JP2013041898A - 半導体製造装置及び半導体製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。
【選択図】 図1
Description
溶液にシリコンウエハを浸漬させて、シリコンウエハ全表面に凹部に形成する技術としては以下のような技術が開示されている。
処理液を分解触媒に一旦接触させた後に、ウエハ表面に供給する技術としては以下のような技術が開示されている。
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。
また、前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する。
また、前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する。
また、前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する。
また、前記対向する平面に均等に供給すべく、前記所定量の溶液を分配する分配手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする。
また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。
また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。
また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。
また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。
また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。
また、前記分配手段に使用する部材はテフロンであり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする。
<第1の実施例>
図1は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図1は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
100は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。
基板保持部(位置1)101は、転写処理を実行しない位置であり、基板100の表面は転写処理されていない。
基板保持部(位置3)101は、転写処理を実行しない位置であり、基板100の表面は転写処理されている。
図示しない基板保持部の水平移動制御部により、基板100を上に載せた(保持した)状態にて位置1と位置2と位置3で所定の時間停止するように移動する。
基板保持部101の部材としては、基板100との相性からシリコンにしてもよい。
これにより、転写処理により基板100が破損することを回避することができる。
配置位置制御部102は、図5に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置することがきる(配置手段)。
配置位置制御部102は、転写部103を半導体基板毎に所定の時間(例えば転写処理時間)の間、所定の位置において停止配置することができる。
配置位置制御部102は、転写部の配置位置(高さ)を所定の高さに制御することができる(配置位置制御手段)。
転写部103は、図5に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置した時に半導体基板100の表面と対向することが可能な、平面を備えている。
転写部103は、半導体基板100の表面と対向する当該平面には白金である触媒201をさらに備えている。
105は液供給口であり、供給制御部111から送られた溶液404を転写部ユニット104内部の液スペース106に送るための供給口である。
分散口107により、半導体基板100の表面と対向する平面に均等に供給すべく、所定量の溶液を分配することができる(分配手段)。
また分散部の部材としては転写処理の際に、基板100への押下圧力や基板100自体の反りを考慮するとゴムのような弾性体を使用するものとする。
溶液が分散部をうまく通過するために、さらに疎水性であるテフロン表面には親水性の加工をするものとする。
110は固定部であり、転写部103を分散部108に固定(接続)するためのものである。
供給制御部111は、溶液を転写部よりも上部(転写部103よりも高い位置)から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給することができる(供給手段)
供給制御部111は、配置位置制御部102が転写部を半導体基板の表面近傍に配置したあとに溶液を供給する。
供給制御部111は、つまり溶液404を半導体基板100毎に所定量供給する。
図2を説明する。
図2は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法(処理ステップ)である。
ステップS101では、基板100を移動(位置2)する。
下げない(しない)場合はステップS106に進む。
下げる(する)場合はステップS102に進む。
ステップS106では、転写部103(転写部ユニット104)を待機位置に上げる。
ステップS107では、基板100を移動(位置1または位置3)する。
ステップS108では、次に転写処理する基板があるかを判定する。
ある場合は、基板保持部が基板100を入れ替えて、ステップS101に進む。
ない場合は、終了する。
図3を説明する。
201の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。
なお、図3の転写部の表面にある円形の穴202の直径は20μm程度である。
なお、図3の転写部の表面にある触媒201の最短のスペースは2μm程度である。
図4を説明する。
301の領域は非転写部分の領域であり、202の穴の領域(エッチングされない)に該当する領域である。
302の領域は転写部分の領域であり、201の触媒の領域(エッチングされる)に該当する領域である。
図5を説明する。
図5は図1を拡大した図である。
転写部103と分散部108との間には、転写部全域に溶液404が、拡散しやすいように、分散スペース401(空間)がある。
図6を説明する。
図6は図1を拡大した図である。
図5の場合と比べて配置位置制御部102が、転写部103をより低く配置した場合である。
図7を説明する。
図7は図1を拡大した図である。
図6の場合と比べて配置位置制御部102が、転写部103をさらに低く配置した場合である。
図8を説明する。
図8は図5乃至図7の転写処理加工が完了した後の、半導体基板100の断面図である。
301の領域は非転写部分の領域であり、202の穴の領域(エッチングされない)に該当する領域である。
302の領域は転写部分の領域であり、201の触媒の領域(エッチングされる)に該当する領域である。
<第2の実施例>
図9を説明する。
図9は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図9は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
100は基板であり、第1の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
101は基板保持部であり、第1の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
102は配置位置制御部であり、第1の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
103は転写部であり、第1の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
109は配置角度制御部であり、第1の実施例の記載で記載されたものと同じ機能を示すものである。
404は溶液である。
504は台である。台504の部材として、吸収部503が給液槽501内で溶液を吸収しやすさを考慮するとゴムのような弾性体であることが望ましい。
図10を説明する。
図10は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法(処理ステップ)である。
ステップS201では、吸収部503が給液槽501内で溶液を吸収するために転写部103(転写部ユニット104)を給液槽内に配置する。
ステップS202では、転写部103(転写部ユニット104)を待機位置に上げる。
ステップS203では、基板100を移動(位置2)する。
ステップS204では、配置手段により、転写部103を半導体基板100の表面近傍(所定の位置)に配置する(配置工程)。
ステップS206では、転写部103(転写部ユニット104)を待機位置に上げる。
ステップS207では、基板100を移動(位置1または位置3)する。
ステップS208では、次に転写処理する基板があるかを判定する。
ある場合は、基板保持部が基板100を入れ替えて、ステップS101に進む。
ない場合は、終了する。
<第3の実施例>
図11を説明する。
図11は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図11は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
<変形例>
尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素(SiC)、GaAs、InGaAsであってもよい。
103 転写部
201 触媒(白金)
202 穴
404 溶液(過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液)
Claims (14)
- 転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、
溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、
前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給手段と、
を備えることを特徴する半導体製造装置。 - 前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する請求項1乃至請求項3に記載の半導体製造装置。
- 前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する請求項4に記載の半導体製造装置。
- 前記対向する平面に均等に供給すべく、前記所定量の溶液を分配する分配手段をさらに備えることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体製造装置。
- 前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の半導体製造装置。
- 前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載の半導体製造装置。
- 前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項8に記載の半導体製造装置。
- 前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項9に記載の半導体製造装置。
- 前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項1乃至請求項10に記載の半導体製造装置。
- 前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項1乃至請求項11に記載の半導体製造装置。
- 前記分配手段に使用する部材はテフロンであり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする請求項6乃至請求項11に記載の半導体製造装置。
- 転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、
溶液が通過する穴があり、前記溶液の触媒として作用する前記転写部を、前記半導体基板の表面近傍に配置する配置工程と、
前記溶液を前記転写部よりも上部から、前記穴を介して前記半導体基板の表面近傍に供給する供給工程と、
を含むことを特徴する半導体製造方法。
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JP2011176456A JP2013041898A (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
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Cited By (2)
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JP2013041899A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
JP2013041902A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
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2011
- 2011-08-12 JP JP2011176456A patent/JP2013041898A/ja active Pending
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