JP2013042629A - Control circuit for switching power-supply, switching power-supply using the same, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve the high efficiency of a switching power-supply.SOLUTION: A comparator 12 generates a comparison signal S2 asserted when a detection voltage Vis lower than a threshold voltage V. A pulse modulator 10 generates a pulse modulation signal S1 in which a duty cycle is adjusted so that an output of a switching power-supply 2 is stabilized. A driver 20 changes a drive pulse signal S3 to a third level corresponding to on of a switching transistor M1 when the pulse modulation signal S1 changes to a second level corresponding to on of the switching transistor M1. Further, the driver 20 changes the drive pulse signal S3 to a fourth level corresponding to off of the switching transistor M1 at the later timing between a timing when the pulse modulation signal S1 changes to a first level and a timing when the comparison signal S2 is asserted.

Description

本発明は、スイッチング電源に関する。   The present invention relates to a switching power supply.

入力電圧よりも高い電圧もしくは低い電圧を生成する目的で、あるいは交流電圧を直流電圧に、あるいは直流電圧を交流電圧に変換する目的で、スイッチング電源が利用される。図1は、スイッチング電源2rの構成例を示す回路図である。図1のスイッチング電源2rは、昇圧DC/DCコンバータであり、入力端子P1の電圧VINを昇圧し、出力端子P2に接続された負荷4に電圧VOUTを供給する。スイッチング電源2rは、インダクタL1、整流ダイオードD1、出力キャパシタC1および制御回路100rを備える。制御回路100rは、パルス変調器10、スイッチングトランジスタM1、ドライバ20rを含む。 A switching power supply is used for the purpose of generating a voltage that is higher or lower than the input voltage, or for converting an AC voltage into a DC voltage, or for converting a DC voltage into an AC voltage. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of the switching power supply 2r. The switching power supply 2r in FIG. 1 is a step-up DC / DC converter, which steps up the voltage VIN at the input terminal P1 and supplies the voltage VOUT to the load 4 connected to the output terminal P2. The switching power supply 2r includes an inductor L1, a rectifier diode D1, an output capacitor C1, and a control circuit 100r. The control circuit 100r includes a pulse modulator 10, a switching transistor M1, and a driver 20r.

パルス変調器10は、スイッチング電源2の出力電圧VOUTもしくは出力電流IOUTが所定の目標値に近づくようにデューティ比が調節されるパルス変調信号S1を生成する。ドライバ20rは、パルス変調信号S1を、スイッチングトランジスタM1のゲートに出力する。 The pulse modulator 10 generates a pulse modulation signal S1 whose duty ratio is adjusted so that the output voltage V OUT or the output current I OUT of the switching power supply 2 approaches a predetermined target value. The driver 20r outputs the pulse modulation signal S1 to the gate of the switching transistor M1.

特開平9−266664号公報JP-A-9-266664 特開平6−006969号公報JP-A-6-006969 特開平10−108457号公報JP-A-10-108457 特開2008−172909号公報JP 2008-172909 A 特開2005−261009号公報JP 2005-261209 A 特開平7−222438号公報JP-A-7-222438

スイッチングトランジスタM1は、ゲート抵抗Rおよびゲート容量Cなどの寄生パラメータを有し、特にパワートランジスタのゲート容量は大きいため、スイッチングトランジスタM1のゲート電圧Vは完全なパルス波形とはならず、なまってしまう。 The switching transistor M1 includes a parasitic parameters such as the gate resistor R G and the gate capacitance C G, especially since the gate capacitance of the power transistor large, the gate voltage V G of the switching transistor M1 is not a complete pulse waveform, I'll be addicted.

図2(a)は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のゲート電圧−ドレイン電流(V−IM1)特性を示す図であり、図2(b)は、パルス変調信号S1とゲート電圧Vの波形図である。 FIG. 2A is a diagram showing a gate voltage-drain current (V G -I M1 ) characteristic of a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), and FIG. 2B shows a pulse modulation signal S1 and a gate voltage. it is a waveform diagram of V G.

図2(a)に示すように、ゲート電圧Vがしきい値電圧VTHより低い領域では、スイッチングトランジスタM1にはほとんど電流が流れない。ここで、スイッチング電源2rの出力電流IOUTが小さな軽負荷状態では、パルス変調信号S1のデューティ比(オン時間)が小さくなり、パルス変調信号S1がハイレベルに遷移しているにもかかわらず、ゲート電圧Vがしきい値電圧VTHを超えない状況が生じうる。 As shown in FIG. 2A, almost no current flows through the switching transistor M1 in a region where the gate voltage V G is lower than the threshold voltage V TH . Here, in a light load state where the output current I OUT of the switching power supply 2r is small, the duty ratio (on time) of the pulse modulation signal S1 is small, and the pulse modulation signal S1 is transitioning to a high level. situation in which the gate voltage V G does not exceed the threshold voltage V TH can occur.

