JP2013000911A - Method for manufacturing liquid jet head - Google Patents

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Hiroyoshi Kashino
裕義 樫野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a liquid jet head capable of inhibiting variance or lowering of liquid jetting characteristic, and inhibiting peeling of a nozzle plate and leakage of liquid.SOLUTION: In the method for manufacturing the liquid jet head, a nozzle plate 20, having a nozzle opening 21 from which liquid is jetted, and a channel formation substrate 10, on which a channel that communicates with the nozzle opening 21 is formed, are bonded through an adhesive 25. The method for manufacturing the liquid jet head includes: a step of forming resist at least on an inner surface of the nozzle opening 21 of a silicon substrate on which the nozzle opening 21 is formed; a step of dry-etching a bonded surface 20b, bonded to the channel formation substrate 10, of the silicon substrate on which the resist is formed; a step of forming the nozzle plate 20 by removing the resist on the silicon substrate subjected to dry etching; and a step of bonding the bonded surface 20b of the nozzle plate 20 to the channel formation substrate 10 through the adhesive 25.

Description

本発明は、液体を噴射するノズル開口が設けられたノズルプレートを有する液体噴射ヘ
ッドの製造方法に関する。
The present invention relates to a method of manufacturing a liquid ejecting head having a nozzle plate provided with nozzle openings for ejecting liquid.

液体噴射ヘッドの代表例としては、ノズル開口からインク滴を吐出するインクジェット
式記録ヘッドが挙げられる。
A typical example of the liquid ejecting head is an ink jet recording head that ejects ink droplets from nozzle openings.

このようなインクジェット式記録ヘッドでは、複数の部材を接着剤を介して組み立てる
のが一般的である。また、シリコン基板からなるノズルプレートにノズル開口を形成し、
このノズルプレートを流路が設けられた流路形成基板に接着剤を介して接合した構成が開
示されている(例えば、特許文献1及び2参照)。
In such an ink jet recording head, a plurality of members are generally assembled through an adhesive. In addition, a nozzle opening is formed in a nozzle plate made of a silicon substrate,
The structure which joined this nozzle plate to the flow-path formation board | substrate with which the flow path was provided via the adhesive agent is disclosed (for example, refer patent document 1 and 2).

特開2010−240854号公報JP 2010-240854 A 特開2009−208383号公報JP 2009-208383 A

しかしながら、シリコン基板からなるノズルプレートを流路形成基板に接着剤を介して
接着すると、接合強度不足によってノズルプレートの剥離や、液体の漏出などが発生する
虞があるという問題がある。
However, when a nozzle plate made of a silicon substrate is bonded to the flow path forming substrate via an adhesive, there is a problem that peeling of the nozzle plate or leakage of liquid may occur due to insufficient bonding strength.

なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドだけではなく、インク以外の液体
を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。
Such a problem exists not only in an ink jet recording head but also in a method of manufacturing a liquid ejecting head that ejects liquid other than ink.

本発明はこのような事情に鑑み、液体の噴射特性のばらつきや低下を抑制して、ノズル
プレートの剥離及び液体の漏出を抑制することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a method for manufacturing a liquid jet head capable of suppressing variations in liquid jetting characteristics and a decrease in liquid jetting characteristics, thereby suppressing separation of a nozzle plate and liquid leakage. To do.

上記課題を解決する本発明の態様は、液体が噴射されるノズル開口を有するノズルプレ
ートと、前記ノズル開口に連通する流路が形成された流路形成基板と、が接着剤を介して
接合された液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記ノズル開口が形成されたシリコン基
板の少なくとも前記ノズル開口の内面にレジストを形成する工程と、前記レジストが形成
された前記シリコン基板の前記流路形成基板に接合される接合面をドライエッチングする
工程と、ドライエッチングした前記シリコン基板の前記レジストを除去して前記ノズルプ
レートを形成する工程と、前記ノズルプレートの前記接合面を前記流路形成基板に接着剤
を介して接合する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある

かかる態様では、ノズルプレートの流路形成基板との接合面をドライエッチングするこ
とで粗面を形成することができ、ノズルプレートと接着剤との接合強度を向上することが
できる。また、ノズル開口をドライエッチングしないように保護することで、液体の噴射
特性にばらつきが生じるのを抑制して、安定した液体噴射特性を得ることができる。
An aspect of the present invention that solves the above problem is that a nozzle plate having a nozzle opening through which a liquid is ejected and a flow path forming substrate on which a flow path communicating with the nozzle opening is formed are bonded via an adhesive. A method of manufacturing a liquid jet head, the step of forming a resist on at least the inner surface of the nozzle opening of the silicon substrate on which the nozzle opening is formed, and the flow path forming substrate of the silicon substrate on which the resist is formed A step of dry etching a bonding surface to be bonded to the substrate, a step of forming the nozzle plate by removing the resist of the dry-etched silicon substrate, and bonding the bonding surface of the nozzle plate to the flow path forming substrate And a step of bonding via an agent.
In this aspect, the rough surface can be formed by dry etching the bonding surface of the nozzle plate with the flow path forming substrate, and the bonding strength between the nozzle plate and the adhesive can be improved. Further, by protecting the nozzle opening from being dry-etched, it is possible to suppress variations in the liquid ejection characteristics and obtain stable liquid ejection characteristics.

