JP2013026280A - Wiring board with built-in element, and manufacturing method therefor - Google Patents

Wiring board with built-in element, and manufacturing method therefor Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive wiring board with a built-in element having a novel structure where a functional element, e.g., MEMS or an SAW filter, is embedded in a wiring board consisting of at least a pair of wiring layers and an insulation layer interposed therebetween, without degrading the function of the functional surface.SOLUTION: The wiring board with a built-in element comprises a pair of first wiring layer and a second wiring layer arranged to face each other, an insulation layer interposed between the first and second wiring layers, a hollow formation member arranged in the insulation layer and mounted on the first wiring layer, and a functional element housed in the hollow formation member and mounted on the first wiring layer.

Description

本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)や表面弾性波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタなどの機能性素子を内蔵した、素子内蔵配線基板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an element-embedded wiring board having a built-in functional element such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) or a surface acoustic wave (SAW) filter, and a method for manufacturing the same.

近年の電子機器の高性能化・小型化の流れの中、回路部品の高密度化、高機能化が一層求められている。かかる観点より、回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度化、高機能化への対応が要求されている。このような要求に応えるべく、現在では、少なくとも一対の配線層と、この一対の配線層間に配設された絶縁層とからなる配線基板を形成し、上記回路部品を構成する半導体部品などの電子部品を配線基板の絶縁層中に埋設するとともに、一対の配線層の少なくとも一方と電気的に接続してなる部品内蔵配線基板が開発され、実用されるに至っている。   In recent years, electronic devices are required to have higher density and higher functionality in the trend toward higher performance and smaller size of electronic devices. From this point of view, even modules with circuit components are required to cope with higher density and higher functionality. In order to meet such demands, at present, a wiring board comprising at least a pair of wiring layers and an insulating layer disposed between the pair of wiring layers is formed, and an electronic component such as a semiconductor component constituting the circuit component is formed. A component built-in wiring board in which components are embedded in an insulating layer of a wiring board and electrically connected to at least one of a pair of wiring layers has been developed and put into practical use.

しかしながら、MEMSやSAWフィルタなどの、素子表面が駆動する(機能面)ように構成された機能性素子では、上述のようにして配線基板の絶縁層中に埋設すると、機能面が絶縁層と接触してしまい、その機能を十分に奏することができない。したがって、このような機能性素子を配線基板中に配設するに際しては、上記絶縁層中に中空部を形成し、この中空部内に機能性素子を配設することによって、その機能面が絶縁層と直接接触しないような構成が採られている(例えば、特許文献1及び2参照)   However, in the case of a functional element configured such that the element surface is driven (functional surface), such as a MEMS or SAW filter, the functional surface contacts the insulating layer when embedded in the insulating layer of the wiring board as described above. As a result, the function cannot be fully achieved. Therefore, when such a functional element is disposed in the wiring board, a hollow portion is formed in the insulating layer, and the functional element is disposed in the hollow portion so that the functional surface thereof is an insulating layer. The structure which is not directly contacted is adopted (for example, refer to Patent Documents 1 and 2).

一方、特許文献1に記載の技術においては、配線基板を構成する絶縁層に直接中空部を形成するものであるため、配線基板を製造する際の加熱加圧工程において、上記絶縁層を構成する樹脂が溶融してしまい、溶融した樹脂の一部が絶縁層中に中空部を介して埋設した機能性素子の機能面に接触して、機能性素子が十分に機能しなくなってしまう場合がある。   On the other hand, in the technique described in Patent Document 1, since the hollow portion is directly formed in the insulating layer constituting the wiring board, the insulating layer is constituted in the heating and pressing step when manufacturing the wiring board. In some cases, the resin melts and a part of the melted resin comes into contact with the functional surface of the functional element embedded in the insulating layer through the hollow portion, so that the functional element does not function sufficiently. .

また、特許文献2に記載の技術においては、配線基板の絶縁層内に形成した中空部の内壁面に金属膜等などが形成されているが、上述のように配線基板を製造する際の加熱加圧工程において上記絶縁層が溶融してしまったような場合、絶縁層を構成する樹脂が上記金属膜等の位置ずれを生ぜしめ、その結果形成された隙間から溶融した樹脂が中空部内に流入し、機能性素子の機能面に付着して機能性素子が十分に機能しなくなってしまう場合があった。   Further, in the technique described in Patent Document 2, a metal film or the like is formed on the inner wall surface of the hollow portion formed in the insulating layer of the wiring board. When the insulating layer is melted in the pressurizing process, the resin constituting the insulating layer causes a displacement of the metal film or the like, and the molten resin flows into the hollow portion as a result of the gap formed. However, the functional element may adhere to the functional surface of the functional element and the functional element may not function sufficiently.

さらに、上記金属膜はスパッタリング法で形成するため金属膜の緻密性が失われ、上述した現象が顕著に生じるとともに、絶縁層が吸湿した水分が経時的に中空部内に拡散し、機能性素子の機能面が酸化腐食してしまって、機能性素子の機能が経時的に劣化してしまうというような問題もあった。   Further, since the metal film is formed by a sputtering method, the metal film loses its denseness, and the above-described phenomenon occurs remarkably, and moisture absorbed by the insulating layer diffuses into the hollow portion over time, and the functional element There is also a problem that the functional surface is oxidized and corroded, and the function of the functional element deteriorates with time.

国際公開公報2010/095210号International Publication No. 2010/095210 特開2004−179573号JP 2004-179573 A

本発明は、少なくとも一対の配線層と、この一対の配線層間に配設された絶縁層とからなる配線基板中に、MEMSやSAWフィルタなどの機能性素子をその機能面の機能を劣化させない状態で埋設してなる新規な構造の素子内蔵配線基板を安価に提供することを目的とする。   The present invention is a state in which a functional element such as a MEMS or SAW filter does not deteriorate the function of its functional surface in a wiring board comprising at least a pair of wiring layers and an insulating layer disposed between the pair of wiring layers. An object of the present invention is to provide an element-embedded wiring board having a novel structure embedded at a low cost.

上記目的を達成すべく、本発明は、
相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層と、
前記第1の配線層及び前記第2の配線層間に配設されてなる絶縁層と、
前記絶縁層内に配設されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる中空形成部材と、
前記中空形成部材内に収容されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる機能性素子と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板に関する。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
A pair of first and second wiring layers disposed opposite to each other;
An insulating layer disposed between the first wiring layer and the second wiring layer;
A hollow forming member disposed in the insulating layer and mounted on the first wiring layer;
A functional element housed in the hollow forming member and mounted on the first wiring layer;
It is related with the wiring board with a built-in element characterized by comprising.

また、本発明は、
第1の配線層に、機能性素子が実装されるとともに、前記機能性素子を収容するようにして中空形成部材が実装されてなる第1の配線基板を形成する工程と、
前記中空形成部材を収容する開口部が形成されてなる絶縁層上に第2の配線層が形成されてなる第2の配線基板を形成する工程と、
前記第1の配線基板と前記第2の配線基板とを、前記中空形成部材が前記開口部内に収容されるようにして積層する工程と、
積層された前記第1の配線基板及び前記第2の配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層を流動化させ、前記中空形成部材を前記絶縁層中に埋設する工程と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法に関する。
The present invention also provides:
A step of forming a first wiring board in which a functional element is mounted on the first wiring layer and a hollow forming member is mounted so as to accommodate the functional element;
Forming a second wiring board in which a second wiring layer is formed on an insulating layer in which an opening for accommodating the hollow forming member is formed;
Laminating the first wiring board and the second wiring board so that the hollow forming member is accommodated in the opening;
Fluidizing the insulating layer by heating and pressurizing the laminated first wiring substrate and the second wiring substrate, and embedding the hollow forming member in the insulating layer;
It is related with the manufacturing method of the wiring board with a built-in element characterized by comprising.

本発明によれば、一対の第1の配線層及び第2の配線層と、これら配線層間に配設された絶縁層とを含む配線基板において、絶縁層内に予め中空形成部品を第1の配線層に実装するようにして設け、目的とする機能性素子を中空形成部品内に収容した状態で第1の配線層に実装するようにして素子内蔵配線基板を形成するようにしている。   According to the present invention, in a wiring board including a pair of first wiring layer and second wiring layer, and an insulating layer disposed between these wiring layers, the first hollow forming component is previously placed in the insulating layer. An element-embedded wiring board is formed so as to be mounted on the wiring layer and mounted on the first wiring layer in a state where the target functional element is accommodated in the hollow forming component.

したがって、素子内蔵配線基板の構成要素である上記第1の配線基板及び第2の配線基板を積層した後、加熱下加圧して目的とする素子内蔵配線基板を製造する際に、素子内蔵配線基板の絶縁層を構成すべき、第2の配線基板の絶縁層部材、具体的には絶縁層を構成する、必要に応じてガラス繊維等の強化繊維を含む樹脂が溶融して流動化した際においても、当該樹脂が中空形成部品内に入り込むようなことがない。この結果、機能性素子の機能面に対して樹脂、すなわち絶縁層が付着するのを防止することができ、機能性素子の機能が阻害されるのを抑制することができる。   Therefore, after the first wiring board and the second wiring board, which are constituent elements of the element-embedded wiring board, are stacked, when the target element-embedded wiring board is manufactured by heating and pressing, When the insulating layer member of the second wiring board, specifically, the insulating layer, specifically, the resin containing reinforcing fibers such as glass fiber is melted and fluidized, is formed. However, the resin does not enter the hollow forming part. As a result, it is possible to prevent the resin, that is, the insulating layer from adhering to the functional surface of the functional element, and to suppress the function of the functional element from being hindered.

また、機能性素子の機能面に対する絶縁層の付着を、中空形成部品を予め実装するという簡易な操作で抑制することができるので、従来のようにスパッタリング法で金属膜等を形成するような場合に比較して、極めて安価に機能性素子の機能劣化を抑制することができる。   In addition, since the adhesion of the insulating layer to the functional surface of the functional element can be suppressed by a simple operation of mounting the hollow forming part in advance, a metal film or the like is formed by a sputtering method as in the past. Compared to the above, it is possible to suppress the functional deterioration of the functional element at an extremely low cost.

さらに、金属膜等の形成で十分に抑制することのできなかった絶縁層の吸湿水分による機能面の酸化腐食による、機能性素子の経時的な機能劣化をも効果的に抑制することができる。   Further, it is possible to effectively suppress the functional deterioration of the functional element over time due to the oxidative corrosion of the functional surface due to the moisture absorption moisture of the insulating layer that could not be sufficiently suppressed by forming the metal film or the like.

なお、本発明における“機能性素子”とは、いわゆる機能面を有する素子を意味し、MEMS,SAWフィルタ又は撮像素子等の素子を例示することができるが、これらに限定されるものではない。   The “functional element” in the present invention means an element having a so-called functional surface, and examples thereof include, but are not limited to, an element such as a MEMS, SAW filter, or imaging element.

以上、本発明によれば、少なくとも一対の配線層と、この一対の配線層間に配設された絶縁層とからなる配線基板中に、MEMSやSAWフィルタなどの機能性素子をその機能面の機能を劣化させない状態で埋設してなる新規な構造の素子内蔵配線基板を安価に提供することができる。   As described above, according to the present invention, a functional element such as a MEMS or a SAW filter is provided on a functional board in a wiring board including at least a pair of wiring layers and an insulating layer disposed between the pair of wiring layers. It is possible to provide an element-embedded wiring board having a novel structure embedded at a low cost without deteriorating the structure.

