JP2012255782A - パラサイト赤外線に対する統合化されたシールドを有する赤外線撮像デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本デバイスは、赤外線検出器(40)を有する支持体(62)と、検出器に面する少なくとも1つの光学デバイス(28)と、パラサイト赤外線に対するシールドとを備える。シールドは、互いに離間し、支持体から光学デバイスまで延び、ベントを有し、支持体と光学デバイスの間を横方向に貫通するパラサイト赤外線を顕著に減衰させる材料で作成された、少なくとも2つの連続するビード(c1,c2)を備える。これらベントを有する2つのビードは、バッフルを形成する。デバイスは、フリップチップ技術を用いて製造される。
【選択図】図6
Description
−赤外線撮像デバイスが真空化に置かれるとき、ベントは光学デバイスと赤外線検出器の間にある空気を排出するために使用されること、
−2つの連続するビードの間のスペースはこのスペースを通過することができるパラサイト赤外線用ガイド領域を形成し、パラサイト赤外線がビードの壁の間を導かれ、パラサイト赤外線の強度が壁の間を進むに従い低減化されること。
−接着剤を使用するニーズを回避し、赤外線検出器の支持体を光学デバイスの支持体に接合する;そして
−検出器支持体とコンポーネント支持体との間の均一な接合の信頼性の問題を除去する。これは、本発明が試行することなく気密シールを得られるからであり、特に赤外線検出器が位置付けられる領域に真空が形成されるからである。
−例えばセラミックで作成される、基板62
−基板62に支持されるリード回路38
−ハンダボール64によってリード回路にハイブリッド形成される赤外線検出器40
−各光学チャネルを光学的に分離する壁のセットP
−マイクロレンズ・マトリックス30を備える光学デバイス28
−正面及び横方向パラサイト赤外線に対するシールドデバイス
−光学デバイス28の第1の面に支持されたホールマスク32(光学デバイス28の第2の面は第1の面の反対側で赤外線検出器40に面する);
−横方向パラサイト赤外線の伝達を防止する材料の光学デバイス28の両サイドのデポジットd(一般に、光学デバイスは横方向パラサイト赤外線の伝達を防止可能な材料を光学デバイスの両側に備えることで十分である);及び
−示された実施例でリード回路38から光学デバイス28に延びる、2つの連続したハンダビードc1及びc2によって形成されるシールドアセンブリ、を備える。
−光学デバイス上に形成され、そして、ホールマスク32で、すなわち、開口部が、形成され、かつ正面パラサイト赤外線を阻止し、正面パラサイト赤外線に対して検出器を保護する材料で作成された層で、構成される上部シールド、
−横方向パラサイト赤外線の伝達を防止する光学デバイス28の両サイドのデポジットd、及び
−横方向パラサイト赤外線に対して、特に、ワイヤー70中の電流の通過からもたらされる放射エネルギー79にして、検出器を保護する2つのハンダビードc1及びc2によって形成される周囲シールド、
によって置き換えられていることがわかる。
−赤外線検出器からの最端部はホールマスクが設けられ、正面パラサイト赤外線を阻止する、M個の光学デバイス、及び
−横方向パラサイト赤外線を減衰するM個のシールドアセンブリ(但し、Mは1より大きな整数)
−本発明は大きな体積のパーツであるコールドスクリーンを有さない;
−本発明はクライオスタットの体積を低減することができることから、本発明は、例えばコンパクトな対象物しか収容することができない軽飛行機等の手段に統合するのに役立つ;そして、
−本発明は、冷却される体積の低減化のために、極低温運転温度、例えば77Kに到達するのに必要な時間の短縮化を可能にする。
Claims (14)
- 赤外線に敏感な領域を含む赤外線検出器(40)を有する支持体(62)と、
前記赤外線検出器に面して設置される少なくとも1つの光学デバイス(28,88,92)と、
パラサイト赤外線、すなわち、前記支持体と前記光学デバイスの間のスペースを前記光学デバイスを介して貫通することができる正面パラサイト赤外線、及び、前記スペースを横方向に貫通することができる横方向パラサイト赤外線に対するシールドデバイス(32,c1,c2,cN−1,cN,C1,C2,96,98,100,102,103,121,122)とを備える赤外線撮像デバイスであって、
前記シールドデバイスは、
互いに離間し、各々がベント(e1,e2,eN−1,eN)を備えて横方向パラサイト赤外線を顕著に減衰することができる材料で形成されるN個の連続するビード(c1,c2,cN−1,cN,C1,C2,98,100,102,103)を有する少なくとも1つのシールドアセンブリを備え、
前記N個のビードの各々が前記支持体から前記光学デバイスまで延び、
Nは少なくとも2に等しい整数であり、
階層1のビードが少なくとも前記赤外線検出器の感度領域を囲み、
階層iのビードが階層i−1のビードを囲み、
iが2〜Nの範囲で変化し、
対応するベントを備えるN個のビードが少なくとも1つのバッフルを形成することを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1記載の赤外線撮像デバイスであって、
各シールドアセンブリにおいて、階層i及びi+1個のビードそれぞれに対して、前記ベント(e1,e2,eN−1,eN)は互いに180°反対であり、
iは1〜N−1の範囲で変化することを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1又は2記載の赤外線撮像デバイスであって、
各ベント(e1,e2,eN−1,eN)のサイズは範囲[1μm;10μm]内にあることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
Nが少なくとも3に等しいことを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
各シールドアセンブリの連続するビード(c1,c2,cN−1,cN,98,100,102,103)の間隔は範囲[1μm;10μm]内にあることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
前記ビードはハンダビードであることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
前記光学デバイス(28)は対向する第1の面及び第2の面を備え、
前記第2の面は前記赤外線検出器(40)に面し、
前記シールドデバイスはまた、前記第1の面の上に形成され、正面パラサイト赤外線を減衰することができる材料で作成され、かつ、開口部を有する層(32)を備えることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
前記光学デバイスは、前記光学デバイスの両サイドに横方向パラサイト赤外線の伝達を阻止することができる材料(d)を備えることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
M個の光学デバイス(88,92)を備え、
前記シールドデバイスは、M個のシールドアセンブリを備え、
Mは少なくとも2に等しい整数であり、
各光学デバイスは対向する第1の面及び第2の面を備え、
階層1の光学デバイスの第2の面は前記赤外線検出器(40)に面し、
階層jの光学デバイスの第2の面は前記階層j−1の光学デバイスの第1の面に面し、
階層1のシールドアセンブリは前記支持体から階層1の光学デバイスまで延び、
階層jのシールドアセンブリは階層j−1の光学デバイスから階層jの光学デバイスまで延び、
jは2〜Mの範囲で変化し、
前記シールドデバイスはまた、階層Mの光学デバイスの正面に形成される層(96)を備え、
前記層(96)は正面パラサイト赤外線を減衰することができる材料で作成され、かつ、開口部を有することを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
前記支持体はまた、基板(62)と、前記基板(62)上のリード回路(38,82)とを備え、
前記赤外線検出器(40)は、ハンダボール(64)によって前記リード回路にハイブリッド形成され、
前記基板に最も近い光学デバイス(28)は、シールドアセンブリ(c1,c2)を介して、前記赤外線検出器、前記リード回路及び前記基板の中から選択されるエレメントの一つに接続されることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項10記載の赤外線撮像デバイスであって、
前記支持体はまた、前記基板(62)と前記リード回路(82)の間の相互接続ネットワーク(80)を備え、
前記基板に最も近い光学デバイス(28)は、シールドアセンブリ(c1,c2)を介して、前記赤外線検出器、前記リード回路、前記基板及び前記相互接続ネットワークの中から選択されるエレメントの一つに接続されることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスであって、
少なくとも1つの光学デバイスは基本検出チャネルを画定するマイクロレンズ・マトリックス(30)を備える赤外線撮像デバイスであり、
さらに、パラサイト赤外線を顕著に減衰することができる材料で作成され、前記マイクロレンズ・マトリックスと前記検出器との間に設置され、互いに基本チャネルを分離する壁(P)のセットを備えることを特徴とする赤外線撮像デバイス。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の赤外線撮像デバイスの製造方法であって、
前記赤外線検出器を備える前記支持体の上に前記シールドアセンブリを形成し、
前記赤外線検出器に面して前記光学デバイスを設置し、
前記シールドアセンブリに前記光学デバイスを固定することを特徴とする赤外線撮像デバイスの製造方法。 - 請求項13記載の赤外線撮像デバイスの製造方法であって、
フリップチップ技術を用いて前記支持体に前記赤外線検出器を組み立て、
ハンダビードを用いて前記シールドアセンブリを形成し、
フリップチップ技術を用いて前記ハンダビードに前記光学デバイスを固定することを特徴とする赤外線撮像デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1101767A FR2976436B1 (fr) | 2011-06-09 | 2011-06-09 | Dispositif d'imagerie infrarouge a blindage integre contre des rayonnements infrarouges parasites et procede de fabrication du dispositif. |
FR1101767 | 2011-06-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012255782A true JP2012255782A (ja) | 2012-12-27 |
JP5964145B2 JP5964145B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=46148775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012129964A Active JP5964145B2 (ja) | 2011-06-09 | 2012-06-07 | パラサイト赤外線に対する統合化されたシールドを有する赤外線撮像デバイス及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8941068B2 (ja) |
EP (1) | EP2533519B1 (ja) |
JP (1) | JP5964145B2 (ja) |
FR (1) | FR2976436B1 (ja) |
IL (1) | IL220058A0 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103685881B (zh) | 2012-09-19 | 2018-09-21 | Lg伊诺特有限公司 | 照相机模块 |
US9606016B2 (en) * | 2012-12-31 | 2017-03-28 | Flir Systems, Inc. | Devices and methods for determining vacuum pressure levels |
US10677656B2 (en) | 2012-12-31 | 2020-06-09 | Flir Systems, Inc. | Devices and methods for infrared reference pixels |
FR3090904B1 (fr) | 2018-12-19 | 2021-02-19 | Office National Detudes Rech Aerospatiales | Composant optique monolithique a plusieurs voies |
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FR2885702B1 (fr) | 2005-05-13 | 2007-06-22 | Thales Sa | Tete optique pour detecteur de depart de missiles ou autre equipement de veille |
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FR2903678B1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant encapsule equipe d'au moins un getter |
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WO2010010721A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
FR2936878B1 (fr) | 2008-10-07 | 2010-12-17 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Systeme d'imagerie grand infrarouge a chambre obscure integrant une lentille |
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FR2992518B1 (fr) | 2012-06-22 | 2014-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Agencement pour composant electronique a refroidir, enceinte comportant l'agencement, systeme a froid sous vide comportant l'enceinte, procede d'utilisation du systeme a froid sous vide |
-
2011
- 2011-06-09 FR FR1101767A patent/FR2976436B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-30 IL IL220058A patent/IL220058A0/en active IP Right Grant
- 2012-06-04 EP EP12170651.9A patent/EP2533519B1/fr active Active
- 2012-06-04 US US13/487,578 patent/US8941068B2/en active Active
- 2012-06-07 JP JP2012129964A patent/JP5964145B2/ja active Active
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JP2006194791A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Denso Corp | 赤外線センサ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120312993A1 (en) | 2012-12-13 |
JP5964145B2 (ja) | 2016-08-03 |
US8941068B2 (en) | 2015-01-27 |
FR2976436A1 (fr) | 2012-12-14 |
EP2533519B1 (fr) | 2014-03-19 |
EP2533519A1 (fr) | 2012-12-12 |
FR2976436B1 (fr) | 2013-07-05 |
IL220058A0 (en) | 2012-10-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160229 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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