ここで、前記シリコン基板の少なくとも接合面には、酸化膜が形成されていると共に、
前記シリコン基板の前記接合面をドライエッチングする工程では、当該接合面に前記酸化
膜を残留させるように行うことが好ましい。これによれば、ノズルプレートと接着剤との
界面に液体が侵入したとしても酸化膜によってノズルプレートが液体に浸食されるのを抑
制することができる。
Here, an oxide film is formed on at least the bonding surface of the silicon substrate,
The step of dry etching the bonding surface of the silicon substrate is preferably performed so that the oxide film remains on the bonding surface. According to this, even if the liquid enters the interface between the nozzle plate and the adhesive, it is possible to suppress the nozzle plate from being eroded by the oxide film.

また、前記シリコン基板の前記接合面をドライエッチングする工程の後、少なくとも前
記接合面に酸化膜を形成する工程をさらに有することが好ましい。これによれば、ノズル
プレートと接着剤との界面に液体が侵入したとしても酸化膜によってノズルプレートが液
体に浸食されるのを抑制することができる。
Preferably, the method further includes a step of forming an oxide film on at least the bonding surface after the step of dry etching the bonding surface of the silicon substrate. According to this, even if the liquid enters the interface between the nozzle plate and the adhesive, it is possible to suppress the nozzle plate from being eroded by the oxide film.

また、前記シリコン基板に前記レジストを形成する工程では、前記流路形成基板の前記
流路に連通する面に亘って形成することが好ましい。これによれば、ノズルプレートの液
体に対する耐久性が低下するのを抑制することができる。
In the step of forming the resist on the silicon substrate, it is preferable to form the resist over the surface of the flow path forming substrate that communicates with the flow path. According to this, it can suppress that durability with respect to the liquid of a nozzle plate falls.

また、前記シリコン基板に前記レジストを形成する工程の前に、当該シリコン基板をド
ライエッチングすることにより前記ノズル開口を形成する工程をさらに有することが好ま
しい。これによれば、ドライエッチングによってノズル開口を容易に且つ高精度に形成す
ることができる。
Preferably, the method further includes a step of forming the nozzle opening by dry etching the silicon substrate before the step of forming the resist on the silicon substrate. According to this, the nozzle opening can be easily and accurately formed by dry etching.

本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of the recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention.

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録
ヘッドの分解斜視図であり、図2は、インクジェット式記録ヘッドの平面図及び断面図で
ある。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is an exploded perspective view of an ink jet recording head that is an example of a liquid jet head according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the ink jet recording head.

図示するように、インクジェット式記録ヘッドIを構成する流路形成基板10は、本実
施形態では、シリコン基板(シリコン単結晶基板)からなり、その一方面には酸化シリコ
ンを主成分とする弾性膜50が形成されている。この流路形成基板10には、一方面とは
反対側の面となる他方面側から異方性エッチングすることにより、圧力発生室12が形成
されている。そして、複数の隔壁によって区画された圧力発生室12が同じ色のインクを
吐出する複数のノズル開口21が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方
向を圧力発生室12の並設方向、又は第1の方向と称し、第1の方向に直交する方向を第
2の方向と称する。
As shown in the drawing, the flow path forming substrate 10 constituting the ink jet recording head I is composed of a silicon substrate (silicon single crystal substrate) in this embodiment, and an elastic film mainly composed of silicon oxide on one surface thereof. 50 is formed. A pressure generating chamber 12 is formed on the flow path forming substrate 10 by anisotropic etching from the other surface side which is the surface opposite to the one surface. The pressure generating chambers 12 partitioned by a plurality of partition walls are arranged side by side along a direction in which a plurality of nozzle openings 21 that eject ink of the same color are arranged in parallel. Hereinafter, this direction is referred to as a juxtaposed direction of the pressure generating chambers 12 or a first direction, and a direction orthogonal to the first direction is referred to as a second direction.

また、各列の圧力発生室12の第2の方向外側には、後述する保護基板30に設けられ
るマニホールド部31と連通し、各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド
100を構成する連通部13が形成されている。また、連通部13は、インク供給路14
及び連通路15を介して各圧力発生室12の第2方向の一端部とそれぞれ連通されている
。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及
び連通路15で構成される流路が形成されている。
Further, on the outer side in the second direction of the pressure generating chambers 12 in each row, a manifold 100 is formed which communicates with a manifold portion 31 provided on a protective substrate 30 described later and serves as a common ink chamber for the pressure generating chambers 12. A communication portion 13 is formed. The communication unit 13 includes an ink supply path 14.
And one end portion of each pressure generating chamber 12 in the second direction through the communication passage 15. That is, the flow path forming substrate 10 is formed with a flow path including the pressure generation chamber 12, the communication portion 13, the ink supply path 14, and the communication path 15.

また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反
対側で連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が接着剤25を介して接
合されている。
Further, a nozzle plate 20 in which a nozzle opening 21 communicating with the side opposite to the ink supply path 14 of each pressure generating chamber 12 is formed on the opening surface side of the flow path forming substrate 10 is bonded via an adhesive 25. Has been.