ゲート電圧Vを変化させるためには、ゲート容量Cを充放電する必要があるため、ドライバ20rにおいて電力が消費される一方、スイッチングトランジスタM1には電流IM1が流れず、インダクタL1にエネルギーが蓄えられない。すなわち、図2(b)にてハッチングを付したゲート電圧変化に相当する電荷が無駄に消費され、スイッチング電源の効率が悪化する。なお、かかる問題は、昇圧DC/DCコンバータに限らず、降圧DC/DCコンバータ、あるいはAC/DCコンバータ、DC/ACコンバータなど別のスイッチング電源においても生じうる。 In order to change the gate voltage V G is due to the gate capacitance C G must be charged and discharged, while the power is consumed in the driver 20r, no current I M1 flows through the switching transistor M1, the energy in the inductor L1 Cannot be stored. That is, the charge corresponding to the change in the gate voltage hatched in FIG. 2B is wasted, and the efficiency of the switching power supply is deteriorated. Such a problem may occur not only in a step-up DC / DC converter but also in another switching power supply such as a step-down DC / DC converter, an AC / DC converter, or a DC / AC converter.

本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、スイッチング電源の高効率化にある。   The present invention has been made in view of these problems, and one of the exemplary purposes of an aspect thereof is to increase the efficiency of a switching power supply.

本発明のある態様は、スイッチング電源の制御回路に関する。制御回路は、スイッチングトランジスタの両端間の検出電圧を所定のしきい値電圧と比較し、検出電圧がしきい値電圧より小さくなるとアサートされる比較信号を生成するコンパレータと、スイッチング電源の出力が安定化するようにデューティ比が調節されるパルス変調信号を生成するパルス変調器と、パルス変調信号および比較信号にもとづき、スイッチングトランジスタの駆動パルス信号を生成するドライバと、を備える。ドライバは、(1)パルス変調信号が、スイッチングトランジスタのオフに対応する第1レベルから、スイッチングトランジスタのオンに対応する第2レベルに遷移すると、駆動パルス信号を、スイッチングトランジスタのオンに対応する第3レベルに遷移させる。またドライバは、(2)パルス変調信号がスイッチングトランジスタのオンに対応する第2レベルからオフに対応する第1レベルに遷移するタイミングと、比較信号がアサートされるタイミングのうち、遅いタイミングで、駆動パルス信号を、スイッチングトランジスタのオフに対応する第4レベルに遷移させる。   One embodiment of the present invention relates to a control circuit for a switching power supply. The control circuit compares the detection voltage across the switching transistor with a predetermined threshold voltage, generates a comparison signal that is asserted when the detection voltage is lower than the threshold voltage, and the output of the switching power supply is stable A pulse modulator that generates a pulse modulation signal in which the duty ratio is adjusted so as to generate a signal, and a driver that generates a drive pulse signal for the switching transistor based on the pulse modulation signal and the comparison signal. (1) When the pulse modulation signal transitions from the first level corresponding to the switching transistor off to the second level corresponding to the switching transistor on, the driver changes the driving pulse signal to the second level corresponding to the switching transistor on. Transition to level 3. The driver drives (2) at a later timing among the timing at which the pulse modulation signal transitions from the second level corresponding to turning on of the switching transistor to the first level corresponding to turning off and the timing at which the comparison signal is asserted. The pulse signal is shifted to a fourth level corresponding to the switching transistor being turned off.

スイッチングトランジスタのゲート電圧が、FET(Field Effect Transistor)のしきい値電圧を超えると、スイッチングトランジスタの両端間の検出電圧が小さくなる。この態様によれば、検出電圧にもとづいて、スイッチングトランジスタのゲート電圧がしきい値電圧を超えたことを検出した後に、駆動パルス信号をスイッチングトランジスタがオフするレベルに遷移させるため、確実にスイッチングトランジスタに電流を流して、誘導性素子にエネルギーを蓄えることができるため、無駄なゲート容量の充放電を抑制できる。   When the gate voltage of the switching transistor exceeds the threshold voltage of an FET (Field Effect Transistor), the detection voltage across the switching transistor decreases. According to this aspect, after detecting that the gate voltage of the switching transistor has exceeded the threshold voltage based on the detection voltage, the drive pulse signal is shifted to a level at which the switching transistor is turned off. Current can be passed through to store energy in the inductive element, so that unnecessary charge / discharge of the gate capacitance can be suppressed.

