JP2013007775A - 露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】アライメントマークを形成しにくい基板でもアライメントを精度良く行うことができる露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニットを提供する。
【解決手段】近接露光装置３〜５は、パターンＰ２〜Ｐ４を有するマスクＭ２〜Ｍ４を保持するマスクステージ１０と、被露光材としての基板Ｗ１〜Ｗ３を保持する基板ステージ１１と、パターンＰ２〜Ｐ４を介して基板Ｗ１〜Ｗ３に露光光を照射する照明光学系と、基板Ｗ１〜Ｗ３とマスクＭ２〜Ｍ４の一部を撮像するアライメントカメラと、を備える。マスクＭ２〜Ｍ４と基板Ｗ１〜Ｗ３のアライメントは、撮像される、一層目の基板Ｗ１に露光転写されたブラックマトリクスパターンのコーナー部と、基板Ｗ１〜Ｗ３のブラックマトリクスパターンの外側に位置するマスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行される。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニットに関する。

通常、液晶パネルや半導体等の基板上にマスクのパターンを露光転写する際には、例えば、図５（ａ）に示すようなアライメントマークＷａが描画された基板Ｗと、図５（ｂ）に示すようなアライメントマークＭａが描画されたマスクＭとを重ね合わせ、図５（ｃ）に示すように、各アライメントマークＷａ、Ｍａの中心が一致するようにしてアライメントを行っている。

また、従来の基板とマスクのアライメント方法としては、ウェハ（基板）側のマークとマスク側のマークとにそれぞれ精度確認用のバーニヤを設け、ウェハ側のマークとマスク側のマークとを重ね合わせ、それぞれのバーニヤを確認することが行われていた（例えば、特許文献１参照。）。

さらに、他のアライメント方法として、１回目のホトリソグラフィ工程で使用されるマスクに設けた第１のアライメントキーと、２回目のホトリソグラフィ工程で使用されるマスクに設けた第２のアライメントキーとを重ね合わせることで、両パターンを整合されることが行われている（例えば、特許文献２参照。）。

特開昭６０−５３０２４号公報 特開昭６２−２４２５９号公報

ところで、近年、スマートフォンのような小型のタッチパネルを形成する液晶ディスプレイ基板が多く使用されてきている。タッチパネルでは、使用者が基板に触れる回数が多くなるため、該基板には繰り返し応力に耐えうることが求められている。そのような基板としては、例えば、アルミノケイ酸ガラス（化学強化ガラス）が利用されている。

しかしながら、このようなガラス基板を、熱処理後に露光して多面取りすると、切断した部分では熱処理が施されていないため、繰り返し応力に耐えられない可能性がある。このため、スマートフォンのような製品に実装される基板の場合には、該基板のサイズで熱処理を行った後、露光が施されることが好ましい。従って、基板にアライメントマークを形成した場合には、アライメントマークが形成された基板がそのまま製品に実装されてしまうという課題があった。また、基板には、マスクのパターンが転写される領域の外側にブラックマトリクスなどが形成されるため、この位置に形成されたアライメントマークと、マスクのアライメントマークとを重ね合わせてアライメントすることは非常に困難であった。

このため、スマートフォンのようなガラス基板に露光転写する際には、基板とマスクのアライメントマークを重ね合わせる特許文献１及び２に記載の方法を適用することができなかった。

本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製品に実装されるサイズの基板を露光転写する際に、基板にアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニットを提供することにある。

本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１） パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を撮像する撮像手段と、を備える露光装置であって、
前記マスクと前記基板のアライメントは、前記撮像手段によって撮像される、他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光装置。
（２） パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を撮像する撮像手段と、をそれぞれ備える複数の露光装置を備え、該複数の露光装置を用いて、前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光することで、前記基板に複数層のパターンを形成する露光ユニットであって、
二層目以降の前記露光装置では、前記マスクと前記基板のアライメントは、前記撮像手段によって撮像される、当該露光装置での露光より前に前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光ユニット。
（３） 三層目以降の前記露光装置のうち、いずれかの層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークと、該いずれかの層より前の層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークとは、前記基板のパターンのコーナー部から前記所定の距離オフセットした位置となるように前記各マスクにそれぞれ描画されており、且つ、
前記いずれかの層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークは、前記前の層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークに重ね合わせたとき、当該アライメントマークを覆うように、当該アライメントマークよりも大きく形成されることを特徴とする（２）に記載の露光ユニット。
（４） パターン及びアライメントマークを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を撮像する撮像手段と、を備える露光装置の露光方法であって、
他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記マスクのアライメントマークとを前記撮像手段によって撮像する工程と、
撮像された前記基板のパターンのコーナー部と前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけオフセットした位置となるように、前記マスクと前記基板をアライメントする工程と、
前記アライメントされた前記基板を露光する工程と、
を有することを特徴とする露光方法。