ノズルプレート20は、シリコン基板、本実施形態では、シリコン単結晶基板で形成さ
れている。また、ノズル開口21は、インク滴が吐出される液体噴射面20a側に設けら
れた第1ノズル開口21aと、流路形成基板10との接合面20b側に設けられて第1ノ
ズル開口21aよりも大きな内径を有する第2ノズル開口21bと、を具備する。
The nozzle plate 20 is formed of a silicon substrate, in this embodiment, a silicon single crystal substrate. The nozzle opening 21 is provided on the bonding surface 20b side of the first nozzle opening 21a provided on the liquid ejecting surface 20a side from which the ink droplets are ejected and the flow path forming substrate 10, and from the first nozzle opening 21a. And a second nozzle opening 21b having a large inner diameter.

また、本実施形態では、ノズルプレート20の接合面20b側の表面及びノズル開口2
1の内面に亘って酸化膜22が設けられている。本実施形態では、酸化膜22として、酸
化シリコン(SiO)を設けた。
In the present embodiment, the surface of the nozzle plate 20 on the bonding surface 20b side and the nozzle opening 2 are also provided.
An oxide film 22 is provided over the inner surface of 1. In this embodiment, silicon oxide (SiO 2 ) is provided as the oxide film 22.

なお、特に図示していないが、ノズルプレート20の液体噴射面20a側の表面には、
撥液膜(撥インク膜)が設けられている。撥液膜としては、特に限定されないが、例えば
、フッ素系高分子を含む金属膜やシロキサン等をプラズマ重合したプラズマ重合膜などを
用いることができる。
Although not particularly illustrated, on the surface of the nozzle plate 20 on the liquid ejection surface 20a side,
A liquid repellent film (ink repellent film) is provided. The liquid repellent film is not particularly limited, and for example, a metal film containing a fluorine-based polymer, a plasma polymerized film obtained by plasma polymerization of siloxane, or the like can be used.

一方、流路形成基板10の開口面とは反対側には、弾性膜50上に、例えば、酸化ジル
コニウムを主成分とする絶縁体膜55が形成されている。また、絶縁体膜55上には、第
1電極60と、圧電体層70と、第2電極80と、が積層された圧電アクチュエーター3
00(本実施形態の圧力発生手段)が形成されている。ここで、圧電アクチュエーター3
00は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、
圧電アクチュエーター300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体
層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニン
グされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により
圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、第1電極60を圧電アク
チュエーター300の共通電極とし、第2電極80を圧電アクチュエーター300の個別
電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述し
た例では、弾性膜50、絶縁体膜55及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論
これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50及び絶縁体膜55を設けずに、第1
電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター3
00自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
On the other hand, an insulating film 55 mainly composed of zirconium oxide is formed on the elastic film 50 on the side opposite to the opening surface of the flow path forming substrate 10. Further, the piezoelectric actuator 3 in which the first electrode 60, the piezoelectric layer 70, and the second electrode 80 are stacked on the insulator film 55.
00 (pressure generating means of this embodiment) is formed. Here, the piezoelectric actuator 3
00 is a portion including the first electrode 60, the piezoelectric layer 70, and the second electrode 80. In general,
One electrode of the piezoelectric actuator 300 is used as a common electrode, and the other electrode and the piezoelectric layer 70 are patterned for each pressure generating chamber 12. In addition, here, a portion that is configured by any one of the patterned electrodes and the piezoelectric layer 70 and in which piezoelectric distortion is generated by applying a voltage to both electrodes is referred to as a piezoelectric active portion. In the present embodiment, the first electrode 60 is used as a common electrode for the piezoelectric actuator 300 and the second electrode 80 is used as an individual electrode for the piezoelectric actuator 300. However, there is no problem even if this is reversed for the convenience of the drive circuit and wiring. In the above-described example, the elastic film 50, the insulator film 55, and the first electrode 60 function as a diaphragm. However, the present invention is not limited to this. For example, the elastic film 50 and the insulator film 55 are provided. Without first
Only the electrode 60 may act as a diaphragm. The piezoelectric actuator 3
00 itself may substantially double as a diaphragm.

圧電アクチュエーター300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14
側の端部近傍から引き出され、絶縁体膜55上にまで延設される、例えば、金(Au)等
からなるリード電極90が接続されている。
Each second electrode 80, which is an individual electrode of the piezoelectric actuator 300, has an ink supply path 14.
A lead electrode 90 made of, for example, gold (Au) or the like, which is drawn out from the vicinity of the end on the side and extends to the insulator film 55 is connected.

このような圧電アクチュエーター300が形成された流路形成基板10上、すなわち、
第1電極60、絶縁体膜55及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくと
も一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合さ
れている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通
して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の
連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を
構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割し
て、マニホールド部31のみをマニホールド100としてもよい。さらに、例えば、流路
形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介
在する部材(例えば、弾性膜50、絶縁体膜55等)にマニホールドと各圧力発生室12
とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。
On the flow path forming substrate 10 on which such a piezoelectric actuator 300 is formed, that is,
On the first electrode 60, the insulator film 55, and the lead electrode 90, a protective substrate 30 having a manifold portion 31 constituting at least a part of the manifold 100 is bonded via an adhesive 35. In this embodiment, the manifold portion 31 penetrates the protective substrate 30 in the thickness direction and is formed across the width direction of the pressure generating chamber 12. As described above, the communication portion 13 of the flow path forming substrate 10. The manifold 100 is configured as a common ink chamber for the pressure generation chambers 12. Further, the communication portion 13 of the flow path forming substrate 10 may be divided into a plurality of pressure generation chambers 12, and only the manifold portion 31 may be used as the manifold 100. Further, for example, only the pressure generation chamber 12 is provided in the flow path forming substrate 10, and a manifold and a member (for example, the elastic film 50, the insulator film 55, etc.) interposed between the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30 are provided. Each pressure generation chamber 12
An ink supply path 14 that communicates with each other may be provided.

また、保護基板30の圧電アクチュエーター300に対向する領域には、圧電アクチュ
エーター300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電アクチュエーター保持部32
が設けられている。圧電アクチュエーター保持部32は、圧電アクチュエーター300の
運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封さ
れていなくてもよい。
Further, the piezoelectric actuator holding portion 32 having a space that does not hinder the movement of the piezoelectric actuator 300 in a region facing the piezoelectric actuator 300 of the protective substrate 30.
Is provided. The piezoelectric actuator holding part 32 only needs to have a space that does not hinder the movement of the piezoelectric actuator 300, and the space may be sealed or unsealed.

このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例え
ば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板
10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
As such a protective substrate 30, it is preferable to use substantially the same material as the coefficient of thermal expansion of the flow path forming substrate 10, for example, glass, ceramic material, etc. In this embodiment, the same material as the flow path forming substrate 10 is used. The silicon single crystal substrate was used.

また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられて
いる。そして、各圧電アクチュエーター300から引き出されたリード電極90の端部近
傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。
The protective substrate 30 is provided with a through hole 33 that penetrates the protective substrate 30 in the thickness direction. The vicinity of the end of the lead electrode 90 drawn from each piezoelectric actuator 300 is provided so as to be exposed in the through hole 33.

また、保護基板30上には、並設された圧電アクチュエーター300を駆動するための
駆動回路110が固定されている。この駆動回路110としては、例えば、回路基板や半
導体集積回路(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路110とリード電極9
0とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線111を介して電気
的に接続されている。
A drive circuit 110 for driving the piezoelectric actuators 300 arranged in parallel is fixed on the protective substrate 30. As the drive circuit 110, for example, a circuit board, a semiconductor integrated circuit (IC), or the like can be used. Then, the drive circuit 110 and the lead electrode 9
0 is electrically connected via a connection wiring 111 made of a conductive wire such as a bonding wire.

また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプラ
イアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する
材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。
また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホール
ド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、
マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
In addition, a compliance substrate 40 including a sealing film 41 and a fixing plate 42 is bonded onto the protective substrate 30. Here, the sealing film 41 is made of a material having low rigidity and flexibility, and one surface of the manifold portion 31 is sealed by the sealing film 41.
The fixing plate 42 is formed of a relatively hard material. Since the region of the fixing plate 42 facing the manifold 100 is an opening 43 that is completely removed in the thickness direction,
One surface of the manifold 100 is sealed only with a flexible sealing film 41.

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しないインク導入口
からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインク
で満たした後、駆動回路110からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞ
れの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体膜55、第
1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力
が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
In such an ink jet recording head I of this embodiment, after taking ink from an ink introduction port (not shown) and filling the interior from the manifold 100 to the nozzle opening 21, according to the recording signal from the drive circuit 110, Applying a voltage between each of the first electrode 60 and the second electrode 80 corresponding to the pressure generating chamber 12 to cause the elastic film 50, the insulator film 55, the first electrode 60, and the piezoelectric layer 70 to bend and deform. As a result, the pressure in each pressure generating chamber 12 increases and ink droplets are ejected from the nozzle openings 21.

ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法、特にノズルプレートの製
造方法について詳細に説明する。なお、図3〜図6は、インクジェット式記録ヘッドの製
造方法を示す断面図である。
Here, a method for manufacturing such an ink jet recording head, particularly a method for manufacturing a nozzle plate, will be described in detail. 3 to 6 are cross-sectional views showing a method for manufacturing the ink jet recording head.

まず、図3(a)に示すように、ノズルプレート20となるシリコン基板120を熱酸
化することによってシリコン基板120の表面に酸化シリコン(SiO)からなるマス
ク膜121を形成する。
First, as shown in FIG. 3A, a mask film 121 made of silicon oxide (SiO 2 ) is formed on the surface of the silicon substrate 120 by thermally oxidizing the silicon substrate 120 that becomes the nozzle plate 20.

