JP2012516032A - Light source having light recycling device and corresponding light recycling device - Google Patents
Light source having light recycling device and corresponding light recycling device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012516032A JP2012516032A JP2011545830A JP2011545830A JP2012516032A JP 2012516032 A JP2012516032 A JP 2012516032A JP 2011545830 A JP2011545830 A JP 2011545830A JP 2011545830 A JP2011545830 A JP 2011545830A JP 2012516032 A JP2012516032 A JP 2012516032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- recycling
- light source
- source according
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本発明は、発光装置3と光リサイクル装置5とを有する光源1であって、前記光リサイクル装置5が、前記発光装置3の光路7中に位置する光源1に関する。前記光リサイクル装置5は、少なくとも1つの光リサイクル部材9であって、前記少なくとも1つの光リサイクル部材9を通過する光の少なくとも1つの物理的特性を変化させるための少なくとも1つの光リサイクル部材9と、前記光リサイクル部材9において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも1つの熱伝導部材10、11とを有し、前記熱伝導部材10、11は、前記光リサイクル部材9及び少なくとも1つのヒートシンク12と熱的に接触している。本発明は、更に、対応するリサイクル装置5に関する。 The present invention relates to a light source 1 having a light emitting device 3 and a light recycling device 5, wherein the light recycling device 5 is located in an optical path 7 of the light emitting device 3. The light recycling device 5 is at least one light recycling member 9, and at least one light recycling member 9 for changing at least one physical property of light passing through the at least one light recycling member 9. , At least one heat conducting member 10, 11 capable of conducting heat generated in the light recycling member 9, wherein the heat conducting member 10, 11 includes the light recycling member 9 and at least one It is in thermal contact with the heat sink 12. The invention further relates to a corresponding recycling device 5.
Description
本発明は、発光装置と光リサイクル装置とを有する光源であって、前記光リサイクル装置が、前記発光装置の光路中に位置する光源に関する。 The present invention relates to a light source having a light emitting device and a light recycling device, wherein the light recycling device is located in an optical path of the light emitting device.
発光装置及び光リサイクル装置を有する光源は、例えば、青色光及び/又は紫外線光を放射する発光ダイオード(LED)と、前記光の一部の波長を黄色光に変換して白色光を生成するための蛍光体プレートを前記LEDの光路中に含む光リサイクル装置とを有する光源として知られている。前記光源の輝度は、前記光リサイクル装置内で用いられる材料の熱伝導率によって制限される。 A light source having a light emitting device and a light recycling device is, for example, a light emitting diode (LED) that emits blue light and / or ultraviolet light, and generates white light by converting some wavelengths of the light into yellow light. It is known as a light source having a light recycling device that includes a phosphor plate in the light path of the LED. The brightness of the light source is limited by the thermal conductivity of the material used in the light recycling apparatus.
電子回路冷却の管理においては、熱伝導率を高めるために、複合材料が広く用いられている。それらは、ヒートシンクを製造するのに用いられ得る、又はパッケージに含まれ得る、若しくは半導体装置、プリント回路基板などの層として含まれ得る。
本分野においては、光リサイクル材料は、高輝度発光装置の焦点においても、光をリサイクルするのに適切でなければならない。
In the management of electronic circuit cooling, composite materials are widely used to increase the thermal conductivity. They can be used to manufacture heat sinks, can be included in packages, or can be included as layers in semiconductor devices, printed circuit boards, and the like.
In this field, light recycling materials must be suitable for recycling light even at the focus of high brightness light emitting devices.
本発明の目的は、発光装置と、前記発光装置の光路中に配設される、増大した熱適応範囲を備える光リサイクル装置とを有する光源を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a light source having a light emitting device and a light recycling device provided in an optical path of the light emitting device and having an increased heat adaptive range.
この目的を達成するため、前記光リサイクル装置は、少なくとも1つの光リサイクル部材であって、前記少なくとも1つの光リサイクル部材を通過する光の少なくとも1つの物理的特性を変化させるための少なくとも1つの光リサイクル部材と、前記光リサイクル部材において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも1つの熱伝導部材とを有し、前記熱伝導部材は、前記光リサイクル部材及び少なくとも1つのヒートシンクと熱的に接触している。 To achieve this object, the light recycling device comprises at least one light recycling member for changing at least one physical property of light passing through the at least one light recycling member. A recycling member and at least one heat conducting member capable of conducting heat generated in the light recycling member, wherein the heat conducting member is thermally coupled to the light recycling member and the at least one heat sink. In contact.
好ましくは、前記発光装置は、1・107cd/m2以上(10メガニト:10Mcd/m2と等しい1平方ミリメール当たり10カンデラ以上)の輝度を持つ高輝度発光装置及び/又はレーザ(レーザ:放射線の誘導放出による光の増幅)である。レーザの明るさ(輝度)は、従来のLEDで到達可能な明るさと比べて少なくとも100倍以上高い(〜109cd/m2対〜107cd/m2)。レーザは、好ましくは、固体レーザ及び/又はレーザダイオードである。 Preferably, the light-emitting device is a high-intensity light-emitting device and / or a laser (laser) having a luminance of 1 · 10 7 cd / m 2 or more (10 meganits: 10 candela per square millimeters equal to 10 Mcd / m 2 ). : Amplification of light by stimulated emission of radiation). The brightness (luminance) of the laser is at least 100 times higher (˜10 9 cd / m 2 vs. 10 7 cd / m 2 ) than the brightness achievable with conventional LEDs. The laser is preferably a solid state laser and / or a laser diode.
本発明の或る実施例においては、光の前記物理的特性の前記変化は、前記光の波長変換及び/又は前記光の偏光状態の変化である。前記光の偏光状態を変化させるための前記光リサイクル部材は、特に、遅延部材又は偏光解消部材である。 In one embodiment of the invention, the change in the physical property of light is a wavelength conversion of the light and / or a change in the polarization state of the light. The light recycling member for changing the polarization state of the light is particularly a delay member or a depolarization member.
