JP2012507979A - 電力変換部品を有する環状キャパシタ - Google Patents

電力変換部品を有する環状キャパシタ Download PDF

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Abstract

【解決手段】リング設計によって独自に可能な態様で配置され取り付けられた別の電力変換部品を有する環状キャパシタ(閉路リングの形状の巻線金属化誘電キャパシタ)からなる組み立てユニットの形成により、高密度のコンバータ設計(電力/ユニット容積)が可能になる。この結果生じるキャパシタ素子とスイッチング半導体との間の短い接続経路によりインダクタンス経路が非常に低くなり、ターンオフdi/dtの結果としてのスイッチング半導体上の電圧スパイクが最小化される。キャパシタは、スイッチング半導体用の短時間電流源およびシンクとして機能する。上記の構成により、キャパシタによって観察されるRMS電流がより一様になり、キャパシタ温度上昇がさらに一様化される。上記のように構成された単一のキャパシタは、複数の別個のキャパシタが並列接続されたときに従来技術でしばしば観察されるバス共振問題を緩和する。
【選択図】図1

Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、2007年11月1日に出願された米国仮特許出願第60/984561号「電力変換を実行する半導体を周縁に有する環状キャパシタ」、第60/984546号「電力変換用の半導体ダイまたはモジュールを穴の内側に有する環状キャパシタ」および第60/984530号「中心穴の内側に収容された電力変換半導体エレクトロニクスを有する環状キャパシタ」の優先権を主張し、これらの主題が参照により本明細書に援用される。本発明は、2007年10月30日に発行された同一発明者の最近の特許第7,289,311号「パワーリングパルスキャパシタ」に続くものである。
本発明は、電力変換エレクトロニクスにおいてDCリンクキャパシタとして使用されるときの環状形状因子キャパシタに関する。より詳細には、本発明は、上記キャパシタの周囲または内側に電力スイッチングデバイスを配置し、所与のキャパシタ電流に対するキャパシタ内部の温度上昇を最低にする構成オプションに関する。内部温度が低くなると信頼性が改善される。これらの構造オプションの利点を述べる別の方法は、所与の温度上昇に対してより高い電流をキャパシタに流せるということである。これらの構成オプションによって、典型的な従来技術よりも、DCリンクキャパシタと半導体スイッチとの間を低インダクタンスで接続することができる。
DC電圧を変換またはDCからACに変換する広く適用された電力変換技術において、典型的な回路構成は、実用上可能な限りスイッチング半導体デバイスに近接して配置されたキャパシタを利用する。このキャパシタを使用して、スイッチングデバイスで観察されるDC源のインピーダンスを低減することができる。いくつかの理由のために、このキャパシタは必要とされる。
1)キャパシタは、使用されるスイッチ周波数で変換/反転スイッチに電流を供給する。これにより、DC源の寿命および信頼性にとってしばしば有害である高周波電流をDC源から排除する。
2)キャパシタは、スイッチング動作により生じる「ノイズ」の大半を除去し、ノイズを電力変換/反転筐体内に封じ込めるのに役立つ。
3)スイッチに対するキャパシタの低インダクタンスが、インバータ/コンバータの設計者にとって主要な課題である、スイッチのターンオフ時間中の電圧上昇を低下させる。
このキャパシタはエネルギーの貯蔵もし、そのためDC源の短期間の中断により出力が中断されないが、この機能は提案する発明とは関係がない。
電力変換/反転の既知の技術では、この出願で使用されるキャパシタは「DCリンクキャパシタ」として知られている。このキャパシタは、通常、スイッチング周波数でキャパシタによってスイッチに供給されなければならないAC電流の大きさ、およびDC源に受け入れられる最大AC電流に基づいた大きさにされる。大型の電力変換システムでは、2008年10月15日現在で市販されているキャパシタ巻線機は、DCリンクキャパシタの必要性を満足する大きさの単一のキャパシタ素子を巻くことができない。所望の電圧およびAC電流搬送要件を得るために、二つ以上のキャパシタ巻線機を相互に接続することによって適切なキャパシタが作成される。これはキャパシタメーカによって実施することができ、完成したアセンブリは、電力変換システムと接続するための少なくとも一つの端子ペアを有する金属またはプラスチックの容器の中に封入される。DCリンクキャパシタは、いくつかの適切に構成された分散キャパシタの「バンク」であってもよい。