ドライバは、パルス変調信号がスイッチングトランジスタのオフに対応する第1レベルからオンに対応する第2レベルに遷移すると、スイッチングトランジスタのオンに対応する第5レベルに遷移し、比較信号がアサートされると、スイッチングトランジスタのオフに対応する第6レベルに遷移する中間パルス信号を生成する第1論理ゲートと、パルス変調信号と中間パルス信号の少なくとも一方が、スイッチングトランジスタのオンに対応するレベルをとるとき、駆動パルス信号を第3レベルとし、それ以外のとき、駆動パルス信号を第4レベルとする第2論理ゲートと、を含む。   When the pulse modulation signal transits from the first level corresponding to the switching transistor off to the second level corresponding to the on, the driver transits to the fifth level corresponding to the switching transistor on and the comparison signal is asserted. A first logic gate that generates an intermediate pulse signal that transitions to a sixth level corresponding to the switching transistor being turned off, and at least one of the pulse modulation signal and the intermediate pulse signal has a level that corresponds to the switching transistor being turned on, And a second logic gate having the drive pulse signal at the third level, and otherwise setting the drive pulse signal at the fourth level.

ドライバは、そのセット端子にパルス変調信号が入力され、そのリセット端子に比較信号が入力されたSRフリップフロップと、SRフリップフロップの出力とパルス変調信号の論理和を、駆動パルス信号として出力するORゲートと、を含んでもよい。   The driver outputs, as a drive pulse signal, an SR flip-flop having a pulse modulation signal input to its set terminal and a comparison signal input to its reset terminal, and an OR of the output of the SR flip-flop and the pulse modulation signal. And a gate.

制御回路は、1つの半導体基板に一体集積化されてもよい。「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。   The control circuit may be integrated on a single semiconductor substrate. “Integrated integration” includes the case where all of the circuit components are formed on a semiconductor substrate and the case where the main components of the circuit are integrated. A resistor, a capacitor, or the like may be provided outside the semiconductor substrate.

本発明の別の態様は、スイッチング電源に関する。このスイッチング電源は、上述のいずれかの制御回路を備える。   Another aspect of the present invention relates to a switching power supply. This switching power supply includes any of the control circuits described above.

本発明の別の態様は、電子機器に関する。この電子機器は、上述のスイッチング電源を備える。   Another embodiment of the present invention relates to an electronic device. This electronic device includes the above-described switching power supply.

なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。   It should be noted that any combination of the above-described constituent elements, and those in which constituent elements and expressions of the present invention are mutually replaced between methods, apparatuses, systems, and the like are also effective as an aspect of the present invention.

本発明のある態様によれば、スイッチング電源の効率を高めることができる。   According to an aspect of the present invention, the efficiency of the switching power supply can be increased.

スイッチング電源の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of a switching power supply. 図2(a)は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のゲート電圧−ドレイン電流特性を示す図であり、図2(b)は、パルス変調信号とゲート電圧の波形図である。FIG. 2A is a diagram showing a gate voltage-drain current characteristic of a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), and FIG. 2B is a waveform diagram of a pulse modulation signal and a gate voltage. 実施の形態に係るスイッチング電源を備える電子機器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of an electronic device provided with the switching power supply which concerns on embodiment. 図3のスイッチング電源の動作を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows operation | movement of the switching power supply of FIG.

以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。   The present invention will be described below based on preferred embodiments with reference to the drawings. The same or equivalent components, members, and processes shown in the drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted as appropriate. The embodiments do not limit the invention but are exemplifications, and all features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.

本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。また、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。   In this specification, “the state in which the member A is connected to the member B” means that the member A and the member B are electrically connected to each other in addition to the case where the member A and the member B are physically directly connected. It includes cases where the connection is indirectly made through other members that do not substantially affect the general connection state, or that do not impair the functions and effects achieved by their combination. In addition, “the state in which the member C is provided between the member A and the member B” refers to the case where the member A and the member C or the member B and the member C are directly connected, as well as their electrical Including the case of being indirectly connected through other members that do not substantially affect the state of connection, or do not impair the functions and effects achieved by the combination thereof.