別の実施例によれば、前記光リサイクル部材は、蛍光体プレート及び/又は蛍光体薄膜である。前記蛍光体プレート及び/又は蛍光体薄膜は、一般に知られている波長変換光リサイクル部材である。同時に、前記蛍光体プレート及び/又は蛍光体薄膜は、前記光の偏光状態を変化させる光リサイクル部材である。前記発光装置によって放射された光又は光ビームは、前記蛍光体プレート及び/又は蛍光体薄膜を励起するのに用いられる。前記蛍光体プレート及び/又は蛍光体薄膜は、好ましくは、セリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体、又はセラミック蛍光体、特に、(セリウム又はエルビウムなどの)付加的なドーピング元素を備える「Lumiramic」セラミック蛍光体で作成される。 According to another embodiment, the light recycling member is a phosphor plate and / or a phosphor thin film. The phosphor plate and / or phosphor thin film is a generally known wavelength conversion light recycling member. At the same time, the phosphor plate and / or phosphor thin film is a light recycling member that changes the polarization state of the light. The light or light beam emitted by the light emitting device is used to excite the phosphor plate and / or phosphor thin film. Said phosphor plate and / or phosphor thin film is preferably a cerium-doped yttrium aluminum garnet phosphor, or a ceramic phosphor, in particular a “Lumiramic” ceramic comprising an additional doping element (such as cerium or erbium) Made of phosphor.
それらは高温に耐えることができる一方で、最近の実験で、蛍光体セラミックの変換特性は、温度に影響されることが明らかになった。前記高輝度発光装置及び/又はレーザの焦点においては高温に到達され得る。電力密度は数kW/cm2に到達する。この焦点は、一般に、前記光リサイクル装置の前記蛍光体プレート又は蛍光体薄膜内に位置する。この実験においては、150℃あたりで、CECASタイプのセラミックによる光強度放射の減少が観察され、350℃から減衰時間の大幅な減少が観察された。前記セラミックが加熱される場合、効率は大幅に低下する。この状況は、例えば1ワットレーザで生じるであろう。 While they can withstand high temperatures, recent experiments have shown that the conversion characteristics of phosphor ceramics are affected by temperature. High temperatures can be reached at the focus of the high-intensity light emitting device and / or laser. Power density reaches the number kW / cm 2. This focal point is generally located in the phosphor plate or phosphor film of the light recycling apparatus. In this experiment, a decrease in light intensity emission due to the CECAS type ceramic was observed around 150 ° C., and a significant decrease in decay time was observed from 350 ° C. When the ceramic is heated, the efficiency is greatly reduced. This situation would occur with a 1 watt laser, for example.
この、前記焦点における温度との依存性は、このような光源の最終的な効率を低下させ、強い技術制約になり得る。最近、主因の1つは、前記蛍光体材料の非常に低い熱伝導率であると確認された。前記セラミックの熱伝導率は、ホットスポットの最高温度に非常に強い影響を与える。 This dependence on temperature at the focal point reduces the ultimate efficiency of such a light source and can be a strong technical constraint. Recently, one of the main causes has been identified as the very low thermal conductivity of the phosphor material. The thermal conductivity of the ceramic has a very strong influence on the maximum temperature of the hot spot.
本発明の別の実施例においては、前記発光装置は、青色光及び/又は紫外線光を放射する発光装置である。前記発光装置によって放射された前記青色光及び/又は紫外線光は、好ましくは、セリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体及び/又はセラミック蛍光体で作成された、前記蛍光体プレート又は前記蛍光体薄膜を励起して、前記蛍光体プレート又は前記蛍光体薄膜を出る白色光を作成するのに用いられる。 In another embodiment of the present invention, the light emitting device is a light emitting device that emits blue light and / or ultraviolet light. The blue light and / or ultraviolet light emitted by the light emitting device preferably includes the phosphor plate or the phosphor thin film made of cerium-doped yttrium aluminum garnet phosphor and / or ceramic phosphor. Excited and used to create white light that exits the phosphor plate or phosphor film.
更に別の実施例においては、前記熱伝導部材は、光偏光部材である。光偏光部材は、(ワイヤグリッド偏光子のような)吸収偏光子、及び/又は(反射偏光子、複屈折偏光子及び/又は薄膜偏光子のような)ビームスプリッティング偏光子をベースにしている。特に、前記光偏光部材は、前記光リサイクル部材の或る面全体を覆っている。 In still another embodiment, the heat conducting member is a light polarizing member. The light polarizing member is based on an absorbing polarizer (such as a wire grid polarizer) and / or a beam splitting polarizer (such as a reflective polarizer, a birefringent polarizer and / or a thin film polarizer). In particular, the light polarizing member covers an entire surface of the light recycling member.
偏光が用いられる一般的な用途は、LCDバックライティング及びLCD投射(LCD:液晶ディスプレイ)、並びにLED点光源によって放射される光ビームがLCセル(LC:液晶)で操作されるLCビームステアリング装置のためのオプションである。また、直線偏光は、表面における反射に影響を与え、これは、グレアの抑制を可能にし、その後、彩度、観察されるコントラスト及び視力における照明される周囲の観察に影響を与えることを可能にするので、偏光は、屋内照明と屋外照明との両方において利点をもらす。この影響のため、偏光蛍光性発光体は、視覚において要求される利点を備える商品として存在する。 Common applications where polarization is used are in LCD backlighting and LCD projection (LCD: liquid crystal display), and LC beam steering devices where the light beam emitted by the LED point source is operated in an LC cell (LC: liquid crystal). Is an option for. Linearly polarized light also affects reflections on the surface, which allows glare suppression and then affects the illuminated surrounding observation in saturation, observed contrast and visual acuity. As such, polarized light has advantages in both indoor and outdoor lighting. Because of this effect, polarized fluorescent emitters exist as commercial products with the required benefits in vision.
本発明の好ましい実施例によれば、前記光偏光部材は、ワイヤグリッド偏光子である。高度なリソグラフィ技術を用いることで、可視光を偏光させる非常に狭いピッチの金属格子が作成され得る。 According to a preferred embodiment of the present invention, the light polarizing member is a wire grid polarizer. Using advanced lithography techniques, very narrow pitch metal gratings that polarize visible light can be created.
別の実施例においては、前記光リサイクル装置の前記熱伝導部材は、 前記光リサイクル部材の表面上、及び/又は 前記光リサイクル部材の2つの異なる部分の間に、配設される熱伝導層として形成される。特に、2つの熱伝導層が、前記光リサイクル部材の2つの表面であって、互いの反対側である2つの表面上に配設される。 In another embodiment, the heat conducting member of the light recycling apparatus is a heat conducting layer disposed on a surface of the light recycling member and / or between two different parts of the light recycling member. It is formed. In particular, two heat conducting layers are disposed on the two surfaces of the light recycling member that are opposite to each other.
好ましい実施例によれば、前記熱伝導層は、少なくとも部分的に反射性の層である。特に、互いの反対側である前記2つの表面上に配設される前記2つの熱伝導層のうちの一方は、光偏光層として形成される光偏光部材であり、他方の層は、少なくとも部分的に反射性の層である。 According to a preferred embodiment, the thermally conductive layer is an at least partly reflective layer. In particular, one of the two heat conducting layers disposed on the two surfaces opposite to each other is a light polarizing member formed as a light polarizing layer, and the other layer is at least partially Reflective layer.
別の好ましい実施例によれば、前記熱伝導部材は、ダイヤモンド部材及び/又はサファイア部材である。特に、前記熱伝導部材、又は前記熱伝導部材のうちの少なくとも1つは、ダイヤモンド層及び/又はサファイア層である。前記ダイヤモンド層は、好ましくは、CVDダイヤモンド成長(CVD:化学蒸着)によって生成されるダイヤモンド層である。ダイヤモンドの高い熱伝導率は、薄膜ダイヤモンドコーティング又は層ダイヤモンドコーティングが、温度管理フォトニック及び超小型電子装置を改善することを可能にする。 According to another preferred embodiment, the heat conducting member is a diamond member and / or a sapphire member. In particular, at least one of the heat conducting member or the heat conducting member is a diamond layer and / or a sapphire layer. The diamond layer is preferably a diamond layer produced by CVD diamond growth (CVD: chemical vapor deposition). The high thermal conductivity of diamond allows thin film diamond coatings or layer diamond coatings to improve temperature controlled photonics and microelectronic devices.
ダイヤモンド層として形成される前記熱伝導層は、材料の局所的熱伝導率を増大させることによって、熱の問題を解決する。それは、等しい全体的な熱伝導率を(1400W/mKまで)2倍に増大させるのに十分であろう最適の厚さを持つ層材料の挿入を提案する。 The thermally conductive layer formed as a diamond layer solves the thermal problem by increasing the local thermal conductivity of the material. It proposes the insertion of a layer material with an optimal thickness that would be sufficient to increase the equivalent overall thermal conductivity by a factor of 2 (up to 1400 W / mK).
この実施例は、蛍光体セラミック(Ce:YAG)として形成される前記光リサイクル装置が、16kW/cm2までの電力密度を持つ光を生成することを可能にするよう、熱的に向上され得るような解決策を提案する。その場合には、最も熱い箇所は、前記材料における最大限の光変換を可能にするのに適切である310℃に達する。前記セラミックは、様々な種類のセラミック、特に、強散乱性又は透明である、ポリセラミック及び/又は単結晶セラミックであり得る。 This embodiment can be thermally enhanced to allow the light recycling device formed as a phosphor ceramic (Ce: YAG) to produce light with a power density of up to 16 kW / cm 2. Suggest such a solution. In that case, the hottest spot reaches 310 ° C., which is appropriate to allow maximum light conversion in the material. The ceramic can be various types of ceramics, in particular polyceramics and / or single crystal ceramics, which are strongly scattering or transparent.
好ましくは、前記光源は、前記発光装置と前記光リサイクル装置との間に配設される光学素子を更に有する。前記光学素子は、前記発光装置の光路中に位置する。特に、前記光学素子は、前記発光装置によって放射された光を前記光リサイクル部材内で集束させる光集束素子である。 Preferably, the light source further includes an optical element disposed between the light emitting device and the light recycling device. The optical element is located in an optical path of the light emitting device. In particular, the optical element is a light focusing element that focuses light emitted by the light emitting device within the light recycling member.
別の実施例においては、前記光リサイクル装置は、前記ヒートシンクを更に有する。前記光リサイクル部材と前記熱伝導部材と前記ヒートシンクとを含む光リサイクル装置を備える光源は、非常にコンパクトである。更に、又は別の実施例においては、前記光リサイクル装置は、前記熱伝導部材、特に、前記ワイヤグリッド偏光子のワイヤを冷却するための熱電素子及び/又はペルチェ素子を更に有する。 In another embodiment, the light recycling apparatus further includes the heat sink. A light source including a light recycling device including the light recycling member, the heat conducting member, and the heat sink is very compact. In addition or in another embodiment, the light recycling apparatus further comprises a thermoelectric element and / or a Peltier element for cooling the heat conducting member, in particular the wires of the wire grid polarizer.
別の好ましい実施例によれば、前記光リサイクル部材及び前記熱伝導部材は、前記光リサイクル装置の複合材料を構成する。 According to another preferred embodiment, the light recycling member and the heat conducting member constitute a composite material of the light recycling device.
