上述のような処理空間を形成することにより得られる利点として、主に以下の２つの利点が考えられる。１つは、外部から隔離されていることにより、処理空間内の雰囲気が外部に出るのを防ぐことができ、かつ、外部の雰囲気が処理空間内に入るのを防ぐことができるという利点である。もう１つは、処理空間が閉空間となっていることにより、処理が実施される空間の容積を小さくすることができ、これによって、処理の効率を上げることができるという利点である。例えば、処理の際に処理空間内の清浄ガスへの置換効率を上げることができるという利点である。
As advantages obtained by forming the processing space as described above, the following two advantages are mainly conceivable. One is an advantage that the atmosphere in the processing space can be prevented from going outside by being isolated from the outside, and the outside atmosphere can be prevented from entering the processing space. . The other is that the processing space is a closed space, so that the volume of the space in which the processing is performed can be reduced, thereby increasing the processing efficiency. For example, there is an advantage that the efficiency of replacement with clean gas in the processing space can be increased during processing .
図９Ｃに示すように、バーノズル６６においては、各吐出口６６ａに対応して、硫酸通路６６ｂに１つの硫酸吐出路６６ｄが、過酸化水素水通路６６ｃに一つの過酸化水素水吐出路６６ｅがそれぞれ接続されている。また図９Ｃに示すように、硫酸吐出路６６ｄが終端する吐出口６６ａよりも手前の位置で、過酸化水素水吐出路６６ｅが硫酸吐出路６６ｄに合流している。従って、各吐出口６６ａから、硫酸と過酸化水素水とを混合することにより生成された直後のＳＰＭ液が吐出される。このように各吐出口６６ａの近傍において硫酸と過酸化水素水とを混合することにより、混合に起因する化学反応によって温度上昇した直後のＳＰＭ液を各吐出口６６ａから吐出することができる。
As shown in FIG. 9C, in the bar nozzle 66, one sulfuric acid discharge passage 66d is provided in the sulfuric acid passage 66b and one hydrogen peroxide discharge passage 66e is provided in the hydrogen peroxide passage 66c corresponding to each discharge port 66a. Each is connected. Further, as shown in FIG. 9C, the hydrogen peroxide solution discharge path 66e joins the sulfuric acid discharge path 66d at a position before the discharge port 66a where the sulfuric acid discharge path 66d ends. Accordingly, the SPM liquid immediately after being generated by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is discharged from each discharge port 66a. Thus, by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water in the vicinity of each discharge port 66a, the SPM liquid immediately after the temperature rise by the chemical reaction resulting from the mixing can be discharged from each discharge port 66a.
その後、基板保持部２１におけるリフトピンプレート２２および処理液供給管２８を図６に示す位置から上方に移動させ、また、シャッター９４を移動させて開口９４ａを形成する。次に、液処理装置１０の外部からウエハＷが搬送アーム１０４により開口９４ａを介してチャンバ２０内に搬送され、このウエハＷがリフトピンプレート２２のリフトピン２３上に載置される。この際、カップ外周筒５０は図６に示すようなカップ下降位置に位置している。また、各ノズル支持アーム８２はチャンバ２０から退避したノズル退避位置に位置している。すなわち、各ノズル支持アーム８２は待機室８０内で待機している。また、エアフード３１からクリーンエア等の清浄ガスが常にダウンフローで送られ、この清浄ガスが排気部４８により排気されることにより、チャンバ２０内の雰囲気の置換が行われる。
Thereafter, the lift pin plate 22 and the processing liquid supply pipe 28 in the substrate holder 21 are moved upward from the position shown in FIG. 6, and the shutter 94 is moved to form the opening 94a. Next, the wafer W is transferred from the outside of the liquid processing apparatus 10 into the chamber 20 through the opening 94 a by the transfer arm 104, and the wafer W is placed on the lift pins 23 of the lift pin plate 22. At this time, the cup outer cylinder 50 is located at the cup lowering position as shown in FIG. Further, each nozzle support arm 82 is located at a nozzle retracted position retracted from the chamber 20. That is, each nozzle support arm 82 stands by in the standby chamber 80. In addition, clean gas such as clean air is always sent from the air hood 31 in a downflow, and the clean gas is exhausted by the exhaust unit 48, whereby the atmosphere in the chamber 20 is replaced.