次に、図3(b)に示すように、シリコン基板120の接合面20b側のマスク膜12
1をエッチングすることによってパターニングする。ここで、マスク膜121のパターニ
ングは、ノズル開口21の形状に合わせて行われる。本実施形態では、ノズル開口21が
第1ノズル開口21aと第2ノズル開口21bとを有するため、第1ノズル開口21aと
第2ノズル開口21bとに合わせた形状で開口部122を形成する。具体的には、開口部
122は、ノズル開口21の第1ノズル開口21aとなる部分を貫通させて、第2ノズル
開口21bとなる部分をハーフエッチングすることにより形成する。このような開口面積
の異なるパターニングは、開口形状の異なるレジストを2回用いることで形成することが
できる。また、マスク膜121のエッチングは、フッ酸水溶液等を用いたウェットエッチ
ングにより行うことができる。
Next, as shown in FIG. 3B, the mask film 12 on the bonding surface 20 b side of the silicon substrate 120.
1 is patterned by etching. Here, the patterning of the mask film 121 is performed in accordance with the shape of the nozzle opening 21. In the present embodiment, since the nozzle opening 21 includes the first nozzle opening 21a and the second nozzle opening 21b, the opening 122 is formed in a shape matching the first nozzle opening 21a and the second nozzle opening 21b. Specifically, the opening 122 is formed by penetrating a portion that becomes the first nozzle opening 21a of the nozzle opening 21 and half-etching a portion that becomes the second nozzle opening 21b. Such patterning with different opening areas can be formed by using resists with different opening shapes twice. The mask film 121 can be etched by wet etching using a hydrofluoric acid aqueous solution or the like.

次に、図3(c)に示すように、シリコン基板120をマスク膜121を介して異方性
エッチング(ドライエッチング)することで、第1ノズル開口21aを形成する。
Next, as shown in FIG. 3C, the first nozzle opening 21 a is formed by anisotropically etching (dry etching) the silicon substrate 120 through the mask film 121.

次に、図3(d)に示すように、マスク膜121の第2ノズル開口21bとなる部分の
みを除去する。本実施形態では、フッ酸水溶液等を用いたウェットエッチング(ハーフエ
ッチング)によって除去した。これにより、開口部122は、第2ノズル開口21bと同
じ開口面積で開口する。
Next, as shown in FIG. 3D, only the portion of the mask film 121 that becomes the second nozzle opening 21b is removed. In this embodiment, it was removed by wet etching (half etching) using a hydrofluoric acid aqueous solution or the like. Thereby, the opening part 122 opens with the same opening area as the 2nd nozzle opening 21b.

次に、図4(a)に示すように、シリコン基板120をマスク膜121を介して異方性
エッチング(ドライエッチング)することで、第1ノズル開口21aと第2ノズル開口2
1bとで構成されるノズル開口21を形成する。
Next, as shown in FIG. 4A, the silicon substrate 120 is anisotropically etched (dry etching) through the mask film 121, whereby the first nozzle opening 21a and the second nozzle opening 2 are formed.
Nozzle opening 21 composed of 1b is formed.

次に、図4(b)に示すように、シリコン基板120のマスク膜121を除去した後、
シリコン基板120の表面に亘って酸化シリコンからなる酸化膜22を形成する。本実施
形態では、酸化膜は、シリコン基板120のノズル開口21が開口する面及び反対面の両
面と、ノズル開口21の内面とに亘って形成される。なお、マスク膜121は、フッ酸水
溶液を用いて除去することができる。また、酸化膜22は、シリコン基板120を加熱す
ることで、その表面に亘って熱酸化した酸化シリコンからなる酸化膜22を形成すること
ができる。もちろん、酸化膜22は、スパッタリング法やMOD法等によって形成しても
よい。
Next, as shown in FIG. 4B, after removing the mask film 121 of the silicon substrate 120,
An oxide film 22 made of silicon oxide is formed over the surface of the silicon substrate 120. In the present embodiment, the oxide film is formed across both the surface of the silicon substrate 120 where the nozzle opening 21 is opened and the opposite surface, and the inner surface of the nozzle opening 21. Note that the mask film 121 can be removed using a hydrofluoric acid aqueous solution. Further, the oxide film 22 can be formed by heating the silicon substrate 120 to thermally oxidize the silicon substrate 120 over the surface thereof. Of course, the oxide film 22 may be formed by sputtering, MOD, or the like.

次に、図4(c)に示すように、シリコン基板120の第2ノズル開口21b側の接合
面20bに支持基板130を接合する。支持基板130としては、ガラスやシリコン単結
晶基板等を用いることができる。また、支持基板130の接合方法としては、例えば、紫
外線又は熱などの刺激で接着力が低下する自己剥離層を有する両面テープ131などを用
いることができる。
Next, as shown in FIG. 4C, the support substrate 130 is bonded to the bonding surface 20b of the silicon substrate 120 on the second nozzle opening 21b side. As the support substrate 130, glass, a silicon single crystal substrate, or the like can be used. In addition, as a method for bonding the support substrate 130, for example, a double-sided tape 131 having a self-peeling layer whose adhesive strength is reduced by stimulation such as ultraviolet rays or heat can be used.