第1の実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the wiring board with a built-in element of 1st Embodiment. 図1に示す素子内蔵配線基板の中空形成部品の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the hollow formation components of the element built-in wiring board shown in FIG. 図2に示す中空形成部品の接続部の近傍を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the vicinity of the connection part of the hollow formation components shown in FIG. 図2に示す中空形成部品の接続部の近傍を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the vicinity of the connection part of the hollow formation components shown in FIG. 図2に示す中空形成部品の接続部の近傍を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the vicinity of the connection part of the hollow formation components shown in FIG. 第2の実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the wiring board with a built-in element of 2nd Embodiment. 第3の実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the wiring board with a built-in element of 3rd Embodiment. 実施形態の素子内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す図である。It is a figure which shows the process drawing in the manufacturing method of the element built-in wiring board of embodiment. 同じく、実施形態の素子内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す図である。Similarly, it is a figure which shows the process figure in the manufacturing method of the element built-in wiring board of embodiment. 同じく、実施形態の素子内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す図である。Similarly, it is a figure which shows the process figure in the manufacturing method of the element built-in wiring board of embodiment. 同じく、実施形態の素子内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す図である。Similarly, it is a figure which shows the process figure in the manufacturing method of the element built-in wiring board of embodiment. 同じく、実施形態の素子内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す図である。Similarly, it is a figure which shows the process figure in the manufacturing method of the element built-in wiring board of embodiment.

以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。   Hereinafter, other features and advantages of the present invention will be described based on embodiments for carrying out the invention.

(第1の実施形態)
図1は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施形態の素子内蔵配線基板10は、第1の配線層11及び第2の配線層12を有し、これらの間に第1の絶縁層21が配設されている。第1の絶縁層21内には箱型の中空形成部品41が配設され、この中空形成部品41は第1の配線層11に実装されている。また、中空形成部品41内には、機能性素子42が収容されているとともに、第1の配線層11に対して実装されている。なお、機能性素子42はワイヤ43によって第1の配線層11と電気的に接続されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the element built-in wiring board of the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the element built-in wiring board 10 of the present embodiment has a first wiring layer 11 and a second wiring layer 12, and a first insulating layer 21 is disposed between them. Yes. A box-shaped hollow forming component 41 is disposed in the first insulating layer 21, and the hollow forming component 41 is mounted on the first wiring layer 11. In addition, the functional element 42 is accommodated in the hollow forming component 41 and mounted on the first wiring layer 11. The functional element 42 is electrically connected to the first wiring layer 11 by a wire 43.

また、中空形成部品41の外方には、第1の配線層11及び第2の配線層12間において、第1の絶縁層21の一部で電気的に絶縁されるようにして、第3の配線層13及び第4の配線層14が設けられている。さらに、第1の配線層11の外方(下方)には、第2の絶縁層22を介して第5の配線層15が配設されているとともに、第2の配線層12の外方(上方)には、第3の絶縁層23を介して第6の絶縁層16が配設されている。   Further, on the outside of the hollow forming component 41, a third insulating layer 21 is electrically insulated between the first wiring layer 11 and the second wiring layer 12 so as to be electrically insulated from the third wiring layer 12. The wiring layer 13 and the fourth wiring layer 14 are provided. Further, a fifth wiring layer 15 is disposed outside (downward) the first wiring layer 11 via a second insulating layer 22, and outside the second wiring layer 12 ( A sixth insulating layer 16 is disposed above the third insulating layer 23 with the third insulating layer 23 interposed therebetween.

なお、第1の配線層11及び第3の配線層13は第1の層間接続体31によって電気的に接続されており、第3の配線層13及び第4の配線層14は第2の層間接続体32によって電気的に接続されており、第4の配線層14及び第2の配線層12は第3の層間接続体33によって電気的に接続されている。また、第1の配線層11及び第5の配線層15は第4の層間接続体34によって電気的に接続されており、第2の配線層12及び第6の配線層16は第5の層間接続体35によって電気的に接続されている。したがって、本実施形態の素子内蔵配線基板10は、いわゆる多層配線基板を構成する。   Note that the first wiring layer 11 and the third wiring layer 13 are electrically connected by the first interlayer connector 31, and the third wiring layer 13 and the fourth wiring layer 14 are the second interlayer. The fourth wiring layer 14 and the second wiring layer 12 are electrically connected by a third interlayer connection body 33. The first wiring layer 11 and the fifth wiring layer 15 are electrically connected by the fourth interlayer connector 34, and the second wiring layer 12 and the sixth wiring layer 16 are the fifth interlayer. The connection body 35 is electrically connected. Therefore, the element built-in wiring board 10 of this embodiment constitutes a so-called multilayer wiring board.

第1の配線層11から第6の配線層16は、必要に応じて所定のパターニングが施されることによる配線パターンとして構成されてもよいし、ベタのパターンとして構成されていてもよい。   The first wiring layer 11 to the sixth wiring layer 16 may be configured as a wiring pattern by performing predetermined patterning as necessary, or may be configured as a solid pattern.

また、機能性素子42としては、MEMS,SAWフィルタ又は撮像素子等の素子を例示することができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the functional element 42 include, but are not limited to, an element such as a MEMS, SAW filter, or image pickup element.

本実施形態の素子内蔵配線基板10においては、機能性素子42が中空形成部品41内に収容された状態で第1の配線層11に実装されている。したがって、第1の配線層11及び第2の配線層12間に配設された第1の絶縁層21を形成する際に、第1の絶縁層21となるべき所定の絶縁層、具体的にはこの絶縁層を構成する、必要に応じてガラス繊維等の強化繊維を含む樹脂が溶融して流動化した際においても、当該樹脂が中空形成部品41内に入り込むようなことがない。   In the element built-in wiring board 10 of the present embodiment, the functional element 42 is mounted on the first wiring layer 11 in a state of being accommodated in the hollow forming component 41. Therefore, when the first insulating layer 21 disposed between the first wiring layer 11 and the second wiring layer 12 is formed, a predetermined insulating layer to be the first insulating layer 21, specifically Even when a resin containing reinforcing fibers such as glass fibers is melted and fluidized, which constitutes the insulating layer, the resin does not enter the hollow forming part 41.

この結果、機能性素子42の機能面42Aに対して樹脂、すなわち絶縁層が付着するのを防止することができ、機能性素子42の機能が阻害されるのを抑制することができる。   As a result, it is possible to prevent the resin, that is, the insulating layer from adhering to the functional surface 42 </ b> A of the functional element 42, and to suppress the function of the functional element 42 from being inhibited.

すなわち、第1の配線層11及び第2の配線層12間に配設された第1の絶縁層21内に予め中空形成部品41を第1の配線層11に実装するようにして設け、機能性素子42を中空形成部品41内に収容した状態で第1の配線層11に実装するという極めて簡易な構成及び操作のみで、機能性素子42の機能面42Aに第1の絶縁層21の一部が付着するのを抑制することができ、機能性素子42の機能阻害を抑制することができる。   That is, the hollow forming component 41 is provided in advance in the first insulating layer 21 disposed between the first wiring layer 11 and the second wiring layer 12 so as to be mounted on the first wiring layer 11. The functional element 42 is mounted on the first wiring layer 11 while being accommodated in the hollow forming component 41, and the functional surface 42 </ b> A of the functional element 42 is formed on the functional surface 42 </ b> A of the first insulating layer 21 with only a very simple configuration and operation. It is possible to suppress the adhesion of the part, and it is possible to suppress the functional inhibition of the functional element 42.

また、第1の絶縁層21の吸湿水分が中空形成部品41内に流入するのを抑制できるので、機能性素子42の機能面42Aに水分が付着することによる酸化腐食を抑制することができ、機能性素子42の経時的な機能劣化をも抑制することができる。   Moreover, since it is possible to suppress moisture absorption moisture of the first insulating layer 21 from flowing into the hollow forming component 41, it is possible to suppress oxidative corrosion due to moisture adhering to the functional surface 42A of the functional element 42, It is also possible to suppress functional deterioration of the functional element 42 over time.

なお、中空形成部品41は、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリイミド(PI)及びポリフェニレンサルファイド(PPS)等の耐熱性プラスチックから構成することができる。また、例えば銅やアルミニウム等の高導電性の金属材料から構成することもできる。   The hollow forming component 41 may be made of a heat-resistant plastic such as polyethersulfone (PES), polyetheretherketone (PEEK), polyamideimide (PAI), polyimide (PI), and polyphenylene sulfide (PPS). it can. Moreover, it can also be comprised from highly conductive metal materials, such as copper and aluminum, for example.

後者のように、中空形成部品41を高導電性の金属材料から構成した場合、耐熱性プラスチックから構成した場合に比較して、第1の絶縁層21の吸湿水分が中空形成部品41内に流入するのをより効果的に抑制することができ、機能性素子42の経時的な機能劣化をより効果的に抑制することができる。   As in the latter case, when the hollow forming component 41 is made of a highly conductive metal material, moisture absorption in the first insulating layer 21 flows into the hollow forming component 41 as compared with a case where the hollow forming component 41 is made of a heat-resistant plastic. Therefore, it is possible to more effectively suppress the functional deterioration of the functional element 42 over time.

また、中空形成部品41が電磁波シールド性を有するようになるので、中空形成部品41の外部、すなわち素子内蔵配線基板10外部から流入してくる電磁波の、中空形成部品41内に収容された機能性素子42に対する影響を抑制することができるともに、機能性素子42から発せられる電磁波が素子内蔵配線基板10の外部へ漏れでて、外部環境に悪影響を及ぼすことを抑制できるようになる。   Further, since the hollow forming component 41 has an electromagnetic wave shielding property, the functionality accommodated in the hollow forming component 41 of the electromagnetic waves flowing from the outside of the hollow forming component 41, that is, from the outside of the element built-in wiring board 10. The influence on the element 42 can be suppressed, and electromagnetic waves emitted from the functional element 42 can be prevented from leaking to the outside of the element built-in wiring board 10 and adversely affecting the external environment.

なお、中空形成部品41を金属材料から構成することによる上記作用効果は、例えば中空形成部品41を耐熱性のプラスチックから構成した後、その外側あるいは内側に、上記金属材料からなる金属部材、いわゆる膜体を形成することによっても奏することができる。さらに、耐熱性のプラスチック中に鱗片状の金属フィラーを高い割合で含有させることによっても奏することができる。   Note that the above-described effect by configuring the hollow forming component 41 from a metal material is, for example, after the hollow forming component 41 is configured from a heat-resistant plastic, on the outside or inside thereof, a metal member made of the metal material, so-called film It can also be achieved by forming a body. Furthermore, it can be achieved by adding a scaly metal filler in a high proportion to the heat-resistant plastic.

中空形成部品41を実装するに対しては、例えばその接続部41Aにおいて熱硬化性樹脂系の接着剤を配設することによって接合して行うことができる。このような接着剤の溶融接着温度は約150度であるので、このような接着剤を用いることによって、中空形成部品41内に収容した機能性素子42への熱負荷を軽減することができる。   For mounting the hollow forming component 41, for example, a thermosetting resin-based adhesive may be provided at the connection portion 41A to be joined. Since the adhesive bonding temperature of such an adhesive is about 150 degrees, the use of such an adhesive can reduce the thermal load on the functional element 42 accommodated in the hollow forming component 41.

また、中空形成部品41を実装するに対しては、接続部41Aにおいてはんだを配設し、このはんだをリフローすることによって行うこともできる。一般に、機能性素子42の第1の配線層11に対する実装ははんだを用いて行うので、中空形成部品41の実装をはんだを用いて行うことにより、中空形成部品41及び機能性素子42の実装を一括して行うことができ、素子内蔵配線基板10の製造工程を簡略化することができる。   Further, the mounting of the hollow forming component 41 can be performed by arranging solder in the connecting portion 41A and reflowing the solder. In general, since the functional element 42 is mounted on the first wiring layer 11 using solder, the hollow forming component 41 and the functional element 42 are mounted by mounting the hollow forming component 41 using solder. This can be performed in a lump, and the manufacturing process of the element built-in wiring board 10 can be simplified.

