JP2012235095A - 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法を提供する。
【解決手段】 リソグラフィ装置で使用する基板ホルダの製造方法であって、方法は、表面を有する本体と、表面から突出して基板を支持する端面を有する複数のバールとを提供することと、本体表面に隣接するキャリア表面を提供することと、本体表面上の少なくとも一部上に導電層を、キャリア表面の少なくとも一部上の一体部分を形成することとを含む。
【選択図】 図７

Description

[0001] 本発明は、基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 従来のリソグラフィ装置では、露光される基板を基板ホルダによって支持することもでき、支持ホルダは基板テーブルによって支持される。基板ホルダは往々にして、サイズ及び形状が基板に対応する平坦で剛性の円板である（しかし、異なるサイズ又は形状であってもよい）。基板ホルダは、バール又はピンプルと呼ばれる少なくとも一方側から突出するアレイ状の突起を有する。ある実施形態では、基板ホルダは対向する２つの側にアレイ状の突起を有する。この場合、基板ホルダを基板テーブル上に載置されると、基板ホルダの本体は基板テーブルから上方に僅かな距離を隔てて保持され、基板ホルダの一方側にあるバールの端部は基板ホルダの表面上にある。同様に、基板が基板ホルダの反対側にあるバールの上部に載置される場合は、基板は基板ホルダの本体から離隔される。その目的は、基板テーブル又は基板ホルダ上に存在するかもしれない粒子（例えばダスト粒子又は基板コーティングからの粒子のような汚染粒子）が基板ホルダ又は基板を歪めるのを防止する助けとするためである。バールの全表面は基板又は基板ホルダの全表面の僅かな部分にすぎないので、何らかの粒子がバール間にあっても、その存在は影響を及ぼさない可能性が高い。基板ホルダ及び基板は往々にして基板テーブルの凹部に収容され、したがって基板の上面は実質的に基板テーブルの上面と同一平面上にある。

[0005] 高スループットのリソグラフィ装置を使用する際に基板が経験する高い加速度により、基板が単に基板ホルダのバールに載置できるようにするだけでは不十分である。これは所定の位置にクランプされる。基板を所定の位置にクランプする方法が２つ知られている。真空クランプと静電クランプである。真空クランプでは、基板ホルダと基板の間、及び任意選択で基板テーブルと基板ホルダの間の空間は一部が排気され、したがって基板は、それより上にある気体又は液体の方が圧力が高いことによって所定の位置に保持される。しかし、基板又は基板ホルダ付近の環境及び／又はビーム経路が低圧又は非常に低圧に維持される場合、例えば極端紫外線（ＥＵＶ）放射リソグラフィの場合は、真空クランプを使用しないことがある。この場合は、基板（又は基板ホルダ）全体にそれをクランプするほど十分大きな圧力差を生成することが不可能な場合がある。したがって静電クランプを使用してもよい。静電クランプでは、基板又はその下面にメッキされた電極と、基板テーブル及び／又は基板ホルダに設けられた電極との間に電位差が確立される。２つの電極は大型コンデンサとして動作し、妥当な電位差で有意なクランプ力を生成することができる。静電式配置は、１対の電極が１つは基板テーブル上に、１つは基板上にあり、一緒になって基板テーブル、基板ホルダ及び基板のスタック全体をクランプするような構成とすることができる。ある構成では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板が別々に基板ホルダにクランプされるように、１つ又は複数の電極を基板ホルダ上に提供することができる。

[0006] 基板表面に対する温度制御は重要であり、液体（例えば水）の蒸発作用による温度変化に敏感な液浸システムでは特に重要である。これらの温度変化は基板内の熱応力につながり、それは最終的にオーバレイエラーをもたらすことがある。非常に正確な温度制御を達成するために、能動的加熱と組み合わせた温度のリアルタイム局所測定が望ましい。このような測定及び加熱システムがシステムに、すなわち基板ホルダ（ウェーハテーブル）及び／又は基板テーブル（ミラーブロック）に統合される。薄膜スタックを使用して、測定及び加熱の両方を実行でき、基板テーブルに統合する機会も提供することができる構造を作成することができる。

[0007] 例えば基板テーブル又は基板ホルダを設け、その上に電気接続で１つ又は複数の薄膜部品のような１つ又は複数の電子部品が上に形成することが望ましい。

[0008] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダの製造方法が提供され、該方法は、表面及び表面から突出する複数のバールを有し、基板を支持する端面を有する本体を提供することと、本体表面に隣接するキャリア表面を提供することと、本体表面の少なくとも一部上に導電層を、キャリア表面の少なくとも一部上に一体部分を形成することとを含む。

[0009] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置に使用する基板ホルダが提供され、該基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体と一体で、本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、導電層の一体部分は本体表面から延在する。

[0010] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、該リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダとを備え、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出して、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体と一体で、本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、導電層の一体部分は本体表面から延在する。

[0011] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供され、該方法は、基板ホルダ上で基板を保持しながら、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板に投影することを含み、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出して基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体と一体であり本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、導電層の一体部品は本体の表面から離れて延在している。

[0012] 一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダを製造する方法が提供され、該方法は、本体の表面から本体の表面とは反対側へと本体を通って延在する貫通孔に電気コネクタを位置決めすることと、電気コネクタと電気的に接触している導電層を含む少なくとも１つの層を表面に形成することとを含む。上記方法は、表面及び貫通孔を有する本体を提供することを含んでもよい。位置決めする前に提供することもできる。

[0013] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0014]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0015]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0015]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0016]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す。 [0017]液浸液体供給システムとして本発明のある実施形態で使用することができるバリア部材を断面図で示す。 [0018]本発明のある実施形態による基板テーブル及び基板ホルダを断面図で示す。 [0019]図６の基板ホルダの縁部の詳細を断面図で示す。 [0020]基板ホルダの製造方法を平面図で示す。 [0021]図８の基板ホルダ及び別の本体を断面図で示す。 [0022]図６の基板ホルダの一部の拡大図である。 [0023]本発明のある実施形態による基板ホルダを断面図で示す。 [0024]本発明のある実施形態による基板ホルダの一実施形態を断面図で示す。 [0024]本発明のある実施形態による基板ホルダの一実施形態を断面図で示す。 [0024]本発明のある実施形態による基板ホルダの一実施形態を断面図で示す。 [0025]薄膜スタックの導電層への電線の接続詳細の例を断面図で示す。 [0025]薄膜スタックの導電層への電線の接続詳細の例を断面図で示す。 [0026]基板テーブル上に薄膜及びコネクタを形成する様々なステップを断面図で示す。 [0027]電気コネクタを本体の貫通孔に固定できる方法を断面図で示す。

[0028] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0029]− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0030]− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0031]− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0032]− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0033] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0034] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法でパターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにしてもよい。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0035] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0036] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0037] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、その用語はより一般的な用語である「投影システム」と同義と見なすことができる。

[0038] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0039] リソグラフィ装置は、例えば２つ以上の基板テーブル、又は１つ又は複数の基板テーブルと１つ又は複数のセンサ又は測定テーブルとの組合せのような２つ以上のテーブル（あるいはステージあるいは支持体）を有するタイプでもよい。このような「マルチステージ」機械では、複数のテーブルを並行して使用してもよく、又は準備ステップを１つ又は複数のテーブル上で実行する一方で、１つ又は複数の別のテーブルを露光用に使用してもよい。リソグラフィ装置は、同様に基板、センサ、及び／又は測定テーブルと並行して使用してもよい２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ又は支持体）を有してもよい。

[0040] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0041] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、少なくともイルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に装着できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0042] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0043] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0044] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0045] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
[0046] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0047] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0048] 例えば液浸リソグラフィ装置のような多くのリソグラフィ装置では、結像するフィーチャの小型化及び／又は装置の有効ＮＡの増加を可能にするために、液体供給システムＩＨを使用して投影システムの最終要素間に流体、特に液体を提供する。このような液浸装置に関して本発明の実施形態を以下でさらに説明するが、非液浸装置でも本発明の実施形態は等しく実施することができる。投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴槽タイプ構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴槽タイプ構成では、実質的に基板の全体とオプションとして基板テーブルの一部が液体の浴槽内に浸漬される。局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板がその領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。

[0049] 図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれも非閉じ込めシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。

[0050] 局所液浸システムに対して提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、望ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。

[0051] 図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。基板Ｗの上の矢印は液体のフローの方向を示し、基板Ｗの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0052] 局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィの別の解決法が図４に示されている。液体が投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る孔が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。図４の断面図では、矢印は入口への、また出口からの液体のフローの方向を示す。

[0053] 提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め部材を提供する構成である。液体閉じ込め部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。そのような構成を図５に示す。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。液体閉じ込め部材と基板表面との間には封止が形成されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触シールであってもよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0054] 図５は、流体ハンドリング構造１２を有する局所液体供給システムを概略的に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下の説明で基板Ｗの表面に言及する場合、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）流体ハンドリング構造１２は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってもよい。ある実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間に封止が形成され、流体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールとすることができる。

