JP5736183B2 - Manufacturing method of conductive pattern forming substrate - Google Patents

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Description

本発明は、タッチパネル、プラズマディスプレイの電磁波シールド等、画像表示装置の前面に設けられる導電パターン形成基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate provided on the front surface of an image display device, such as a touch panel and an electromagnetic wave shield of a plasma display.

タッチパネルにおいては、液晶ディスプレイ等の画像表示装置の前面に、電極シートとして、透明な絶縁基板の表面に透明導電膜を形成した導電パターン形成基板を有する入力装置が設置されている。
この種の導電パターン形成基板は、絶縁基板上に、透明導電膜が形成される画像表示領域(表示領域)と、配線ラインが形成される低抵抗配線パターン形成領域(配線領域)と、を備えている。前記画像表示領域は、タッチパネルの操作者から視認可能とされており、前記低抵抗配線パターン形成領域は、装飾パネル(枠)等に被覆され操作者からは視認不可とされている。
In the touch panel, an input device having a conductive pattern forming substrate in which a transparent conductive film is formed on the surface of a transparent insulating substrate is installed as an electrode sheet on the front surface of an image display device such as a liquid crystal display.
This type of conductive pattern formation substrate includes an image display region (display region) where a transparent conductive film is formed and a low resistance wiring pattern formation region (wiring region) where a wiring line is formed on an insulating substrate. ing. The image display area is visible to the operator of the touch panel, and the low resistance wiring pattern formation area is covered with a decorative panel (frame) or the like and is not visible to the operator.

導電パターン形成基板の透明導電膜を構成する材料としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸に代表されるπ共役系導電性高分子(有機導電体)、又は、絶縁性の樹脂バインダ(透明基体)中に導電性の金属ナノワイヤ(金属極細繊維)を分散させ硬化してなるもの等が知られている。
また、透明導電膜には、広範囲に複数形成された導電性の導電部と、これら導電部同士を区画するように形成された絶縁性の絶縁部と、が設けられている。
As a material constituting the transparent conductive film of the conductive pattern forming substrate, tin-doped indium oxide (ITO), π-conjugated conductive polymer (organic conductor) represented by polyethylenedioxythiophene-polystyrenesulfonic acid, or Known are those obtained by dispersing and curing conductive metal nanowires (metal ultrafine fibers) in an insulating resin binder (transparent substrate).
The transparent conductive film is provided with a plurality of conductive conductive parts formed in a wide range and an insulating insulating part formed so as to partition the conductive parts.

導電パターン形成基板を製造するには、まず、絶縁基板上の前記表示領域及び前記配線領域に、導電性の基礎膜を形成する。次いで、この基礎膜にフォトリソグラフィによるプロセス(レジスト膜形成、エッチング処理、レジスト膜除去)を施して、該基礎膜のうち、前記表示領域の絶縁部に対応する部位と、前記配線領域と、を除去する。次いで、絶縁基板上の前記配線領域、及び、前記表示領域の導電部の一部(端部)に、銀や銅等の配線ラインを印刷又は蒸着により形成する(例えば、下記特許文献1、2を参照)。   In order to manufacture a conductive pattern forming substrate, first, a conductive base film is formed in the display region and the wiring region on an insulating substrate. Next, the base film is subjected to a photolithography process (resist film formation, etching process, resist film removal), and a portion of the base film corresponding to the insulating portion of the display region and the wiring region are formed. Remove. Next, a wiring line such as silver or copper is formed by printing or vapor deposition on the wiring region on the insulating substrate and a part (end portion) of the conductive portion of the display region (for example, Patent Documents 1 and 2 below). See).

しかしながら、従来の導電パターン形成基板においては、下記の問題がある。
すなわち、基礎膜のうち、透明導電膜の絶縁部に対応する部位をフォトリソグラフィによるプロセスで除去した場合、該絶縁部と導電部との屈折率の違い等により、該透明導電膜の導電パターンが視認されてしまい、外観上好ましくない。
However, the conventional conductive pattern forming substrate has the following problems.
That is, when a portion of the base film corresponding to the insulating portion of the transparent conductive film is removed by a photolithography process, the conductive pattern of the transparent conductive film is changed due to a difference in refractive index between the insulating portion and the conductive portion. It is visually recognized and is not preferable in appearance.

透明導電膜の導電パターンが視認されにくい導電パターン形成基板の製造方法としては、透明基体内に金属極細繊維が分散された基礎膜を用い、該基礎膜にレーザ光を照射することによって透明導電膜の絶縁部に対応する部位の金属極細繊維及び前記配線領域の金属極細繊維を切断(断線)して電気的に絶縁状態とする方法が提案されている(例えば、下記特許文献3を参照)。   As a method for producing a conductive pattern forming substrate in which the conductive pattern of the transparent conductive film is difficult to be visually recognized, a transparent conductive film is formed by using a base film in which metal microfibers are dispersed in a transparent substrate and irradiating the base film with laser light There has been proposed a method of cutting (disconnecting) a metal microfiber at a portion corresponding to the insulating portion and a metal microfiber in the wiring region into an electrically insulated state (see, for example, Patent Document 3 below).

しかしながら、この製造方法においては、下記の問題がある。
透明基体内に金属極細繊維が分散された基礎膜においては、金属極細繊維が表面から露出しているため、金属極細繊維が酸化等によって劣化しやすい。そして、前記基礎膜にレーザ光を照射することによって透明導電膜の絶縁部及び配線領域を形成するには長時間かかるため、レーザ光を照射している間に基礎膜の金属極細繊維が劣化してしまい、最終的に形成される透明導電膜の導電部の導電性が低下する。
However, this manufacturing method has the following problems.
In the base film in which the metal ultrafine fibers are dispersed in the transparent substrate, the metal ultrafine fibers are exposed from the surface, and therefore the metal ultrafine fibers are likely to be deteriorated due to oxidation or the like. And, since it takes a long time to form the insulating portion and the wiring region of the transparent conductive film by irradiating the base film with laser light, the metal microfibers of the base film deteriorate while irradiating the laser light. Therefore, the conductivity of the conductive part of the transparent conductive film that is finally formed is lowered.

特開2008−83497号公報JP 2008-83497 A 特開2010−20315号公報JP 2010-20315 A 特開2010−44968号公報JP 2010-44968 A

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、導電パターンが視認されにくい高品位な透明導電膜を形成できるとともに、該透明導電膜の導電部の導電性の低下が抑えられる導電パターン形成基板の製造方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such circumstances, and is capable of forming a high-quality transparent conductive film in which a conductive pattern is difficult to be visually recognized, and is capable of suppressing a decrease in conductivity of a conductive portion of the transparent conductive film. It aims at providing the manufacturing method of a pattern formation board | substrate.

前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設けられ、絶縁性を有する透明基体内に導電性を有する金属からなる網状部材が配置される導電部及び前記透明基体内の前記網状部材が除去されることにより形成された空隙が配置される絶縁部を有する透明導電膜と、前記透明導電膜の上に設けられた絶縁性の保護膜と、を備えた導電パターン形成基板を製造する方法であって、前記絶縁基板の上に、前記透明基体内に前記網状部材が配置される基礎膜を形成する工程と、前記基礎膜の上に、前記保護膜を設ける工程と、前記保護膜を設けた後に、前記基礎膜にレーザ光を照射することによって前記空隙を形成し、前記透明導電膜とする工程と、を有することを特徴とする。
前記保護膜は、粘着材と樹脂フィルムとからなり、前記粘着材が前記絶縁基板の側となるように設けられていることが好ましい。
前記保護膜は、硬化性樹脂の硬化物からなる膜またはSiO からなる膜であることが好ましい。
In order to achieve the above object, the present invention proposes the following means.
That is, the present invention provides an insulating substrate, a conductive portion provided on the insulating substrate, in which a mesh member made of a conductive metal is disposed in an insulating transparent substrate, and the mesh member in the transparent substrate. Manufacturing a conductive pattern forming substrate comprising: a transparent conductive film having an insulating portion in which a void formed by removing a film is disposed; and an insulating protective film provided on the transparent conductive film A method comprising: forming a base film on which the mesh member is disposed in the transparent substrate on the insulating substrate; providing the protective film on the base film; and the protective film And providing the transparent film with the gap by irradiating the base film with laser light.
The protective film is preferably composed of an adhesive material and a resin film, and is provided so that the adhesive material is on the insulating substrate side.
The protective film is preferably a film made of a cured product of a curable resin or a film made of SiO 2 .

本発明に係る導電パターン形成基板の製造方法によれば、導電パターンが視認されにくい高品位な透明導電膜を形成できるとともに、該透明導電膜の導電部の導電性の低下が抑えられる。   According to the manufacturing method of the conductive pattern formation board concerning the present invention, while being able to form a high quality transparent conductive film in which a conductive pattern is hard to be visually recognized, the fall of the conductivity of the conductive part of the transparent conductive film is suppressed.

本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板を示す平面図である。It is a top view which shows the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1のX−X断面における側断面図である。It is a sectional side view in the XX cross section of FIG. 本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の透明導電膜の導電部及びレーザ加工前の基礎膜の状態を説明する拡大写真である。It is an enlarged photograph explaining the state of the electroconductive part of the transparent conductive film of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention, and the base film before laser processing. 本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の透明導電膜の絶縁部を説明する拡大写真である。It is an enlarged photograph explaining the insulation part of the transparent conductive film of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法を説明する側断面図である。It is a sectional side view explaining the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法を説明する側断面図である。It is a sectional side view explaining the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の製造に用いられる製造装置と、レーザ光の照射方法の一例を説明する側面図である。It is a side view explaining an example of the manufacturing apparatus used for manufacture of the conductive pattern formation board concerning a 1st embodiment of the present invention, and a laser beam irradiation method. 本発明の第2実施形態に係る導電パターン形成基板を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法を説明する側断面図である。It is a sectional side view explaining the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法を説明する側断面図である。It is a sectional side view explaining the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

〔第1実施形態〕
以下、本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法、及び、これにより作製される導電パターン形成基板について、図1〜図7を参照して説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention, and the conductive pattern formation board | substrate produced by this are demonstrated with reference to FIGS.