図3は、実施の形態に係るスイッチング電源2を備える電子機器1の構成を示す回路図である。電子機器1は、たとえば携帯電話端末、PDA(Personal Digital Assistants)、携帯型オーディオプレイヤ、デジタルカメラなどの電池駆動型デバイスであり、スイッチング電源2および負荷4を備える。スイッチング電源2は、その入力端子P1に、図示しない電池やACアダプタからの直流の入力電圧VINを受け、それを昇圧して、出力端子P2に接続される負荷4に対して出力電圧VOUTを出力する昇圧DC/DCコンバータ(スイッチングレギュレータ)である。 FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of the electronic device 1 including the switching power supply 2 according to the embodiment. The electronic device 1 is a battery-powered device such as a mobile phone terminal, a PDA (Personal Digital Assistants), a portable audio player, or a digital camera, and includes a switching power supply 2 and a load 4. The switching power supply 2 receives a DC input voltage VIN from a battery or an AC adapter (not shown) at its input terminal P1, boosts it, and outputs the output voltage V OUT to the load 4 connected to the output terminal P2. Is a step-up DC / DC converter (switching regulator).

スイッチング電源2は、制御回路100、スイッチングトランジスタM1、出力回路102を備える。制御回路100は、ひとつの半導体基板に一体集積化された機能ICであり、スイッチングトランジスタM1も制御回路100に集積化されている。   The switching power supply 2 includes a control circuit 100, a switching transistor M1, and an output circuit 102. The control circuit 100 is a functional IC integrated on a single semiconductor substrate, and the switching transistor M1 is also integrated on the control circuit 100.

スイッチング電源2は、その出力をフィードバックによって安定化させるDC/DCコンバータである。制御回路100のフィードバック(FB)端子には、スイッチング電源2の出力である出力電圧VOUTあるいは出力電流IOUTの少なくとも一方、あるいは両方がフィードバックされる。本実施の形態において、FB端子には、出力電圧VOUTを分圧したフィードバック電圧VFBが入力される。 The switching power supply 2 is a DC / DC converter that stabilizes its output by feedback. The feedback (FB) terminal of the control circuit 100, at least one, or both, of the output voltage V OUT or the output current I OUT is the output of the switching power supply 2 is fed back. In the present embodiment, a feedback voltage V FB obtained by dividing the output voltage V OUT is input to the FB terminal.

出力回路102は、インダクタL1、整流素子D1、出力キャパシタC1を含む。出力回路102の構成は一般的な昇圧型DC/DCコンバータの整流平滑回路であるため、ここでの詳細な説明は省略する。整流素子D1に代えて、同期整流用トランジスタが設けられてもよい。   The output circuit 102 includes an inductor L1, a rectifying element D1, and an output capacitor C1. Since the configuration of the output circuit 102 is a rectifying / smoothing circuit of a general step-up DC / DC converter, a detailed description thereof is omitted here. Instead of the rectifying element D1, a synchronous rectifying transistor may be provided.

スイッチングトランジスタM1は、インダクタL1の一端が接続されるスイッチング端子SWと接地端子の間に設けられる。制御回路100は、スイッチング電源2の電気的状態のひとつである出力電圧VOUTに応じたフィードバック信号VFBが所定の基準値に近づくように、スイッチングトランジスタM1をスイッチングする。これにより入力電圧VINや負荷4の状態によらずに、出力電圧VOUTが安定化される。 The switching transistor M1 is provided between the switching terminal SW to which one end of the inductor L1 is connected and the ground terminal. The control circuit 100 switches the switching transistor M1 so that the feedback signal VFB corresponding to the output voltage VOUT that is one of the electrical states of the switching power supply 2 approaches a predetermined reference value. As a result, the output voltage VOUT is stabilized regardless of the state of the input voltage VIN and the load 4.

制御回路100は、スイッチングトランジスタM1、パルス変調器10、コンパレータ12、ドライバ20、を備える。
パルス変調器10は、フィードバック電圧VFBが所定の基準電圧と一致するようにデューティ比が調節されるパルス変調信号S1を生成する。パルス変調器10の構成は特に限定されず、電圧モードの変調器、ピーク電流モードあるいは平均電流モードの変調器、ヒステリシス制御の変調器など、公知の回路を用いればよい。
The control circuit 100 includes a switching transistor M1, a pulse modulator 10, a comparator 12, and a driver 20.
The pulse modulator 10 generates a pulse modulation signal S1 whose duty ratio is adjusted so that the feedback voltage V FB matches a predetermined reference voltage. The configuration of the pulse modulator 10 is not particularly limited, and a known circuit such as a voltage mode modulator, a peak current mode or average current mode modulator, or a hysteresis control modulator may be used.

