JP2013030589A - 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、圧電デバイス、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】個片化の際に露出するリードフレームの変質によるハンダ付け性の劣化を防止することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッド部１２の表面と段差を有し、パッド部に囲まれた凹部１７が備えられた実装電極部１１が形成され、表面に金属膜１３が形成されたリードフレーム２０を用意し、パッド部１２の表面および凹部を露出するように、樹脂による封止部としてのモールド樹脂１６Ｍを形成し、パッド部と凹部および封止部１６を切断して個片の半導体装置１０を得る電子デバイスとしての半導体装置１０の製造方法。
【選択図】図４

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、圧電デバイス、およびそれらを用
いた電子機器に関する。

従来から、電子デバイスの製造方法として、銅（Ｃｕ）などの導電素材から形成された
リードフレームに、電子デバイスパッケージの配線部（配線パターンとも言う）複数個を
一定の規則で配列形成し、このリードフレームに、例えば半導体素子を搭載し、電気的接
続（例えば、ワイヤーボンディング）を行った後に、全体を樹脂で封止し、その後ダイシ
ングブレードなどによって切断を行い、電子デバイスパッケージ毎に個片化する方式が用
いられていた（例えば、特許文献１参照）。
また、特許文献２には、上述と同様な製造方法を用いた圧電デバイスの一例として、デ
バイスパッケージの内部に圧電振動子とＩＣチップ（半導体素子）とを収納し、個片化さ
れた圧電発振器の製造方法が開示されている。

特開２００３−３７２３６号公報 特開２００７−４３４６２号公報

上述のいずれの製造方法においても、リードフレームに半導体素子、圧電振動子などの
素子を搭載した後、全体を樹脂で封止して成形固化し、その後ダイシングブレードなどに
よってリードフレームおよび樹脂の切断を行う。このため、リードフレーム切断面はリー
ドフレームの素材（下地金属）が露出することになる。リードフレームの素材が露出した
切断面（露出面）は、その後空気中の酸素などと反応し、その表面に酸化膜などの変質層
が形成されてしまう。このリードフレームの切断面（露出面）は、電子デバイスなどを実
装基板にハンダ付けする際のハンダフィレット（ハンダの裾引き形状）を形成する面とな
る。しかしながら、変質層が形成された面はハンダの濡れ性が悪いため、ハンダ付け強度
を高めるためのハンダフィレットが形成し難く、電子デバイスなどの実装基板に対するハ
ンダ付け強度が弱くなってしまう虞があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、パッド部と、前記パッド部に
囲まれた凹部または貫通穴の少なくともいずれか一方を備えた窪み部が備えられた実装電
極部が形成され、前記窪み部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用意するステ
ップと、前記リードフレームに電子部品を接続するステップと、前記パッド部の表面およ
び前記窪み部を露出するように、封止材により前記電子部品と前記実装電極部の側面を覆
い、封止部を形成するステップと、前記パッド部と前記窪み部および前記封止部を切断す
るステップと、を有することを特徴とする。

本適用例の電子デバイスの製造方法によれば、パッド部と、パッド部に囲まれた凹部ま
たは貫通穴の少なくともいずれか一方を備えた窪み部が備えられた実装電極部が形成され
、窪み部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用意した後、電子部品を接続する
。なお、上述のパッド部の表面とは、電子デバイスの実装電極部が実装基板にハンダ付け
される際に実装基板と対向する面のことであり、以下ではパッド面ともいう。
また、凹部とは有底の穴形状の窪みであり、貫通穴とはパッド面から実装電極部の裏面
まで貫通した形状の窪みである。上記窪み部は、凹部または貫通穴のどちらでもよく、ま
たは双方を組み合わせて備えてもよい。
その後、その電子部品を内包するとともに、実装電極部のパッド面および窪み部を露出
するように封止材により電子部品と実装電極部の側面を覆い、封止部を形成した後、パッ
ド面に形成された窪み部とパッド部および封止部を切断する。
パッド部と窪み部および封止部の切断は、窪み部の内面がパッド面と交差する方向（側
面）に露出するように行うことにより、窪み部の四方を囲むパッド部のうちの一方が切除
される。その結果、電子デバイスの側面には、リードフレームを形成する際に形成された
金属膜がそのまま備えられた窪み部の内面と下地金属板の断面が露出している。そして、
電子デバイスなどを実装基板にハンダ付けする際には、この窪み部の内面に設けられてい
る金属膜がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレット（ハンダの裾引き形状）
を形成する面となる。
したがって、本適用例の電子デバイスの製造方法によって得られた電子デバイスは、実
装電極部の表面に設けられた窪み部の内面には切断されることによる変質層は存在しない
。また、窪み部の内面には、予め金属膜が形成されているためハンダの濡れ性もよくハン
ダフィレットを容易に形成することが可能となる。これにより、電子デバイスの実装基板
に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能と
なる。

［適用例２］上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記封止部を形成
するステップに先立って、前記パッド部の表面および窪み部を型で覆うことを特徴とする
。

本適用例によれば、パッド部の表面および窪み部に型を密着させるように覆った後に封
止部を形成するため、封止材がパッド部の表面および窪み部に流れ込むことを防止するこ
とができる。これにより、パッド部の表面の露出を確保できるため、電子デバイスの実装
基板へのハンダ付けをより安定的に行うことが可能となる。

［適用例３］上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記封止部を形成
するステップでは、前記パッド部の表面および窪み部を弾性部材で覆い、前記弾性部材に
前記パッド部が食い込むように押圧しながら前記封止部を形成することを特徴とする。

本適用例によれば、パッド部の表面を被った弾性部材にパッド部が食い込むように押圧
しながら封止部を形成する。これにより、封止材がパッド部の表面および窪み部に流れ込
むことをより確実に防止することができる。また、パッド部の表面を被った弾性部材にパ
ッド部が食い込んだ状態で封止部を形成するため、パッド部の表面と封止部との間に段差
を生じさせることができ、パッド部に、所謂スタンドオフの機能を持たせることが可能と
なる。これらにより、電子デバイスの実装基板へのハンダ付けをより確実、安定的に行う
ことが可能となる。

［適用例４］上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記窪み部は、エ
ッチング加工によって形成されることを特徴とする。

本適用例によれば、窪み部の形成がエッチング加工によってなされる。エッチング加工
は、例えば、プレス加工などと比較して加工応力の発生が少なく、パッド部の表面の平坦
度を維持しつつ、窪み部の加工を行うことができる。これにより、封止部を形成するステ
ップでパッド部の表面と型との密着度を高めることができるため、パッド部の表面への封
止材の流れ込みをより確実に防止することが可能となる。

［適用例５］本適用例に記載の電子デバイスは、パッド部と、四方のうち三方が前記パ
ッド部に囲まれ残る一方が開放した凹部が備えられた実装電極部が形成され、前記凹部に
金属膜が形成されたリードフレームを用いた電子デバイスであって、前記実装電極部に接
続された電子部品と、前記パッド部の表面および前記凹部を露出させつつ、前記電子部品
と前記実装電極部の側面を覆う封止部と、を有し、前記凹部の内面と下地金属板の断面と
が露出していることを特徴とする。

