JP2012253278A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ10を、支持部材5及び/又は他の半導体チップ10に、ダイボンディングフィルム2を介して熱圧着する工程と、ダイボンディングフィルム2を0.2〜0.5MPaの加圧雰囲気70下で加熱し、ダイボンディングフィルムの硬化を進行させる工程と、半導体チップ10を封止樹脂により封止する工程と、をこの順に備え、半導体チップを熱圧着する工程においてダイボンディングフィルム2が到達する温度におけるダイボンディングフィルム2の溶融粘度が20000〜100000Pa・sであり、100〜120℃におけるダイボンディングフィルム2のずり粘度が5000Pa・s以下である、半導体装置の製造方法。
【選択図】図4
Description
(1)任意のサイズに切り出したダイボンディングフィルムを、配線付基材又は半導体チップに貼り付け、貼り付けられたダイボンディングを介して半導体チップを支持部材等に熱圧着する。
(2)ダイボンディングフィルムを半導体ウエハ裏面全体に貼り付け、次いでダイボンディングフィルムの裏面にダイシング基材を貼り付けた後、半導体ウエハをダイボンディングフィルムとともに回転刃によって個片化する。得られたダイボンディングフィルム付き半導体チップを、ダイシング基材から剥離してピックアップし、ピックアップされた半導体チップを、ダイボンディングフィルムを介して配線付き支持部材又は半導体チップに熱圧着する。
Z0(m):加圧前のダイボンディングフィルムの厚さ
Z(m):加圧後のダイボンディングフィルムの厚さ
V(m3):ダイボンディングフィルムの体積
F(Pa):加えた荷重の大きさ
t(秒):荷重を加えた時間
<ダイボンディングフィルムの作製>
1.熱可塑性成分
温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、4,4’-オキシジフタル酸二無水物(マナック社製、ODPA−M)7.6g(0.7mol)、デカメチレンビストリメリテート二無水物(黒金化成社製)6.5g(0.3mol)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(東レダウコーニングシリコーン社製、BY16−871EG)5g(0.5mol)及びN−メチル−2−ピロリドン30gを仕込んで反応液を調製した。反応液を攪拌し、窒素ガスを吹き込みながら180℃で加熱することにより、水と共に50%のN−メチル−2−ピロリドンを共沸除去し、「ベース樹脂A」としてのポリイミド樹脂を得た。得られたポリイミド樹脂のGPCを測定したところ、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が52800であった。得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度(Tg)は、72℃であった。
温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、デカメチレンビストリメリテート二無水物(黒金化成社製)386g(1.0mol)、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン(和歌山精化製、BAPP)153g(0.5mol)、4,9−ジオキサデカン−1,12−ジアミン(BASF製、B−12)76.5g(0.5mol)及びN−メチル−2−ピロリドン500gを仕込んで反応液を調製した。反応液を攪拌し、窒素ガスを吹き込みながら180℃で加熱することにより、水と共に50%のN−メチル−2−ピロリドンを共沸除去し、「ベース樹脂B」としてのポリイミド樹脂を得た。得られたポリイミド樹脂のGPCを測定したところ、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が53800であった。得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度(Tg)は、38℃であった。
温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、4,4’-(4,4’-イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)(黒金化成社製)105g(1.0mol)、ポリオキシプロピレンジアミン(三井化学ファイン社製、D2000)111g(0.7mol)、1,12−ジアミノドデカン(DDO)東京化成30g(0.3mol)及びN−メチル−2−ピロリドン300gを仕込んで反応液を調製した。反応液を攪拌し、窒素ガスを吹き込みながら180℃で加熱することにより、水と共に50%のN−メチル−2−ピロリドンを共沸除去し、「ベース樹脂B」としてのポリイミド樹脂を得た。得られたポリイミド樹脂のGPCを測定したところ、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が48100であった。得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度(Tg)は、20℃であった。
エポキシ樹脂
VG−3010:三井化学、下記構造を有する多官能エポキシ樹脂
TPPK:東京化成、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
BANI−X:丸善石油化学、下記構造を有するキシリレン型ビスアリルナジイミド
R−712:日本化薬、エトキシ化ビスフェノールFジアクリレート
硬化剤
カヤハードNHN:日本化薬、フェノール樹脂(クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物)
ビスマレイミド
BMI−80:ケイ・アイ化成、2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン
H26:CIKナノテック、酸化ケイ素(平均粒径5μm)
H27:CIKナノテック、酸化ケイ素(平均粒径0.5μm)
HPP1:水島合金鉄、窒化ホウ素(平均粒径3μm)(比較例3)
タック力
未硬化のダイボンディングフィルムの40℃におけるタック力を、株式会社レスカ製のタッキング試験器を用いて測定した。測定条件は、フィルム厚:20μm、押し込み速度:2mm/秒、引き上げ速度:10mm/秒、停止加重:100gf/cm2、停止時間:1秒に設定した。40℃のステージに、ダイボンディングフィルムのサンプルの測定面を上にして固定し、40℃のプローブ(直径5.1mm(φ)のSUS304)に対するタック強度を測定した。ダイシングテープに貼り付ける側の面を測定面とした。未硬化のダイボンディングフィルムとは、Bステージ状態のフィルムを示す。
