JP2012532578A - コンデンサ充電システムと、コンデンサ充電システム用ディジタル制御モジュール及び絶縁型収集モジュール - Google Patents

Abstract

発明はコンデンサ充電モジュール（１１０）、絶縁型収集モジュール（１２０）及びディジタル制御モジュール（１３０）を含むコンデンサ充電システム（１００）に関する。絶縁型収集モジュール（１２０）はコンデンサ充電モジュール（１１０）の出力電圧をサンプリングするように構成される。ディジタル制御モジュール（１３０）は双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュール（１２０）に接続され、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュール（１１０）に接続される。ディジタル制御モジュール（１３０）は、絶縁型収集モジュールから双方向性リンクを介して受信するサンプルした出力電圧レベルを表すデータに基いて、制御信号情報と同期化信号を発生するように構成される。ディジタル制御モジュール（１３０）は更に、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュール（１１０）に制御信号情報を送り、双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュール（１２０）に同期化信号を送るように構成される。コンデンサ充電モジュール（１１０）はディジタル制御モジュールからの制御信号情報に基いて制御され、絶縁型収集モジュール（１２０）は同期化信号に基いてサンプリングを実行するように構成される。

Description

本発明は一般にコンデンサ充電システム、特に安定性及び／又は精度の高いコンデンサ充電システムと、かかるコンデンサ充電システムのためのディジタル制御モジュール及び絶縁型収集モジュールに関する。

コンデンサ充電システムは、短い高電流のパルスが用いられるどんな処でも共通して用いられる。用途の例には電力変調器、加速器、閃光装置、ｚ線システム等がある。コンデンサを部分的又は完全に放電すると、高電流が得られる。この電流の安定性は、コンデンサ充電システムの供給する電圧に直接依存する。コンデンサ充電電圧が安定ならば、パルス化システムから供給される電流は安定なものとなろう。同システムには高電流スパイクや高感度電子部品があるのが普通なので、充電速度や末端電圧レベルを正確に調整するのは容易ではない。全調整システムの安定性は、コンデンサ充電システムの出力電圧の測定精度に極めて大きく依存する。この出力電圧は通常、抵抗から成る分圧器を介して測定され、歪みの原因は通常、コンデンサ充電システム内でオン／オフ切り換えられる高電流である。これ等のスイッチ事象が共通アースに対して、且つ充電コンデンサへのケーブルインダクタンスに依存する、出力部での実電圧変動として、電圧歪みを発生している。

本発明は従来技術装置のこれ等及び他の難点を克服しようとするものである。
改良されたコンデンサ充電システムを提供することが概略的目的である。
コンデンサ充電システムに基く電力変調器を提供することがより特定された目的である。
コンデンサ充電システム用のディジタル制御モジュールを提供することがもう一つの目的である。
コンデンサ充電システム用の絶縁型収集モジュールを提供することがもう一つの目的である。

これ等及び他の目的は、特許請求の範囲によって達成される。
第１の態様において、本発明はコンデンサ充電モジュールと、絶縁（分離）型収集モジュールと、ディジタル制御モジュールから成るコンデンサ充電システムに関する。絶縁型収集モジュールは、前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルをサンプリングするように構成される。ディジタル制御モジュールは、双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュールに接続され、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュールに接続される。ディジタル制御モジュールは、絶縁型収集モジュールから双方向性リンクを介して受信したサンプリング出力電圧レベルを表すデータに基いて、制御信号情報及び同期化信号情報を発生するように構成される。ディジタル制御モジュールは更に、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュールに制御信号情報を送り、双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュールに同期化信号情報を送るように構成される。コンデンサ充電モジュールはディジタル制御モジュールからの制御信号情報に基いて制御され、絶縁型収集モジュールは同期化信号情報に基いてサンプリングを実行するように構成される。

好ましくは、絶縁型収集モジュールは同期化信号に基くサンプリングを、コンデンサ充電モジュールの出力パルスに対する、制御されたタイミング関係で実行するように構成される

例えば、コンデンサ充電モジュールをパルス幅変調（ＰＷＭ）式コンデンサ充電モジュールとして実施し、ディジタル制御モジュールが制御信号情報を、ＰＷＭ制御パルスを含むＰＷＭパターン形式で発生するように構成されることが望ましい。好ましくは、この例示の場合、絶縁型収集モジュールは、コンデンサ充電モジュールの収集モジュールの出力電圧レベルのサンプリングを、次のＰＷＭ制御パルスの前にそれと近接関係で、前の出力パルスからの、コンデンサ充電モジュールの出力電圧における歪みが許容レベルにまで減衰するように、実行するように構成される。

