JP2012520703A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 生体内悪性組織のための粒子線照射処理装置の制御方法であって、
   ａ）照射されるべき所定照射野に関する診断データを得るステップと、
   ｂ）前記所定照射野に関する診断データに基づいて、前記所定照射野における粒子範囲を計算するステップと、
   ｃ）計算された前記粒子範囲に基づいて粒子線特性、および、任意選択的に、計算された線量深度分布を含む照射モデルを設計するステップと、
   ｄ）前記照射モデルの粒子線特性と比べて高いビームエネルギーで、前記所定照射野にシングルペンシルビームショットを印加するステップと、
   ｅ）前記シングルペンシルビームショットのビーム範囲を前記所定照射野の下流側で測定するステップと、
   ｆ）前記測定されたビーム範囲と、前記照射モデルに基づいて計算された参照ビーム範囲とを比較するステップと、
   を備える、ことを特徴とする方法。
2. 前記粒子範囲を、ＣＴハウンズフィールド単位を粒子阻止能に変換する較正曲線に基づいて計算する、請求項１記載の方法。
3. 前記ステップｆ）における比較結果を、当該結果が予め定めたしきい値を超えるとき、前記構成曲線の補正に用いる、請求項２記載の方法。
4. 前記シングルペンシルビームショットの侵入点の位置を、前記所定照射野の不均一性に依存して定める、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
5. 前記ビーム範囲の測定は、ブラッグピークおよび／または前記シングルペンシルビームショットのブラッグピークの低下の測定を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
6. 前記ビーム範囲の測定を、１０ｍｍ未満の空間解像度で行う、請求項５記載の方法。
7. 前記ビーム範囲の測定を、５ｍｍ未満の空間解像度で行う、請求項５記載の方法。
8. 前記粒子線は陽子線である、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
9. 生体内悪性組織のための粒子線照射処理装置であって、
   ａ）照射されるべき所定照射野に関する診断データを得る手段と、
   ｂ）前記所定照射野に関する診断データに基づいて、前記所定照射野における粒子範囲を計算する手段と、
   ｃ）計算された前記粒子範囲に基づいて粒子線特性、および、任意選択的に、計算された線量深度分布を含む照射モデルを設計する手段と、
   ｄ）前記照射モデルの粒子線特性と比べて高いビームエネルギーで、前記所定照射野にシングルペンシルビームショットを印加する手段と、
   ｅ）前記シングルペンシルビームショットのビーム範囲を前記所定照射野の下流側で測定する手段と、
   ｆ）前記測定されたビーム範囲と、前記照射モデルに基づいて計算された参照ビーム範囲とを比較する手段と、
   を備える、ことを特徴とする粒子線照射処理装置。
10. 前記粒子範囲を、ＣＴハウンズフィールド単位を粒子阻止能に変換する較正曲線に基づいて計算する手段をさらに備える、請求項９記載の粒子線照射処理装置。
11. 前記比較結果において、当該結果が予め定めたしきい値を超えるとき、前記構成曲線の補正に用いる、請求項１０記載の粒子線照射処理装置。
12. 前記シングルペンシルビームショットの侵入点の位置を、前記所定照射野の不均一性に依存して定める、請求項９〜１１のいずれか１項記載の粒子線照射処理装置。
13. 前記ビーム範囲の測定は、ブラッグピークおよび／または前記シングルペンシルビームショットのブラッグピークの低下の測定を含む、請求項９〜１２のいずれか１項記載の粒子線照射処理装置。
14. 前記ビーム範囲の測定を、１０ｍｍ未満の空間解像度で行う、請求項１３記載の粒子線照射処理装置。
15. 前記ビーム範囲の測定を、５ｍｍ未満の空間解像度で行う、請求項１３記載の粒子線照射処理装置。
16. 前記粒子線は陽子線である、請求項９〜１５のいずれか１項記載の粒子線照射処理装置。