JP2023516921A - 基板サポート、基板テーブルおよび方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートは、基板を支持するように構成される第１支持体と、第１支持体から分離され、第１支持体を支持するように構成される本体であって、本体、支持体および／または基板を熱的に調整するように構成される熱コンディショナを備える本体と、本体および支持体を囲む取出体であって、基板の周縁部の近くから流体を取り出すように構成される第１取出チャネルを備える取出体と、を備える。【選択図】図５

Description

［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、2020年2月24日に出願された欧州出願20158919.9および2020年3月17日に出願された欧州出願20163571.1の優先権を主張し、これらの全体が参照によって本書に援用される。

［技術分野］
本発明は、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポート、基板テーブル、基板を支持するための方法およびデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に適用するように構成される装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（IC）の製造に使用されうる。リソグラフィ装置は、例えば、基板（例えば、ウェーハ）上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層上に、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターン（しばしば「デザインレイアウト」または「デザイン」とも表される）を投影してもよい。公知のリソグラフィ装置は、全体パターンをターゲット部分上に一回で露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、放射ビームを通じて所定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンしながら、この方向に平行または非平行に基板を同時にスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。

半導体製造プロセスが継続的に進歩するにつれて、一般的に「ムーアの法則」と表されるトレンドに従って、過去数十年に亘ってデバイス毎のトランジスタ等の機能要素の量が着実に増加しながら、回路要素の寸法は継続的に低減されている。半導体産業は、ムーアの法則に遅れないように、ますます小さいフィーチャを生成することを可能にする技術を追い求めている。パターンを基板上に投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用してもよい。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、365nm（i線）、248nm、193nmおよび13.5nmである。

より小さいフィーチャの解像度における更なる改良が、比較的高い屈折率を有する水等の液浸流体を露光中に基板上に提供することによって実現されてもよい。液浸流体の効果は、流体中の露光放射がガス中より短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。液浸流体の効果は、システムの実効的な開口数（NA）を増加させ、焦点深度も増加させるという点にもある。

液浸流体は、流体ハンドリング構造によって、リソグラフィ装置の投影システムと基板の間の局所的な領域に制限されてもよい。基板と制限された液浸液の間の速い相対移動は、局所的な領域からの液浸流体の漏れを引き起こす恐れがある。このような漏れは望ましくなく、基板上の欠陥に繋がる恐れがある。このため、投影システムに対して基板がステップまたはスキャンされるスピードが制限されてしまう。このことは、リソグラフィ装置のスループットを制限する。

半導体製造プロセスの間、基板は基板サポート上に支持される。時間が経つと、基板サポートは損耗し、交換される必要がある。本発明の目的は、より安価に維持でき、損耗した時のサービスに必要なダウンタイムの長さを低減できる基板サポートを提供することである。

本発明によれば、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートが提供される。この基板サポートは、基板を支持するように構成される第１支持体と、第１支持体から分離され、第１支持体を支持するように構成される本体であって、本体、支持体および／または基板を熱的に調整するように構成される熱コンディショナを備える本体と、本体および支持体を囲む取出体であって、基板の周縁部の近くから流体を取り出すように構成される第１取出チャネルを備える取出体と、を備える。

本発明によれば、基板ステージおよび基板サポートを備える基板テーブルも提供される。

本発明によれば、リソグラフィ装置において基板を基板サポート上に支持するための方法も提供される。この方法は、基板サポートの第１支持体上で基板を支持することと、第１支持体から分離された本体上で第１支持体を支持することと、本体の熱コンディショナで、本体、支持体および／または基板を熱的に調整することと、本体および支持体を囲む取出体の第１取出チャネルを通じて、基板の周縁部の近くから流体を取り出すことと、を備える。

本発明によれば、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートの第１支持体を交換するための方法も提供される。この方法は、キャリアプレートが第１支持体の厚さ方向に第１支持体を貫通するピンホールを覆うように、キャリアプレートを第１支持体に接続することと、ピンがそれらの端上でキャリアプレートを支持し、ピンが第１支持体の下方の基板サポートの本体を貫通するように、各ピンホールを通って複数のピンを延ばすことと、本体上に第１支持体を下ろす、または、第１支持体を本体から上げるために、ピンの移動を制御することと、を備える。

本発明によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法も提供される。この方法は、基板を基板サポートで支持しながら、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板上に投影することと、リソグラフィ装置において基板を支持するための方法、または、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポートの第１支持体を交換するための方法を実行することと、を備える。

本発明の更なる実施形態、特徴および利点や、本発明の各種の実施形態、特徴および利点の構造および動作が、付随的な図面を参照しながら以下で詳細に記述される。

以下では、対応する参照符号が対応する部分を表す以下の付随的な模式図を参照して、例示のみを目的として発明の実施形態が記述される。
図１は、リソグラフィ装置の模式図を示す。
図２および図３は、リソグラフィ投影装置において使用するための流体ハンドリングシステムの二つの異なるバージョンを断面において示す。
図４は、リソグラフィ装置の部分を示す。
図５は、発明の実施形態に係る基板サポートを示す。
図６は、比較例に係る基板サポートを示す。
図７～図１１は、発明に係る基板サポートの異なるバージョンを示す。
図１２および図１３は、発明の実施形態のための高さ調整機構の異なるバージョンを示す。
図１４は、発明の実施形態に係る第１支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図１５は、発明の実施形態に係る本体上に下ろされる、図１４に示されるアセンブリの模式的な断面図である。
図１６は、図１４および図１５に示される第１支持体から分離されているキャリアプレートの模式的な断面図である。
図１７は、発明の実施形態に係る第１支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図１８は、発明の実施形態に係る第１支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図１９は、発明の実施形態に係る第１支持体に接続されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図２０は、キャリアプレートを発明の実施形態に係る第１支持体に接続するための機構の模式的な断面図である。
図２１は、図２０に示されるキャリアプレートを第１支持体から分離するプロセスの途中の模式的な断面図である。
図２２は、図２０に示される第１支持体から分離されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図２３は、キャリアプレートを発明の実施形態に係る第１支持体に接続するための機構の模式的な断面図である。
図２４は、図２３に示されるキャリアプレートを第１支持体から分離するプロセスの途中の模式的な断面図である。
図２５は、図２３に示される第１支持体から分離されるキャリアプレートの模式的な断面図である。
図２６は、発明の実施形態に係る第１支持体の模式的な平面図である。
図２７は、ハンドリングのために把持されている発明の実施形態に係る第１支持体の模式的な平面図である。
図２８は、ハンドリングのために把持されている発明の実施形態に係る第１支持体の模式的な平面図である。