一例として、コンデンサ充電モジュールの出力パルス周波数は１０ｋＨｚより高く、好ましくは２５ｋＨｚ程度とし、サンプリング周波数は出力パルス周波数と同程度に高いものとする。

この大きさのサンプリング周波数では、双方向性リンクを介して移送されるべき情報量はかなり相当なものとなるので、従って双方向性リンクをディジタル光リンクとして実施するのが有利であろう。この目的のため、絶縁型収集モジュール及びディジタル制御モジュールの各々は光入力／出力インターフェースを有して良い。

第２の態様によれば、コンデンサ充電システム用のディジタル制御モジュールが提供される。コンデンサ充電システムはコンデンサ充電モジュールと、前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルをサンプリングする絶縁型収集モジュールを有する。ディジタル制御モジュールは双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュールに接続され、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュールに接続される。ディジタル制御モジュールは、絶縁型収集モジュールから双方向性リンクを介して受信した、コンデンサ充電モジュールのサンプリング出力電圧レベルを表すデータに基いて、制御信号情報及び同期化信号情報を発生するように構成される。ディジタル制御モジュールは更に、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュールに制御信号情報を送ってコンデンサ充電モジュールの出力パルスを制御し、双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュールに同期化信号情報を送って絶縁型収集モジュールのサンプリング動作を制御するように構成される。

第３の態様において、コンデンサ充電モジュール用の絶縁型収集モジュールが提供される。コンデンサ充電システムはコンデンサ充電と、ディジタル制御モジュールを有する。絶縁型収集モジュールは双方向性リンクを介してディジタル制御モジュールに接続され、そして絶縁型収集モジュールはコンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルを、ディジタル制御モジュールからの同期化信号情報に基いて、コンデンサ充電モジュールの出力パルスに関係する、制御されたタイミング関係で、サンプリングするように構成される。

本発明の違った態様には、コンデンサ充電システムと、コンデンサ充電システムを含む電力変調器と、コンデンサ充電システム用のディジタル制御モジュール及び絶縁型収集モジュールが含まれる。

本発明の提供する他の利点は、本発明の実施態様の以下の記載を読解すると理解されるであろう。
本発明並びその更なる目的及び利点は、以下の記載を添付図面と共に解し、参照することによって最良の理解が得られるであろう。

コンデンサ充電システムを伴う応用例を示す概略図である。 時の経過に対するコンデンサ電圧の一例を示す。 一例示実施態様によるコンデンサ充電システムを示す概略図である。 一特定例によるコンデンサ充電システムを示す概略的信号図である。 一特定例によるコンデンサ充電システムを示す概略的信号図である。 一特定例によるコンデンサ充電システムを示す概略的信号図である。 一特定例によるコンデンサ充電システムを示す概略的信号図である。 は一例示実施態様によるコンデンサ充電システムの一特定例を示す概略図である。 コンデンサ充電システムのためのディジタル制御モジュールの一特定例を示す概略図である。 コンデンサ充電システムのための絶縁型収集モジュールの一特定例を示す概略図である。

図面を通して、同一参照符号は対応又は類似構成部品に用いられている。

図１はコンデンサ充電システムを伴う応用例を示す概略図である。図１に示す応用例は全体として基本的に電力変調器に対応し、全コンデンサ充電システム１００を示し、それがどうコンデンサ２００に、更に必要に応じて昇圧変圧器３００に接続されるかを示す。コンデンサ２００の出力は昇圧変圧器３００の一次巻き線を通るものである。コンデンサを放電するスイッチ４００は基本的に、コンデンサ充電システムの出力を短絡するものである。

図２は時間に対するコンデンサ電圧の一例を示す。コンデンサはパルス状様に放電し、次に、初めは急速に、次いで通常は緩やかに再充電され、次にコンデンサは完全に充電され、再度放電に備える。

一例として、コンデンサ充電モジュールの出力パルスの電圧は５００Ｖより高いが、２５００Ｖより低く、好ましくは９００〜１５００Ｖである。

図に示すもののような電力変調器に用いられる適宜スイッチの例には、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）スイッチ及び電子的にオン・オフ制御可能な同様のスイッチが含まれる。

