JP2013012539A - Crimp apparatus and crimp method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧着装置および圧着方法に関し、特に、積層された複数の部材を含むワークをクランプして、各部材を圧着する圧着装置および圧着方法に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a crimping apparatus and a crimping method, and more particularly to a technique effectively applied to a crimping apparatus and a crimping method for clamping a workpiece including a plurality of stacked members and crimping each member.
特開2000−100837号公報(特許文献1)には、複数の半導体チップを一連のリードフレームに実装する装置において、半導体チップを順次一個ずつリードフレームに仮熱圧着し、仮熱圧着された複数の半導体チップをリードフレームに一括で本熱圧着する技術が開示されている。 In Japanese Patent Laid-Open No. 2000-1000083 (Patent Document 1), in an apparatus for mounting a plurality of semiconductor chips on a series of lead frames, a plurality of semiconductor chips are temporarily thermocompression bonded to the lead frame one by one, and preliminarily thermocompression bonded. A technique is disclosed in which the semiconductor chips are thermally bonded together in a lead frame.
電子部品(例えば半導体チップ)を基板(例えば配線基板)に実装する場合、電子部品の接続端子(例えば接続バンプ)と基板の接続端子(例えば接続パッド)は、確実に電気的に接続されている必要がある。また、接続端子間を保護し、電気的に分離するために、電子部品と基板との間には絶縁樹脂(例えば接着層)を設けて接続信頼性を確保する場合もある。なお、接続バンプとしては、例えば、はんだバンプ、金バンプなどの金属バンプが用いられ、また、接続パッドとしては、例えば、銅またはその合金などの金属パッドが用いられる。また、接着層としては、例えば、NCF(Non Conductive Film)やNCP(Non Conductive Paste)が用いられる。 When an electronic component (for example, a semiconductor chip) is mounted on a substrate (for example, a wiring substrate), the connection terminals (for example, connection bumps) of the electronic component and the connection terminals (for example, connection pads) of the substrate are reliably electrically connected. There is a need. In addition, in order to protect and electrically isolate the connection terminals, an insulating resin (for example, an adhesive layer) may be provided between the electronic component and the substrate to ensure connection reliability. For example, metal bumps such as solder bumps and gold bumps are used as the connection bumps, and metal pads such as copper or an alloy thereof are used as the connection pads. As the adhesive layer, for example, NCF (Non Conductive Film) or NCP (Non Conductive Paste) is used.
例えば、接着層を介して配線基板上に複数の半導体チップが積層され、仮圧着(仮接合)されたワークに対して、配線基板と複数の半導体チップとを一括で本圧着(本接合)する場合、配線基板の接続パッドと電気的に接続される半導体チップの接続バンプを溶融するまで加熱した後、加圧する必要がある。 For example, a plurality of semiconductor chips are stacked on a wiring board via an adhesive layer, and the wiring board and the plurality of semiconductor chips are collectively pressure-bonded (finally bonded) to a work that has been temporarily pressure-bonded (temporarily bonded). In this case, it is necessary to heat and pressurize the connection bumps of the semiconductor chip that are electrically connected to the connection pads of the wiring board until they melt.
しかしながら、例えば、接続バンプが溶融するまでの時間より、接着層が硬化するまでの時間の方が短い場合には、接続バンプと接続パッドとが電気的に接続(接合)される前に接着層が硬化してしまい、接続不良(例えば接続端子間の未接続など)を起こすおそれがある。また、ワークに対する加熱時間が長くなると、接着層によっては予め混入している微細な空気が加熱により膨張あるいは発泡して、接続不良(例えば配線基板から半導体チップの剥離など)を引き起こすおそれもある。 However, for example, when the time until the adhesive layer is hardened is shorter than the time until the connection bump melts, the adhesive layer is connected before the connection bump and the connection pad are electrically connected (joined). May harden and cause poor connection (for example, no connection between connection terminals). In addition, when the heating time for the workpiece becomes long, depending on the adhesive layer, fine air mixed in advance may expand or foam due to heating, which may cause connection failure (for example, peeling of the semiconductor chip from the wiring board).
本発明の目的は、積層された複数の部材の接続信頼性を向上することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The objective of this invention is providing the technique which can improve the connection reliability of the laminated | stacked several member. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態における圧着装置は、積層された複数の部材を含むワークをクランプして、各部材を圧着する圧着装置であって、前記ワークを挟み込んでクランプする上クランパ部および下クランパ部が対向して設けられ、前記上クランパ部は、冷却部および加熱部を有し、前記クランプ面に押し当てられた前記ワークを加熱するように前記冷却部および前記加熱部で温度調節を行い、前記下クランパ部は、支持ブロックおよび当該支持ブロックから起立して並べられた複数の支持ロッドを有して、前記複数の支持ロッドの先端で前記ワークをフローティング支持したまま前記上クランパ部の前記クランプ面に押し当てるものである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows. A crimping apparatus according to an embodiment of the present invention is a crimping apparatus that clamps a workpiece including a plurality of stacked members and crimps each member, and includes an upper clamper portion and a lower clamper portion that sandwich and clamp the workpiece Are provided facing each other, the upper clamper section has a cooling section and a heating section, and adjusts the temperature in the cooling section and the heating section so as to heat the workpiece pressed against the clamping surface, The lower clamper portion includes a support block and a plurality of support rods arranged upright from the support block, and the clamp of the upper clamper portion is supported by floating the workpieces at the tips of the support rods. It presses against the surface.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。この一実施形態によれば、積層された複数の部材の接続信頼性を向上することができる。 Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows. According to this embodiment, the connection reliability of a plurality of stacked members can be improved.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof may be omitted.
本実施形態における圧着装置は、積層された複数の部材を含むワークを、対向して設けられた上クランパ部および下クランパ部で挟み込んでクランプして、各部材を圧着する。 The crimping apparatus according to this embodiment clamps each member by clamping a workpiece including a plurality of stacked members by sandwiching and clamping the workpiece between an upper clamper portion and a lower clamper portion that are provided to face each other.
まず、本実施形態におけるワークについて図6〜図8を参照して説明する。図6〜図8にクランプ前からクランプ後の状態のワークWの要部を示す。 First, the workpiece | work in this embodiment is demonstrated with reference to FIGS. The main part of the workpiece | work W of the state after clamping from before clamping to FIGS. 6-8 is shown.