なお、上記接着剤及びはんだは、一般には実装される側の第1の配線層11上に配設するが、その配設形状は、中空形成部品41の接続部41Aの外径形状と合致するようにして行う。   The adhesive and solder are generally disposed on the first wiring layer 11 on the mounting side, but the disposition shape thereof matches the outer diameter shape of the connection portion 41A of the hollow forming component 41. To do so.

図2は、中空形成部品41の変形例を示す図であり、図3〜図5は、図2に示す中空形成部品41の接続部41Aの近傍を拡大して示す図である。   FIG. 2 is a view showing a modification of the hollow forming component 41, and FIGS. 3 to 5 are enlarged views showing the vicinity of the connecting portion 41A of the hollow forming component 41 shown in FIG.

図1では、中空形成部品41の接続部41Aは、中空形成部品41の側壁の先端部として構成しているので、接着剤及びはんだと接触する面積は、その肉厚に起因した上記側壁の外周面積と内周面積との差分となる。しかしながら、図2では、接続部41Aを鍔状に形成しているので、接続部41Aの実質的な肉厚が増大したことになり、図3に示すように接着剤又ははんだ41Bとの接触面積が向上する。したがって、中空形成部品41の、第1の配線層11への実装を強固に行うことができる。   In FIG. 1, the connecting portion 41 </ b> A of the hollow forming component 41 is configured as a tip portion of the side wall of the hollow forming component 41, so that the area in contact with the adhesive and the solder is the outer periphery of the side wall due to its thickness. It is the difference between the area and the inner peripheral area. However, in FIG. 2, since the connecting portion 41A is formed in a bowl shape, the substantial thickness of the connecting portion 41A has increased, and the contact area with the adhesive or solder 41B as shown in FIG. Will improve. Therefore, the hollow forming component 41 can be firmly mounted on the first wiring layer 11.

また、中空形成部品41の鍔状の接続部41Aは、図4に示すように波型とすることができる。この場合、図3に示す場合と比較して、接続部41Aと接着剤又ははんだ41Bとの実質的な接触面積をさらに向上させることができるので、中空形成部品41の、第1の配線層11への実装をより強固に行うことができる。   Further, the hook-shaped connecting portion 41A of the hollow forming component 41 can be corrugated as shown in FIG. In this case, since the substantial contact area between the connecting portion 41A and the adhesive or solder 41B can be further improved as compared with the case shown in FIG. 3, the first wiring layer 11 of the hollow forming component 41 is further improved. Can be implemented more firmly.

さらに、中空形成部品41の鍔状の接続部41Aは、図5に示すように内側に凸となったR形状とすることができる。この場合も、接続部41Aと接着剤又ははんだ41Bとの接触面積を増大でき、中空形成部品41の、第1の配線層11への実装を強固に行うことができる。   Furthermore, the hook-shaped connecting portion 41A of the hollow forming component 41 can be formed in an R shape that is convex inward as shown in FIG. Also in this case, the contact area between the connection portion 41A and the adhesive or solder 41B can be increased, and the hollow forming component 41 can be firmly mounted on the first wiring layer 11.

また、溶融した絶縁層が接続部41Aと接着剤又ははんだ41Bとの接触部へ流入せずに、R形状の鍔状の接続部41Aの凹部に集中して流入するようになる。したがって、素子内蔵配線基板10の製造時における溶融絶縁層の、中空形成部品41内部への流入をより効果的に抑制することができ、その内部に収容された機能性素子42の機能面42Aへの絶縁層の付着をより完全に抑制して、機能性素子42の機能障害を抑制することができるようになる。   Further, the melted insulating layer does not flow into the contact portion between the connecting portion 41A and the adhesive or solder 41B, but flows into the concave portion of the R-shaped hook-shaped connecting portion 41A. Therefore, it is possible to more effectively suppress the molten insulating layer from flowing into the hollow forming component 41 when the element-embedded wiring substrate 10 is manufactured, and to the functional surface 42A of the functional element 42 accommodated therein. The adhesion of the insulating layer can be more completely suppressed, and the functional failure of the functional element 42 can be suppressed.

(第2の実施形態)
図6は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、第1の実施形態に関する図1〜図5に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の参照符号を用いている。
(Second Embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the element built-in wiring board of the present embodiment. Note that the same reference numerals are used for the same or similar components as those shown in FIGS. 1 to 5 regarding the first embodiment.

本実施形態の素子内蔵配線基板50は、第1の配線層11に実装された中空形成部品41内に、機能性素子42に加えて受動素子45及び能動素子46が収容され、第1の配線層11に実装されている点で相違する。なお、本実施形態の受動素子45及び能動素子46は第1の配線層11に対してフリップチップ実装されているが、実装方法はこれらに限定されるものではない。また、受動素子45としては、抵抗やコンデンサなどを例示することができ、能動素子46としてはICチップなどを例示することができる。   In the element built-in wiring board 50 of the present embodiment, in addition to the functional element 42, the passive element 45 and the active element 46 are accommodated in the hollow forming component 41 mounted on the first wiring layer 11, and the first wiring It differs in that it is mounted on the layer 11. In addition, although the passive element 45 and the active element 46 of this embodiment are flip-chip mounted with respect to the 1st wiring layer 11, the mounting method is not limited to these. Further, as the passive element 45, a resistor or a capacitor can be exemplified, and as the active element 46, an IC chip or the like can be exemplified.

受動素子45及び能動素子46は、機能性素子42のように外部に露出した機能面を有しないので、特に溶融した絶縁層がこれらの素子に接触した場合においてもそれら素子の機能を阻害することはない。しかしながら、第1の実施形態で述べたように、中空形成部品41を金属材料から構成したり、金属材料からなる膜体を付加したりすることによって、中空形成部品41は電磁波シールド性を有するようになる。   Since the passive element 45 and the active element 46 do not have a functional surface exposed to the outside like the functional element 42, the function of these elements is hindered even when a molten insulating layer is in contact with these elements. There is no. However, as described in the first embodiment, by forming the hollow forming component 41 from a metal material or adding a film body made of a metal material, the hollow forming component 41 has an electromagnetic shielding property. become.