勿論、他の応用例もあることは背景部で述べた通りである。

図３は一例示的実施態様によるコンデンサ充電システムを示す概略図である。コンデンサ充電システム１００は基本的にコンデンサ充電モジュール１１０、絶縁型収集モジュール１２０及びディジタル制御モジュール１３０から成る。絶縁型収集モジュール１２０はコンデンサ充電モジュール１１０の出力電圧レベルをサンプリングするように構成されている。ディジタル制御モジュール１３０は双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュール１２０に接続され、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュール１１０に接続されている。ディジタル制御モジュール１３０は絶縁型収集モジュール１２０から双方向性リンクを介して受信する、サンプルした出力電圧レベルを表すデータに基いて、制御信号情報及び同期化信号情報を発生するように構成されている。ディジタル制御モジュール１３０は更に、制御信号インターフェースを介してコンデンサ充電モジュール１１０に制御信号情報を送り、双方向性リンクを介して絶縁型収集モジュール１２０に同期化信号情報を送るように構成されている。コンデンサ充電モジュール１１０はディジタル制御モジュール１３０からの制御信号情報に基いて制御され、又絶縁型収集モジュール１２０は同期化信号に基いてサンプリングを実行するように構成されている。

特に、測定を共通アースから絶縁（絶縁）すること、且つスイッチング歪みが低いかゼロのとき、出力電力を測定又はサンプリングする可能性を与えることが望ましい。

好ましくは、絶縁型収集モジュール１２０は同期化信号に基いて、コンデンサ充電モジュール１１０の出力パルスに対する、制御されたタイミング関係でサンプリングを実行して、出力電圧歪みが適度に低いときのサンプリングを確実に行えるように構成される。

例えば、ディジタル制御モジュールをパルス幅変調（ＰＷＭ）式コンデンサ充電モジュールとして実装し、ディジタル制御モジュールがＰＷＭ制御パルスを含むＰＷＭ制御パターン形式の制御信号情報を発生するように構成されることが望ましい。この例示の場合、好ましくは、絶縁型収集モジュールはコンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルのサンプリングを、次のＰＷＭ制御パルスの前にそれと近接関係で実行して、前の出力パルスからの、コンデンサ充電モジュールの出力電圧における歪みが許容レベルまで減衰するように構成される。従って、ＰＷＭパルスパターンが「静かな」とき、且つスイッチング歪み及び他の歪みが概して所定の閾値の下に減衰したとき、出力電圧をサンプリングするのが望ましい。

例えば、図４Ａ〜Ｄの例示的信号図に言及することができる。図４ＡはＰＷＭ制御パルスパターンの一例を示す。図４Ｂはコンデンサ充電モジュールの出力ライン間の出力電圧パルスを示す。図４Ｃは絶縁型収集モジュールのＡＤＣのサンプル制御パルスの一例を示す。サンプル制御パルスはコンデンサ充電モジュールの出力電圧パルスに対して制御されたタイミング関係にあり、従ってまたＰＷＭパルスとも同様の関係にあり、出力電圧歪みが程々に低いかゼロである時のサンプリングを保証する。これにより、調整の基準として用いられる測定はコンデンサ充電モジュールの出力電圧をより正確に表しているので、ＰＷＭ調整における高精度及び／又は安定性が保証される。図４Ａは０ボルトラインとアース間に現れる電圧を示す。目盛りは例示的なものである。

図５は例示的実施態様によるコンデンサ充電システムの特定の実施例を示す概略図である。この特定例では、コンデンサ充電モジュール１１０はＰＷＭコンデンサ充電として実施される。出力電圧の収集は例えば抵抗分圧器を介してなされる。分圧器からの電圧は収集モジュール１２０によって感知され、収集される。収集モジュール１２０はここでは、（差動）増幅器１２２、アナログ―ディジタル変換器（ＡＤＣ）１２４、ディジタル信号処理モジュール１２６及び光入力／出力インターフェース１２８から成る。分圧器からの感知電圧は（差動）増幅器１２２を通って、ＡＤＣ１２４に至る。ＡＤＣ１２４からの出力はディジタル信号処理モジュール１２６に送られ、そこで、サンプルされた測定データを光リンクにて用いられる逐次プロトコルに適合することができる。光リンクは双方向性であって、データをディジタル制御モジュール１３０に通す。ディジタル制御モジュール１３０には、光入力／出力インターフェース１３２、ディジタル信号処理モジュール１３４及びドライバ１３６が含まれる。収集モジュール１２０からのデータは光入力／出力インターフェース１３２によって受信され、次いでディジタル信号処理モジュール１３４に移される。好ましくは、ＰＷＭパターンはＰＷＭコンデンサ充電モジュール１１０に送られる前に、ドライバステージ１３６で増幅される。