本発明の露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニットによれば、マスクと基板のアライメントは、撮像手段によって撮像される、他の露光装置によって基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されるので、製品に実装されるサイズの基板を露光転写する際に、基板にアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる。また、マスクのアライメントマークは、基板のパターンの外側に位置するので、マスクのアライメントマークが基板の品質に影響を及ぼすことがない。

本発明の一実施形態に係る露光ユニットを説明するための概略構成図である。 （ａ）は、各露光過程でのワークのパターンの状態を示す図であり、（ｂ）は、各露光過程で使用されるマスクを示す図である。 （ａ）は、二層目を露光する際にアライメントカメラが撮像する画像を示す拡大図であり、（ｂ）は、三層目以降を露光する際にアライメントカメラが撮像する画像を示す拡大図である。 （ａ）及び（ｂ）は、基板のパターンのコーナー部の変形例と、マスクのアライメントマークとをアライメントカメラが撮像した画像を示す拡大図である。 （ａ）〜（ｃ）は、従来のアライメントの手法を説明するための図である。

以下、本発明の一実施形態に係る露光ユニットを図面に基づいて詳細に説明する。
図１に示す一実施形態の露光ユニット１は、基板Ｗ０に第１層を露光する第１の近接露光装置２と、基板Ｗ１に第２層を露光する第２の近接露光装置３と、基板Ｗ２に第３層を露光する第３の露光装置４と、基板Ｗ３に第４層を露光する第４の近接露光装置５と、を有する。なお、コーター、プリアライメント、現像などの前処理及び後処理工程に使用される装置、及び基板を搬送する搬送装置などは、図示省略している。

各近接露光装置２〜５は、パターンＰ１〜Ｐ４をそれぞれ有するマスクＭ１〜Ｍ４をそれぞれ保持するマスクステージ１０と、被露光材としての基板Ｗ０〜Ｗ３をそれぞれ保持する基板ステージ１１と、マスクＭ１〜Ｍ４のパターンＰ１〜Ｐ４を介して基板Ｗ０〜Ｗ３に露光光を照射する照明光学系（図示せず）と、基板Ｗ０〜Ｗ３とマスクＭ１〜Ｍ４の一部を上方から撮像する撮像手段としての一対のアライメントカメラ（図示せず）と、を備える。なお、マスクステージ１０、基板ステージ１１、照明光学系、アライメントカメラは、公知のものが適用可能である。また、図１において、基板Ｗ０〜Ｗ３の対角線に配置された一点鎖線１２ａ，１２ｂは、一対のアライメントカメラによってそれぞれ撮像される視野を示している。また、図２（ａ）に示す、被露光材としての基板は、パターンが露光転写される過程に応じて基板Ｗ０〜Ｗ４としているが、同一のガラス基板であることから、単に基板Ｗとも称する。

これら近接露光装置２〜５は、各マスクＭ１〜Ｍ４のパターンＰ１〜Ｐ４を基板Ｗ０〜Ｗ３に順次露光することで、基板Ｗ４に複数層のパターンＷＰ１〜ＷＰ４を形成する。また、マスクステージ１０や基板ステージ１１には、ボールねじ機構とモータとの組合せやリニアモータによる公知のステージ移動機構がそれぞれ設けられており、基板Ｗ０〜Ｗ３を露光する際には、一対のアライメントカメラによって撮像された画像に基づいて、基板Ｗ０〜Ｗ３とマスクＭ１〜Ｍ４とを相対移動させることでアライメントを行っている。そして、アライメント完了後、基板Ｗ０〜Ｗ３とマスクＭ１〜Ｍ４とを所定のギャップに対向配置した状態で、照明光学系から露光光を照射することで、露光動作が行われる。

以下、図１、図２を参照して、第１〜第４の近接露光装置２〜５を用いて、基板Ｗに複数層のパターンを露光転写する過程を説明する。
まず、第１の露光装置２では、ブラックマトリクスパターンＰ１が形成されたマスクＭ１をマスクステージ１０に、素ガラスＷ０を基板ステージ１１にそれぞれ載置する。そして、互いに重ね合わされる素ガラスＷ０とマスクＭ１の対角線上に位置する、素ガラスＷ０の端面のコーナー部とマスクＭ１の端面のコーナー部とを一対のアライメントカメラによって同一視野内に捕らえながら、両コーナー部を合わせこむようにして、マスクＭ１と素ガラスＷ０とのアライメントが行われる。なお、素ガラスＷ０の端面のコーナー部と対応する、マスクＭ１の位置にアライメントマークを設けて、素ガラスＷ０の端面のコーナー部とマスクＭ１のアライメントマークを用いて、アライメントを行ってもよい。このようにして、マスクＭ１のブラックマトリクスパターンＷＰ１が素ガラスＷ０に露光転写され、図２（ａ）に示すガラス基板Ｗ１に、一層目のブラックマトリクスパターンＷＰ１が形成される。

