JP2012248386A

JP2012248386A - Organic el device

Info

Publication number: JP2012248386A
Application number: JP2011118900A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Takei; 周一武井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2011-05-27
Filing date: 2011-05-27
Publication date: 2012-12-13

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To propose an organic EL device that has a pixel structure capable of enhancing an aperture ratio in a bottom emission method.SOLUTION: An organic EL device comprises a pixel region 10-2 that includes three sub-pixels 10R-2, 10G-2 and 10B-2 corresponding to three primary colors. At least one sub-pixel 10B-2 out of the three sub-pixels 10R-2, 10G-2 and 10B-2 comprises: a pixel electrode 24B-2 laminated and formed on a plurality of wires 40 for supplying a signal or a current for driving the organic EL device through an insulating film; and a light-emitting layer formed at the pixel electrode 24B-2 by means of a vapor-deposition method.

Description

本発明はフルカラー表示用の有機ＥＬ装置に関する。 The present invention relates to an organic EL device for full color display.

有機ＥＬ素子は、電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に介在する発光層を備えており、順バイアス電流の供給を受けて陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが再結合する際の再結合エネルギーにより自発光する。有機発光層の形成材料としては、正孔及び電子を注入することが可能であり、且つ、注入した正孔と電子が内部を移動し再結合して、最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギーレベル差に応じた発光を行うこと可能であれば、低分子材料及び高分子材料の何れも用いることができる。ここで、低分子とは、構造中に重合による繰り返し部分を有さない分子であることを意味し、高分子とは、繰り返し分子構造を有する重合体のことを意味する。低分子材料は剛直な骨格を有する分子が多く、有機溶媒に対する溶解性が低いものが多いため、低分子の有機発光層の形成には、蒸着法のような気相法が好適に用いられる。一方、高分子材料は、有機溶媒に対する溶解性が比較的高いものが多いため、高分子の有機発光層の形成には、液滴吐出法等の液相法が好適に用いられる。液滴吐出法では、発光層の構成材料を溶媒に分散又は溶解させた液滴を各画素に塗布し、これを乾燥させることで発光層を形成できる。例えば、特許文献１には、赤副画素、緑副画素、及び青副画素のそれぞれを液滴吐出法で塗り分けて形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、赤副画素及び緑副画素を液滴吐出法で塗り分けて形成し、青副画素を蒸着法で形成する方法が開示されている。 Organic EL elements are current-driven self-luminous elements, which eliminates the need for a backlight and offers the advantages of low power consumption, high viewing angle, and high contrast ratio, and are expected in the development of flat panel displays. Has been. The organic EL element includes a light emitting layer interposed between an anode and a cathode, and when a forward bias current is supplied, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined. Self-emission occurs due to recombination energy. As a material for forming the organic light emitting layer, it is possible to inject holes and electrons, and the injected holes and electrons move inside and recombine to form the highest occupied orbital and the lowest unoccupied orbital. Any of low molecular weight materials and high molecular weight materials can be used as long as light emission corresponding to the energy level difference can be performed. Here, a low molecule means a molecule that does not have a repeating part due to polymerization in the structure, and a polymer means a polymer that has a repeating molecular structure. Since many low molecular weight materials have a rigid skeleton and many have low solubility in an organic solvent, a vapor phase method such as a vapor deposition method is preferably used for forming a low molecular organic light emitting layer. On the other hand, since many polymer materials have relatively high solubility in an organic solvent, a liquid phase method such as a droplet discharge method is preferably used for forming a polymer organic light-emitting layer. In the droplet discharge method, a light-emitting layer can be formed by applying droplets obtained by dispersing or dissolving a constituent material of a light-emitting layer in a solvent to each pixel and drying it. For example, Patent Document 1 discloses a method in which each of a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel is separately formed by a droplet discharge method. Patent Document 2 discloses a method in which a red subpixel and a green subpixel are separately formed by a droplet discharge method and a blue subpixel is formed by an evaporation method.

特開２０００−２０８２５４号公報JP 2000-208254 A 特開平１０−１５３９６７号公報JP-A-10-153967

しかし、基板側から光を取り出すボトムエミッション方式では、有機ＥＬ素子を駆動するための回路素子や配線によって有機ＥＬ素子からの光が遮蔽されてしまうため、画素の位置及び形状は、回路素子や配線のレイアウトの制限を受けることになる。このため、開口率を高めるための画素構造の開発が望まれている。 However, in the bottom emission method in which light is extracted from the substrate side, light from the organic EL element is shielded by circuit elements and wiring for driving the organic EL element. Will be subject to layout restrictions. For this reason, development of a pixel structure for increasing the aperture ratio is desired.

そこで、本発明はボトムエミッション方式において開口率を高めることのできる画素構造を有する有機ＥＬ装置を提案することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to propose an organic EL device having a pixel structure capable of increasing the aperture ratio in the bottom emission method.