一例として、コンデンサ充電モジュールの出力パルス周波数は１０ｋＨｚを上回り、好ましくは２５ｋＨｚ程度であり、サンプリング周波数は好ましくは出力パルス周波数程度である。

サンプリング周波数をこの程度とすると、双方向性リンクに亘って移送されるべき情報の量はかなり相当なもので、従って双方性リンクをディジタル光リンクで実現するが有利であるかも知れない。この目的のため、絶縁型収集モジュール１２０及びディジタル制御モジュール１３０の各々は図５の実施例で示したように、光入力／出力インターフェースを有しても良い。

例えば、ディジタル制御モジュール１３０のディジタル信号処理で平均化技術を用いる可能性を有効にするため、絶縁型収集モジュール１２０のＡＤＣ１２４のサンプリング周波数を好ましくは出力パルス周波数より高くする。一例として、サンプリング周波数は５０ｋＨｚより高くても良く、好ましくは１ＭＨｚ程度以上である。これは、データ転送速度(data rate)が、例えば１０Ｍビット／秒と５００Ｍビット／秒の間程度と極めて高くて良いことを意味する。例えば、１６ビットが用いられサンプル又は測定毎の出力電圧レベルを表すとし、サンプリング周波数を１ＭＨｚ（即ち１Ｍサンプル／秒）とすると、これはデータ転送速度１６Ｍビット／秒に対応する。

一特定例において、ＰＷＭパターンがディジタル制御モジュール１３０で発生され、これと同期化して、パルスが光リンクを介して収集モジュール１２０のアナログ―ディジタル変換器（ＡＤＣ）１２４に送られる。これは、ＰＷＭパターンに関係する制御された「遅延」にて出力電圧をサンプルすることができることになる。出力電圧における歪みは通常、時間と共に減衰又は垂下する傾向にあるので、サンプリングのための適宜の時間はこのため、次のＰＷＭパルスの前にそれと近接関係にあるようにできよう。サンプリングの結果は絶縁型収集基板上のディジタル信号処理装置１２６内の逐次プロトコルに送られ、次いで光リンクを介してディジタル制御モジュール１３０に送り戻される。このモジュールは好ましくは、図６の実施例に詳細に示すように測定値を基準値と比較し、この比較の結果に関してＰＷＭパターンを変更する。

図６はコンデンサ充電システム用のディジタル制御モジュールの一特定実施例を示す概略図である。この例では、測定／サンプリングデータは光トランシーバ１３２、即ち光入力／出力インターフェースを介して受信され、次いでディジタル信号処理モジュール１３４に移送される。例えば、ディジタル信号処理モジュール１３４は現場でプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、専用集積回路（ＡＳＩＣ）又はディジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）にて実施することができる。ディジタル信号処理モジュール１３４には、測定／サンプリングデータを所定の基準と比較し、この比較の結果に関してＰＷＭパターンを変更するように構成されるレギュレータが含まれる。レギュレータはまたＰＷＭ調整の改良のため、整流後のコンデンサ充電モジュールに対する電源電圧入力及び／又はコンデンサ充電モジュールの出力電流等の任意の入力を用いることができる。

図７はコンデンサ充電システムのための絶縁型収集モジュール又は基板の一特定実施例を示す概略図である。先述のように、絶縁型収集モジュール１２０は差動増幅器１２２を含んでも良い。増幅器１２２からの出力は好ましくは、ＡＤＣ１２４でサンプリングされ、ディジタル値はディジタル信号処理モジュール１２６に進む。モジュール１２６は基本的にサンプリングされたデータを、逐次プロトコルに変換し、逐次プロトコルは光トランシーバ１２８、即ち光入力／出力インターフェースよって送出される。光トランシーバ１２８はまた、ディジタル制御モジュール１３０から到来する同期化信号を受信する。この信号はＡＤＣ１２４用のサンプル制御パルスを発生するため一般に、ディジタル信号処理モジュール１２６によって処理される。例えば、ディジタル信号処理モジュールは現場でプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、専用集積回路（ＡＳＩＣ）又はディジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）にて実施することができる。