コンパレータ12は、スイッチングトランジスタM1の両端間の検出電圧VDSを所定のしきい値電圧VTH_DSと比較し、検出電圧VDSがしきい値電圧VTH_DSより小さくなるとアサート(たとえばハイレベル)される比較信号S2を生成する。コンパレータ12は、チャタリングを防止するためにヒステリシスコンパレータとしてもよい。しきい値電圧VTH_DSは、ゲート電圧Vがしきい値電圧VTHと等しいときのドレインソース間電圧VDS1よりも、小さく設定される。 Comparator 12, the detection voltage V DS across the switching transistor M1 with a predetermined threshold voltage V TH_DS, is asserted (e.g., high level) when the detection voltage V DS is less than the threshold voltage V TH_DS A comparison signal S2 is generated. The comparator 12 may be a hysteresis comparator to prevent chattering. The threshold voltage V TH_DS is set smaller than the drain-source voltage V DS1 when the gate voltage V G is equal to the threshold voltage V TH .

ドライバ20は、パルス変調信号S1および比較信号S2にもとづき、スイッチングトランジスタM1の駆動パルス信号S3を生成し、スイッチングトランジスタM1のゲートに出力する。   The driver 20 generates a drive pulse signal S3 for the switching transistor M1 based on the pulse modulation signal S1 and the comparison signal S2, and outputs it to the gate of the switching transistor M1.

具体的には、ドライバ20は、(1)パルス変調信号S1が、スイッチングトランジスタM1のオフに対応する第1レベル(たとえばローレベル)から、スイッチングトランジスタM1のオンに対応する第2レベル(たとえばハイレベル)に遷移すると、駆動パルス信号S3を、スイッチングトランジスタM1のオンに対応する第3レベル(たとえばハイレベル)に遷移させる。
またドライバ20は、(2)パルス変調信号S1が第2レベル(ハイレベル)から第1レベル(ローレベル)に遷移するタイミングと、比較信号S2がアサートされるタイミングのうち、遅いタイミングで、駆動パルス信号S3を、スイッチングトランジスタM1のオフに対応する第4レベル(たとえばローレベル)に遷移させる。
Specifically, the driver 20 (1) the pulse modulation signal S1 is changed from a first level (for example, low level) corresponding to the switching transistor M1 to OFF to a second level (for example, high level) corresponding to the switching transistor M1 being turned on When the level is changed, the drive pulse signal S3 is changed to a third level (for example, high level) corresponding to the switching transistor M1 being turned on.
The driver 20 is driven at a later timing among (2) the timing at which the pulse modulation signal S1 changes from the second level (high level) to the first level (low level) and the timing at which the comparison signal S2 is asserted. The pulse signal S3 is shifted to a fourth level (for example, a low level) corresponding to the switching transistor M1 being turned off.

一例としてドライバ20は、第1論理ゲート22と、第2論理ゲート24を含む。
第1論理ゲート22は、中間パルス信号S4を生成する。第1論理ゲート22は、パルス変調信号S1がスイッチングトランジスタM1のオフに対応する第1レベル(ローレベル)からオンに対応する第2レベル(ハイレベル)に遷移すると、中間パルス信号S4を、スイッチングトランジスタM1のオンに対応する第5レベル(ハイレベル)に遷移させる。また、第1論理ゲート22は、比較信号S2がアサートされると、中間パルス信号S4を、スイッチングトランジスタM1のオフに対応する第6レベル(ローレベル)に遷移させる。
As an example, the driver 20 includes a first logic gate 22 and a second logic gate 24.
The first logic gate 22 generates an intermediate pulse signal S4. The first logic gate 22 switches the intermediate pulse signal S4 when the pulse modulation signal S1 transits from the first level (low level) corresponding to the switching transistor M1 to OFF to the second level (high level) corresponding to the ON. A transition is made to the fifth level (high level) corresponding to the on-state of the transistor M1. Further, when the comparison signal S2 is asserted, the first logic gate 22 changes the intermediate pulse signal S4 to the sixth level (low level) corresponding to the switching transistor M1 being turned off.