上記の課題を解決するため、本発明に係わる有機ＥＬ装置は、三原色に対応する三つの副画素を含む画素領域を備え、三つの副画素のうち少なくとも一つの副画素は、有機ＥＬ装置を駆動するための信号又は電流を供給する複数の配線に絶縁膜を介して積層形成された画素電極と、蒸着法により画素電極に形成される発光層とを備える。複数の配線に絶縁膜を介して積層形成された画素電極の表面は凹凸状の段差を有するが、蒸着法による膜形成が段差被覆性に優れている利点を活かし、液滴吐出法による均質な膜形成が困難とされる表面段差を有する画素電極に均質な発光層を形成できるため、画素電極の下層に形成されている複数の配線の隙間から発光層の光を取り出すことができ、開口率を高めることができる。 In order to solve the above problems, an organic EL device according to the present invention includes a pixel region including three subpixels corresponding to three primary colors, and at least one of the three subpixels drives the organic EL device. A pixel electrode formed by stacking a plurality of wirings for supplying a signal or a current through an insulating film, and a light emitting layer formed on the pixel electrode by an evaporation method. The surface of the pixel electrode, which is formed by laminating a plurality of wirings with an insulating film, has uneven steps, but it makes use of the advantage that the film formation by the vapor deposition method has excellent step coverage, making it homogeneous by the droplet discharge method. Since a uniform light-emitting layer can be formed on a pixel electrode having a surface step that is difficult to form a film, light from the light-emitting layer can be extracted from a gap between a plurality of wirings formed below the pixel electrode. Can be increased.

画素電極は、発光層からの光の進行方向から見て複数の配線と平面的に重なり合う位置に形成された絶縁膜を備えるのが好ましい。複数の配線は、発光層からの光を遮蔽してしまうため、光の進行方向から見て複数の配線と平面的に重なり合う位置に絶縁膜を形成することにより、発光に寄与しない消費電力を低減できる。 It is preferable that the pixel electrode includes an insulating film formed at a position where it overlaps with a plurality of wirings when viewed from the traveling direction of light from the light emitting layer. Multiple wiring blocks light from the light-emitting layer, so by forming an insulating film in a position that overlaps with multiple wirings when viewed from the light traveling direction, power consumption that does not contribute to light emission is reduced. it can.

画素電極は、複数の配線のうち何れか一つの配線にコンタクトホールを介して接続しており、発光層からの光の進行方向から見てコンタクトホールと平面的に重なり合う位置に形成された絶縁膜を備えるのが好ましい。コンタクトホールが形成されている位置では、発光層からの光が遮蔽されてしまうため、光の進行方向から見てコンタクトホールと平面的に重なり合う位置に絶縁膜を形成することにより、発光に寄与しない消費電力を低減できる。 The pixel electrode is connected to any one of the plurality of wirings through a contact hole, and is formed in a position overlapping the contact hole in a plan view when viewed from the light traveling direction from the light emitting layer Is preferably provided. At the position where the contact hole is formed, light from the light emitting layer is shielded. Therefore, by forming an insulating film in a position overlapping the contact hole in a plan view as viewed from the light traveling direction, it does not contribute to light emission. Power consumption can be reduced.

本実施形態に係わる有機ＥＬ装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the organic electroluminescent apparatus concerning this embodiment. 本実施形態に係わる画素構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the pixel structure concerning this embodiment. 図２の３−３線矢視断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG. 2. 本実施形態に係わる電子機器の説明図である。It is explanatory drawing of the electronic device concerning this embodiment.

以下、各図を参照しながら本発明に関わる実施形態について説明する。同一符号の部材は同一の部材を示すものとして重複する説明を省略する。また、本明細書において特に断りがない限り、上下方向は、図２乃至図３の±Ｚ方向を意味するものとする。 Embodiments relating to the present invention will be described below with reference to the drawings. The same reference numerals denote the same members, and duplicate explanations are omitted. Further, unless otherwise specified in the present specification, the vertical direction means the ± Z direction in FIGS. 2 to 3.