次に、図5(a)に示すように、シリコン基板120を支持基板130に接合された面
(接合面20b)とは反対側の面側から所定の厚さに薄くして、第1ノズル開口21aの
先端を開口させる。本実施形態では、シリコン基板120の支持基板130に接合された
面とは反対側の面を研削することで薄くした。また、シリコン基板120を研削した後、
研削面をポリッシャー又はCMP(ケミカルメカニカルポリッシング)装置によって研磨
する。このようにシリコン基板120を研磨した面がインク滴が吐出される液体噴射面2
0aとなる。このため、特に図示していないが、研磨面(液体噴射面)に撥液膜(撥イン
ク膜)を形成する。
Next, as shown in FIG. 5A, the silicon substrate 120 is thinned to a predetermined thickness from the surface opposite to the surface bonded to the support substrate 130 (bonding surface 20b), and the first nozzle The tip of the opening 21a is opened. In this embodiment, the surface of the silicon substrate 120 opposite to the surface bonded to the support substrate 130 is thinned by grinding. In addition, after grinding the silicon substrate 120,
The ground surface is polished by a polisher or a CMP (Chemical Mechanical Polishing) apparatus. The surface on which the silicon substrate 120 is polished in this way is the liquid ejection surface 2 on which ink droplets are ejected.
0a. Therefore, although not particularly shown, a liquid repellent film (ink repellent film) is formed on the polishing surface (liquid ejection surface).

次に、図5(b)に示すように、ノズル開口21の内面をレジスト140で覆う。本実
施形態では、シリコン基板120がノズルプレート20として流路形成基板10に接合さ
れた際に、圧力発生室12に連通する内面にレジスト140を設けるようにした。すなわ
ち、レジスト140は、ノズル開口21に充填され、且つシリコン基板120(ノズルプ
レート20)の圧力発生室12に相対向する領域に設けられている。
Next, as shown in FIG. 5B, the inner surface of the nozzle opening 21 is covered with a resist 140. In the present embodiment, when the silicon substrate 120 is bonded to the flow path forming substrate 10 as the nozzle plate 20, the resist 140 is provided on the inner surface communicating with the pressure generation chamber 12. That is, the resist 140 is provided in a region that fills the nozzle opening 21 and faces the pressure generation chamber 12 of the silicon substrate 120 (nozzle plate 20).

次に、図5(c)に示すように、シリコン基板120の接合面20b側をドライエッチ
ングする。これにより、シリコン基板120のレジスト140に覆われていない接合面2
0bを粗面20cとすることができる。すなわち、このシリコン基板120のドライエッ
チングでは、シリコン基板120の表面(接合面20b)が粗面20cとなる条件で適宜
行う。
Next, as shown in FIG. 5C, the bonding surface 20b side of the silicon substrate 120 is dry-etched. Thereby, the bonding surface 2 not covered with the resist 140 of the silicon substrate 120.
0b can be the rough surface 20c. That is, the dry etching of the silicon substrate 120 is appropriately performed under the condition that the surface (bonding surface 20b) of the silicon substrate 120 becomes the rough surface 20c.

また、接合面20bには、酸化膜22が設けられているが、本実施形態のシリコン基板
120のドライエッチングでは、酸化膜22が完全に除去されずに残留するように行う。
Further, although the oxide film 22 is provided on the bonding surface 20b, the dry etching of the silicon substrate 120 of the present embodiment is performed so that the oxide film 22 remains without being completely removed.

次に、図6(a)に示すように、シリコン基板120のレジスト140を除去する。こ
れによりノズル開口21が設けられたノズルプレート20が製造される。
Next, as shown in FIG. 6A, the resist 140 on the silicon substrate 120 is removed. Thereby, the nozzle plate 20 provided with the nozzle openings 21 is manufactured.

そして、図6(b)に示すように、このように製造されたノズルプレート20の接合面
20bを流路形成基板10の圧力発生室12が開口する面に接着剤25を介して接着する
Then, as shown in FIG. 6B, the joint surface 20b of the nozzle plate 20 manufactured in this way is bonded to the surface of the flow path forming substrate 10 where the pressure generating chamber 12 is opened via an adhesive 25.

このとき、ノズルプレート20の接合面20bの流路形成基板10に接合される領域は
、ドライエッチングによって粗面20cとなっているため、アンカー効果によってノズル
プレート20と接着剤25との接合強度を向上することができる。このように、流路形成
基板10と接合する接着剤25とノズルプレート20との接合強度を向上することで、流
路形成基板10からのノズルプレート20の剥離等の破壊や接合部分からのインクの漏出
などを抑制することができる。
At this time, since the region bonded to the flow path forming substrate 10 on the bonding surface 20b of the nozzle plate 20 is a rough surface 20c by dry etching, the bonding strength between the nozzle plate 20 and the adhesive 25 is increased by the anchor effect. Can be improved. In this way, by improving the bonding strength between the adhesive 25 and the nozzle plate 20 to be bonded to the flow path forming substrate 10, breakage such as peeling of the nozzle plate 20 from the flow path forming substrate 10 and ink from the bonded portion. Leakage etc. can be suppressed.