(キャパシタ巻線と内部接続された、またはキャパシタと外部接続された)これらの実装の両方にとって、各キャパシタ素子が同一の電流を搬送するのを保証することはほとんど不可能であるが、その理由は、そのような保証はスイッチ半導体から各キャパシタ素子までのインピーダンス接続が等しいことを意味するからである。スイッチに最も近い(したがってインピーダンスが最低である)キャパシタ巻線が過度の電流を搬送し、その結果過度の加熱が生じる。スイッチ半導体に最も近いキャパシタが、生じるAC電流のうち最大の割合を占めることになる。
組立DCリンクキャパシタ実装用の従来技術の性能の制限は、最大の電流を搬送するキャパシタ素子における温度上昇がキャパシタ全体の電流搬送能力を規定するということである。キャパシタ素子とスイッチ半導体の間のインダクタンスを最小化することが困難である。
ユーザが組み立てる「キャパシタバンク」型DCリンクキャパシタにとっても同一の問題が存在し、スイッチ半導体に最も近くにあるバンク内の個々のキャパシタが、割り当て分よりも多くの電流を搬送することになる。この理由は、最も近いキャパシタは電流源までの距離も最短になり、したがって回路内で最小のインピーダンスを有するからである。
キャパシタの長期信頼性は、電流負荷条件下でのキャパシタ内の最も熱い部分の関数である。脆弱化および最終的な故障がこの領域で発生する。したがって、キャパシタの長期信頼性は、キャパシタ内の最も熱い部分の関数である。
本発明では、DCリンクキャパシタは環状形状因子(リング形状)キャパシタである。本発明では、キャパシタ形状の面積にわたりスイッチング電流をより均一に分配するように電力半導体スイッチが配置される。環状の形状の周囲に電流をより均一に分配することによって、キャパシタに取り付けられた均等に配置された接続点の数だけ、任意の一つの接続点における電流密度が低下する。任意の一つの接続点におけるこの電流密度の低下は、キャパシタ内の電流密度の非均一性を直接低下させ、所与の全キャパシタ電流に対して、任意の点における損失をより均一化し温度上昇が低減されるという結果が得られる。
本発明の利点の一つは、所与のスイッチング電流に対する熱放散が低いことである。
本発明の別の利点は、任意の所与のキャパシタ電流に対するDCリンクキャパシタの長期信頼性が増大することである。キャパシタの信頼性はホットスポット温度の関数である。温度を平均で10°だけ低下させると、信頼性が二倍改善される。
本発明の別の利点は、実行直列インダクタンス(ESL)が非常に低いことである。キャパシタからスイッチへの距離が短いのでインダクタンスが低くなり、このためスイッチがオフにされたときスイッチ装置で観察される電圧オーバーシュートが低下する。
ESLが低いことによる別の関連する利点は、電力半導体スイッチの端子を横切る追加のスナバキャパシタを不要にする可能性があることである。
本発明の別の利点は、実行直列抵抗(ESR)が非常に低いことである。キャパシタ内での電流密度の一様性が高まることで加熱が小さくなり、さらに低いESRとして反映される。
別の利点は、簡略化された接続バス構造が可能であり、重量、容積、コストを削減した設計が可能になることである。
本発明の別の利点は、キャパシタに接続された電力半導体スイッチをキャパシタの中空部の中に配置し、キャパシタ内の電流がより均等に分配されるように半導体スイッチを構成できることである。この利点は、中心領域が電力半導体スイッチを配置するのに効果的な場所であり、インバータの電力密度を増大させることである。
本発明の別の利点は、図8に示すように、一組の四つ角バスプレートが三つの半導体スイッチと一つのDC入力とで構成されるように電力半導体スイッチを配置して、コスト、容積および重量を削減できることである。
図8で具体化される本発明の別の利点は、簡単な技術を用いて製造できることであり、その結果、低コストと良好な再現性が実現することである。
