JP2013029510A - 電子機器に対する放射線防護を備える直接変換x線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のX線検出器は、X線放射線を電荷キャリアに直接変換するX線センサー(第一のX線センサー)を有し、X線センサーに電気的に接続され好ましくは集積回路として形成される信号評価電子回路を有し、信号評価電子回路を防護するために形成されるX線吸収体を有し、及びX線吸収体に対してX線センサーを位置調整するために形成され配置されるセンサーキャリア(第一のセンサーキャリア)を有し、X線放射線の入射方向で見た場合に、信号評価電子回路がX線吸収体の後方でそのX線放射線の影の中に配置され、X線センサーが、X線吸収体と信号評価電子回路との間に好ましくは配置されるセンサーキャリアにより、少なくとも部分的にX線吸収体の後方で、そのX線放射線の影の外側に配置される。
【選択図】図3
Description
(図2における参照番号の意味は、以降の実施形態を参照。)
Claims (13)
- X線放射線(R)を電荷キャリアに直接変換するX線センサー(第一のX線センサー(1))と、
前記X線センサー(1)に電気的に接続(17)され、好ましくは集積回路として設計される、信号評価電子回路(2)と、
前記信号評価電子回路(2)を防護するために設けられるX線吸収体(3)と、
前記X線吸収体(3)に対して前記X線センサー(1)を位置調整するために設けられ配置される、センサーキャリア(第一のセンサーキャリア(4))と
を含むX線検出器であって、
前記X線放射線(R)の入射方向(E)で見た場合に、前記信号評価電子回路(2)が、前記X線吸収体(3)の後方で、そのX線放射線の影(S)の中に配置されるとともに、
前記X線センサー(1)が、
前記X線吸収体(3)と前記信号評価電子回路(2)との間に好ましくは配置される前記センサーキャリア(4)により、
少なくとも部分的に前記X線吸収体(3)の後方で、その前記X線放射線の影(S)の外側に配置される、X線検出器。 - 前記X線吸収体(3)と、前記センサーキャリア(4)と、前記信号評価電子回路(2)とが、基板(5)、特に回路基板に共に配置され、前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)で見た場合に、好ましくはその順番で配置され、
前記入射方向(E)に垂直な、及び前記基板(5)の平面(y、z)に垂直な方向(x)で見た場合に、前記基板(5)と前記X線センサー(1)との間に配置される、前記センサーキャリア(4)の材料が、前記基板(5)の材料の熱膨張係数と、前記X線センサー(1)の材料の熱膨張係数の間、好ましくは間の中心にある熱膨張係数を有し、及び/または、前記X線センサー(1)の熱膨張係数を前記基板(5)の熱膨張係数に適合させ、
及び/または、
前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)に垂直に、及び前記基板(5)の平面(y、z)に垂直に見た場合に、前記センサーキャリア(4)が前記X線吸収体(3)と同一の寸法を有し、及び/または、完全に前記X線吸収体(3)の前記X線放射線の影(S)の中に位置すること、
を特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - 前記X線放射線(R)を電荷キャリアに直接変換するとともに、前記信号評価電子回路(2)に同様に電気的に接続される(17)、さらなるX線センサー(第二のX線センサー(6))と、
前記X線吸収体(3)に対して前記第二のX線センサー(6)を位置調整するために設けられ配置される、さらなるセンサーキャリア(第二のセンサーキャリア(7))と、を特徴とし、
前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)で見た場合に、前記第二のX線センサー(6)が、前記第一のX線センサー(1)の後方に配置されるとともに、前記第一のセンサーキャリア(4)と前記信号評価電子回路(2)との間に好ましくは配置される前記第二のセンサーキャリア(7)により、前記X線吸収体(3)の後方で、その前記X線放射線の影(S)の外側に配置される、
請求項1または2に記載のX線検出器。 - 前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)に垂直に、及び前記基板(5)の平面(y、z)に垂直に見た場合に、前記第二のセンサーキャリア(7)が前記X線吸収体(3)と同一の寸法を有し、及び/または、前記第一のセンサーキャリア(4)及び/または前記第二のセンサーキャリア(7)が、完全に前記X線吸収体(3)の前記X線放射線の影(S)の中に配置され、
及び/または、
前記入射方向(E)に垂直な、及び前記基板(5)の平面(y、z)に垂直な方向(x)で見た場合に、前記基板(5)と前記第二のX線センサー(6)との間に配置される、前記第二のセンサーキャリア(7)の材料が、前記基板(5)の材料の熱膨張係数と、前記第二のX線センサー(6)の材料の熱膨張係数の間、好ましくは間の中心にある熱膨張係数を有し、及び/または、前記第二のX線センサー(6)の熱膨張係数を前記基板(5)の熱膨張係数に適合させること、
を特徴とする請求項3に記載のX線検出器。 - 前記第一のセンサーキャリア(4)及び/または前記第二のセンサーキャリア(7)が、導電性で、及び、前記第一のX線センサー(1)及び/または前記第二のX線センサー(6)の電圧供給のために設けられること、
を特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のX線検出器。 - 基板(5)、特に回路基板と、
それぞれX線放射線(R)を電荷キャリアに直接変換するとともに、前記基板(5)の第一の面(9)に配置される、第一のX線センサー(1)及び第二のX線センサー(6)と、
X線センサー(1、6)双方に電気的に接続(17、18)されるとともに、好ましくは集積回路として形成され、前記基板の前記第一の面(9)とは反対側に位置する第二の面(10)に配置され、好ましくは前記二つのX線センサー(1、6)の反対側に位置する領域(11)に配置される、信号評価電子回路(8)と、
前記信号評価電子回路(8)の防護のために形成され、前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)で見た場合に、前記信号評価電子回路(8)の前方において、前記基板(5)の前記第二の面(10)に配置されるX線吸収体(3)であって、前記信号評価電子回路(8)が、該X線吸収体(3)の前記X線放射線の影(S)の中に配置されるように配置されるX線吸収体、
を含む、X線検出器。 - 前記センサーの信号を前記信号評価電子回路(8)に伝達する、前記第一のセンサー(1)及び/または前記第二のセンサー(6)に対する前記信号評価電子回路(8)の電気的接続(17、18)が、前記基板(5)を通じて繋がる導電性経路(12)により実現されること、
を特徴とする請求項6に記載のX線検出器。 - 前記二つのX線センサー(1、6)が、前記X線放射線(R)の異なるスペクトル部分を吸収するように構成され、前記第一のX線センサー(1)が、好ましくは前記X線放射線(R)の低エネルギー部分を吸収し、前記第二のX線センサー(6)が、前記X線放射線の高エネルギー部分を吸収するように設けられ、及び/または、異なる原子数の半導体材料を含み、