＜スピン乾燥処理＞
第２のＤＩＷリンス処理を所定時間実行した後、ノズル８２ａからのＤＩＷの吐出を停止する。次いで、引き続きウエハＷを回転させたまま（回転速度を増大させることが好ましい）、エアフード３１により、クリーンエア等の清浄ガスをダウンフローでウエハＷの上面に吹き付ける。これにより、ウエハＷの上面上に残留していたＤＩＷが遠心力により振り切られるとともに、清浄ガスにより乾燥が促進される。
<Spin drying process>
After the second DIW rinse process is executed for a predetermined time, the discharge of DIW from the nozzle 82a is stopped. Next, while the wafer W is continuously rotated (preferably the rotation speed is increased), a clean gas such as clean air is blown onto the upper surface of the wafer W by the air hood 31 in a down flow. Thus, DIW which remains on the upper surface of the wafer W with shaken off by centrifugal force, drying is accelerated by the clean gas.
また上記の実施形態によれば、上述の第２のＤＩＷリンス処理またはスピン乾燥処理の際、カップ外周筒５０の上部の開口がエアフード３１により封止される。このため、エアフード３１およびカップ外周筒５０の内側に、外部から隔離された処理空間が形成されている。この処理空間の容積は、チャンバ２０の容積よりも小さくなっている。このような処理空間において第２のＤＩＷリンス処理およびスピン乾燥処理を実施することにより、清浄ガスへの置換効率を向上させることができ、これによって、処理効率を高めることができる。このため、ウエハＷを汚染させることなく様々な処理を実施することが可能となる。またカップ外周筒５０とエアフード３１との間にはＯリング５０ｃが介在されている。このため、エアフード３１およびカップ外周筒５０により形成される処理空間をより強固に外部から隔離することができる。
Further, according to the above embodiment, the upper opening of the cup outer cylinder 50 is sealed by the air hood 31 during the second DIW rinsing process or the spin drying process. For this reason, a processing space isolated from the outside is formed inside the air hood 31 and the cup outer cylinder 50. The volume of this processing space is smaller than the volume of the chamber 20. By performing the second DIW rinsing and spin-drying process in such a processing space, it is possible to improve the displacement efficiency of the clean gas, which makes it possible to improve the processing efficiency. Therefore, various processes can be performed without contaminating the wafer W. An O-ring 50 c is interposed between the cup outer cylinder 50 and the air hood 31. For this reason, the processing space formed by the air hood 31 and the cup outer peripheral cylinder 50 can be more strongly isolated from the outside.
その後、洗浄ノズル３２ｂからの洗浄液３２ｆの吐出を停止させ、次に、図１４（ｃ）に示すように、洗浄用容器３２の乾燥手段３２ｄを用いて、天板６１の端部のうち待機室８０側の端部と反対側の端部の近傍にエア３２ｇを吹き付ける。次に、乾燥手段３２ｄを用いて天板６１に向けてエア３２ｇを吐出しながら、洗浄用容器３２を含む遮蔽機構３０を、待機室８０に向けて、すなわち上述の退避位置に向けて移動させる（図１４（ｃ）の矢印参照）。例えば、図１４（ｄ）に示すように、乾燥手段３２ｄからのエア３２ｇが、天板６１の端部のうち待機室８０側の端部の近傍に到達するようになるまで、洗浄用容器３２を含む遮蔽機構３０を退避位置に向けて移動させる。これによって、天板６１の下面に付着した洗浄液が全域にわたってエア３２ｇにより除去される。このようにして、洗浄液３２ｆにより洗浄された後の天板６１を乾燥させることができる。
Thereafter, the discharge of the cleaning liquid 32f from the cleaning nozzle 32b is stopped. Next, as shown in FIG. 14 (c), the standby chamber of the end of the top plate 61 is used by using the drying means 32d of the cleaning container 32. Air 32g is blown near the end on the opposite side to the end on the 80 side. Next, while discharging air 32g toward the top plate 61 using the drying means 32d, the shielding mechanism 30 including the cleaning container 32 is moved toward the standby chamber 80, that is, toward the above-described retracted position. (See arrow in FIG. 14 (c)). For example, as shown in FIG. 14 (d), the cleaning container 32 is maintained until the air 32 g from the drying means 32 d reaches the vicinity of the end on the standby chamber 80 side of the end of the top plate 61. Is moved toward the retracted position. Thereby, the cleaning liquid adhering to the lower surface of the top plate 61 is removed by the air 32g over the entire area. In this way, the top plate 61 after being cleaned with the cleaning liquid 32f can be dried.