本特許で教示のように構成された単一の電力変換部品を持つ環状キャパシタの上面図である。 図1のキャパシタの側面断面図である。 温度上昇が低くなるように構成された単一の電力変換部品を持つ環状キャパシタの上面図である。 インダクタンスおよびキャパシタ温度上昇が低くなるように構成された三つの電力変換部品を持つ環状キャパシタの上面図である。 アセンブリの一部を示す環状キャパシタの断面側面図であり、(キャパシタ/スイッチアセンブリが集積された)冷却板に取り付けられかつ中心穴に搭載された半導体スイッチングダイの接続部の詳細を示す図である。 アセンブリの一部を示す環状キャパシタの断面側面図であり、(キャパシタ/スイッチアセンブリが集積された)冷却板から電気的に絶縁されかつ中心穴に搭載された半導体スイッチングダイの接続部の詳細を示す図である。 外端部の周囲に三つの電力変換部品を均等に配置してインダクタンスおよび温度上昇が低くなるようにした環状キャパシタの上面図である。 三つの電力変換部品とDC入力の空間効率が高い構成の環状キャパシタの上面図である。 キャパシタ、三つの電力変換部品およびDC入力の間に便利な接続部を提供するオフセットされたバスプレートによってさらに改良された、図7の環状キャパシタの上面図である。 中心穴にDC入力を配置してインダクタンスおよび温度上昇を低くした、外端部の周囲に三つの電力変換部品が均等に配置された環状キャパシタの上面図である。
単一の電力変換部品を持つ金属化フィルム高分子環状キャパシタを図1に示す。環状キャパシタ本体101は可変の中心穴半径を有しており、電力変換部品の上部端子104、下部端子103および出力端子105にとって必要となる空間を持つ正確な仕様に電力変換部品102を適合させるように構成することができる。図1では、典型的な市販の電力変換部品を用いて可能である最短経路となるように端子が配置される。そのため、電力変換用途にとって望ましい静電容量を実現するように環状キャパシタの外形および厚さを選択することができる。環状キャパシタの厚さは図1Bで述べられる。環状キャパシタ101の深さは電力変換部品102の高さと一致するように作られる。その結果、端子103および104はキャパシタと接続するための最短距離を維持することができ、これによって、この構成で可能な範囲で最低の接続インダクタンスとなる。図示の電力変換部品は、キャパシタ中心穴の内部に同様に収容可能である多数の既存のまたは将来市販される電力変換部品のうちの一つに過ぎないことを理解すべきである。
図2の環状キャパシタは、キャパシタ本体101の中心穴の中の単一の電力変換部品102を示す。この例の上部端子104および下部端子103は、リングの周囲に等間隔に分配されている。この構成は接続経路が最短ではないが、キャパシタ電流をより適切に分配し環状キャパシタ温度の上昇を低減する。この場合も、図1Bで示したように、環状キャパシタの深さは電力変換部品の高さに一致する。キャパシタの厚さと内径がこのように決定されると、所望の静電容量を与えるように外径を変化させる。実際には、温度上昇対低接続インダクタンスに関して用途にとってより重要であるものについて、端子の配置に関係する妥協が必要である。キャパシタの幅/形状の変更を実施可能である一方、キャパシタ内で電流密度をさらに一様にするという目的も満足することに注意すべきである。
用途に応じて、二つ以上の電力変換部品の使用が有利なことがある。キャパシタの温度上昇と接続インダクタンスの両方を最小化する、三相インバータ用の三点接続方法の例を図3に示す。電力変換部品102は、環状キャパシタ本体101の内側の穴の内部に配置される。内側の穴の半径は使用される部品のサイズによって決まる。この実施形態では、キャパシタ電流をより適切に分配するように電力変換部品が配置される。これは、環状キャパシタの温度上昇を最小化する。図1Bに示したように、リングの深さを部品の高さに一致させると、最短経路を使用して端子104および103の接続が可能になるという利点がある。これによって、接続インダクタンスも最低になる。図示の電力変換部品の構成は、同様に収容可能である任意の数または大きさの市販電力変換部品の一例に過ぎないことを理解すべきである。