[0055] 流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素の間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置決めされ、それを囲む流体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体入口１３によって投影システムの下方で、流体ハンドリング構造１２内の空間に入れる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体ハンドリング構造１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に正確に一致することができる内周を有し、例えば円形とすることができる。底部では、内周がイメージフィールドの形状に正確に一致し、例えば矩形とすることができるが、そうである必要はない。

[0056] ある実施形態では、液体が、使用中に流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態ではＮ_２又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール内の気体は、圧力下で入口１５を介して流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流１６があるように構成される。流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝であってもよい。環状溝は連続的であっても又は不連続的であってもよい。気体１６の流れは、液体を空間１１内に封じ込めるのに効果がある。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0057] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所区域構成である。他の構成も可能であり、それは例えば米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されるような単相抽出器又は２相抽出器を使用する流体ハンドリングシステムを含む。

[0058] 可能である別の構成は、気体抗力原理で作動するものである。いわゆる気体抗力原理は、例えば米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号及びＵＳ２００９−０２７９０６２号に記載されている。そのシステムには、抽出孔が、望ましくは角を有する形状で構成される。角はステップ又はスキャン方向に位置合わせすることができる。これは、２つの出口がスキャン方向に対して垂直に位置合わせされた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向での所与の速度について、流体ハンドリング構造の表面にある２つの開口間のメニスカスにかかる力を低減する。

[0059] ＵＳ２００８−０２１２０４６号には、主液体回収フィーチャの半径方向外側に位置決めされたガスナイフも開示されている。ガスナイフは、主液体回収フィーチャを通り過ぎた液体があればすべて捕捉する。このようなガスナイフは、（ＵＳ２００８−０２１２０４６号に開示されているような）いわゆる気体抗力原理の配置構成、（米国特許出願公開ＵＳ２００９−０２６２３１８号に開示されているような）単相又は２相抽出器の配置構成、又は任意の他の配置構成内にあることがある。

[0060] 多くの他のタイプの液体供給システムが可能である。本発明は、いかなる特定のタイプの液体供給システムにも、液浸リソグラフィにも限定されない。本発明は任意のリソグラフィに等しく適用することができる。ＥＵＶリソグラフィ装置では、ビーム経路が実質的に排気され、上記液浸配置構成は使用しない。

[0061] 図１に示す制御システム５００は、リソグラフィ装置の全体的作動を制御し、特に以下でさらに説明する最適化プロセスを実行する。制御システム５００は、適切にプログラムし、中央処理装置、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及び画面のような１つ又は複数の入出力デバイス、１つ又は複数のネットワーク接続、及びリソグラフィ装置の様々な部品との１つ又は複数のインターフェイスを備えた汎用コンピュータとして実現することができる。制御するコンピュータとリソグラフィ装置との間に１対１の関係は必要ないことが理解される。本発明のある実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、ネットワークで接続した複数のコンピュータを使用して、１つのリソグラフィ装置を制御することができる。制御システム５００は、リソグラフィ装置が一部となるリソセル又はクラスタ内で１つ又は複数の関連するプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成することもできる。制御システム５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は向上の全体的な制御システムに従属するように構成することもできる。

[0062] 図６は、本発明のある実施形態による本体１０を備える基板ホルダ１００を示す。これは基板テーブルＷＴの凹部内に保持され、基板Ｗを支持する。基板ホルダ１０の本体は実質的に平坦であり、形状及びサイズが基板Ｗに実質的に対応し、例えば円板である。少なくとも上側に、ある実施形態では両側に、基板ホルダは一般的にバールと呼ばれる突起１０６を有する。ある実施形態では、基板ホルダ１００は基板テーブルＷＴの一体部品であり、下面にバールがない。バールは図６（又は他の図）では同一の縮尺で図示されていない。実際的な実施形態では、例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ又は４５０ｍｍの直径の基板ホルダ全体に分布する数百又は数千個のバールがあってもよい。バールの先端は例えば１ｍｍ^２未満の小さい区域を有し、したがって基板ホルダ１００の片側にある全バールの総面積は、基板ホルダの総表面の総面積の約１０％未満である。この方法で、基板、基板ホルダ又は基板テーブルの表面上に存在し得る粒子はすべてバール間に落下し、したがって基板又は基板ホルダの変形につながらない可能性が非常に高い。バールの配置構成は規則的とするか、所望に応じて基板及び基板テーブルにかかる力を適切に分布させるために変更することができる。バールは平面図で任意の形状を有することができるが、通常は平面図では円形である。バールはその高さ全体で同じ形状及び寸法を有することができるが、通常はテーパ状である。バールは、基板ホルダ１００の本体１０の表面のうち残りの部分から約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約１５μｍから約２５０μｍの距離だけ突出することができる。基板ホルダ１００の本体１０の厚さは、約１ｍｍから約５０ｍｍの範囲、望ましくは約５ｍｍから２０ｍｍの範囲とすることができる。

[0063] 本発明のある実施形態では、基板ホルダ１００は非導電性の剛性材料で作成される。材料は高い熱伝導性又は低い熱膨張率を有することが望ましい。適切な材料はＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン処理炭化ケイ素）、Ｓｉ_３Ｎ_４（窒化ケイ素）、石英及び／又は様々な他のセラミック及びガラスセラミック、例えばZerodur（商標）ガラスセラミックを含む。基板ホルダ１００は、突出するバールを残すように関連する材料の中実円板から材料を選択的に除去することによって製造することができる。材料を除去するための適切な技術は、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、機械加工及び／又はレーザアブレーションを含む。これらの技術には、粗い表面を残すものがある。例えば数ミクロンの桁で粗さ値Ｒａを有する。これらの除去技術により達成可能な最小粗さは、材料特性及びバール製造プロセスから導出することができる。例えばＳｉＳｉＣのような２相材料の場合、達成可能な最小粗さは、２相材料の粒サイズによって決定される。基板ホルダ１００は、マスクを通してバールを成長させて製造することもできる。バールはベースと同じ材料であり、物理蒸着プロセス又はスパッタリングで成長させることができる。

[0064] 本体１０の表面１０７でバール１０６間に薄膜コンポーネントが存在してもよい。コンポーネントは厚さ約２ｎｍから約１００μｍの範囲の層を有することができ、スクリーン印刷、化学蒸着、物理蒸着（例えばスパッタリング）、浸漬コーティング、スピンコーティング及び／又はスプレーコーティングを含むプロセスで形成することができる。ある実施形態では、基板ホルダ上に形成されるコンポーネントは薄膜スタックを備える。すなわち、複数の薄膜層を含む。このようなコンポーネントについては以下でさらに説明する。

[0065] 基板テーブル上に形成される電子コンポーネントは、例えば電極、抵抗ヒータ及び／又はセンサ、例えば歪みセンサ、磁気センサ、圧力センサ、容量センサ又は温度センサを含むことができる。基板ホルダ又は基板内の望ましくない温度変化及び応力を低減するか、望ましい温度変化及び応力を誘発するように、ヒータ及びセンサを使用して、基板ホルダ及び／又は基板の温度を局所的に制御及び／又は監視することができる。基板の局所的な膨張又は収縮によるオーバレイエラーなどの結像エラーを減少又は解消することが望ましい。例えば液浸リソグラフィ装置では、基板上の残留液浸液（例えば水）が蒸発すると、局所的冷却を、したがって基板の収縮を引き起こす場合がある。逆に、露光中に投影ビームによって基板に送出されたエネルギーは、有意な加熱を、したがって基板の膨張を引き起こす場合がある。

[0066] ある実施形態では、形成されるコンポーネントは静電クランプ用電極である。静電クランプでは、基板又はその下面にメッキされた電極と、基板テーブル及び／又は基板ホルダ上に設けられた電極との間に電位差が確立される。２つの電極は、大型コンデンサとして動作し、妥当な電位差で有意なクランプ力を生成することができる。静電式配置は、１対の電極が１つは基板テーブル上に、１つは基板上にあり、一緒になって基板テーブル、基板ホルダ及び基板のスタック全体をクランプするような構成とすることができる。ある構成では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板が別々に基板ホルダにクランプされるように、１つ又は複数の電極を基板ホルダ上に提供することができる。

[0067] ある実施形態では、１つ又は複数の局所ヒータ１０１が制御装置１０３によって制御されて、所望の量の熱を基板ホルダ１００及び基板Ｗに提供して、基板Ｗの温度を制御する。１つ又は複数の温度センサ１０２が制御装置１０４に接続され、これが基板ホルダ１００及び／又は基板Ｗの温度を監視する。電圧源１０５が基板Ｗと基板ホルダ１００の間、及び基板ホルダ１００と基板テーブルＷＴの間に例えば１０から５，０００ボルトの桁の電位差を生成し、したがって静電力が基板Ｗと基板ホルダ１００と基板テーブルＷＴを相互にクランプする。ある実施形態では、基板Ｗの下面の電極と基板テーブルＷＴの凹部の底部にある電極との間に電位差が提供される。１つ又は複数のヒータ及び温度センサを使用して基板の温度を局所的に制御する構成が、米国特許出願公開ＵＳ２０１２−００１３８６５号に記載され、その文献は参照により全体を本明細書に組み込むものとする。それに記載される構成を変更して、本明細書で述べるような抵抗ヒータ及び温度センサを使用することができる。