第2論理ゲート24は、パルス変調信号S1と中間パルス信号S4の少なくとも一方が、スイッチングトランジスタM1のオンに対応するレベルをとるとき、駆動パルス信号S3を、スイッチングトランジスタM1のオンに対応する第3レベル(ハイレベル)とし、それ以外のとき、駆動パルス信号S3を、スイッチングトランジスタM1のオフに対応する第4レベル(ローレベル)とする。   When at least one of the pulse modulation signal S1 and the intermediate pulse signal S4 has a level corresponding to the on state of the switching transistor M1, the second logic gate 24 outputs the driving pulse signal S3 to the third state corresponding to the on state of the switching transistor M1. In other cases, the drive pulse signal S3 is set to a fourth level (low level) corresponding to the switching transistor M1 being turned off.

たとえば第1論理ゲート22は、そのセット端子(S)にパルス変調信号S1が入力され、そのリセット端子(R)に比較信号S2が入力されるSRフリップフロップであってもよい。また、第2論理ゲート24は、パルス変調信号S1と中間パルス信号S4の論理和を生成するORゲートであってもよい。   For example, the first logic gate 22 may be an SR flip-flop in which the pulse modulation signal S1 is input to the set terminal (S) and the comparison signal S2 is input to the reset terminal (R). The second logic gate 24 may be an OR gate that generates a logical sum of the pulse modulation signal S1 and the intermediate pulse signal S4.

なおドライバ20の構成は図3のそれには限定されず、当業者であれば、デジタル論理演算回路によって、図3と同等の機能を有する回路を設計することができ、それらも本発明の範囲に含まれる。   The configuration of the driver 20 is not limited to that of FIG. 3, and those skilled in the art can design a circuit having a function equivalent to that of FIG. 3 by a digital logic operation circuit, and these are also within the scope of the present invention. included.

以上がスイッチング電源2の構成である。続いてその動作を説明する。図4は、図3のスイッチング電源2の動作を示す波形図である。   The above is the configuration of the switching power supply 2. Next, the operation will be described. FIG. 4 is a waveform diagram showing the operation of the switching power supply 2 of FIG.

パルス変調器10によって、スイッチング電源2の出力電圧VOUTが一定レベルに保たれるようにパルス変調信号S1のデューティ比が調節される。 The duty ratio of the pulse modulation signal S1 is adjusted by the pulse modulator 10 so that the output voltage VOUT of the switching power supply 2 is maintained at a constant level.

時刻t1にパルス変調信号S1がローレベルからハイレベルに遷移すると、第1論理ゲート22のSRフリップフロップがセットされ、中間パルス信号S4がハイレベルとなる。時刻t1に、第2論理ゲート24から出力される駆動パルス信号S3もハイレベルとなる。   When the pulse modulation signal S1 transitions from low level to high level at time t1, the SR flip-flop of the first logic gate 22 is set, and the intermediate pulse signal S4 becomes high level. At time t1, the drive pulse signal S3 output from the second logic gate 24 also becomes high level.

駆動パルス信号S3がハイレベルとなると、スイッチングトランジスタM1のゲート電圧Vが上昇し始める。時刻t2に、パルス変調信号S1がローレベルに遷移するが、中間パルス信号S4がハイレベルを維持しているため、駆動パルス信号S3はハイレベルを維持する。 When the drive pulse signal S3 becomes high level, the gate voltage V G of the switching transistor M1 starts to rise. At time t2, the pulse modulation signal S1 transitions to a low level, but the intermediate pulse signal S4 maintains a high level, so the drive pulse signal S3 maintains a high level.

ゲート電圧Vの上昇にともない、スイッチングトランジスタM1のドレインソース間の検出電圧VDSが小さくなる。時刻t3に、検出電圧VDSがしきい値電圧VTH_DSより低くなると、比較信号S2がアサートされ、第1論理ゲート22のSRフリップフロップがリセットされる。これにより中間パルス信号S4がローレベルに遷移し、駆動パルス信号S3もローレベルとなる。 With increasing gate voltage V G, the detection voltage V DS between the drain and source of the switching transistor M1 is reduced. At time t3, when the detection voltage V DS becomes lower than the threshold voltage V TH_DS, the comparison signal S2 is asserted, SR flip-flop of the first logic gate 22 is reset. As a result, the intermediate pulse signal S4 changes to the low level, and the drive pulse signal S3 also becomes the low level.