図4は、キャパシタと半導体スイッチとを単一ユニットに集積して、別個の市販のパッケージ化された電力変換部品を用いるよりも優れた空間効率を実現する実施形態を示す断面図である。半導体スイッチングダイ106Aおよび106Bは、(図3に符号102で簡略化して示したような)市販のパッケージ化された半導体デバイス内に通常は収納されている物の一部または全部を表している。電力変換部品は環状キャパシタ101の中心穴に配置される。この実施形態では、一つの半導体スイッチングダイ106Aが冷却板109に直接接続され、冷却板109はキャパシタの底面に直接接続される。これは事実上前図で下部端子と呼ばれるものである。第1の半導体スイッチングダイ106Aが冷却板に接続されているので、第2の半導体スイッチングダイ106Bは電気的にアクティブな冷却板から電気的に絶縁される必要がある。これは、熱伝導電気絶縁材料108の層を用いて達成される。この半導体スイッチングダイ106Bはキャパシタの上面に接続される(111)が、これは事実上前図で上部端子と呼ばれるものである。半導体スイッチングダイ106Bは、小さな導電銅板107によって出力端子105に接続される。図面をより明瞭かつ確かなものにするために、スイッチ半導体駆動/戻りボンドワイヤ110および複数のエミッタボンドワイヤ113が示されている。この図解は、当業者にとって周知である電力変換部品の一部を示すに過ぎないことを理解すべきである。任意の数の電力変換部品を図4で示し説明したようにリング内に構成し使用できることをさらに理解すべきである。
図5は、キャパシタと半導体スイッチとを単一ユニットに集積して、別個の市販のパッケージ化された電力変換部品を用いるよりも優れた空間効率を達成する別の実施形態を示す断面図である。半導体スイッチングダイ106A、106Bは、(図3に符号102で簡略化して示したような)市販のパッケージ化された半導体デバイス内に通常は収納されている物の一部または全部を表している。電力変換部品は環状キャパシタ101の中心穴に配置される。この実施形態では、熱伝導電気絶縁層108がキャパシタ101と冷却板109との間の全表面を覆っている。小さな導電板114によってキャパシタに接続された半導体スイッチングダイ106Aは、事実上前図で下部端子と呼ばれるものである。図4のように、半導体スイッチングダイ106Bはキャパシタの上面に接続される(111)が、これは事実上前図で上部端子と呼ばれるものである。半導体スイッチングダイ106Bは、小さな導電銅板107によって出力端子105に接続される。図面をより明瞭かつ確かなものにするために、スイッチ半導体駆動/戻りボンドワイヤ110および複数のエミッタボンドワイヤ113が示されている。この図解は、当業者にとって周知である電力変換部品の一部を示すに過ぎないことを理解すべきである。任意の数の電力変換部品を図5で示し説明したようにリング内に構成し使用できることをさらに理解すべきである。
冷却板109上のキャパシタ101の外周に電力変換部品102が分配された異なる実施形態を図6に示す。図示の三相インバータの例では、キャパシタの外周周りに対称的に空間を空けてキャパシタ電流が分配される。これは、よりリング直径が小さい図1−5に示した実施形態と同一の静電容量値を生み出す。図1Bに例示したように、リングの深さを電力変換部品の高さと一致させると、端子104および103の接続長さが最短になるという利点があり、この結果インダクタンスも低くなる。端子103および104の接続長さが、図3に示したものよりも本実施形態の方がわずかに短いことに注意する。図示の部品の構成は、同様にキャパシタの周りに配置して任意の電力変換用途のためにキャパシタ内でより一様な電流密度を得ることができる、任意の数または大きさの市販の電力変換部品の一例に過ぎないことを理解すべきである。