本発明は、更に、光リサイクル装置であって、前記光リサイクル装置を通過する光の少なくとも1つの物理的特性を変化させるための光リサイクル装置に関する。前記光リサイクル装置は、少なくとも1つの光リサイクル部材と、前記光リサイクル部材において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも1つの熱伝導部材とを有し、前記熱伝導部材は、前記光リサイクル部材及びヒートシンクと熱的に接触している。 The present invention further relates to an optical recycling apparatus for changing at least one physical property of light passing through the optical recycling apparatus. The light recycling apparatus includes at least one light recycling member and at least one heat conducting member capable of conducting heat generated in the light recycling member, and the heat conducting member is the light recycling member. It is in thermal contact with the member and the heat sink.
前記光の前記物理的特性の前記変化は、好ましくは、色の変化及び/又は偏光の変化である。より好ましくは、前記光リサイクル部材は、蛍光体プレート又は蛍光体薄膜であって、前記光リサイクル部材が、青色光及び/又は紫外線光を放射する発光装置の光路中に位置する場合、前記蛍光体プレート又は前記蛍光体薄膜を出る白色光を作成するよう、好ましくはセリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体又はセラミック蛍光体で作成される、蛍光体プレート又は蛍光体薄膜として形成される。 The change in the physical property of the light is preferably a change in color and / or a change in polarization. More preferably, when the light recycling member is a phosphor plate or a phosphor thin film, and the light recycling member is located in an optical path of a light emitting device that emits blue light and / or ultraviolet light, the phosphor Formed as a phosphor plate or phosphor thin film, preferably made of cerium-doped yttrium aluminum garnet phosphor or ceramic phosphor to create white light exiting the plate or the phosphor thin film.
別の実施例においては、前記熱伝導部材は、光偏光部材である。本発明の好ましい実施例によれば、前記光偏光部材は、ワイヤグリッド偏光子である In another embodiment, the heat conducting member is a light polarizing member. According to a preferred embodiment of the present invention, the light polarizing member is a wire grid polarizer.
別の好ましい実施例によれば、前記熱伝導部材は、ダイヤモンド部材及び/又はサファイア部材である。 According to another preferred embodiment, the heat conducting member is a diamond member and / or a sapphire member.
特に、前記光リサイクル装置は、前記ヒートシンクを更に有する。 In particular, the light recycling apparatus further includes the heat sink.
下記の実施例を参照して、本発明のこれら及び他の態様を説明し、明らかにする。 These and other aspects of the invention are described and elucidated with reference to the following examples.
図1Aは、偏光を放射するための光源2として形成される光源1を示している。光源1は、光(レーザ光)を放射するレーザ(放射線の誘導放出による光の増幅)4として形成される発光装置3、光リサイクル装置5及び光学素子6を有する。光リサイクル装置5及び光学素子6は、発光装置3の光路7中に配設され、光学素子6は、発光装置3と光リサイクル装置5との間に配設される凸レンズである。光路7は、主軸8を持つ。 FIG. 1A shows a light source 1 formed as a light source 2 for emitting polarized light. The light source 1 includes a light emitting device 3, a light recycling device 5, and an optical element 6 formed as a laser (amplification of light by stimulated emission of radiation) 4 that emits light (laser light). The light recycling device 5 and the optical element 6 are disposed in the optical path 7 of the light emitting device 3, and the optical element 6 is a convex lens disposed between the light emitting device 3 and the light recycling device 5. The optical path 7 has a main axis 8.
光リサイクル装置5は、それを通過する光の少なくとも1つの物理的特性を変えるための光リサイクル部材9と、光リサイクル部材9において生成される熱を伝導することが可能な2つの熱伝導部材10、11と、光リサイクル部材9を取り囲むフレームとして形成されるヒートシンク12とを有する。熱伝導部材のうちの1つ10は、光リサイクル部材9の第1面上に位置し、前記第1面は、光学素子6及び発光装置3に面している。他方の熱伝導部材11は、光リサイクル部材9の第2面上に位置し、前記第2面は、光リサイクル部材9の、第1面に対して反対側に位置する。両方の熱伝導部材10、11が、光路7の主軸8に対して垂直に配設される。
The light recycling apparatus 5 includes a light recycling member 9 for changing at least one physical property of light passing therethrough, and two heat conducting members 10 capable of conducting heat generated in the light recycling member 9. , 11 and a
熱伝導部材10、11は、光偏光部材13、特に、ワイヤグリッド偏光子14として形成される。図1A及び1Bに示されている実施例の光リサイクル部材9は、蛍光体薄膜15である。蛍光体薄膜15は、それを通過する光の波長変換のための光リサイクル部材9である。 The heat conducting members 10 and 11 are formed as a light polarizing member 13, particularly a wire grid polarizer 14. The light recycling member 9 of the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B is a phosphor thin film 15. The phosphor thin film 15 is a light recycling member 9 for wavelength conversion of light passing through it.
