JP2013016428A - Method for forming insulating part and method for manufacturing conductive pattern formation substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、絶縁部形成方法および導電パターン形成基板の製造方法に関する。 The present invention relates to an insulating part forming method and a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate.
タッチパネルにおいては、液晶ディスプレイ等の画像表示装置の前面に、電極シートとして、透明な絶縁基板の表面に導電パターンを形成した導電パターン形成基板を有する入力装置が設置されている。
この種の導電パターン形成基板は、絶縁基板上に、透明導電パターンが形成された画像表示領域（表示領域）と、配線ラインが形成された低抵抗配線パターン形成領域（配線領域）とを備えている。前記画像表示領域は、タッチパネルの操作者から視認可能とされており、前記低抵抗配線パターン形成領域は、枠体等に被覆され操作者からは視認不能とされている。
In the touch panel, an input device having a conductive pattern forming substrate in which a conductive pattern is formed on the surface of a transparent insulating substrate is installed as an electrode sheet on the front surface of an image display device such as a liquid crystal display.
This type of conductive pattern forming substrate includes an image display region (display region) where a transparent conductive pattern is formed and a low resistance wiring pattern formation region (wiring region) where a wiring line is formed on an insulating substrate. Yes. The image display area is visible to the operator of the touch panel, and the low resistance wiring pattern formation area is covered with a frame or the like and is not visible to the operator.
導電パターン形成基板の透明導電パターンを構成する材料としては、絶縁性の樹脂バインダ中に導電性の金属ナノワイヤを分散させ硬化してなるものなどが知られている。
また、導電パターンには、広範囲に複数形成された導電性の導電部と、これら導電部同士を区画するように形成された絶縁性の絶縁部とが設けられている。
As a material constituting the transparent conductive pattern of the conductive pattern forming substrate, a material obtained by dispersing and curing conductive metal nanowires in an insulating resin binder is known.
Further, the conductive pattern is provided with a plurality of conductive conductive portions formed in a wide range and an insulating insulating portion formed so as to partition these conductive portions.
導電パターン形成基板を製造するには、まず、絶縁基板上の前記表示領域及び前記配線領域に、導電性の透明導電膜を形成する。次いで、この透明導電膜にフォトリソグラフィによるプロセス（レジスト膜形成、エッチング処理、レジスト膜除去）を施して、該透明導電膜のうち、前記表示領域の絶縁部に対応する部分と、前記配線領域に対応する部分とを除去する。次いで、絶縁基板上の前記配線領域、及び、前記表示領域の導電部の端部に、ＡｇやＣｕ等の配線ラインを印刷又は蒸着により形成する（例えば、特許文献１、２を参照）。 To manufacture a conductive pattern forming substrate, first, a conductive transparent conductive film is formed in the display region and the wiring region on an insulating substrate. Next, the transparent conductive film is subjected to a photolithography process (resist film formation, etching process, resist film removal), and the transparent conductive film is applied to the portion corresponding to the insulating portion of the display region and the wiring region. Remove the corresponding part. Next, a wiring line of Ag, Cu, or the like is formed by printing or vapor deposition on the wiring region on the insulating substrate and the end of the conductive portion of the display region (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、従来の導電パターン形成基板においては、下記の問題があった。
すなわち、透明導電膜のうち、導電パターンの絶縁部に対応する部分をフォトリソグラフィによるプロセスで除去した場合、該絶縁部と導電部との屈折率の違い等により、該導電パターンが視認されてしまい、外観上好ましくなかった。
However, the conventional conductive pattern forming substrate has the following problems.
That is, when a portion of the transparent conductive film corresponding to the insulating portion of the conductive pattern is removed by a photolithography process, the conductive pattern is visually recognized due to a difference in refractive index between the insulating portion and the conductive portion. It was not preferable in appearance.
また、透明基体内に導電性極細繊維が分散された透明導電膜を用い、該透明導電膜にレーザ光を照射することにより、導電パターンの絶縁部に対応する部分及び前記配線領域の導電性極細繊維を断線して電気的に絶縁状態とし、導電パターンの導電パターンを比較的目立たなくする手法も知られている（例えば、特許文献３を参照）。しかし、この方法は、樹脂バインダの表面から露出した金属ナノワイヤのみをレーザで除去する方法であるため、バインダ層の厚みを精密に制御しなければ絶縁化が困難であった。さらに、レーザ照射領域が非照射領域よりも透明になり、導電パターンが視認可能になってしまう問題があった。
また、特許文献４には、導電性ナノファイバーがバインダ中で３次元状に絡み合った導電膜にレーザ照射を行うことで絶縁化する技術が開示されているが、３次元状に絡み合った導電経路を確実に絶縁化するには大きなエネルギを照射する必要があり、バインダ層を除去又は変質させずに、照射部分と非照射部分の外観に変化が無いような照射条件を見出すことは困難である。したがって、特許文献４に記載の方法でも、導電パターンが視認可能になる問題は解決できなかった。
また、レーザ照射の集光スポットのサイズは数十μｍであり、導電領域を面状に絶縁化すること、具体的には前記透明導電膜にレーザ光を照射して前記配線領域を絶縁化することは、レーザ加工に手間がかかり、作業性が低下する傾向にあった。
In addition, by using a transparent conductive film in which conductive ultrafine fibers are dispersed in a transparent substrate, and irradiating the transparent conductive film with laser light, the conductive fineness of the portion corresponding to the insulating portion of the conductive pattern and the conductive region of the wiring region is provided. There is also known a technique in which fibers are disconnected to make them electrically insulated so that the conductive pattern becomes relatively inconspicuous (see, for example, Patent Document 3). However, this method is a method in which only the metal nanowires exposed from the surface of the resin binder are removed with a laser, and therefore insulation is difficult unless the thickness of the binder layer is precisely controlled. Furthermore, there is a problem that the laser irradiation region becomes more transparent than the non-irradiation region, and the conductive pattern becomes visible.
Patent Document 4 discloses a technique in which conductive nanofibers are insulated by performing laser irradiation on a conductive film in which a conductive nanofiber is entangled in a three-dimensional shape in a binder. In order to ensure insulation, it is necessary to irradiate a large amount of energy, and it is difficult to find an irradiation condition in which there is no change in the appearance of the irradiated part and the non-irradiated part without removing or altering the binder layer. . Therefore, even the method described in Patent Document 4 cannot solve the problem of making the conductive pattern visible.
The size of the focused spot of the laser irradiation is several tens of μm, and the conductive region is insulated in a planar shape, specifically, the transparent conductive film is irradiated with laser light to insulate the wiring region. This means that it takes time for laser processing and workability tends to be lowered.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、配線領域の絶縁化に手間がかからず製造が容易であり、視認されにくい導電パターンを容易に形成できる絶縁部形成方法および導電パターン形成基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an insulating portion forming method and a conductive pattern forming method that can easily form a conductive pattern that is easy to manufacture and difficult to visually recognize without requiring effort to insulate a wiring region. An object is to provide a method for manufacturing a substrate.
本発明は、以下の態様を有する。
［１］絶縁性を有する透明基体内に導電性材料からなる２次元網目状の導電ネットワーク構造を有する透明導電膜の少なくとも一部にマイクロ波を照射することを特徴とする絶縁部形成方法。
［２］マイクロ波照射の際に、前記透明導電膜を冷却することを特徴とする［１］に記載の絶縁部形成方法。
The present invention has the following aspects.
[1] A method for forming an insulating part, comprising: irradiating at least a part of a transparent conductive film having a two-dimensional network conductive network structure made of a conductive material in a transparent substrate having an insulating property.
[2] The insulating part forming method according to [1], wherein the transparent conductive film is cooled during microwave irradiation.
［３］絶縁基板上に、透明導電パターンが形成された表示領域と、配線ラインが形成された配線領域とを備え、前記透明導電パターンに、絶縁性を有する透明基体内に導電性材料からなる２次元網目状の導電ネットワーク構造を有する導電部と、前記導電ネットワーク構造を有さない絶縁部とが設けられた導電パターン形成基板を製造する方法であって、絶縁基板上の前記表示領域及び前記配線領域に、透明基体内に前記導電ネットワーク構造を有する透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンで絶縁化して、前記透明導電パターンを得る導電パターン形成工程と、前記透明導電膜上の表示領域に対応する部分にマスク手段により被覆して保護し、前記透明導電膜のうち配線領域に対応する部分を絶縁化する絶縁化工程と、前記配線領域の絶縁基板上に、前記透明導電パターンの導電部に電気的に接続する配線ラインを形成する配線ライン形成工程とを有し、前記絶縁化工程および前記導電パターン形成工程の少なくとも一方は、［１］または［２］に記載の絶縁部形成方法により、透明導電膜を絶縁化することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
［４］前記導電パターン形成工程では、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンでレーザ光を照射することにより、導電性材料を除去することを特徴とする［３］に記載の導電パターン形成基板の製造方法。
［５］少なくとも前記透明導電パターン上に、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することを特徴とする［３］または［４］に記載の導電パターン形成基板の製造方法。
[3] A display region having a transparent conductive pattern formed on an insulating substrate and a wiring region having a wiring line are formed, and the transparent conductive pattern is made of a conductive material in a transparent base having insulation. A method of manufacturing a conductive pattern forming substrate provided with a conductive portion having a two-dimensional network conductive network structure and an insulating portion not having the conductive network structure, the display region on the insulating substrate, A transparent conductive film forming step for forming a transparent conductive film having the conductive network structure in a transparent substrate in a wiring region; and a portion of the transparent conductive film corresponding to a display region is insulated with a predetermined pattern, and the transparent A conductive pattern forming step for obtaining a conductive pattern, and a portion corresponding to the display area on the transparent conductive film is covered and protected by a masking means, An insulating step of insulating a portion corresponding to the region, and a wiring line forming step of forming a wiring line electrically connected to the conductive portion of the transparent conductive pattern on the insulating substrate of the wiring region, At least one of the insulating step and the conductive pattern forming step includes insulating the transparent conductive film by the insulating portion forming method according to [1] or [2], and the method for producing a conductive pattern forming substrate .
[4] In the conductive pattern forming step, the conductive material is removed by irradiating a portion of the transparent conductive film corresponding to a display region with a laser beam in a predetermined pattern. The manufacturing method of the conductive pattern formation board of description.
[5] The method for producing a conductive pattern forming substrate according to [3] or [4], further comprising an insulating film forming step of forming an insulating film on at least the transparent conductive pattern.
本発明の絶縁部形成方法および導電パターン形成基板の製造方法によれば、視認されにくい導電パターンを容易に形成できる。 According to the insulating part forming method and the conductive pattern forming substrate manufacturing method of the present invention, it is possible to easily form a conductive pattern that is difficult to be visually recognized.
＜第１実施形態＞
（導電パターン形成基板）
以下、本発明の第１実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法により作製される導電パターン形成基板１０について、図１〜図６を参照して説明する。
図１に示すように、導電パターン形成基板１０は、透明な絶縁基板１１上に、透明導電パターン１２が形成される画像表示領域（表示領域）１３と、配線ライン１４が形成される低抵抗配線パターン形成領域（配線領域）１５とを備えている。
画像表示領域１３は、透明であり且つタッチパネルの操作者から視認可能とされ、低抵抗配線パターン形成領域１５は、装飾パネル（枠）等に覆われて操作者からは視認不能とされる。
なお、本発明において、「透明」とは、５０％以上の光線透過率を有することを意味する。また、「絶縁」とは、電気抵抗値が１ＭΩ以上、好ましくは１０ＭΩ以上のことであり、「導電」とは、電気抵抗値が１ＭΩ未満であることを意味する。
<First Embodiment>
(Conductive pattern forming substrate)
Hereinafter, the conductive pattern formation board 10 produced by the manufacturing method of the conductive pattern formation board concerning a 1st embodiment of the present invention is explained with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, a conductive pattern forming substrate 10 includes an image display region (display region) 13 on which a transparent conductive pattern 12 is formed and a low resistance wiring on which a wiring line 14 is formed on a transparent insulating substrate 11. And a pattern formation region (wiring region) 15.
The image display area 13 is transparent and visible to the operator of the touch panel, and the low-resistance wiring pattern formation area 15 is covered with a decorative panel (frame) or the like and is not visible to the operator.
In the present invention, “transparent” means having a light transmittance of 50% or more. “Insulation” means that the electric resistance value is 1 MΩ or more, preferably 10 MΩ or more, and “conducting” means that the electric resistance value is less than 1 MΩ.
絶縁基板１１としては、絶縁性を有するとともに、表面に透明導電パターン１２を形成でき、かつ、後述するレーザ加工において外観変化の生じにくいものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を代表とするポリエステル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂（ＡＢＳ樹脂）などの絶縁性材料により構成された基板が挙げられる。また、絶縁基板１１の形状としては、用途により、板状のもの、可撓性を有するフィルム状のもの、立体的（３次元）に成型された成型品等を用いることができる。 As the insulating substrate 11, it is preferable to use a substrate having an insulating property, capable of forming the transparent conductive pattern 12 on the surface, and hardly changing appearance in laser processing described later. Specifically, for example, a substrate made of an insulating material such as glass, polycarbonate, polyester typified by polyethylene terephthalate (PET), acrylonitrile / butadiene / styrene copolymer resin (ABS resin), and the like can be given. As the shape of the insulating substrate 11, a plate-like material, a flexible film-like material, a three-dimensional (three-dimensional) molded product, or the like can be used depending on applications.
この導電パターン形成基板１０を透明タッチパネルに使用する場合、絶縁基板１１として、ガラス板やＰＥＴフィルム等を用いることが好ましい。また、導電パターン形成基板１０を、自動車のハンドル等に付随する静電容量入力装置など、静電容量センサ等に必要な電極として使用する場合、絶縁基板１１として、ＡＢＳ樹脂などからなる成型品、或いはこれにフィルムのラミネートや転写などで加飾層を設けた加飾成型品等を用いることが好ましい。 When this conductive pattern forming substrate 10 is used for a transparent touch panel, it is preferable to use a glass plate, a PET film or the like as the insulating substrate 11. Further, when the conductive pattern forming substrate 10 is used as an electrode necessary for a capacitance sensor or the like such as a capacitance input device attached to a steering wheel of an automobile, a molded product made of ABS resin or the like as the insulating substrate 11, Alternatively, it is preferable to use a decorative molded product provided with a decorative layer by laminating or transferring the film.
導電パターン形成基板１０を、押圧により上下２枚の電極膜（導電パターン）１２を接触導通させるメンブレン入力などの透明タッチパネルとして利用する場合、入力者側の絶縁基板１１としては、入力者側からの外力に対して可撓しやすいもの（例えば透明樹脂フィルム）を用いることが好ましい。また、入力者側とは反対の画像表示装置側の絶縁基板１１としては、ドットスペーサを介して導電パターン形成基板１０を支持しやすい所定以上（例えば入力者側の絶縁基板１１と同等以上）の剛性を有するものを用いることが好ましい。 When the conductive pattern forming substrate 10 is used as a transparent touch panel such as a membrane input for bringing the upper and lower electrode films (conductive pattern) 12 into contact with each other by pressing, the insulating substrate 11 on the input side is used as the insulating substrate 11 on the input side. It is preferable to use a material that is easily flexible against an external force (for example, a transparent resin film). In addition, the insulating substrate 11 on the image display device side opposite to the input side is a predetermined or larger (for example, equal to or higher than the insulating substrate 11 on the input side) that can easily support the conductive pattern forming substrate 10 via the dot spacers. It is preferable to use one having rigidity.
透明導電パターン１２には、導電部Ｃと第１絶縁部Ｉ１とが設けられている。
図２（ａ）に示すように、導電部Ｃは、絶縁性を有する透明基体２内に導電性極細繊維（導電性材料）４からなる２次元網目状の導電ネットワーク構造３を有する。
導電性極細繊維４同士は、絶縁基板１１の表面（透明導電パターン１２が形成される面）の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に存在しているとともに、その少なくとも一部が互いに接触し合う程度に密集して２次元網目状に配置されている。このような配置によって導電性極細繊維４同士が互いに電気的に接続されることで、導電ネットワーク構造３を形成し、導電部Ｃとなっている。
また、導電性極細繊維４は、その大部分が透明基体２内に埋設されているが、一部は、透明導電パターン１２の絶縁基板１１とは反対側の表面から突出している。
A transparent conductive pattern 12, the conductive portion C and the first insulating portion I 1 is provided.
As shown in FIG. 2A, the conductive part C has a two-dimensional network-like conductive network structure 3 made of conductive fine fibers (conductive material) 4 in a transparent base 2 having insulating properties.
The conductive microfibers 4 are irregularly present in different directions along the surface direction of the surface of the insulating substrate 11 (the surface on which the transparent conductive pattern 12 is formed), and at least some of them are in contact with each other. They are arranged in a two-dimensional mesh so as to be dense. With such an arrangement, the conductive ultrafine fibers 4 are electrically connected to each other, thereby forming the conductive network structure 3 and forming the conductive portion C.
Further, most of the conductive ultrafine fibers 4 are embedded in the transparent substrate 2, but a part of the conductive ultrafine fibers 4 protrudes from the surface of the transparent conductive pattern 12 opposite to the insulating substrate 11.
導電性極細繊維４としては、銅、白金、金、銀、ニッケル等からなる金属ナノワイヤや金属ナノチューブ、シリコンナノワイヤやシリコンナノチューブ、金属酸化物ナノチューブ、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリル等の繊維状部材及びその金属被覆部材が挙げられる。これらのなかでも、透明性および導電性の点から、銀を主成分とする金属ナノワイヤ（銀ナノワイヤ）が好ましい。導電性極細繊維４は、その直径が０．３〜１００ｎｍ、長さが１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。 The conductive ultrafine fiber 4 is a metal nanowire or metal nanotube made of copper, platinum, gold, silver, nickel, or the like, or a fiber such as silicon nanowire or silicon nanotube, metal oxide nanotube, carbon nanotube, carbon nanofiber, or graphite fibril. Examples include members and metal-coated members thereof. Among these, the metal nanowire (silver nanowire) which has silver as a main component is preferable from the point of transparency and electroconductivity. The conductive ultrafine fiber 4 preferably has a diameter of 0.3 to 100 nm and a length of 1 to 100 μm.
透明基体２は、絶縁基板１１上に分散配置された導電性極細繊維４同士の間に、透明基体２を形成する樹脂を充填した後、硬化させることで形成されている。
透明基体２を形成する樹脂としては、透明な熱可塑性樹脂（ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン）、熱や紫外線や電子線や放射線で硬化する透明な硬化性樹脂（メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケートなどのシリコーン樹脂）が挙げられる。
また、透明基体２に市販のポリエチレンテレフタレートフィルムを使用する場合には、光学的特性の類似するポリエステル系樹脂が好適である。
The transparent substrate 2 is formed by filling a resin that forms the transparent substrate 2 between the conductive ultrafine fibers 4 distributed on the insulating substrate 11 and then curing the resin.
As the resin forming the transparent substrate 2, transparent thermoplastic resin (polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polymethyl methacrylate, nitrocellulose, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, vinylidene fluoride), heat And transparent curable resins (silicone resins such as melamine acrylate, urethane acrylate, epoxy resin, polyimide resin, and acrylic-modified silicate) that are cured by ultraviolet rays, electron beams, or radiation.
Moreover, when using a commercially available polyethylene terephthalate film for the transparent substrate 2, a polyester resin having similar optical characteristics is preferable.
第１絶縁部Ｉ１は、導電部Ｃ，Ｃ同士間の静電容量を低下させ、タッチパネルとして使用する際のクロストークを抑制するために、数ｍｍ〜数十ｍｍの幅で形成されている。
第１絶縁部Ｉ１は、導電性極細繊維４同士が接触せずに導電ネットワーク構造３が分断している部分Ｄを有する（図２（ｂ））。
第１絶縁部Ｉ１においては、導電性極細繊維４が残っているため、導電部Ｃと化学的組成が同じである。そのため、第１絶縁部Ｉ１と導電部Ｃとは、光学的な特性がほぼ同等であるため、見分けることは困難である。
The first insulating portion I 1, the conductive portion C, to reduce the capacitance between C together, in order to suppress crosstalk when used as a touch panel, is formed to have a width of several mm~ tens mm .
The first insulating portion I 1 has a portion D where the conductive network structure 3 is divided without the conductive ultrafine fibers 4 being in contact with each other (FIG. 2B).
In the first insulating part I 1 , the conductive ultrafine fibers 4 remain, so that the chemical composition is the same as that of the conductive part C. Therefore, the first insulating portion I 1 and the conductive station C, a since the optical characteristics are approximately equal, it is difficult to discern.
低抵抗配線パターン形成領域１５においては、絶縁基板１１上に第２絶縁部Ｉ２を有し、第２絶縁部Ｉ２上に配線ライン１４が形成されている。
第２絶縁部Ｉ２では、導電ネットワーク構造を有さないため、絶縁部となっている。
なお、第２絶縁部Ｉ２においては、導電性極細繊維４がほぼ残っている。そのため、第２絶縁部Ｉ２と導電部Ｃとは、光学的な特性がほぼ同等であるため、見分けることは困難である。
配線ライン１４としては、ＡｇやＣｕからなる導電性金属材料を主成分として含み、該導電性金属材料がバインダ樹脂で結着されたものが挙げられる。
In the low resistance wiring pattern formation region 15, the second insulating portion I 2 is provided on the insulating substrate 11, and the wiring line 14 is formed on the second insulating portion I 2 .
In the second insulating portion I 2, since no conductive network structure, has an insulating portion.
In the second insulating portion I 2, conductive ultrafine fibers 4 are substantially still. Therefore, the second insulating portion I 2 and the conductive station C, a since the optical characteristics are approximately equal, it is difficult to discern.
Examples of the wiring line 14 include a conductive metal material composed of Ag or Cu as a main component, and the conductive metal material bound with a binder resin.
（導電パターン形成基板の製造方法）
次に、本実施形態の導電パターン形成基板１０の製造方法について、図３〜図６を用いて説明する。なお、図３及び図４は、図１のＸ−Ｘ断面における作製工程を示すものである。
本実施形態の導電パターン形成基板１０の製造方法は、透明導電膜形成工程と導電パターン形成工程と絶縁化工程と配線ライン形成工程と絶縁膜形成工程とを、その順に有する。
(Method for manufacturing conductive pattern forming substrate)
Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate 10 of this embodiment is demonstrated using FIGS. 3 and 4 show a manufacturing process in the XX cross section of FIG.
The manufacturing method of the conductive pattern formation substrate 10 of this embodiment has a transparent conductive film formation process, a conductive pattern formation process, an insulation process, a wiring line formation process, and an insulating film formation process in that order.
［透明導電膜形成工程］
透明導電膜形成工程では、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１１上の画像表示領域１３及び低抵抗配線パターン形成領域１５に、透明基体２内に導電ネットワーク構造３が設けられた透明導電膜ａを形成する。
透明導電膜ａは、例えば、絶縁基板１１上に導電性極細繊維４を含むインクを塗布し、次いで、透明基体２を形成する樹脂を充填し、硬化することによって形成できる。
[Transparent conductive film forming step]
In the transparent conductive film forming step, as shown in FIG. 3A, a transparent conductive network structure 3 is provided in the transparent substrate 2 in the image display region 13 and the low resistance wiring pattern forming region 15 on the insulating substrate 11. A conductive film a is formed.
The transparent conductive film a can be formed, for example, by applying an ink containing the conductive ultrafine fibers 4 on the insulating substrate 11, filling a resin for forming the transparent substrate 2, and curing the resin.
（導電パターン形成工程）
導電パターン形成工程では、図３（ｂ）に示すように、透明導電膜ａのうち画像表示領域１３に対応する部分に所定のパターンでレーザ光Ｌを照射することにより、図５に示すように、透明基体２内の導電ネットワーク構造３の導電性極細繊維４が除去された空隙５を形成して第１絶縁部Ｉ１を形成する。これにより、第１絶縁部Ｉ１と、第１絶縁部Ｉ１以外の部分である導電部Ｃとを備えた透明導電パターン１２を形成する。なお、図１においては、Ｘ−Ｘ断面における第１絶縁部Ｉ１の記載を省略しているが、実際には、図１の矩形状をなす導電部Ｃ内に、該導電部Ｃを分割するように、第１絶縁部Ｉ１が例えば線状に延びて形成されており、これにより、隣り合う導電部Ｃ同士は互いに電気的に絶縁されている。
(Conductive pattern formation process)
In the conductive pattern forming step, as shown in FIG. 3B, the portion of the transparent conductive film a corresponding to the image display region 13 is irradiated with the laser light L in a predetermined pattern, as shown in FIG. , to form the first insulating portion I 1 to form an air gap 5 where the conductive ultrafine fibers 4 has been removed conductive network structure 3 of the transparent substrate 2. This forms a first insulating portion I 1, the transparent conductive pattern 12 having a conductive portion and the C is the first insulating portion I 1 other portion. In FIG. 1, though not the first description of the insulating portion I 1 of the sectional view taken along line X-X, in fact, the conductive portion C having a rectangular shape in FIG. 1, dividing the conductive portion C as to the first is formed to extend in the insulating portion I 1, for example, linear, thereby, the conductive portion C adjacent are electrically insulated from each other.
ここで、レーザ光Ｌを照射する製造装置４０及びレーザ光Ｌの照射方法について、図６を参照して詳述する。
本実施形態では、画像表示領域１３の透明導電膜ａに、パルス状レーザであるレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する方法を用いている。
レーザ光Ｌは、ＹＡＧやＹＶＯ４等のパルス状レーザ光、炭酸ガスレーザ等の連続発振レーザ光が挙げられる。中でも、簡便であることから、ＹＡＧやＹＶＯ４等の波長１０６４ｎｍもしくはその２次高調波を使用した５３２ｎｍ、パルス幅１〜２００ｎ秒のパルス状レーザ光が好ましい。また、レーザ照射痕を目立たせたくない用途に対しては、波長が１６００〜６００ｎｍでパルス幅が１０ｆ〜１００ｐ秒の極短パルスレーザーが好ましい。
Here, the manufacturing apparatus 40 that irradiates the laser beam L and the irradiation method of the laser beam L will be described in detail with reference to FIG.
In the present embodiment, a method of irradiating the transparent conductive film a in the image display region 13 with a laser beam L that is a pulsed laser in a predetermined pattern is used.
Examples of the laser light L include pulsed laser light such as YAG and YVO 4 and continuous wave laser light such as a carbon dioxide gas laser. Among these, a pulsed laser beam having a wavelength of 1064 nm such as YAG or YVO 4 or a second harmonic thereof and a pulse width of 1 to 200 nsec is preferable because it is simple. For applications in which the laser irradiation trace is not conspicuous, an ultrashort pulse laser having a wavelength of 1600 to 600 nm and a pulse width of 10 f to 100 p seconds is preferable.
図６に示すように、本実施形態の導電パターン形成基板１０の製造に用いられる製造装置４０は、レーザ光Ｌを発生させるレーザ光発生手段４１と、レーザ光Ｌを集光する集光手段である凸レンズ等の集光レンズ４２と、上面に透明導電膜ａが形成された絶縁基板１１を載置するステージ４３と、を備えている。
そして、レーザ光発生手段４１から集光レンズ４２を介して透明導電膜ａにレーザ光Ｌを照射して、該透明導電膜ａに第１絶縁部Ｉ１を形成するとともに導電パターンを形成する。
As shown in FIG. 6, the manufacturing apparatus 40 used for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment includes a laser light generating unit 41 that generates the laser light L and a condensing unit that collects the laser light L. A condensing lens 42 such as a certain convex lens and a stage 43 on which the insulating substrate 11 having the transparent conductive film a formed thereon are placed.
Then, the laser light L is irradiated from the laser light generating means 41 to the transparent conductive film a through the condenser lens 42 to form the first insulating portion I 1 and the conductive pattern on the transparent conductive film a.
この製造装置４０におけるレーザ光発生手段４１としては、波長２μｍ未満でパルス幅が２００ｎ秒未満のレーザ光（可視光または赤外線のレーザ光）を発生させるものが使用されることが好ましい。レーザ光Ｌのパルス幅が１〜２００ｎ秒のものを用いた場合、装置入手が容易であるとともに設備費用を低減でき、好ましい。 As the laser light generating means 41 in the manufacturing apparatus 40, it is preferable to use a laser light generating device that generates laser light (visible light or infrared laser light) having a wavelength of less than 2 μm and a pulse width of less than 200 nsec. When the laser beam L having a pulse width of 1 to 200 nsec is used, it is easy to obtain the apparatus and reduce the equipment cost, which is preferable.
集光レンズ４２の焦点Ｆは、図示例のように、透明導電膜ａと集光レンズ４２との間に位置してもよいし、透明導電膜ａの表面に位置してもよい。 The focal point F of the condensing lens 42 may be positioned between the transparent conductive film a and the condensing lens 42 as illustrated, or may be positioned on the surface of the transparent conductive film a.
集光レンズ４２としては、低い開口数（ＮＡ＜０．１）のものが好ましい。すなわち、集光レンズ４２の開口数がＮＡ＜０．１とされることにより、レーザ光Ｌの照射条件設定が容易となり、特にレーザ光Ｌの焦点Ｆが透明導電膜ａと集光レンズ４２との間に位置することによる、該焦点Ｆにおける空気のプラズマ化に伴うエネルギ損失とレーザ光Ｌの拡散を防止することができる。 The condensing lens 42 preferably has a low numerical aperture (NA <0.1). That is, by setting the numerical aperture of the condensing lens 42 to NA <0.1, it becomes easy to set the irradiation condition of the laser light L. In particular, the focal point F of the laser light L is the transparent conductive film a and the condensing lens 42. Therefore, it is possible to prevent energy loss and diffusion of the laser light L due to air plasma at the focal point F.
また、ステージ４３は、水平方向に２次元的に移動可能に構成されている。ステージ４３は、少なくとも上面側が透明な部材または光線吸収性を有する部材で構成されていることが好ましい。
ステージ４３は、絶縁基板１１が透明でレーザ光Ｌの出力が１Ｗを超える場合、ナイロン系若しくはフッ素系の樹脂材料、又は、シリコーンゴム系の高分子材料を用いることが好ましい。
The stage 43 is configured to be movable two-dimensionally in the horizontal direction. The stage 43 is preferably composed of a member having at least a transparent upper surface or a member having light absorption.
When the insulating substrate 11 is transparent and the output of the laser beam L exceeds 1 W, the stage 43 is preferably made of a nylon-based or fluorine-based resin material or a silicone rubber-based polymer material.
上記製造装置４０を用いて、透明導電膜ａにレーザ光Ｌを照射する具体的方法は、下記のとおりである。
まず、ステージ４３の上面に、絶縁基板１１を、透明導電膜ａが該絶縁基板１１の上側に配置されるように載置する。ここで、絶縁基板１１と透明導電膜ａの透明基体２とは、互いに同一材料又は同一系統の樹脂材料からなるものを用いることが好ましい。詳しくは、例えば絶縁基板１１がポリエチレンテレフタレートフィルムの場合、透明基体２にはポリエステル系樹脂を使用することが好ましい。
A specific method of irradiating the transparent conductive film a with the laser light L using the manufacturing apparatus 40 is as follows.
First, the insulating substrate 11 is placed on the upper surface of the stage 43 so that the transparent conductive film a is disposed above the insulating substrate 11. Here, the insulating substrate 11 and the transparent base 2 of the transparent conductive film a are preferably made of the same material or the same series of resin materials. Specifically, for example, when the insulating substrate 11 is a polyethylene terephthalate film, it is preferable to use a polyester resin for the transparent substrate 2.
次いで、レーザ光発生手段４１よりレーザ光Ｌを出射させ、レーザ光Ｌを集光レンズ４２により集光する。その集光したレーザ光Ｌの、焦点Ｆを過ぎてスポット径が広がった部分を透明導電膜ａに照射する。その際、ステージ４３を、レーザ光Ｌの照射が所定のパターンになるように移動させる。 Next, the laser beam L is emitted from the laser beam generator 41, and the laser beam L is collected by the condenser lens 42. The portion of the focused laser beam L where the spot diameter has passed past the focal point F is irradiated onto the transparent conductive film a. At that time, the stage 43 is moved so that the irradiation of the laser beam L has a predetermined pattern.
透明導電膜ａに照射するレーザ光Ｌのエネルギ密度及び単位面積あたりの照射エネルギは、レーザのパルス幅により異なる。
例えば、パルス幅が１〜１００ｎ秒のレーザ（ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザ）では、パルスエネルギ密度１×１０１１〜１×１０１３Ｗ／ｍ２、単位面積あたりの照射エネルギは１×１０４〜１×１０６Ｊ／ｍ２が好ましい。より好ましくは１×１０５〜３×１０５Ｊ／ｍ２である。
エネルギ密度・照射エネルギが上記数値範囲よりも小さな値に設定された場合、第１絶縁部Ｉ１の絶縁が不充分になるおそれがある。また、上記数値範囲よりも大きな値に設定された場合、加工痕が目立つようになり、透明タッチパネルや透明電磁波シールドなどの用途では不適当となるおそれがある。
The energy density of the laser beam L irradiated to the transparent conductive film a and the irradiation energy per unit area differ depending on the pulse width of the laser.
For example, in a laser having a pulse width of 1 to 100 ns (YAG laser or YVO 4 laser), the pulse energy density is 1 × 10 11 to 1 × 10 13 W / m 2 , and the irradiation energy per unit area is 1 × 10 4 to. 1 × 10 6 J / m 2 is preferred. More preferably 1 × 10 5 ~3 × 10 5 J / m 2.
If the energy density, the irradiation energy was set to a value smaller than the above range, there is a risk that the insulation of the first insulating portion I 1 is insufficient. Moreover, when it is set to a value larger than the above numerical range, processing traces become conspicuous, which may be inappropriate for applications such as a transparent touch panel and a transparent electromagnetic wave shield.
また、これらの値は、加工エリアにおけるレーザビームの出力値を、加工エリアの集光スポット面積で除することにより定義されており、簡便には、出力はレーザ発振機からの出力値に光学系の損失係数を掛けることで求められる。
また、スポット径面積Ｓは、下記式により定義される。
Ｓ＝Ｓ０×Ｄ／ＦＬ
Ｓ０：レンズで集光されるレーザのビーム面積
ＦＬ：レンズの焦点距離
Ｄ：透明導電膜ａの上面と焦点との距離
These values are defined by dividing the output value of the laser beam in the processing area by the condensing spot area of the processing area. For convenience, the output is converted into the output value from the laser oscillator by the optical system. It is obtained by multiplying by the loss factor.
The spot diameter area S is defined by the following formula.
S = S 0 × D / FL
S 0 : Laser beam area focused by the lens FL: Lens focal length D: Distance between the upper surface of the transparent conductive film a and the focal point
なお、前述した焦点Ｆは、レンズ等の集光手段４２で、収差が充分に小さい場合を例に説明したが、例えば、焦点距離の短い球面レンズや、保護ガラスなどの収差が大きくなる要素が存在する場合には、前記焦点Ｆは、集光点のエネルギ密度が最も高くなる位置と定義される。 The above-described focal point F has been described by taking as an example the case where the light converging means 42 such as a lens has a sufficiently small aberration. However, for example, a spherical lens with a short focal length or an element that increases the aberration such as a protective glass. When present, the focal point F is defined as the position where the energy density of the focal point is the highest.
ここで、距離Ｄは、焦点距離ＦＬの０．２％〜３％の範囲内に設定される。好ましくは、距離Ｄは、焦点距離ＦＬの０．５％〜２％の範囲内に設定される。さらに望ましくは、距離Ｄは、焦点距離ＦＬの０．７％〜１．５％の範囲内に設定される。距離Ｄが上記数値範囲に設定されることにより、導電性極細繊維４を除去して空隙５を確実に形成できるとともに電気的に高い信頼性を有する絶縁パターンを形成でき、かつ、絶縁基板１１の損傷に起因する加工痕を確実に防止できる。 Here, the distance D is set within a range of 0.2% to 3% of the focal length FL. Preferably, the distance D is set within a range of 0.5% to 2% of the focal length FL. More preferably, the distance D is set within a range of 0.7% to 1.5% of the focal length FL. By setting the distance D within the above numerical range, the conductive ultrafine fibers 4 can be removed to form the voids 5 and an insulating pattern having high electrical reliability can be formed. Processing traces due to damage can be reliably prevented.
また、精度の高い導電パターンを形成する点では、透明導電膜ａ上にスポットの位置を移動させながらパルス状のレーザ光Ｌを断続的に複数回照射することで、隣り合うスポット位置同士に重複する部分を形成することが好ましい。具体的には、断続的に３〜５００回照射することが好ましく、２０〜２００回照射することがより好ましい。３回以上の照射であれば、より確実に絶縁化でき、５００回以下であれば、レーザ光Ｌが照射された透明基体２部分の溶解又は蒸発による除去を防止できる。 Moreover, in terms of forming a highly accurate conductive pattern, the adjacent spot positions overlap each other by irradiating pulsed laser light L intermittently multiple times while moving the spot position on the transparent conductive film a. It is preferable to form a portion to be used. Specifically, it is preferable to irradiate intermittently 3 to 500 times, and more preferably 20 to 200 times. If the irradiation is performed three times or more, the insulation can be more reliably performed. If the irradiation is performed 500 times or less, the transparent substrate 2 irradiated with the laser beam L can be prevented from being removed by dissolution or evaporation.
なお、上記説明においては、ＸＹステージなどの移動式ステージ４３に透明導電膜ａを有する絶縁基板１１を載せてパターニングを行うこととしたが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、透明導電膜ａを有する絶縁基板１１を固定状態とし、集光系部材を相対的に移動させる方法、ガルバノミラー等を用いてレーザ光Ｌを走査しスキャンする方法、又は、上記したもの同士を組み合わせてパターニングを行うことが可能である。 In the above description, the insulating substrate 11 having the transparent conductive film a is placed on the movable stage 43 such as an XY stage for patterning. However, the present invention is not limited to this. That is, for example, a method in which the insulating substrate 11 having the transparent conductive film a is fixed and the condensing system member is relatively moved, a method in which the laser light L is scanned and scanned using a galvanometer mirror, or the like described above Patterning can be performed by combining things together.
［絶縁化工程］
絶縁化工程では、まず、図３（ｃ）に示すように、透明導電膜ａ上の画像表示領域１３に対応する部分にマスク手段５０を設ける。マスク手段５０としては、マイクロ波を遮蔽するものであれば特に制限されないが、マイクロ波遮蔽性が高いことから、導電性を有するものが好ましい。導電性を有するマスク手段５０としては、透明導電膜ａよりも充分に小さい表面抵抗の導電体の板がより好ましく、アルミニウム板もしくはステンレス板等の金属板がさらに好ましい。また、特に、金属板の厚みを１ｍｍ以下とすると、開口部の幅が２ｍｍ程度の、マイクロ波の波長よりも充分小さなサイズの絶縁化処理が可能になる。
次いで、透明導電膜ａのうち低抵抗配線パターン形成領域１５に対応する部分に、波長０．９〜３．０ＧＨｚの電磁波であるマイクロ波Ｗを照射して絶縁化して第２絶縁部Ｉ２を形成し、次いで、図４（ａ）に示すように、マスク手段５０を除去する。
マイクロ波照射の際には、透明基体２の変形を防止するために、透明導電膜ａを冷媒に浸漬させて冷却することが好ましい。本実施形態において、透明導電膜ａを冷媒に浸漬させるためには、導電性基板２０を冷媒に浸漬させればよい。ここで、冷媒としては、水、氷、アルコールおよびこれらの混合物、各種フロンを用いることができ、特に発火防止性の観点からは、水、氷およびこれらの混合物が好ましい。
[Insulation process]
In the insulating step, first, as shown in FIG. 3C, mask means 50 is provided in a portion corresponding to the image display region 13 on the transparent conductive film a. The mask means 50 is not particularly limited as long as it shields microwaves, but is preferably conductive because it has high microwave shielding properties. As the mask means 50 having conductivity, a conductive plate having a surface resistance sufficiently smaller than that of the transparent conductive film a is more preferable, and a metal plate such as an aluminum plate or a stainless plate is more preferable. In particular, when the thickness of the metal plate is 1 mm or less, it is possible to insulate the opening having a width that is about 2 mm and sufficiently smaller than the wavelength of the microwave.
Then, the portion corresponding to the low-resistance wiring pattern forming region 15 of the transparent conductive film a, the second insulating portion I 2 and insulated by microwave irradiation W is an electromagnetic wave having a wavelength 0.9~3.0GHz Then, as shown in FIG. 4A, the mask means 50 is removed.
In microwave irradiation, in order to prevent the deformation of the transparent substrate 2, it is preferable to cool the transparent conductive film a by immersing it in a coolant. In this embodiment, in order to immerse the transparent conductive film a in the coolant, the conductive substrate 20 may be immersed in the coolant. Here, water, ice, alcohol and a mixture thereof, and various chlorofluorocarbons can be used as the refrigerant, and water, ice and a mixture thereof are preferable from the viewpoint of preventing ignition.
透明導電膜ａのマイクロ波を照射した絶縁化部分において、２次元網目状の導電ネットワーク構造３を構成する、導電性極細繊維４（銀ナノワイヤ）が全く損なわれずに存在している。
マイクロ波照射により２次元網目状の導電ネットワーク構造が絶縁化する理由は明らかではないが、導体である導電性極細繊維４がマイクロ波により選択的に誘導過熱され、繊維周辺のバインダが局所的に加熱されることで、繊維同士の交差点の接触が失われ、絶縁化するものと思われる。
マイクロ波は、照射部分を確実に絶縁化できることから、出力が１００Ｗ以上であることが好ましく、３００Ｗ以上であることがより好ましい。
In the insulating portion of the transparent conductive film a irradiated with microwaves, the conductive ultrafine fibers 4 (silver nanowires) constituting the two-dimensional network-like conductive network structure 3 are present without any damage.
The reason why the two-dimensional mesh-like conductive network structure is insulated by microwave irradiation is not clear, but the conductive ultrafine fibers 4 as the conductor are selectively induced and heated by the microwaves, and the binder around the fibers is locally By heating, the contact at the intersection of the fibers is lost, and it seems to be insulated.
Since the microwave can reliably insulate the irradiated portion, the output is preferably 100 W or more, and more preferably 300 W or more.
［配線ライン形成工程］
画像表示領域１３に透明導電パターン１２を形成した後は、図４（ｂ）に示すように、低抵抗配線パターン形成領域１５の第２絶縁部Ｉ２上に、透明導電パターン１２の導電部Ｃに電気的に接続する前記配線ライン１４を形成する。具体的には、配線ライン１４は、低抵抗配線パターン形成領域１５における第２絶縁部Ｉ２上、及び、透明導電パターン１２の導電部Ｃ上の一部（周縁端部）に、ペースト状のＡｇやＣｕからなる導電性金属材料を印刷又は蒸着して、配線ライン１４を形成する。
[Wiring line formation process]
After forming the transparent conductive pattern 12 on the image display area 13, as shown in FIG. 4 (b), on the second insulating portion I 2 of the low-resistance wiring pattern formation region 15, conductive portions of the transparent conductive patterns 12 C The wiring line 14 electrically connected to is formed. Specifically, the wiring line 14 is paste-like on the second insulating portion I 2 in the low resistance wiring pattern forming region 15 and a part (periphery end portion) on the conductive portion C of the transparent conductive pattern 12. A conductive metal material made of Ag or Cu is printed or deposited to form the wiring line 14.
［絶縁膜形成工程］
次いで、図４（ｃ）に示すように、少なくとも透明導電パターン１２上に、絶縁性の保護膜（絶縁膜）１６を形成する。図示例では、透明導電パターン１２及び配線ライン１４を覆うように絶縁基板１１上の全体に、粘着材１７を介してＰＥＴフィルム１８を設けることによって、カバーフィルムとしての保護膜１６を形成する。
[Insulating film formation process]
Next, as shown in FIG. 4C, an insulating protective film (insulating film) 16 is formed on at least the transparent conductive pattern 12. In the illustrated example, a protective film 16 as a cover film is formed by providing a PET film 18 via an adhesive material 17 on the entire insulating substrate 11 so as to cover the transparent conductive pattern 12 and the wiring line 14.
（作用効果）
上記本実施形態に係る導電パターン形成基板１０の製造方法では、低抵抗配線パターン形成領域１５の透明導電膜ａにマイクロ波を照射することで、低抵抗配線パターン形成領域１５を絶縁化して第２絶縁部Ｉ２を形成できる。したがって、低抵抗配線パターン形成領域１５の絶縁化に手間がかからない。また、画像表示領域１３の透明導電膜ａにレーザ光Ｌを照射することで、第１絶縁部Ｉ１を形成できる。よって、上記導電パターン形成基板１０の製造方法によれば、導電パターン形成基板１０を容易に製造できる。
(Function and effect)
In the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 according to the present embodiment, the transparent conductive film a in the low resistance wiring pattern formation region 15 is irradiated with microwaves, thereby insulating the low resistance wiring pattern formation region 15 and performing the second process. It can form an insulating portion I 2. Therefore, it does not take time to insulate the low resistance wiring pattern formation region 15. Further, by irradiating the laser beam L on the transparent conductive film a of the image display area 13 can be formed first insulating portion I 1. Therefore, according to the manufacturing method of the said conductive pattern formation board | substrate 10, the conductive pattern formation board | substrate 10 can be manufactured easily.
また、画像表示領域１３における第１絶縁部Ｉ１と導電部Ｃとは、ほぼ同じ組成であり、色、透明性、屈折率等の光学特性はほぼ同等である。そのため、第１絶縁部Ｉ１と導電部Ｃとは見分けがつかず、導電パターンが視認されにくく、外観に優れた高品位な導電パターン形成基板となる。 Further, the first insulating portion I 1 and the conductive portion C in the image display area 13, is substantially the same composition, color, transparency, optical characteristics such as refractive index is almost equivalent. Therefore, distinguished from the first insulating portion I 1 and the conductive portion C is Tsukazu, conductive patterns less visible, a high-quality conductive pattern forming substrate which is excellent in appearance.
また、レーザ光の照射では、幅狭（例えば、幅０．２ｍｍ未満）の第１絶縁部Ｉ１を容易に形成できるため、本実施形態では、導電部Ｃ同士の間隔を狭くでき、微細なパターンを形成できる。
また、配線ライン１４を、導電性金属材料の印刷又は蒸着によって形成するため、透明導電パターン１２の導電部Ｃと外部回路とを低抵抗に確実に接続でき、電気的な信頼性を充分に確保できる。また、配線ライン１４を目視で確認できるため、製造時の異常等について容易かつ早期に発見できる。
また、少なくとも透明導電パターン１２上に、絶縁性の保護膜１６を形成するため、該透明導電パターン１２が外気、水分に接触することを防止でき、水分の接触によるマイグレーションや劣化を抑制できる。さらに、本実施形態のように、保護膜１６を絶縁基板１１上の全域に設けた場合には、透明導電パターン１２のみならず配線ライン１４のマイグレーションや劣化をも防止できる。
In addition, since the first insulating portion I 1 having a narrow width (for example, less than 0.2 mm) can be easily formed by laser light irradiation, the interval between the conductive portions C can be narrowed in this embodiment. A pattern can be formed.
Further, since the wiring line 14 is formed by printing or vapor deposition of a conductive metal material, the conductive portion C of the transparent conductive pattern 12 and the external circuit can be reliably connected with low resistance, and sufficient electrical reliability is ensured. it can. Further, since the wiring line 14 can be visually confirmed, it is possible to easily and quickly find out abnormalities during manufacturing.
In addition, since the insulating protective film 16 is formed at least on the transparent conductive pattern 12, the transparent conductive pattern 12 can be prevented from coming into contact with outside air and moisture, and migration and deterioration due to moisture contact can be suppressed. Furthermore, when the protective film 16 is provided on the entire area of the insulating substrate 11 as in this embodiment, migration and deterioration of not only the transparent conductive pattern 12 but also the wiring line 14 can be prevented.
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。なお、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
なお、本実施形態により製造される導電パターン形成基板１０の構成については、前述した第１実施形態と同一である。
Second Embodiment
Next, a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same member as above-mentioned embodiment, and the description is abbreviate | omitted.
The configuration of the conductive pattern forming substrate 10 manufactured according to the present embodiment is the same as that of the first embodiment described above.
本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法は、導電パターン形成工程と絶縁化工程との順序が第１実施形態とは異なっている。すなわち、第２実施形態の導電パターン形成基板１０の製造方法は、透明導電膜形成工程と絶縁化工程と導電パターン形成工程と配線ライン形成工程と絶縁膜形成工程とを、その順に有する。 In the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate of this embodiment, the order of the conductive pattern forming step and the insulating step is different from that of the first embodiment. That is, the manufacturing method of the conductive pattern formation substrate 10 of 2nd Embodiment has a transparent conductive film formation process, an insulation process, a conductive pattern formation process, a wiring line formation process, and an insulating film formation process in order.
（透明導電膜形成工程）
透明導電膜形成工程では、図７（ａ）に示すように、まず、絶縁基板１１上の画像表示領域１３及び低抵抗配線パターン形成領域１５に、透明基体２内に導電ネットワーク構造３を有する透明導電膜ａを形成する。
(Transparent conductive film forming step)
In the transparent conductive film forming step, as shown in FIG. 7A, first, a transparent network 2 having a conductive network structure 3 in the transparent substrate 2 is formed in the image display region 13 and the low resistance wiring pattern forming region 15 on the insulating substrate 11. A conductive film a is formed.
（絶縁化工程）
絶縁化工程では、まず、図７（ｂ）に示すように、透明導電膜ａ上の画像表示領域１３に対応する部分にマスク手段５０を設ける。
次いで、絶縁基板１１上の透明導電膜ａのうち、低抵抗配線パターン形成領域１５に対応する部分にマイクロ波Ｗを照射し、絶縁化して第２絶縁部Ｉ２を形成した後、図７（ｃ）に示すように、マスク手段５０を除去する。
(Insulation process)
In the insulating step, first, as shown in FIG. 7B, a mask means 50 is provided in a portion corresponding to the image display region 13 on the transparent conductive film a.
Next, in the transparent conductive film a on the insulating substrate 11, the portion corresponding to the low resistance wiring pattern formation region 15 is irradiated with the microwave W to be insulated to form the second insulating portion I 2 . As shown in c), the mask means 50 is removed.
（導電パターン形成工程）
導電パターン形成工程では、図８（ａ）に示すように、透明導電膜ａのうち画像表示領域１３に対応する部分に所定のパターンでレーザ光Ｌを照射することにより、第１絶縁部Ｉ１と導電部Ｃとを備えた透明導電パターン１２を形成する。
(Conductive pattern formation process)
In the conductive pattern forming step, as shown in FIG. 8A, the portion of the transparent conductive film a corresponding to the image display region 13 is irradiated with the laser light L in a predetermined pattern, whereby the first insulating portion I 1 And the transparent conductive pattern 12 including the conductive portion C is formed.
（配線ライン形成工程）
配線ライン形成工程では、図８（ｂ）に示すように、低抵抗配線パターン形成領域１５の第２絶縁部Ｉ２上に、透明導電パターン１２の導電部Ｃに電気的に接続するように前記配線ライン１４を形成する。
(Wiring line formation process)
In the wiring line forming step, as shown in FIG. 8B, the conductive line C is electrically connected to the conductive part C of the transparent conductive pattern 12 on the second insulating part I 2 of the low resistance wiring pattern forming region 15. A wiring line 14 is formed.
（絶縁膜形成工程）
絶縁膜形成工程では、図８（ｃ）に示すように、少なくとも透明導電パターン１２上に、絶縁性の保護膜１６を形成する。
(Insulating film formation process)
In the insulating film forming step, an insulating protective film 16 is formed on at least the transparent conductive pattern 12 as shown in FIG.
（作用効果）
本実施形態の導電パターン形成基板１０の製造方法により製造された導電パターン形成基板１０によれば、第１実施形態と同様に、低抵抗配線パターン形成領域１５の絶縁化に手間がかからず、導電パターン形成基板１０を容易に製造できる。また、導電パターンが視認されにくく、外観に優れた高品位な導電パターン形成基板となる。また、導電部Ｃ同士の間隔を狭くでき、微細なパターンを形成できる。
(Function and effect)
According to the conductive pattern forming substrate 10 manufactured by the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment, as in the first embodiment, it is not time-consuming to insulate the low resistance wiring pattern forming region 15. The conductive pattern forming substrate 10 can be easily manufactured. Further, the conductive pattern is difficult to be visually recognized, and a high-quality conductive pattern forming substrate having an excellent appearance is obtained. Moreover, the space | interval of the electroconductive parts C can be narrowed and a fine pattern can be formed.
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法について、図９，１０を参照して説明する。なお、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
なお、本実施形態により製造される導電パターン形成基板１０の構成については、前述した第１実施形態と同一である。
<Third Embodiment>
Next, a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same member as above-mentioned embodiment, and the description is abbreviate | omitted.
The configuration of the conductive pattern forming substrate 10 manufactured according to the present embodiment is the same as that of the first embodiment described above.
本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法は、透明導電膜形成工程と絶縁化工程と配線ライン形成工程と絶縁膜形成工程とを有し、絶縁化工程が導電パターン形成工程を兼ねる点が、前述の実施形態とは異なっている。
（透明導電膜形成工程）
透明導電膜形成工程では、図９（ａ）に示すように、まず、絶縁基板１１上の画像表示領域１３及び低抵抗配線パターン形成領域１５に、透明基体２内に導電ネットワーク構造３を有する透明導電膜ａを形成する。
The manufacturing method of the conductive pattern forming substrate of this embodiment has a transparent conductive film forming step, an insulating step, a wiring line forming step, and an insulating film forming step, and the insulating step also serves as the conductive pattern forming step. This is different from the previous embodiment.
(Transparent conductive film forming step)
In the transparent conductive film forming step, as shown in FIG. 9A, first, a transparent substrate 2 having a conductive network structure 3 in the transparent substrate 2 is formed in the image display region 13 and the low resistance wiring pattern forming region 15 on the insulating substrate 11. A conductive film a is formed.
（絶縁化工程）
本実施形態における絶縁化工程では、まず、図９（ｂ）に示すように、透明導電膜ａ上の、画像表示領域１３の導電部とする部分と低抵抗配線パターン形成領域１５に対応する部分にマスク手段５０を形成する。次いで、マイクロ波を照射して、透明導電膜ａのマスク手段５０で被覆されていない部分を絶縁化した後、図９（ｃ）に示すように、マスク手段５０を除去する。
これにより、透明導電膜ａのうち低抵抗配線パターン形成領域１５に対応する部分を絶縁化して第２絶縁部Ｉ２を形成すると共に、画像表示領域１３に第１絶縁部Ｉ１と導電部Ｃとを備えた導電パターンを形成できる。
(Insulation process)
In the insulating process in the present embodiment, first, as shown in FIG. 9B, the portion corresponding to the low resistance wiring pattern forming region 15 and the portion to be the conductive portion of the image display region 13 on the transparent conductive film a. Then, the mask means 50 is formed. Next, microwaves are irradiated to insulate the portion of the transparent conductive film a that is not covered with the mask means 50, and then the mask means 50 is removed as shown in FIG. 9C.
Thus, to form the second insulating portion I 2 by insulating the portion corresponding to the low-resistance wiring pattern forming region 15 of the transparent conductive film a, the first insulating portion I 1 and the conductive portion C in the image display area 13 Can be formed.
マスク手段５０で被覆した透明導電膜ａにマイクロ波を照射する方法は、幅狭の第１絶縁部Ｉ１の形成に適していない。したがって、本実施形態では、第１絶縁部Ｉ１の幅が２０ｍｍ以上であることが好ましい。 Method of irradiating a microwave to the coated transparent conductive film a mask means 50 are not suitable for formation of the first insulating portion I 1 of the narrow. Therefore, in the present embodiment, it is preferable that the first width of the insulating portion I 1 is 20mm or more.
（配線ライン形成工程）
配線ライン形成工程では、図１０（ａ）に示すように、低抵抗配線パターン形成領域１５の第２絶縁部Ｉ２上に、透明導電パターン１２の導電部Ｃに電気的に接続するように前記配線ライン１４を形成する。
(Wiring line formation process)
In the wiring line forming step, as shown in FIG. 10A, the conductive line C is electrically connected to the conductive part C of the transparent conductive pattern 12 on the second insulating part I 2 of the low resistance wiring pattern forming region 15. A wiring line 14 is formed.
（絶縁膜形成工程）
絶縁膜形成工程では、図１０（ｂ）に示すように、少なくとも透明導電パターン１２上に、絶縁性の保護膜１６を形成する。
(Insulating film formation process)
In the insulating film forming step, as shown in FIG. 10B, an insulating protective film 16 is formed on at least the transparent conductive pattern 12.
（作用効果）
本実施形態の導電パターン形成基板１０の製造方法によっても、導電部Ｃと第１絶縁部Ｉ１との外観に差がほとんど生じないため、導電パターンが視認されにくく、外観に優れた高品位な導電パターン形成基板となる。また、画像表示領域１３の透明導電膜ａおよび低抵抗配線パターン形成領域１５の透明導電膜ａに一括してマイクロ波を照射することによって、第１絶縁部Ｉ１と第２絶縁部Ｉ２とを形成するため、導電パターン形成基板１０をより容易に製造できる。
(Function and effect)
By the production method of the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment, since the difference in the appearance of the conductive portion C and the first insulating portion I 1 hardly occurs, hardly conductive pattern is visible, high-quality with excellent appearance A conductive pattern forming substrate is obtained. Further, by irradiating the transparent conductive film a in the image display region 13 and the transparent conductive film a in the low resistance wiring pattern formation region 15 together with microwaves, the first insulating part I 1 and the second insulating part I 2 Therefore, the conductive pattern forming substrate 10 can be manufactured more easily.
＜他の実施形態＞
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、前述の実施形態では、絶縁基板１１が透明であることとしたが、絶縁基板１１にある程度の透明性を有した着色が施されていても構わない。
<Other embodiments>
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above-described embodiment, the insulating substrate 11 is transparent. However, the insulating substrate 11 may be colored with a certain degree of transparency.
また、図１１に示すように、導電部Ｃの外縁にレーザ光を照射して第３絶縁部Ｉ３を形成してもよい。
第３絶縁部Ｉ３を形成する場合には、まず、図１２（ａ）に示すように、透明導電膜ａにレーザ光Ｌを照射して第３絶縁部Ｉ３を形成することで、導電部Ｃの形状を精密に描画できる。
その後、導電部Ｃを形成するように、図１２（ｂ）に示すように、第３絶縁部Ｉ３，Ｉ３の間の透明導電膜ａをマスク手段５０によって覆い、マイクロ波Ｗを照射して、マスク手段５０で覆われていない部分を絶縁化した後、図１２（ｃ）に示すように、マスク手段５０を除去して、導電パターンを得る。
Further, as shown in FIG. 11, the third insulating portion I 3 may be formed by irradiating the outer edge of the conductive portion C with laser light.
When forming the third insulating portion I 3 , first, as shown in FIG. 12A, the transparent conductive film a is irradiated with the laser light L to form the third insulating portion I 3. The shape of the part C can be drawn accurately.
Thereafter, as shown in FIG. 12B, the transparent conductive film a between the third insulating parts I 3 and I 3 is covered with the mask means 50 so as to form the conductive part C, and the microwave W is irradiated. Then, after insulating the portion not covered with the mask means 50, as shown in FIG. 12C, the mask means 50 is removed to obtain a conductive pattern.
また、導電ネットワーク構造３は、透明基体２内に分散されて互いに電気的に連結された複数の導電性極細繊維４からなることとしたが、これに限定されるものではない。 The conductive network structure 3 is composed of a plurality of conductive ultrafine fibers 4 dispersed in the transparent substrate 2 and electrically connected to each other. However, the present invention is not limited to this.
また、導電パターン形成基板１０には、粘着、反射防止、ハードコート及びドットスペーサなどの機能層を任意で付加することとしてもよい。
特に、ＹＡＧレーザやＹＶＯ４レーザの基本波など波長が１０００ｎｍ近辺のレーザを用いるとともに、上記機能層として、アクリル系高分子素材を使用する場合には、外観特性の観点から、レーザ照射後に機能層を設けることが好ましい。
In addition, functional layers such as adhesive, antireflection, hard coat, and dot spacer may be optionally added to the conductive pattern forming substrate 10.
In particular, when using a laser having a wavelength of around 1000 nm, such as a fundamental wave of a YAG laser or a YVO 4 laser, and using an acrylic polymer material as the functional layer, the functional layer after laser irradiation is used from the viewpoint of appearance characteristics. Is preferably provided.
また、少なくとも透明導電パターン１２上を被覆する絶縁膜として、保護膜１６を用いることとしたが、絶縁膜は透明導電パターン１２及び必要に応じて配線ライン１４と外部とを絶縁することができればよいことから、前述した透明導電パターン１２を保護する目的に限定されない。すなわち、例えば、この絶縁膜上にさらに他の導電パターンや絶縁基板を積層した構成であっても構わない。 In addition, the protective film 16 is used as an insulating film covering at least the transparent conductive pattern 12, but the insulating film only needs to be able to insulate the transparent conductive pattern 12 and, if necessary, the wiring line 14 from the outside. Therefore, the present invention is not limited to the purpose of protecting the transparent conductive pattern 12 described above. That is, for example, another conductive pattern or an insulating substrate may be stacked on the insulating film.
その他、本発明の前述の実施形態等で説明した構成要素を、適宜組み合わせても構わない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、前述の構成要素を周知の構成要素に置き換えることも可能である。 In addition, you may combine suitably the component demonstrated by the above-mentioned embodiment etc. of this invention. In addition, the above-described components can be replaced with well-known components without departing from the spirit of the present invention.
（実施例１）
まず、図３（ａ）に示すように、７０ｍｍ角のポリエチレンタレフタレートフィルムからなる絶縁基板１１上に、銀ナノワイヤからなる導電性極細繊維４を含むインク（Ｃａｍｂｒｉｏｓ社のＯｈｍ）を塗布し、次いで、紫外線硬化性のポリエステル樹脂インクを上塗りして、乾燥・紫外線処理を施した。これにより、絶縁基板１１上の画像表示領域１３及び低抵抗配線パターン形成領域１５に、透明基体２内に導電ネットワーク構造３が設けられた透明導電膜ａを形成し、導電性基板２０を得た。透明導電膜ａの表面抵抗を測定したところ、２５０Ω／□であった。
次いで、図３（ｂ）に示すように、透明導電膜ａのうち画像表示領域１３に対応する部分に、互いに平行な６本の直線（長さ５０ｍｍ、８ｍｍ間隔）の第１絶縁部Ｉ１が形成するようにレーザ光Ｌを照射した。ここで、レーザ光照射装置としては、ガルバノミラーを備えたＹＶＯ４基本波のレーザ加工機（キーエンス社製、ＭＤ−Ｖ９９２０）を使用した。また、レーザ照射条件として、焦点から透明導電膜ａまでの距離：０ｍｍ、出力：３０％、発振周波数：１００ｋＨｚとした。
これにより、第１絶縁部Ｉ１と導電部Ｃとを備えた透明導電パターン１２を形成した。また、画像表示領域１３のコーナー部にレーザ光を複数回照射してマスク位置決めマークを形成した。
次いで、耐熱ガラス製の容器に脱イオン水を入れ、その脱イオン水に、透明導電パターンを形成した導電性基板を水深が５ｍｍになるように沈めた。図３（ｃ）に示すように、透明導電膜ａ上の画像表示領域１３に対応する部分に、アルミニウム板（４３ｍｍ角、厚さ１．２ｍｍ）からなるマスク手段５０を載せた。
次いで、日本国内で市販の電子レンジ（７００Ｗ）を用いて、透明導電膜ａのうち低抵抗配線パターン形成領域１５に対応する部分にマイクロ波Ｗを１０秒間照射して絶縁化して第２絶縁部Ｉ２を形成し、次いで、図４（ａ）に示すように、マスク手段５０を除去した。これにより、導電パターン形成基板を得た。
導電部Ｃ同士の抵抗を市販のデジタルテスタで測定したところ、１０ＭΩ以上であり、第１絶縁部Ｉ１および第２絶縁部Ｉ２が共に絶縁化されていることが示された。また、導電パターンが視認されることはなかった。
Example 1
First, as shown in FIG. 3A, an ink containing conductive ultrafine fibers 4 made of silver nanowires (Om from Cambrios) is applied on an insulating substrate 11 made of a 70 mm square polyethylene terephthalate film, and then Then, UV curable polyester resin ink was overcoated, dried and subjected to UV treatment. As a result, the transparent conductive film a in which the conductive network structure 3 was provided in the transparent substrate 2 was formed in the image display region 13 and the low-resistance wiring pattern formation region 15 on the insulating substrate 11, and the conductive substrate 20 was obtained. . When the surface resistance of the transparent conductive film a was measured, it was 250Ω / □.
Next, as shown in FIG. 3B, the first insulating portion I 1 of six straight lines (length 50 mm, interval 8 mm) parallel to each other in the portion corresponding to the image display region 13 of the transparent conductive film a. The laser beam L was irradiated so as to form. Here, as a laser beam irradiation apparatus, a YVO 4 fundamental wave laser processing machine (manufactured by Keyence Corporation, MD-V9920) equipped with a galvanometer mirror was used. The laser irradiation conditions were a distance from the focal point to the transparent conductive film a: 0 mm, output: 30%, and oscillation frequency: 100 kHz.
This formed a first insulating portion I 1 and the transparent conductive pattern 12 and a conductive portion C. Further, a mask positioning mark was formed by irradiating the corner portion of the image display region 13 with a laser beam a plurality of times.
Next, deionized water was put in a heat-resistant glass container, and the conductive substrate on which the transparent conductive pattern was formed was submerged in the deionized water so that the water depth was 5 mm. As shown in FIG. 3C, mask means 50 made of an aluminum plate (43 mm square, thickness 1.2 mm) was placed on the portion corresponding to the image display region 13 on the transparent conductive film a.
Next, using a commercially available microwave oven (700 W) in Japan, the portion corresponding to the low resistance wiring pattern formation region 15 in the transparent conductive film a is irradiated with microwave W for 10 seconds to insulate the second insulating portion. I 2 was formed, and then the mask means 50 was removed as shown in FIG. This obtained the conductive pattern formation board | substrate.
When the resistance between the conductive parts C was measured with a commercially available digital tester, it was 10 MΩ or more, indicating that both the first insulating part I 1 and the second insulating part I 2 were insulated. Moreover, the conductive pattern was not visually recognized.
（実施例２）
マイクロ波照射の際に、導電性基板を脱イオン水に浸漬しなかったこと以外は実施例１と同様にして、導電パターン形成基板を得た。この方法でも、マイクロ波照射によって透明導電膜ａが絶縁化したが、ポリエチレンテレフタレートフィルムが収縮し、導電パターン形成基板が所定のサイズよりも小さくなった。
(Example 2)
A conductive pattern-formed substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive substrate was not immersed in deionized water during microwave irradiation. Also in this method, the transparent conductive film a was insulated by microwave irradiation, but the polyethylene terephthalate film contracted, and the conductive pattern forming substrate became smaller than a predetermined size.
（実施例３）
マイクロ波の照射時間を１秒としたこと以外は実施例２と同様にして、導電パターン形成基板を得た。この方法でも、マイクロ波照射によって透明導電膜ａが絶縁化したが、マイクロ波が照射された部分に波打ちが見られた。
(Example 3)
A conductive pattern-formed substrate was obtained in the same manner as in Example 2 except that the microwave irradiation time was 1 second. Even in this method, the transparent conductive film a was insulated by microwave irradiation, but waving was observed in the portion irradiated with the microwave.
（比較例１）
マイクロ波を照射する代わりに、直径４０ｍｍ、１０ターンの空芯コイルを用いて、２ＭＨｚ、３ｋＷの高周波誘導加熱を行ったところ、わずかに発熱が生じたが、透明導電膜ａの電気抵抗値に変化はなく、絶縁化できなかった。
(Comparative Example 1)
When high-frequency induction heating of 2 MHz and 3 kW was performed using an air core coil with a diameter of 40 mm and 10 turns instead of microwave irradiation, slight heat generation occurred, but the electrical resistance value of the transparent conductive film a There was no change and insulation could not be achieved.
（実施例４）
実施例１の導電パターン形成基板に、図４（ｂ）に示すように、低抵抗配線パターン形成領域１５の第２絶縁部Ｉ２上に、銀ペーストの印刷により、透明導電パターン１２の導電部Ｃに電気的に接続する配線ライン１４を形成した。
上記により、配線ライン１４を形成した導電パターン形成基板を２枚作製し、これらを、透明導電膜ａ同士が対向するように絶縁ドットスペーサを介して貼り合せ、インターフェース回路を接続したところ、メンブレン式タッチパネルとして動作した。
Example 4
As shown in FIG. 4B, the conductive portion of the transparent conductive pattern 12 is printed on the second insulating portion I 2 of the low resistance wiring pattern forming region 15 on the conductive pattern forming substrate of Example 1 by printing silver paste. A wiring line 14 electrically connected to C was formed.
As described above, two conductive pattern forming substrates on which the wiring lines 14 were formed were prepared, and these were bonded together via an insulating dot spacer so that the transparent conductive films a were opposed to each other, and the interface circuit was connected. Operated as a touch panel.
本発明で得られた導電パターン形成基板は、例えば、透明アンテナ、透明電磁波シールド、静電容量方式或いはメンブレン式の透明タッチパネルなどの透明入力装置のように、透明部分に配線パターンを形成する製品に適用することができる。また、導電パターン形成基板は、自動車のハンドル等に取り付けられる静電容量入力装置など、３次元成型品、或いは３次元の加飾成型品の表面に設けられる静電容量センサ等に必要な電極を形成する目的で用いることができる。
本発明で得られた導電パターン形成基板を用いたタッチパネル（入力装置）は、導電パターン形成基板が厚さ方向に積層するように一対設けられた入力部材と、導電パターン形成基板の透明導電パターンの導電部及び配線ラインに電気的に接続され、入力信号を検出するインターフェース回路等の検出手段とを備えて構成される。
The conductive pattern forming substrate obtained by the present invention is a product that forms a wiring pattern in a transparent portion, such as a transparent input device such as a transparent antenna, a transparent electromagnetic wave shield, a capacitance type or a membrane type transparent touch panel. Can be applied. In addition, the conductive pattern forming substrate is provided with electrodes necessary for a capacitance sensor provided on the surface of a three-dimensional molded product or a three-dimensional decorative molded product, such as a capacitive input device attached to an automobile handle or the like. It can be used for the purpose of forming.
A touch panel (input device) using the conductive pattern forming substrate obtained in the present invention includes a pair of input members so that the conductive pattern forming substrates are stacked in the thickness direction, and a transparent conductive pattern of the conductive pattern forming substrate. And a detecting means such as an interface circuit that is electrically connected to the conductive portion and the wiring line and detects an input signal.
２ 透明基体
３ 導電ネットワーク構造
５ 空隙
１０ 導電パターン形成基板
１１ 絶縁基板
１２ 導電パターン
１３ 画像表示領域（表示領域）
１４ 配線ライン
１５ 低抵抗配線パターン形成領域（配線領域）
１６、１９ 保護膜（絶縁膜）
２０ 導電性基板
５０ マスク手段
ａ 透明導電膜
Ｃ 導電部
Ｉ 絶縁部
Ｉ１ 第１絶縁部
Ｉ２ 第２絶縁部
Ｉ３ 第３絶縁部
Ｌ レーザ光
Ｗ マイクロ波
2 Transparent substrate 3 Conductive network structure 5 Void 10 Conductive pattern forming substrate 11 Insulating substrate 12 Conductive pattern 13 Image display area (display area)
14 Wiring line 15 Low resistance wiring pattern formation area (wiring area)
16, 19 Protective film (insulating film)
20 conductive substrate 50 mask means a transparent conductive film C conductive part I insulating part I 1 first insulating part I 2 second insulating part I 3 third insulating part L laser light W microwave
Claims (5)
絶縁基板上の前記表示領域及び前記配線領域に、透明基体内に前記導電ネットワーク構造を有する透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、
前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンで絶縁化して、前記透明導電パターンを得る導電パターン形成工程と、
前記透明導電膜上の表示領域に対応する部分にマスク手段により被覆して保護し、前記透明導電膜のうち配線領域に対応する部分を絶縁化する絶縁化工程と、
前記透明導電パターンの導電部に電気的に接続する配線ラインを形成する配線ライン形成工程とを有し、
前記絶縁化工程および前記導電パターン形成工程の少なくとも一方は、請求項１または２に記載の絶縁部形成方法により、透明導電膜を絶縁化することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 A two-dimensional network comprising a display region having a transparent conductive pattern formed on an insulating substrate, and a wiring region having a wiring line formed thereon, wherein the transparent conductive pattern is made of a conductive material in a transparent base having insulation properties. A conductive pattern forming substrate provided with a conductive part having a conductive network structure and an insulating part not having the conductive network structure,
Forming a transparent conductive film having the conductive network structure in a transparent substrate in the display region and the wiring region on the insulating substrate; and
A conductive pattern forming step of obtaining a transparent conductive pattern by insulating a portion corresponding to a display region of the transparent conductive film with a predetermined pattern;
An insulating step of covering and protecting a portion corresponding to the display region on the transparent conductive film with a mask means and insulating a portion corresponding to the wiring region of the transparent conductive film;
A wiring line forming step of forming a wiring line electrically connected to the conductive portion of the transparent conductive pattern,
At least one of the said insulation process and the said conductive pattern formation process insulates a transparent conductive film with the insulating part formation method of Claim 1 or 2, The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate characterized by the above-mentioned.
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