JP2013025452A - メモリ試験装置、メモリ試験方法およびメモリ試験プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】情報処理装置の運用中にメモリに訂正可能障害の発生を検知した際に、障害が発生したメモリアドレスが含まれているメモリエリアアドレス空間を障害発生ページとして登録しておき、当該情報処理装置の次の立ち上げ時に、登録された障害発生ページに対して所定の特別なメモリ試験を実施して(ステップB105)、障害が検知された場合(ステップB106のYes)、該障害発生ページを立ち上げ後のOSが使用不可能なページ閉塞状態に設定し(ステップB107)、障害を検知したテスト情報を保持し(ステップB108)、一方、障害が検知されなかった場合(ステップB106のNo)、該障害発生ページを正常なメモリエリアアドレス空間として立ち上げ後のOSが使用可能な状態に復帰させる。
【選択図】 図3
Description
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、ページ閉塞されたメモリエリアアドレス空間の再使用を可能にするとともに、障害の潜在化を防止することが可能なメモリ試験装置、メモリ試験方法およびメモリ試験プログラムを提供することを、その目的としている。
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の特徴についてその概要をまず説明する。本発明は、組み込み型基盤を含む各種の情報処理装置に備えられているメモリ(DIMM(Dual Inline Memory Module)を用いたメモリやSRAM(Static Random Access Memory)等)において、或るメモリエリアアドレス空間(ページ)に短期的に訂正可能障害があらかじめ定めた閾値を超えて発生したために、OSが当該メモリエリアアドレス空間を使用しないような処置いわゆるページ閉塞を実施したような場合であっても、ページ閉塞した当該メモリエリアアドレス空間に対して、再立ち上げ時に、特別なメモリ試験を実施して、訂正可能障害などが発生しなければ、再度システムに組み込むことを可能にし、使用可能なメモリの総容量の減少を防止することと、特別なメモリ試験の実施時に訂正可能障害が再現した場合には、詳細なデータを保持して、故障解析情報として保持することとを、主要な特徴としている。
次に、本発明に係るメモリ試験装置の具体的な実施形態について、その一例を説明する。図1は、本発明に係るメモリ試験装置の装置構成の一例を説明するためブロック構成図であり、メモリ試験装置としては一般的な情報処理装置からなっており、かつ、当該情報処理装置が運用中に使用するメモリを、本メモリ試験装置の試験対象としている場合を示している。
次に、図1に示したメモリ試験装置の動作の一例について、図2、図3のフローチャートを用いて詳細に説明する。図2は、情報処理装置として中央処理装置10がメモリ11を使用している際、または、ベースボード管理コントローラ30がメモリ31を使用している際に、当該メモリ11またはメモリ31に訂正可能障害が発生したときの動作の一例を示すフローチャートであり、訂正可能障害が発生したメモリエリアアドレス空間を登録したり、メモリエリアアドレス空間に対するページ閉塞を実施したりする動作例を示している。
(1)メモリ試験結果登録テーブル200の登録可能レコード数は、一般に、図4の障害発生回数登録テーブル100の場合よりも多い。
(2)特定の操作(つまりオペレータによる消去操作)を実施しない限り、図5のメモリ試験結果登録テーブル200の登録内容は消去されない。つまり、図5のメモリ試験結果登録テーブル200の有効表示201に示す"有効bit−m(m=1〜n)"は、特定の操作を実施しない限り、無効を示す"0"にはならない。
(3)図4の障害発生回数登録テーブル100の有効表示201に示す"有効bit−m(m=1〜n)"は、情報処理装置を立ち上げる都度、図3のステップB104において、無効を示す"0"に設定されることによって、"有効bit−m(m=1〜n)"のすべてが、無効を示す"0"に設定されるが、一方、図5のメモリ試験結果登録テーブル200の有効表示201に示す"有効bit−m(m=1〜n)"は、ハードウェア、BIOS40またはBMCFW41の判定によって自動的に無効を示す"0"に設定されることはない。
以上に詳細に説明したように、本実施形態においては、次のような効果が得られる。
11 メモリ
12 不揮発性メモリ
20 チップセット
30 ベースボード管理コントローラ(BMC:Baseboard Management
Controller)
31 メモリ
32 SRAM
40 BIOS(Basic Input/Output System)
41 BMCFW(BMC Firmware)
100 障害発生回数登録テーブル
101 有効表示
102 メモリエリアアドレス
103 発生回数
200 メモリ試験結果登録テーブル
201 有効表示
202 メモリエリアアドレス
Claims (10)
- 情報処理装置のメモリの試験を行うために当該情報処理装置に備えられたメモリ試験装置であって、当該情報処理装置の運用中に前記メモリに訂正可能障害が発生したことを検知した際に、該訂正可能障害が発生したメモリアドレスが含まれているメモリエリアアドレス空間を障害発生ページとして登録する障害登録手段と、しかる後の当該情報処理装置の立ち上げ動作時に、前記障害登録手段により登録された前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に対して、あらかじめ定めたテストパターンからなる特別なメモリ試験を実施するメモリ試験実施手段と、該メモリ試験実施手段によって実施した前記特別なメモリ試験の実施結果として、前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に障害が検知されなかった場合には、前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間を正常なメモリエリアアドレス空間としてシステムに組み込んで立ち上げ後のOS(Operating System)が使用することが可能な状態に復帰させる正常復帰手段と、を少なくとも備えていることを特徴とするメモリ試験装置。
- 前記メモリ試験実施手段によって実施した前記特別なメモリ試験の実施結果として、前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に障害が検知された場合、当該障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間を立ち上げ後のOSが使用することができないページ閉塞状態に設定するページ閉塞手段と、前記特別なメモリ試験において障害が発生したテストパターンとメモリアドレスとを障害解析用の情報として保持する障害情報保持手段とを備えていることを特徴とする請求項1に記載のメモリ試験装置。