次に、第２の露光装置３では、パターンＰ２が形成されたマスクＭ２をマスクステージ１０に、ガラス基板Ｗ１を基板ステージ１１にそれぞれ載置する。そして、図３（ａ）に示すように、互いに重ね合わされる基板Ｗ１とマスクＭ２の対角線上に位置する、基板Ｗ１に形成されたブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃと、ブラックマトリクスパターンＷＰ１の外側に位置するマスクＭ２のアライメントマークＡ１とを一対のアライメントカメラによって同一視野内に捕らえながら、コーナー部ｃとアライメントマークＡ１との中心が所定の距離、即ち、Ｘ方向に距離ａ、Ｙ方向に距離ｂだけ互いにオフセットした位置となるようにして、マスクＭ２と基板Ｗ１とのアライメントが行われる。従って、露光転写する際に、マスクＭ２のアライメントマークＡ１がパターン領域ＷＰ１の内側に形成されることはなく、また、アライメントカメラは、コーナー部ｃとアライメントマークＡ１とを容易に撮像することができる。

アライメント完了後、マスクＭ２のパターンＰ２が基板Ｗ２に露光転写され、図２（ａ）に示す基板Ｗ２に、二層目のパターンＷＰ２が露光転写される。また、基板Ｗ２のブラックマトリクスパターンＷＰ１が露光転写されている外側の領域には、マスクＭ２のアライメントマークＡ１が露光転写され、基板Ｗ２にマークＷＡ１が形成される。このマークＷＡ１は、アライメントカメラでは確認されるものの、製品に影響を与えるものではない。

次に、第３の露光装置４では、パターンＰ３が形成されたマスクＭ３をマスクステージ１０に、ガラス基板Ｗ２を基板ステージ１１にそれぞれ載置する。そして、図３（ｂ）に示すように、互いに重ね合わされる基板Ｗ２とマスクＭ３の対角線上に位置する、基板Ｗ２に形成されたブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃと、ブラックマトリクスパターンＷＰ１の外側に位置するマスクＭ３のアライメントマークＡ２とを一対のアライメントカメラによって同一視野内に捕らえながら、コーナー部ｃとアライメントマークＡ２との中心が所定の距離、即ち、Ｘ方向に距離ａ、Ｙ方向に距離ｂだけ互いにオフセットした位置となるようにして、マスクＭ３と基板Ｗ２とのアライメントが行われる。

また、マスクＭ３のアライメントマークＡ２と、マスクＭ２のアライメントマークＡ１とは、基板Ｗ２のブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃから同じ所定の距離オフセットした位置となるように各マスクＭ２，Ｍ３にそれぞれ描画されており、且つ、マスクＭ３のアライメントマークＡ２は、マスクＭ２のアライメントマークＡ１に重ね合わせたとき、アライメントマークＡ１を覆うように、アライメントマークＡ１よりも大きく形成されている。従って、図３（ｂ）に示すように、マスクＭ２のアライメントマークＡ２を確認する際に、アライメントマークＡ１によって基板Ｗ２に形成されたマークＷＡ１を覆い隠すことができる。従って、露光転写する際に、マスクＭ３のアライメントマークＡ２がパターン領域ＷＰ１の内側に形成されることはなく、また、アライメントカメラは、コーナー部ｃとアライメントマークＡ２とを容易に撮像することができる。

アライメント完了後、マスクＭ３のパターンＰ３が基板Ｗ３に露光転写され、図２（ａ）に示す基板Ｗ３に、三層目のパターンＷＰ３が露光転写される。また、基板Ｗ３のブラックマトリクスパターンＷＰ１が露光転写されている外側の領域には、マスクＭ３のアライメントマークＡ２が露光転写され、基板Ｗ３にマークＷＡ２が形成される。このマークＷＡ２も、アライメントカメラでは確認されるものの、製品に影響を与えるものではない。