本適用例の電子デバイスは、その側面に、リードフレームを形成する際に形成された金
属膜がそのまま備えられた凹部の内面と下地金属板の断面が露出している。そして、電子
デバイスを実装基板にハンダ付けする際には、この凹部の内面の設けられている金属膜が
ハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレット（ハンダの裾引き形状）を形成する
面となる。
したがって、実装電極部の表面に設けられた凹部の内面には、切断されることによる変
質層は存在しないため、ハンダの濡れ性もよくハンダフィレットを容易に形成することが
可能となる。これにより、電子デバイスの実装基板に対するハンダ付け強度を向上すると
ともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。
また、本適用例の電子デバイスは、凹部内面の金属膜がリードフレーム形成時に、リー
ドフレーム外表面と同時に形成されるため、改めて凹部内面に金属膜を形成する工程が不
要となり、コスト低減を図ることが可能である。

［適用例６］上記適用例に記載の電子デバイスにおいて、前記凹部は、前記パッド部に
複数並んで設けられていることを特徴とする。

本適用例によれば、一つのパッド部に凹部が複数存在するため、その表面積が大きくな
りハンダ付け性をさらに向上させることが可能となる。

［適用例７］本適用例の圧電デバイスは、上記適用例に記載の電子デバイスにおいて、
圧電振動子と、前記圧電振動子を発振させる機能を少なくとも有した回路素子とを有する
ことを特徴とする。

本適用例の圧電デバイスの側面には、リードフレームを形成する際に形成された金属膜
がそのまま備えられた凹部の内面と下地金属板の断面が露出している。そして、圧電デバ
イスを実装基板にハンダ付けする際には、この凹部の内面の設けられている金属膜がハン
ダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレット（ハンダの裾引き形状）を形成する面と
なる。
したがって、実装電極部の表面に設けられた凹部の内面には、切断されることによる変
質層は存在しないため、ハンダの濡れ性もよくハンダフィレットを容易に形成することが
可能となる。これにより、圧電デバイスの実装基板に対するハンダ付け強度を向上すると
ともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。
また、本適用例の圧電デバイスは、凹部内面の金属膜がリードフレーム形成時に、リー
ドフレーム表面と同時に形成することが可能なため、改めて凹部内面に金属膜を形成する
工程が不要となり、コスト低減を図ることが可能である。
また、圧電振動子の一面に回路素子と実装電極部とを接続し、封止体で覆う構造である
ため、小型薄型化の圧電デバイスを提供することができる。

［適用例８］本適用例に記載の電子機器は、上述の電子デバイスを用いていることを特
徴とする。

本適用例に記載の電子機器によれば、実装電極部の側面（凹部内面）に、予め設けられ
た金属膜が存在しているため、ハンダ付けによって回路基板に実装される場合にハンダフ
ィレットが形成され易く、ハンダ付け強度が向上するとともに接続の信頼性も向上するこ
とができる。
従って、上述の電子デバイス、あるいは圧電デバイスを用いている電子機器は、安定し
た接続信頼性を有するとともに、耐衝撃特性を向上させることが可能となる。

電子デバイスとしての半導体装置の概略構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図（第１実施形態）。 第１実施形態の半導体装置に用いるリードフレームの概略を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ１−Ａ１断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の概略を示す工程説明図。 第１実施形態の個片化ステップ（切断工程）を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ２−Ａ２断面図。 圧電デバイスとしての水晶発振器を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図（第２実施形態）。 （ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の水晶発振器の製造方法の概略を示す工程説明図。 第２実施形態の水晶発振器の実装基板へのハンダ付け強度を示すグラフ。 変形例１の封止工程に用いる押圧型を示し、（ａ）は上型を２層構造にした正断面図、（ｂ）は上型および下型をそれぞれ２層構造にした正断面図。 封止工程の変形例２を示す正断面図。 変形例１または変形例２によって形成された封止部を説明する図であり、（ａ）は押し圧状態を示す正断面図、（ｂ）は形成された封止部と実装電極部との相関を示す正断面図。 実装電極部に形成される凹部の応用例を示す平面図。 変形例３の実装電極部間を接続する実装電極接続リードの一例を示す平面図。 変形例４の実装電極部間を接続する実装電極接続リードの一例を示す平面図。 本発明に係る電子機器の一例としての携帯電話機の概略を示す斜視図。 本発明に係る電子機器の一例としての携帯電話機の回路ブロック図。 本発明に係る電子機器の一例としてのパーソナルコンピューターの概略を示す斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。第１実施形態で
は、電子デバイスとしての半導体装置の構成、およびその製造方法について説明し、第２
実施形態では、圧電デバイスとしての水晶発振器の構成、およびその製造方法について説
明する。
なお、実施形態においては、窪み部として凹部を備えた構成であるが、これに限定され
ず、窪み部として貫通穴、または凹部と貫通穴を組み合わせた構成でもよい。

（第１実施形態）
図１〜図４を用いて第１実施形態について説明する。図１は、電子デバイスとしての半
導体装置の概略構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図
２は、半導体装置に用いるリードフレームの概略を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ
）のＡ１−Ａ１断面図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）は、半導体装置の製造方法の概略
を示す工程説明図であり、それぞれ図２（ｂ）のＡ１−Ａ１断面図に対応した断面図で示
している。図４は、半導体装置の製造方法の内の個片化ステップ（切断工程）を説明する
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ２−Ａ２断面図である。

［構成］
先ず、図１を用いて電子デバイスとしての半導体装置の概略構成について説明する。
半導体装置１０は、実装電極部１１と、実装電極部１１に接続された電子部品としての
半導体素子１４と、実装電極部１１の一部および半導体素子１４を内包するように設けら
れた封止材として例えば樹脂による封止部１６を有している。なお、封止材としては、樹
脂の他に、ガラスなど絶縁性の材料であればよい。

実装電極部１１は、後述するリードフレームの一部であり、本例では４箇所に設けられ
ている。なお、リードフレームは、銅（Ｃｕ）或いは銅を主成分とする銅合金などの厚さ
０．２５ｍｍ程度の板から構成される下地金属板を備えている。実装電極部１１は、その
一面が封止部１６から露出するパッド部１２を有している。
パッド部１２は、後に半導体装置１０が実装される実装基板（図示せず）にハンダ付け
などで接続される際に、実装基板と対峙してハンダ付けなどが行われる機能を有している
。

実装電極部１１には、パッド部１２の平面視略中央部から水晶発振器５０の側面にかけ
て凹部１７が設けられている。凹部１７は、パッド部１２の表面から０．１８ｍｍ程度の
段差を有し、その内側には封止部１６が設けられていない、換言すれば、内表面が外部に
露出している。さらに、実装電極部１１には、平面視で凹部１７よりパッド部１２を介し
た反対側にパッド部１２の表面から０．１８ｍｍ程度の段差を有する段部１８が設けられ
ている。

実装電極部１１は、段部１８或いは凹部１７も含む表面に、金属膜１３を備える。金属
膜１３は、下地金属よりも長期間ハンダ濡れ性を維持できる材料が表層に形成されたもの
が好ましく、例えば、金などが考えられる。具体的には、下地金属板の表面に、下地層と
してニッケル（Ｎｉ）が、下地層の表面に中間層としてパラジウム（Ｐｄ）が、更に中間
層の表面に表面層として金（Ａｕ）が、それぞれ無電界メッキにて形成されたメッキ層と
して構成されている。なお、ここで示した金属膜１３の構成は一例であり、電極層、ハン
ダ付け層などとしての機能を有していれば他の金属を用いてもよい。

なお、本例では実装電極部１１の厚さを０．２５ｍｍ、凹部１７および段部１８の段差
を０．１８ｍｍの例で説明したが、この寸法値は一例であり、リードフレームの剛性を保
持できる寸法値であれば他の寸法値を用いることも可能である。

半導体素子１４は、実装電極部１１のパッド部１２となる一面と反対側の面に接続され
ている。半導体素子１４は、その一面である能動面の内部に電子回路（図示せず）が構成
されている。半導体素子１４の能動面には、その電子回路と電気的に接続された金属バン
プ１５が設けられている。

金属バンプ１５は、金（Ａｕ）などで形成されている。半導体素子１４は、金属バンプ
１５と実装電極部１１の表面に設けられている金属膜１３とが接合されることによって実
装電極部１１と電気的に接続される。

封止部１６は、前述のパッド部１２（詳細に説明すれば、パッド部１２の表面に形成さ
れた金属膜１３であるが、以下の説明では特に断りの無い場合はパッド部１２の表面と記
載する）と凹部１７を露出させ、実装電極部１１、半導体素子１４などを封止している。
本例の封止部１６は、略直方体形状をなしており、例えば、トランスファーモールド法を
用いた熱硬化性の樹脂などによって形成されている。

次に、図２〜図４を用いて半導体装置の製造方法の概略を説明する。
［リードフレームの構成］
製造方法の説明に先立って、図２を用いてリードフレームの構成について説明する。な
お、図２（ａ）では、構成を解り易くするため、図２（ｂ）で示す金属膜１３の記載を省
略している。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、リードフレーム２０は、銅（Ｃｕ）或いは銅を主成
分とする銅合金などの薄板（厚さ０．２５ｍｍ程度）から抜き出された、パッド部１２と
、パッド部１２の表面と段差を有する段部１８、および凹部１７と、を含む実装電極部１
１が、配列形成されている。なお、段部１８および凹部１７は、パッド部１２の表面から
０．１８ｍｍ程度の段差を持って形成される。したがって、段部１８および凹部１７の厚
さは、０．０７ｍｍ程度となっている。

本例では、４つの実装電極部１１が１セットとして図１に示す半導体装置１０の構成部
材を形成し、本例のリードフレーム２０は、一つのリードフレーム２０上に、１１２０個
の半導体装置１０が形成できるセットが配列形成されたシート状になっている。
隣り合う実装電極部１１は、継ぎリード１９で互いに繋がっている。継ぎリード１９は
、段部１８から延在されており、段部１８と同じ厚さで形成されている。本例では、Ｙ方
向に隣り合う一対の実装電極１１（１１ａ，１１ｂ）が２本の継ぎリード１９で互いに繋
がっており、Ｘ方向に隣り合う実装電極部１１（１１ａ，１１ｃ、および１１ｂ，１１ｄ
）がそれぞれ１本の継ぎリード１９で繋がっている。
なお、継ぎリード１９の厚さは、必ずしも段部１８の厚さと同じでなくてもよく、実装
電極部１１の配列が維持できる厚さであればよい。

前述した半導体装置１０は、４つの実装電極部１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ
）が１セットとして構成されている。

なお、図示しないが、リードフレーム２０の外周部分にはフレーム枠が設けられており
、そのフレーム枠を介することも含めて、継ぎリード１９によって全ての実装電極部１１
が繋がっている。
また、本例では実装電極部１１の厚さを０．２５ｍｍ、凹部１７および段部１８の段差
を０．１８ｍｍの例で説明したが、この寸法値は一例であり、リードフレーム２０の剛性
を保持できる寸法値であれば他の寸法値を用いることも可能である。

［製造方法］
図３および図４を用いて半導体装置１０の製造方法について説明する。
＜リードフレームを用意するステップ＞
図３（ａ）を用いてリードフレーム２０を用意するステップについて説明する。
先ず、銅（Ｃｕ）或いは銅合金などの薄板を用意し、後に実装電極部１１が形成される
部位の中央部に凹部１７、凹部１７を挟んだ両側に段部１８を形成する。なお、同時に継
ぎリード１９に相当する部分も形成されるが、ここでの説明は省略する。
凹部１７および段部１８は、底部と、底部と交差する方向の側面（底部と側面を含め内
面ということもある）とを含み構成され、その底部と、底部と対向する面（リードフレー
ム素材の裏面）との厚さが、パッド部１２の表面と、表面と対向する面（リードフレーム
素材の裏面）との厚さより薄くなるように形成する。すなわち、凹部１７および段部１８
は、パッド部１２の表面と段差を有するように、ハーフエッチング加工により形成される
。

このハーフエッチング加工（エッチング加工）は、他の加工方法、例えばプレス加工な
どと比較して加工応力の発生が少なく、パッド部１２の表面の平坦度を維持しつつ、凹部
１７および段部１８の加工を行うことができる。これにより、後述する封止部１６を形成
するステップで、パッド部１２の表面と型との密着度を高めることができるため、パッド
部１２の表面への樹脂の流れ込みをより確実に防止することが可能となる。

その後、実装電極部１１、継ぎリード１９、および図示しないフレーム枠などを残す、
いわゆる外形エッチング加工を行いリードフレーム素材の外形形状を形成する。
外形形状が形成されたリードフレーム素材には、その外表面に、例えば下地層としてニ
ッケル（Ｎｉ）を、下地層の表面に中間層としてパラジウム（Ｐｄ）を、更に中間層の表
面に表面層として金（Ａｕ）で構成される金属膜１３を無電解メッキ法などによって形成
する。このような構成の金属膜１３は、半導体素子などとの接続に用いられる金バンプと
の接合性、あるいは実装時のハンダ付け性の双方に優れていて好ましい。

これらによって、図３（ａ）に示すリードフレーム２０を形成する。
なお、この金属膜１３は、この金属膜１３を必要とする部位、例えばパッド部１２の表
面、凹部１７の底部と側面を含む内表面、段部１８の表面、および実装電極部１１の半導
体素子１４（図１参照）との接続部位などに少なくとも設けられていればよい。