図示される特徴は必ずしも実寸通りではなく、示されるサイズおよび／または配置に限定されるものではない。図は、発明に必須ではないオプションの特徴を含むと理解される。更に、装置の全ての特徴が図のそれぞれにおいて示される訳ではなく、図は特定の特徴を記述する上で関連するコンポーネントのいくつかのみを示してもよい。

本文書では、「放射」および「ビーム」の用語が、紫外放射（例えば、365、248、193、157または126nmの波長を有するもの）を含む全てのタイプの電磁放射を包含するために使用される。

このテキストで使用される「レチクル」、「マスク」または「パターニングデバイス」の用語は、入射する放射ビームに、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応するパターン形成された断面を付与するために使用されうる一般的なパターニングデバイスを表すものと広義に解釈されてもよい。用語「ライトバルブ」も、この文脈で使用されうる。古典的なマスク（透過型または反射型、バイナリ型、位相シフト型、ハイブリッド型等）の他に、他のこのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDアレイを含む。

図１は、リソグラフィ装置を模式的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、UV放射またはDUV放射）を調整するように構成される照明システム（イルミネータとも表される）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに応じてパターニングデバイスＭＡを正確に配置するように構成される第１ポジショナＰＭに接続されるマスクサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに応じて基板サポートＷＴを正確に配置するように構成される第２ポジショナＰＷに接続される基板サポート（例えば、基板テーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、一または複数のダイを含む）上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに形成されたパターンを投影するように構成される投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。

稼働中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して、放射源ＳＯからの放射ビームＢを受ける。照明システムＩＬは、放射の方向付け、形成および／または制御のための、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型および／または他のタイプの光学コンポーネント等の各種のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せを含んでもよい。イルミネータＩＬは、パターニングデバイスＭＡの面で、その断面において所望の空間および角度強度分布を有するように、放射ビームＢを調整するために使用されてもよい。

ここで使用される用語「投影システム」ＰＳは、使用中の露光放射、および／または、液浸液または真空の使用等の他の要素にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、アナモルフィック型、磁気型、電磁気型および／または静電型の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む各種のタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。用語「投影レンズ」のここでの使用は、より一般的な用語「投影システム」ＰＳと同義に解釈されてもよい。

リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗの間の液浸空間１１を満たすために、基板Ｗの少なくとも一部が比較的高い屈折率を有する水等の液浸液によって覆われてもよいタイプである（液浸リソグラフィとも表される）。液浸技術に関するより多くの情報は、参照によって本書に援用されるUS6,952,253において与えられている。

リソグラフィ装置は、二つ以上の基板サポートＷＴを有するタイプ（「デュアルステージ」とも呼ばれる）でもよい。このような「マルチステージ」装置では、基板サポートＷＴが並行的に使用されてもよい、および／または、他の基板Ｗ上にパターンを露光するために他方の基板サポートＷＴ上の他方の基板Ｗが使用されている間に、基板Ｗの後続の露光の準備ステップが一方の基板サポートＷＴ上に位置する基板Ｗ上で実行されてもよい。

基板サポートＷＴに加えて、リソグラフィ装置は測定ステージ（不図示）を備えてもよい。測定ステージは、センサおよび／またはクリーニングデバイスを保持するように設けられる。センサは、投影システムＰＳの特性または放射ビームＢの特性を測定するように設けられてもよい。測定ステージは、複数のセンサを保持してもよい。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の部分、例えば投影システムＰＳの部分または液浸液を提供するシステムの部分をクリーニングするように設けられてもよい。測定ステージは、基板サポートＷＴが投影システムＰＳから離れている時に、投影システムＰＳの下を移動してもよい。

稼働中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されているマスクＭＡ等のパターニングデバイス上に入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（デザインレイアウト）によってパターン形成される。マスクＭＡを経た放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集光する投影システムＰＳを通過する。第２ポジショナＰＷおよび位置測定システムＩＦによって、例えば、放射ビームＢの経路中の集光および整列位置に異なるターゲット部分Ｃを配置するために、基板サポートＷＴが正確に駆動されうる。同様に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に配置するために、第１ポジショナＰＭおよび適切な他の位置センサ（図１では明示的に示されない）が使用されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列されてもよい。図示される基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占めるが、これらはターゲット部分の間の空間に配置されてもよい。ターゲット部分Ｃの間に配置される基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、スクライブラインアライメントマークとして知られている。

発明を明らかにするために、デカルト座標系が使用される。デカルト座標系は、三つの軸、すなわち、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を有する。三つの軸のそれぞれは、他の二つの軸に直交する。ｘ軸周りの回転は、Ｒｘ回転と表される。ｙ軸周りの回転は、Ｒｙ回転と表される。ｚ軸周りの回転は、Ｒｚ回転と表される。ｘ軸およびