JP2012247223A - 容量式湿度センサ - Google Patents
容量式湿度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012247223A JP2012247223A JP2011117195A JP2011117195A JP2012247223A JP 2012247223 A JP2012247223 A JP 2012247223A JP 2011117195 A JP2011117195 A JP 2011117195A JP 2011117195 A JP2011117195 A JP 2011117195A JP 2012247223 A JP2012247223 A JP 2012247223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- capacitive element
- electrodes
- sensitive film
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 189
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 64
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 6
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002982 water resistant material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
- G01N27/225—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity by using hygroscopic materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/048—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance for determining moisture content of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
【解決手段】検出容量素子31と参照容量素子32において、検出用電極33a,33bと参照用電極34a,34bは、基板20上の同一面20aに配置され、同じ構成材料により同じ幅及び厚さを有して形成される。検出用感湿膜35aと参照用感湿膜35bは、同じ構成材料により同じ厚さを有して形成される。各容量素子31,32の0%RHでの容量値C1に対する100%RHでの容量値C2の比C2/C1を、容量値の湿度変化に対する傾きとすると、参照容量素子32の電極間隔drは検出容量素子31の電極間隔dm及び比C2/C1の最大値を示す間隔よりも狭く、且つ、検出容量素子31のほうが参照容量素子32よりも比C2/C1が大きくなるように、電極間隔dm,drが設定される。
【選択図】図8
Description
共通の基板(20)に、周囲の湿度変化に応じて容量値が変化する検出容量素子(31)と、容量値の湿度変化に対する傾きが検出容量素子(31)と異なる参照容量素子(32)と、が形成された容量式湿度センサであって、
検出容量素子(31)は、基板(20)上の同一面(20a)において対向配置された一対の検出用電極(33a,33b)と、該検出用電極(33a,33b)を覆って設けられ、水分の吸着により比誘電率が変化する検出用感湿膜(35a)と、を有し、
参照容量素子(32)は、検出用電極(33a,33b)の配置面(20a)において対向配置された一対の参照用電極(34a,34b)と、該参照用電極(34a,34b)を覆って設けられ、水分の吸着により比誘電率が変化する参照用感湿膜(35b)と、を有している。
検出用電極(33a,33b)と参照用電極(34a,34b)は、同じ構成材料により同じ幅及び同じ厚さを有して形成されるとともに、
各容量素子(31,32)の相対湿度0%での容量値(C1)に対する相対湿度100%での容量値(C2)の比(C2/C1)を前記傾きとすると、
参照容量素子(32)の電極間隔(dr)は、検出容量素子(31)の電極間隔(dm)及び容量値の比C2/C1の最大値を示す間隔よりも狭く、且つ、容量値の比C2/C1は、検出容量素子(31)が参照容量素子(32)よりも大きい、との関係を満たして、電極間隔(dr,dm)が設定されていることを特徴とする。
(数1)
C2/C1=(ε2・ε0・Sm/dm)/(ε1・ε0・Sm/dm)=ε2/ε1
なお、ε0は真空の誘電率、ε1は検出容量素子(31)を構成する誘電体の相対湿度0%のときの比誘電率、ε2は同誘電体の相対湿度100%のときの比誘電率、Smは検出用電極(33a,33b)間の対向面積である。
(数2)
C2/C1=(ε4・ε0・Sr/dr)/(ε3・ε0・Sr/dr)=ε4/ε3
なお、ε3は参照容量素子(32)を構成する誘電体の相対湿度0%のときの比誘電率、ε4は同誘電体の相対湿度100%のときの比誘電率、Srは参照用電極(34a,34b)間の対向面積である。
検出用感湿膜(35a)及び参照用感湿膜(35b)は、保護膜(36)上に形成されると良い。
(数3)
C2/C1=(ε2・ε0・Sm/dm)/(ε1・ε0・Sm/dm)=ε2/ε1
なお、ε0は真空の誘電率、ε1は検出容量素子31を構成する誘電体の0%RHのときの比誘電率、ε2は同誘電体の100%RHのときの比誘電率、Smは検出用電極33a,33b間の対向面積である。
(数4)
C2/C1=(ε4・ε0・Sr/dr)/(ε3・ε0・Sr/dr)=ε4/ε3
なお、ε3は参照容量素子32を構成する誘電体の0%RHのときの比誘電率、ε4は同誘電体の100%RHのときの比誘電率、Srは参照用電極34a,34b間の対向面積である。
一方、参照容量素子32の電極間隔drを、フリンジ容量の影響が小さい間隔としている。これにより、参照容量素子32の傾きは、1.035程度となっている。
上記実施形態では、検出容量素子31の電極間隔dmを、容量値の比C2/C1(傾き)が最大を示す間隔とは異なる値とする例を示した。しかしながら、より好ましくは、電極間隔dmを、容量値の比C2/C1が最大を示す間隔(図8では8μm)とすると良い。これによれば、検出容量素子31の傾きが最大となるため、検出容量素子31と参照容量素子32の傾きの差をより大きくすることができる。すなわち、容量式湿度センサ10の感度をより高めることができる。
20・・・基板
20a・・・一面
31・・・検出容量素子
32・・・参照容量素子
33a,33b・・・検出用電極
34a,34b・・・参照用電極
35・・・感湿膜
35a・・・検出用感湿膜
35b・・・参照用感湿膜
36・・・保護膜
Claims (7)
- 共通の基板(20)に、周囲の湿度変化に応じて容量値が変化する検出容量素子(31)と、容量値の湿度変化に対する傾きが前記検出容量素子(31)と異なる参照容量素子(32)と、が形成された容量式湿度センサであって、
前記検出容量素子(31)は、前記基板(20)上の同一面(20a)において対向配置された一対の検出用電極(33a,33b)と、該検出用電極(33a,33b)を覆って設けられ、水分の吸着により比誘電率が変化する検出用感湿膜(35a)と、を有し、
前記参照容量素子(32)は、前記検出用電極(33a,33b)の配置面(20a)において対向配置された一対の参照用電極(34a,34b)と、該参照用電極(34a,34b)を覆って設けられ、水分の吸着により比誘電率が変化する参照用感湿膜(35b)と、を有し、
前記検出用感湿膜(35a)と前記参照用感湿膜(35b)は、同じ構成材料により同じ厚さを有して形成されており、
