え、
   前記隔壁は前記一対の基板の少なくとも一方に一体的に形成されていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記一対の基板のうち少なくとも一方の前記シール材と平面的に重なる部分に凹部を有し、
   前記隔壁は、前記凹部の底面から突出するように形成され、
   前記シール材には前記液晶層の厚みよりも径が大きなギャップ材が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記隔壁は、前記一対の基板のうち一方の基板から突出する第１隔壁と、他方の基板から突出する第２隔壁とが突き合わされて構成されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記隔壁は、前記シール材よりも内側で前記シール材から離間して形成され、前記シール材と前記隔壁との隙間の少なくとも一部に液晶が充填されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 前記シール材は少なくとも１つのシール開口部を有し、
   前記隔壁は少なくとも１つの隔壁開口部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 前記隔壁開口部は、前記シール開口部に面した前記隔壁の一方の辺部に対向する他方の辺部に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
7. 前記隔壁と前記画素領域との間に前記画素領域を囲む遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
8. 一対の基板により挟持された液晶層と、複数の画素電極を含む画素領域とを有する液晶装置の製造方法であって、
   前記一対の基板のうち一方の基板の前記画素領域を囲む位置に隔壁を一体的に形成する第１工程と、
   前記一方の基板の前記隔壁で囲まれた領域に所定量の液晶を滴下する第２工程と、
   前記一対の基板のうち他方の基板に前記隔壁よりも外側で前記隔壁から離間した位置にシール材を額縁状に配置する第３工程と、
   前記液晶が滴下された前記一方の基板と、前記シール材が配置された前記他方の基板とを減圧下で前記シール材を介して貼り合わせる第４工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. 一対の基板により挟持された液晶層と、複数の画素電極を含む画素領域とを有する液晶装置の製造方法であって、
   前記一対の基板のうち一方の基板の前記画素領域を囲む位置に隔壁を一体的に形成する第１工程と、
   前記一対の基板のうち他方の基板に前記隔壁よりも外側で前記隔壁から離間した位置にシール材を額縁状に配置する第２工程と、
   前記他方の基板の前記シール材で囲まれた領域に所定量の液晶を滴下する第３工程と、
   前記液晶が滴下された前記他方の基板と、前記一方の基板とを減圧下で前記シール材を介して貼り合わせる第４工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 前記第１工程は、前記一方の基板の前記シール材と平面的に重なる部分に凹部を形成すると共に前記凹部の底面から突出するように前記隔壁を形成し、
    前記第３工程は、前記液晶層の厚みよりも径が大きなギャップ材が含まれた前記シール材を用いることを特徴とする請求項８または９に記載の液晶装置の製造方法。
11. 前記隔壁は、少なくとも１つの隔壁開口部を有するように形成され、
    前記シール材は、少なくとも１つのシール開口部を有するように形成されることを特徴とする請求項８または９に記載の液晶装置の製造方法。
12. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

Images