＜ＤＨＦ洗浄処理＞
また、ＳＰＭ洗浄処理の前に、さらなる洗浄液、例えばフッ酸を純水で希釈した希フッ酸（ＤＨＦ液）を用いてウエハＷを洗浄するＤＨＦ洗浄処理が実施されてもよい。この場合、ＤＨＦ洗浄処理は、第２のＤＩＷリンス処理およびスピン乾燥処理の場合と同様に、カバー機構６０が上昇位置にあり、遮蔽機構３０が進出位置にあり、かつカップ外周筒５０がカップ上昇位置にある状態で実施される。すなわちＤＨＦ洗浄処理は、ウエハＷの周囲の空間がエアフード３１およびカップ外周筒５０によって強固に隔離されている状態で実施される。またＤＨＦ液は、待機室８０で待機している４つのノズル支持アーム８２のうちＤＨＦ液を供給するためのノズル８２ａからウエハＷに向けて吐出される。ＤＨＦ液の排液は、処理液回収用タンク４６ａ〜４６ｄのうちＤＨＦ液用のタンク４６ｂに貯留され排液される。
<DHF cleaning treatment>
Further, before the SPM cleaning process, a DHF cleaning process for cleaning the wafer W using a further cleaning liquid, for example, a diluted hydrofluoric acid (DHF liquid) obtained by diluting hydrofluoric acid with pure water may be performed. In this case, in the DHF cleaning process, as in the case of the second DIW rinse process and the spin drying process, the cover mechanism 60 is in the raised position, the shielding mechanism 30 is in the advanced position, and the cup outer cylinder 50 is raised in the cup. Implemented in position. That is, the DHF cleaning process is performed in a state where the space around the wafer W is firmly isolated by the air hood 31 and the cup outer peripheral cylinder 50. The DHF liquid is discharged toward the wafer W from the nozzle 82 a for supplying the DHF liquid among the four nozzle support arms 82 waiting in the standby chamber 80. Drainage DHF liquid is drained stored in the tank 46b for DHF solution of the treatment liquid recovery tank 46 a to 46 d.
＜ＳＣ−１洗浄処理＞
また、第２のＤＩＷリンス処理とスピン乾燥処理との間に、さらなる洗浄液、例えばアンモニアと過酸化水素と水の混合溶液（ＳＣ−１液）を用いてウエハＷを洗浄するＳＣ−１洗浄処理が実施されてもよい。この場合、ＳＣ−１洗浄処理は、第２のＤＩＷリンス処理およびスピン乾燥処理の場合と同様に、カバー機構６０が上昇位置にあり、遮蔽機構３０が進出位置にあり、かつカップ外周筒５０がカップ上昇位置にある状態で実施される。すなわちＳＣ−１洗浄処理は、ウエハＷの周囲の空間がエアフード３１およびカップ外周筒５０によって強固に隔離されている状態で実施される。またＳＣ−１液は、待機室８０で待機している４つのノズル支持アーム８２のうちＳＣ−１液を供給するためのノズル８２ａからウエハＷに向けて吐出される。ＳＣ−１液の排液は、処理液回収用タンク４６ａ〜４６ｄのうちＳＣ−１液用のタンク４６ｃに貯留される。
<SC-1 cleaning treatment>
Further, an SC-1 cleaning process for cleaning the wafer W using a further cleaning liquid, for example, a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water (SC-1 liquid) between the second DIW rinsing process and the spin drying process. May be implemented. In this case, in the SC-1 cleaning process, as in the case of the second DIW rinse process and the spin drying process, the cover mechanism 60 is in the raised position, the shielding mechanism 30 is in the advanced position, and the cup outer cylinder 50 is It is carried out with the cup in the raised position. That is, the SC-1 cleaning process is performed in a state where the space around the wafer W is firmly isolated by the air hood 31 and the cup outer peripheral cylinder 50. The SC-1 solution is discharged toward the wafer W from the nozzle 82a for supplying the SC-1 solution among the four nozzle support arms 82 waiting in the standby chamber 80. Drainage of SC-1 solution is stored in the SC-1 solution for the tank 46c of the processing liquid recovering tank 46 a to 46 d.