レーザ4は、青色光及び/又は紫外線光を放射するものである。レーザ4によって放射される青色光及び/又は紫外線光は、好ましくはセリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体(YAG蛍光体)又はセラミック蛍光体で作成された蛍光体薄膜15を励起して、蛍光体薄膜15を出る白色光(矢印16)を作成するのに用いられる。ホットスポットは、光路7の焦点17内に作成される。このホットスポットは、光リサイクル部材9中に位置する。
The laser 4 emits blue light and / or ultraviolet light. The blue light and / or ultraviolet light emitted by the laser 4 excites the phosphor thin film 15 preferably made of cerium-doped yttrium aluminum garnet phosphor (YAG phosphor) or ceramic phosphor, Used to create white light (arrow 16) exiting thin film 15. A hot spot is created in the
本発明のこの実施例の重要な特徴は、発光装置3によって放射される青色光及び/又は紫外線光によって作成されるホットスポットの冷却及び熱放散を可能にするために、蛍光体薄膜15(又は蛍光体プレート)の表面上に置かれる(ワイヤグリッド偏光子14として形成される)光偏光部材13を用いることである。採用される構成に依存して、後方反射無変換光が発光装置3へ戻る場合には、偏光出力の利得が得られ得る。その場合には、実施例によって、リサイクルは、反射偏光が、ワイヤグリッド偏光子14として形成される光偏光部材13を再び通過することを可能にするよう意図される。一般に、偏光は、遅延層で遅延させられる必要がある。この実施例においては、遅延層の役割は、蛍光体薄膜15(又は蛍光体プレート)によって既に果たされている。この場合には、効率は、吸収が多すぎる(せいぜい50乃至55%)光の1回の通過と比べて、増大されるであろう。 An important feature of this embodiment of the present invention is that the phosphor thin film 15 (or (or) may be used to cool and dissipate hot spots created by blue light and / or ultraviolet light emitted by the light emitting device 3. Using a light polarizing member 13 (formed as a wire grid polarizer 14) placed on the surface of the phosphor plate. Depending on the configuration employed, when the back-reflected unconverted light returns to the light emitting device 3, a gain of polarization output can be obtained. In that case, according to the embodiment, recycling is intended to allow the reflected polarization to pass again through the light polarizing member 13 formed as a wire grid polarizer 14. In general, the polarization needs to be delayed in the retardation layer. In this embodiment, the role of the retardation layer is already fulfilled by the phosphor thin film 15 (or phosphor plate). In this case, the efficiency will be increased compared to a single pass of light with too much absorption (at best 50-55%).
ワイヤグリッド偏光子14は、金属、特に、アルミニウム又は銀又は金で作成され、非常に高い伝導率を持ち、ワイヤグリッド偏光子14のワイヤ19がより大きいヒートシンク10と熱的に接触している側部18の方へ非常に効率的に熱を流すことを可能にする。図1Bは、図1Aの偏光を放射するための光源の上面図を示している。
The wire grid polarizer 14 is made of metal, in particular aluminum or silver or gold, has a very high conductivity and the
30×30ミクロンのレーザ焦点17は、蛍光体プレート又は蛍光体薄膜15内に焦点を合わされ、前記レーザ4は、1ワットの全出力を持つ。蛍光体プレート又は蛍光体薄膜15の表面上のワイヤグリッド偏光子14のおかげで、光リサイクル装置の温度は、第2面におけるレーザビームの中心において、345℃から177℃まで下げられる(200mWの熱出力放散)。第2面(図1Aにおける上面)は、光の吸収が最も強い場所であり、それ故、前記面の温度の低下は、光の変換において最も高い利得を誘導するであろう。ワイヤグリッド偏光子14により、最も熱い箇所は、YAGセラミックの更に下へ動かされる。ワイヤグリッド偏光子14は、レーザスポットを覆う表面上にしか配置されない(32μm幅)。付加的なワイヤ19は、冷却を少し改善するであろう。
A 30 × 30
これらの結果は、ワイヤグリッド偏光子14の付加は、ホットスポットの温度を改善するであろうことを示している。特定の場合においては、それは、完全に効率的な光変換と、(温度が約350℃に達する場合のCECAS効率低下のための)温度によって制限される変換との間の違いをもたらすであろう。 These results indicate that the addition of wire grid polarizer 14 will improve the temperature of the hot spot. In certain cases, it will make a difference between a fully efficient light conversion and a temperature limited conversion (due to a decrease in CECAS efficiency when the temperature reaches about 350 ° C.). .
ワイヤグリッド偏光子14の、光路7の外のワイヤ19が、異なる厚さを持ち、特に、光路内の領域内より厚く(図示せず)、溶接テープ及び/又は他の留め具と一緒に接合されることを実現することは重要である。これは、光リサイクル装置5を製造し易くする。
The
図2は、本発明の第2実施例による光源1の光リサイクル装置5の側面図である。熱伝導部材10は、光リサイクル部材9の2つの異なる部分21、22の間に配設される熱伝導層20として形成される。熱伝導層20は、ダイヤモンド部材23、特に、ダイヤモンド層24として形成される。 FIG. 2 is a side view of the light recycling apparatus 5 for the light source 1 according to the second embodiment of the present invention. The heat conducting member 10 is formed as a heat conducting layer 20 disposed between two different portions 21, 22 of the light recycling member 9. The heat conductive layer 20 is formed as a diamond member 23, in particular, a diamond layer 24.
光リサイクル装置5を製造する方法は、
− 光リサイクル部材9の第1部分21、特に、蛍光体プレート25として形成される第1部分21、の表面にダイヤモンド層24を付すステップと、
− ダイヤモンド層24の表面上に、第2部分22、特に、蛍光体薄膜15を付すステップと、
− 第1部分21、ダイヤモンド層24及び第2部分22の複合装置を、光リサイクル部材9において用いられるような最終的な形状に切断するステップと、
− 複合装置及びヒートシンク12を組み立てるステップとを有する。
The method of manufacturing the light recycling apparatus 5 is as follows:
Applying a diamond layer 24 to the surface of the first part 21 of the light recycling member 9, in particular the first part 21 formed as a phosphor plate 25;
Applying a second portion 22, in particular a phosphor thin film 15, on the surface of the diamond layer 24;
Cutting the composite device of the first part 21, the diamond layer 24 and the second part 22 into a final shape as used in the light recycling member 9;
Assembling the composite device and the
特に、ダイヤモンド層24は、CVDによって、蛍光体プレート25、とりわけ、YAGセラミック蛍光体プレート上に蒸着される。次に、ダイヤモンド層24上で、蛍光体薄膜15の堆積がなされる。これは、10マイクロメートルから50マイクロメートルの厚さで行われ得る。次いで、複合装置が、切断ツールを用いて切断され、銅のヒートシンク12に挿入される。
In particular, the diamond layer 24 is deposited by CVD on a phosphor plate 25, in particular a YAG ceramic phosphor plate. Next, the phosphor thin film 15 is deposited on the diamond layer 24. This can be done at a thickness of 10 to 50 micrometers. The composite device is then cut using a cutting tool and inserted into the
前記実施例は、光リサイクル材料の局所的熱伝導率を増大させることによって、熱の問題を解決する。それは、等しい全体的な熱伝導率を2倍に増大させるのに十分であろう最適の厚さを持つダイヤモンド層24の挿入を提案する。 The embodiment solves the thermal problem by increasing the local thermal conductivity of the light recycled material. It proposes the insertion of a diamond layer 24 with an optimal thickness that would be sufficient to double the equivalent overall thermal conductivity.