図１は本実施形態に係るフルカラー表示用の有機ＥＬ装置１１の回路構成図である。有機ＥＬ装置１１には走査線駆動回路１６に接続する複数の走査線１２と、信号線駆動回路１５に接続するとともに、各走査線１２に交差する方向に延在する複数の信号線１３と、各信号線１３に並行に延在する複数の電源線１４とがそれぞれ配線されている。走査線１２と信号線１３とが交差する箇所には、走査線１２からの走査信号がそのゲート端子に供給されるスイッチングトランジスタ２１と、スイッチングトランジスタ２１がオン状態のときにスイッチングトランジスタ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２の電位がそのゲート端子に供給される駆動トランジスタ２３と、駆動トランジスタ２３がオン状態のときに駆動トランジスタ２３を介して電源線１４に接続する有機ＥＬ素子２７が配置されている。有機ＥＬ素子２７は、画素電極（陽極）２４と共通電極（陰極）２５との間に発光層２６を備えている。なお、画素電極２４と発光層２６との間に正孔注入層／正孔輸送層を形成してもよく、共通電極２５と発光層２６との間に電子輸送層／電子注入層を形成してもよい。 FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an organic EL device 11 for full color display according to the present embodiment. The organic EL device 11 includes a plurality of scanning lines 12 connected to the scanning line driving circuit 16, a plurality of signal lines 13 connected to the signal line driving circuit 15 and extending in a direction intersecting with each scanning line 12, A plurality of power supply lines 14 extending in parallel with each signal line 13 are wired. At the intersection of the scanning line 12 and the signal line 13, the switching transistor 21 to which the scanning signal from the scanning line 12 is supplied to its gate terminal is connected via the switching transistor 21 when the switching transistor 21 is on. A storage capacitor 22 that holds a pixel signal supplied from the signal line 13, a drive transistor 23 to which the potential of the storage capacitor 22 is supplied to its gate terminal, and the drive transistor 23 via the drive transistor 23 when the drive transistor 23 is on. An organic EL element 27 connected to the power line 14 is disposed. The organic EL element 27 includes a light emitting layer 26 between a pixel electrode (anode) 24 and a common electrode (cathode) 25. Note that a hole injection layer / hole transport layer may be formed between the pixel electrode 24 and the light emitting layer 26, and an electron transport layer / electron injection layer is formed between the common electrode 25 and the light emitting layer 26. May be.

上述の回路構成により、走査線１２から走査信号がスイッチングトランジスタ２１のゲート端子に供給されてスイッチングトランジスタ２１がオン状態になると、信号線１３から保持容量２２に画素信号が供給される。駆動トランジスタ２３のオン／オフ状態は、保持容量２２の電位に応じて定まり、駆動トランジスタ２３がオン状態になると、電源線１４から駆動トランジスタ２３のチャネルを介して有機ＥＬ素子２７に駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子２７は、駆動電流に応じた輝度で発光する。 With the above circuit configuration, when the scanning signal is supplied from the scanning line 12 to the gate terminal of the switching transistor 21 and the switching transistor 21 is turned on, the pixel signal is supplied from the signal line 13 to the storage capacitor 22. The on / off state of the drive transistor 23 is determined according to the potential of the storage capacitor 22. When the drive transistor 23 is turned on, a drive current flows from the power supply line 14 to the organic EL element 27 through the channel of the drive transistor 23. . The organic EL element 27 emits light with a luminance corresponding to the drive current.

次に、図２乃至図３を参照しながら本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１の画素構造について説明する。図２は画素構造を示す模式図であり、図３は図２の３−３線矢視断面図である。但し、便宜上、図２では、発光層２６、共通電極２５、及び回路素子（スイッチングトランジスタ２１、保持容量２２、及び駆動トランジスタ２３）の図示を省略している。同様に、図３では、発光層２６、及び共通電極２５の図示を省略している。また、符号４０は、有機ＥＬ装置１１を駆動するための信号（走査信号又は画素信号）又は駆動電流を供給するための配線を示しており、具体的には、上述の走査線１２、信号線１３、及び電源線１４を総称するものである。 Next, the pixel structure of the organic EL device 11 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a schematic diagram showing a pixel structure, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG. However, for convenience, in FIG. 2, the light emitting layer 26, the common electrode 25, and circuit elements (the switching transistor 21, the storage capacitor 22, and the driving transistor 23) are not shown. Similarly, in FIG. 3, the light emitting layer 26 and the common electrode 25 are not shown. Reference numeral 40 denotes a wiring for supplying a signal (scanning signal or pixel signal) for driving the organic EL device 11 or a driving current. Specifically, the scanning line 12 and the signal line described above. 13 and the power line 14 are collectively referred to.