及び/または、
前記二つのX線センサー(1、6)の一方、好ましくは前記第一のX線センサー(1)が、Siを含み、前記二つのX線センサー(1、6)の他方、好ましくは前記第二のX線センサー(6)が、GaAsを含むこと、
を特徴とする請求項3から7のいずれか1項に記載のX線検出器。 - 好ましくはスリット形状の開口部(14)を備えるビーム停止部(13)であって、
好ましくは、前述したエレメント(1)から(12)を収容するために形成され、
前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)で見た場合に、
前記第一のX線センサー(1)の前方、または、前記第一のX線センサー(1)及び前記第二のX線センサー(6)の前方に配置され、好ましくは前記X線吸収体(3)の前方に配置され、
前記第一のX線センサー(1)、または、前記第一のX線センサー(1)及び前記第二のX線センサー(6)が、前記ビーム停止部(13)の前記壁(15)の前記X線放射線の影(SB)の中には配置されずに、前記開口部(14)の後方に配置されるように、位置合わせされるビーム停止部(13)として設けられるハウジングの一部であるビーム停止部、
を特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のX線検出器。 - 前記第一のX線センサー(1)、及び/または、前記第二のX線センサー(6)、好ましくは、X線センサー(1、6)双方が、前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)に垂直な方向(z)、及び、前記基板(5)の平面(y、z)で見た場合に、前記X線放射線(R)の空間分解検出のための、複数の個々のピクセル(ラインセンサー構造16a、16b)を有し、
該個々のピクセルは、センサー信号を前記信号評価電子回路(2、8)に伝達するために、ボンドワイヤー(17)及び/またはフリップフロップ接点(18)を介して前記信号評価電子回路(2、8)に電気的に接続されること、
を特徴とする請求項2または請求項6に従属する請求項1から9のいずれか1項に記載のX線検出器。 - X線センサー(1、6)双方が、ラインセンサー構造(16a、16b)を有し、前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)で見た場合に、前記入射方向(E)に平行に投影される前記第一のX線センサー(1)のピクセル(16a)が、前記第二のX線センサー(6)のピクセル(16b)にちょうど重なるように、並んで配置され、同じ空間情報が、前記二つのX線センサー(1、6)で得られること
を特徴とする請求項10に記載のX線検出器。 - 前記第一のX線センサー(1)及び前記第二のX線センサー(6)が、別々に、及び互いに独立して、電圧を供給可能であること、
を特徴とする請求項4、5、7から13のいずれか1項に記載のX線検出器。 - 複数のX線検出器が、それらの基板面が平行であるように互いに積み重ねられ、平面(x、z)におけるそれらの第一のX線センサー(1)、または、第一のX線センサー(1)及び第二のX線センサー(6)の前記ラインセンサー構造(16a、16b)が、前記X線放射線(R)の前記入射方向(E)に垂直で見た場合に、二次元ピクセル配列の形態の二次元エリアセンサー構造を形成すること、
を特徴とする、請求項11または12により形成される複数のX線検出器の配置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018533723A (ja) * | 2015-09-24 | 2018-11-15 | プリズマティック、センサーズ、アクチボラグPrismatic Sensors Ab | モジュール式x線検出器 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013202630B4 (de) * | 2013-02-19 | 2017-07-06 | Siemens Healthcare Gmbh | Strahlungsdetektor und medizinisches Diagnosesystem |
DE102014208853A1 (de) | 2014-05-12 | 2015-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Steuergeräts |
US10641912B1 (en) * | 2016-06-15 | 2020-05-05 | Triad National Security, Llc | “4H” X-ray camera |
CN109416406B (zh) | 2016-07-05 | 2023-06-20 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 具有不同热膨胀系数的接合材料 |
WO2019027472A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | DATA TRANSMISSIONS POWERED BY X-RAYS |
DE102018200845B4 (de) * | 2018-01-19 | 2021-05-06 | Siemens Healthcare Gmbh | Montageverfahren für die Herstellung eines Röntgendetektors, Röntgendetektor und Röntgengerät |
DE102020117386B3 (de) | 2020-07-01 | 2021-04-15 | Christian-Albrechts-Universität zu Kiel - Körperschaft des öffentlichen Rechts | Detektor-schutzverfahren zum schutz von flächendetektoren für elektromagnetische strahlung und/oder teilchenstrahlung sowie detektor-schutzanordnung |
JP2022143666A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-10-03 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線撮影装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05157709A (ja) * | 1990-06-20 | 1993-06-25 | Philips Gloeilampenfab:Nv | X線量子のパルス伝送スペクトルを測定する装置 |
JP2006322745A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Shimadzu Corp | フラットパネル型の放射線検出器 |