さらに、第４の露光装置５では、パターンＰ４が形成されたマスクＭ４をマスクステージ１０に、ガラス基板Ｗ３を基板ステージ１１にそれぞれ載置する。そして、互いに重ね合わされる基板Ｗ３とマスクＭ４の対角線上に位置する、基板Ｗ３に形成されたブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃと、ブラックマトリクスパターンＷＰ１の外側に位置するマスクＭ４のアライメントマークＡ３とを一対のアライメントカメラによって同一視野内に捕らえながら、コーナー部ｃとアライメントマークＡ３との中心が所定の距離、即ち、Ｘ方向に距離ａ、Ｙ方向に距離ｂだけ互いにオフセットした位置となるようにして、マスクＭ４と基板Ｗ３とのアライメントが行われる。

また、マスクＭ４のアライメントマークＡ３と、マスクＭ３のアライメントマークＡ２とは、基板Ｗ３のブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃから同じ所定の距離オフセットした位置となるように各マスクＭ３，Ｍ４にそれぞれ描画されており、且つ、マスクＭ４のアライメントマークＡ３は、マスクＭ３のアライメントマークＡ２に重ね合わせたとき、アライメントマークＡ２を覆うように、アライメントマークＡ２よりも大きく形成されている。つまり、マスクＭ２〜Ｍ４の各アライメントマークＡ１〜Ａ３は、後の工程で露光転写に使用されるマスクＭ２〜Ｍ４ほど大きく設定されている。従って、マスクＭ４のアライメントマークＡ３を確認する際に、アライメントマークＡ２によって基板Ｗ３に形成されたマークＷＡ２を覆い隠すことができる。従って、露光転写する際に、マスクＭ４のアライメントマークＡ３がパターン領域ＷＰ１の内側に形成されることはなく、また、アライメントカメラは、コーナー部ｃとアライメントマークＡ３とを容易に撮像することができる。

アライメント完了後、マスクＭ４のパターンＰ４が基板Ｗ４に露光転写され、図２（ａ）に示す基板Ｗ４に、四層目のパターンＷＰ４が露光転写される。また、基板Ｗ４のブラックマトリクスパターンＷＰ１が露光転写されている外側の領域には、マスクＭ４のアライメントマークＡ３が露光転写され、基板Ｗ４にマークＷＡ３が形成される。このマークＷＡ３も、アライメントカメラでは確認されるものの、製品に影響を与えるものではない。

このように、本実施形態の近接露光装置３〜５及び露光方法によれば、パターンＰ２〜Ｐ４を有するマスクＭ２〜Ｍ４を保持するマスクステージ１０と、被露光材としての基板Ｗ１〜Ｗ３を保持する基板ステージ１１と、マスクＭ２〜Ｍ４のパターンＰ２〜Ｐ４を介して基板Ｗ１〜Ｗ３に露光光を照射する照明光学系と、基板Ｗ１〜Ｗ３とマスクＭ２〜Ｍ４の一部を撮像するアライメントカメラと、を備え、マスクＭ２〜Ｍ４と基板Ｗ１〜Ｗ３のアライメントは、アライメントカメラによって撮像される、一層目の近接露光装置２によって基板Ｗ１に露光転写されたブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃと、基板Ｗ１〜Ｗ３のブラックマトリクスパターンＷＰ１の外側に位置するマスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３とが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行される。従って、露光転写する際に、マスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３がパターン領域ＷＰ１の内側に形成されることはなく、マスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３が基板Ｗの品質に影響を及ぼすことがない。また、アライメントカメラは、コーナー部ｃとアライメントマークＡ１〜Ａ３とを容易に撮像することができる。特に、タッチパネルのような、製品に実装されるサイズの化学強化ガラス基板Ｗを露光転写する際に、基板Ｗにアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる。

また、本実施形態の露光ユニット１によれば、パターンＰ１〜Ｐ４を有するマスクＭ１〜Ｍ４を保持するマスクステージ１０と、被露光材としての基板Ｗ０〜Ｗ３を保持する基板ステージ１１と、マスクＭ１〜Ｍ４のパターンＰ１〜Ｐ４を介して基板Ｗ０〜Ｗ３に露光光を照射する照明光学系と、基板Ｗ０〜Ｗ３とマスクＭ１〜Ｍ４の一部を撮像するアライメントカメラと、をそれぞれ備える複数の近接露光装置２〜５を備え、複数の近接露光装置２〜５を用いて、各マスクＭ１〜Ｍ４のパターンＰ１〜Ｐ４を基板Ｗ０〜Ｗ３に順次露光することで、基板Ｗ０〜Ｗ３に複数層のパターンＰ１〜Ｐ４を形成する。そして、二層目以降の近接露光装置３〜５では、マスクＭ２〜Ｍ４と基板Ｗ１〜Ｗ３のアライメントは、アライメントカメラによって撮像される、近接露光装置３〜５での露光より前に基板Ｗ１〜Ｗ３に露光転写されたパターンＷＰ１のコーナー部ｃと、基板Ｗ１〜Ｗ３のパターンＷＰ１の外側に位置するマスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３とが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行される。従って、露光転写する際に、マスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３がパターン領域ＷＰ１の内側に形成されることはなく、マスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３が基板Ｗの品質に影響を及ぼすことがない。また、アライメントカメラは、コーナー部ｃとアライメントマークＡ１〜Ａ３とを容易に撮像することができる。特に、タッチパネルのような、製品に実装されるサイズの化学強化ガラス基板Ｗを露光転写する際に、基板Ｗにアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる。