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、二種類の画素領域１０−１，１０−２を備える。画素領域１０−１は、三原色に対応する副画素として、赤副画素１０Ｒ−１、緑副画素１０Ｇ−１、及び青副画素１０Ｂ−１を備える。同様に、画素領域１０−２は、三原色に対応する副画素として、赤副画素１０Ｒ−２、緑副画素１０Ｇ−２、及び青副画素１０Ｂ−２を備える。また、符号２４Ｒ−１、２４Ｇ−１、２４Ｂ−１は、それぞれ、赤副画素１０Ｒ−１の画素電極、緑副画素１０Ｇ−１の画素電極、青副画素１０Ｂ−１の画素電極を示す。同様に、符号２４Ｒ−２、２４Ｇ−２、２４Ｂ−２は、それぞれ、赤副画素１０Ｒ−２の画素電極、緑副画素１０Ｇ−２の画素電極、青副画素１０Ｂ−２の画素電極を示す。画素電極２４Ｒ−１、２４Ｇ−１、２４Ｂ−１、２４Ｒ−２、２４Ｇ−２、２４Ｂ−２を特に区別する必要がないときは、単に、画素電極２４と称する。便宜上、同図では、画素領域１０−１，１０−２を各々一つ図示しているが、有機ＥＬ装置１１は、それぞれの画素領域１０−１，１０−２を複数備えている。 As shown in FIG. 2, the organic EL device 11 includes two types of pixel regions 10-1 and 10-2. The pixel region 10-1 includes a red subpixel 10R-1, a green subpixel 10G-1, and a blue subpixel 10B-1 as subpixels corresponding to the three primary colors. Similarly, the pixel region 10-2 includes a red subpixel 10R-2, a green subpixel 10G-2, and a blue subpixel 10B-2 as subpixels corresponding to the three primary colors. Reference numerals 24R-1, 24G-1, and 24B-1 denote a pixel electrode of the red subpixel 10R-1, a pixel electrode of the green subpixel 10G-1, and a pixel electrode of the blue subpixel 10B-1, respectively. Similarly, reference numerals 24R-2, 24G-2, and 24B-2 denote a pixel electrode of the red subpixel 10R-2, a pixel electrode of the green subpixel 10G-2, and a pixel electrode of the blue subpixel 10B-2, respectively. . The pixel electrodes 24R-1, 24G-1, 24B-1, 24R-2, 24G-2, and 24B-2 are simply referred to as pixel electrodes 24 when it is not necessary to distinguish them. For the sake of convenience, in the figure, one pixel region 10-1 and 10-2 are shown, but the organic EL device 11 includes a plurality of pixel regions 10-1 and 10-2.

赤色と緑色の有機発光材料は、液滴吐出法による均質な膜形成が可能であるため、赤副画素１０Ｒ−１、１０Ｒ−２のそれぞれの画素電極２４Ｒ−１，２４Ｒ−２には、赤色の有機発光材料を溶媒に分散又は溶解させた液滴（例えば、シアノポリフェニレンビニレン前駆体）が液滴吐出法により塗布され、緑副画素１０Ｇ−１、１０Ｇ−２のそれぞれの画素電極２４Ｇ−１，２４Ｇ−２には、緑色の有機発光材料を溶媒に分散又は溶解させた液滴（例えば、ポリフェニレンビニレン前駆体）が液滴吐出法により塗布され、これらの有機発光材料は、加熱処理が加えられることにより、それぞれ、赤色及び緑色を発光する発光層２６になる。一方、青色の有機発光材料は、蒸着法による均質な膜形成が可能であるため、青副画素１０Ｂ−１、１０Ｂ−２のそれぞれの画素電極２４Ｂ−１、２４Ｂ−２には、青色を発光する発光層２６として、青色有機発光材料（例えば、アルミニウムキノリノール錯体）が蒸着法により膜形成される。 Since the red and green organic light-emitting materials can form a uniform film by a droplet discharge method, the pixel electrodes 24R-1 and 24R-2 of the red sub-pixels 10R-1 and 10R-2 have red colors. Droplets (for example, cyanopolyphenylene vinylene precursor) in which organic light-emitting materials are dispersed or dissolved in a solvent are applied by a droplet discharge method, and the pixel electrodes 24G-1 of the green subpixels 10G-1 and 10G-2 are applied. , 24G-2 are coated with droplets (for example, polyphenylene vinylene precursor) in which a green organic light emitting material is dispersed or dissolved in a solvent by a droplet discharge method, and these organic light emitting materials are subjected to heat treatment. As a result, the light emitting layer 26 emits red and green light, respectively. On the other hand, since the blue organic light emitting material can form a uniform film by the vapor deposition method, the pixel electrodes 24B-1 and 24B-2 of the blue subpixels 10B-1 and 10B-2 emit blue light. As the light emitting layer 26, a blue organic light emitting material (for example, aluminum quinolinol complex) is formed by vapor deposition.

