JP2012518894A - 高密度コンデンサまたは他の顕微鏡的層を有する機械的デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
本願は、2009年2月2日に発明者クラウス・ボルマンによって出願された米国特許仮出願第61/149,041号に関連して、その出願の優先日を主張する。
本願は、高密度コンデンサおよび、顕微鏡的な層を有する他の機械的デバイスを製造する方法に関する。
エネルギー回収の分野においても、非常に短い時間を通して巨大な量の電力を要求する他のシステムの使用のためにも、非常に高い電流の吸収および分配を行うコンデンサの必要性がある。
コンデンサを製造するための従来の1つの一般的技術は、複数の箔層を積み重ねるか、または巻き込むことである。後述するように、この種のコンデンサは、高い強度を有していない。そして、比較的低コストでより強度のあるコンデンサを提供することは、望ましい。
本明細書において、用語「非常に高い容量コンデンサ」は、数百または数千ファラッドより大きい容量を有するコンデンサを意味する。これらのコンデンサは、何万もの層または何十万もの層を必要とする。そのため、歩留り問題および製造時間は、経済的なデバイスを提供することができるうえで重要な態様である。
本発明は、相応なコストで、非常に高い容量コンデンサを提供するための大量製造方法の4つの実施形態を記述する。
数百または数千ファラッドの範囲の非常に高い容量コンデンサは、何万もの層または何十万もの層を必要とする。したがって、プロセスが、デバイスを作るために最少のエネルギー量、取り扱い、材料、および合理的な時間を有するこの種のデバイスを生み出すことができることは、最高である。製造プロセスが、層当たりの極めて高い品質も有するか、または、デバイス設計が、層上の欠陥に関して堅牢であるか、または好ましくは、これらの態様(非常に高い層歩留り、および層上の欠陥の取り扱いへの堅牢な可能性)の両方が、提供されることも、重要である。
しかしながら、本発明は、コンデンサに限られておらず、スパッタリングによって、あるいは、不活性ガス中または真空中の静電気効果によりそれらの原子または分子を移動することによって、堆積することができる任意の材料とともに、本明細書に記述される方法のいずれかを使用して効率的に生み出すことができる、すべての機械的デバイスをカバーする。
本発明は、原子付近の効果を利用する。コンデンサは、対向する層の極端な近接効果から、追加の容量を得る。
分子サイズの誘電層を穴があくことから保護する1つの方法は、基板で始まり、機械的に強固な端部の層で終わる。しかしながら、本発明の一実施形態の薄膜層は、自己回復作用の特性を有するコンデンサを提供する。層に穴があいた場合、穴のあいたエリアは、過熱して、溶融する。一実施形態において、この自己回復作用の特徴は、層の範囲内で故意にアイランドを生み出すことによって改良される。
図8に示すように以下のステップは、後述する各実施形態に共通のサブプロセスを記述する。
この実施形態は、任意の形状(例えば丸、三角、四角、または任意の自由な抽出された形状)のデバイスを作るために、方法を提供する。任意の形状の1つの利点は、改良された実装密度である。例えば、輸送手段の場合、コンデンサは、乗物、船舶または航空機におけるコンパートメントの形状をとることができる。しかしながら、このように作られるデバイスは、概して壊れやすく、衝撃からの保護を必要とする。このことは、それらが機械的構造の一部として使用されてはならず、いかなる側との衝突の後でも、電気的に実行することを期待されてはならないことを意味する。
図9Aは、後述するように、ターンテーブルの1回転シーケンスにおけるオペレーションをまとめたフローチャートである。
この例では、1つのコンデンサ層は、約0.1〜0.3秒の期間に適用されることができる。この時間は、基板ホルダを、より大きいターンテーブル上および、同時に適用される層数を増加させる数の成形されたカソード上に、二度またはそれ以上の回数置くことによって、大幅に向上することができる。
この時点で、基板はロードされて、そして、基板ターンテーブルを有する平面およびレベルが確かめられる。初期シーケンスは、図10にまとめられる。
この例において、この時点で少なくとも2枚の基板は、堆積する初期層を有する。後述する連続シーケンスは、コンデンサまたは他のデバイスの大部分の層を提供するために、導電および絶縁層構築のためのプロセスを繰り返す。連続シーケンスは、図11にまとめられる。