[0068] 局所ヒータ１０１及び温度センサ１０２はそれぞれ、少なくとも導電層を備える。導電層は基板ホルダ１００の本体１０の上面１０７の少なくとも一部上にある。導電層の一体部分１２０は本体表面１０７から延在する。導電層の一体部分１２０は、ヒータ１０１及びセンサ１０２とその個々の制御装置１０３、１０４の間を電気接続する。導電層の一体部分１２０は基板ホルダ１００の本体１０間で１０３、１０４の少なくとも途中まで延在し、それによりヒータ及びセンサ１０１、１０２と制御装置１０３、１０４との間に（信号及び／又は電力のための）電気接続を提供する。

[0069] 図６の実施形態では、導電層の一体部分１２０が基板テーブルＷＴの凹部の側壁まで延在し、その中に基板ホルダ１００が位置決めされる。例えば、導電層の一体部分１２０の遠位端にあるプラグを、凹部の壁にあるソケットに差し込み、次に従来のケーブルが制御装置１０３、１０４への電気接続性を継続する。

[0070] 導電層は本体１０と一体である。以下で述べるように、導電層が本体１０の上面１０７に形成され、それにより本体１０と一体になる。導電層は表面１０７に直接載置されるか、例えば以降で述べるような平坦化層及び／又は分離層を介して表面に間接的に載置されてもよい。導電層（及び任意の別の層）は、以降で述べるように現場で本体１０上に形成される。導電層は、スクリーン印刷、スパッタリング、スプレー、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）又は任意の他の適切な技術により形成することができる。平坦化層及び／又は分離層も、これらの技術のいずれか、又は（これらのコーティングをパターン状に形成する必要がないので）スピンコーティングなどの他の技術により形成することができる。

[0071] 図７は図６の基板ホルダを断面図で示す。図で見られるように、薄膜スタック２００は各側に分離層１１４、１１５がある導電層１１７を備える。１つの実施形態では、導電層１１７及び／又は一方又は両方の分離層１１４、１１５は複数の層を備える。薄膜スタック２００は、本体の表面１０７上に形成された部分、及び本体の表面１０７から延在する一体部分１２０を有する。導電層１２０の一体部分は、本体表面１０７の面から屈曲することができる。そのために、ポリマーなどの高い歪力に耐えることができる材料が適切である。１つの実施形態では、スタック２００のヤング率は１０ＧＰａ以下であり、５ＧＰａ以下であることが望ましい。この方法で、ヒータ１０１とセンサ１０２と制御装置１０３、１０４の電気接続がさらに容易になる。基板ホルダ１００を基板テーブルＷＴに組み込むことが、一体導電層１２０がない構成よりも容易になる。

[0072] 図８は、基板ホルダ１００及びキャリア表面１５０の平面図であり、図７のスタック２００の製造方法を示す。導電層１１７は、キャリア表面１５０の少なくとも一部の上と同時に、本体表面１０７の少なくとも一部（１つの実施形態では本体の分離層）の上にも形成される。キャリア表面１５０は、本体を含む任意の基体で、又は図示のような別の基体１８０で形成することができる。ある実施形態では、キャリア表面１５０は本体１０の表面１０７と実質的に同一平面上にある。そのことは、図８の実施形態の断面図である図９に図示されている。

[0073] 導電層１１７が形成されたキャリア表面１５０は、剥離表面を備える。剥離表面上に形成され、スタック２００の底面を形成する任意の層は、剥離表面からリフトオフするか、又は除去することができる。ある実施形態では、剥離表面はコーティング１９０を備える。ある実施形態では、コーティングは少なくとも２つの層、例えば底部ガラス層及びその後の金属層を備える。その後に第３の層の付着しない層があってもよい。剥離層はキャリア表面１５０上にのみ存在する。この方法で、基板ホルダ１００の本体１０の表面１０７上に形成された導電層１１７（及び任意選択で分離層１１４、１１５）は、基板ホルダ１００と一体になる。キャリア表面１５０上に形成された導電層１１７（及び任意選択で分離層１１４、１１５）は、キャリア表面１５０からリフトオフすることができる。キャリア表面１５０からリフトオフされた導電層１１７の部分は、基板ホルダ１００の本体１０の表面１０７上にある導電層１１７の部分と一体のままである。

[0074] １つの実施形態では、キャリア表面１５０は比較的薄い（例えば１０〜１００μｍ）。１つの実施形態では、キャリア表面１５０はその上に形成された導電層１１７（及び任意の他の層）から分離しない。この実施形態では、キャリア表面１５０に使用される材料及びその厚さにより、導電層１１７及びキャリア表面１５０の可撓性は維持される。キャリア表面１５０は別個のプロセスで形成することができ、平面図で一体部分１２０の形状に合致する形状にすることができる。

[0075] スタック２００の層の厚さ及び材料の特性により、本体表面１０７から延在する導電層の一体部分１２０は、可撓性とすることができ、それにより例えば導電金属層１１７を電気回路に接続できる位置へと運ぶように操作可能にすることができる。

[0076] 図８に見られるように、導電層の一体部分１２０は本体１０からある距離だけ延在する。通常、その距離は本体から数十ミリメートルの桁、例えば少なくとも２０、３０、４０、５０又は６０ｍｍである。ある実施形態では、その距離は大きさが少なくとも本体１０の厚さに等しい。一体部分１２０の長さは、本体の厚さの等倍と１０倍の間であることが望ましい。これによって、図７に示すように一体部分１２０を本体１０の下側に屈曲することができる。図１２から図１４は、一体部分１２０の他の経路を示し、一体部分には対応する長さが必要である。

[0077] ある実施形態では、マスクを使用して導電層にパターンを形成する（例えばスパッタリング又はＣＶＤ又はスプレーによって付与されている場合）。パターンにより、導電層１１７の材料（例えば金属）が所望のコンポーネント（例えばヒータ１０１又はセンサ１０２）を形成するために適正な位置に確実に配置されるようにする。また、パターンは電気信号及び／又は電力をコンポーネント（例えばヒータ１０１、センサ１０２）と一体部分１２０の遠位端の間で提供する導電材料の線を含む。これらの線は電線と見なすことができ、これはバール１０６間のコンポーネントに以前に接続された個々の接続電線に取って代わる。このような電線の接続は、基板ホルダ１００の本体１０のコンポーネントと基板Ｗの底面との間の空間が限られていたので、以前は問題があった。そのギャップは５０から５００μｍの桁、例えば（使用時に基板ホルダ１００の表面１０７と基板Ｗの間に気体の流れが存在する（例えば液浸リソグラフィ装置の）場合）１５０μｍとなる場合がある。ギャップは、基板ホルダ１００の表面１０７と基板Ｗの間に流れがなく、低圧である（例えば結像中に基板Ｗと牙ホルダ１００の間の熱伝導性を高める水素の低圧（いわゆるバックフィルガス））場合に、１、１０又は３０μｍしかないことがある。

[0078] 一体部分１２０は、コンポーネントを基板ホルダ１００の縁部に電気的に接続する問題を解決するばかりでなく、次にこれらの電極を関連する制御装置に接続する問題も解決する（何故なら、基板ホルダ１００が、基板テーブルＷＴから着脱可能なコンポーネントだからである）。接続の数が減少するので、信頼性が向上する。接続部が１つしかないが、以前の電線構成では２つの接続部（電線の各端部）が設けられていた。一体部分１２０によって本体上の導電層１１７への電気接続を１つにすることができる。本体上の導電層に接続される（及びその（すなわち、電線の）各端部に少なくとも２つの電気接続部があることを意味する）中間接続部は不要である。ある実施形態では、制御装置１０３、１０４と薄膜スタックの間に接続部が１つしかない。接続部は基板ホルダ１００の上面から離れている。その結果、接続に使用可能な空間が大きくなり、基板ホルダ１００の上面での接続に関連する問題が軽減される。相互接続部の数を最小化するか低減すると、特に静電クランプの場合に故障の危険性が低減される（すなわち、高電圧時の信頼性が向上する）。相互接続部の数を低減することにより、ノイズの低減も予想される。これは、センサの所望の感度を達成できるようにスタックが感知に使用するコンポーネントを備える場合に、特に適切である。

[0079] 簡単なヒータ１０１及び温度センサ１０２は、導電層１１７の材料だけで構成することができる。しかし幾つかの実施形態では、電気的に絶縁する１つ又は複数の分離層１１４、１１５を提供する必要がある場合がある。ある実施形態では、一体部分１２０は少なくとも、導電層のいずれかの側に分離層１１４、１１５を有する。分離層１１４、１１５は、２０１１年３月１７日出願の米国特許出願ＵＳ６１／４５３，７１９号又は２０１１年３月１８日出願の米国特許出願ＵＳ６１／４４４，４８３号に記載されているようなものであってもよく、これはそれぞれ参照により全体を本明細書に組み込むものとする。代替的又は追加的に、ＵＳ６１／４４４，４８３号に記載されているような平坦化層を使用することができる。