赤副画素１０Ｒ−１、１０Ｒ−２及び緑副画素１０Ｇ−１、１０Ｇ−２のそれぞれの発光層２６は、液滴吐出法により膜形成されるため、これらの画素電極２４Ｒ−１、２４Ｒ−２、２４Ｇ−１、２４Ｇ−２の表面は、有機材料の液滴が均等に濡れ拡がることができるように、平坦であることが要求される。一方、青副画素１０Ｂ−１、１０Ｂ−２の発光層２６は、段差被覆性に優れた蒸着法により膜形成されるため、その画素電極２４Ｂ−１、２４Ｂ−２の表面は必ずしも平坦である必要はなく、凹凸が存在していても構わない。このような事情に鑑み、配線４０及び回路素子（スイッチングトランジスタ２１、保持容量２２、及び駆動トランジスタ２３）は、平坦性が要求される赤副画素１０Ｒ−１、１０Ｒ−２又は緑副画素１０Ｇ−１、１０Ｇ−２の下層ではなく、平坦性が要求されない青副画素１０Ｂ−１、１０Ｂ−２の下層又は副画素間の下層に形成するのが好ましい。図２に示す例では、配線４０は、隣接する二つの赤副画素１０Ｒ−１、１０Ｒ−２の間の下層、隣接する二つの緑副画素１０Ｇ−１、１０Ｇ−２の間の下層、及び青副画素１０Ｂ−２の下層において、Ｘ方向に沿って形成されている。但し、複数の配線４０は、必ずしもＸ方向に沿って形成する必要はなく、Ｘ方向及びＹ方向の二方向に沿って形成してもよい。 Since the light emitting layers 26 of the red subpixels 10R-1, 10R-2 and the green subpixels 10G-1, 10G-2 are formed by a droplet discharge method, these pixel electrodes 24R-1, 24R- The surfaces of 2, 24G-1 and 24G-2 are required to be flat so that droplets of the organic material can be spread evenly. On the other hand, since the light emitting layer 26 of the blue subpixels 10B-1 and 10B-2 is formed by a vapor deposition method excellent in step coverage, the surfaces of the pixel electrodes 24B-1 and 24B-2 are not necessarily flat. There is no need, and unevenness may exist. In view of such circumstances, the wiring 40 and the circuit elements (the switching transistor 21, the storage capacitor 22, and the driving transistor 23) are red subpixels 10R-1, 10R-2 or green subpixels 10G- that require flatness. It is preferably formed in the lower layer of the blue subpixels 10B-1, 10B-2 or the lower layer between the subpixels where flatness is not required, not the lower layer of 1, 10G-2. In the example illustrated in FIG. 2, the wiring 40 includes a lower layer between two adjacent red subpixels 10R-1 and 10R-2, a lower layer between two adjacent green subpixels 10G-1 and 10G-2, and In the lower layer of the blue subpixel 10B-2, it is formed along the X direction. However, the plurality of wirings 40 are not necessarily formed along the X direction, and may be formed along two directions of the X direction and the Y direction.

なお、赤副画素１０Ｒ−１、１０Ｒ−２、及び緑副画素１０Ｇ−１、１０Ｇ−２のそれぞれの周囲には、液滴の着弾性を高めるための隔壁３０が形成されている。隔壁３０は、例えば、無機絶縁膜から成り、その表面が撥液性を示すようにフッ素プラズマ処理が施され、且つ、その内側面が親液性を示すように、酸素プラズマ処理が施されるのが好ましい。ここで、親液性とは、液滴との接触角が相対的に小さい性質を意味し、撥液性とは、液滴との接触角が相対的に大きい性質を意味する。 A partition wall 30 is formed around each of the red subpixels 10R-1 and 10R-2 and the green subpixels 10G-1 and 10G-2 to increase the landing elasticity of the droplets. The partition wall 30 is made of, for example, an inorganic insulating film, and is subjected to fluorine plasma treatment so that its surface exhibits liquid repellency, and is subjected to oxygen plasma treatment so that its inner surface exhibits lyophilicity. Is preferred. Here, the lyophilic property means a property having a relatively small contact angle with the droplet, and the liquid repellency means a property having a relatively large contact angle with the droplet.

図３に示すように、基板６０上には、駆動トランジスタ２３が形成されている。駆動トランジスタ２３は、ドレイン及びソースに不純物がドープされたシリコン層７１と、シリコン層７１のチャネル上にゲート絶縁膜７２を介して形成されたゲート電極７３と、シリコン層７１のドレイン及びソースにそれぞれ接続するドレイン電極７４及びソース電極７５とを備える。各配線４０は、下地絶縁膜６１及び層間絶縁膜６２を介して基板６０上に形成されている。画素電極２４Ｂ−１の下層に形成されている駆動トランジスタ２３のドレイン電極７４は、層間絶縁膜６３に開口するコンタクトホール８１を介して画素電極２４Ｂ−１に接続している。同様に、画素電極２４Ｂ−２の下層に形成されている駆動トランジスタ２３のドレイン電極７４は、層間絶縁膜６３に開口するコンタクトホール８２を介して画素電極２４Ｂ−２に接続している。これにより、画素電極２４Ｂ−１、２４Ｂ−２は、それぞれ、駆動トランジスタ２３を介して電源線１４に接続することができる。 As shown in FIG. 3, the drive transistor 23 is formed on the substrate 60. The drive transistor 23 includes a silicon layer 71 having a drain and a source doped with impurities, a gate electrode 73 formed on the channel of the silicon layer 71 via a gate insulating film 72, and a drain and a source of the silicon layer 71, respectively. A drain electrode 74 and a source electrode 75 to be connected are provided. Each wiring 40 is formed on the substrate 60 via the base insulating film 61 and the interlayer insulating film 62. The drain electrode 74 of the drive transistor 23 formed in the lower layer of the pixel electrode 24B-1 is connected to the pixel electrode 24B-1 through a contact hole 81 opened in the interlayer insulating film 63. Similarly, the drain electrode 74 of the drive transistor 23 formed below the pixel electrode 24B-2 is connected to the pixel electrode 24B-2 through a contact hole 82 opened in the interlayer insulating film 63. Accordingly, the pixel electrodes 24B-1 and 24B-2 can be connected to the power supply line 14 via the driving transistor 23, respectively.