所望の効果に応じて、最終絶縁層または最終導電層のいずれかを有することが典型的である。この最終シーケンスは、その優先傾向にしたがって選択されてよい。
360°/基板キャリアの数
本発明はまた、任意の数のカソードにおいて、同じ装置の範囲内で任意の数の材料の使用もカバーする。
この実施形態は、上述の任意形状の構造のための方法のバリエーションを記述する。
この実施形態は、連続堆積プロセスを有する層をなした機械的構造を達成して、そして基板の位置決めを除去するプロセスを提供する。この実施形態は、したがって、上述の任意形状の構造のための方法(方法1)の改良である。この実施形態は、線形構造であるデバイスに適している。
この実施形態は、特定のタイプの機械的構造のためのさらなる改良を提供する。図6は、アノードに強固な機械的接続ができるようにする基板の例の縦断側面図である。本実施形態において、基板は、管または固くて丸い材料またはそれらの組み合わせであり、強固で機械的に強い接続によって、層をなす構造に作成されることができる。
本発明の他の態様は、シリコンベースの無電解多層コンデンサと比較して、より低コストの原材料を使用する能力である。
上記の実施形態は、コンデンサを構築するための方法として記述された。他の実施態様において、インダクタおよびトランスのような他のデバイスは、提供されることができる。
大容量のコンデンサは、2つの挑戦的な歩留り問題を提起する。第1に、高密度コンデンサの断面エリアは、例えば、シリコンウエハ上の半導体デバイスのエリアよりも、概して非常に大きい。半導体製造において、一部のウエハ上の欠陥は、単一のデバイスをスクラップすることに概してつながり、そして、ウエハ上の他のデバイスは確保されることができる。大きな表面積のコンデンサにおいては、欠陥はどこであれ、全デバイスの損失を生じさせ得る。
Claims (20)
- 顕微鏡的な層をなす機械的デバイスの製造方法であって:
第1の基板ホルダ、
導電材料の少なくとも1つのカソード、
誘電材料の少なくとも1つのカソード、
前記導電材料の少なくとも1つのカソードおよび前記誘電材料の少なくとも1つのカソードに関して、前記第1の基板ホルダの位置を移動する基板ホルダ機構、
真空生成器、
を含む、層製造デバイスを提供する工程;
第1側部および第2側部を有する第1の基板を、前記第1の基板ホルダ内に配置する工程;
真空下で、前記基板の前記第1側部上に初期の導電および絶縁層を堆積する工程であって、
前記基板の前記第1側部上に、真空において、導電材料のカソードを有する第1側部初期導電層を堆積させる工程、
導電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させる工程、
前記第1側部初期導電層上に、真空をリリースせずに、誘電材料のカソードを有する第1側部絶縁誘電層を堆積させる工程、
誘電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させる工程、
を含む工程;および、
複数の層のために、以下のステップを繰り返すことによって、初期導電および絶縁層上に、複数の導電および絶縁層を堆積する工程であって、
真空がリリースされるよりも前に複数の層が堆積されるように、
前記基板の前記第1側部上に、導電材料のカソードを有する導電層を堆積するステップ、
導電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させるステップ、
前記基板の前記第1側部上に、誘電材料のカソードを有する絶縁誘電層を堆積するステップ、
誘電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させるステップ、
を含む工程;
を含む製造方法。 - 前記基板の前記第1側部上に、最終的な導電および絶縁層を堆積する工程であって、
前記基板の前記第1側部上に、真空において、導電材料のカソードを有する第1側部の最終的な導電層を堆積する工程、
導電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させる工程、および、
前記第1側部の最終的な導電層上に、真空をリリースせずに、誘電材料のカソードを有する第1側部の最終的な絶縁誘電層を堆積する工程、
を含む工程、
をさらに含む、請求項1に記載の製造方法。 - 前記層製造デバイスは、基板冷却器をさらに含み、