図7の筐体線117は、環状キャパシタ101の周りのスイッチング半導体102の構成を提案するものである。これにより、電力変換筐体容積の空間使用効率をより高めることが可能になる。図示の場合では、電力変換部品およびDC入力の間でキャパシタの外周が等しく分割される。DC入力端子115A、115Bが四分円に配置され、三つの電力変換部品102が他の三つの四分円に配置される。スイッチング部品102は、図6に示したようにキャパシタ101の全体にわたり等しく分配されてはいない。しかし、得られるキャパシタ電流分布は、図1に示したものよりも遙かに一様であり、重要な空間効率ゲインのトレードオフが最小である。この場合も、リングの深さは電力変換部品の高さと一致し、この結果、上部端子104および下部端子103の接続長さが短い(低インダクタンス)という利点を得られる。図面は三相インバータと単一の入力端子の組を示しているが、任意の数の電力変換部品またはDC入力端子の組を同様に分配して、任意の所与の空間効率構成内で上述した長所の利益を受けられることを理解すべきである。上述したように、環状キャパシタの内外半径および深さは、使用される電力変換部品および用途の要件によって決定される。
図8は、図7で説明した部品の空間効率的な構成をさらに改良する。筐体線117が空間を画成する。キャパシタ101は二つのバスプレートの間に挟まれる。上部バスプレート118は、正のDC入力115Aおよび電力変換部品の正の端子とを接続する便利な方法を提供する。底部バスプレート119は、負のDC入力115Bと電力変換部品の負の端子とを接続する便利な方法を提供する。上述したように、環状キャパシタの内外半径および深さは、使用される電力変換部品および用途の要件によって決定される。図8には、電力変換部品102、キャパシタ101、上部および下部バスプレート118、119の間の接続の詳細を示す拡大斜視図が含まれる。
図9に示すように、キャパシタ101の中心穴を介して、均一に分配された接続点を持つようにアセンブリへのDC入力を取り付けることができる。正のDC入力115Aがキャパシタの一面に取り付けられ、負のDC入力115Bがキャパシタの他面に取り付けられる。電力変換部品102が周縁に沿って分配され、図6で説明したのと同じ利点が得られる。キャパシタの低温度上昇という利点をさらに増大させるために、入力接続として冷却板109を使用して負のDC入力115Bをアセンブリに接続して、キャパシタの表面にわたり等しく電流を分配することができる。正のDC入力115Aは上述のように接続される。最終的に、DC入力接続は、キャパシタの内周の全体に取り付けられたディスク形状であってよい。図面は三相インバータを示しているが、任意の数の電力変換部品を中心に配置されたDC入力の周りに同様に配置して、キャパシタの全体の最小の温度上昇を最小化することができる。上述したように、環状キャパシタの内外の半径および深さは、使用される電力変換部品および用途の要件によって決定される。
本発明の特定の特徴のみを本明細書で図解し説明してきたが、当業者は多くの修正および変更を思いつくだろう。したがって、添付の請求項は、本発明の真の精神の範囲内にあるような修正および変更の全てを包含するよう意図されている。

Claims (24)

  1. リングの厚さより実質的に大きな外形を持つ環状リングの形態を有する、巻線フィルムキャパシタからなる電気アセンブリであって、
    前記キャパシタの対向端面に配置される導電接触部を有し、
    一つまたは複数の電力制御部品を収容するよう選択された内径を有し、
    前記電力制御部品は前記キャパシタの内径の内部に配置され、
    前記電力制御部品は前記キャパシタ上の前記接触部と電気的に接続されることを特徴とする電気アセンブリ。
  2. 前記キャパシタの対向端面に配置された電気接触部と前記キャパシタの内径の内部に配置された一つまたは複数の前記電力制御部品との間で取り得る最短の接続経路が得られるように前記キャパシタの厚さが選択され、これによって形成される電気回路の総インダクタンスを最小化することを特徴とする請求項1に記載の電気アセンブリ。
  3. 前記キャパシタの電気接触部と一つまたは複数の前記電力制御部品との間の電気接続が、プリント回路基板または導電熱伝導冷却板を含むがこれらに限定されないリストから選択される方法を用いて実現されることを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  4. 前記電力制御部品のそれぞれから前記キャパシタ上の電気接触部までの接続点が前記キャパシタの内周の周りに等間隔で配置され、前記キャパシタを通して流れる電流によって生じる温度上昇を低減することを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  5. 一つまたは複数の導電熱伝導板が前記キャパシタの一端面または両端面に電気的接続および熱的接続を提供し、