[0080] スタック２００の任意の構造を使用することができる。幾つかの非制限的な実施形態を以下で、特に図１０及び図１１に関して説明する。図１０は、平坦化層１０８の使用を説明し、図１１は導電層１１７を備えるスタック２００の例示的構造を示す。平坦化層１０８は、基板ホルダ１００の主ブロック（本体１０）の表面１０７上のみにあってもよい。ある実施形態では、分離層１１４がキャリア表面上にのみ形成される。ある実施形態では、上部分離層１１５がキャリア表面上にのみ形成される。

[0081] 図１０は、図６の基板ホルダ１００の部分の拡大図であり、上面１０７及び幾つかのバール１０６を断面図で示す。本発明のある実施形態では、バール１０６間の少なくとも幾つかの区域で上面１０７に平坦化層１０８を設ける。ある実施形態では、平坦化層１０８は、電子コンポーネントを形成する場所にのみ、又は基板ホルダ１００の実質的に上面全体にわたって設けることができる。平坦化層１０８は上面１０７の粗さを充填して、表面１０７より実質的に平滑な上面を提供する。本発明のある実施形態では、平坦化層の表面の粗さＲａは１．５μｍ未満、望ましくは約１μｍ未満、又は望ましくは約０．５μｍ未満である。ある実施形態では、硬化後にバール間の平坦化層１０８を研磨することにより、０．２μｍ未満の粗さＲａが達成される。

[0082] ある実施形態では、平坦化層１０８は、コーティング材料又は前駆体材料の複数の、例えば２つの層を付与することによって形成される。ある実施形態では、平坦化層１０８は、コーティング材料又は前駆体材料の１つの層を付与することによって形成されてもよい。平坦化層の材料に応じて、形成されたコーティングの検査によって、これが複数のサブ層を形成することによって付与されたことを判定することを可能にすることができる。ある実施形態では、平坦化層１０８の複数のサブ層は同じ材料で形成される。ある実施形態では、平坦化層１０８の複数のサブ層は異なる材料で形成される。適切な材料について後述する。

[0083] ある実施形態では、平坦化層１０８は酸化ケイ素で、又は各Ｓｉ（ケイ素）原子に官能基が結合した窒化ケイ素系化合物で形成される。官能基は、水素、メチル、フッ素、ビニルなどからなる群から選択することができる。ある実施形態では、平坦化層１０８はＳｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ_ｘで形成される。ある実施形態では、平坦化層はＳｉＯ_ｘ、例えばＳｉＯ_２で形成される。ある実施形態では、平坦化層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）で形成される。ある実施形態では、平坦化層はポリイミドコーティング材料で形成される。このような材料を付与する方法は米国特許ＵＳ７，５２４，７３５号に記載され、その文献は参照により全体を本明細書に組み込むものとする。ある実施形態では、平坦化層はＳｉ（ＣＯ_３）_２Ｎ及びＳｉ（ＣＨ_３）_２Ｏのバックボーンからなるポリマー鎖で形成される。ある実施形態では、平坦化層はポリ（ｐ−キシリレン）ポリマーであるパリレン（ＲＴＭ）で形成される。

[0084] 平坦化層１０８は、約０．２μｍから約２００μｍ、望ましくは約２μｍから約３０μｍの範囲の厚さを有することができる。平坦化層は、基板ホルダの表面の粗さをほとんど又は大部分充填するのに十分な厚さがあることが望ましい。平坦化層が厚すぎる場合は、硬化中にひび割れる可能性が高くなる。以下で述べるように複数の別個のコーティングで平坦化層を付与すると、このようなひび割れの可能性を低下させ、最終的な層の表面粗さを小さくすることができる。

[0085] ある実施形態では、平坦化層１０８は、基板ホルダ１００をポリシラザン溶液でコーティングし、次にこれを硬化してケイ素系平坦化層を形成することによって付与される。ある実施形態では、ポリシラザン溶液はスプレー技術によって付与される。追加的又は代替的に、蒸着及びスピンコーティングなどの他の技術を使用することができる。２０１１年２月１８日出願で参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願ＵＳ６１／４４４，４８３号は、他の特性の詳細及び特に平坦化層１０８を形成する方法を、さらにスタック２００の様々な層の詳細を開示している。

[0086] 平坦化層は、金属又は他の層を確実に形成して、薄膜コンポーネントを形成するために十分に平滑である表面を提供する。特に、基板ホルダの形成に使用される幾つかの材料で必要なことがあるガラス接合ステップを不要にすることができる。

[0087] ポリシラザン溶液は、基板ホルダ１００の上面１０７の全体にスプレーして硬化し、連続層を形成することができる。この層は最初はバール１０６を、さらにその間の空間を覆う。第２のステップでは、平坦化層をバール１０６の上部から除去する。この除去ステップは、機械加工（ラッピング又は研磨）、レーザを使用した化学プロセス（エッチングなど）及び／又は化学機械的研磨（ＣＭＰ）などの既知の技術を使用して実行することができる。この方法は、迅速で２つのステップしかないという利点を有する。

[0088] ある実施形態では、基板ホルダ１００の上面１０７の全体にフォトレジストを付与する。次にフォトレジストがバール１０６を覆う箇所にのみ残るように、フォトレジストを選択的に露光し、フォトレジストがポジであるかネガであるかに応じて露光又は非露光フォトレジストを除去する。次に平坦化材料１０８を付与する。最後に、残っているフォトレジストを除去して、バール１０６間の空間にのみ平坦化材料１０８を残す。

[0089] 以上の方法の両方で、表面粗さを低下させるために平坦化層１０８を複数のコーティングステップで付与することができる。

[0090] 図１１に示すように、本発明の実施形態は、バール１０６間で基板ホルダ１００の（ＳｉＳｉＣ）表面上に薄膜スタック２００を形成する様々な層を以下の一般的順序で付着させることを含む。すなわち、１）平坦化層１０８、２）（必要に応じて）分離層１１４、３）金属線１１７（導電層）、及び４）上部分離層１１５（又は複数のスタックした導電及び分離層、例えばステップ３と４の繰り返し）である。本発明のある実施形態では、薄層スタックは、（上述したような）他の材料で形成した基板ホルダ、又は同様の材料で形成した基板テーブル上に形成することができる。

[0091] 平坦化層１０８は全体的に上述した通りであるが、他の層の形態及び層の形成方法を使用することができる。ある実施形態の平坦化層は、１０μｍを超える厚さを有する。ＳｉＳｉＣ基板テーブルは、バール間に粗い表面を有する（約４μｍの高いＲａ及びピークから谷部まで約４３μｍ）。このような粗さによって、薄い金属電極線（例えば２０から２００ｎｍの厚さ）にパターンを形成することができない。粗さを低減するために、適切な溶媒中に溶解したポリマーを粗いＳｉＳｉＣ表面にスプレーする。液体層が、バール間のＥＤＭで仕上げ加工した粗いＳｉＳｉＣに存在する谷部を充填する。液体を硬化して溶媒を蒸発させ、平滑なポリマー層又は平坦化層を形成する。金属の電極線をこのような平坦化表面上でパターン化することができる。平坦化層が十分に厚く、鋭利なＳｉＳｉＣのピークをすべて覆っている場合は、ＳｉＳｉＣとパターン付き金属電極線との間に電気的分離を提供することもできる。平坦化層を１回ですべてスプレーするか、薄層をスプレーするサイクルを繰り返してスタックに組み込み、硬化させて次の層をスプレーし、所望の層厚さを達成するまで繰り返すことができる。平坦化層は、ＢＣＢ（１，３，５−トリメチルベンゼン中に溶解した４０％のビスベンゾシクロブテン）のみのスプレー層、又はＮＮ１２０（ジブチルエーテル中の２０％パーヒドロポリシラザン）のスプレー層との組合せで構成されてもよい。

[0092] 平坦化層は、金属電極のパターン形成を容易にするのに適切であるが、ＳｉＳｉＣのピークをすべては覆わないことがある。ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起化学蒸着）ＳｉＯ_ｘの薄層（分離層）を平坦化層の上部に付着させて、必要に応じてＳｉＳｉＣのピークと金属電極線の間に電気的分離を提供することができる。分離層によって提供される電気的分離が不十分である場合は、平坦化層を２つの分離層の間に挟むことができ、これでスタックは第１の分離層（ＰＥＣＶＤのＳｉＯ_ｘ）、次に平坦化層及び第２の分離層（ＰＥＣＶＤのＳｉＯ_ｘ）という順序を辿る。分離層２０１は０．１μｍを超える厚さを有することが望ましい。これは１０μｍ未満の厚さを有することが望ましい。ある実施形態では、分離層は５μｍの厚さを有する。

[0093] 分離層の上部に、フォトリソグラフィ又は金属蒸着及び硬質マスクのエッチングによって（導電層の）金属線１１７を付着させる。導電層１１７の金属線は、５μｍ、１０μｍ又は２０μｍを超える幅を有することが望ましい。金属線の最大幅はその機能及び使用可能な空間によって決定され、数十ミリメートルとすることができる。金属線の他の形成方法も使用可能である。ヒータ及び／又はセンサの場合は、太い金属線（例えば約１５００μｍ）を加熱要素として使用することができ、細い金属線（例えば約１００μｍ）をセンサ要素として使用することができる。静電クランプの場合、相互から約５００μｍ離隔した連続（しかしバール上部からは分離された）金属膜の２つの半分を付着させ、静電クランプのポジ及びネガの要素を形成することができる。金属線は、約２０ｎｍを超える、望ましくは約４０ｎｍを超える層厚さを有することが望ましい。金属線は、約１μｍ以下、望ましくは約５００ｎｍ未満、望ましくは約２００ｎｍ未満の層厚さを有することが望ましい。

[0094] ヒータ及び／又はセンサを開発するために、パターン付き金属線は様々な幅のＴｉ−Ｐｔ（厚さ約２５０ｎｍのプラチナの付着を向上させる厚さ１０ｎｍのチタン）で構成することができる。Ｔｉ／Ｐｔのパターン形成は、フォトレジストの蒸着、金属膜蒸着のＰＶＤ及びリフトオフプロセスの組合せを使用して達成することができる。ヒータのみの場合は、Ｃｒ膜蒸着（ＰＶＤ）及び硬質マスクを使用したバール上部からの選択的Ｃｒエッチングによって太いクロム線（〜１５００μｍ）を付着させることができる。静電クランプの場合、金属電極はアルミニウム、又はクロム又は任意の他の導電性材料又は導電性材料のスタック（例えばＴｉ−Ｃｕ−Ｔｉ）で構成することができ、ＰＶＤ又はスパッタリングで形成することができる。これらの金属の合金も使用することができる。

[0095] 付着させた金属線を上から電気的に分離し、これを粒子の付着、スクラッチ及び酸化から保護することが望ましい。したがって上部分離層１１５をパターン付き電極上に付着させる。ヒータ又はセンサの場合、分離層は上述したようなＢＣＢ及び／又はＮＮ１２０又はＳｉＯ_ｘのスプレーコーティング、又はスプレーした層とＳｉＯ_ｘの組合せで付着させることができる。静電クランプの場合、上部分離層１１５が絶縁耐力も提供し、したがってクランプ圧、及び層スタックと基板の間のギャップを所望の値に調整することができる。ある実施形態では、静電クランプの上部分離層は、ＢＣＢ、ＮＮ１２０（又はこの２つのスプレー材料の組合せ）又はＳｉＯ_ｘのみのスプレーコーティングポリマー層で、又はスプレーポリマー層とＳｉＯ_ｘ、又はパリレン（ＣＶＤ）のみ又はポリアミド、望ましくはKapton（登録商標）の商品名でDuPontから入手可能なポリ（４，４’−オキシジフェニレン−ピロメリットイミド）の組合せで構成される。通常、膜２００は可撓性である。すなわち、自重を支持するほど十分剛性ではない。例えば、材料は比較的低いヤング率を有し、層は比較的薄く、したがって膜は自重で変形可能である。

[0096] ある実施形態では、分離層１１４、１１５は一体部分１２０に使用されているが、他の箇所では使用されていない。ある実施形態では、一体部分１２０に使用される分離層１１４、１１５は、表面１０７上の分離層１１４、１１５の材料とは異なる材料を備える。ある実施形態では、一体部分の分離層１１４、１１５に使用する材料は、２０１１年３月１７日出願で参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願ＵＳ６１／４５３，７１９号に記載されているような材料である。

[0097] 通常、スタック２００は例えばスイスLenzburgのHIGHTEC MC AGから入手可能でHiCOFlex（登録商標）という商品名で入手可能なような可撓性ＰＣＢ又は可撓性フォイルなどの電子回路に使用される可撓性膜と同様の方法で作成することができる。

[0098] ある実施形態では、スタック２００は１５０μｍ以下の総厚さを有する。ある実施形態では、スタック２００は１５μｍを超える総厚さを有する。１つの実施形態では、スタック２００は極薄可撓性膜（フォイル）（２０〜５０μｍの厚さ範囲）の形態とすることができる。例えば極薄可撓性フォイルはスイスLenzburgのHIGHTECH MC AGから入手可能なようなHiCOFlex（登録商標）膜とすることができる。このような膜はマイクロエレクトロニクスに使用されている。膜は、絶縁層１１４、１１５のスピンコーティング及び導電層１１７のスパッタリングを使用して、本体１０上に現場で作成される。これらのプロセスで良好な厚さの均一性を達成することができる。HiCOFlex（登録商標）膜を使用すると、総厚さの均一性は±１．５〜２μｍである。

[0099] スタック２００を構成する電気的分離材料１１４、１１５の各層は、厚さ７〜８μｍとすることができる。スタック２００は、総厚さが約１５μｍの電気的分離層１１４、１１５を形成する２層（以上）の電気絶縁材料（例えばポリイミド）を備える。次に、導電層１１７がスパッタリングによって形成され、これは厚さ数百ｎｍ（例えば厚さ２００ｎｍ）とすることができる。導電層１１７は複数の層、例えばＴｉ−Ｃｕ−Ｔｉ又はＮｉ−Ｃｒで構成することができる。スパッタリング中にマスクを使用し、それにより付着した材料にパターンを与えることができる。この方法で、導電層１１７内に電極を画定することができる。導電層の上部に２つ以上の別の電気的分離層を付着させて、電気的分離層１１５を形成し、それにより導電層を封入することができる。

[00100] 極薄可撓性フォイルのポリマー材料又はプラスチック材料は、ポリイミドであってもよい。ポリイミドは、電極に加えられる高電圧に耐える（ポリイミドは漏れず（例えばピンホールが形成されず）、良好な長期の物理的性質を有する必要がある）。

[00101] 極薄可撓性膜技術を使用することの利点は、基板ホルダ１００がさらに簡便になり、基板ホルダ１００が容易に製造され、一体相互接続部（一体部分１２０）を形成する可能性があることである。すなわち、可撓性膜の形成は、ガラス又はガラスセラミック又はセラミックコンポーネントを相互に、又はガラス又はガラスセラミック又はセラミックコンポーネントを電極に接合するより容易である。また、極薄可撓性膜の製造の方がはるかに費用が少ない。

[00102] ある実施形態では、スタック２００はベルギーTessenderloのElectric Apparatus NVから入手可能なような標準的可撓性ＰＣＢ材料のように作成することができる。ある実施形態では、このような可撓性ＰＣＢ材料はポリイミド、ポリエステル、ＰＴＦＥ、ＬＣＰ層を備える。

[00103] ある実施形態の電気的分離層のポリマー又はプラスチック材料は、１０ＧＰａ以下、望ましくは５ＧＰａ以下のヤング率を有する。ポリイミドは約２．５ＧＰａのヤング率を有し、これは６７ＧＰａというＵＬＥ（登録商標）セラミックのヤング率に匹敵する。上部分離層１１５は、約０．１μｍを超える、望ましくは約１μｍを超える層厚さを有することが望ましい。上部分離層１１５は、ヒータ及びセンサの場合は約１０μｍ未満、望ましくは約３μｍ未満の層厚さを有することが望ましい。静電クランプの場合、上部分離層１１５は約１００μｍ未満、望ましくは約２０μｍ未満の層厚さを有することが望ましい。ある実施形態では、厚さは約１０から約６０μｍの範囲である。

[00104] ある実施形態では、導電層１１７の下（及び任意選択の平坦化層１０８の上）にある下部分離層１１４は、上記上部分離層と同じ特性を有し、同じ方法で作成することができる。

[00105] 表１は、薄膜スタックを構築するために層ごとに適切な材料の例を示す。各層は、列挙された材料の１つ、又は２つ以上の材料の組合せで形成することができる。

[00106] 表２は、付与される層ごとの特定の機能及び要件の例を示す。

[00107] 薄膜技術は、ヒータ及び／又はセンサ開発のためにオーバレイの改善と費用対効果が高い解決法を提供する。金属パターンの設計を（マスクの設計を変更することによって）容易に変更することができる。静電クランプでは、層スタックが現在の基板クランプ製造プロセスで使用される重大なガラス接合ステップを回避することができる。クランプをバール間に構築することができるので、ＳｉＳｉＣバールを有することが可能である。これは磨耗にとって有益である。プラチナ（Ｐｔ）金属層を使用する場合は、最初にチタン接着層を付与して、Ｐｔ層の接着性を高めることができる。静電クランプの場合は、抵抗が低い任意の適切な金属を使用することができる。