前記検出用電極(33a,33b)と前記参照用電極(34a,34b)は、同じ構成材料により同じ幅及び同じ厚さを有して形成されるとともに、
各容量素子(31,32)の相対湿度0%での容量値(C1)に対する相対湿度100%での容量値(C2)の比(C2/C1)を前記傾きとすると、
前記参照容量素子(32)の電極間隔(dr)は、前記検出容量素子(31)の電極間隔(dm)及び容量値の比C2/C1の最大値を示す間隔よりも狭く、且つ、容量値の比C2/C1は、前記検出容量素子(31)が前記参照容量素子(32)よりも大きい、との関係を満たして、前記電極間隔(dr,dm)が設定されていることを特徴とする容量式湿度センサ。 - 前記検出容量素子(31)の電極間隔(dm)は、容量値の比C2/C1の最大値を示す間隔以下とされていることを特徴とする請求項1に記載の容量式湿度センサ。
- 前記検出容量素子(31)の電極間隔(dm)は、容量値の比C2/C1の最大値を示す間隔とされていることを特徴とする請求項2に記載の容量式湿度センサ。
- 水分による腐食から各電極(33a,33b,34a,34b)を保護するための保護膜(36)が、各電極(33a,33b,34a,34b)を覆って配置され、
前記検出用感湿膜(35a)及び前記参照用感湿膜(35b)は、前記保護膜(36)上に形成されていることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の容量式湿度センサ。 - 前記参照容量素子(32)の電極間隔(dr)及び前記検出容量素子(31)の電極間隔(dm)は、前記保護膜(36)の厚さと前記電極(33a,33b,34a,34b)の厚さとの和以上に設定されていることを特徴とする請求項4に記載の容量式湿度センサ。
- 前記検出用電極(33a,33b)及び前記参照用電極(34a,34b)は、それぞれ櫛歯形状をなしていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の容量式湿度センサ。
- 前記検出用感湿膜(35a)と前記参照用感湿膜(35b)は、1つの感湿膜(35)として一体的に形成されていることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項に記載の容量式湿度センサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011117195A JP5516505B2 (ja) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 容量式湿度センサ及びその製造方法 |
US14/116,149 US9513245B2 (en) | 2011-05-25 | 2012-05-22 | Capacitive humidity sensor |
DE112012002228.9T DE112012002228T5 (de) | 2011-05-25 | 2012-05-22 | Kapazitiver Luftfeuchtigkeitssensor |
PCT/JP2012/003329 WO2012160806A1 (ja) | 2011-05-25 | 2012-05-22 | 容量式湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011117195A JP5516505B2 (ja) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 容量式湿度センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012247223A true JP2012247223A (ja) | 2012-12-13 |
JP5516505B2 JP5516505B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=47216898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011117195A Active JP5516505B2 (ja) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 容量式湿度センサ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9513245B2 (ja) |
JP (1) | JP5516505B2 (ja) |
DE (1) | DE112012002228T5 (ja) |
WO (1) | WO2012160806A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016132590A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | シャープ株式会社 | 容量感知型湿度センサ |
JP2017525959A (ja) * | 2014-08-20 | 2017-09-07 | アムス インターナショナル エージー | 容量式センサ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9234859B2 (en) * | 2013-03-28 | 2016-01-12 | Stmicroelectronics S.R.L. | Integrated device of a capacitive type for detecting humidity, in particular manufactured using a CMOS technology |
US9816954B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-11-14 | Stmicroelectronics S.R.L. | Sensor of volatile substances and process for manufacturing a sensor of volatile substances |
US9841393B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-12-12 | Stmicroelectronics S.R.L. | Sensor of volatile substances with integrated heater and process for manufacturing a sensor of volatile substances |
US10519891B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-12-31 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Control device for internal combustion engine |
JP6549256B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-07-24 | シャープ株式会社 | センサ装置 |
CN109690302B (zh) * | 2016-09-30 | 2022-07-19 | 美蓓亚三美株式会社 | 湿度传感器 |
EP3540422B1 (en) * | 2018-03-14 | 2024-01-03 | Sciosense B.V. | Monolithic gas sensor arrangement, manufacturing method and measurement method |