有機ＥＬ装置１１は、基板側から光を取り出すボトムエミッション方式を採用しており、符号１００は発光層２６からの光の進行方向を示している。基板６０、下地絶縁膜６１、層間絶縁膜６２，６３、及び画素電極２４は、それぞれ、光透過性を有する材質から構成されている。画素電極２４Ｂ−２は、光の進行方向１００から見て複数の配線４０と平面的に重なり合う位置に形成された複数の絶縁膜５３を有する。これにより、発光層２６からの光を複数の配線４０の隙間から取り出すことが可能となり、開口率を高めることができる。複数の配線４０上に層間絶縁膜６３を介して画素電極２４Ｂ−２を積層形成すると、画素電極２４Ｂ−２の表面は、複数の配線４０の段差を反映して凹凸状に起伏するが、画素電極２４Ｂ−２上に形成される青色の発光層２６は、段差被覆性に優れた蒸着法により形成されるため、素電極２４Ｂ−２の表面が凹凸状に起伏しても差し支えない。また、画素電極２４Ｂ−２は、光の進行方向１００から見てコンタクトホール８２と平面的に重なり合う位置に形成された絶縁膜５２を有する。画素電極２４Ｂ−２が駆動トランジスタ２３に接続する箇所（言い換えれば、コンタクトホール８２が存在する箇所）は、発光層２６からの光が遮蔽される箇所であり、発光に寄与しない。そのような箇所に絶縁膜５２を形成することにより、発光に寄与しない消費電力を低減することができる。同様の理由により、画素電極２４Ｂ−１は、光の進行方向１００から見てコンタクトホール８１と平面的に重なり合う位置に形成された絶縁膜５１を有する。なお、駆動トランジスタ２３は、発光層２６からの光を遮蔽してしまうため、絶縁膜５１，５２は、光の進行方向１００から見て駆動トランジスタ２３と平面的に重なり合う位置にも形成するのが好ましい。 The organic EL device 11 employs a bottom emission method in which light is extracted from the substrate side, and reference numeral 100 indicates the traveling direction of light from the light emitting layer 26. The substrate 60, the base insulating film 61, the interlayer insulating films 62 and 63, and the pixel electrode 24 are each made of a light transmissive material. The pixel electrode 24 </ b> B- 2 has a plurality of insulating films 53 formed at positions that overlap the plurality of wirings 40 when viewed from the light traveling direction 100. As a result, light from the light emitting layer 26 can be extracted from the gaps between the plurality of wirings 40, and the aperture ratio can be increased. When the pixel electrode 24B-2 is laminated on the plurality of wirings 40 with the interlayer insulating film 63 interposed therebetween, the surface of the pixel electrode 24B-2 undulates to reflect the steps of the plurality of wirings 40. Since the blue light emitting layer 26 formed on the electrode 24B-2 is formed by a vapor deposition method having excellent step coverage, the surface of the elementary electrode 24B-2 may be undulated. The pixel electrode 24B-2 includes an insulating film 52 formed at a position overlapping the contact hole 82 in a plan view when viewed from the light traveling direction 100. A location where the pixel electrode 24B-2 is connected to the drive transistor 23 (in other words, a location where the contact hole 82 exists) is a location where light from the light emitting layer 26 is shielded and does not contribute to light emission. By forming the insulating film 52 in such a place, power consumption that does not contribute to light emission can be reduced. For the same reason, the pixel electrode 24 </ b> B- 1 has the insulating film 51 formed at a position overlapping the contact hole 81 in plan view when viewed from the light traveling direction 100. Since the driving transistor 23 shields light from the light emitting layer 26, the insulating films 51 and 52 are also formed at positions where the driving transistor 23 overlaps the driving transistor 23 when viewed from the light traveling direction 100. preferable.

本実施形態によれば、蒸着法による膜形成が段差被覆性に優れている利点を活かし、液滴吐出法による均質な膜形成が困難とされる表面段差を有する画素電極２４Ｂ−２に均質な発光層２６を形成できるため、画素電極２４Ｂ−２の下層に形成されている複数の配線４０の隙間から発光層２６の光を取り出すことができ、開口率を高めることができる。また、発光層２６からの光が遮蔽される箇所には、絶縁膜５１，５２，５３を設けることにより、発光に寄与しない消費電力を低減できる。他の代替例として、発光層２６からの光が遮蔽される箇所で画素電極２４Ｂ−２を部分的に（例えば島状に）刳り貫いてもよい。 According to the present embodiment, taking advantage of the advantage that the film formation by the vapor deposition method is excellent in the step coverage, the pixel electrode 24B-2 having the surface step which is difficult to form a uniform film by the droplet discharge method is homogeneous. Since the light emitting layer 26 can be formed, light of the light emitting layer 26 can be extracted from the gaps between the plurality of wirings 40 formed in the lower layer of the pixel electrode 24B-2, and the aperture ratio can be increased. In addition, by providing insulating films 51, 52, and 53 at locations where light from the light emitting layer 26 is shielded, power consumption that does not contribute to light emission can be reduced. As another alternative example, the pixel electrode 24B-2 may be partially penetrated (for example, in an island shape) where light from the light emitting layer 26 is shielded.