16kW/cm2の(最も熱い箇所における)電力密度及び30ミクロンのスポットサイズのレーザビームを備える、100×100ミクロン及び150ミクロンの厚さのセラミック蛍光体プレート25の特定の場合においては、10ミクロンの厚さで、100×100ミクロンの幅のダイヤモンド層24が、(前記層がヒートシンク12と接触するように)挿入される。このダイヤモンド層24は、図2に示されているように、前記材料内の、上面から20ミクロン離れたところに配置される。 In the specific case of a 100 × 100 micron and 150 micron thick ceramic phosphor plate 25 with a power density of 16 kW / cm 2 (in the hottest spot) and a 30 micron spot size laser beam, 10 micron A diamond layer 24 with a thickness of 100 × 100 microns is inserted (so that the layer is in contact with the heat sink 12). This diamond layer 24 is located in the material 20 microns away from the top surface, as shown in FIG.
サイズが様々であり得る、3W/mKの熱伝導率を備える或るバルク蛍光体プレート(例 Ce:YAG)を考慮する。プレート23のこの蛍光体材料15、25は、(レーザビームが相互に作用し、光が抽出されることを可能にするために、上部を除いて)特に銅製のヒートシンク12によって囲まれる。
Consider a bulk phosphor plate (eg Ce: YAG) with a thermal conductivity of 3 W / mK, which can vary in size. This phosphor material 15, 25 of the plate 23 is surrounded by a
異なる構成(図示せず)においては、10×10ミクロンのダイヤモンドの6つのクラスタが、蛍光体材料に一様に並べられる。この方法においては、複合材料が実現される。これらのクラスタのうちの2つだけが、(冷却のために重要である)ヒートシンク12の壁部に触れている。その場合には、改善はわずかである。しかしながら、このようにして、実際の複合材料をモデル化することは、実際には可能ではない。特にナノメートルサイズの粒子の範囲においては、粒子のサイズ及び形状の強い依存性がある。複合材料の熱伝導率は、体積分率にも依存するであろう。同程度の大きさが、(ダイヤモンド−銅のような)既存の複合材料と比べられ得ると仮定し得る。それらのタイプの複合材料においては、熱伝導率は、(742W/mKまで)ほぼ2倍にされ得る。しかし、この場合は、非常に高い体積比のダイヤモンドが必要である。前記比は、50%から90%までである。これは、波長変換のためには高すぎるかもしれない。なぜなら、白色光を生成するためには蛍光体材料が用いられ、これは、蛍光体は、可能な限り同じ状態のままでなければならないことを意味するからである。他の粒子が多すぎることは、フォトニック特性を低下させ得る。 In a different configuration (not shown), six clusters of 10 × 10 micron diamond are uniformly arranged in the phosphor material. In this way, a composite material is realized. Only two of these clusters touch the wall of the heat sink 12 (which is important for cooling). In that case, the improvement is slight. However, in this way it is not actually possible to model an actual composite material. Especially in the range of nanometer-sized particles, there is a strong dependence on the size and shape of the particles. The thermal conductivity of the composite material will also depend on the volume fraction. It can be assumed that comparable sizes can be compared to existing composite materials (such as diamond-copper). In these types of composite materials, the thermal conductivity can be almost doubled (up to 742 W / mK). In this case, however, a very high volume ratio of diamond is required. The ratio is from 50% to 90%. This may be too high for wavelength conversion. This is because a phosphor material is used to generate white light, which means that the phosphor must remain in the same state as much as possible. Too many other particles can reduce photonic properties.
図3は、本発明の第3実施例による光源1の光リサイクル装置5の側面図を示している。100乃至150ミクロンの厚さの蛍光体プレート25上に、ダイヤモンド層24が堆積される。ダイヤモンド層24上の薄い接着剤層26が、(機械的に頑丈であるのに十分に厚い)他の蛍光体プレート27を接続する。その後、他の蛍光体プレート27の他の側部が、20マイクロメートルの厚さの蛍光体薄膜15(YAG層)を得るために研磨される。 FIG. 3 shows a side view of the light recycling apparatus 5 of the light source 1 according to the third embodiment of the present invention. A diamond layer 24 is deposited on a phosphor plate 25 having a thickness of 100 to 150 microns. A thin adhesive layer 26 on the diamond layer 24 connects another phosphor plate 27 (thick enough to be mechanically robust). Thereafter, the other side of the other phosphor plate 27 is polished to obtain a phosphor thin film 15 (YAG layer) having a thickness of 20 micrometers.
前記方法は、第2部分22を付すのが、第2部分の接着剤接着、及びその後の研磨による蛍光体薄膜15の製造による点で上記の方法と異なる。 The method is different from the above method in that the second portion 22 is attached by the adhesive bonding of the second portion and the manufacture of the phosphor thin film 15 by the subsequent polishing.