[00108] ある実施形態では、平坦化層及び薄膜スタックは平坦なベースに付着される。マスク又はフォトレジストを通して平坦化層及び薄膜スタックをエッチングすることにより、バール用の孔を残すか、生成する。次に、孔の中でバールを成長させる。

[00109] スプレーコーティング、スピンコーティング及びＰＥＣＶＤ技術により誘電体層を付着させることができる。ＢＣＢ及びＮＮ１２０層などのポリマー系層（有機溶媒中に溶解）を付着させるには、スプレーコーティングが特に適している。このようなポリマー層を使用して、谷部を充填することによってバール間のＳｉＳｉＣ表面を平坦化することができる。しかし最初にスプレーした層は、付着した層が厚すぎる場合、（局所不純物による）ピンホール及びひび割れ（層内に誘発された応力による可能性が最も高い）などの表面欠陥があることがある。異なる付着プロセスを組み合わせることによって、これらの表面の不完全さを低減することが可能である。本発明のある実施形態では、インクジェット又はバブルジェット印刷技術を使用して層を付与することができる。これによって層厚さの局所制御が可能になり、これは基板ホルダの表面輪郭又は表面粗さの局所的な変化を補正するために有用なことがある。これらの技術によって、導電性インクを使用して導電層のパターンを形成することもできる。１つの層の欠陥を別の層で矯正することができるため、異なる材料及び／又は層形成技術を組み合わせることが望ましい場合がある。

[00110] 本発明のある実施形態では、基板ホルダ１００の粗い表面の上部に後続の層で平坦化層１０８を形成する。最初の層は、例えば上述したようなスプレーコーティング法で形成される。スプレーコーティングプロセスの後、ＰＥＣＶＤのＳｉＯ_ｘ層などの第２の層を付着させることができる。第２の層は、第１の層に存在し得るピンホール及び粒子を覆う。ＰＥＣＶＤのＳｉＯ_ｘ層の後、ＢＣＢの第３の層をスプレーして、ＳｉＯ_ｘ内に存在し得るピンホールを充填する。２つの異なる特徴的なプロセスがあることにより、ピンホール及び粒子の効果が低下又は最小化する。スプレーコーティングはギャップを充填し、ＣＶＤプロセスは粒子を覆う。ピンホール及び粒子に対する強度及び堅牢度を高めるために、このような薄層の積み重ね（スプレー及びＰＥＣＶＤ）を繰り返すことができる。本発明のある実施形態では、第１の層を例えばＰＥＣＶＤで付着させ、第２の層をスプレー又はスピンコーティングで形成する。本発明のある実施形態では、３つ以上の異なる層タイプ、例えば異なる組成又は異なる適用方法を所望の順序で使用してもよい。電子部品を形成する薄膜スタック（図示せず）を平坦化層１０８の上部に設ける。

[00111] 本発明のある実施形態は、ＢＣＢの２つのスプレーコーティング層で形成され、中間硬化ステップがピンホール及び粒子に対する堅牢度を高めた平坦化層１０８を有する。このスタックは、（以前の実施形態と同様に）基板の粗さ及び表面の不完全さを充填する第１のスプレーコーティング層で構成される。バール間の層を硬化して、所望の誘電特性を獲得する。第１の層内に生じる可能性があるピンホールは、第２のＢＣＢ層をスプレーして硬化する時に充填される。このプロセスを繰り返してピンホールの可能性を低下させることが可能である。電気部品を形成する薄膜スタック（図示せず）を、平坦化層１０８の上部に設ける。プロセス又はスタック構造は、２０１１年２月１８日出願で、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願ＵＳ６１／４４４，４８３号に記載されている通りであってよい。

[00112] ある実施形態では、スタック２００がコンポーネントのうち１つ又は複数を形成することができる。コンポーネントは、トランジスタ又は他の論理デバイスを形成することができる。このような論理デバイスを使用して、各ヒータへの個別の接続を必要とせずに、基板ホルダの表面全体に配置されたアレイ状のヒータを制御することができる。トランジスタは、ワード線及びビット線の交差部に配置し、それぞれを関連するヒータに接続して能動マトリクスを形成することができる。

[00113] 図１２から図１４は、導電層の一体部分１２０の経路指示の様々な実施形態を示す。図１２及び図１４の実施形態では、導電層の一体部分１２０が本体１０を通って延在する。図１３の実施形態では、導電層の一体部分１２０が、基板ホルダ１００の本体１０の表面上でバール１０６を囲むバリア突起５００を通って延在する。バリア突起５００は、使用中に本体１０と基板Ｗの間のシールとして機能する。シールは、バリア突起５００のいずれかの側の雰囲気がバリア突起５００を横切るのを実質的に防止する。これは、基板Ｗの下のシールを越えた液体の進入防止を補助するので、液浸システムで有利である。ＥＵＶツールでは、基板の上面が真空に曝露している場合に、基板の下に雰囲気が形成されるのを補助することができる。図１２及び図１３の実施形態は、通常は一体部分１２０が５から２５個の接続部を作成する必要があり、気体の流れがない状態にて低圧で作動する基板テーブルＷＴで使用することができる。図１４の実施形態は、基板Ｗの底面と基板ホルダ１００の本体１０の上面１０７との間に気体の流れが存在する液浸システムに使用する基板テーブルＷＴにとって望ましい場合がある。その実施形態では、さらに多くの接続部が使用され、一体部分１２０がそれを通過するために、本体に少なくとも１つの貫通孔５１０が必要となる場合がある。

[00114] 図１２は、基板ホルダ１００の本体１０の実施形態を断面図で示す。この実施形態では、導電層の一体部分１２０が本体の貫通孔５１０を通過する。貫通孔５１０は、本体１０の側面ばかりではなく、本体１０の上面１０７にも開口を有する。製造中に、剥離層を（キャリア表面として）本体１０の上面１０７の一部に付与することができ、したがって導電層の一体部分１２０が貫通孔５１０を通過できるように、本体上に形成された導電層の部分を剥ぎ取ることができる。図１２には貫通孔５１０が１つしか図示されていない。しかし、複数の貫通孔５１０があってもよい。

[00115] 図１３の実施形態では、構成は図７のそれと同様である。すなわち、一体部分１２０が本体１０の縁部上を通過する。この実施形態では、バリア突起５００が局所的に少なくとも一部が除去され、それによって一体部分１２０がこれを通過することができる。本体の表面１０７からの高さが周囲で実質的に一定であるように、バリア突起５００を変更する必要がある場合がある。この変更は、余分な層を局所的に付着させるか、例えばエポキシなどの接着剤様の材料を使用して実行することができる。ある実施形態では、貫通孔５１０はバリア突起５００を通過する。ある実施形態では、貫通孔５１０はバリア突起５００の上部又は縁部にある。それにより、一体部分１２０の少なくとも一部がバリア突起５００の一部を形成することができる。

[00116] 図１４の実施形態では、貫通孔５１０が基板ホルダ１００の本体１０を通過する。貫通孔５１０は、本体１０の上面１０７の開口、及び本体１０の底面の開口を有する。図１２の実施形態と同様に、導電層の一体部分１２０の製造中に、本体１０の上面に選択的に剥離コーティングを施すことができる。実際、この実施形態又は図１２の実施形態では、本体表面の縁部の隣に別の基体を提供する必要がないことがある。ある実施形態では、本体１０の上部に位置決めされた別の基体によって、キャリア表面を提供することができる。したがって、本体表面の少なくとも一部にキャリア表面を形成することができる。

[00117] 図１５及び図１６は、本体表面１０７上のコンポーネントへ接続できる方法を断面図で示す。図１５は、電線を（例えば、はんだ付け、接着、圧着などにより）上から導電層に取り付けられる方法を示す。図１６は、電線を（例えば埋め込んだ電線又は付着させた金属層上に層を付着させることにより）下から導電層に接続できる方法を示す。これらの実施形態は両方とも、図１２から図１４の全実施形態に適用可能であり、６つの組合せのいずれも使用することができる。これらの２つの実施形態はそれぞれ一体部分１２０の代替物であることを理解されたい。一体部分とは異なり、これらの２つの接続部はそれぞれ導電層に接続され、したがってその一体部分を形成しない。

[00118] 図１７は、代替的又は追加的な解決方法を示す。この方法では、電気コネクタ１７２１を導電層１１７とは別個に形成するが、図１４の実施形態のように、基板ホルダ１００の本体１０を通して電気接続する。したがってこの方法では、バリア突起５００により困難が生じない。導電層１１７の下面から接続するので、電気コネクタ１７２１がバール１０６間の空間（図１７には図示せず）を占有しない。

[00119] 図を簡略化し、見やすくするために、図１７にはバールが示されていない。しかし他の実施形態、特に図１４の場合のように、導電層１１７（及び分離層１１４、１１５、１１８）は、本体１０の上面１０７でバール１０６の周囲にパターン化して形成することができる。

[00120] 第１のステップ１７１で、本体１０を提供する。本体１０は最初から貫通孔５１０とともに製造するか、本体１０に貫通孔５１０を製造することができる。貫通孔５１０は上面１０７から本体１０の上面１０７とは反対の表面へと延在する。

