JP2013041948A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112014001152B9 (de) 2013-03-07 2025-10-16 Hamamatsu Photonics K.K. Laserelement mit einer photonischen Kristallschicht und Laservorrichtung
JP6333804B2 (ja) 2013-03-07 2018-05-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ素子及びレーザ装置
US9627850B2 (en) 2013-03-08 2017-04-18 Japan Science And Technology Agency Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
EP2966737B1 (en) * 2013-03-08 2019-05-01 Japan Science and Technology Agency Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
CN105143923B (zh) * 2013-04-17 2018-03-09 国立研究开发法人科学技术振兴机构 光子晶体以及利用该光子晶体的光学功能设备
JP6202572B2 (ja) * 2014-02-06 2017-09-27 国立大学法人京都大学 半導体レーザモジュール
JP6305855B2 (ja) * 2014-07-11 2018-04-04 オリンパス株式会社 画像表示装置
US11646546B2 (en) 2017-03-27 2023-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns
US11637409B2 (en) * 2017-03-27 2023-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting module and control method therefor
JP6959042B2 (ja) 2017-06-15 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
WO2019111787A1 (ja) 2017-12-08 2019-06-13 浜松ホトニクス株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6925249B2 (ja) * 2017-12-08 2021-08-25 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
CN112272906B (zh) 2018-06-08 2024-03-15 浜松光子学株式会社 发光元件
JP7316285B2 (ja) * 2018-08-27 2023-07-27 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
CN114287089B (zh) * 2019-08-30 2024-04-05 国立大学法人京都大学 二维光子晶体面发光激光器
JP7689112B2 (ja) * 2020-03-31 2025-06-05 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶レーザ
DE102021102277B4 (de) * 2021-02-01 2026-01-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenemittierender halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines oberflächenemittierenden halbleiterlasers
JP7847870B2 (ja) * 2021-02-25 2026-04-20 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶レーザ
TWI899291B (zh) * 2021-07-22 2025-10-01 晶元光電股份有限公司 半導體元件
CN113644548B (zh) * 2021-08-18 2023-11-07 业成科技（成都）有限公司 光子晶体面射型激光结构
GB2625726B (en) * 2022-12-21 2025-09-24 Vector Photonics Ltd Surface Emitting Laser Devices and Methods for Manufacturing Same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
US6778581B1 (en) * 2002-09-24 2004-08-17 Finisar Corporation Tunable vertical cavity surface emitting laser
KR20080049734A (ko) * 2005-09-05 2008-06-04 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 2차원 포토닉 결정 면발광 레이저 광원
JP5070161B2 (ja) * 2007-08-31 2012-11-07 独立行政法人科学技術振興機構 フォトニック結晶レーザ

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