他の例においては、ダイヤモンド層23は、挟まれず、セラミックの上面に堆積される(図示せず)。十分な伝熱を持つために、ダイヤモンド層24とヒートシンク12との表面接触は、増大されるべきである。これは、セラミックのCVD処理を行うことで、達成され得る。その場合、表面接触を最適化するために、セラミックの個々のかけらは、切断され、適切なサイズの銅の塊に挿入され得る。
In another example, the diamond layer 23 is not sandwiched and is deposited on the top surface of the ceramic (not shown). In order to have sufficient heat transfer, the surface contact between the diamond layer 24 and the
要するに、蛍光体材料15、25におけるレーザ光の高温のホットスポットに対処するための技術が適用され得る。提案は、ダイヤモンド層24を用いることである。なぜなら、製造プロセスが、同様であり、熱伝導率の改善がずっと高く、特に、ダイヤモンドの場合にそれに値するのに十分に高いからである。この構成においては、高強度レーザ4が、蛍光体プレート内で焦点を合わされることができ、白色光が、非常に小さなスポットにおいて生成されることができる。この解決策は、それ自体で十分であり、付加的な能動冷却を全く必要としないであろう。これは、蛍光体材料において、マイクロメートルのスポットの高強度白色光が作成され得る最も安全な方法である。これは、白色光の応用分野を広げるであろう。 In short, a technique for dealing with high-temperature hot spots of laser light in the phosphor materials 15 and 25 can be applied. The proposal is to use a diamond layer 24. This is because the manufacturing process is similar and the thermal conductivity improvement is much higher, especially high enough to deserve it in the case of diamond. In this configuration, the high intensity laser 4 can be focused within the phosphor plate and white light can be generated in a very small spot. This solution is sufficient on its own and will not require any additional active cooling. This is the safest way in which high intensity white light with micrometer spots can be created in phosphor materials. This will expand the application area of white light.
本発明の第2及び第3実施例による光リサイクル装置5(図2及び3)は、光源1の反射性組立体及び光透過性組立体のために用いられ得る。透過性組立体内では、ヒートシンク12は、レーザビームがヒートシンク12に光を通過させることを可能にするチャネルを有する、且つ/又は他の例においては、サファイアヒートシンクのような透明なヒートシンク12を有する。
The light recycling apparatus 5 (FIGS. 2 and 3) according to the second and third embodiments of the present invention can be used for the reflective assembly and the light transmissive assembly of the light source 1. Within the transmissive assembly, the
本発明を、図面において図示し、上記の説明において詳細に説明しているが、このような図及び説明は、説明的なもの又は例示的なものとみなされるべきであって、限定するものとみなされるべきではない。本発明は、開示されている実施例に限定されない。 While the invention is illustrated in the drawings and has been described in detail in the foregoing description, such illustration and description are to be considered illustrative and exemplary and limited Should not be considered. The invention is not limited to the disclosed embodiments.
請求項に記載の発明を実施する当業者は、図面、明細及び添付の請求項の研究から、開示されている実施例に対する他の変形を、理解し、達成し得る。請求項において、「有する」という用語は、他の要素又はステップを除外せず、単数形表記は、複数の存在を除外しない。単に、特定の手段が、相互に異なる従属請求項において引用されているという事実は、これらの手段の組み合わせが有利になるように用いられることができないことを示すものではない。請求項におけるいかなる参照符号も、範囲を限定するものとして解釈されてはならない。 Those skilled in the art in practicing the claimed invention may understand and achieve other variations to the disclosed embodiments from a study of the drawings, the specification, and the appended claims. In the claims, the word “comprising” does not exclude other elements or steps, and the singular form does not exclude the presence of a plurality. The mere fact that certain measures are recited in mutually different dependent claims does not indicate that a combination of these measures cannot be used to advantage. Any reference signs in the claims should not be construed as limiting the scope.
Claims (14)
前記光リサイクル部材の表面上、及び/又は
前記光リサイクル部材の2つの異なる部分の間に、配設される熱伝導層として形成される請求項1に記載の光源。 The heat conducting member of the light recycling apparatus is
The light source according to claim 1, wherein the light source is formed as a heat conductive layer disposed on a surface of the light recycling member and / or between two different portions of the light recycling member.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09151019 | 2009-01-21 | ||
EP09151019.8 | 2009-01-21 | ||
PCT/IB2010/050220 WO2010084451A1 (en) | 2009-01-21 | 2010-01-18 | Light source comprising a light recycling device and corresponding light recycling device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012516032A true JP2012516032A (en) | 2012-07-12 |
Family
ID=41818810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011545830A Pending JP2012516032A (en) | 2009-01-21 | 2010-01-18 | Light source having light recycling device and corresponding light recycling device |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110266580A1 (en) |
EP (1) | EP2389694A1 (en) |
JP (1) | JP2012516032A (en) |
KR (1) | KR20110105867A (en) |
CN (1) | CN102292837A (en) |
BR (1) | BRPI1005164A2 (en) |
CA (1) | CA2749897A1 (en) |
RU (1) | RU2011134870A (en) |
WO (1) | WO2010084451A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016225581A (en) * | 2015-06-04 | 2016-12-28 | 日本電気硝子株式会社 | Wavelength conversion member and light-emitting device including the same |
JP2020518036A (en) * | 2017-04-24 | 2020-06-18 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | High brightness light conversion device |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8789559B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-07-29 | Hyosung Goodsprings, Inc. | Flow path switching valve |
EP2649151B1 (en) | 2010-12-07 | 2015-06-17 | Koninklijke Philips N.V. | Method of manufacturing a part of a color ring and a part of a color ring |
DE102012204786A1 (en) * | 2012-03-26 | 2013-09-26 | Osram Gmbh | LIGHTING DEVICE WITH FLUORESCENT BODY ON COOLING BODY |
JP2013239673A (en) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and lamp for vehicle |
EP3117267B1 (en) * | 2014-03-11 | 2018-05-02 | Osram Sylvania Inc. | Light converter assemblies with enhanced heat dissipation |
DE102016200582A1 (en) | 2016-01-19 | 2017-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Light source assembly, vehicle headlamp and manufacturing method for a light source assembly |
FR3054330B1 (en) * | 2016-07-22 | 2019-06-14 | Valeo Comfort And Driving Assistance | IMAGE GENERATING DEVICE AND ASSOCIATED HIGH HEAD DISPLAY |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347263A (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Lumileds Lighting Us Llc | Separate wavelength conversion in lighting device |
JP2006515963A (en) * | 2003-01-27 | 2006-06-08 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Phosphorescent light source with reflective polarizer |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3524197A (en) * | 1968-05-28 | 1970-08-11 | Sanders Associates Inc | High intensity projection cathode ray tube |
US5615558A (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-01 | Cornell; Eric A. | Optical cooling of solids |
US6041610A (en) * | 1998-04-10 | 2000-03-28 | The Regents Of The University Of California | Optical refrigerator using reflectivity tuned dielectric mirrors |
US7245072B2 (en) * | 2003-01-27 | 2007-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector |
JP2004246178A (en) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Hitachi Ltd | Optical unit, projection type video display device and polarizing plate used therein |
JP4622695B2 (en) * | 2004-08-27 | 2011-02-02 | 日本ビクター株式会社 | Projection display |
US7858408B2 (en) * | 2004-11-15 | 2010-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
US7692207B2 (en) * | 2005-01-21 | 2010-04-06 | Luminus Devices, Inc. | Packaging designs for LEDs |
JP2006235571A (en) * | 2005-01-28 | 2006-09-07 | Victor Co Of Japan Ltd | Projection type display apparatus |
US7196354B1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-27 | Luminus Devices, Inc. | Wavelength-converting light-emitting devices |
EP1932188A4 (en) * | 2005-10-07 | 2011-06-22 | Osram Sylvania Inc | Led with light transmissive heat sink |
KR100714016B1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light-emitting display device |
JP2007165811A (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
JP4749870B2 (en) * | 2006-01-24 | 2011-08-17 | 新光電気工業株式会社 | Method for manufacturing light emitting device |
DE102008012316B4 (en) * | 2007-09-28 | 2023-02-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Semiconductor light source with a primary radiation source and a luminescence conversion element |
US9086213B2 (en) * | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
US8126329B2 (en) * | 2008-09-03 | 2012-02-28 | Applied Optoelectronics, Inc. | Quad-port optical module with pass-through and add/drop configuration |
-
2010
- 2010-01-18 JP JP2011545830A patent/JP2012516032A/en active Pending
- 2010-01-18 KR KR1020117019166A patent/KR20110105867A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-01-18 CN CN2010800051022A patent/CN102292837A/en active Pending
- 2010-01-18 RU RU2011134870/28A patent/RU2011134870A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-01-18 WO PCT/IB2010/050220 patent/WO2010084451A1/en active Application Filing
- 2010-01-18 EP EP10702748A patent/EP2389694A1/en not_active Ceased
- 2010-01-18 BR BRPI1005164A patent/BRPI1005164A2/en not_active IP Right Cessation
- 2010-01-18 CA CA2749897A patent/CA2749897A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-18 US US13/145,356 patent/US20110266580A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006515963A (en) * | 2003-01-27 | 2006-06-08 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Phosphorescent light source with reflective polarizer |
JP2005347263A (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Lumileds Lighting Us Llc | Separate wavelength conversion in lighting device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016225581A (en) * | 2015-06-04 | 2016-12-28 | 日本電気硝子株式会社 | Wavelength conversion member and light-emitting device including the same |
JP2020518036A (en) * | 2017-04-24 | 2020-06-18 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | High brightness light conversion device |
JP7154280B2 (en) | 2017-04-24 | 2022-10-17 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | High brightness light conversion device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110266580A1 (en) | 2011-11-03 |
KR20110105867A (en) | 2011-09-27 |
BRPI1005164A2 (en) | 2019-04-24 |
WO2010084451A1 (en) | 2010-07-29 |
EP2389694A1 (en) | 2011-11-30 |
CA2749897A1 (en) | 2010-07-29 |
CN102292837A (en) | 2011-12-21 |
RU2011134870A (en) | 2013-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012516032A (en) | Light source having light recycling device and corresponding light recycling device | |
JP5613309B2 (en) | Optical element and semiconductor light emitting device using the same | |
WO2017068765A1 (en) | Wavelength conversion element and light-emitting device | |
US9151468B2 (en) | High brightness illumination devices using wavelength conversion materials | |
JP6457099B2 (en) | Wavelength conversion member and light emitting device | |
JP2008505504A (en) | Light emitting diode device | |
CN108139040A (en) | Fluorescent light source device | |
US20220221129A1 (en) | Improved thermal management in laser-based lighting using a truncated ball lens | |
WO2013175706A1 (en) | Optical element, light-emitting device, and projection device | |
US20170256685A1 (en) | A light emitting device | |
JP2014183192A (en) | Polarized led and display device using the same | |
JP7207903B2 (en) | Light source device and projection display device having the same | |
TWI598540B (en) | Wavelength converting module and light source module using the same | |
JP2011171504A (en) | Light-emitting device | |
JP2015109356A (en) | Laser device, method for manufacturing laser device, laser processing device, and display device | |
JP2010021224A (en) | Laser device | |
WO2013175752A1 (en) | Wavelength conversion member, optical element, light-emitting device, and projection device | |
JP6452363B2 (en) | Wavelength converter and wavelength converter | |
US10371355B2 (en) | Phosphor element | |
CN110799877B (en) | High brightness light conversion device | |
US20230016179A1 (en) | Compact laser beam combiner with micro-prism reflector | |
WO2022268854A1 (en) | Light emitting device comprising a cooling system | |
JP2022190313A (en) | Laminated structure and heat transfer structure | |
CN109282168A (en) | A kind of system obtaining high lumen density green-light source | |
JP2008305847A (en) | Nitride semiconductor laser device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130925 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140304 |