したがって、このような場合において、図6に示すように、中空形成部品41内に受動素子45及び能動素子46を収容することによって、素子内蔵配線基板50の外部から流入してくる電磁波の、受動素子45及び能動素子46に対する悪影響を抑制することができるとともに、これらの素子が発する電磁波が素子内蔵配線基板50の外部に漏れ、外部環境に悪影響をもたらすことを抑制できる。   Therefore, in such a case, as shown in FIG. 6, the passive element 45 and the active element 46 are accommodated in the hollow forming component 41, so that the passive electromagnetic wave flowing from the outside of the element built-in wiring board 50 is passive. The adverse effect on the element 45 and the active element 46 can be suppressed, and the electromagnetic waves generated by these elements can be prevented from leaking outside the element-embedded wiring substrate 50 and adversely affecting the external environment.

また、受動素子45及び能動素子46を内蔵することによって、素子内蔵配線基板50の実装面積を削減できるので、素子内蔵配線基板50をより小型化することができる。   Further, since the mounting area of the element built-in wiring board 50 can be reduced by incorporating the passive element 45 and the active element 46, the element built-in wiring board 50 can be further downsized.

その他の特徴及び作用効果については、上記第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。   Other features and operational effects are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

但し、中空形成部品41を実装するに際して熱硬化性樹脂系の接着剤を用いることにより、中空形成部品41内に収容した機能性素子42のみならず受動素子45及び能動素子46への熱負荷を軽減することができる。また、はんだを用いることによって、中空形成部品41及び機能性素子42のみならず、受動部品45及び能動素子46の実装をも一括して行うことができる。   However, by using a thermosetting resin-based adhesive when mounting the hollow forming component 41, not only the functional element 42 accommodated in the hollow forming component 41 but also the passive element 45 and the active element 46 are subjected to a thermal load. Can be reduced. Further, by using solder, not only the hollow forming component 41 and the functional element 42 but also the passive component 45 and the active element 46 can be mounted together.

(第3の実施形態)
図7は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、第1の実施形態に関する図1〜図5及び第2の実施形態に関する図6に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の参照符号を用いている。
(Third embodiment)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the element built-in wiring board of the present embodiment. It should be noted that the same reference numerals are used for the components similar or identical to the components shown in FIGS. 1 to 5 relating to the first embodiment and FIG.

本実施形態の素子内蔵配線基板60は、中空形成部品41が箱型から接続部41Aを除いた部分が連続した曲面を有し、球面状に形成されている点で第2の実施形態に示す素子内蔵配線基板50と相違し、その他は第2の実施形態における素子内蔵配線基板50と同様に構成されている。   The element built-in wiring board 60 of the present embodiment is shown in the second embodiment in that the hollow forming component 41 has a curved surface in which a portion excluding the connection portion 41A from the box shape has a continuous curved surface. Unlike the element-embedded wiring board 50, the rest is configured in the same manner as the element-embedded wiring board 50 in the second embodiment.

本実施形態の素子内蔵配線基板60においては、第1の絶縁層21内に配設されている中空形成部品41がエッジ部を有しないので、配線基板60を製造する際に、第1の絶縁層21を構成すべき絶縁層、すなわち必要に応じてガラス繊維等の強化繊維を含む樹脂が溶融して流動化した際においても、当該樹脂は中空形成部品41のエッジ部に応力集中することがない。したがって、中空成形部品41の実質的な機械強度が向上するようになるので、上記樹脂の流動による押圧力等によって中空成形部品41が破損するのを回避することができる。   In the element-embedded wiring board 60 of the present embodiment, the hollow forming component 41 disposed in the first insulating layer 21 does not have an edge portion. Therefore, when the wiring board 60 is manufactured, the first insulation is provided. Even when the insulating layer that constitutes the layer 21, that is, when a resin containing reinforcing fibers such as glass fibers is melted and fluidized as necessary, the resin may concentrate stress on the edge portion of the hollow forming component 41. Absent. Therefore, since the substantial mechanical strength of the hollow molded part 41 is improved, it is possible to avoid the hollow molded part 41 from being damaged by the pressing force due to the flow of the resin.

その他の特徴及び作用効果については、上記第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。   Other features and effects are the same as in the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

なお、本実施形態では、第2の実施形態における素子内蔵配線基板50の中空形成部品41を上述のように球面状に形成しているが、第1の実施形態における素子内蔵配線基板10における中空形成部品41を上述のように球面状にしてもよい。   In this embodiment, the hollow forming component 41 of the element built-in wiring board 50 in the second embodiment is formed in a spherical shape as described above, but the hollow in the element built-in wiring board 10 in the first embodiment is formed. The forming component 41 may be spherical as described above.

(第4の実施形態)
次に、第1の実施形態における素子内蔵配線基板10の製造方法について説明する。 図8〜図12は、本実施形態の製造方法における工程図を示す図である。
(Fourth embodiment)
Next, a method for manufacturing the element built-in wiring board 10 according to the first embodiment will be described. 8-12 is a figure which shows the process drawing in the manufacturing method of this embodiment.

最初に、図8に示すように、第1の配線層11及び第5の配線層15が第2の絶縁層22の両主面に形成され、第2の絶縁層22を貫通する第4の層間接続体34によって電気的に接続されてなる両面基板を準備する。次いで、この両面基板の第1の配線層11上に機能性素子42を実装する。次いで、第1の配線層11上に、機能性素子42を収容するようにして中空形成部材41を実装して、下部配線基板(第1の配線基板)を形成する。   First, as shown in FIG. 8, the first wiring layer 11 and the fifth wiring layer 15 are formed on both main surfaces of the second insulating layer 22, and the fourth wiring layer penetrating the second insulating layer 22 is formed. A double-sided board that is electrically connected by the interlayer connector 34 is prepared. Next, the functional element 42 is mounted on the first wiring layer 11 of the double-sided board. Next, the hollow forming member 41 is mounted on the first wiring layer 11 so as to accommodate the functional element 42 to form a lower wiring board (first wiring board).