このスイッチング電源2では、パルス変調信号S1がローレベルに遷移した後であっても、検出電圧VDSがしきい値電圧VTH_DSに低下するまで、駆動パルス信号S3のハイレベルが持続する。上述のように、しきい値電圧VTH_DSは、ゲート電圧Vがしきい値電圧VTHと等しいときのドレインソース間電圧VDS1よりも小さく設定される。したがって、検出電圧VDSがしきい値電圧VTH_DSに低下する過程において、ゲート電圧Vが、しきい値電圧VTHを上回ることが保証される。 In the switching power supply 2, the high level of the drive pulse signal S <b> 3 continues until the detection voltage V DS decreases to the threshold voltage V TH_DS even after the pulse modulation signal S <b> 1 transitions to the low level. As described above, the threshold voltage V TH_DS is set smaller than the drain-source voltage V DS1 when the gate voltage V G is equal to the threshold voltage V TH . Therefore, it is ensured that the gate voltage V G exceeds the threshold voltage V TH in the process in which the detection voltage V DS decreases to the threshold voltage V TH_DS .

実施の形態に係るスイッチング電源2によれば、パルス変調信号S1の毎サイクルごとに、スイッチングトランジスタM1を確実にオンして、ドレイン電流IM1を発生させ、インダクタL1にエネルギーを蓄えることができる。結果として、スイッチングトランジスタM1のゲート容量を充放電するための電荷は無駄とならず、スイッチング電源2の効率を高めることができる。 According to the switching power supply 2 according to the embodiment, the switching transistor M1 can be reliably turned on for each cycle of the pulse modulation signal S1, the drain current I M1 can be generated, and energy can be stored in the inductor L1. As a result, the charge for charging and discharging the gate capacitance of the switching transistor M1 is not wasted, and the efficiency of the switching power supply 2 can be increased.

上記実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   Those skilled in the art will understand that the above-described embodiment is an exemplification, and that various modifications can be made to combinations of the respective constituent elements and processing processes, and such modifications are also within the scope of the present invention. is there.

実施の形態は昇圧DC/DCコンバータについて説明したが、本発明は降圧型、昇降圧型のDC/DCコンバータにも適用可能である。この変形例においては、スイッチングトランジスタが、接地端子側ではなく、入力電圧側に接続されることになるが、その両端間の電圧をしきい値電圧と比較するコンパレータを設ければよい。   Although the embodiment has been described with respect to a step-up DC / DC converter, the present invention can also be applied to a step-down type and a step-up / step-down type DC / DC converter. In this modification, the switching transistor is connected to the input voltage side instead of the ground terminal side, but a comparator for comparing the voltage between both ends with the threshold voltage may be provided.

さらには、インダクタL1に代えてトランスを有する絶縁型スイッチング電源にも適用可能である。また、DC/DCコンバータに限らず、それと同様にスイッチングトランジスタを有するAC/DCコンバータ、あるいはDC/ACコンバータにも適用可能であり、こうした変形例も本発明に含まれる。   Furthermore, the present invention can also be applied to an insulating switching power supply having a transformer instead of the inductor L1. Further, the present invention is not limited to the DC / DC converter, but can be applied to an AC / DC converter having a switching transistor or a DC / AC converter in the same manner, and such modifications are also included in the present invention.

本実施の形態において、各信号のハイレベル、ローレベルの論理値、電圧信号の大小の関係は一例であって、インバータなどによって適宜反転させることにより自由に変更することが可能である。   In the present embodiment, the relationship between the high-level and low-level logic values of each signal and the magnitude of the voltage signal is an example, and can be freely changed by appropriately inverting it with an inverter or the like.

実施の形態にもとづき、具体的な用語を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。   Although the present invention has been described using specific terms based on the embodiments, the embodiments only illustrate the principles and applications of the present invention, and the embodiments are defined in the claims. Many variations and modifications of the arrangement are permitted without departing from the spirit of the present invention.

1…電子機器、2…スイッチング電源、4…負荷、100…制御回路、102…出力回路、P1…入力端子、P2…出力端子、L1…インダクタ、C1…出力キャパシタ、D1…整流素子、M1…スイッチングトランジスタ、10…パルス変調器、12…コンパレータ、20…ドライバ、22…第1論理ゲート、24…第2論理ゲート、S1…パルス変調信号、S2…比較信号、S3…駆動パルス信号、S4…中間パルス信号。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device, 2 ... Switching power supply, 4 ... Load, 100 ... Control circuit, 102 ... Output circuit, P1 ... Input terminal, P2 ... Output terminal, L1 ... Inductor, C1 ... Output capacitor, D1 ... Rectifier element, M1 ... Switching transistor, 10 ... Pulse modulator, 12 ... Comparator, 20 ... Driver, 22 ... First logic gate, 24 ... Second logic gate, S1 ... Pulse modulation signal, S2 ... Comparison signal, S3 ... Drive pulse signal, S4 ... Intermediate pulse signal.