- 前記メモリ試験実施手段は、前記特別なメモリ試験の実施結果として、障害が検知された場合、障害が検知された前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に関する情報をメモリ試験結果登録テーブルに登録し、前記ページ閉塞手段は、前記メモリ試験結果登録テーブルに登録された前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に関する情報に基づいて、ページ閉塞状態に設定することを特徴とする請求項2に記載のメモリ試験装置。
- 前記障害情報保持手段は、前記特別なメモリ試験において障害が発生したテストパターンとメモリアドレスとを、障害診断用に用いられる不揮発性メモリまたはSRAM(Static Random Access Memory)に保持し、あるいは、前記メモリがDIMM(Dual Inline Memory Module)からなっている場合には該DIMMのスペックを格納するROM領域であるSPD(Special Presence Detect)に保持することを特徴とする請求項2または3に記載のメモリ試験装置。
- 前記障害登録手段は、当該情報処理装置の運用中に前記メモリに訂正可能障害が発生したことを検知した際に、該訂正可能障害が発生したメモリアドレスが含まれているメモリエリアアドレス空間を前記障害発生ページとして当該メモリエリアアドレス空間における訂正可能障害の発生回数とともに障害発生回数登録テーブルに登録し、該障害発生回数登録テーブルに登録された訂正可能障害の発生回数が、あらかじめ定めた閾値を超えたメモリエリアアドレス空間を、以降、当該情報処理装置の再立ち上げが実施されるまでOSが使用することができないページ閉塞状態に設定することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のメモリ試験装置。
- 情報処理装置のメモリの試験を行うために当該情報処理装置に備えられたメモリ試験装置におけるメモリ試験方法であって、当該情報処理装置の運用中に前記メモリに訂正可能障害が発生したことを検知した際に、該訂正可能障害が発生したメモリアドレスが含まれているメモリエリアアドレス空間を障害発生ページとして登録する障害登録ステップと、しかる後の当該情報処理装置の立ち上げ動作時に、前記障害登録手段により登録された前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に対して、あらかじめ定めたテストパターンからなる特別なメモリ試験を実施するメモリ試験実施ステップと、該メモリ試験実施ステップにおいて実施した前記特別なメモリ試験の実施結果として、前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に障害が検知されなかった場合には、前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間を正常なメモリエリアアドレス空間としてシステムに組み込んで立ち上げ後のOS(Operating System)が使用することが可能な状態に復帰させる正常復帰ステップと、を少なくとも有していることを特徴とするメモリ試験方法。
- 前記メモリ試験実施ステップにおいて実施した前記特別なメモリ試験の実施結果として、前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に障害が検知された場合、当該障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間を立ち上げ後のOSが使用することができないページ閉塞状態に設定するページ閉塞ステップと、前記特別なメモリ試験において障害が発生したテストパターンとメモリアドレスとを障害解析用の情報として保持する障害情報保持ステップとを有していることを特徴とする請求項6に記載のメモリ試験方法。
- 前記メモリ試験実施ステップにおいては、前記特別なメモリ試験の実施結果として、障害が検知された場合、障害が検知された前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に関する情報をメモリ試験結果登録テーブルに登録し、前記ページ閉塞ステップにおいては、前記メモリ試験結果登録テーブルに登録された前記障害発生ページに該当する前記メモリエリアアドレス空間に関する情報に基づいて、ページ閉塞状態に設定することを特徴とする請求項7に記載のメモリ試験方法。
- 前記障害情報保持ステップにおいては、前記特別なメモリ試験において障害が発生したテストパターンとメモリアドレスとを、障害診断用に用いられる不揮発性メモリまたはSRAM(Static Random Access Memory)に保持し、あるいは、前記メモリがDIMM(Dual Inline Memory Module)からなっている場合には該DIMMのスペックを格納するROM領域であるSPD(Special Presence Detect)に保持することを特徴とする請求項7または8に記載のメモリ試験方法。
- 請求項6ないし9のいずれかに記載のメモリ試験方法の各ステップを、コンピュータによって実行可能なプログラムとして実施していることを特徴とするメモリ試験プログラム。
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JP2011157798A JP5751626B2 (ja) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | メモリ試験装置、メモリ試験方法およびメモリ試験プログラム |
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JP2017506391A (ja) * | 2014-02-23 | 2017-03-02 | クアルコム,インコーポレイテッド | Dram欠陥のカーネルマスキング |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11134211A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nec Corp | 二重化コンピュータシステムおよびその運用方法 |
JPH11259374A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Nec Corp | メモリ試験装置及び方法及び記録媒体 |
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