上記の実施態様は単に実施例として示されたにすぎないもので、本発明はこれ等に限定されないことが理解されるべきである。本明細書に記載され、特許請求の範囲で請求の基本原理を保持する更なる修正、変更及び改良は本発明の範囲内にある。

１００ コンデンサ充電システム
１１０ コンデンサ充電
１２０ 絶縁型収集モジュール
１２２ （差動）増幅器
１２４ アナログ―ディジタル変換器（ＡＤＣ）
１２６ ディジタル信号処理モジュール
１２８ 光入力／出力インターフェース１２８
１３０ ディジタル制御モジュール
１３２ 光入力／出力インターフェース（トランシーバ）
１３４ ディジタル信号処理モジュール
１３６ ドライバ
２００ コンデンサ
３００ 昇圧変圧器
４００ スイッチ

Claims (19)

1. コンデンサ充電モジュールと、
   該コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルをサンプリングする絶縁型収集モジュールと、
   ディジタル制御モジュールを含み、
   該ディジタル制御モジュールは双方向性リンクを介して前記絶縁型収集モジュールに接続され、制御信号インターフェースを介して前記コンデンサ充電モジュールに接続されていて、前記絶縁型収集モジュールから前記双方向性リンクを介して受信した、前記出力電圧レベルを表すデータに基いて制御信号情報と同期化信号情報を発生し、前記制御信号インターフェースを介して前記コンデンサ充電モジュールに該制御信号情報を送り、前記双方性リンクを介して前記絶縁型収集モジュールに前記同期化信号情報を送るものである、コンデンサ充電システムにおいて、
   前記コンデンサ充電モジュールが、前記ディジタル制御モジュールからの前記制御信号情報に基いて制御され、
   前記絶縁型収集モジュールが、前記同期化信号情報に基いて前記サンプリングを実行するように構成されて成るコンデンサ充電システム。
2. 前記絶縁型収集モジュールが、前記同期化信号情報に基いた前記サンプリングを、前記コンデンサ充電モジュールの出力パルスに関連した制御されたタイミング関係で実行するように構成されて成る請求項１に記載のコンデンサ充電システム。
3. 前記コンデンサ充電システムがパルス幅変調（ＰＷＭ）コンデンサ充電モジュールであり、前記ディジタル制御モジュールがＰＷＭ制御パルスを含むＰＷＭ制御パターン形式の前記制御信号情報を発生するように構成され、且つ前記絶縁型収集モジュールが、前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルのサンプリングを、次のＰＷＭ制御パルスの前にそれと近接関係で実施し、前の出力パルスからの前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧における歪みが許容レベルまで減衰するようにして成る請求項２に記載のコンデンサ充電システム。
4. 前記コンデンサ充電モジュール出力パルス周波数が１０ｋＨｚより高く、好ましくは２５ｋＨｚ程度以上とし、サンプリング周波数が前記出力パルス周波数と少なくとも同程度より高くして成る請求項２又は３に記載のコンデンサ充電システム。
5. サンプリング周波数が５０ｋＨｚより高く、好ましくは１ＭＨｚ程度以上として成る請求項４に記載のコンデンサ充電システム。
6. 前記絶縁型収集モジュールが共通のアースから絶縁されてサンプリングを実行するように構成されて成る請求項１に記載のコンデンサ充電システム。
7. 前記双方向性リンクがディジタル光リンクであり、前記絶縁型収集モジュールと前記ディジタル制御モジュールの各々が光入力／出力インターフェースを含んで成る請求項１に記載のコンデンサ充電システム。
8. 前記絶縁型収集モジュールがアナログ―ディジタル変換器（ＡＤＣ）に接続された信号収集回路を含み、前記ＡＤＣが第１のディジタル信号処理モジュールに接続され、前記ＡＤＣのサンプリングが前記同期化信号情報に基いて制御されるようにして成る請求項１に記載のコンデンサ充電システム。
9. 前記第１のディジタル処理モジュールが，現場でプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、専用集積回路（ＡＳＩＣ）又はディジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）にて実施される請求項８に記載のコンデンサ充電システム。
10. 前記ディジタル制御モジュールが、前記絶縁型収集モジュールから受信の前記サンプルされた信号レベル及び所定の基準信号とに基いて制御データを発生するように構成される第２のディジタル処理モジュールを含み、前記ディジタル制御モジュールが前記制御データに基いて前記制御信号情報を発生するように構成されて成る請求項１に記載のコンデンサ充電システム。