[00121] ステップ１７２で、電気コネクタ１７２１を貫通孔５１０内に位置決めする。電気コネクタ１７２１は、本体１０の上面１０７から本体の上面１０７とは反対の側（図示のように底面）へと延在する。電気コネクタ１７２１を本体１０から絶縁するために、電気コネクタ１７２１の周囲に絶縁層１７２２を設けることができる。ある実施形態では、電気コネクタ１７２１は複数の電気コネクタであり、例えば導電層１１７内に形成された様々な個々のヒータ、センサなどを接続する。ある実施形態では、電気コネクタ１７２１は電気絶縁されたブッシングに囲まれた導電ピンである（電気絶縁されたブッシングが分離層１７２２に取って代わる）。ステップ１７２の実施形態を図１８に示し、以下で説明する。

[00122] ステップ１７３で、本体１０の上面１０７に絶縁層１１４を付与する。絶縁層１１４を電気コネクタ１７２１上に設け、次に電気コネクタ１７２１上から除去することができる。ある実施形態では、絶縁層１１４を、これが電気コネクタ１７２１上に付着しないように提供することができる。絶縁層１１４は、上から電気コネクタ１７２１との電気接続が可能である限り、平面図で電気コネクタ１７２１の部分を覆うことができる。

[00123] ステップ１７４で、絶縁層１１４上に導電層１１７を形成する。導電層１１７は、例えばスパッタリングにより付与することができる。図示のように、導電層１１７は電気コネクタ１７２１上には形成されない（又はそこから除去される）。

[00124] ステップ１７５で、導電層１１７の上部に別の絶縁又は分離層１１５を提供する。絶縁層１１４と同様に、別の層１１５は例えばコーティング又はジェッティングにより付与することができる。別の層１１５は、平面図で導電層１１７全体には重ならないように設けられる。これによって、ステップ１７６で別の導電層１１７１を付着させることができる。別の導電層１１７１は、電気コネクタ１７２１と導電層１１７との間を電気接続する。この方法で、導電層１１７は電気コネクタ１７２１と電気的に接触する。これにより、本体１０の（図示のような）底面（上面１０７とは反対側の表面）から上面１０７上にある導電層１１７へと導電路が設けられる。ある実施形態では、ステップ１７６は導電層１１７と電気コネクタ１７２１との間にはんだ電気接点を作成することを含む。ある実施形態では、別の導電層１１７１が、例えば電気コネクタ１７２１を本体１０の上面１０７とは反対の側から接触することによって、電気メッキで作成される。

[00125] ステップ１７７で、キャッピング分離層１１８を形成する。キャッピング分離層１１８は、平面図で少なくとも別の導電層１１７１の曝露表面を覆う。

[00126] 図１７に示す方法の結果、基板ホルダがリソグラフィ装置で使用可能になり、基板ホルダは、表面１０７を有する本体１０と、表面１０７上の導電層１１７と、本体１０を通って延在し、本体の導電層の表面１０７とは反対の側から導電路を提供する電気コネクタ１７２２とを備える。

[00127] 他の実施形態と同様に、導電層１１７は、基板ホルダ１００のクランプシステムの部分を形成することができる、及び／又はセンサ及び／又はヒータを形成することができる。

[00128] 図１８は、本体１０の貫通孔５１０に電気コネクタ１７２１を位置決めするステップ１７２の実施形態を示す。ステップ１１７１１に示すように、上面１０７が下向きになるように、本体１０をひっくり返す。貫通孔５１０に、本体１０の上面１０７とは反対の側にベベルを設けて、面取り部５１１を形成する。

[00129] ステップ１１７２１で、本体１０の貫通孔５１０に電気コネクタ１７２１を、任意選択で絶縁層１７２２とともに位置決めする。絶縁層１７２２は、以下で説明する接着剤１７２４を電気絶縁性とすることができるので、任意選択である。１つ又は複数のセンサなどの１つ又は複数の位置決め部材を設けて、貫通孔５１０内に電気コネクタ１７２１を位置決めすることができる。ある実施形態では、少なくとも１つのスペーサを本体１０の下に（例えば上面１０７の上に）設けて、電気コネクタ１７２１の（図示のような）底端を上面１０７と位置合わせする。

[00130] ステップ１１７２２で、電気コネクタ１７２１（及び任意選択で絶縁層１７２２）と貫通孔５１０の側壁との間に上から接着剤１７２４を提供する。ある実施形態では、接着剤１７２４はシリンジ又は他の同様の容器１７２３を介して提供することができる。ある実施形態では、接着剤１７２４は電気絶縁性材料である。ある実施形態では、接着剤はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）であり、これは低い吸湿性、比較的低い硬化温度、高い平坦度、良好な熱安定性、様々なメタライゼーションシステムとの良好な適合性、少ないガス放出などを有することが知られている。ＢＣＢは、最高約３００℃の温度に耐えることができ、したがって基板テーブルＷＴに使用するのに適している。接着剤１７２４は通常、ステップ１７２２では上面１０７を越えて延在しない。接着剤１７２４が上面１０７上に延在しない場合は、これをステップ１７３の前で除去することができる。接着剤１７２４が上面に到達していない場合は、ステップ１７３でギャップを充填することができる。余分な接着剤があれば、すべて面取り部５１１内に留まる。

[00131] ステップ１１７２３で、接着剤１７２４（例えばＢＣＢ）を硬化させる。

[00132] ステップ１１７２４で、上面１０７が上向きになり、本体１０の側部の面取り部５１１が下向きになるように、本体１０をひっくり返す。

[00133] これで、図１７に関して以上で説明したように、ステップ１７３を実行することができる。例えば平坦化層又は絶縁層１１４を本体１０の上面１０７に提供することができる。平坦化層又は絶縁層１１４は、接着剤１７２４と同じ材料、例えばＢＣＢとすることができる。

[00134] 図１８と同様に、電気コネクタ１７２１は１つの相互接続部又は複数の相互接続部とすることができる。これは電気絶縁ブッシュ（例えば絶縁層１７２２）で囲んでも、囲まなくてもよい。

[00135] 理解されるように、以上で説明したフィーチャはいずれも、任意の他の形態とともに使用することができ、本出願で扱われているのは、明示的に述べられた以上の組合せだけではない。

[00136] 第１の態様では、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダの製造方法が提供され、方法は、表面及び表面から突出する複数のバールを有し、基板を支持する端面を有する本体を提供することと、本体表面に隣接するキャリア表面を提供することと、本体表面の少なくとも一部上に導電層を、キャリア表面の少なくとも一部上に一体部分を形成することとを含む。

[00137] 第２の態様では、第１の態様の方法で、導電層が形成されるキャリア表面の部分が剥離表面を備え、剥離表面上に形成される１つ又は複数の層を剥離層からリフトオフすることができる、又は剥離表面をその上に形成される１つ又は複数の層から除去することができる。

[00138] 第３の態様では、第２の態様の方法で剥離表面がコーティングを備える。

[00139] 第４の態様では、第１から第３の態様のいずれかの方法で、導電層が本体と一体である。

[00140] 第５の態様では、第１から第４の態様のいずれかの方法で、キャリア表面が本体の縁部に隣接して位置決めされた別の基体上にある。

[00141] 第６の態様では、第１から第４の態様のいずれかの方法で、キャリア表面が本体上にある。

[00142] 第７の態様では、第１から第６の態様のいずれかの方法が、形成された導電層をキャリア表面から持ち上げることをさらに含む。

[00143] 第８の態様では、第１から第７の態様のいずれかの方法で、導電層が以下の群から選択された方法によって形成される。すなわちスパッタリング、スプレー、スクリーン印刷、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、又はプラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）である。

[00144] 第９の態様では、第１から第８の態様のいずれかの方法で、導電層が、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｔ及びその合金からなる群から選択された金属などの金属で形成される。

[00145] 第１０の態様では、第１から第９の態様のいずれかの方法で、導電層が約２０ｎｍから約１μｍの範囲の厚さを有する。

[00146] 第１１の態様では、第１から第１０の態様のいずれかの方法が、導電層を形成する前に、少なくとも本体表面の少なくとも一部及びキャリア表面の少なくとも一部で、本体と一体の下部分離層を形成し、導電層を本体から電気的に分離することをさらに含む。

[00147] 第１２の態様では、第１から第１１の態様のいずれかの方法が、導電層上に上部分離層を形成して、導電層を周囲環境から電気的に分離することをさらに含む。

[00148] 第１３の態様では、第１１から第１２の態様の方法で、分離層が、ベンゾシクロブテン、パーハイドロポリシラゼン、ＳｉＯ_ｘ、パリレン及びポリイミド、望ましくはポリ（４，４’−オキシジフェニレン−ピロメリットイミド）からなる群から選択された材料又は材料の組合せで形成される。