なお、上述の説明では、一方の画素電極２４Ｂ−２の下層に複数の配線４０が形成される例を示したが、他方の画素電極２４Ｂ−１の下層に複数の配線４０を形成してもよく、或いは両方の画素電極２４Ｂ−１，２４Ｂ−２の下層に複数の配線４０を形成してもよい。また、画素電極２４Ｂ−１，２４Ｂ−２の下層に複数の回路素子（スイッチングトランジスタ２１、保持容量２２、及び駆動トランジスタ２３）を配置し、その複数の回路素子の隙間から光を取り出してもよい。また、青色の発光層２６が形成される画素電極２４Ｂ−１、２４Ｂ−２の面積は、赤色の発光層２６が形成される画素電極２４Ｒ−１、２４Ｒ−２、又は緑色の発光層２６が形成される画素電極２４Ｇ−１、２４Ｇ−２の面積よりも大きい方が好ましい。青色の発光面積を広くすることで、赤色や緑色と比較して相対的に発光輝度を下げることができ、寿命の短い青色の発光層２６の寿命を延ばすことができる。 In the above description, an example in which a plurality of wirings 40 are formed in the lower layer of one pixel electrode 24B-2 is shown, but a plurality of wirings 40 may be formed in the lower layer of the other pixel electrode 24B-1. Alternatively, a plurality of wirings 40 may be formed below both the pixel electrodes 24B-1 and 24B-2. Further, a plurality of circuit elements (switching transistor 21, storage capacitor 22, and driving transistor 23) may be arranged under the pixel electrodes 24B-1 and 24B-2, and light may be extracted from the gaps between the plurality of circuit elements. . The area of the pixel electrodes 24B-1 and 24B-2 where the blue light emitting layer 26 is formed is equal to that of the pixel electrodes 24R-1 and 24R-2 where the red light emitting layer 26 is formed or the green light emitting layer 26. It is preferable that the area is larger than the area of the pixel electrodes 24G-1 and 24G-2 to be formed. By widening the blue light emitting area, the luminance of light emission can be relatively lowered compared to red and green, and the life of the blue light emitting layer 26 having a short life can be extended.

また、上述の説明では、三原色に対応する三つの副画素１０Ｒ−１、１０Ｇ−１、１０Ｂ−１のうち青副画素１０Ｂ−１の発光層２６を蒸着法で形成する場合を例示したが、赤副画素１０Ｒ−１又は緑副画素１０Ｇ−１の何れか一方の発光層２６を蒸着法で形成してもよい。同様に、赤副画素１０Ｒ−２又は緑副画素１０Ｇ−２の何れか一方の発光層２６を蒸着法で形成してもよい。液滴吐出法又は蒸着法の何れの方法によっても、赤発光層、緑発光層、及び青発光層を形成する方法は公知であるため、三原色に対応する三つの副画素のうち少なくとも一つの副画素を蒸着法で形成し、蒸着法で形成される副画素の下層に有機ＥＬ装置を駆動するための信号又は電流を供給する複数の配線や回路素子を配置し、それらの配線や回路素子の隙間から光を取り出せばよい。 In the above description, the case where the light emitting layer 26 of the blue subpixel 10B-1 among the three subpixels 10R-1, 10G-1, and 10B-1 corresponding to the three primary colors is formed by vapor deposition is illustrated. The light emitting layer 26 of either the red subpixel 10R-1 or the green subpixel 10G-1 may be formed by a vapor deposition method. Similarly, the light emitting layer 26 of either the red subpixel 10R-2 or the green subpixel 10G-2 may be formed by an evaporation method. Since a method of forming a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer is known by any of the droplet discharge method and the vapor deposition method, at least one subpixel of the three subpixels corresponding to the three primary colors is used. A pixel is formed by a vapor deposition method, and a plurality of wirings and circuit elements for supplying a signal or current for driving the organic EL device are arranged below the sub-pixel formed by the vapor deposition method. Light can be extracted from the gap.

次に、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１を表示部５００として有する電子機器の具体例を説明する。 Next, a specific example of an electronic apparatus having the organic EL device 11 according to this embodiment as the display unit 500 will be described.