＜半導体素子接続ステップ＞
図３（ｂ）を用いて、電子部品としての半導体素子１４をリードフレーム２０に形成さ
れた実装電極部１１に接続するステップについて説明する。
半導体素子１４と実装電極部１１との接続は、半導体素子１４の能動面に形成された金
バンプ１５を、パッド部１２の裏面の実装電極部１１に形成された金属膜１３に、例えば
金と金との共晶接合などを用いて接合する。本例の半導体素子１４は、４つの実装電極部
１１に跨って接合したものを用いて説明したが、用いられる実装電極部１１の数は特に問
わず幾つであってもよい。

＜封止部形成ステップ＞
図３（ｃ）を用いて、樹脂による封止部１６を形成するステップについて説明する。
本例では、リードフレーム（接続された素子も含む）２０を金型で挟み込んで形成され
た空間に樹脂を押し込んで成形するトランスファーモールド法による成形を説明する。

先ず、前述したステップで半導体素子１４が所定の部位に配列接続されたリードフレー
ム２０を、加熱された下型２５と上型２７とによって挟み込む。
下型２５には、リードフレーム２０を挟み込んだ際に凹部１７の中央部に対向する位置
の実装電極部１１の裏面に当接するようにリードフレーム受け部２６が設けられている。
また、図示しないが、窪み部を凹部ではなく貫通穴で形成した場合、実装電極部１１の
裏面側の貫通穴の開口部を、リードフレーム受け部２６で覆うように、リードフレーム受
け部２６の受け面の面積を調整し、貫通穴に樹脂が流れ込まないようにして形成する。
リードフレーム２０は、パッド部１２の表面が上型２７に接し、実装電極部１１の裏面
が下型２５のリードフレーム受け部２６によって、押圧された状態となる。なお、リード
フレーム２０の他の部位、例えば図示しないフレーム枠なども下型２５と上型２７とによ
って押圧しながら挟み込まれるが、ここでの説明は省略する。
また、図示しないが、下型２５としてリードフレーム受け部２６が無く封止面が平面状
の金型を使用することもできる。

そして、下型２５と上型２７とによって挟み込まれて形成された空間に、加熱されて液
状となった熱硬化性の樹脂を加圧しながら注入し硬化させた後、下型２５と上型２７とを
離脱させモールド樹脂１６Ｍを形成する。このとき、パッド部１２の表面は上型２７と密
着している。これにより、凹部１７の内部には樹脂が流入しないため、凹部１７の内面の
金属膜１３が露出した状態となっている。
また、パッド部１２の表面を上型２７で被った後に樹脂を注入し、モールド樹脂１６Ｍ
を形成するため、注入された樹脂がパッド部１２の表面に流れ込むことを防止することが
できる。すなわち、パッド部１２の表面は、金属膜１３が露出した状態となる。

これらにより、実装電極部１１のパッド部１２の表面および凹部１７を露出させつつ、
半導体素子１４、実装電極部１１の段部１８、継ぎリード１９などがモールド樹脂１６Ｍ
によって被われたシート状の封止部形成リードフレーム２１（図４参照）が形成される。
なお、モールド樹脂１６Ｍは、封止部１６と同じ構成部位であるが説明を解り易くするた
め、モールド樹脂１６Ｍが個片化されたものを封止部１６と呼ぶ。

＜切断個片化ステップ＞
図４（ａ）、（ｂ）を用いて、リードフレーム２０およびモールド樹脂１６Ｍ（封止部
１６）を切断して個片化するステップ、換言すれば、電子デバイスとしての半導体装置１
０が配列形成されたシート状の封止部形成リードフレーム２１を切断し、個片の半導体装
置１０とするステップを説明する。
前述したように、本例のリードフレーム２０は、１１２０個の半導体装置１０が配列形
成されたシート状である。このリードフレーム２０にモールド樹脂１６Ｍを形成した封止
部形成リードフレーム２１を切断して、１１２０個の個片の半導体装置１０とする。

先ず、図４（ａ）に示す縦方向第１切断部２２ａｘに沿って、図４（ｂ）に示す切断砥
石であるダイヤモンドホイール２３を回転させながら移動して縦方向一番目の切断部位を
切断する。
次に、縦方向第２切断部２２ｂｘに沿ってダイヤモンドホイール２３を回転させながら
移動して縦方向二番目の切断部位を切断する。この後同様に実装電極部１１の配列に沿っ
て縦方向の切断を継続する。
このとき、縦方向の切断位置、例えば縦方向第１切断部２２ａｘは、凹部１７の内面が
パッド部１２の表面と交差する方向（側面）に露出するように、凹部１７の中央部を横断
し、パッド部１２などを含むリードフレーム２０およびモールド樹脂１６Ｍを切断する。
この縦方向の切断によって、個片化された半導体装置１０の側面に、パッド部１２の表面
と繋がった状態で凹部１７の内面と下地金属板の切断面が露出することになる。

続いて、Ｘ方向に延在する継ぎリード１９（図２（ａ）参照）に重なる横方向第１切断
部２２ａｙに沿って同様に横方向一番目の切断を行い、引き続き横方向第２切断部２２ｂ
ｙから順次横方向の切断を行う。
これらの切断処理によって、パッド部１２の表面と凹部１７の内面が封止部１６から露
出された半導体装置１０が形成される。

本実施形態の半導体装置１０によれば、半導体装置１０を個片化する際の縦方向の切断
が凹部１７の内面がパッド部１２の表面と交差する方向（側面）に露出するように行われ
るため、半導体装置１０の側面には、リードフレーム２０を形成する際にその表面に形成
された金属膜１３がそのまま備えられた凹部１７の内面と、下地金属板の切断面とが露出
している。そして、半導体装置１０を実装基板にハンダ付けする際には、この凹部１７の
内面に設けられている金属膜１３がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレット
（ハンダの裾引き形状）を形成する面となる。
したがって、上述の製造方法によって得られた半導体装置１０は、例え上述した下地金
属板の切断面が酸化等の影響によってハンダ濡れ性が低下しても、金属膜１３によってハ
ンダの濡れ性の良い面を確保できるので、ハンダフィレットを確実かつ容易に形成するこ
とが可能となる。これにより、電子デバイスとしての半導体装置１０の実装基板に対する
ハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。

上述の第１実施形態では、電子デバイスの一例として半導体装置を用いて説明したがこ
れに限らず、同様な構成を有する、例えばセンサー装置、制御回路装置、電源装置などで
あってよい。

（第２実施形態）
図５および図６を用いて第２実施形態について説明する。図５は、圧電デバイスとして
の水晶発振器の概略構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である
。図６（ａ）〜図６（ｄ）は、水晶発振器の製造方法の概略を示す工程説明図であり、そ
れぞれ図２（ｂ）のＡ１−Ａ１断面線に対応した位置の断面図で示している。なお、前述
の第１実施形態と同様な構成、および製造方法については説明および図示を省略すること
もある。