また、本実施形態では、ノズルプレート20の流路形成基板10との接合面20bのみ
をドライエッチングして粗面20cとし、少なくともノズル開口21の内面は粗面としな
いようにした。このため、ノズル開口21のインクに対する耐性が低下するのを抑制して
、接合面20bをドライエッチングした場合とドライエッチングしない場合とで、インク
滴の吐出特性が変化するのを抑制することができる。ちなみに、ノズル開口21の内面を
ドライエッチングにより粗面にしてしまうと、ノズル開口21の内面のインクに対する耐
性が低下してしまうと共に、ノズル開口21に形成されるインクのメニスカスの挙動が変
化し、インク滴の吐出特性に変化が生じてしまう。なお、本実施形態では、ノズル開口2
1はドライエッチングによって形成しているため、ノズル開口21の内面はドライエッチ
ングされた面となるが、ノズル開口21を形成するドライエッチングは、上述した接合面
20bに粗面20cを形成するドライエッチングよりも加工面が粗くなるものではない。
In the present embodiment, only the joint surface 20b of the nozzle plate 20 with the flow path forming substrate 10 is dry-etched to be a rough surface 20c, and at least the inner surface of the nozzle opening 21 is not roughened. For this reason, it can suppress that the tolerance with respect to the ink of the nozzle opening 21 falls, and can suppress that the discharge characteristic of an ink drop changes with the case where it does not dry-etch with the case where the joint surface 20b is dry-etched. . Incidentally, if the inner surface of the nozzle opening 21 is roughened by dry etching, the resistance to the ink on the inner surface of the nozzle opening 21 is reduced, and the behavior of the meniscus of the ink formed in the nozzle opening 21 is changed. A change occurs in the ejection characteristics of the ink droplets. In this embodiment, the nozzle opening 2
Since 1 is formed by dry etching, the inner surface of the nozzle opening 21 is a dry-etched surface. However, the dry etching that forms the nozzle opening 21 is the dry etching that forms the rough surface 20c on the bonding surface 20b described above. The processing surface is not rougher than.

また、本実施形態では、接合面20bに酸化膜22が残留するようにした。このため、
ノズルプレート20と接着剤25との界面にインクが侵入したとしても、酸化膜22によ
ってノズルプレート20のインクによる浸食を抑制することができる。
In the present embodiment, the oxide film 22 remains on the bonding surface 20b. For this reason,
Even if the ink enters the interface between the nozzle plate 20 and the adhesive 25, the oxide film 22 can suppress the erosion of the nozzle plate 20 by the ink.

なお、本実施形態では、流路形成基板10側について特に説明していないが、流路形成
基板10のノズルプレート20が接合される接合面をドライエッチングすることで粗面と
すれば、流路形成基板10と接着剤25とノズルプレート20との接合強度を向上して、
剥離等の破壊やインクの漏出などをさらに確実に抑制することができる。
In the present embodiment, the flow path forming substrate 10 side is not particularly described. However, if the bonding surface to which the nozzle plate 20 of the flow path forming substrate 10 is bonded is roughened by dry etching, the flow path forming substrate 10 side is formed. Improving the bonding strength between the forming substrate 10, the adhesive 25 and the nozzle plate 20,
Destruction such as peeling or ink leakage can be more reliably suppressed.

(他の実施形態)
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したもの
に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態1では、シリコン基板120に酸
化膜22を設け、接合面20bをドライエッチングする際に酸化膜22が残留するように
したが、特にこれに限定されず、例えば、接合面20bをドライエッチングした後に接合
面20bに酸化膜22が無い状態であってもよい。この場合には、接合面20bをドライ
エッチングした後に接合面20bに酸化膜22を形成する工程を追加すればよい。なお、
接合面20bをドライエッチングした後に接合面20bに酸化膜22が無い状態とは、接
合面20bをドライエッチングすることによって酸化膜22を完全に除去してしまった場
合や、接合面20bをドライエッチングする前に酸化膜22を除去する工程を行っていた
場合などを含むものである。
(Other embodiments)
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the basic composition of this invention is not limited to what was mentioned above. For example, in Embodiment 1 described above, the oxide film 22 is provided on the silicon substrate 120 so that the oxide film 22 remains when the bonding surface 20b is dry-etched. However, the present invention is not particularly limited thereto. After the dry etching of 20b, the oxide film 22 may not be present on the bonding surface 20b. In this case, a step of forming the oxide film 22 on the bonding surface 20b after dry-etching the bonding surface 20b may be added. In addition,
The state in which the oxide film 22 is not present on the bonding surface 20b after the bonding surface 20b is dry-etched means that the oxide film 22 is completely removed by dry-etching the bonding surface 20b, or the bonding surface 20b is dry-etched. This includes the case where the step of removing the oxide film 22 has been performed before the process.

また、勿論、接合面20bをドライエッチングした後、接合面20bに酸化膜22が形
成されていなくても、接合面20bをドライエッチングして粗面20cとすることで、ノ
ズルプレート20と接着剤25との接合強度を向上することができる。
Of course, after the bonding surface 20b is dry-etched and the oxide film 22 is not formed on the bonding surface 20b, the bonding surface 20b is dry-etched to the rough surface 20c, so that the nozzle plate 20 and the adhesive can be used. The bonding strength with 25 can be improved.

さらに、上述した実施形態1では、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手
段として、薄膜型の圧電アクチュエーター300を用いて説明したが、特にこれに限定さ
れず、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型の圧電アクチ
ュエーターや、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動
型の圧電アクチュエーターなどを使用することができる。また、圧力発生手段として、圧
力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズルから
液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振
動板を変形させてノズルから液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエーターなどを使
用することができる。
Furthermore, in Embodiment 1 described above, the thin film type piezoelectric actuator 300 has been described as the pressure generating means for causing a pressure change in the pressure generating chamber 12, but the present invention is not particularly limited thereto. For example, a green sheet is attached. It is possible to use a thick film type piezoelectric actuator formed by such a method, a longitudinal vibration type piezoelectric actuator in which piezoelectric materials and electrode forming materials are alternately stacked and expanded and contracted in the axial direction. In addition, as a pressure generating means, a heating element is arranged in the pressure generating chamber, and droplets are ejected from the nozzle by bubbles generated by heat generation of the heating element, or static electricity is generated between the diaphragm and the electrode. A so-called electrostatic actuator that deforms the diaphragm by electrostatic force and discharges droplets from the nozzle can be used.

また、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、例えば、プリンタ
ー等の画像記録装置に用いられる各種のインクジェット式記録ヘッド等の記録ヘッド、液
晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディ
スプレイ、FED(電界放出ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッ
ド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも適用することができる
In addition, the present invention is intended for a wide range of liquid ejecting heads in general, for example, for manufacturing recording heads such as various ink jet recording heads used in image recording apparatuses such as printers, and color filters such as liquid crystal displays. The present invention can also be applied to a coloring material ejecting head, an organic EL display, an electrode material ejecting head used for forming electrodes such as an FED (field emission display), a bioorganic matter ejecting head used for biochip manufacturing, and the like.

I インクジェット式記録ヘッド(液体噴射ヘッド)、 10 流路形成基板、 12
圧力発生室、 20 ノズルプレート、 20a 液体噴射面、 20b 接合面、
20c 粗面、 21 ノズル開口、 21a 第1ノズル開口、 21b 第2ノズル
開口、 22 酸化膜、 30 保護基板、 40 コンプライアンス基板、 50 弾
性膜、 55 絶縁体膜、 60 第1電極、 70 圧電体層、 80 第2電極、
90 リード電極、 100 マニホールド、 110 駆動回路、 120 シリコン
基板、 300 圧電アクチュエーター
I ink jet recording head (liquid jet head), 10 flow path forming substrate, 12
Pressure generation chamber, 20 nozzle plate, 20a liquid ejection surface, 20b joint surface,
20c rough surface, 21 nozzle opening, 21a first nozzle opening, 21b second nozzle opening, 22 oxide film, 30 protective substrate, 40 compliance substrate, 50 elastic film, 55 insulator film, 60 first electrode, 70 piezoelectric layer 80 Second electrode,
90 lead electrode, 100 manifold, 110 drive circuit, 120 silicon substrate, 300 piezoelectric actuator

Claims (5)

液体が噴射されるノズル開口を有するノズルプレートと、
前記ノズル開口に連通する流路が形成された流路形成基板と、が接着剤を介して接合さ
れた液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記ノズル開口が形成されたシリコン基板の少なくとも前記ノズル開口の内面にレジス
トを形成する工程と、
前記レジストが形成された前記シリコン基板の前記流路形成基板に接合される接合面を
ドライエッチングする工程と、
ドライエッチングした前記シリコン基板の前記レジストを除去して前記ノズルプレート
を形成する工程と、
前記ノズルプレートの前記接合面を前記流路形成基板に接着剤を介して接合する工程と
、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
A nozzle plate having nozzle openings through which liquid is ejected;
A flow path forming substrate in which a flow path communicating with the nozzle opening is formed, and a manufacturing method of a liquid ejecting head bonded with an adhesive,
Forming a resist on at least an inner surface of the nozzle opening of the silicon substrate on which the nozzle opening is formed;
Dry etching a bonding surface bonded to the flow path forming substrate of the silicon substrate on which the resist is formed;
Removing the resist of the dry-etched silicon substrate to form the nozzle plate;
And a step of bonding the bonding surface of the nozzle plate to the flow path forming substrate via an adhesive.
前記シリコン基板の少なくとも接合面には、酸化膜が形成されていると共に、前記シリ
コン基板の前記接合面をドライエッチングする工程では、当該接合面に前記酸化膜を残留
させるように行うことを特徴とする請求項1記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
An oxide film is formed on at least the bonding surface of the silicon substrate, and the step of dry etching the bonding surface of the silicon substrate is performed so that the oxide film remains on the bonding surface. The method of manufacturing a liquid jet head according to claim 1.
前記シリコン基板の前記接合面をドライエッチングする工程の後、少なくとも前記接合
面に酸化膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載の液体噴射ヘッ
ドの製造方法。
The method of manufacturing a liquid jet head according to claim 1, further comprising a step of forming an oxide film on at least the bonding surface after the step of dry etching the bonding surface of the silicon substrate.
前記シリコン基板に前記レジストを形成する工程では、前記流路形成基板の前記流路に
連通する面に亘って形成することを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の液体噴
射ヘッドの製造方法。
4. The liquid jet according to claim 1, wherein in the step of forming the resist on the silicon substrate, the resist is formed over a surface of the flow path forming substrate that communicates with the flow path. Manufacturing method of the head.
前記シリコン基板に前記レジストを形成する工程の前に、当該シリコン基板をドライエ
ッチングすることにより前記ノズル開口を形成する工程をさらに有することを特徴とする
請求項1〜4の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
5. The method according to claim 1, further comprising a step of forming the nozzle opening by dry etching the silicon substrate before the step of forming the resist on the silicon substrate. Manufacturing method of liquid jet head of
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