厚さ100μmの未硬化のダイボンディングフィルムから、打ち抜き型を用いて直径6mmのサンプルを切り出した。サンプルの両面に厚さ150μmのスライドガラスを貼り付けて試験サンプルを作製した。この試験サンプルをCOBボンダ(日立化成工業株式会社製、AC−SC−400B)を用いて、フィルム温度70〜100℃、1MPa/3秒の条件で圧着した。加圧前後のサンプルをスキャナで取り込み、画像解析ソフトで面積を計算し、圧着前後のフィルム厚みを算出した。算出された値から、上述の計算式に従って、ダイボンディングフィルムの溶融粘度(η)を求めた。すなわち、比較例1〜3、実施例2についてはフィルム温度が80℃であるときの溶融粘度、比較例4についてはフィルム温度が65℃であるときの溶融粘度、比較例5、実施例1、4についてはフィルム温度が70℃であるときの溶融粘度、実施例3についてはフィルム温度が55℃であるときの溶融粘度を求めた。
複数のダイボンディングフィルムを、ローラーを用いて重ね合わせて、総厚300±50μmの多層フィルムを作製した。得られた多層フィルムから打ち抜いた13±1mm角の試験片を用いて、ずり粘度の測定を行った。モジュラーコンパクトレオメーターPhysica MCR301(Anton Paar社製)を用いて、多層フィルムの試験片を平行円板(直径12mm)に挟み、周波数1Hz、昇温速度5℃/分及び測定温度30〜200℃の条件で粘弾性測定を行い、100〜120℃における複素粘度の値(Pa・s)を、硬化温度におけるずり粘度とした。
ピックアップ性
Bステージ状態のダイボンディングフィルムから打ち抜いた直径210mmのフィルムを、厚さ80μmのダイシングテープ(電気化学工業株式会社製、商品名T−80MW)に、ダイアタッチフィルムマウンター(株式会社ジェーシーエム製、商品名DM−300−H)を用いて室温(25℃)で貼り合わせた。塗工時の開放面(ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側)とダイシングテープとが貼り合わされた、ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得た。
ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に対して、50μm厚の半導体ウエハを熱板上でラミネートし、半導体ウエハとダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品とから構成されるダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は60〜120℃に設定した。
「ピックアップ性」の評価において作製したダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品に、50μm厚の半導体ウエハを熱板上でラミネートして、半導体ウエハとダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品から構成されるダイシングサンプルを作製した。ラミネート時の熱板表面温度は60〜120℃に設定した。得られたダイシングサンプルを、株式会社ディスコ社製、商品名フルオートマチックダイシングソーDFD−6361を用いて切断した。ダイシングサンプルの切断は、ブレード1枚で加工を完了するシングルカット方式で、株式会社ディスコ社製、商品名ダイシングブレードNBC−ZH104F−SE 27HDBBを用い、ブレード回転数45000min−1、切断速度50mm/秒の条件で行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを20μm切り込む設定(60μm)とした。半導体ウエハのサイズが7.5×7.5mmとなるようにダイシングサンプルを切断して、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを得た。
「配線段差の埋込性」の評価において作製した、支持部材及びこれに搭載された半導体チップから構成される積層体上に、日立化成工業株式会社製の封止材(商品名CEL−9750ZHF)を成型し、175℃で5時間の硬化処理を行い、半導体パッケージを得た。
比較例1及び3のダイボンディングフィルムの圧着温度における溶融粘度は100000Pa・sを超えており、また、その100〜120℃におけるずり粘度が10000Pa・s以上と高く、圧着工程及び加圧加熱工程において配線段差が十分に埋め込まれなかった。そのため、吸湿後のリフロー処理時に未充填部位を起点とした剥離が生じて、良好な吸湿リフロー耐性が得られなかったと考えられる。
Claims (5)
- 半導体チップを、支持部材及び/又は他の半導体チップに、ダイボンディングフィルムを介して熱圧着する工程と、
前記ダイボンディングフィルムを0.2〜0.5MPaの加圧雰囲気下で加熱し、前記ダイボンディングフィルムの硬化を進行させる工程と、
前記半導体チップを封止樹脂により封止する工程と、
をこの順に備え、
前記半導体チップを熱圧着する工程において前記ダイボンディングフィルムが到達する温度における前記ダイボンディングフィルムの溶融粘度が20,000〜100,000Pa・sであり、
100〜120℃における前記ダイボンディングフィルムのずり粘度が5,000Pa・s以下である、半導体装置の製造方法。 - 0.2〜0.5MPaの加圧雰囲気下で加熱される前の前記ダイボンディングフィルムのガラス転移温度が10〜80℃である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記ダイボンディングフィルムが、20,000〜100,000の重量平均分子量を有するポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有する、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記ダイボンディングフィルムの厚みが5〜80μmであり、
0.2〜0.5MPaの加圧雰囲気下で加熱される前の前記ダイボンディングフィルムの40℃におけるタック力が1000mN以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法により得ることのできる、半導体装置。
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