なお、中空形成部材41の実装は、上述したように熱硬化性樹脂系の接着剤又ははんだを用いて行う。   The hollow forming member 41 is mounted using a thermosetting resin-based adhesive or solder as described above.

また、中空形成部材41の第1の配線層11に対する実装は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。これによって、中空形成部材41内に収容した機能性素子42の酸化等による機能性の劣化を抑制することができる。   The mounting of the hollow forming member 41 on the first wiring layer 11 is preferably performed in an inert gas atmosphere. Thereby, it is possible to suppress deterioration of functionality due to oxidation or the like of the functional element 42 accommodated in the hollow forming member 41.

次いで、図9に示すように、第2の配線層12及び第6の配線層16が第3の絶縁層23の両主面に形成されるとともに、第5の層間接続体35によって電気的に接続されるようにして配線基板を形成した後、この配線基板上、すなわち第2の配線層12上に後に説明する加熱加圧工程を経ることによって、第1の絶縁層21となる絶縁層部材21Pを配設する。また、絶縁層部材21Pを貫通するようにして第3の層間接続体33を形成し、上部配線基板を形成する。   Next, as shown in FIG. 9, the second wiring layer 12 and the sixth wiring layer 16 are formed on both main surfaces of the third insulating layer 23, and are electrically connected by the fifth interlayer connector 35. After forming the wiring board so as to be connected, an insulating layer member that becomes the first insulating layer 21 by performing a heating and pressing step described later on this wiring board, that is, the second wiring layer 12 21P is disposed. Further, the third interlayer connector 33 is formed so as to penetrate the insulating layer member 21P, and the upper wiring board is formed.

次いで、図10に示すように、第3の配線層13及び第4の配線層14が同じく絶縁層部材21Pの両主面に形成されるとともに、第3の層間接続体33によって電気的に接続されてなる配線基板を形成した後、この配線基板上、すなわち第3の配線層13上に同じく絶縁層部材21Pを配設し、この絶縁層部材21Pを貫通するようにして第1の層間接続体31を形成し、中間配線基板を形成する。なお、この中間配線基板の中央には、中空形成部品41を収納するための開口部41Oが形成されている。   Next, as shown in FIG. 10, the third wiring layer 13 and the fourth wiring layer 14 are similarly formed on both main surfaces of the insulating layer member 21 </ b> P, and are electrically connected by the third interlayer connector 33. After the formed wiring board is formed, the insulating layer member 21P is similarly disposed on the wiring board, that is, the third wiring layer 13, and the first interlayer connection is formed so as to penetrate the insulating layer member 21P. The body 31 is formed, and the intermediate wiring board is formed. An opening 41O for accommodating the hollow forming component 41 is formed at the center of the intermediate wiring board.

開口部41Oは、上述のようにして中間配線基板を作製した後、例えばレーザ加工等によって形成することもできるし、予め開口部41Oが形成された絶縁層部材21Pを用いて上述したような積層体を作製し、上記中間配線基板とすることもできる。   The opening 41O can be formed by, for example, laser processing after the intermediate wiring board is manufactured as described above, or the above-described lamination using the insulating layer member 21P in which the opening 41O is formed in advance. It is also possible to make a body and use the intermediate wiring board.

図9に示す上部配線基板及び図10に示す中間配線基板の積層体は、第2の配線基板を構成する。但し、本実施形態では、素子内蔵配線基板10を多層配線基板の構成としているので、製造工程を簡略化する観点から、上述のように、多層配線基板を構成する第3の配線層13及び第4の配線層14を含む積層体を別途中間配線基板として形成し、第2の配線層12を含む上部配線基板と分離するようにしている。   The stacked body of the upper wiring board shown in FIG. 9 and the intermediate wiring board shown in FIG. 10 constitutes a second wiring board. However, in this embodiment, since the element-embedded wiring board 10 is configured as a multilayer wiring board, from the viewpoint of simplifying the manufacturing process, as described above, the third wiring layer 13 and the second wiring layer 13 constituting the multilayer wiring board are used. The laminated body including the four wiring layers 14 is separately formed as an intermediate wiring board and separated from the upper wiring board including the second wiring layer 12.

また、本実施形態では、中間配線基板を設けたことにより、開口部41Oを中間配線基板にのみ設けるようにしているが、上部配線基板の一部、すなわち第2の配線層12を残存させた状態で形成することもできる。   Further, in the present embodiment, the opening 41O is provided only in the intermediate wiring board by providing the intermediate wiring board, but a part of the upper wiring board, that is, the second wiring layer 12 is left. It can also be formed in a state.

次いで、図11に示すように、図8に示す下部配線基板、図9に示す中間配線基板及び図10に示す上部配線基板を、下部配線基板に実装された中空形成部材41が中間配線基板に形成された開口部41O内に収納されるとともに、互いに位置あわせをしながら積層する。   Next, as shown in FIG. 11, the hollow wiring member 41 mounted on the lower wiring board includes the lower wiring board shown in FIG. 8, the intermediate wiring board shown in FIG. 9, and the upper wiring board shown in FIG. 10. While being accommodated in the formed opening 41O, they are stacked while being aligned with each other.