［構成］
先ず、図５を用いて圧電デバイスとしての水晶発振器の概略構成について説明する。
水晶発振器５０は、実装電極部５１と、実装電極部５１に接続された圧電振動子として
の水晶振動子６０と、水晶振動子６０を発振させる機能を少なくとも有する回路素子とし
ての半導体素子５４と、実装電極部５１の一部および水晶振動子６０の一面を露出し、当
該露出部を除く実装電極部５１および水晶振動子６０、半導体素子５４などを内包するよ
うに設けられた樹脂による封止部５６を有している。

実装電極部５１は、前述した第１実施形態の実装電極部１１と同じ構成であるため詳細
な説明は省略し、概略を説明する。
実装電極部５１は、その一面が封止部５６から露出するパッド部５２と、パッド部５２
の平面視略中央部から水晶発振器５０の側面にかけて設けられた凹部５７と、平面視で凹
部５７とパッド部５２を介した反対側にパッド部５２の表面と段差を有する段部５８とが
設けられている。そして、実装電極部５１は、段部５８或いは凹部５７も含む表面に、金
属膜５３が形成されている。

水晶振動子６０は、パッケージ側壁６２を含むパッケージ６１と、パッケージ側壁６２
に気密に接続された蓋体６５とで形成された空間内に、パッケージ６１に導電性接着剤６
４によって接続された水晶振動片６３を有する構成となっている。
そして、水晶振動子６０は、パッケージ６１の裏面６６に設けられた図示しない外部電
極と、実装電極部５１のパッド部５２と反対側の面と、が接続されている。

半導体素子５４は、能動面の裏面が水晶振動子６０のパッケージ６１の裏面６６に接続
されている。そして、半導体素子５４の能動面に設けられた図示しないボンディングパッ
ドと、パッケージ６１の裏面６６に設けられた図示しない外部電極と、がボンディングワ
イヤー５５によって電気的に接続されている。また、半導体素子５４の図示しない別のボ
ンディングパッドと段部５８と、がボンディングワイヤー５５によって電気的に接続され
ている。

封止部５６は、前述のパッド部５２（詳細に説明すれば、パッド部５２の表面に形成さ
れた金属膜５３であるが、以下の説明では特に断りの無い場合はパッド部５２の表面と記
載する）、凹部５７、および水晶振動子６０の蓋体６５の一面を露出させ、実装電極部５
１、半導体素子５４、水晶振動子６０などを内包するように封止している。本例の封止部
５６は、略直方体形状をなしており、例えば、トランスファーモールド法を用いた熱硬化
性の樹脂などによって形成されている。

次に、図６を用いて半導体装置の製造方法の概略を説明する。
［リードフレームの構成］
図６（ａ）に示すリードフレーム７０は、前述した第１実施形態のリードフレーム２０
と同じ構成であるため説明は省略する。

［製造方法］
＜リードフレームを用意するステップ＞
先ず、図６（ａ）に示すリードフレーム７０を用意するが、このステップは、前述した
第１実施形態のリードフレーム２０を用意するステップと同じであるため説明を省略する
。

＜水晶振動子接続ステップ＞
図６（ｂ）を用いて、水晶振動子６０をリードフレーム７０に形成された実装電極部５
１に接続するステップについて説明する。
なお、水晶振動子６０は、パッケージ６１の内部に水晶振動片６３を内蔵して蓋体６５
によって気密に封止されたものを用意する。
水晶振動子６０と実装電極部５１との接続は、パッケージ６１の裏面６６に設けられた
図示しない外部電極と、実装電極部５１のパッド部５２と反対側の面と、に接続する。な
お、水晶振動子６０は、２つの実装電極部５１に跨って接合されても良いし、３つ以上の
実装電極部５１に跨って接合されても良い。

＜半導体素子接続ステップ＞
図６（ｃ）を用いて、半導体素子５４を水晶振動子６０の裏面６６に接続するステップ
について説明する。
半導体素子５４と水晶振動子６０のパッケージ６１の裏面６６との接続は、半導体素子
５４の裏面に接着剤などを用いて行う。そして、半導体素子５４の能動面に設けられた図
示しないボンディングパッドと、パッケージ６１の裏面６６に設けられた図示しない外部
電極とをボンディングワイヤー５５によって電気的に接続する。また、半導体素子５４の
図示しない別のボンディングパッドと段部５８と、がボンディングワイヤー５５によって
電気的に接続されている。

＜封止部形成ステップ＞
図６（ｄ）を用いて、樹脂による封止部（モールド樹脂５６Ｍ）を形成するステップに
ついて説明する。本例では、リードフレーム（接続された素子も含む）７０を金型で挟み
込んで形成された空間に樹脂を押し込んで成形するトランスファーモールド法による成形
を説明する。
先ず、前述したステップで水晶振動子６０、半導体素子５４などが所定の部位に配列接
続されたリードフレーム７０を、加熱された下型７５と上型７７とによって押圧（加圧）
しながら挟み込む。

下型７５には、リードフレーム７０を挟み込んだ際に凹部５７の中央部に対向する位置
の実装電極部５１の裏面に当接するようにリードフレーム受け部７６が設けられている。
また、図示しないが、窪み部を凹部ではなく貫通穴で形成した場合、実装電極部５１の
裏面側の貫通穴の開口部を、リードフレーム受け部７６で覆うように、リードフレーム受
け部７６の受け面の面積を調整し、貫通穴に樹脂が流れ込まないようにして形成する。
リードフレーム７０は、パッド部５２の表面が上型７７に接し、実装電極部５１の裏面が
下型７５のリードフレーム受け部７６によって、押圧された状態となる。なお、リードフ
レーム７０の他の部位、例えば図示しないフレーム枠なども下型７５と上型７７とによっ
て押圧しながら挟み込まれるが、ここでの説明は省略する。
また、図示しないが、下型７５としてリードフレーム受け部７６が無く封止面が平面状
の金型を使用することもできる。

そして、下型７５と上型７７とによって挟み込まれて形成された空間に、加熱されて液
状となった熱硬化性の樹脂を加圧しながら注入し、硬化させた後、下型７５と上型７７と
を離脱させモールド樹脂５６Ｍを形成する。このとき、パッド部５２の表面は上型７７と
密着している。このことにより、パッド部５２の表面、および凹部５７の内部には樹脂が
流入しないため、パッド部５２の表面、および凹部５７の内面の金属膜５３が露出した状
態となっている。また、水晶振動子６０の蓋体６５は下型７５と密着している。

これらにより、水晶振動子６０の蓋体６５と実装電極部５１のパッド部５２の表面およ
び凹部５７とを露出させつつ、半導体素子５４、実装電極部５１の段部５８、図示しない
継ぎリードなどがモールド樹脂５６Ｍによって被われたシート状の部材（封止部材形成リ
ードフレーム）が形成される。なお、モールド樹脂５６Ｍは、封止部５６と同じ構成部位
であるが説明を解り易くするため、モールド樹脂５６Ｍが個片化されたものを封止部５６
と呼ぶ。
本実施例においては、型として金型を使用したが、ある程度の剛性があれば型の材質は
問わず、例えば、シリコーン樹脂、耐熱性ゴム、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂などから
形成されるテープ状の弾性部材を使用することもできる。