JP2008510960A (ja) * | 2004-08-20 | 2008-04-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 保護層を有するマイクロエレクトロニクスシステム |
JP2009300084A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
JP2010538293A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複数の変換層を持つ放射線検出器 |
JP2011095166A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4870279A (en) | 1988-06-20 | 1989-09-26 | General Electric Company | High resolution X-ray detector |
EP0440847B1 (de) | 1990-02-06 | 1994-05-11 | Spezialmaschinenbau Steffel GmbH & Co. KG | Vorrichtung zur Röntgenprüfung eines Kraftfahrzeugreifens |
DE4019613A1 (de) * | 1990-06-20 | 1992-01-02 | Philips Patentverwaltung | Anordnung zum messen des impulsuebertragsspektrums von roentgenquanten |
FR2745640B1 (fr) | 1996-02-29 | 1998-04-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'imagerie multicoupes |
DE19711927A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Energieselektive Detektoranordnung |
CA2252993C (en) | 1998-11-06 | 2011-04-19 | Universite De Sherbrooke | Detector assembly for multi-modality scanners |
DE20007053U1 (de) * | 2000-04-17 | 2000-07-27 | Wika Alexander Wiegand Gmbh | Druckmessgerät |
JP3657178B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2005-06-08 | 沖電気工業株式会社 | Icカード |
DE10335662A1 (de) | 2003-08-04 | 2005-03-10 | Siemens Ag | Detektormodul für einen Detektor zur Detektion ionisierender Strahlung sowie Detektor |
JP4303603B2 (ja) | 2004-01-13 | 2009-07-29 | 株式会社日立製作所 | 核医学診断装置、及びその検出器ユニット |
US7442920B2 (en) * | 2004-08-16 | 2008-10-28 | O. I. Corporation | Optical bench for a mass spectrometer system |
US7451651B2 (en) * | 2006-12-11 | 2008-11-18 | General Electric Company | Modular sensor assembly and methods of fabricating the same |
DE102007010639A1 (de) | 2007-03-02 | 2008-09-04 | General Electric Co. | Leichter und robuster digitaler Röntgen-Detektor |
DE102007028827A1 (de) * | 2007-06-20 | 2009-02-19 | Stabilus Gmbh | Kolben-Zylinderaggregat |
DE102008061486A1 (de) | 2008-12-10 | 2010-02-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Detektormodul für Röntgen- oder Gammastrahlung mit speziell ausgebildeten Streustrahlenraster |
DE102009008702A1 (de) | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Direktumwandelndes Detektorelement für Röntgenstrahlung |
-
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- 2012-07-27 US US13/559,713 patent/US8963098B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05157709A (ja) * | 1990-06-20 | 1993-06-25 | Philips Gloeilampenfab:Nv | X線量子のパルス伝送スペクトルを測定する装置 |
JP2008510960A (ja) * | 2004-08-20 | 2008-04-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 保護層を有するマイクロエレクトロニクスシステム |
JP2006322745A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Shimadzu Corp | フラットパネル型の放射線検出器 |
JP2010538293A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複数の変換層を持つ放射線検出器 |
JP2009300084A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
JP2011095166A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018533723A (ja) * | 2015-09-24 | 2018-11-15 | プリズマティック、センサーズ、アクチボラグPrismatic Sensors Ab | モジュール式x線検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8963098B2 (en) | 2015-02-24 |
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