[00149] 第１４の態様では、第１１から第１３の態様のいずれかの方法で、分離層が約０．１μｍから約１００μｍの範囲の厚さを有する。

[00150] 第１５の態様では、第１４の態様の方法で、分離層が約０．１μｍから約１０μｍ、望ましくは約１μｍから約３μｍの範囲の厚さを有する。

[00151] 第１６の態様では、第１４の態様の方法で、分離層が約２０μから約１００μｍ、望ましくは約４０μｍから約６０μｍの範囲の厚さを有する。

[00152] 第１７の態様では、第１１から第１６の態様のいずれかの方法で、分離層が以下の群から選択された方法で形成される。すなわちスピンコーティング、スパッタリング、スプレー、スクリーン印刷、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、又はプラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）である。

[00153] 第１８の態様では、第１から第１７の態様のいずれかの方法で、導電層の一体部分が本体表面から少なくとも本体の厚さと等しい大きさの距離だけ延在する。

[00154] 第１９の態様では、第１から第１８の態様のいずれかの方法で、本体上の導電層が、電極、ヒータ、センサ、トランジスタ及び論理デバイスからなる群から選択されたコンポーネントの少なくとも部分を形成する。

[00155] 第２０の態様では、第１９の態様の方法で、電極が使用時に静電クランプの電極となる。

[00156] 第２１の態様では、第１９又は第２０の態様の方法で、キャリア表面上に形成された導電層が、コンポーネントとキャリア表面上に形成された導電層の本体から遠位側の端部との間で電力及び／又は電気信号を伝達するために電気接続を提供する。

[00157] 第２２の態様では、第１から第２１の態様のいずれかの方法が、導電層を形成する前に少なくとも本体表面の少なくとも一部上に平坦化層を形成することをさらに含む。

[00158] 第２３の態様では、第２２の態様の方法で、平坦化層を形成することが、第１のサブ層及び第１のサブ層上の第２のサブ層を形成することをさらに含み、第２のサブ層が第１のサブ層とは異なる組成を有する。

[00159] 第２４の態様では、リソグラフィ装置に使用する基板ホルダが提供され、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体と一体で、本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、導電層の一体部分が本体表面から延在する。

[00160] 第２５の態様では、第２４の態様の基板ホルダ内で、導電層の一体部分が本体表面の面から外れている。

[00161] 第２６の態様では、第２４又は第２５の態様の基板ホルダ内で、導電層の一体部分が本体を、又は本体の表面上でバールを囲むバリア突起を通って延在する。

[00162] 第２７の態様では、第２４から第２６の態様のいずれかの基板ホルダ内で、導電層が、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｔ及びその合金からなる群から選択された金属などの金属で形成される。

[00163] 第２８の態様では、第２４から第２７の態様のいずれかの基板ホルダ内で、導電層が約２０ｎｍから約１μｍの範囲の厚さを有する。

[00164] 第２９の態様では、第２４から第２８の態様のいずれかの基板ホルダが、導電層の一方側又は両側に分離層をさらに備えて導電層を電気的に分離する。

[00165] 第３０の態様では、第２４から第２９の態様のいずれかの基板ホルダ内で、分離層が、ベンゾシクロブテン、パーハイドロポリシラゼン、ＳｉＯ_ｘ、パリレン及びポリイミド、望ましくはポリ（４，４’−オキシジフェニレン−ピロメリットイミド）からなる群から選択された材料で形成される。

[00166] 第３１の態様では、第３０の態様の基板ホルダ内で、分離層が約０．１μｍから約１００μｍの範囲の厚さを有する。

[00167] 第３２の態様では、第３１の態様の基板ホルダ内で、分離層は約０．１μから約５μｍ、望ましくは約１μｍから約２μｍの範囲の厚さを有する。

[00168] 第３３の態様では、第３１の態様の基板ホルダ内で、分離層が約２０μから約１００μｍ、望ましくは約４０μｍから約６０μｍの範囲の厚さを有する。

[00169] 第３４の態様では、第２４から第３３の態様のいずれかの基板ホルダ内で、本体上の導電層が電極、ヒータ、センサ、トランジスタ及び論理デバイスからなる群から選択されたコンポーネントの少なくとも部分を形成する。

[00170] 第３５の態様では、第３４の態様の基板ホルダ内で、電極が使用時に静電クランプの電極となる。

[00171] 第３６の態様では、第２４から第３５の態様のいずれかの基板ホルダが、導電層と本体表面の間に平坦化層をさらに備える。

[00172] 第３７の態様では、第２４から第３６の態様のいずれかの基板ホルダ内で、本体から延在する導電層の一体部分の少なくとも部分が可撓性である。

[00173] 第３８の態様では、パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板に投影するように配置された投影システムと、基板を保持するように配置された基板ホルダとを備えるリソグラフィ装置が提供され、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出して、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体と一体で、本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、導電層の一体部分が本体表面から延在する。

[00174] 第３９の態様では、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供され、方法は、基板ホルダ上に基板を保持しながら、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板に投影することを含み、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出して、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体と一体で、本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、導電層の一体部分が本体表面から延在する。

[00175] 第４０の態様では、リソグラフィ装置に使用する基板ホルダの製造方法が提供され、方法は、本体を通って本体の表面から本体の表面とは反対の側へと延在する貫通孔内に電気コネクタを位置決めすることと、電気コネクタと電気的に接触している導電層を含む層を表面上に形成することとを含む。

[00176] 第４１の態様では、第４０の態様の方法で、電気コネクタが、本体の表面とは反対の側から接着剤を付与することによって貫通孔内に接着される。

[00177] 第４２の態様では、第４１の態様の方法で、接着剤が上から付与され、接着剤の付与と層の形成との間で本体がひっくり返される。

[00178] 第４３の態様では、第４１又は第４２の態様の方法で、接着剤と表面上の層とが同じ材料である。

[00179] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に付与し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00180] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、１３．５ｎｍ若しくは６．５ｎｍ又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[00181] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。

[00182] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00183] 上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。

[00184] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00185] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部であってもよく、又は空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってもよく、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでもよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00186] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置で使用する基板ホルダの製造方法であって、
   表面及び前記表面から突出する複数のバールを有し、基板を支持する端面を有する本体を提供することと、
   前記本体表面に隣接するキャリア表面を提供することと、
   前記本体表面の少なくとも一部上に導電層を、前記キャリア表面の少なくとも一部上に一体部分を形成することとを含む、方法。
2. 前記導電層が形成される前記キャリア表面の前記部分は剥離表面を備え、前記剥離表面上に形成される１つ又は複数の層を前記剥離層からリフトオフすることができるか、又は前記剥離表面をその上に形成される前記１つ又は複数の層から除去することができる、請求項１に記載の方法。
3. 前記導電層は前記本体と一体である、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記キャリア表面は、前記本体の縁部に隣接して位置決めされた別の基体上にある、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. 前記キャリア表面は前記本体上にある、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
6. 前記形成された導電層を前記キャリア表面から持ち上げることをさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
7. 前記導電層を形成する前に、少なくとも前記本体表面の前記少なくとも一部及び前記キャリア表面の前記少なくとも一部で、前記本体と一体の下部分離層を形成し、前記導電層を前記本体から電気的に分離することをさらに含む、請求項１から６いずれか１項に記載の方法。
8. 前記導電層上に上部分離層を形成して、前記導電層を前記周囲環境から電気的に分離することをさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
9. 前記導電層の前記一体部分は、前記本体表面から少なくとも前記本体の厚さに等しい大きさの距離だけ延在する、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
10. 前記本体上の前記導電層は、電極、ヒータ、センサ、トランジスタ及び論理デバイスからなる群から選択されたコンポーネントの少なくとも部分を形成する、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
11. 前記導電層を形成する前に、少なくとも前記本体の前記少なくとも一部上に平坦化層を形成することをさらに含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
12. リソグラフィ装置に使用する基板ホルダであって、
    表面を有する本体と、
    前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
    前記本体と一体で、前記本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、前記導電層の一体部分は前記本体表面から延在する、基板ホルダ。
13. パターニングデバイスを支持する支持構造と、
    前記パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板に投影する投影システムと、
    前記基板を保持する基板ホルダとを備え、前記基板ホルダは、
    表面を有する本体と、
    前記表面から突出して、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
    前記本体と一体で、前記本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、前記導電層の一体部分は前記本体表面から延在する、リソグラフィ装置。
14. リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
    基板ホルダ上に基板を保持しながら、パターニングデバイスによってパターニングされたビームを前記基板に投影することを含み、
    前記基板ホルダは、
    表面を有する本体と、
    前記表面から突出して、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
    前記本体と一体で、前記本体表面の少なくとも一部上にある導電層とを備え、前記導電層の一体部分は前記本体表面から延在する、方法。
15. リソグラフィ装置に使用する基板ホルダの製造方法であって、
    本体を通って前記本体の表面から前記本体の前記表面とは反対の側へと延在する貫通孔内に電気コネクタを位置決めすることと、
    前記電気コネクタと電気的に接触している導電層を含む層を前記表面上に形成することとを含む、方法。

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