また、三層目以降の近接露光装置４，５のうち、いずれかの層の近接露光装置４，５で使用されるマスクＭ３，Ｍ４のアライメントマークＡ２，Ａ３と、いずれかの層より前の層の近接露光装置３，４で使用されるマスクＭ２，Ｍ３のアライメントマークＡ１，Ａ２とは、基板Ｗ２，Ｗ３のパターンＷＰ１のコーナー部ｃから所定の距離オフセットした位置となるように各マスクＭ３，Ｍ４にそれぞれ描画されており、且つ、いずれかの層の近接露光装置４，５で使用されるマスクＭ３，Ｍ４のアライメントマークＡ２，Ａ３は、前の層の近接露光装置３，４で使用されるマスクＭ２、Ｍ３のアライメントマークＡ１，Ａ２に重ね合わせたとき、アライメントマークＡ１，Ａ２を覆うように、アライメントマークＡ１，Ａ２よりも大きく形成される。従って、マスクＭ３，Ｍ４のアライメントマークＡ２，Ａ３を確認する際に、アライメントマークＡ１，Ａ２によって基板Ｗ２，Ｗ３に形成されたマークＷＡ１、ＷＡ２を覆い隠すことができる。従って、露光転写する際に、マスクＭ３、Ｍ４のアライメントマークＡ２，Ａ３がパターン領域ＷＰ１の内側に形成されることはなく、また、アライメントカメラは、コーナー部ｃとアライメントマークＡ２，Ａ３とを容易に撮像することができる。

尚、本発明は、前述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。

本実施形態では、ブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃは、２辺が直角に交差して形成されているが、本発明のコーナー部はこれに限らず、例えば、図４（ａ）に示すような湾曲したものや、図４（ｂ）に示すような切欠かれたものであってもよい。これらの場合には、２辺から算出される直交位置ｃ´をコーナー部として使用すればよい。

本発明の露光装置は、本実施形態の近接露光装置に限定されるものでなく、密着式露光装置や、投影露光装置など、任意の露光装置に適用可能である。

１ 露光ユニット
２ 第１の近接露光装置（露光装置）
３ 第２の近接露光装置（露光装置）
４ 第３の近接露光装置（露光装置）
５ 第４の近接露光装置（露光装置）
１０ マスクステージ
１１ 基板ステージ
Ｍ１〜Ｍ４ マスク
Ｐ１〜Ｐ４ パターン
Ｗ０〜Ｗ４ 基板

Claims (4)

1. パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を撮像する撮像手段と、を備える露光装置であって、
   前記マスクと前記基板のアライメントは、前記撮像手段によって撮像される、他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光装置。
2. パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を撮像する撮像手段と、をそれぞれ備える複数の露光装置を備え、該複数の露光装置を用いて、前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光することで、前記基板に複数層のパターンを形成する露光ユニットであって、
   二層目以降の前記露光装置では、前記マスクと前記基板のアライメントは、前記撮像手段によって撮像される、当該露光装置での露光より前に前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光ユニット。
3. 三層目以降の前記露光装置のうち、いずれかの層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークと、該いずれかの層より前の層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークとは、前記基板のパターンのコーナー部から前記所定の距離オフセットした位置となるように前記各マスクにそれぞれ描画されており、且つ、
   前記いずれかの層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークは、前記前の層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークに重ね合わせたとき、当該アライメントマークを覆うように、当該アライメントマークよりも大きく形成されることを特徴とする請求項２に記載の露光ユニット。
4. パターン及びアライメントマークを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を撮像する撮像手段と、を備える露光装置の露光方法であって、
   他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記マスクのアライメントマークとを前記撮像手段によって撮像する工程と、
   撮像された前記基板のパターンのコーナー部と前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけオフセットした位置となるように、前記マスクと前記基板をアライメントする工程と、
   前記アライメントされた前記基板を露光する工程と、
   を有することを特徴とする露光方法。

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