<導電パターン形成基板>
本実施形態の導電パターン形成基板10は、例えば、透明アンテナ、透明電磁波シールド、静電容量方式或いはメンブレン式の透明タッチパネル等の透明入力装置のように、透明部分に配線パターンを形成する製品に適用することができる。また、この導電パターン形成基板10は、自動車のハンドル等に付随する静電容量入力装置等、3次元成型品、或いは3次元の加飾成型品の表面に設けられる静電容量センサ等に必要な電極を形成する目的で用いることができる。
<Conductive pattern forming substrate>
The conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment is applied to a product in which a wiring pattern is formed in a transparent portion, such as a transparent input device such as a transparent antenna, a transparent electromagnetic wave shield, a capacitance type or a membrane type transparent touch panel. can do. The conductive pattern forming substrate 10 is necessary for a capacitance sensor provided on the surface of a three-dimensional molded product or a three-dimensional decorative molded product, such as a capacitance input device attached to a steering wheel of an automobile. It can be used for the purpose of forming an electrode.

本実施形態の導電パターン形成基板10を例えばタッチパネル(入力装置)に用いる場合、このタッチパネルは、導電パターン形成基板10が厚さ方向に積層するように一対設けられた入力部材と、導電パターン形成基板10の後述する透明導電膜12の導電部C及び配線ライン14に電気的に接続され、入力信号を検出するインターフェース回路等の検出手段と、を備えて構成される。   When the conductive pattern forming substrate 10 of this embodiment is used for, for example, a touch panel (input device), the touch panel includes a pair of input members provided so that the conductive pattern forming substrate 10 is stacked in the thickness direction, and the conductive pattern forming substrate. And a detecting means such as an interface circuit that is electrically connected to a conductive portion C and a wiring line 14 of a transparent conductive film 12 (to be described later) and detects an input signal.

図1及び図2に示されるように、導電パターン形成基板10は、透明な絶縁基板11上に、導電部C及び絶縁部Iを有する透明導電膜12が形成された画像表示領域13(表示領域)と、配線ライン14が形成された低抵抗配線パターン形成領域15(配線領域)と、画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15の表面を被覆する保護膜16と、を備えている。画像表示領域13は、タッチパネル等の操作者から視認可能となっており、低抵抗配線パターン形成領域15は、装飾パネル(枠)等に覆われ操作者からは視認不可となっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the conductive pattern forming substrate 10 includes an image display region 13 (display region) in which a transparent conductive film 12 having a conductive portion C and an insulating portion I is formed on a transparent insulating substrate 11. ), And a low resistance wiring pattern forming region 15 (wiring region) in which the wiring lines 14 are formed, and a protective film 16 covering the surface of the image display region 13 and the low resistance wiring pattern forming region 15. The image display area 13 is visible from an operator such as a touch panel, and the low-resistance wiring pattern formation area 15 is covered with a decorative panel (frame) or the like and cannot be viewed from the operator.

尚、本実施形態でいう「透明」とは、50%以上の光線透過率を有するものを指す。そして、この導電パターン形成基板10は、透明である。
また、図1においては、X−X断面における絶縁部Iの記載を省略しているが、実際には、図1の矩形状をなす導電部C内に、該導電部Cを分割(区画)するように、絶縁部Iが例えば線状に延びて形成されており、これにより、隣り合う導電部C同士は互いに電気的に絶縁されている。
In the present embodiment, “transparent” refers to a material having a light transmittance of 50% or more. The conductive pattern forming substrate 10 is transparent.
In FIG. 1, the description of the insulating portion I in the XX cross section is omitted, but actually, the conductive portion C is divided (partitioned) into the rectangular conductive portion C in FIG. Thus, the insulating portion I is formed to extend, for example, in a linear shape, and thereby the adjacent conductive portions C are electrically insulated from each other.

(絶縁基材)
絶縁基板11としては、絶縁性を有するとともに、表面に透明導電膜12を形成でき、かつ、後述するレーザ加工に対して、所定の照射条件において外観変化の生じにくいものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(PET)を代表とするポリエステル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂(ABS樹脂)等の絶縁性材料が挙げられる。また、絶縁基板11の形状としては、用途により、板状のもの、可撓性を有するフィルム状のもの、立体的(3次元)に成型された成型品等を用いることができる。
(Insulating base material)
As the insulating substrate 11, it is preferable to use an insulating substrate having an insulating property, capable of forming the transparent conductive film 12 on the surface, and hardly changing appearance under predetermined irradiation conditions with respect to laser processing described later. Specific examples include insulating materials such as glass, polycarbonate, polyester typified by polyethylene terephthalate (PET), and acrylonitrile / butadiene / styrene copolymer resin (ABS resin). As the shape of the insulating substrate 11, a plate-like material, a flexible film-like material, a three-dimensional (three-dimensional) molded product, or the like can be used depending on applications.

導電パターン形成基板10を透明タッチパネルに使用する場合、絶縁基板11には、ガラス板やPETフィルム等が用いられる。また、導電パターン形成基板10を、自動車のハンドル等に付随する静電容量入力装置等、静電容量センサ等に必要な電極として使用する場合、絶縁基板11には、ABS樹脂等からなる成型品、或いはこれにフィルムのラミネートや転写等で加飾層を設けた加飾成型品等が用いられる。   When the conductive pattern forming substrate 10 is used for a transparent touch panel, a glass plate, a PET film, or the like is used for the insulating substrate 11. Further, when the conductive pattern forming substrate 10 is used as an electrode necessary for a capacitance sensor or the like such as a capacitance input device attached to a handle of an automobile, the insulating substrate 11 is a molded product made of ABS resin or the like. Alternatively, a decorative molded product provided with a decorative layer by laminating or transferring the film is used.

例えば、導電パターン形成基板10を、押圧により上下2枚の電極膜(透明導電膜12)を接触導通させるメンブレン入力等の透明タッチパネルとして利用する場合、入力者側の絶縁基板11としては、入力者側からの外力に対して可撓しやすいもの(例えば透明樹脂フィルム)を用いることが好ましく、入力者側とは反対の画像表示装置側の絶縁基板11としては、ドットスペーサを介して導電パターン形成基板10を支持しやすい所定以上(例えば入力者側の絶縁基板11と同等以上)の硬度を有するものを用いることが好ましい。   For example, when the conductive pattern forming substrate 10 is used as a transparent touch panel such as a membrane input for bringing the two upper and lower electrode films (transparent conductive film 12) into contact with each other by pressing, the input person side insulating substrate 11 may be an input person. It is preferable to use a material that is flexible with respect to the external force from the side (for example, a transparent resin film). As the insulating substrate 11 on the image display device side opposite to the input user side, a conductive pattern is formed via a dot spacer. It is preferable to use a material having a predetermined or higher hardness that can easily support the substrate 10 (for example, equivalent to or higher than the insulating substrate 11 on the input side).

(導電部)
図3に示すように、透明導電膜12の導電部Cは、絶縁性を有する透明基体2内に導電性を有する金属からなる網状部材3を備えている。すなわち、透明導電膜12の導電部Cは、透明基体2内に、厚さ方向に垂直な面方向に沿うように展開された無機物のネットワーク部材である網状部材3が保持されて形成されている。
(Conductive part)
As shown in FIG. 3, the conductive portion C of the transparent conductive film 12 includes a mesh member 3 made of a conductive metal in a transparent base 2 having an insulating property. That is, the conductive portion C of the transparent conductive film 12 is formed in the transparent substrate 2 by holding the mesh member 3 which is an inorganic network member developed so as to extend along the surface direction perpendicular to the thickness direction. .

透明基体2を構成する絶縁体としては、透明な熱可塑性樹脂(ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン)、熱や紫外線や電子線や放射線で硬化する透明な硬化性樹脂(不飽和ポリエステル樹脂、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケート等のシリコーン樹脂)の硬化物が挙げられ、硬化前の液状の状態において網状部材3の素線(繊維)間に充填(含浸)できる点から、硬化性樹脂の硬化物が好ましい。
また、絶縁基板11と透明基体2とは、互いに同一材料又は同一系統の樹脂材料からなるものを用いることが好ましい。詳しくは、例えば絶縁基板11がPETフィルムの場合、透明基体2にはポリエステル系樹脂を使用することが好ましい。
As an insulator constituting the transparent substrate 2, a transparent thermoplastic resin (polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polymethyl methacrylate, nitrocellulose, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, vinylidene fluoride), Examples include cured products of transparent curable resins (unsaturated polyester resins, melamine acrylates, urethane acrylates, epoxy resins, polyimide resins, silicone resins such as acrylic-modified silicates) that cure with heat, ultraviolet rays, electron beams, or radiation. A cured product of a curable resin is preferable because it can be filled (impregnated) between the strands (fibers) of the mesh member 3 in the previous liquid state.
The insulating substrate 11 and the transparent substrate 2 are preferably made of the same material or the same type of resin material. Specifically, for example, when the insulating substrate 11 is a PET film, it is preferable to use a polyester-based resin for the transparent substrate 2.

網状部材3は、透明基体2内に分散されて互いに電気的に連結された複数の金属極細繊維4からなる。
詳しくは、これら金属極細繊維4同士は、絶縁基板11の表面(透明導電膜12が形成される面)の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に延在しているとともに、その少なくとも一部以上が互いに重なり合う(接触し合う)程度に密集して配置されており、このような配置によって互いに電気的に連結(接続)されている。
The mesh member 3 is composed of a plurality of metal microfibers 4 dispersed in the transparent substrate 2 and electrically connected to each other.
Specifically, these metal microfibers 4 extend irregularly in different directions along the surface direction of the surface of the insulating substrate 11 (surface on which the transparent conductive film 12 is formed), and at least one of them. They are arranged so densely that they overlap each other (contact each other), and are electrically connected (connected) to each other by such an arrangement.

これにより、網状部材3は、絶縁基板11の表面上において、導電性の2次元ネットワークを構成しており、透明導電膜12の透明基体2内において網状部材3が配置された領域は、導電部Cとされている。また、網状部材3の金属極細繊維4は、その大部分が透明導電膜12の表面(絶縁基板11とは反対側を向く表面)下に配設されるが、透明基体2内に埋設される部分と、該透明基体2の表面から突出される部分とを有している。   Thereby, the mesh member 3 constitutes a conductive two-dimensional network on the surface of the insulating substrate 11, and the region where the mesh member 3 is disposed in the transparent base 2 of the transparent conductive film 12 is a conductive portion. C. Further, most of the metal microfibers 4 of the mesh member 3 are disposed under the surface of the transparent conductive film 12 (surface facing away from the insulating substrate 11), but are embedded in the transparent substrate 2. A portion and a portion protruding from the surface of the transparent substrate 2.

金属極細繊維4としては、具体的には、銅、白金、金、銀、ニッケル等からなる金属ナノワイヤや金属ナノチューブが挙げられる。本実施形態においては、金属極細繊維4として、銀を主成分とする金属ナノワイヤ(銀ナノワイヤ)が用いられている。金属極細繊維4は、例えばその直径が0.3〜100nm程度、長さが1μm〜100μm程度に形成されている。   Specific examples of the metal ultrafine fibers 4 include metal nanowires and metal nanotubes made of copper, platinum, gold, silver, nickel, and the like. In the present embodiment, metal nanowires (silver nanowires) mainly composed of silver are used as the metal microfibers 4. The metal ultrafine fibers 4 are formed, for example, with a diameter of about 0.3 to 100 nm and a length of about 1 μm to 100 μm.

尚、網状部材3として、前述した金属極細繊維4以外の極細繊維、すなわちシリコンナノワイヤやシリコンナノチューブ、金属酸化物ナノチューブ、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリル等の繊維状部材及びその金属被覆部材が用いられるとともに、これらが分散・連結されて構成されていても構わない。   In addition, as the mesh member 3, there are ultrafine fibers other than the metal ultrafine fibers 4 described above, that is, fibrous members such as silicon nanowires, silicon nanotubes, metal oxide nanotubes, carbon nanotubes, carbon nanofibers, and graphite fibrils, and metal coated members thereof. While being used, these may be configured to be dispersed and connected.

(絶縁部)
透明導電膜12の透明基体2内において、網状部材3の少なくとも一部が除去されることにより絶縁部Iが形成されている。すなわち、図4に示すように、透明基体2には、網状部材3の金属極細繊維4が除去されることにより空隙5が複数形成されており、これら空隙5が密集するように配置された領域が、絶縁部Iとされている。
(Insulation part)
In the transparent base 2 of the transparent conductive film 12, at least a part of the mesh member 3 is removed to form the insulating portion I. That is, as shown in FIG. 4, a plurality of voids 5 are formed in the transparent substrate 2 by removing the metal microfibers 4 of the mesh member 3, and the regions are arranged so that these voids 5 are densely packed. Is the insulating part I.

空隙5は、透明基体2の表面(絶縁基板11とは反対側を向く表面)の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に延在又は点在する長穴状(長丸穴状)又は穴状(丸穴状)をそれぞれなしており、前記表面に開口する部分を有して形成されている。詳しくは、空隙5は、除去された金属極細繊維4の配置されていた位置に対応するように配置されているとともに、該金属極細繊維4の直径と略同等の直径(内径)を有し、該金属極細繊維4の長さ以下に形成されている。   The gap 5 has a long hole shape (an oblong hole shape) that irregularly extends or is scattered in different directions along the surface direction of the surface of the transparent substrate 2 (the surface facing the side opposite to the insulating substrate 11) or Each has a hole shape (round hole shape), and has a portion opening on the surface. Specifically, the gap 5 is disposed so as to correspond to the position where the removed metal microfiber 4 is disposed, and has a diameter (inner diameter) substantially equal to the diameter of the metal microfiber 4. It is formed below the length of the metal ultrafine fiber 4.

より詳しくは、1つの金属極細繊維4が完全に蒸発・除去されるか、少なくとも一部が蒸発・除去されることにより、該金属極細繊維4をその延在する方向に分割するようにして、複数の空隙5が互いに間隔をあけて形成されている。すなわち、金属極細繊維4の相当位置に対応して、互いに離間する複数の空隙5が、全体として線状をなすように延在又は点在して形成されている。尚、1つの金属極細繊維4の相当位置に対応して、空隙5が線状をなすように1つだけ形成されていてもよい。   More specifically, one metal microfiber 4 is completely evaporated / removed, or at least a part thereof is evaporated / removed so that the metal microfiber 4 is divided in the extending direction, A plurality of gaps 5 are formed at intervals. That is, a plurality of gaps 5 that are separated from each other are formed so as to extend or be scattered so as to form a linear shape as a whole, corresponding to the corresponding positions of the metal microfibers 4. Incidentally, only one gap 5 may be formed so as to form a linear shape corresponding to the corresponding position of one metal fine fiber 4.

絶縁部Iにおいては、これら空隙5が形成されることにより、導体である金属極細繊維4が除去されているとともに、前記導電性の2次元ネットワークである網状部材3が除去されて(消失して)いる。
このように、絶縁部Iにおいては、透明基体2から金属極細繊維4が除去されていることから、該透明基体2(透明導電膜12)における導電部Cと絶縁部Iとでは、互いに化学的組成が異なっている。それにも関わらず、金属極細繊維4に相当位置に対応する空隙5が存在するため、光学的な特性が互いに大きく異ならず、絶縁性と視認不可性の2つの条件を満たすことが可能となる。
In the insulating portion I, by forming these voids 5, the metal microfibers 4 that are conductors are removed, and the mesh member 3 that is the conductive two-dimensional network is removed (disappeared). )
Thus, in the insulating part I, since the metal microfibers 4 are removed from the transparent substrate 2, the conductive part C and the insulating part I in the transparent base 2 (transparent conductive film 12) are chemically different from each other. The composition is different. Nevertheless, since the gap 5 corresponding to a corresponding position exists in the metal microfiber 4, the optical characteristics are not greatly different from each other, and it is possible to satisfy the two conditions of insulation and invisibility.

(配線ライン)
配線ライン14は、透明導電膜12の導電部Cと、入力信号を検出するインターフェース回路等の検出手段(図示略)等とを電気的に接続するものである。
配線ライン14の材料としては、銀、銅等の導電性金属材料が挙げられる。
(Wiring line)
The wiring line 14 electrically connects the conductive portion C of the transparent conductive film 12 to a detection means (not shown) such as an interface circuit that detects an input signal.
Examples of the material of the wiring line 14 include conductive metal materials such as silver and copper.

(保護膜)
保護膜16は、粘着材17と樹脂フィルム18とからなり、粘着材17が絶縁基板11の側となるように設けられている。
樹脂フィルム18の材料としては、PET、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、アクリル樹脂等が挙げられる。
(Protective film)
The protective film 16 includes an adhesive material 17 and a resin film 18 and is provided so that the adhesive material 17 is on the insulating substrate 11 side.
Examples of the material of the resin film 18 include PET, polyethylene naphthalate, polycarbonate, acrylic resin, and the like.

<導電パターン形成基板の製造方法>
次に、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法について、図5〜図7を用いて説明する。尚、図5及び図6は、図1のX−X断面における作製工程を示すものである。
<Method for producing conductive pattern forming substrate>
Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate 10 of this embodiment is demonstrated using FIGS. 5 and 6 show a manufacturing process in the XX cross section of FIG.

導電パターン形成基板10の製造方法は、絶縁基板11の上に、透明基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aを形成する工程と、基礎膜aの上に、保護膜16を設ける工程と、保護膜16を設けた後に、基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、透明導電膜12とする工程と、を有する方法である。   The method of manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 includes a step of forming a base film a in which the net-like member 3 is disposed in the transparent substrate 2 on the insulating substrate 11 and a protective film 16 on the base film a. And a step of forming the gap 5 by irradiating the base film a with the laser light L and providing the transparent conductive film 12 after providing the protective film 16.

導電パターン形成基板10は、具体的には、例えば下記の工程(a)〜工程(f)を順に経て製造される。
(a)絶縁基板11の上に基礎膜aを形成する工程。
(b)画像表示領域13の基礎膜aの上にレジスト膜50を形成する工程。
(c)低抵抗配線パターン形成領域15の基礎膜aをエッチングによって除去した後、レジスト膜50を除去する工程。
(d)低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁基板11の上に、透明導電膜12の導電部Cに電気的に接続する配線ライン14を形成する工程。
(e)少なくとも基礎膜aの上に、保護膜16を設ける工程。
(f)保護膜16を設けた後に、基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、透明導電膜12とする工程。
Specifically, the conductive pattern forming substrate 10 is manufactured through the following steps (a) to (f), for example.
(A) A step of forming a base film a on the insulating substrate 11.
(B) A step of forming a resist film 50 on the base film a in the image display region 13.
(C) A step of removing the resist film 50 after removing the base film a in the low resistance wiring pattern forming region 15 by etching.
(D) A step of forming a wiring line 14 electrically connected to the conductive portion C of the transparent conductive film 12 on the insulating substrate 11 in the low resistance wiring pattern forming region 15.
(E) A step of providing the protective film 16 on at least the base film a.
(F) A step of forming the gap 5 by irradiating the base film a with the laser light L and providing the transparent conductive film 12 after providing the protective film 16.

(工程(a))
図5に示されるように、まず、絶縁基板11上の画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15に、透明基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aを形成する。基礎膜aは、前述した図3に示される透明導電膜12の導電部Cと同一の構成を有する導電性コーティング膜である。例えば、絶縁基板11上に金属極細繊維4を含むインク(液体)を塗布する過程を経て、該絶縁基板11上に金属極細繊維4が分散配置されることにより網状部材3が形成される。そして、絶縁基板11上に分散配置された金属極細繊維4同士の間に、液状の硬化性樹脂を充填した後、硬化させることで透明基体2が形成されているとともに、網状部材3は透明基体2内に固定配置される。
(Process (a))
As shown in FIG. 5, first, a base film “a” in which the mesh member 3 is disposed in the transparent substrate 2 is formed in the image display region 13 and the low-resistance wiring pattern formation region 15 on the insulating substrate 11. The base film a is a conductive coating film having the same configuration as the conductive part C of the transparent conductive film 12 shown in FIG. For example, the net member 3 is formed by dispersing and arranging the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11 through a process of applying ink (liquid) including the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11. The transparent base 2 is formed by filling a liquid curable resin between the metal microfibers 4 distributed on the insulating substrate 11 and then curing the resin, and the mesh member 3 is a transparent base. 2 is fixedly arranged.

(工程(b)〜工程(c))
次いで、フォトリソグラフィによるプロセスを用いて、絶縁基板11上の基礎膜aのうち、低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部位を除去する。
詳しくは、まず、図5に示されるように、基礎膜a上の画像表示領域13に対応する部位にレジスト膜50を形成する。
次いで、図5に示されるように、基礎膜aのうち低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部位をエッチングにより除去した後、レジスト膜50を除去する。尚、前記エッチングとしては、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれを用いても構わない。
(Step (b) to Step (c))
Next, a part corresponding to the low resistance wiring pattern formation region 15 is removed from the base film a on the insulating substrate 11 using a process by photolithography.
Specifically, first, as shown in FIG. 5, a resist film 50 is formed at a site corresponding to the image display region 13 on the base film a.
Next, as shown in FIG. 5, a portion of the base film a corresponding to the low resistance wiring pattern formation region 15 is removed by etching, and then the resist film 50 is removed. As the etching, either wet etching or dry etching may be used.

(工程(d))
図6に示されるように、低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁基板11上に、透明導電膜12の導電部Cに電気的に接続する前記配線ライン14を形成する。詳しくは、配線ライン14は、低抵抗配線パターン形成領域15における絶縁基板11上、及び、透明導電膜12の導電部C上の一部(周縁端部)に、銀や銅からなるペースト状の導電性金属材料を印刷する、又は銀や銅からなる導電性金属材料を蒸着することによって形成されている。
(Process (d))
As shown in FIG. 6, the wiring line 14 electrically connected to the conductive portion C of the transparent conductive film 12 is formed on the insulating substrate 11 in the low resistance wiring pattern forming region 15. Specifically, the wiring line 14 is a paste-like material made of silver or copper on the insulating substrate 11 in the low resistance wiring pattern forming region 15 and a part (periphery edge) on the conductive part C of the transparent conductive film 12. It is formed by printing a conductive metal material or depositing a conductive metal material made of silver or copper.

(工程(e))
次いで、図6に示されるように、少なくとも透明導電膜12上に、絶縁性の保護膜16を設ける。図示の例では、透明導電膜12及び配線ライン14を覆うように絶縁基板11上の全体に、粘着材17を介して樹脂フィルム18が設けられて、カバーフィルムとしての保護膜16が構成されている。
(Process (e))
Next, as shown in FIG. 6, an insulating protective film 16 is provided on at least the transparent conductive film 12. In the illustrated example, a resin film 18 is provided on the entire insulating substrate 11 via an adhesive material 17 so as to cover the transparent conductive film 12 and the wiring line 14, and a protective film 16 as a cover film is configured. Yes.

(工程(f))
次いで、図6に示されるように、保護膜16の側から保護膜16越しに、基礎膜aのうち画像表示領域13に対応する部位にレーザ光Lを照射することによって、空隙5を形成するとともに絶縁部Iを形成して、絶縁部Iと、絶縁部I以外の部位である導電部Cと、を備えた透明導電膜12とする。尚、絶縁基板11が透明な場合は、絶縁基板11の側から絶縁基板11越しに基礎膜aにレーザ光Lを照射しても構わない。
(Process (f))
Next, as shown in FIG. 6, the gap 5 is formed by irradiating the portion of the base film a corresponding to the image display region 13 with laser light L from the protective film 16 side through the protective film 16. In addition, an insulating portion I is formed to form a transparent conductive film 12 including the insulating portion I and a conductive portion C that is a portion other than the insulating portion I. When the insulating substrate 11 is transparent, the base film a may be irradiated with the laser light L from the insulating substrate 11 side through the insulating substrate 11.

詳しくは、これら空隙5は、網状部材3の金属極細繊維4が配置される領域にレーザ光として短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを照射して、該金属極細繊維4を蒸発・除去することにより形成されている。
金属極細繊維4からなる2次元ネットワークである網状部材3に短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを照射することによって、網状部材3の少数箇所を破壊するだけで効率よく絶縁化が可能であり、レーザ光Lの照射によって金属極細繊維4の相当位置に対応して互いに離間する複数の空隙5が存在する絶縁部Iを形成することが可能となる。
More specifically, these gaps 5 evaporate and remove the metal microfibers 4 by irradiating the region of the mesh member 3 where the metal microfibers 4 are disposed with a laser beam L which is a pulsed laser of a short pulse as a laser beam. It is formed by doing.
By irradiating the mesh member 3, which is a two-dimensional network made of the metal microfibers 4, with the laser light L that is a short pulse laser, it is possible to efficiently insulate only by destroying a small number of portions of the mesh member 3. In addition, it is possible to form the insulating portion I having a plurality of gaps 5 that are separated from each other corresponding to the corresponding positions of the metal microfibers 4 by irradiation with the laser light L.

尚、前記短パルスとは、パルス幅が300n秒以下に設定されることを指し、好ましくはパルス幅は70n秒以下に設定される。
このパルス状レーザとしては、例えばYAGレーザ又はYVOレーザを用いることができる。YAGレーザ又はYVOレーザを用いる場合、パルス幅が5〜300n秒程度の、加工機として一般に広く使用されているものが利用可能である。
The short pulse means that the pulse width is set to 300 nsec or less, and preferably the pulse width is set to 70 nsec or less.
As this pulsed laser, for example, a YAG laser or a YVO 4 laser can be used. When a YAG laser or a YVO 4 laser is used, a widely used processing machine having a pulse width of about 5 to 300 nsec can be used.

ここで、レーザ光Lを照射する製造装置40及びレーザ光Lの照射方法について、図7を参照して詳述する。
本実施形態では、画像表示領域13の基礎膜aに、短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを所定のパターンで照射する方法を用いている。
Here, the manufacturing apparatus 40 which irradiates the laser beam L and the irradiation method of the laser beam L will be described in detail with reference to FIG.
In the present embodiment, a method of irradiating the base film a in the image display region 13 with a laser beam L, which is a short pulse laser beam, in a predetermined pattern is used.

図7に示されるように、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造に用いられる製造装置40は、レーザ光Lを発生させるレーザ光発生手段41と、レーザ光Lを集光する集光手段である凸レンズ等の集光レンズ42と、上面に基礎膜a及び保護膜16が形成された絶縁基板11を載置するステージ43と、を備えている。
そして、レーザ光発生手段41から集光レンズ42を介して保護膜16の側から基礎膜aにレーザ光Lを照射して、該基礎膜aに絶縁部Iを形成するとともに導電パターンを形成する。
As shown in FIG. 7, the manufacturing apparatus 40 used for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment includes a laser light generating unit 41 that generates the laser light L and a condensing unit that collects the laser light L. A condensing lens 42 such as a convex lens, and a stage 43 on which the insulating substrate 11 having the base film a and the protective film 16 formed thereon is placed.
Then, the laser beam L is irradiated from the laser light generating means 41 through the condenser lens 42 to the base film a from the protective film 16 side, thereby forming the insulating portion I and the conductive pattern on the base film a. .

この製造装置40におけるレーザ光発生手段41としては、波長2μm未満でパルス幅が200n秒未満のレーザ光(可視光又は赤外線のレーザ光)を発生させるものが使用される。レーザ光Lのパルス幅が1〜200n秒のものを用いた場合、装置入手が容易であるとともに設備費用を低減でき、好ましい。   As the laser light generating means 41 in the manufacturing apparatus 40, one that generates laser light (visible light or infrared laser light) having a wavelength of less than 2 μm and a pulse width of less than 200 nsec is used. When the laser beam L having a pulse width of 1 to 200 nsec is used, it is easy to obtain the apparatus and reduce the equipment cost, which is preferable.

集光レンズ42の焦点Fは、基礎膜aから離れた位置に設定されている。詳しくは、集光レンズ42は、基礎膜aと集光レンズ42との間にレーザ光Lの焦点Fが位置するように配置される。すなわち、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法では、集光レンズ42(レーザ光L)の焦点Fを、加工する基礎膜aと集光レンズ42との間に配置している。   The focal point F of the condenser lens 42 is set at a position away from the base film a. Specifically, the condenser lens 42 is disposed so that the focal point F of the laser light L is located between the base film a and the condenser lens 42. That is, in the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment, the focal point F of the condenser lens 42 (laser light L) is disposed between the base film a to be processed and the condenser lens 42.

集光レンズ42としては、低い開口数(NA<0.1)のものが好ましい。すなわち、集光レンズ42の開口数がNA<0.1とされることにより、レーザ光Lの照射条件設定が容易となり、特にレーザ光Lの焦点Fが基礎膜aと集光レンズ42との間に位置することによる、該焦点Fにおける空気のプラズマ化に伴うエネルギ損失とレーザ光Lの拡散を防止することができる。   The condensing lens 42 preferably has a low numerical aperture (NA <0.1). That is, by setting the numerical aperture of the condenser lens 42 to NA <0.1, it becomes easy to set the irradiation condition of the laser light L. In particular, the focal point F of the laser light L is between the base film a and the condenser lens 42. It is possible to prevent energy loss and diffusion of the laser light L due to the air plasma at the focal point F due to being positioned in between.

さらに、基礎膜aが、例えば金属極細繊維4からなる網状部材3の繊維(素線)間に樹脂からなる透明基体2を充填(含浸)して形成されているとともに、透明樹脂フィルムからなる絶縁基板11上に設けられている場合、前述の設定によって、基礎膜aの透明基体2内に埋設された金属極細繊維4を透明基体2から確実に除去することができる。従って、所望の絶縁部Iの形状に対応して空隙5が確実に形成されることになり、例えば直線パターンのコーナ部等、従来では大きなRに設定しなければ絶縁化できなかったパターンであっても、小さなR設定で(又はRを付与せずに)絶縁化処理が確実かつ容易に実現できる。   Further, the base film a is formed by filling (impregnating) the transparent base 2 made of resin between the fibers (elementary wires) of the net-like member 3 made of, for example, the metal ultrafine fibers 4 and is made of an insulating resin made of a transparent resin film When provided on the substrate 11, the metal ultrafine fibers 4 embedded in the transparent substrate 2 of the base film a can be reliably removed from the transparent substrate 2 by the above setting. Therefore, the gap 5 is surely formed corresponding to the desired shape of the insulating portion I. For example, it is a pattern that cannot be insulated unless it is set to a large R conventionally, such as a corner portion of a linear pattern. However, the insulation process can be reliably and easily realized with a small R setting (or without providing R).

また、ステージ43は、水平方向に2次元的に移動可能に構成されている。ステージ43は、少なくとも上面側が透明な部材又は光線吸収性を有する部材で構成されていることが好ましい。
ステージ43は、絶縁基板11が透明でレーザ光Lの出力が1Wを超える場合、ナイロン系若しくはフッ素系の樹脂材料、又は、シリコーンゴム系の高分子材料を用いることが好ましい。
The stage 43 is configured to be movable two-dimensionally in the horizontal direction. The stage 43 is preferably formed of a member having a transparent upper surface or a member having light absorption.
When the insulating substrate 11 is transparent and the output of the laser beam L exceeds 1 W, the stage 43 is preferably made of a nylon-based or fluorine-based resin material or a silicone rubber-based polymer material.

このような構成とされた製造装置40を用いて、基礎膜aにレーザ光Lを照射する方法は、下記のとおりである。
まず、ステージ43の上面に、絶縁基板11を、基礎膜a及び保護膜16が該絶縁基板11の上側に配置されるように載置する。
A method of irradiating the base film a with the laser beam L using the manufacturing apparatus 40 having such a configuration is as follows.
First, the insulating substrate 11 is placed on the upper surface of the stage 43 so that the base film a and the protective film 16 are disposed above the insulating substrate 11.

次いで、レーザ光発生手段41よりレーザ光Lを出射させ、レーザ光Lを集光レンズ42により集光する。その集光したレーザ光Lの、焦点Fを過ぎてスポット径が広がった部分を保護膜16越しに基礎膜aに照射する。その際、ステージ43を、レーザ光Lの照射が所定のパターンになるように移動させる。   Next, the laser beam L is emitted from the laser beam generator 41, and the laser beam L is collected by the condenser lens 42. A portion of the condensed laser light L where the spot diameter has passed past the focal point F is irradiated to the base film a through the protective film 16. At that time, the stage 43 is moved so that the irradiation of the laser beam L has a predetermined pattern.

基礎膜aに照射するレーザ光Lのエネルギ密度及び単位面積あたりの照射エネルギは、レーザのパルス幅により異なる。
例えば、パルス幅が1〜100n秒のレーザ(YAGレーザ又はYVOレーザ)では、エネルギ密度1×1011〜7×1013W/m、単位面積あたりの照射エネルギは1×10〜1×10J/mが好ましく、1×10〜3×10J/mがより好ましい。
エネルギ密度・照射エネルギが上記数値範囲よりも小さな値に設定された場合、絶縁部Iの絶縁が不十分になるおそれがある。また、上記数値範囲よりも大きな値に設定された場合、加工痕が目立つようになり、透明タッチパネルや透明電磁波シールド等の用途では不適当となるおそれがある。
The energy density and the irradiation energy per unit area of the laser beam L irradiating the base film a vary depending on the pulse width of the laser.
For example, in a laser having a pulse width of 1 to 100 nsec (YAG laser or YVO 4 laser), the energy density is 1 × 10 11 to 7 × 10 13 W / m 2 , and the irradiation energy per unit area is 1 × 10 4 to 1. × 10 6 J / m 2 is preferable, and 1 × 10 5 to 3 × 10 5 J / m 2 is more preferable.
When the energy density / irradiation energy is set to a value smaller than the above numerical range, the insulation of the insulating portion I may be insufficient. Moreover, when it is set to a value larger than the above numerical range, processing traces become conspicuous, which may be inappropriate for applications such as a transparent touch panel and a transparent electromagnetic wave shield.

また、これらの値は、加工エリアにおけるレーザビームの出力値を、加工エリアの集光スポット面積で除することにより定義されており、簡便には、出力はレーザ発振機からの出力値に光学系の損失係数を掛けることで求められる。
また、スポット径面積Sは、下記式により定義される。
S=S×D/FL
:レンズで集光されるレーザのビーム面積
FL:レンズの焦点距離
D:基礎膜aの表面(上面)と焦点との距離
These values are defined by dividing the output value of the laser beam in the processing area by the condensing spot area of the processing area. For convenience, the output is converted into the output value from the laser oscillator by the optical system. It is obtained by multiplying by the loss factor.
The spot diameter area S is defined by the following formula.
S = S 0 × D / FL
S 0 : Beam area of laser focused by lens FL: Focal length of lens D: Distance between surface (upper surface) of base film a and focal point

尚、前述した焦点Fは、レンズ等の集光手段42で、収差が十分に小さい場合を例に説明したが、例えば、焦点距離の短い球面レンズや、保護ガラス等の収差が大きくなる要素が存在する場合には、前記焦点Fは、集光点のエネルギ密度が最も高くなる位置と定義される。   In addition, although the focus F mentioned above demonstrated the case where the aberration was sufficiently small by the condensing means 42, such as a lens, for example, a spherical lens with a short focal distance, an element that increases aberration such as a protective glass, etc. When present, the focal point F is defined as the position where the energy density of the focal point is the highest.

ここで、距離Dは、焦点距離FLの0.2%〜3%の範囲内に設定される。好ましくは、距離Dは、焦点距離FLの0.5%〜2%の範囲内に設定される。さらに望ましくは、距離Dは、焦点距離FLの0.7%〜1.5%の範囲内に設定される。距離Dが上記数値範囲に設定されることにより、絶縁部Iにおける金属極細繊維4の除去(空隙5の形成)が確実に行えるとともに電気的に高い信頼性を有する絶縁パターン(導電パターン)を形成でき、かつ、絶縁基板11の損傷に起因する加工痕を確実に防止できる。   Here, the distance D is set within a range of 0.2% to 3% of the focal length FL. Preferably, the distance D is set within a range of 0.5% to 2% of the focal length FL. More preferably, the distance D is set within a range of 0.7% to 1.5% of the focal length FL. By setting the distance D within the above numerical range, it is possible to reliably remove the metal microfibers 4 (formation of the gap 5) in the insulating portion I and to form an insulating pattern (conductive pattern) having high electrical reliability. In addition, it is possible to reliably prevent processing traces resulting from damage to the insulating substrate 11.

また、精度の高い導電パターンを形成する点では、基礎膜a上にスポットの位置を移動させながらパルス状のレーザ光Lを断続的に複数回照射することで、隣り合うスポット位置同士に重複する部分を形成することが好ましい。具体的には、断続的に3〜500回照射することが好ましく、20〜200回照射することがより好ましい。3回以上の照射であれば、より確実に絶縁化でき、500回以下であれば、レーザ光Lが照射された透明基体2部分の溶解又は蒸発による除去を防止できる。   Moreover, in the point which forms a highly accurate conductive pattern, it overlaps with adjacent spot positions by irradiating the pulsed laser beam L several times intermittently, moving the spot position on the base film a. It is preferable to form a part. Specifically, it is preferable to irradiate intermittently 3 to 500 times, and more preferably 20 to 200 times. If the irradiation is performed three times or more, the insulation can be more reliably performed. If the irradiation is performed 500 times or less, the transparent substrate 2 irradiated with the laser beam L can be prevented from being removed by dissolution or evaporation.

このように、基礎膜aにレーザ光Lを照射することにより、透明基体2内の網状部材3の少なくとも一部が除去されてなる絶縁部Iを形成して、絶縁部Iと、透明基体2内に網状部材3が配置されてなる導電部Cと、を備えた導電パターンとする。すなわち、基礎膜aにパターニングが施され、導電部Cと絶縁部Iとからなる導電パターンを備えた透明導電膜12が形成されるのである。   In this way, by irradiating the base film a with the laser light L, the insulating part I is formed by removing at least a part of the mesh member 3 in the transparent base 2, and the insulating part I and the transparent base 2 are formed. A conductive pattern including a conductive portion C in which the mesh member 3 is disposed. That is, the base film a is patterned to form the transparent conductive film 12 having a conductive pattern composed of the conductive part C and the insulating part I.

尚、上記説明においては、XYステージ等の移動式ステージ43に基礎膜aを有する絶縁基板11を載せてパターニングを行うこととしたが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、基礎膜aを有する絶縁基板11を固定状態とし、集光系部材を相対的に移動させる方法、ガルバノミラー等を用いてレーザ光Lを走査しスキャンする方法、又は、上記したもの同士を組み合わせてパターニングを行うことが可能である。   In the above description, the insulating substrate 11 having the base film a is placed on the movable stage 43 such as an XY stage for patterning. However, the present invention is not limited to this. That is, for example, a method in which the insulating substrate 11 having the base film a is fixed and the focusing system member is relatively moved, a method in which the laser light L is scanned and scanned using a galvano mirror, or the like described above Patterning can be performed by combining them.

(作用効果)
以上説明したように、本実施形態に係る導電パターン形成基板10の製造方法によれば、まず製造の初期段階で、絶縁基板11上の全体(画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15)に基礎膜aを形成している。そして、この絶縁基板11上において、操作者から視認されない低抵抗配線パターン形成領域15については、フォトリソプロセスを用いて基礎膜aを広範囲かつ迅速に除去するので、作業性がよい。
(Function and effect)
As described above, according to the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 according to this embodiment, first, the entire surface (the image display region 13 and the low-resistance wiring pattern forming region 15) on the insulating substrate 11 in the initial stage of manufacturing. The base film a is formed. On the insulating substrate 11, the low resistance wiring pattern formation region 15 that is not visually recognized by the operator is removed from the base film a in a wide range and quickly using a photolithography process, so that workability is good.

一方、絶縁基板11上において、操作者から視認される画像表示領域13については、レーザ光Lを照射することにより導電パターンを形成して、透明導電膜12としている。詳しくは、透明導電膜12の透明基体2において、導電性を有する網状部材3の配置領域が導電部Cとされ、網状部材3が除去されて形成された空隙5の配置領域が絶縁部Iとされている。すなわち、導電部Cにおいては、金属からなる網状部材3により導通が確保されており、絶縁部Iにおいては、網状部材3が除去されて形成された空隙5により電気的な絶縁状態が確実に得られるようになっている。   On the other hand, on the insulating substrate 11, the image display region 13 visually recognized by the operator is formed with a transparent conductive film 12 by forming a conductive pattern by irradiating the laser beam L. Specifically, in the transparent substrate 2 of the transparent conductive film 12, the arrangement region of the conductive mesh member 3 is the conductive portion C, and the arrangement region of the gap 5 formed by removing the mesh member 3 is the insulating portion I. Has been. That is, in the conductive part C, conduction is ensured by the mesh member 3 made of metal, and in the insulating part I, an electrical insulation state is reliably obtained by the gap 5 formed by removing the mesh member 3. It is supposed to be.

つまり、従来の透明導電膜では、透明基体2内に分散されて互いに電気的に連結された金属ナノワイヤ等からなる網状部材3が、導電部Cのみならず絶縁部Iにも残っていた(絶縁部Iに、分断された状態の網状部材3を積極的に残留させて、パターンが視認されにくいようにしていた)ことから、該絶縁部Iにおいて確実に絶縁を行うことは難しかった。
一方、本実施形態の構成によれば、絶縁部Iの網状部材3(金属極細繊維4)が空隙5に置き換わるように除去されていて、絶縁部Iと導電部Cとでは互いに化学的組成が異なっている。これにより、絶縁部Iが確実に絶縁されることから、透明導電膜12における電気的特性(性能)が安定するとともに、製品(入力装置)としての信頼性が高められている。
That is, in the conventional transparent conductive film, the mesh member 3 made of metal nanowires dispersed in the transparent substrate 2 and electrically connected to each other remains not only in the conductive part C but also in the insulating part I (insulation) Since the part of the mesh member 3 in the divided state is positively left in the part I so that the pattern is difficult to be visually recognized), it is difficult to reliably insulate the insulating part I.
On the other hand, according to the configuration of the present embodiment, the mesh member 3 (metal microfiber 4) of the insulating portion I is removed so as to replace the gap 5, and the insulating portion I and the conductive portion C have a chemical composition with each other. Is different. Thereby, since the insulation part I is insulated reliably, the electrical characteristic (performance) in the transparent conductive film 12 is stabilized, and the reliability as a product (input device) is improved.

さらに、絶縁部Iにおいては、網状部材3が除去されて該網状部材3(金属極細繊維4)に相当(対応)する形状の空隙5が形成されている。すなわち、このような空隙5が形成されていることによって、導電部Cと絶縁部Iとは、互いに色調や透明性が近似することになり、肉眼等によっては互いに判別(視認)されなくなっている。よって、絶縁部Iの幅を大きく形成しても導電パターン(配線パターン)が視認されるようなことがない。   Further, in the insulating portion I, the mesh member 3 is removed to form a void 5 having a shape corresponding to (corresponding to) the mesh member 3 (metal microfiber 4). That is, since the gap 5 is formed, the conductive portion C and the insulating portion I are similar in color tone and transparency to each other and are not discriminated (viewed) from each other by the naked eye. . Therefore, even if the width of the insulating portion I is increased, the conductive pattern (wiring pattern) is not visually recognized.

また、網状部材3は、透明基体2内に分散されて互いに電気的に連結された金属極細繊維4からなるので、この網状部材3は、市販の金属ナノワイヤや金属ナノチューブ等の金属極細繊維4を用いて比較的容易に形成できる。   Further, since the mesh member 3 is composed of metal ultrafine fibers 4 dispersed in the transparent substrate 2 and electrically connected to each other, the mesh member 3 is made of metal ultrafine fibers 4 such as commercially available metal nanowires and metal nanotubes. And can be formed relatively easily.

さらに、本実施形態のように、金属極細繊維4に銀を主成分としたものを用いた場合、該金属極細繊維4を比較的容易に入手して網状部材3として用いることができる。また、絶縁部Iの網状部材3(金属極細繊維4)をレーザ加工により除去する際に、市販の一般的なレーザ加工機で対応可能である。また、銀を主成分とする金属極細繊維4は、光線透過率が高く、かつ、表面抵抗率が低い無色透明の導電パターンを形成できることから、より好ましい。   Further, as in this embodiment, when the metal fine fiber 4 having silver as a main component is used, the metal fine fiber 4 can be obtained relatively easily and used as the mesh member 3. Moreover, when removing the mesh member 3 (metal fine fiber 4) of the insulating part I by laser processing, a commercially available general laser processing machine can be used. Further, the metal microfiber 4 mainly composed of silver is more preferable because it can form a colorless and transparent conductive pattern having a high light transmittance and a low surface resistivity.

具体的に、この導電パターン形成基板10の製造方法によれば、レーザ光Lとして、例えばYAGレーザやYVOレーザ等の一般的なパルス状レーザを用いて、精緻な導電パターンを有するとともに外観に優れた導電パターン形成基板10を容易に製造できる。 Specifically, according to the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10, a general pulsed laser such as a YAG laser or a YVO 4 laser is used as the laser light L, for example. An excellent conductive pattern forming substrate 10 can be easily manufactured.

また、基礎膜aのレーザ加工においては、集光レンズ42(レーザ光L)の焦点Fを、基礎膜aから離れた位置に設けて、詳しくは、焦点Fを基礎膜aと集光レンズ42との間に設けてレーザ光Lを照射するので、絶縁基板11に当たるレーザ光Lのスポット径は、基礎膜aに当たるレーザ光Lのスポット径より大きくなる。これにより、基礎膜aにおいてはレーザ光Lのエネルギ密度を確保して絶縁部Iを確実に形成しつつ、絶縁基板11においてはレーザ光Lのエネルギ密度を低減させて、該絶縁基板11の損傷を防止できる。   In laser processing of the base film a, the focal point F of the condenser lens 42 (laser light L) is provided at a position away from the base film a. Specifically, the focal point F is set to the base film a and the condenser lens 42. Since the laser beam L is radiated between them, the spot diameter of the laser beam L hitting the insulating substrate 11 becomes larger than the spot diameter of the laser beam L hitting the base film a. Thereby, the energy density of the laser beam L is ensured in the base film a and the insulating portion I is reliably formed, while the energy density of the laser beam L is reduced in the insulating substrate 11 to damage the insulating substrate 11. Can be prevented.

また、レーザ光Lを基礎膜a上に照射した照射スポットが、点状ではなく面状に形成されるため、基礎膜aを加工しつつも絶縁基板11に影響を与えないような照射エネルギ密度の制御が、従来の方法に比較して容易となる。さらに、基礎膜aに対して線幅の太い絶縁パターンを一括して描画することが可能になり、所謂塗りつぶし加工が容易になるとともに、前記絶縁パターンの幅を大きく取ることができることから、絶縁部Iの絶縁性が向上する。   Further, since the irradiation spot irradiated with the laser beam L on the base film a is formed in a planar shape instead of a spot shape, an irradiation energy density that does not affect the insulating substrate 11 while processing the base film a. This control becomes easier as compared with the conventional method. Furthermore, it becomes possible to draw an insulating pattern with a large line width on the base film a at once, so that the so-called filling process is facilitated and the width of the insulating pattern can be increased. The insulating property of I is improved.

また、レーザ光Lを、基礎膜a上にスポットの位置を移動させながら断続的に複数回照射するとともに、隣り合うスポットの位置同士を重複させて絶縁部Iを形成するので、高精度で電気的特性に優れ、外観の良い導電パターンを備えた透明導電膜12及び導電パターン形成基板10が得られる。   In addition, the laser beam L is intermittently irradiated a plurality of times while moving the position of the spot on the base film a, and the insulating portion I is formed by overlapping the positions of adjacent spots. The transparent conductive film 12 and the conductive pattern forming substrate 10 having a conductive pattern with excellent visual characteristics and good appearance can be obtained.

また、基礎膜aの透明基体2と絶縁基板11とが、互いに同一材料又は同一系統の樹脂材料からなる場合には、下記の効果を奏する。すなわち、基礎膜aの透明基体2におけるレーザ光Lの吸光度と、絶縁基板11におけるレーザ光Lの吸光度とが互いに略同一となることから、基礎膜aにおけるレーザ光Lのエネルギ密度を十分に確保しつつも、絶縁基板11におけるレーザ光Lのエネルギ密度を低減でき、前述した効果が確実に得られることになる。また、絶縁基板11上に基礎膜a(透明導電膜12)が強固に接着しやすくなる。   Further, when the transparent base 2 of the base film a and the insulating substrate 11 are made of the same material or the same type of resin material, the following effects are obtained. That is, since the absorbance of the laser beam L in the transparent base 2 of the base film a and the absorbance of the laser beam L in the insulating substrate 11 are substantially the same, a sufficient energy density of the laser beam L in the base film a is ensured. However, the energy density of the laser light L in the insulating substrate 11 can be reduced, and the above-described effects can be obtained with certainty. In addition, the base film a (transparent conductive film 12) is easily firmly bonded onto the insulating substrate 11.

また、網状部材3が、絶縁基板11上に金属極細繊維4を含むインク(液体)を塗布する過程を経て、該絶縁基板11上に金属極細繊維4が分散配置されることにより形成されている。また、このように絶縁基板11上に分散配置された金属極細繊維4同士の間に、液状の透明基体2(液状部材)を充填した後硬化させることにより、網状部材3は透明基体2内に保持されるので、下記の効果を奏する。すなわち、絶縁基板11上の基礎膜a内に、網状部材3を容易に設けることができるとともに、該網状部材3を構成する金属極細繊維4同士が電気的に確実に連結されて、導電部Cの電気的特性が安定する。また、網状部材3が透明基体2により安定して保持されるので、前述の電気的特性が長寿命化する。   Further, the net-like member 3 is formed by dispersing and arranging the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11 through a process of applying ink (liquid) including the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11. . In addition, by filling the liquid transparent substrate 2 (liquid member) between the metal ultrafine fibers 4 dispersed and arranged on the insulating substrate 11 in this way and then curing, the mesh member 3 is placed in the transparent substrate 2. Since it is held, the following effects are produced. That is, the mesh member 3 can be easily provided in the base film a on the insulating substrate 11, and the metal microfibers 4 constituting the mesh member 3 are electrically and reliably connected to each other, so that the conductive portion C The electrical characteristics of are stable. In addition, since the mesh member 3 is stably held by the transparent substrate 2, the above-described electrical characteristics extend the life.

また、配線ライン14が、導電性金属材料を印刷又は蒸着し形成されているので、該配線ライン14が透明導電膜12の導電部Cと外部回路とを低抵抗に確実に接続して、電気的な信頼性が確保されている。また、配線ライン14が目視で確認できるので、製造時の異常等について容易かつ早期に発見できる。   In addition, since the wiring line 14 is formed by printing or vapor-depositing a conductive metal material, the wiring line 14 reliably connects the conductive portion C of the transparent conductive film 12 and the external circuit with a low resistance. Reliability is ensured. In addition, since the wiring line 14 can be visually confirmed, it is possible to easily and quickly find out abnormalities during manufacturing.

また、少なくとも透明導電膜12上に、絶縁性の保護膜16が設けられているので、該透明導電膜12が外気、水分に接触するようなことがなく、この接触によるマイグレーションや劣化を確実に防止できる。本実施形態のように、保護膜16を絶縁基板11上の全域に設けた場合には、透明導電膜12のみならず配線ライン14のマイグレーションや劣化をも防止できより好ましい。   Moreover, since the insulating protective film 16 is provided at least on the transparent conductive film 12, the transparent conductive film 12 does not come into contact with the outside air and moisture, and migration and deterioration due to this contact are ensured. Can be prevented. When the protective film 16 is provided over the entire area on the insulating substrate 11 as in the present embodiment, it is more preferable because migration and deterioration of the wiring line 14 as well as the transparent conductive film 12 can be prevented.

そして、基礎膜aの上に保護膜16を設けた後に、基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、透明導電膜12としているので、基礎膜aの表面から露出した金属極細繊維4が外気に触れる時間を極力短くできる。そのため、レーザ光Lを照射している間に基礎膜aの金属極細繊維4が外気によって劣化することなく、最終的に得られる透明導電膜12の導電部Cの導電性の低下が抑えられる。   And after providing the protective film 16 on the base film a, since the space | gap 5 was formed by irradiating the base film a with the laser beam L, and it is set as the transparent conductive film 12, it exposed from the surface of the base film a The time during which the metal microfibers 4 are exposed to the outside air can be shortened as much as possible. Therefore, the metal ultrafine fiber 4 of the base film a is not deteriorated by the outside air while the laser beam L is irradiated, and the decrease in the conductivity of the conductive portion C of the finally obtained transparent conductive film 12 is suppressed.

このように、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方によれば、低抵抗配線パターン形成領域15の形成に手間がかからず製造が容易であり、画像表示領域13においては導電パターンが視認されにくく外観に優れた高品位な透明導電膜12を形成できるとともに、該透明導電膜12の絶縁部Iの絶縁性が十分に確保され、電気的な信頼性が向上し、しかも該透明導電膜12の導電部Cの導電性の低下も抑えられるのである。   As described above, according to the method of manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment, the low resistance wiring pattern forming region 15 does not require time and effort, and the manufacturing is easy. It is possible to form a high-quality transparent conductive film 12 that is difficult to be visually recognized and has an excellent appearance, and the insulation of the insulating portion I of the transparent conductive film 12 is sufficiently ensured to improve the electrical reliability. A decrease in the conductivity of the conductive portion C of the film 12 can also be suppressed.

〔第2実施形態〕
次に、本発明の第2実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法について、図8〜図10を参照して説明する。尚、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same member as above-mentioned embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

<導電パターン形成基板>
図8に示されるように、導電パターン形成基板10は、透明な絶縁基板11上に、導電部C及び絶縁部Iを有する透明導電膜12が形成された画像表示領域13(表示領域)と、配線ライン14が形成された低抵抗配線パターン形成領域15(配線領域)と、画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15の表面を被覆する保護膜19と、を備えている。
<Conductive pattern forming substrate>
As shown in FIG. 8, the conductive pattern forming substrate 10 includes an image display region 13 (display region) in which a transparent conductive film 12 having a conductive portion C and an insulating portion I is formed on a transparent insulating substrate 11; A low resistance wiring pattern formation region 15 (wiring region) in which the wiring lines 14 are formed, and a protective film 19 that covers the surface of the image display region 13 and the low resistance wiring pattern formation region 15 are provided.

(保護膜)
保護膜19としては、紫外線、熱、電子線、放射線等により硬化する性質の硬化性樹脂の硬化物からなる膜、SiOからなる膜等が挙げられる。
保護膜19を設けることにより、前述した保護膜16と同様に、透明導電膜12が外気、水分に接触するようなことがなく、この接触によるマイグレーションや劣化を確実に防止できる。
(Protective film)
Examples of the protective film 19 include a film made of a cured product of a curable resin having a property of being cured by ultraviolet rays, heat, electron beam, radiation, and the like, a film made of SiO 2 and the like.
By providing the protective film 19, the transparent conductive film 12 does not come into contact with the outside air or moisture as in the protective film 16 described above, and migration and deterioration due to this contact can be reliably prevented.

<導電パターン形成基板の製造方法>
導電パターン形成基板10の製造方法は、絶縁基板11の上に、透明基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aを形成する工程と、基礎膜aの上に、保護膜19を設ける工程と、保護膜19を設けた後に、基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、透明導電膜12とする工程と、を有する方法である。
<Method for producing conductive pattern forming substrate>
The method of manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 includes a step of forming a base film a on which the mesh member 3 is disposed in the transparent substrate 2 on the insulating substrate 11, and a protective film 19 on the base film a. And a step of forming the gap 5 by irradiating the base film a with the laser light L and providing the transparent conductive film 12 after providing the protective film 19.

導電パターン形成基板10は、具体的には、例えば下記の工程(a)〜工程(f)を順に経て製造される。
(a)絶縁基板11の上に基礎膜aを形成する工程。
(b)画像表示領域13の基礎膜aの上にレジスト膜50を形成する工程。
(c)低抵抗配線パターン形成領域15の基礎膜aをエッチングによって除去した後、レジスト膜50を除去する工程。
(d)低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁基板11の上に、透明導電膜12の導電部Cに電気的に接続する配線ライン14を形成する工程。
(e)少なくとも基礎膜aの上に、保護膜19を設ける工程。
(f)保護膜19を設けた後に、基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、透明導電膜12とする工程。
Specifically, the conductive pattern forming substrate 10 is manufactured through the following steps (a) to (f), for example.
(A) A step of forming a base film a on the insulating substrate 11.
(B) A step of forming a resist film 50 on the base film a in the image display region 13.
(C) A step of removing the resist film 50 after removing the base film a in the low resistance wiring pattern forming region 15 by etching.
(D) A step of forming a wiring line 14 electrically connected to the conductive portion C of the transparent conductive film 12 on the insulating substrate 11 in the low resistance wiring pattern forming region 15.
(E) A step of providing a protective film 19 on at least the base film a.
(F) A step of forming the gap 5 by irradiating the base film a with the laser light L and providing the transparent conductive film 12 after providing the protective film 19.

(工程(a))
図9に示されるように、まず、絶縁基板11上の画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15に、透明基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aを形成する。
(Process (a))
As shown in FIG. 9, first, a base film “a” in which the mesh member 3 is disposed in the transparent substrate 2 is formed in the image display region 13 and the low resistance wiring pattern forming region 15 on the insulating substrate 11.

(工程(b)〜工程(c))
次いで、フォトリソグラフィによるプロセスを用いて、絶縁基板11上の基礎膜aのうち、低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部位を除去する。
詳しくは、まず、図9に示されるように、基礎膜a上の画像表示領域13に対応する部位にレジスト膜50を形成する。
次いで、図9に示されるように、基礎膜aのうち低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部位をエッチングにより除去した後、レジスト膜50を除去する。
(Step (b) to Step (c))
Next, a part corresponding to the low resistance wiring pattern formation region 15 is removed from the base film a on the insulating substrate 11 using a process by photolithography.
Specifically, first, as shown in FIG. 9, a resist film 50 is formed at a site corresponding to the image display region 13 on the base film a.
Next, as shown in FIG. 9, the portion corresponding to the low resistance wiring pattern formation region 15 in the base film a is removed by etching, and then the resist film 50 is removed.

(工程(d))
次いで、図10に示されるように、低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁基板11上に、透明導電膜12の導電部Cに電気的に接続するように前記配線ライン14を形成する。
(Process (d))
Next, as shown in FIG. 10, the wiring line 14 is formed on the insulating substrate 11 in the low resistance wiring pattern forming region 15 so as to be electrically connected to the conductive portion C of the transparent conductive film 12.

(工程(e))
次いで、図10に示されるように、少なくとも透明導電膜12上に、絶縁性の保護膜19を設ける。
硬化性樹脂の硬化物からなる保護膜19は、例えば、透明導電膜12上に、液状の硬化性樹脂を塗工し、硬化して形成できる。
SiOからなる保護膜19は、例えば、透明導電膜12上に、SiOをスパッタリングして形成できる。
(Process (e))
Next, as shown in FIG. 10, an insulating protective film 19 is provided on at least the transparent conductive film 12.
The protective film 19 made of a cured product of a curable resin can be formed by, for example, applying a liquid curable resin on the transparent conductive film 12 and curing it.
Protective film 19 made of SiO 2, for example, the transparent conductive film 12 on, can be formed by sputtering a SiO 2.

(工程(f))
次いで、図10に示されるように、保護膜19の側から保護膜19越しに、基礎膜aのうち画像表示領域13に対応する部位にレーザ光Lを照射することにより、空隙5を形成するとともに絶縁部Iを形成して、絶縁部Iと、絶縁部I以外の部位である導電部Cと、を備えた透明導電膜12とする。尚、絶縁基板11が透明な場合は、絶縁基板11の側から絶縁基板11越しに基礎膜aにレーザ光Lを照射しても構わない。
(Process (f))
Next, as shown in FIG. 10, the gap 5 is formed by irradiating the portion of the base film a corresponding to the image display region 13 with the laser light L from the protective film 19 side through the protective film 19. In addition, an insulating portion I is formed to form a transparent conductive film 12 including the insulating portion I and a conductive portion C that is a portion other than the insulating portion I. When the insulating substrate 11 is transparent, the base film a may be irradiated with the laser light L from the insulating substrate 11 side through the insulating substrate 11.

(作用効果)
本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法によれば、前述した第1実施形態と同様の作用効果が得られる。
(Function and effect)
According to the manufacturing method of the conductive pattern formation substrate 10 of this embodiment, the same effect as 1st Embodiment mentioned above is acquired.

〔他の実施形態〕
尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、前述の実施形態では、絶縁基板11が透明であることとしたが、絶縁基板11にある程度の透明性を有した着色が施されていても構わない。
Other Embodiment
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above-described embodiment, the insulating substrate 11 is transparent. However, the insulating substrate 11 may be colored with a certain degree of transparency.

また、網状部材3は、透明基体2内に分散されて互いに電気的に連結された複数の金属極細繊維4からなることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、網状部材3は、例えば、導電性を有する金属膜をエッチング等により格子状に形成してなるワイヤグリッドであることとしてもよい。   Further, although the net member 3 is composed of a plurality of metal ultrafine fibers 4 dispersed in the transparent substrate 2 and electrically connected to each other, the present invention is not limited to this. That is, the net member 3 may be a wire grid formed by forming a conductive metal film in a grid pattern by etching or the like.

また、導電パターン形成基板10には、粘着、反射防止、ハードコート及びドットスペーサ等の機能層を任意で付加することとしてもよい。
特に、YAGレーザやYVOレーザの基本波等の波長が1000nm近辺のレーザを用いるとともに、上記機能層として、アクリル系高分子素材を使用する場合には、外観特性の観点から、レーザ照射後に機能層を設けることが好ましい。
In addition, functional layers such as adhesive, antireflection, hard coat, and dot spacer may be optionally added to the conductive pattern forming substrate 10.
In particular, when using a laser having a wavelength of about 1000 nm, such as a fundamental wave of a YAG laser or a YVO 4 laser, and using an acrylic polymer material as the functional layer, it functions after laser irradiation from the viewpoint of appearance characteristics. It is preferable to provide a layer.

また、前述の実施形態では、透明導電膜形成工程において、レーザ光Lの焦点Fを基礎膜aと集光レンズ42との間に配置することとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、レーザ光Lの照射によって、透明基体2内の網状部材3が除去されることにより空隙5が形成されればよいことから、この条件を満たすものであれば、例えば焦点Fを基礎膜a上に配置しても構わない。   In the above-described embodiment, the focal point F of the laser light L is arranged between the base film a and the condenser lens 42 in the transparent conductive film forming step, but the present invention is not limited to this. That is, it is only necessary to form the gap 5 by removing the mesh member 3 in the transparent substrate 2 by the irradiation of the laser beam L. Therefore, if this condition is satisfied, for example, the focal point F is set to the base film a. You may arrange on top.

また、前述の実施形態では、YAGレーザ又はYVOレーザを用いて基礎膜aにレーザ光Lを照射することとしたが、レーザ加工装置の種類は前述のものに限定されない。すなわち、レーザ光Lの照射によって前記空隙5を形成できるものであればよいことから、YAGレーザ及びYVOレーザ以外の周知のレーザ加工装置を用いても構わない。 In the above-described embodiment, the base film a is irradiated with the laser light L using a YAG laser or a YVO 4 laser. However, the type of the laser processing apparatus is not limited to the above. That is, any laser processing apparatus other than the YAG laser and the YVO 4 laser may be used as long as the gap 5 can be formed by irradiation with the laser beam L.

また、保護膜16、保護膜19は、前述の実施形態で説明したものに限定されない。例えば、保護膜16、保護膜19をハードコート層としても構わない。   Further, the protective film 16 and the protective film 19 are not limited to those described in the above embodiment. For example, the protective film 16 and the protective film 19 may be used as a hard coat layer.

その他、本発明の前述の実施形態等で説明した構成要素を、適宜組み合わせても構わない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、前述の構成要素を周知の構成要素に置き換えることも可能である。   In addition, you may combine suitably the component demonstrated by the above-mentioned embodiment etc. of this invention. In addition, the above-described components can be replaced with well-known components without departing from the spirit of the present invention.

以下、実施例を示す。尚、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Examples are shown below. The present invention is not limited to these examples.

〔製造例1〕
厚さ75μmのPETフィルム(ルミラーS10 #75、東レ株式会社製)に、Cambrios社のOhm(商品名)インク(線径50nm程度、長さ15μm程度の銀繊維を含む混合液)を塗布し、乾燥した後、紫外線硬化性のポリエステル樹脂インクを上塗りして、乾燥・紫外線処理を施した。これにより、PETフィルム上に銀繊維からなる導電性の2次元ネットワークを有する基礎膜aを形成した。さらに、基礎膜aの上に、粘着材17付きの厚さ50μmのPETフィルムを貼着し、前駆体基板Aを得た。
[Production Example 1]
On a 75 μm-thick PET film (Lumirror S10 # 75, manufactured by Toray Industries, Inc.), an Ohm (trade name) ink from Cambrios (a mixed solution containing silver fibers having a wire diameter of about 50 nm and a length of about 15 μm) is applied. After drying, a UV curable polyester resin ink was overcoated, followed by drying and UV treatment. Thereby, the base film a having a conductive two-dimensional network made of silver fibers was formed on the PET film. Furthermore, a 50 μm-thick PET film with an adhesive material 17 was stuck on the base film a to obtain a precursor substrate A.

〔実施例1〕
本実施例では、レーザ光照射装置として、ガルバノミラーを備えたYVO基本波のレーザ加工機(キーエンス社製、MD−V9920)を使用した。
製造例1の前駆体基板Aを厚さ5mmのポリアセタール製ステージの上に載置し、下記照射条件でレーザ光Lを照射して、絶縁パターンを設けた。
焦点から前駆体基板Aまでの距離:0mm
出力:30%
移動速度:600mm/秒
発振周波数:100kHz
[Example 1]
In this example, a YVO 4 fundamental wave laser processing machine (manufactured by Keyence Corporation, MD-V9920) equipped with a galvanometer mirror was used as the laser beam irradiation apparatus.
Precursor substrate A of Production Example 1 was placed on a polyacetal stage having a thickness of 5 mm, and irradiated with laser light L under the following irradiation conditions to provide an insulating pattern.
Distance from focal point to precursor substrate A: 0 mm
Output: 30%
Movement speed: 600mm / sec Oscillation frequency: 100kHz

これにより、絶縁部Iが視認不能な導電パターン形成基板を得た。隣接する導電部C同士の電気抵抗は1MΩ以上であり、絶縁部Iの絶縁性が十分に確保されていた。また、導電部Cにおける電気抵抗は100Ω以下であり、導電部Cの導電性も十分に確保されていた。   Thereby, the conductive pattern formation board | substrate with which the insulation part I was invisible was obtained. The electric resistance between the adjacent conductive parts C was 1 MΩ or more, and the insulation of the insulating part I was sufficiently ensured. Moreover, the electrical resistance in the conductive part C was 100Ω or less, and the conductivity of the conductive part C was sufficiently ensured.

2 透明基体
3 網状部材
4 金属極細繊維
5 空隙
10 導電パターン形成基板
11 絶縁基板
12 透明導電膜
16 保護膜
19 保護膜
a 基礎膜
C 導電部
I 絶縁部
L レーザ光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Transparent base | substrate 3 Net-like member 4 Metal microfiber 5 Space | gap 10 Conductive pattern formation board | substrate 11 Insulation board | substrate 12 Transparent conductive film 16 Protective film 19 Protective film a Base film C Conductive part I Insulating part L Laser beam

Claims (3)

絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に設けられ、絶縁性を有する透明基体内に導電性を有する金属からなる網状部材が配置される導電部、及び前記透明基体内の前記網状部材が除去されることにより形成された空隙が配置される絶縁部を有する透明導電膜と、
前記透明導電膜の上に設けられた絶縁性の保護膜と、
を備えた導電パターン形成基板を製造する方法であって、
前記絶縁基板の上に、前記透明基体内に前記網状部材が配置される基礎膜を形成する工程と、
前記基礎膜の上に、前記保護膜を設ける工程と、
前記保護膜を設けた後に、前記基礎膜にレーザ光を照射することによって前記空隙を形成し、前記透明導電膜とする工程と、
を有する、導電パターン形成基板の製造方法。
An insulating substrate;
A conductive portion provided on the insulating substrate, in which a mesh member made of conductive metal is disposed in an insulating transparent substrate, and the mesh member in the transparent substrate is removed. A transparent conductive film having an insulating part in which a gap is disposed;
An insulating protective film provided on the transparent conductive film;
A method for producing a conductive pattern forming substrate comprising:
Forming a base film on the insulating substrate on which the mesh member is disposed in the transparent substrate;
Providing the protective film on the base film;
Forming the voids by irradiating the base film with laser light after providing the protective film, thereby forming the transparent conductive film;
The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which has this.
前記保護膜が、粘着材と樹脂フィルムとからなり、前記粘着材が前記絶縁基板の側となるように設けられている、請求項1に記載の導電パターン形成基板の製造方法。The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of Claim 1 with which the said protective film consists of an adhesive material and a resin film, and the said adhesive material is provided so that it may become the said insulating substrate side. 前記保護膜が、硬化性樹脂の硬化物からなる膜またはSiOThe protective film is a film made of a cured product of a curable resin or SiO 2 からなる膜である、請求項1に記載の導電パターン形成基板の製造方法。The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of Claim 1 which is a film | membrane consisting of.
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