ワークWは、積層された複数の部材として、配線基板2上に半導体チップ3が積層されたものである。配線基板2上には複数の半導体チップ3が整列して設けられているが、図6〜図8では、説明を明解にするために、要部として配線基板2上の一つの半導体チップ3を示している。
The workpiece W is obtained by stacking the
図6に示すワークWは、絶縁層8(例えばソルダレジスト)から露出する複数の接続パッド5(例えば銅パッド)と対応する複数の接続バンプ6(例えばはんだバンプ)とが位置合わせされて、配線基板2上に接着層4(例えばNCFまたはNCP)を介して半導体チップ3が仮圧着(仮接合)された状態である。図7に示すワークWは、対応する接続パッド5と接続バンプ6とが当接した状態である。図8に示すワークWは、対応する接続パッド5と接続バンプ6とが電気的に接合(フリップチップ接合)されて、配線基板2上に接着層4を介して半導体チップ3が圧着された状態である。
In the work W shown in FIG. 6, a plurality of connection pads 5 (for example, copper pads) exposed from the insulating layer 8 (for example, solder resist) and a plurality of corresponding connection bumps 6 (for example, solder bumps) are aligned. In this state, the
次に、本実施形態における圧着装置を図1〜図3などを参照して説明する。図1〜図3に一連の動作状態の圧着装置1を示す。
Next, the crimping apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3 show the
圧着装置1は、上下方向(型開閉方向)に対向して設けられワークWを挟み込む上型11および下型12を含んで構成されている。上型11が可動プラテン13の中央部に固定して組み付けられ、下型12が固定プラテン14の中央部に固定して組み付けられている。可動プラテン13および固定プラテン14は、それぞれの外周部で複数のタイバー15によって接続され、例えば可動プラテン13および固定プラテン14が矩形板状であればその四隅で接続されている。また、固定プラテン14はタイバー15に固定され、可動プラテン13はタイバー15で摺動されるように構成されている。また、可動プラテン13および固定プラテン14は、互いに対向する面の平行度が保たれるように構成されている。なお、これら可動プラテン13、固定プラテン14およびタイバー15で構成される筐体部はダイセットとも呼ばれる。
The
可動プラテン13は、駆動部19(例えば、シリンダ)により昇降可能(上下動可能)である。これにより、下型12に対して上型11が昇降可能となる。可動プラテン13および固定プラテン14の上下の位置関係により、上型11および下型12が離間して型開きした状態で、上型11および下型12の間にワークWが供給(搬入)される(図1参照)。また、上型11および下型12が近接して型閉じした状態では、密閉空間16(チャンバ)が形成される(図2、図3参照)。なお、可動プラテン13および固定プラテン14の互いに対向する面の平行度が保たれているので、上型11および下型12も、互いに対向する面の平行度が保たれるように構成される。
The
このような上型11において、圧着装置1は、上クランパ部27と、上シール部42とを備えている。また、下型12において、圧着装置1は、下クランパ部28と、レベリング部29と、押動ブロック30(押動部)と、ガイド部26と、下シール部43とを備えている。さらに、圧着装置1は、上型11および下型12の外部に、圧力調節部47を備えている。
In such an
上クランパ部27および下クランパ部28は、対向して設けられ、本実施形態では、上クランパ部27に対して下クランパ部28が昇降可能となるような構成とし、上クランパ部27および下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプするものである。下クランパ部28は、押動ブロック30の下方に設けられたエアシリンダ等で構成される駆動部(図示せず)により昇降可能である。
The
上シール部42および下シール部43は、対向して設けられ、互いが当接して密閉空間16(図2、図3参照)を形成するものである。この上シール部42および下シール部43は、上クランパ部27および下クランパ部28のそれぞれを内包して具備している。また、下シール部43は、レベリング部29、押動ブロック30およびガイド部26を内包して具備している。
The
押動ブロック30は、上クランパ部27に対して下クランパ部28を昇降(上下動)する際に不図示の駆動部によって押し上げられる。また、レベリング部29は、下クランパ部28と押動ブロック30との間に設けられ、後述するスペーサブロック22の下面や上ベースブロック21のクランプ面27aに対して下クランパ部28のクランプ面28aを平行に維持しながらスムーズに昇降させるために設けられている。また、ガイド部26は、下クランパ部28が昇降する際のガイドをするものである。また、圧力調節部47は、密閉空間16内に充填される例えば圧縮空気の圧力を調節するものである。なお、押動ブロック30、レベリング部29およびガイド部26を含む機構は、下クランパ部28を平行に昇降させるので平行昇降機構ともいう。
The
これら上クランパ部27、下クランパ部28、上シール部42、下シール部43、レベリング部29、押動ブロック30、ガイド部26、圧力調節部47の詳細を説明する前に、まず、上型11および下型12の構成部材について概略する。
Before describing the details of the
上型11は、固定ブロック17、複数のポスト18(ポスト状のブロック)、上ベースブロック21、スペーサブロック22および上シールブロック23を有している。これらブロックは、例えば合金工具鋼からなる。可動プラテン13下には、固定ブロック17が固定して組み付けられている。この固定ブロック17下には、下方に起立するように複数のポスト18が並べられて、固定して組み付けられている。この複数のポスト18の先端面で、上ベースブロック21が固定して組み付けられている。この上ベースブロック21の下面側外周部には、貫通孔23aが形成された筒状の上シールブロック23が固定して組み付けられている。また、この上ベースブロック21の下面側中央部には、スペーサブロック22が固定して組み付けられている。
The
また、下型12は、下ベースブロック24および下シールブロック25を有している。これらブロックは、例えば合金工具鋼からなる。固定プラテン14上には、貫通孔24aが形成された筒状の下ベースブロック24が固定して組み付けられている。この下ベースブロック24の上面側外周部には、貫通孔24aと連通し、それより内径の大きい貫通孔25aが形成された筒状の下シールブロック25が固定して組み付けられている。なお、この下シールブロック25の貫通孔25a内に筒状のガイド部26が同心状に嵌め込まれて下ベースブロック24の上面内周側に固定して組み付けられている。
The
上クランパ部27は、下クランパ部28と共に、ワークWを挟み込んでクランプ(加熱加圧)するものである。この上クランパ部27は、上ベースブロック21の中央部に設けられている。この上クランパ部27は、上クランパ部27のクランプ面27a側から遠ざかる方向に複数の温度センサ31、冷却部32および加熱部33がこの順に上ベースブロック21に配設(内蔵)され、クランプしたワークW(図3参照)に対して温度調節を行うものである。すなわち、上クランパ部27は、クランプしたワークWに対して温度調節を行ために、クランプ面27a側に設けられた冷却部32と、クランプ面27a側から冷却部32より遠ざかって設けられた加熱部33とを有する温度調節機構を備えている。このように、上クランパ部27は、ワークWに対して加熱加圧するものである。
The
本実施形態では、スペーサブロック22がワークWを直接クランプするが、上ベースブロック21の中央部にクランプ面27aが形成されているものとして説明する。なぜならば、スペーサブロック22は、ワークWの厚さに応じて調整して設けられるものであり、ワークWの厚さによっては不要な場合もあるからである。
In the present embodiment, the
上クランパ部27が有する加熱部33は、加熱能力を向上するために、上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設(延在)する複数のヒータ35を有している。ヒータ35の加熱能力は、上ベースブロック21などの部材が有する熱容量を考慮し、半導体チップ3の接続バンプ6(はんだ)を溶融する温度であって、かつ、接着層4(NCFまたはNCP)を加熱硬化する温度を、クランプしたワークWに加えられることが必要である。本実施形態で用いるはんだの融点は例えば250〜260℃程度である。また、NCFやNCPの融点は例えば200℃〜260℃程度であり、所定時間加熱加圧されることで硬化する。
The
上クランパ部27が有する冷却部32は、上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設(延在)し、内部を気体や液体の冷媒が循環する複数の冷却管路34を有している。圧着装置1では、例えばクランプしたワークWに対して加熱部33をオン動作させた状態で、冷却部32をオン、オフ動作を繰り返して、ワークWに対して所定の温度を所定の時間維持して、温度調節が行われる。このため、加熱部33よりワークWに近いクランプ面27a側に冷却部32を設けることで、冷却部32のオン、オフ動作によってワークWに加わる温度を追随させやすくしている。
The cooling
具体的には、冷却部32が、オフ動作のときは冷媒の流動を停止し、オン動作のときは冷媒を流動させる。冷却部32のオン、オフ動作は、冷媒の流動の切り換えであるので、容易に、迅速に制御することができる。なお、冷却部32としてはペルチェ素子を用いることも考えられるが、圧着装置1は冷却部32を介して加熱部33によりワークWを加熱する構造であるので、冷媒を循環させる冷却管路34を用いる方がより、素早く冷却、加熱することができる。
Specifically, the cooling
ここで、クランプされたワークWに対する圧着装置1の温度調節機構を説明するために、図4に、経過時間−ワーク温度(t−T)特性の一例を示す。下クランパ部28に載置されたワークWを、加熱部33(例えば300℃に設定)により予め加熱された上クランパ部27と、下クランパ部28とで挟み込んでクランプすると、急激にワークWの温度が上昇する。
Here, in order to explain the temperature adjustment mechanism of the crimping
温度調節機構では、上クランパ部27が有する冷却部32および加熱部33によってクランプされたワークWの温度が所定の温度(例えば260℃)の範囲R内(例えば±5℃)となるように加熱し続ける。具体的には、加熱部33をオン動作させながら、冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。加熱部33よりワークWに近いクランプ面27a側に冷却部32を設けることで、加熱部33側では加熱部33からの熱を遮るように働き、クランプ面27a側にはワークWを冷却するように働かせることができ、素早くワークWを冷却できる。
In the temperature adjustment mechanism, heating is performed so that the temperature of the workpiece W clamped by the cooling
これにより、図4中の実線Aに示すように所定の温度を、所定の時間(例えば30分〜60分)維持することができる。また、温度調節機構により、ワークWの加熱温度を素早く昇温しながらオーバーシュートも防止することができる。このように、温度調節機構を備えた圧着装置1では、処理中のワークWに対して温度調節を最適に行うことができる。
Thereby, as shown to the continuous line A in FIG. 4, predetermined temperature can be maintained for predetermined time (for example, 30 minutes-60 minutes). Further, the temperature adjustment mechanism can prevent overshoot while quickly raising the heating temperature of the workpiece W. Thus, in the crimping | compression-
また、冷却部32および加熱部33を有する上クランパ部27によって、ワークWを急速に加熱、冷却することができることにより、圧着装置1では、接着層4が熱により硬化する前に、急速加熱により、短時間で接続バンプ6を溶融させることができる。そして、所定の加熱温度を所定の時間で保持することができ、接続パッド5と接続バンプ6との接合、接着層4の硬化を最適に行うことで、配線基板2と半導体チップ3との接続信頼性を向上することができる。
In addition, since the workpiece W can be rapidly heated and cooled by the
なお、図4中の破線Bは、加熱部33をオン動作させた状態で冷却部32をオフ動作させ続けた場合のグラフ図、また、破線Cは、加熱部33をオン動作させた状態で冷却部32をオン動作させ続けた場合のグラフ図を示す。これからも、冷却部32のオン、オフ動作の繰り返しが温度調節に有効であることがわかる。
In addition, the broken line B in FIG. 4 is a graph when the cooling
下クランパ部28は、上クランパ部27と共に、ワークWを挟み込んでクランプするものである。この下クランパ部28は、ガイド部26に形成された摺動孔26aに挿入されている。下クランパ部28は、支持ブロック36および支持ブロック36から起立して並べられた複数の支持ロッド37を有して、複数の支持ロッド37の先端でワークWをフローティング支持するものである。なお、ここでいうフローティング支持とは、熱容量の大きいブロック状部材から離間させた状態(浮かせた状態)で支持することをいう。支持ブロック36上には、固定ブロック38が固定して組み付けられている。固定ブロック38は、支持ロッド37の一端側のロッド頭で抜け止め(固定)するものである。このように設けられた複数の支持ロッド37の他端側で、ワークWが支持(載置)される。すなわち、下クランパ部28のクランプ面28aは、同一水平面上にあるこれら複数の支持ロッド37の先端面で形成される。
The
複数の支持ロッド37は、例えばマトリクス状に平面配置されており、支持プレート41を介してワークWを支持する。各支持ロッド37は、支持プレート41が自重によって撓んで高さが不均一にならないように均等な間隔で配置されている。この支持プレート41を用いてワークWを支持することで、ワークWを上クランプ部27のクランプ面27aと平行に配置することができる。
The plurality of
本実施形態では、支持プレート41を介してワークWをクランプするが、同一水平面上にある各支持ロッド37の先端面でクランプ面28aが形成されているものとして説明する。なぜならば、支持プレート41は、剛性が高く撓みが少ない基板(例えばセラミック基板)を配線基板2として用いた場合には省略することができるからである。
In this embodiment, although the workpiece | work W is clamped via the
複数の支持ロッド37でワークWをフローティング支持することで、下クランパ部28の熱容量を低減すると共に、クランプ面28aの下部(例えば、支持ブロック36)とを熱的に分離するようになっている。このため、下クランパ部28は、ワークWが載置(支持)される際に、低温(例えば50℃以下)を保持することができ、ワークWを上クランパ部27と共にクランプする際に、高温(例えば、260℃)を保持することができる。
By floatingly supporting the workpiece W with the plurality of
ガイド部26は、下クランパ部28が昇降する際のガイドをするものである。このガイド部26は、摺動孔26aが形成された筒状のブロックであり、例えば合金工具鋼からなる。ガイド部26は、ベースブロック24の貫通孔24aと摺動孔26aとが連通するように、ベースブロック24の上面内周側中央部で支持される。また、ガイド部26は、下シールブロック25の貫通孔25aに同心状に嵌め込まれて固定して組み付けられている。摺動孔26aには、下クランパ部28、レベリング部29および押動ブロック30が挿入される。これら下クランパ部28、レベリング部29および押動ブロック30を昇降させるため、摺動孔26aの上下には、押動ブロック30を昇降させる駆動部が駆動部19とは別の駆動源として配置されている。
The
なお、可動プラテン13の駆動部19が密閉空間16に圧力を加えるときには気体を漏らさないために必要なクランプ力を生じさせるのに対して、押動ブロック30はワークWの対応する接続パッド5と接続バンプ6とが接合できるクランプ力を生じさせる必要がある。この場合、押動ブロック30のクランプ力は、ワークの大きさ、バンプ数またはバンプの種類に基づいて適宜設定される。例えば、ワークのサイズが大きくバンプ数が多い場合や、接合に高いクランプ力を要するバンプ(例えば銅バンプ等)の場合には、高いクランプ力を生じさせる駆動部を用いる必要がある。なお、押動ブロック30は、微細な接続パッド5と接続バンプ6とを接合するために、例えば1kg毎に微調整可能なものが好ましい。
In addition, when the
レベリング部29は、上下のクランプ面27a、28aを平行に維持しながら下クランパ部28をスムーズに昇降させるために設けられている。レベリング部29は、図5に示すように、ガイド部26の摺動孔26a内に挿入された載置ブロック52および2つのスプリング部51を備えて構成されている。なお、図5は、平面図であるが、説明を明解にするために、ハッチングを付している。
The leveling
スプリング部51は、載置ブロック52の側面と対向する摺動孔26aの内壁面との間に設けられている。このスプリング部51は、スプリング55と、スプリング55に付勢されて摺動孔26aの内壁面に押し当てられたまま摺動する摺動プレート54とを備えている。スプリング55は、載置ブロック52の側面に形成された凹溝52aと摺動プレート54との間に自然長より圧縮されて組み付けられている。摺動プレート54は、載置ブロック52の側面に突設されたフレーム状の突起部53(すなわちフレーム部)に案内されて摺動孔26aの内壁面に押し当てられている。なお、突起部53は、フレーム内側に摺動プレート54が配置され、また、摺動孔26aの内壁面と当接していない。
The
図5に示す載置ブロック52は平面視矩形状であり、また、これが挿入される摺動孔26aも平面視矩形状(開口が矩形状)となっている。この載置ブロック52上に下クランパ部28の支持ブロック36が設けられる(図1参照)。載置ブロック52の4つの側面のうち、隣接する2側面がそれぞれ対向する摺動孔26aの内壁面に当接し、残りの隣接する2側面にそれぞれスプリング部51が設けられている。すなわち、この残りの隣接する2側面が各スプリング55を介して各摺動プレート54を摺動孔26aの内壁面に各々押し当てる構成となっている。
The mounting
図5に示すレベリング部29では、常時、載置ブロック52の隣接する2側面を、それぞれに対向する摺動孔26aの2つの内壁面(コーナ部となる)に対して各々押し付けている。また、レベリング部29では、載置ブロック52の隣接する残りの隣接する2側面を、それぞれに対向する摺動孔26aの2つの内壁面に対して各スプリング部51を介して各々押し当てている。このため、下クランパ部28が押動ブロック30により昇降する際、載置ブロック52が摺動孔26a内で位置決めされたまま摺動するので、下クランパ部28のクランプ面28aが上クランパ部27のクランプ面27aに対して高い平行度を保つことができる。このように、レベリング部29は、スプリング部51により摺動孔26aの内壁面に対して載置ブロック52を押し付けて位置決めしたまま摺動孔26a内を摺動することにより、載置ブロック52上に設けられた下クランパ部28の昇降をガイドする。
In the leveling
なお、レベリング部29を介さず(設けず)に、下クランパ部28を直接押動ブロック30で昇降する構成とすることも考えられる。しかしながら、このような構成では、摺動孔26aに挿入された下クランパ部28と、摺動孔26aの内壁面とのクリアランスにより、昇降時にクランプ面28aが傾斜する場合もある。クランプ面28aが傾斜することで、接続パッド5と接続バンプ6の中心が例えば数μmずれると、接続パッド5と接続バンプ6との接続に不具合が生じることも考えられる。これに対してクリアランスを極力小さくすることで傾斜を抑えることも考えられるが、この場合には密閉空間16の成形時に上型11側から伝えられた熱によって下型12(特に、ガイド部26や摺動する支持ブロック36等)の上型11側が膨張するため、クリアランスが上型11側で小さくなってしまい昇降が困難となるおそれもある。
It is also conceivable that the
しかしながら、レベリング部29を用いることによって摺動孔26aに対するクリアランスが十分大きく取られていても支持ロッド37を支持する支持ブロック36の上型11側のクランプ面27aに対して傾斜させることなくガイドすることが可能となっている。したがって、クランプ力をワークWの全面に亘って均一にすることができるため、各バンプ6を均一に加熱加圧することができ、積層された配線基板2および半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。
However, by using the leveling
上シール部42および下シール部43(図1中、破線で囲まれた部分)は、対向して設けられ、互いが当接して密閉空間16(図2、図3参照)を形成するものである。下シール部43は、上シール部42側に開口する凹形状の箱部となるように、固定プラテン14の中央部上に、貫通孔24aを有する下ベースブロック24と貫通孔24aに連通する貫通孔25aを有する下シールブロック25が重ね合わせて形成されている。下ベースブロック24と下シールブロック25が互いに接する面の境界部では、各部材が例えばボルトによって固定して組み付けられているので、シールされていることとなる。このような下シール部43内に下クランパ部28が収納される。また、下シール部43の縁部でシール部材44(例えばOリング)が設けられている。
The
また、上シール部42は、下シール部43側に開口する凹形状の箱部となるように、上ベースブロック21外周部下に、貫通孔23aを有する上シールブロック23が設けられて形成されている。上ベースブロック21と上シールブロック23が互いに接する面の境界部では、各部材が例えばボルトによって固定して組み付けられているので、シールされていることとなる。このような上シール部42内に上クランパ部27が収納される。また、上シール部42の縁部でシール部材44を介して下シール部43の縁部が当接される。
Further, the
上シール部42および下シール部43が近接することで、上クランパ部42の縁部と下クランパ部43の縁部とが接して内部に密閉空間16が形成される(図2参照)。言い換えると、上型11および下型12が近接することで型閉じされ内部に密閉空間16が形成される。このような密閉空間16では、クランプ前後のワークWが内包されるので、上クランパ部42によりワークWをより急速に加熱することができる。なお、上シール部42および下シール部43は密閉空間16を形成するために近接するものであって、ワークWをクランプするものではない。ワークWをクランプするのは、上クランパ部27および下クランパ部28である。
When the
また、下シール部43を構成する下シールブロック25のシール面側には、奥行き方向に延在するヒータ45が設けられ、下ベースブロック24側には、冷却管路46(内部を冷媒が循環する)が設けられている。
Further, a
シール部材44側、すなわち下クランパ部28近傍にヒータ45を設けることで、上クランプ部27と共に下クランパ部28側からも加熱できる構成となる。また、下クランパ部28近傍にヒータ45を設けることで、ワークWをクランプして熱を帯びた下クランパ部28に合わせて、下シールブロック25に組み付けられたガイド部26を熱膨張させることで、摺動孔26a内で下クランパ部28をスムーズに昇降することができる。また、下ベースブロック24側、すなわち下クランパ部28を昇降する駆動部近傍に冷却管路46を設けることで、駆動部周辺を冷却することができ、駆動部が誤動作するのを防止することができる。
By providing the
圧力調節部47は、密閉空間16内の圧力を調節するものである。本実施形態では、この圧力調節部47は、上シールブロック23に形成されたエア路48を通じて、例えば、密閉空間16に対して圧縮処理を行う。このため、圧力調節部47は、密閉空間16に接続される圧縮機(例えばコンプレッサ)を有している。
The
密閉空間16では、上クランプ部27により接着層4が加熱されると、接着層4内でボイドが発生して接着層4が膨脹し、半導体チップ3を配線基板2から引き離すおそれが生じる。そこで、密閉空間16を圧縮空間とすることでボイドの発生を抑制することができる。また、圧着装置1は、圧縮空間において配線基板2に複数の半導体チップ3を一括して接合する構成であるため、ボイドの発生を抑制して一様の圧力を加えながら加熱を行うことができる。したがって、配線基板2上に接着層4を介した複数の半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。
In the sealed
次に、本実施形態における圧着装置1を用いて、配線基板2上に複数の半導体チップ3を一括で接合する圧着方法(接合方法)と共に、これにより製造される半導体装置7の製造方法について図1〜図3および図6〜図8を参照して説明する。図1などは、動作中の圧着装置1を模式的に示す断面図であり、図6などは、動作中の圧着装置1におけるワークWを明確にするために、図1などに示すワークWの要部を拡大して示している。
Next, a method for manufacturing a
本実施形態の圧着方法は、概略すると、接着層4を介して積層された配線基板2および半導体チップ3を含むワークWを、対向して設けられた上クランパ部27および下クランパ部28で挟み込んでクランプして、配線基板2および半導体チップを圧着する工程を含んでいる。
The crimping method according to the present embodiment can be summarized as follows. The workpiece W including the
まず、配線基板2の複数の接続パッド5と対応する各半導体チップ3の複数の接続バンプ6とを対向して位置合わせして、配線基板2上に接着層4を介して積層された複数の半導体チップ3を含んでなるワークWを準備する(図6参照)。
First, a plurality of
このワークWは、接着層4が接着された配線基板2に対して、公知のフリップチップボンダを用いて、接着層4側から複数の半導体チップ3がマトリクス状に位置合わせされて、仮圧着(仮接合)されている。配線基板2は、例えばガラスエポキシ基板であり、その内部に配線パターンが形成されており、また絶縁層8から露出する接続パッド5が形成されている。また、半導体チップ3は、例えばシリコン基板にMIS(Metal Insulator Semiconductor)トランジスタなどが形成されたものであり、接続バンプ6としてはんだバンプが用いられている。
The workpiece W is temporarily bonded to the
続いて、図1に示すように、上型11と下型12とが離間した状態で、図示しない搬送装置によって下型12にワークWを載置する。具体的には、上クランプ部27および下クランパ部28の間にワークWを搬送し、下クランパ部28が有する複数の支持ロッド37の先端面で形成されるクランプ面28aでワークWをフローティング支持する。本実施形態では、接着層4の劣化防止のため、ワークWが低温(50℃以下)で支持されるように、フローティング支持している。
Subsequently, as shown in FIG. 1, the workpiece W is placed on the
続いて、図2に示すように、上型11と下型12とを近接させることで、対向して設けられ、上クランパ部27および下クランパ部28のそれぞれを内包する上シール部42および下シール部43を当接させて密閉空間16を形成する。次いで、圧力調節部47によりシールされた密閉空間16に対して圧縮空気を導入する圧縮処理を行い、圧縮空間を形成する。この圧縮空間は、例えば密閉空間16のシールが解除されるまでの間形成しておく。なお、密閉空間16は空気の発泡防止のため、少なくとも接着層4が硬化されるまで形成されるのが好ましい。
Subsequently, as shown in FIG. 2, the
続いて、図3に示すように、図2に示した状態からガイド部26の摺動孔26a内で昇降可能な下クランパ部28を上クランパ部27側に上昇させて、上クランパ部27および下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプする。このように、上クランパ部27および下クランパ部28で両側から挟まれて直接的に加熱されたワークWは、急速に加熱され始める。なお、加熱部33のヒータ35や下シールブロック25のヒータ45からの輻射熱によって、密閉空間16内の温度は上昇しているため、間接的にワークWは加熱されていることとなる。
Subsequently, as shown in FIG. 3, the
ワークWの温度が急速に上昇すると、接続バンプ6および接着層4が溶融状態となる。このため、クランプされたワークWでは、溶融した接着層4を押し退けて接続バンプ6が接続パッド5に当接し(図7参照)、溶融した接続バンプ6と接続パッド5とが接合する(図8参照)。
When the temperature of the workpiece W rises rapidly, the connection bumps 6 and the adhesive layer 4 are in a molten state. For this reason, in the clamped work W, the melted adhesive layer 4 is pushed away so that the
本実施形態では、図5を参照して説明したように、摺動孔26aの対向する内壁面の一方側に接して摺動するスプリング部51により、他方側に接して摺動する載置ブロック52を押し付けながら、載置ブロック52上に設けられた下クランパ部28を上昇させる。このため、下クランパ部28が押動ブロック30により昇降する際、載置ブロック52が摺動孔26a内で位置決めされたまま摺動するので、下クランパ部28のクランプ面28aが上クランパ部27のクランプ面27aに対して高い平行度を保つことができる。したがって、接続パッド5と接続バンプ6の位置ずれを抑制して、配線基板2および半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。
In the present embodiment, as described with reference to FIG. 5, the mounting block that slides in contact with the other side by the
次いで、上クランパ部27と下クランパ部28とでワークWをクランプしたまま加熱加圧する。ここで、上クランプ部27が有する冷却部32および加熱部33を用いて、ワークWをクランプしながら所定の温度範囲内で加熱し続ける。具体的には、加熱部33をオン動作させながら、上クランパ部27のクランプ面27a側に加熱部33より近くに設けられた冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。
Next, the workpiece W is heated and pressurized while being clamped by the
これにより、接続バンプ6が溶融する温度を維持しながら、接着層4が硬化する温度および時間を維持することができる。例えば、図4を参照して説明したように、所定の温度(例えば260℃)を、所定の時間(例えば30分〜60分)維持することができる。これにより、接着層4を介して積層された配線基板2と半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。また、例えば加熱部33による加熱を停止することで自然に温度の上昇しなくなる構成とは異なり、素早く所定の温度まで昇温しながら強制的に昇温を停止させることができるため素早く昇温しながらもオーバーシュートが起こることもない。これにより、ワークWの温度が高くなりすぎることで半導体チップ3が損傷するといった問題も効率的に回避することができる。
Thereby, the temperature and time which the contact bonding layer 4 hardens | cures can be maintained, maintaining the temperature which the
本実施形態では、冷却部32が上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設(延在)し、内部を冷媒が循環する冷却管路34を有しており、冷却部32がオフ動作のときに冷媒の流動を停止し、冷却管路34を介してクランプされたワークWを加熱部33により加熱する。冷却部32のオン、オフ動作は、冷媒の流動の切り換えであるので、容易に、迅速に制御することができる。このように、冷却部32を迅速に制御することで、所定の温度を、所定の時間維持することができる。
In the present embodiment, the cooling
次いで、ワークWの接合を完了させた後(図3参照)、圧力調節部47による密閉空間16への加圧を停止し、下クランパ部28を下降させて、載置されているワークWを上クランパ部27のクランプ面27aから離す(図2参照)。次いで、上型11と下型12とを離間させることで上シール部42および下シール部43で構成された密閉空間16を開放し、図示しない搬送装置によって下型12からワークWを搬出することで1個のワークWの接合のための動作が終了する。すなわち、配線基板2に半導体チップ3が実装された半導体装置7が製造される(図8参照)。なお、支持ロッド37でワークWを支持させた後で所定時間維持することで接続バンプ6の温度を下げて硬化させてから搬出しても良い。
Next, after the joining of the workpieces W is completed (see FIG. 3), the pressurization to the sealed
本実施形態のように、上クランパ部27および下クランパ部28により、加熱と同時に加圧を行うことで、接続パッド5および接続バンプ6を容易に圧着(接合)することができる。また、配線基板2に半導体チップ3を実装するまで圧縮空間を維持しておくことで、接着層4に微細な空気が含まれていたとしても、微細な空気を圧縮して微小化させることで、配線基板2と半導体チップ3との間を接着層4で高品質にアンダーフィルすることができる。これにより、ワークWに設けられた接続パッド5と接続バンプ6との接続不良の発生を効果的に防止し、配線基板2と半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。
As in the present embodiment, the
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 Although the present invention has been specifically described above based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、前記実施形態では、接着層を介して積層された第1および第2部材として、それぞれ配線基板2および半導体チップ3を含むワークWを用いた場合について説明したが、さらに第3、第4、・・・の部材が積層されたワークに対しても適用することができる。例えば、第1部材として配線基板、第2および第3部材としてそれぞれ半導体チップが接着層を介して積層されたワークに対しても適用することができる。また、例えば、基板として配線基板2の他にリードフレームやウェハを用いても良い。また、例えば電子部品として半導体チップ3の他にコンデンサチップなどのチップ部品を用いても良い。
For example, in the embodiment, the case where the workpiece W including the
また、前記実施形態では、圧力調節部47に圧縮機を用いた場合について説明したが、圧縮機の代わりに、密閉空間16を減圧する減圧機(例えば真空ポンプ)が接続されても良い。減圧することで、接着層4内の微細な空気や、密閉空間16内の異物(浮遊物)を除去することができるからである。また、圧力調節部47は、減圧機と圧縮機を併用した処理を行うこともできる。例えば、密閉空間16内を減圧雰囲気として接着層4に微細な空気を積極的に排除したり空間中の異物を除去したりしてから加熱を開始して圧縮空間としてボイドの発生を抑制することで、相乗的効果を得ることができ配線基板2上に接着層4を介した複数の半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。このように、圧力調節部47は、密閉空間16に接続される圧縮機または減圧機の少なくともいずれか一方を有しているものでも良い。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where a compressor was used for the
また、例えば、前記実施形態では、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とが接していない状態のワークW(図6参照)を準備し、このワークWをクランプして配線基板2に複数の電子部品3を一括で接合して半導体装置7(図8参照)を製造する場合する場合について説明した。これに限らず、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とが接した状態のワークW(図7参照)を準備し、このワークWをクランプして配線基板2に複数の半導体チップ3を一括で接合して半導体装置7を製造しても良い。接続バンプ6が溶融したワークWを加熱加圧する際に、接続パッド5と接続バンプ6との位置ずれを抑制することができるからである。
Further, for example, in the embodiment, a work W (see FIG. 6) in a state where the
また、例えば、前記実施形態では、加熱により半導体チップ3の接続バンプ6が溶融する場合について説明した。これに限らず、配線基板2の接続パッド5を溶融させても、また、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とも溶融させても、配線基板2と半導体チップ3とを接合することができる。
For example, in the above embodiment, the case where the connection bumps 6 of the
また、例えば、前記実施形態では、ワークWを下型12に載置する場合について説明した。これに限らず、上型11においてワークWを吸着や爪による把持で支持する構成であっても良い。この場合、下クランパ部に温度調節機構を設けることができる。
For example, in the embodiment, the case where the workpiece W is placed on the
また、例えば、前記実施形態では、冷却部32として、内部を冷媒が循環する冷却管路34を用いた場合について説明したが、内部をエア及び水の両方が通過する冷却管路34を用いても良い。また、冷却部32の一部を空冷用、他部を水冷用とする場合であっても良い。この場合、圧着時(クランプ時)の温度を安定させるときには空冷を用い、初期の加熱を停止する際や圧着完了時に冷却するとき(非クランプ時)には水冷を行うことができ、複数のワークWに対して繰り返して圧着する場合に生産性を向上することができる。
Further, for example, in the embodiment, the case where the cooling
また、例えば、前記実施形態では、上型11を可動プラテン13に固定して組み付け、下型12を固定プラテン14に固定して組み付けた場合について説明した。これに限らず、上型11を固定プラテン、下型12を可動プラテンに固定して組み付け、上型11に対して下型12を昇降するようにしても良い。
For example, in the above-described embodiment, the case where the
1 圧着装置
27 上クランパ部
28 下クランパ部
32 冷却部
33 加熱部
36 支持ブロック
37 支持ロッド
W ワーク
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記ワークを挟み込んでクランプする上クランパ部および下クランパ部が対向して設けられ、
前記上クランパ部は、冷却部および加熱部を有し、前記クランプ面に押し当てられた前記ワークを加熱するように前記冷却部および前記加熱部で温度調節を行い、
前記下クランパ部は、支持ブロックおよび当該支持ブロックから起立して並べられた複数の支持ロッドを有して、前記複数の支持ロッドの先端で前記ワークをフローティング支持したまま前記上クランパ部の前記クランプ面に押し当てることを特徴とする圧着装置。 A crimping device for clamping a workpiece including a plurality of laminated members and crimping each member,
An upper clamper portion and a lower clamper portion that sandwich and clamp the workpiece are provided facing each other,
The upper clamper unit has a cooling unit and a heating unit, and performs temperature adjustment in the cooling unit and the heating unit so as to heat the workpiece pressed against the clamp surface,
The lower clamper portion includes a support block and a plurality of support rods arranged upright from the support block, and the clamp of the upper clamper portion is supported by floating the workpieces at the tips of the support rods. A crimping device that is pressed against a surface.
前記冷却部は、前記上クランパ部のクランプ面と平行に延設され、内部を冷媒が循環する冷却管路を有していることを特徴とする圧着装置。 The crimping apparatus according to claim 1,
The pressure-bonding device, wherein the cooling section includes a cooling pipe that extends in parallel with the clamp surface of the upper clamper section and in which a coolant circulates.
前記上クランパ部に対して前記下クランパ部を昇降させる押動部と、
前記下クランパ部と前記押動部との間に設けられ、前記下クランパ部のクランプ面の平面度を調節するレベリング部と、
前記下クランパ部および前記レベリング部が挿入される摺動孔が形成されたガイド部とを備え、
前記レベリング部は、前記摺動孔の内壁面に当接して挿入され、前記支持ブロックを載置する載置ブロックと、当該載置ブロックと対向する前記摺動孔の内壁面との間に設けられたスプリング部とを具備し、
前記レベリング部が前記スプリング部により前記摺動孔の内壁面に対して前記載置ブロックを押し付けて位置決めしたまま、前記ガイド部が前記載置ブロック上に前記支持ブロックが設けられた前記下クランパ部の昇降をガイドすることを特徴とする圧着装置。 The crimping apparatus according to claim 1 or 2,
A pusher for raising and lowering the lower clamper with respect to the upper clamper;
A leveling part that is provided between the lower clamper part and the pushing part, and adjusts the flatness of the clamp surface of the lower clamper part;
A guide part having a sliding hole into which the lower clamper part and the leveling part are inserted;
The leveling portion is inserted between an inner wall surface of the sliding hole and provided between a mounting block on which the support block is mounted and an inner wall surface of the sliding hole facing the mounting block. And a spring part,
The lower clamper portion in which the support block is provided on the mounting block while the leveling portion is positioned by pressing the mounting block against the inner wall surface of the sliding hole by the spring portion. A crimping device characterized by guiding the raising and lowering of the wire.
対向して設けられ、前記上クランパ部および前記下クランパ部のそれぞれを内包する上シール部および下シール部と、
前記上シール部および下シール部が当接して形成した密閉空間内の圧力を調節する圧力調節部とを備え、
前記圧力調節部は、前記密閉空間に接続される圧縮機または減圧機の少なくともいずれか一方を有することを特徴とする圧着装置。 In the crimping | compression-bonding apparatus as described in any one of Claims 1-3,
An upper seal portion and a lower seal portion that are provided opposite to each other and enclose each of the upper clamper portion and the lower clamper portion;
A pressure adjusting part that adjusts the pressure in the sealed space formed by contacting the upper seal part and the lower seal part,
The pressure adjusting device, wherein the pressure adjusting unit includes at least one of a compressor and a decompressor connected to the sealed space.
(a)前記上クランプ部および下クランパ部の間に前記ワークを搬送し、前記下クランパ部が有する複数の支持ロッドの先端で前記ワークをフローティング支持する工程と、
(b)前記上クランプ部が有する冷却部および加熱部を用いて、前記ワークをクランプしながら所定の温度範囲内で加熱し続ける工程とを含み、
前記(b)工程では、前記加熱部をオン動作させながら、前記上クランパ部のクランプ面側に前記加熱部より近くに設けられた前記冷却部のオン動作およびオフ動作を繰り返すことを特徴とする圧着方法。 It is a crimping method in which a workpiece including a plurality of laminated members is sandwiched and clamped between an upper clamper portion and a lower clamper portion provided to face each other, and each member is crimped.
(A) transporting the workpiece between the upper clamp portion and the lower clamper portion and floatingly supporting the workpiece at the tips of a plurality of support rods of the lower clamper portion;
(B) using the cooling part and the heating part of the upper clamp part, and continuing the heating within a predetermined temperature range while clamping the workpiece,
In the step (b), while the heating unit is turned on, the cooling unit provided on the clamping surface side of the upper clamper unit near the heating unit is repeatedly turned on and off. Crimping method.
前記(b)工程では、前記上クランパ部のクランプ面と平行に延設し、内部を冷媒が循環する冷却管路を有する前記冷却部がオフ動作のときに前記冷媒の流動を停止し、前記冷却管路を介してクランプされた前記ワークを前記加熱部により加熱することを特徴とする圧着方法。 The crimping method according to claim 5,
In the step (b), the coolant flow is stopped when the cooling portion extending in parallel with the clamp surface of the upper clamper portion and having a cooling pipe line through which the coolant circulates is turned off, A crimping method, wherein the workpiece clamped via a cooling pipe is heated by the heating unit.
前記(b)工程は、摺動孔内で昇降可能な前記下クランパ部を前記上クランパ部側に上昇させて、前記上クランパ部および前記下クランパ部で前記ワークを挟み込んでクランプする工程を含み、
前記摺動孔の対向する内壁面の一方側に接して摺動するスプリング部により、他方側に接して摺動する載置ブロックを押し付けながら、前記載置ブロック上に設けられた前記下クランパ部を上昇させることを特徴とする圧着方法。 The crimping method according to claim 5 or 6,
The step (b) includes a step of raising the lower clamper portion that can be moved up and down in the sliding hole to the upper clamper portion side, and clamping the work by sandwiching the workpiece between the upper clamper portion and the lower clamper portion. ,
The lower clamper portion provided on the mounting block as described above while pressing the mounting block that slides in contact with the other side by the spring portion that contacts and slides on one side of the inner wall surface facing the sliding hole A method of pressure bonding characterized by raising the pressure.
前記(a)工程後(b)工程前に、対向して設けられ、前記上クランパ部および前記下クランパ部のそれぞれを内包する上シール部および下シール部を当接させて密閉空間を形成し、前記密閉空間に対して圧縮または減圧の少なくともいずれか一方の処理を行う工程を含むことを特徴とする圧着方法。 The crimping method according to claim 5, 6 or 7,
After the step (a) and before the step (b), a sealed space is formed by contacting an upper seal portion and a lower seal portion that are provided facing each other and enclose the upper clamper portion and the lower clamper portion, respectively. A crimping method comprising a step of performing at least one of compression and decompression on the sealed space.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016129196A (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Bonding device, bonding system, bonding method, program and computer storage medium |
JP2016129199A (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Bonding device, bonding system, bonding method, program and computer storage medium |
KR20160086271A (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Bonding apparatus, bonding system, bonding method and computer storage medium |
WO2017114315A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | Heating and cooling apparatus for bonding machine and manufacturing method thereof |
CN114714044A (en) * | 2022-02-19 | 2022-07-08 | 中建新疆安装工程有限公司 | Hot charging device with cooling function for trunnion of steel ladle |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000000956A (en) * | 1999-05-06 | 2000-01-07 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Screen printer |
JP2000100837A (en) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Miyagi Oki Denki Kk | Mounting device for semiconductor element |
JP2002261492A (en) * | 2002-02-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ic component mounting method and mounter |
JP2003318229A (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Toray Eng Co Ltd | Packaging method and device thereof |
JP2007242691A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toyota Industries Corp | Bonding method and bonding device of electronic component |
-
2011
- 2011-06-28 JP JP2011143365A patent/JP5892685B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100837A (en) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Miyagi Oki Denki Kk | Mounting device for semiconductor element |
JP2000000956A (en) * | 1999-05-06 | 2000-01-07 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Screen printer |
JP2002261492A (en) * | 2002-02-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ic component mounting method and mounter |
JP2003318229A (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Toray Eng Co Ltd | Packaging method and device thereof |
JP2007242691A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toyota Industries Corp | Bonding method and bonding device of electronic component |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016129196A (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Bonding device, bonding system, bonding method, program and computer storage medium |
JP2016129199A (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Bonding device, bonding system, bonding method, program and computer storage medium |
KR20160086271A (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Bonding apparatus, bonding system, bonding method and computer storage medium |
TWI630048B (en) * | 2015-01-09 | 2018-07-21 | 東京威力科創股份有限公司 | Bonding device, bonding system, bonding method, and computer memory medium |
KR102459563B1 (en) * | 2015-01-09 | 2022-10-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Bonding apparatus, bonding system, bonding method and computer storage medium |
WO2017114315A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | Heating and cooling apparatus for bonding machine and manufacturing method thereof |
CN114714044A (en) * | 2022-02-19 | 2022-07-08 | 中建新疆安装工程有限公司 | Hot charging device with cooling function for trunnion of steel ladle |
CN114714044B (en) * | 2022-02-19 | 2023-05-30 | 中建新疆安装工程有限公司 | Ladle trunnion hot-charging device with cooling function |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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