11. 前記コンデンサ充電モジュールがパルス幅変調（ＰＷＭ）式コンデンサ充電モジュールであり、前記ディジタル制御モジュールが更に前記第２のディジタル処理モジュールに接続されて前記制御データに基いてＰＷＭ制御パターンの形式の前記制御信号情報を発生するように構成されて成る請求項１０に記載のコンデンサ充電システム。
12. 前記第２のディジタル処理モジュールが，現場でプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、専用集積回路（ＡＳＩＣ）又はディジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）にて実装されて成る請求項１０に記載のコンデンサ充電システム。
13. 前記コンデンサ充電モジュールの出力パルスの電圧が５００Ｖより高いが、２５００Ｖより低く、好ましくは９００〜１５００Ｖとして成る請求項１に記載のコンデンサ充電システム。
14. 請求項１〜３の何れか１つに記載のコンデンサ充電システムを含んで成る電力変調器。
15. コンデンサ充電システムのためのディジタル制御モジュールであって、
    該コンデンサ充電システムがコンデンサ充電モジュールと、該コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルをサンプリングする絶縁型収集モジュールとを有し、
    前記ディジタル制御モジュールが双方向性リンクを介して前記絶縁型収集モジュールに接続され、且つ制御信号インターフェースを介して前記コンデンサ充電モジュールに接続されたディジタル制御モジュールにおいて、
    前記ディジタル制御モジュールが、前記絶縁型収集モジュールから前記双方向性リンクを介して受信される、前記コンデンサ充電モジュールのサンプルされた出力電圧レベルを表すデータに基いて、制御信号情報と同期化信号情報を発生するように構成され、
    前記ディジタル制御モジュールが、前記制御信号インターフェースを介して前記コンデンサ充電モジュールの前記制御信号情報を送ってコンデンサ充電モジュールの出力パルスを制御し、且つ前記双方向リンクを介して前記絶縁型収集モジュールに前記同期化信号情報を送って前記絶縁型収集モジュールの動作をサンプリングするように構成されて成るディジタル制御モジュール。
16. 前記ディジタル制御モジュールが前記同期化信号情報を発生するにあたって、前記絶縁型収集モジュールによる前記サンプリングが前記コンデンサ充電モジュールの出力パルスに対して制御されたタイミング関係で実行されるように構成されて成る請求項１５に記載のディジタル制御モジュール。
17. 前記ディジタル制御モジュールが、ＰＷＭ制御パルスを含む、パルス幅変調ＰＷＭ制御パターンの制御信号情報を発生するように構成され、前記同期化信号情報の発生は、前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルのサンプリングが、次のＰＷＭ制御パルスの前にそれと近接関係であって、前の出力パルスからの前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧における歪みが許容レベルまで減衰するようにして、実行されるように構成されて成る請求項１６に記載のディジタル制御モジュール。
18. コンデンサ充電システムのための絶縁型収集モジュールであって、
    該コンデンサ充電システムがコンデンサ充電モジュールとディジタル制御モジュールとを有し、
    前記絶縁型収集モジュールが双方向性リンクを介して前記ディジタル制御モジュールに接続され、且つ
    前記絶縁型収集モジュールが前記ディジタル制御モジュールからの同期化信号情報に基いて、前記コンデンサ充電モジュールの出力パルスに対して制御されたタイミング関係で、前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルをサンプリングするように構成されて成る絶縁型収集モジュール。
19. 前記コンデンサ充電モジュールがパルス幅変調（ＰＷＭ）コンデンサ充電モジュールであり、ＰＷＭ制御パルスの制御下で動作され、前記絶縁型収集モジュールが、前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧レベルのサンプリングを、次のＰＷＭ制御パルスの前にそれと近接関係で、前の出力パルスからの前記コンデンサ充電モジュールの出力電圧における歪みが許容レベルまで減衰するように、実行するように構成されて成る請求項１８に記載の絶縁型収集モジュール。

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