前記第1の基板は、層堆積後に冷却される、請求項1に記載の製造方法。 - 前記複数の絶縁層は、約80〜140オングストロームの範囲の厚みを有する酸化アルミニウムである、請求項1に記載の製造方法。
- 前記複数の導電層は、約40〜70オングストロームの範囲の厚みを有するアルミニウムである、請求項4に記載の製造方法。
- 前記絶縁および導電層は、原子近接効果を呈する、請求項5に記載の製造方法。
- 前記導電および絶縁層の層数は、1000を上回る、請求項1に記載の製造方法。
- 前記導電および絶縁層の層数は、100,000を上回る、請求項1に記載の製造方法。
- 前記複数の導電および絶縁層における隔離アイランドを生み出す工程をさらに含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記層を堆積させるステップは、マグネトロンまたは他の高周波(HF)ソースとともに原料物質を加熱する工程、および前記第1の基板と前記ソースとの間に電圧を適用する工程、をさらに含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記導電および絶縁層の厚みは、前記第1の基板と前記ソースとの間に適用される電圧の量および時間を制御することによって制御される、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1の基板は、プレーナである、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1の基板は、円筒状である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記層製造デバイスは、
複数の基板ホルダ、
導電材料の複数のカソード、
誘電材料の複数のカソード、
導電材料および誘電材料の前記カソードに関して前記複数の基板ホルダの位置を移動する基板ホルダ機構、
をさらに含み;
前記複数の基板ホルダにおける各々の基板を配置する工程;
初期導電および絶縁層を各基板の前記第1側部上に堆積する工程;および、
導電および絶縁層が2以上の基板上に同時に堆積されるように、基板ごとに、複数の導電および絶縁層上に初期導電および絶縁層を堆積する工程;
をさらに含む、請求項1に記載の製造方法。 - 前記導電材料の複数のカソードは、少なくとも1つの金カソードおよび少なくとも1つのアルミニウムカソードを含む、請求項14に記載の製造方法。
- 前記導電材料の複数のカソードは、少なくとも1つのグラファイトカソードを含む、請求項14に記載の製造方法。
- 前記顕微鏡的な層をなした機械的デバイスは、高密度コンデンサである、請求項1に記載の製造方法。
- 前記顕微鏡的な層をなした機械的デバイスは、インダクタである、請求項1に記載の製造方法。
- 前記顕微鏡的な層をなした機械的デバイスは、トランスである、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1の基板の前記第1側部および前記第2側部上に同時に層を作成する工程をさらに含む請求項1に記載の製造方法であって:
真空下で、初期導電および絶縁層を前記基板の前記第2側部上に堆積する工程であって、
前記基板の前記第2側部上に、真空において、導電材料のカソードを有する第2側部の初期導電層を堆積する工程、
導電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させる工程、
前記第2側部の初期導電層上に、誘電材料のカソードを有する第2側部の絶縁誘電層を堆積する工程、
誘電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させる工程、
を含む工程;および、
複数の層のために、以下のステップを繰り返すことによって、初期導電および絶縁層上に複数の導電および絶縁層を堆積させる工程であって、
前記基板の前記第2側部上に、導電材料のカソードを有する導電層を堆積するステップ、
導電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させるステップ、
前記基板の前記第2側部上に、誘電材料のカソードを有する絶縁誘電層を堆積するステップ、
誘電材料の前記カソードと関連して前記基板の位置を回転させるステップ、
を含む工程;
を含む製造方法。
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