次いで、図12に示すように、得られた配線基板の積層体に対して上下から加熱下加圧し、中間配線基板中の絶縁層部材21P及び上部配線基板中の絶縁層部材21Pを溶融して流動させ、開口部41Oと中空形成部品41との空隙を埋設させるとともに、上部配線基板、中間配線基板及び下部配線基板を互いに密着固定させて、目的とする素子内蔵配線基板10を得る。   Next, as shown in FIG. 12, the laminated body of the obtained wiring board is heated and pressed from above and below to melt the insulating layer member 21P in the intermediate wiring board and the insulating layer member 21P in the upper wiring board. By flowing, the gap between the opening 41O and the hollow forming component 41 is embedded, and the upper wiring board, the intermediate wiring board, and the lower wiring board are closely fixed to each other to obtain the target element built-in wiring board 10.

以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。   The present invention has been described in detail based on the above specific examples. However, the present invention is not limited to the above specific examples, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、上記実施形態では、配線層の数が6個の多層配線基板として素子内蔵配線基板を構成しているが、配線層の数は必要に応じて任意の数とすることができる。   For example, in the above-described embodiment, the element-embedded wiring board is configured as a multilayer wiring board having six wiring layers, but the number of wiring layers can be any number as necessary.

また、素子内蔵配線基板は必ずしも多層配線基板の構成で作製する必要はなく、第1の配線層11及び第2の配線層12と、これら配線層間に配設された第1の絶縁層とからなる単層の配線基板とすることもできる。   In addition, the element-embedded wiring board does not necessarily have to be formed in a multilayer wiring board configuration, and includes the first wiring layer 11 and the second wiring layer 12, and the first insulating layer disposed between these wiring layers. A single-layer wiring board can also be obtained.

10、50、60 素子内蔵配線基板
11 第1の配線層
12 第2の配線層
13 第3の配線層
14 第4の配線層
15 第5の配線層
16 第6の配線層
21 第1の絶縁層
21P 第1の絶縁層部材
22 第2の絶縁層
23 第3の絶縁層
31 第1の層間接続体
32 第2の層間接続体
33 第3の層間接続体
34 第4の層間接続体
35 第5の層間接続体
41 中空形成部品
42 機能性素子
43 ワイヤ
45 受動部品
46 能動部品
10, 50, 60 Element-embedded wiring board 11 First wiring layer 12 Second wiring layer 13 Third wiring layer 14 Fourth wiring layer 15 Fifth wiring layer 16 Sixth wiring layer 21 First insulation Layer 21P 1st insulating layer member 22 2nd insulating layer 23 3rd insulating layer 31 1st interlayer connection body 32 2nd interlayer connection body 33 3rd interlayer connection body 34 4th interlayer connection body 35 4th Interlayer connection body 5 41 Hollow forming component 42 Functional element 43 Wire 45 Passive component 46 Active component

Claims (8)

相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層と、
前記第1の配線層及び前記第2の配線層間に配設されてなる絶縁層と、
前記絶縁層内に配設されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる中空形成部材と、
前記中空形成部材内に収容されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる機能性素子と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板。
A pair of first and second wiring layers disposed opposite to each other;
An insulating layer disposed between the first wiring layer and the second wiring layer;
A hollow forming member disposed in the insulating layer and mounted on the first wiring layer;
A functional element housed in the hollow forming member and mounted on the first wiring layer;
A circuit board with a built-in element, comprising:
前記中空形成部材は、前記第1の配線層に熱硬化性樹脂系の接着剤を介して実装されたことを特徴とする、請求項1に記載の素子内蔵配線基板。   The element built-in wiring board according to claim 1, wherein the hollow forming member is mounted on the first wiring layer via a thermosetting resin adhesive. 前記中空形成部材は、前記第1の配線層にはんだを介して実装されたことを特徴とする、請求項1に記載の素子内蔵配線基板。   The element built-in wiring board according to claim 1, wherein the hollow forming member is mounted on the first wiring layer via solder. 前記中空形成部材は、金属材料又は金属部材を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載の素子内蔵配線基板。   The element-embedded wiring board according to claim 1, wherein the hollow forming member includes a metal material or a metal member. 前記中空形成部材は、非実装部が連続した曲面を有し、球面状に形成されてなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載の素子内蔵配線基板。   5. The element built-in wiring board according to claim 1, wherein the hollow forming member is formed in a spherical shape having a continuous curved surface of a non-mounting portion. 前記中空形成部材内に収容され、前記第1の配線層に実装されてなる能動素子及び受動素子の少なくとも一方を具えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載の素子内蔵配線基板。   The element according to claim 1, comprising at least one of an active element and a passive element housed in the hollow forming member and mounted on the first wiring layer. Built-in wiring board. 第1の配線層に、機能性素子が実装されるとともに、前記機能性素子を収容するようにして中空形成部材が実装されてなる第1の配線基板を形成する工程と、
前記中空形成部材を収容する開口部が形成されてなる絶縁層部材上に第2の配線層が形成されてなる第2の配線基板を形成する工程と、
前記第1の配線基板と前記第2の配線基板とを、前記中空形成部材が前記開口部内に収容されるようにして積層する工程と、
積層された前記第1の配線基板及び前記第2の配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層部材を流動化させ、前記中空形成部材を前記絶縁層部材が流動固化してなる絶縁層中に埋設する工程と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法。
A step of forming a first wiring board in which a functional element is mounted on the first wiring layer and a hollow forming member is mounted so as to accommodate the functional element;
Forming a second wiring board in which a second wiring layer is formed on an insulating layer member in which an opening for accommodating the hollow forming member is formed;
Laminating the first wiring board and the second wiring board so that the hollow forming member is accommodated in the opening;
Insulating layer formed by fluidizing and solidifying the hollow forming member by fluidizing and solidifying the hollow forming member by heating and pressurizing the laminated first wiring board and the second wiring board. A process of embedding in,
A method for manufacturing a wiring board with a built-in element, comprising:
前記第1の配線基板を形成する際に、前記中空形成部材の、前記第1の配線層に対する実装は、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする、請求項7に記載の素子内蔵配線基板の製造方法。   The element built-in wiring according to claim 7, wherein when forming the first wiring board, the hollow forming member is mounted on the first wiring layer in an inert gas atmosphere. A method for manufacturing a substrate.
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