Claims (6)

スイッチング電源の制御回路であって、
スイッチングトランジスタの両端間の検出電圧を所定のしきい値電圧と比較し、前記検出電圧が前記しきい値電圧より小さくなるとアサートされる比較信号を生成するコンパレータと、
前記スイッチング電源の出力が安定化するようにデューティ比が調節されるパルス変調信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス変調信号および前記比較信号にもとづき、前記スイッチングトランジスタの駆動パルス信号を生成するドライバであって、
(1)前記パルス変調信号が、前記スイッチングトランジスタのオフに対応する第1レベルから、前記スイッチングトランジスタのオンに対応する第2レベルに遷移すると、前記駆動パルス信号を、前記スイッチングトランジスタのオンに対応する第3レベルに遷移させ、
(2)前記パルス変調信号が前記第2レベルから前記第1レベルに遷移するタイミングと、前記比較信号がアサートされるタイミングのうち、遅いタイミングで、前記駆動パルス信号を、前記スイッチングトランジスタのオフに対応する第4レベルに遷移させるドライバと、
を備えることを特徴とする制御回路。
A switching power supply control circuit,
A comparator that compares a detection voltage across the switching transistor with a predetermined threshold voltage and generates a comparison signal that is asserted when the detection voltage is less than the threshold voltage;
A pulse modulator that generates a pulse modulation signal in which a duty ratio is adjusted so that an output of the switching power supply is stabilized;
A driver for generating a driving pulse signal for the switching transistor based on the pulse modulation signal and the comparison signal;
(1) When the pulse modulation signal transitions from a first level corresponding to turning off of the switching transistor to a second level corresponding to turning on of the switching transistor, the driving pulse signal corresponds to turning on of the switching transistor. To the third level,
(2) The drive pulse signal is turned off at a later timing among the timing at which the pulse modulation signal transitions from the second level to the first level and the timing at which the comparison signal is asserted. A driver to transition to the corresponding fourth level;
A control circuit comprising:
前記ドライバは、
前記パルス変調信号が前記第1レベルから前記第2レベルに遷移すると、前記スイッチングトランジスタのオンに対応する第5レベルに遷移し、前記比較信号がアサートされると前記スイッチングトランジスタのオフに対応する第6レベルに遷移する中間パルス信号を生成する第1論理ゲートと、
前記パルス変調信号および前記中間パルス信号の少なくとも一方が、前記スイッチングトランジスタのオンに対応するレベルをとるとき、前記駆動パルス信号を前記第3レベルとし、それ以外のとき、前記駆動パルス信号を前記第4レベルとする第2論理ゲートと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
The driver is
When the pulse modulation signal transits from the first level to the second level, the pulse modulation signal transits to a fifth level corresponding to turning on of the switching transistor, and when the comparison signal is asserted, the second level corresponding to turning off of the switching transistor. A first logic gate for generating an intermediate pulse signal transitioning to six levels;
When at least one of the pulse modulation signal and the intermediate pulse signal takes a level corresponding to ON of the switching transistor, the drive pulse signal is set to the third level, and otherwise, the drive pulse signal is set to the first level. A second logic gate with four levels;
The control circuit according to claim 1, comprising:
前記ドライバは、
そのセット端子に前記パルス変調信号が入力され、そのリセット端子に前記比較信号が入力されたSRフリップフロップと、
前記SRフリップフロップの出力と前記パルス変調信号の論理和を、前記駆動パルス信号として出力するORゲートと、
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
The driver is
An SR flip-flop in which the pulse modulation signal is input to the set terminal and the comparison signal is input to the reset terminal;
An OR gate that outputs a logical sum of the output of the SR flip-flop and the pulse modulation signal as the drive pulse signal;
The control circuit according to claim 1, further comprising:
1つの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の制御回路。   4. The control circuit according to claim 1, wherein the control circuit is integrated on a single semiconductor substrate. 請求項1から4のいずれかに記載の制御回路を備えることを特徴とするスイッチング電源。   A switching power supply comprising the control circuit according to claim 1. 請求項5に記載のスイッチング電源を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the switching power supply according to claim 5.
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