    前記電力制御部品が前記アセンブリの完全な機能を維持するように適切に配置されることを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  6. 一つまたは複数の導電熱伝導板の間に電気絶縁熱伝導層が配置され、前記キャパシタの一端面または両端面と前記導電熱伝導板との間を電気的に絶縁し、
    前記電力制御部品が前記アセンブリの完全な機能を維持するように適切に配置されることを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  7. 前記キャパシタの各端面の二つ以上の電気接触部が前記キャパシタの内周の周りに等分配され前記キャパシタの温度上昇を低減することを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  8. 一つまたは複数の導電熱伝導エンドプレートが前記キャパシタの対向端面に接続され、
    前記エンドプレートは前記キャパシタの端面よりも実質的に大きく、
    前記エンドプレートは互いにオフセットされるように配置され、
    前記プレートは、前記電力制御部品に接続するために、前記キャパシタの外周の直径を越えて延出するタブまたはフランジを有しており、
    前記電力制御部品は、前記アセンブリの完全な機能を維持する態様で前記エンドプレートに固定されることを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  9. 前記電気アセンブリは、直流および交流の両方の電力流を制御するように設計され、
    アセンブリに導入される直流が前記エンドプレート上の前記タブまたはフランジのうち一つまたは複数に接続され、アセンブリ内の直流および交流の組み合わせからの熱放散を最適化することを特徴とする請求項8に記載の電気アセンブリ。
  10. 前記エンドプレートは、電気絶縁熱伝導層を使用して一つまたは複数の熱伝導冷却板に固定されることを特徴とする請求項9に記載の電気アセンブリ。
  11. 前記キャパシタの第1端面の内径の内部に配置された電気接続を通して前記アセンブリに直流が導入され、
    前記キャパシタの第2端面の内径の内部に配置された電気接続を通して前記アセンブリから直流が取り除かれ、
    前記キャパシタの内周の周りに直流接続点が等分配され、
    電気タブのアレイまたはディスク形状の連続電極を含むがこれらに限定されないリストから直流接触部が選択されることを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  12. 前記キャパシタの一端面と接触して配置された導電熱伝導冷却板によって形成される電気接続を通して前記アセンブリに直流が導入されるかまたは前記アセンブリから直流が取り除かれ、
    前記キャパシタの反対端面の内径の内部に配置された電気接続を通して前記アセンブリから直流が取り除かれるかまたは前記アセンブリに直流が導入され、
    前記キャパシタの内周の周りに直流接続点が等分配され、
    電気タブのアレイまたはディスク形状の連続電極を含むがこれらに限定されないリストから直流接触部が選択されることを特徴とする請求項2に記載の電気アセンブリ。
  13. リングの厚さより実質的に大きな外形を持つ環状リングの形態を有する、巻線フィルムキャパシタからなる電気アセンブリであって、
    前記キャパシタの対向端面に配置される導電接触部を有し、
    一つまたは複数の電力制御部品が前記キャパシタリングの外周の周りに分配され、
    前記電力制御部品は前記キャパシタ上の前記接触部と電気的に接続されることを特徴とする電気アセンブリ。
  14. キャパシタの対向端面に配置された電気接触部と前記キャパシタの外周の周りに配置された一つまたは複数の前記電力制御部品との間で取り得る最短の接続経路が得られるように前記キャパシタの厚さが選択され、これによって形成される電気回路の総インダクタンスを最小化することを特徴とする請求項13に記載の電気アセンブリ。