＜切断個片化ステップ＞
このステップでは、リードフレーム７０およびモールド樹脂５６Ｍ（封止部５６）を切
断して個片化するステップ、換言すれば、圧電デバイスとしての水晶発振器５０が配列形
成されたシート状の部材（封止部材形成リードフレーム）を切断し、個片の水晶発振器５
０とする。
このステップは、前述した第１実施形態の封止部を切断して個片化するステップと同じ
であるため説明を省略する。

本実施形態の水晶発振器５０によれば、水晶発振器５０を個片化する際の縦方向の切断
が凹部１７の内面がパッド部１２の表面と交差する方向（側面）に露出するように行われ
るため、水晶発振器５０の側面には、リードフレーム７０を形成する際にその表面に形成
された金属膜５３がそのまま備えられ凹部１７の内面と下地金属板の切断面が露出してい
る。そして、水晶発振器５０を実装基板にハンダ付けする際には、この凹部５７の内面に
設けられている金属膜５３がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレット（ハン
ダの裾引き形状）を形成する面となる。
したがって、上述の製造方法によって得られた水晶発振器５０は、ハンダの濡れ性が向
上し、ハンダフィレットを容易に形成することが可能となる。これにより、圧電デバイス
としての水晶発振器５０の実装基板に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ
付けの安定性を高めることが可能となる。

上述の第２実施形態では、圧電デバイスの一例として水晶発振器５０を用いて説明した
がこれに限らず、同様な構成を有する、例えば電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）、温度補
償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）等の圧電発振器、ジャイロ
センサー、圧力センサー、加速度センサーなどの物理量センサー、回路素子が内包されな
い水晶振動子、ＳＡＷデバイスなどに適用することが可能である。

図７に、前述の第２実施形態の態様で形成された水晶発振器５０の、実装基板へのハン
ダ付け強度を示すグラフを示す。図７は、第２実施形態の態様で形成された水晶発振器５
０（図中において実施例と示す）と、前述の背景技術で説明した圧電発振器（以下、従来
例の圧電発振器（図中において従来品と示す）という。）と、の実装基板へのハンダ付け
固着強度および引き剥がし強度を比較するグラフである。

図７に示すように、第２実施形態の態様で形成された水晶発振器５０の実装基板へのハ
ンダ付け強度は、固着強度では従来例の圧電発振器の２倍強の強度（Ａｖｅ：約６０ニュ
ートン（Ｎ））を得ることができた。また、引き剥がし強度においても、２０％強の強度
（Ａｖｅ：約４５ニュートン（Ｎ））を得ることができた。
図７に示すように、本第２実施形態の態様の水晶発振器５０の実装基板へのハンダ付け
強度を向上させる効果は明らかであり、同様な態様の第１実施形態の半導体装置１０にお
いても同様な効果を得ることが可能であると推測できる。

（封止部形成ステップの変形例）
ここで、前述した実施形態の封止部形成ステップの変形例について、図８〜図１０を用
いて説明する。図８は、変形例１の封止工程に用いる押圧型を示し、（ａ）は上型を２層
構造にした正断面図、（ｂ）は上型および下型をそれぞれ２層構造にした正断面図である
。図９は、封止工程の変形例２を示す正断面図である。図１０は、変形例１、変形例２に
よって形成された封止部を説明する図であり、（ａ）は押し圧状態を示す正断面図、（ｂ
）は形成された封止部と実装電極部との相関を示す正断面図である。

＜変形例１＞
変形例１の封止工程に用いる押圧型について図８（ａ）、（ｂ）および図１０（ａ）を
用いて説明する。なお、本変形例１では、前述の第１実施形態の構成を例示して説明する
が、第２実施形態の構成にも適用可能である。

図８（ａ）および図１０（ａ）に示すように、本変形例１の押圧型は、上型２７の構成
が前述の実施形態と異なっている。下型２５は、前述の実施形態と同様のリードフレーム
受け部２６を有した構成である。
変形例１に示す押圧型の上型２７は、２層構成になっており、ベース金型２７ａと、ベ
ース金型２７ａのパッド部１２（金属膜１３）の表面に当接する側に設けられたパッド押
さえ部２７ｂとを有している。
ベース金型２７ａは、加圧されても変形しないように金属で形成されている。パッド押
さえ部２７ｂは、加圧された際に変形し、加圧が解除された際には元の形状に戻る弾性部
材、いわゆる可撓性を有する材料、例えばシリコーン樹脂、耐熱性ゴム、ポリイミド樹脂
、フッ素系樹脂などで形成されることが望ましい。また、これらの材料からなるテープ状
の弾性部材、例えば、ポリイミドテープ等を使用することもできる。

本変形例１の押圧型を用いて封止部（モールド樹脂１６Ｍ）を形成する際には、モール
ド樹脂１６Ｍを形成するステップに先立って、実装電極部１１のパッド部１２（金属膜１
３）の表面を押圧型としての上型２７を構成するパッド押さえ部２７ｂで圧力（図１０（
ａ）に示す矢印Ｐの方向）をかけながら覆う。
この際、パッド押さえ部２７ｂが弾性部材で形成されているため、パッド部１２（金属
膜１３）の表面が、パッド押さえ部２７ｂに食い込む状態となる。その後、樹脂を注入し
モールド樹脂１６Ｍを形成する、換言すれば、パッド部１２（金属膜１３）の表面が、押
圧型としてのパッド押さえ部２７ｂに食い込んだ状態で樹脂を注入し、モールド樹脂１６
Ｍを形成する。
また、図８（ｂ）に示すように、下型２５についても、ベース金型２５ａと、半導体素
子と当接する側に設けられた弾性部材からなる型２５ｂとから構成される２層構造として
もよい。
あるいは、弾性部材にある程度の剛性があれば、ベース金型２７a、２５ａは必要なく
、弾性部材から形成される型２７ｂ、２５ｂのみで押圧型を形成することもできる。

＜変形例２＞
変形例２の封止工程に用いる押圧型について図９を用いて説明する。なお、本変形例２
では、変形例１と同様に前述の第１実施形態の構成を例示して説明するが、第２実施形態
の構成にも適用可能である。

図９に示すように、本変形例２の押圧型は、第１実施形態と同様な上型２７とリードフ
レーム受け部２６を有する下型２５とを有する構成である。
本変形例２では、樹脂を注入するに先立って、パッド部１２（金属膜１３）の表面を、
テープ状の弾性部材としてのポリイミドテープ２８で覆う。このポリイミドテープ２８は
、パッド部１２（金属膜１３）の表面と当接する側に粘着材（図示せず）が付着されてお
り、この粘着材によってポリイミドテープ２８がパッド部１２（金属膜１３）の表面に貼
り付けられる。

なお、ポリイミドテープ２８は、粘着材の設けられていないものでもよい。粘着材の設
けられていないポリイミドテープ２８を用いる場合は、上型２７と下型２５との間にパッ
ド部１２（金属膜１３）が挟まれる前に、ポリイミドテープ２８をパッド部１２（金属膜
１３）の表面を覆うように載置すればよい。
また、前述では弾性部材としてポリイミドテープ２８を例に説明したがこれに限らず、
例えば、シリコーン樹脂テープ、耐熱性ゴムシート、フッ素系樹脂シートなどを用いても
よい。

本変形例２の構成を用いて封止部（モールド樹脂１６Ｍ）を形成する際には、モールド
樹脂１６Ｍを形成するステップに先立って、弾性部材としてのポリイミドテープ２８でパ
ッド部１２（金属膜１３）の表面を覆う。その後、押圧型としての上型２７と下型２５に
よってリードフレームを加圧する。この際、パッド部１２（金属膜１３）の表面にポリイ
ミドテープ２８があるため、パッド部１２（金属膜１３）の表面が、上型２７で押された
ポリイミドテープ２８に食い込む状態となる。

その後、樹脂を注入してモールド樹脂１６Ｍを形成する、換言すれば、パッド部１２（
金属膜１３）の表面が、ポリイミドテープ２８に食い込んだ状態で樹脂を注入し、モール
ド樹脂１６Ｍを形成する。

変形例１、変形例２によれば、モールド樹脂１６Ｍを形成するために注入された樹脂が
凹部１７には注入されず、且つパッド部１２（金属膜１３）の表面に流れ込むことをより
確実に防止することができる。
また、パッド部１２（金属膜１３）の表面を被ったパッド押さえ部２７ｂまたはポリイ
ミドテープ２８にパッド部１２（金属膜１３）が食い込んだ状態でモールド樹脂１６Ｍが
形成されるため、図１０（ｂ）に示すように、パッド部１２（金属膜１３）の表面とモー
ルド樹脂１６Ｍの表面１６ａとの間に段差ｄを生じさせることができる。この段差ｄは、
パッド部１２（金属膜１３）に、所謂スタンドオフの機能を持たせることが可能となり、
よりハンダ付け性を向上させることができる。
これらにより、モールド樹脂の表面に多少の凹凸があったとしても、スタンドオフ機能
によりパッド部がモールド樹脂の表面よりも突出しているため、電子デバイスの実装基板
へのハンダ付けをより確実、安定的に行うことが可能となる。

（凹部の応用例）
前述の実施形態で説明した実装電極部１１，５１に形成された凹部１７，５７の応用例
について図１１を用いて説明する。図１１は、実装電極部１１，５１に形成される凹部１
７，５７の応用例を示す平面図である。

図１１に示す凹部の応用例は、実装電極部１１のパッド部１２の表面から段差を有した
３つの凹部１７ａ，１７ｂ，１７ｃが、切断個片化ステップにおける切断方向に並んで設
けられた構成である。切断個片化ステップでは、３つの凹部１７ａ，１７ｂ，１７ｃのそ
れぞれの中央部を横切ってパッド部１２などを含むリードフレームおよびモールド樹脂（
同図では図示せず）を切断する。
なお、本例では３つの凹部１７ａ，１７ｂ，１７ｃが設けられた例で説明したが、設け
られる凹部の数は限定されず、いくつであってもよい。

本応用例のように凹部を複数存在させることにより、その表面積が大きくなりハンダ付
け性をさらに向上させることが可能となる。

（リードフレームの変形例）
次に、リードフレームの変形例について、図１２〜図１３を用いて説明する。図１２は
、変形例３の実装電極部間を接続する実装電極接続リードの一例を示す平面図であり、図
１３は、変形例４の実装電極部間を接続する実装電極接続リードの一例を示す平面図であ
る。なお、前述の実施形態と同様な構成については同一符号を付けて説明を省略すること
もある。

＜変形例３＞
本変形例３は、前述の実施形態で説明した電子デバイスとしての半導体装置１０が個片
化された際に、一つの半導体装置１０に構成される複数の実装電極部１１を図示Ｙ方向に
接続する実装電極接続リード２９ａをリードフレーム２０に設けた構成である。なお、本
変形例３では、２つの実装電極部１１ａ，１１ｂで説明する。

図１２に示すように、リードフレーム２０に設けられた実装電極部１１ａと実装電極部
１１ｂとが、図示Ｙ方向に実装電極接続リード２９ａによって接続されている。同図で示
すＹ方向とは、切断個片化ステップにおいて、凹部１７の中央部を横切って切断する方向
を示している。
実装電極接続リード２９ａは、実装電極１１ｂの実装電極部１１ａと向かい合う側の辺
から一旦Ｙ方向に延伸した後、Ｙ方向に直交する方向であるＸ方向に延伸し、再びＹ方向
に延伸して実装電極部１１ａに繋がっている。なお、実装電極接続リード２９ａの厚さは
、凹部１７と同程度の厚さで形成されている。

本変形例３のような実装電極接続リード２９ａを有するリードフレーム２０を用いれば
、図示Ｙ方向に設けられた複数の実装電極部１１ａ，１１ｂが接続されるため、Ｙ方向の
リードフレーム２０の剛性を高めることができる。
また、切断個片化ステップにおいて、凹部１７の中央部を横切って切断する際に、狭い
幅の実装電極接続リード２９ａを切断することから、切断に用いるダイヤモンドホイール
の目詰まりなどに対する影響を抑制することが可能となる。

＜変形例４＞
本変形例４は、前述の実施形態で説明した電子デバイスとしての半導体装置１０が個片
化された際に、一つの半導体装置１０に構成される複数の実装電極部１１を図示Ｙ方向に
接続する実装電極接続リード２９ｂをリードフレーム２０に設けた構成である。なお、本
変形例４では、２つの実装電極部１１ａ，１１ｂで説明する。

図１３に示すように、リードフレーム２０に設けられた実装電極部１１ａと実装電極部
１１ｂとが、図示Ｙ方向に実装電極接続リード２９ｂによって接続されている。同図で示
すＹ方向とは、切断個片化ステップにおいて、凹部１７の中央部を横切って切断する方向
を示している。
実装電極接続リード２９ｂは、それぞれの実装電極部１１ａ，１１ｂが向かい合う辺か
らＹ方向に直線的に延出して接続する。
また、実装電極接続リード２９ｂの厚さは、凹部１７と同程度の厚さで形成され、その
幅は、後の切断時における切断代よりも小さいことが望ましい。換言すれば、切断に用い
るダイヤモンドホイールの幅より実装電極接続リード２９ｂの幅の方が小さく形成される
ことが望ましい。

本変形例４のような実装電極接続リード２９ｂを有するリードフレーム２０を用いれば
、図示Ｙ方向に設けられた複数の実装電極部１１ａ，１１ｂが接続されるため、Ｙ方向の
リードフレーム２０の剛性を高めることができる。
また、切断個片化ステップにおいて、凹部１７の中央部を横切って切断する際に、実装
電極接続リード２９ｂの幅が、後の切断時における切断代よりも小さいことから、実装電
極接続リード２９ｂが全て切り落とされてしまうため、実装電極接続リード２９ｂが封止
部に露出することがなく、水分浸入防止を高めることが可能となる。

（電子機器）
上記で説明した各実施形態の電子デバイスまたは圧電デバイスは、各種の電子機器に適
用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
図１４、および図１５は、本発明にかかる電子機器の一例としての携帯電話機を示す。
図１４は、携帯電話機の外観の概略を示す斜視図であり、図１５は、携帯電話機の回路部
を説明する回路ブロック図である。

この携帯電話機３００は、上述の電子デバイスまたは圧電デバイスを使用することがで
きる。本例では、圧電デバイスを用いた例で説明する。また、圧電デバイスの構成、作用
については、同一符号を用いるなどして、その説明を省略する。
図１４に示すように携帯電話機３００は、表示部であるＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）３０１、数字等の入力部であるキー３０２、マイクロフォン
３０３、スピーカー３１１、図示しない回路部などが設けられている。これらの構成部材
の一部および回路部などは、回路配線パターンが形成された実装基板に、例えばハンダ付
けを用いて接続される。
図１５に示すように、携帯電話機３００で送信する場合は、使用者が、自己の声をマイ
クロフォン３０３に入力すると、信号はパルス幅変調・符号化ブロック３０４と変調器／
復調器ブロック３０５を経てトランスミッター３０６、アンテナスイッチ３０７を開始ア
ンテナ３０８から送信されることになる。

一方、他の電話機から送信された信号は、アンテナ３０８で受信され、アンテナスイッ
チ３０７、受信フィルター＋アンプ３０９を経て、レシーバー３１０から変調器／復調器
ブロック３０５に入力される。そして、変調又は復調された信号がパルス幅変調・符号化
ブロック３０４を経てスピーカー３１１に声として出力されるようになっている。
このうち、アンテナスイッチ３０７や変調器／復調器ブロック３０５等を制御するため
のコントローラー３１２が設けられている。
このコントローラー３１２は、上述の他に表示部であるＬＣＤ３０１や数字等の入力部
であるキー３０２、更にはＲＡＭ３１３やＲＯＭ３１４等も制御するため、高精度である
ことが求められる。また、携帯電話機３００の小型化の要請もある。
このような要請に合致するものとして上述の圧電デバイスが用いられている。
なお、携帯電話機３００は、他の構成ブロックとして、温度補償水晶発振器３１５、レ
シーバー用シンセサイザー３１６、トランスミッター用シンセサイザー３１７などを有し
ているが説明を省略する。

この携帯電話機３００に用いられている上記圧電デバイスは、実装電極部の側面に予め
設けられた金属膜が存在しているため、ハンダ付けによって回路基板に実装される場合に
ハンダフィレットが形成され易く、ハンダ付け強度が向上するとともに接続の信頼性も向
上することができる。
従って、上記圧電デバイスを用いている電子機器（携帯電話機３００）は、安定した接
続信頼性を有するとともに、耐衝撃特性を向上させることが可能となる。

本発明にかかる電子デバイスまたは圧電デバイスを備える電子機器としては、図１６に
示すパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）４００も挙げら
れる。パーソナルコンピューター４００は、表示部４０１、入力キー部４０２などを備え
ており、その電気的制御のための電子デバイス、あるいは基準クロックとして上述の圧電
デバイスが用いられている。
また、本発明の電子デバイスまたは圧電デバイスを備える電子機器としては、前述に加
え、例えばディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェッ
トプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビ
デオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も
含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、
テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体
温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、
各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ
ー等が挙げられる。

以上、本発明の電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換する
ことができる。

１０…電子デバイスとしての半導体装置、１１，５１…実装電極部、１２，５２…パッ
ド部、１３，５３…金属膜、１４…電子部品としての半導体素子、１５…金属バンプ、１
６，５６…封止部、１６Ｍ，５６Ｍ…モールド樹脂、１７，５７…凹部、１８，５８…段
部、１９，５９…継ぎリード、２０，７０…リードフレーム、２１…封止部形成リードフ
レーム、２２ａｘ…縦方向第１切断部、２２ｂｘ…縦方向第２切断部、２２ａｙ…横方向
第１切断部、２２ｂｙ…横方向第２切断部、２３…ダイヤモンドホイール、２５，７５…
下型、２５ａ…ベース金型、２５ｂ…弾性部材からなる型、２６，７６…リードフレーム
受け部、２７，７７…押圧型としての上型、２７ａ…ベース金型、２７ｂ…パッド押え部
、２８…弾性部材としてのポリイミドテープ、５０…圧電デバイスとしての水晶発振器、
５４…回路素子としての半導体素子、５５…ボンディングワイヤー、６０…水晶振動子、
６１…パッケージ、６２…パッケージ側壁、６３…水晶振動片、６４…導電性接着剤、６
５…蓋体、６６…水晶振動子の一面としてのパッケージ裏面、３００…電子機器としての
携帯電話機、４００…電子機器としてのパーソナルコンピューター。

Claims (8)

1. パッド部と、前記パッド部に囲まれた凹部または貫通穴の少なくともいずれか一方を備
   えた窪み部が備えられた実装電極部が形成され、前記窪み部の内面に金属膜が形成された
   リードフレームを用意するステップと、
   前記リードフレームに電子部品を接続するステップと、
   前記パッド部の表面および前記窪み部を露出するように、封止材により前記電子部品と
   前記実装電極部の側面を覆い、封止部を形成するステップと、
   前記パッド部、前記窪み部および前記封止部を切断するステップと、を有することを特
   徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 請求項１に記載の電子デバイスの製造方法において、
   前記封止部を形成するステップに先立って、前記パッド部の表面および前記窪み部を型
   で覆うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
3. 請求項２に記載の電子デバイスの製造方法において、
   前記封止部を形成するステップでは、前記パッド部の表面および前記窪み部を弾性部材
   で覆い、前記弾性部材に前記パッド部が食い込むように押圧しながら前記封止部を形成す
   ることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
4. 請求項１に記載の電子デバイスの製造方法において、
   前記窪み部は、エッチング加工によって形成されることを特徴とする電子デバイスの製
   造方法。
5. パッド部と、四方のうち三方が前記パッド部に囲まれ残る一方が開放した凹部が備えら
   れた実装電極部が形成され、前記凹部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用い
   た電子デバイスであって、
   前記実装電極部に接続された電子部品と、
   前記パッド部の表面および前記凹部を露出させつつ、前記電子部品と前記実装電極部の
   側面を覆う封止部と、を有し、
   前記凹部の内面と下地金属板の断面とが露出していることを特徴とする電子デバイス。
6. 請求項５に記載の電子デバイスにおいて、
   前記凹部は、前記パッド部に複数並んで設けられていることを特徴とする電子デバイス
   。
7. 請求項５または６記載の電子デバイスにおいて、
   圧電振動子と、前記圧電振動子を発振させる機能を少なくとも有した回路素子とを有す
   ることを特徴とする圧電デバイス。
8. 請求項５または６に記載の電子デバイスを用いていることを特徴とする電子機器。

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