図４（Ａ）に示すように、携帯電話５３０は、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、及び表示部５００を有する。 As shown in FIG. 4A, the cellular phone 530 includes an antenna portion 531, an audio output portion 532, an audio input portion 533, an operation portion 534, and a display portion 500.

図４（Ｂ）に示すように、ビデオカメラ５４０は、受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３、及び表示部５００を有する。 As shown in FIG. 4B, the video camera 540 includes an image receiving unit 541, an operation unit 542, an audio input unit 543, and a display unit 500.

図４（Ｃ）に示すように、テレビジョン５５０は、表示部５００を有する。 As illustrated in FIG. 4C, the television 550 includes a display portion 500.

図４（Ｄ）に示すように、ロールアップ式テレビジョン５６０は、表示部５００を有する。 As illustrated in FIG. 4D, the roll-up television 560 includes a display portion 500.

なお、本実施形態に係わる有機ＥＬ装置１１を表示部５００として有する電子機器としては、上述の他、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等がある。 In addition to the above, the electronic apparatus having the organic EL device 11 according to the present embodiment as the display unit 500 includes, for example, a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable TV, an electronic notebook, an electronic bulletin board, and an advertisement. There are advertising displays.

１０−１…画素領域１０−２…画素領域１０Ｒ−１…赤副画素１０Ｒ−２…赤副画素１０Ｇ−１…緑副画素１０Ｇ−２…緑副画素１０Ｂ−１…青副画素１０Ｂ−２…青副画素１１…有機ＥＬ装置１２…走査線１３…信号線１４…電源線１５…信号線駆動回路１６…走査線駆動回路２１…スイッチングトランジスタ２２…保持容量２３…駆動トランジスタ２４…画素電極２４Ｒ−１…画素電極２４Ｒ−２…画素電極２４Ｇ−１…画素電極２４Ｇ−２…画素電極２４Ｂ−１…画素電極２４Ｂ−２…画素電極２５…共通電極２６…発光層２７…有機ＥＬ素子３０…隔壁５１…絶縁膜５２…絶縁膜５３…絶縁膜６０…基板６１…下地絶縁膜６２…層間絶縁膜６３…層間絶縁膜７１…シリコン層７２…ゲート絶縁膜７３…ゲート電極７４…ドレイン電極７５…ソース電極８１…コンタクトホール８２…コンタクトホール５００…表示部５３０…携帯電話５３１…アンテナ部５３２…音声出力部５３３…音声入力部５３４…操作部５４０…ビデオカメラ５４１…受像部５４２…操作部５４３…音声入力部５５０…テレビジョン５６０…ロールアップ式テレビジョン 10-1 ... Pixel area 10-2 ... Pixel area 10R-1 ... Red subpixel 10R-2 ... Red subpixel 10G-1 ... Green subpixel 10G-2 ... Green subpixel 10B-1 ... Blue subpixel 10B-2 ... Blue subpixel 11 ... Organic EL device 12 ... Scanning line 13 ... Signal line 14 ... Power supply line 15 ... Signal line driving circuit 16 ... Scanning line driving circuit 21 ... Switching transistor 22 ... Retention capacitor 23 ... Drive transistor 24 ... Pixel electrode 24R -1 ... pixel electrode 24R-2 ... pixel electrode 24G-1 ... pixel electrode 24G-2 ... pixel electrode 24B-1 ... pixel electrode 24B-2 ... pixel electrode 25 ... common electrode 26 ... light emitting layer 27 ... organic EL element 30 ... Partition 51 ... Insulating film 52 ... Insulating film 53 ... Insulating film 60 ... Substrate 61 ... Underlying insulating film 62 ... Interlayer insulating film 63 ... Interlayer insulating film 71 ... Silicon layer 72 Gate insulating film 73 ... Gate electrode 74 ... Drain electrode 75 ... Source electrode 81 ... Contact hole 82 ... Contact hole 500 ... Display unit 530 ... Cell phone 531 ... Antenna unit 532 ... Audio output unit 533 ... Audio input unit 534 ... Operation unit 540 ... Video camera 541 ... Image receiving unit 542 ... Operation unit 543 ... Audio input unit 550 ... Television 560 ... Roll-up type television

Claims

An organic EL device including a pixel region including three subpixels corresponding to three primary colors,
At least one subpixel of the three subpixels includes a pixel electrode formed by laminating a plurality of wirings for supplying a signal or a current for driving the organic EL device with an insulating film interposed therebetween, and by vapor deposition. An organic EL device comprising a light emitting layer formed on a pixel electrode.

The organic EL device according to claim 1,
The organic EL device, wherein the pixel electrode includes an insulating film formed at a position overlapping the plurality of wirings in a plan view when viewed from a traveling direction of light from the light emitting layer.

The organic EL device according to claim 1 or 2,
The pixel electrode is connected to any one of the plurality of wirings through a contact hole, and is formed at a position overlapping the contact hole in plan view when viewed from the light traveling direction from the light emitting layer. An organic EL device comprising the insulating film formed.