  15. 前記キャパシタの電気接触部と一つまたは複数の前記電力制御部品との間の電気接続が、プリント回路基板または導電熱伝導冷却板を含むがこれらに限定されないリストから選択される方法を用いて達成されることを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  16. 前記電力制御部品のそれぞれから前記キャパシタ上の電気接触部までの接続点が前記キャパシタの外周の周りに等間隔で配置され、前記キャパシタを通して流れる電流によって生じる温度上昇を低減することを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  17. 一つまたは複数の導電熱伝導板が前記キャパシタの一端面または両端面に電気的接続および熱的接続を提供し、
    前記電力制御部品が前記アセンブリの完全な機能を維持するように適切に配置されることを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  18. 一つまたは複数の導電熱伝導板の間に電気絶縁熱伝導層が配置され、前記キャパシタの一端面または両端面と前記導電熱伝導板との間を電気的に絶縁し、
    前記電力制御部品が前記アセンブリの完全な機能を維持するように適切に配置されることを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  19. 前記キャパシタの各端面の二つ以上の電気接触部が前記キャパシタの外周の周りに等分配され前記キャパシタの温度上昇を低減することを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  20. 一つまたは複数の導電熱伝導エンドプレートが前記キャパシタの対向端面に接続され、
    前記エンドプレートは前記キャパシタの端面よりも実質的に大きく、
    前記エンドプレートは互いにオフセットされるように配置され、
    前記プレートは、前記電力制御部品に接続するために、前記キャパシタの外周の外径を越えて延出するタブまたはフランジを有しており、
    前記電力制御部品は、前記アセンブリの完全な機能を維持する態様で前記エンドプレートに固定されることを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  21. 前記電気アセンブリは、直流および交流の両方の電力流を制御するように設計され、
    前記アセンブリに導入される直流が前記エンドプレート上の前記タブまたはフランジのうち一つまたは複数と接続され、前記アセンブリ内の直流および交流の組み合わせからの熱放散を最適化することを特徴とする請求項20に記載の電気アセンブリ。
  22. 前記エンドプレートは、電気絶縁熱伝導層を使用して一つまたは複数の熱伝導冷却板に固定されることを特徴とする請求項21に記載の電気アセンブリ。
  23. 前記キャパシタの第1端面の内径の内部に配置された電気接続を通して前記アセンブリに直流が導入され、
    前記キャパシタの第2端面の内径の内部に配置された電気接続を通して前記アセンブリから直流が取り除かれ、
    前記キャパシタの内周の周りに直流接続点が等分配され、
    電気タブのアレイまたはディスク形状の連続電極を含むがこれらに限定されないリストから直流接触部が選択されることを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
  24. 前記キャパシタの一端面と接触して配置された導電熱伝導冷却板によって形成される電気接続を通して前記アセンブリに直流が導入されるかまたは前記アセンブリから直流が取り除かれ、
    前記キャパシタの反対端面の内径の内部に配置された電気接続を通して前記アセンブリから直流が取り除かれるかまたは前記アセンブリに直流が導入され、
    前記キャパシタの内周の周りに直流接続点が等分配され、
    電気タブのアレイまたはディスク形状の連続電極を含むがこれらに限定されないリストから直流接触部が選択されることを特徴とする請求項14に記載の電気アセンブリ。
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