DE102018128550B4 (de) * | 2018-11-14 | 2022-03-17 | B-Horizon GmbH | Verfahren zum Überwachen eines Fahrers eines Fahrzeugs mittels eines Messsystems |
JP7193203B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-12-20 | ミネベアミツミ株式会社 | 検出装置 |
CN209326840U (zh) | 2018-12-27 | 2019-08-30 | 热敏碟公司 | 压力传感器及压力变送器 |
CN116203084B (zh) * | 2023-02-09 | 2024-01-23 | 广州海谷电子科技有限公司 | 一种基于开关电容测量实现湿敏电容传感器的方法及传感器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003156464A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
JP2003270189A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
JP2006133191A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Nippon Soken Inc | 静電容量式湿度センサ |
JP2007248065A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730015A (ja) | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
US5801307A (en) * | 1995-07-12 | 1998-09-01 | Netzer; Yishay | Differential windshield capacitive moisture sensors |
US6580600B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-06-17 | Nippon Soken, Inc. | Capacitance type humidity sensor and manufacturing method of the same |
JP3994975B2 (ja) | 2004-02-27 | 2007-10-24 | 株式会社デンソー | 容量式湿度センサ |
-
2011
- 2011-05-25 JP JP2011117195A patent/JP5516505B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-22 WO PCT/JP2012/003329 patent/WO2012160806A1/ja active Application Filing
- 2012-05-22 US US14/116,149 patent/US9513245B2/en active Active
- 2012-05-22 DE DE112012002228.9T patent/DE112012002228T5/de active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003156464A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
JP2003270189A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
JP2006133191A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Nippon Soken Inc | 静電容量式湿度センサ |
JP2007248065A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017525959A (ja) * | 2014-08-20 | 2017-09-07 | アムス インターナショナル エージー | 容量式センサ |
US10274450B2 (en) | 2014-08-20 | 2019-04-30 | Ams International Ag | Capacitive sensor |
WO2016132590A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | シャープ株式会社 | 容量感知型湿度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5516505B2 (ja) | 2014-06-11 |
DE112012002228T5 (de) | 2014-04-03 |
US9513245B2 (en) | 2016-12-06 |
WO2012160806A1 (ja) | 2012-11-29 |
US20140139241A1 (en) | 2014-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5516505B2 (ja) | 容量式湿度センサ及びその製造方法 | |
JP5488534B2 (ja) | 湿度センサ及びその製造方法 | |
US9239310B2 (en) | Capacitive sensor integrated onto semiconductor circuit | |
JP4341506B2 (ja) | 湿度センサおよび湿度検出機能を有する複合センサ | |
JP4770530B2 (ja) | 容量式湿度センサ | |
JP2003270189A (ja) | 容量式湿度センサ | |
US9958349B2 (en) | Pressure sensor | |
JP5470512B2 (ja) | 湿度検出センサ | |
US11435310B2 (en) | Humidity sensor | |
EP3206027B1 (en) | Sensor chip comprising electrostatic discharge protection element | |
JP2002243690A (ja) | 容量式湿度センサおよびその製造方法 | |
KR100951546B1 (ko) | 정전 용량형 습도센서 및 그 제조방법 | |
US20060055502A1 (en) | Humidity sensor | |
WO2011149331A1 (en) | Capacitive humidity sensor and method of fabricating thereof | |
JP2006084231A (ja) | 容量式湿度センサ及びその製造方法 | |
JP5849836B2 (ja) | 湿度センサ | |
JP2013140131A (ja) | 湿度センサ及びその製造方法 | |
JP2009002802A (ja) | 被水センサおよび結露センサ | |
JP2006226728A (ja) | 容量式湿度センサ | |
WO2016093343A1 (ja) | 容量式湿度センサ | |
JPS63173945A (ja) | 静電容量式湿度センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140317 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5516505 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |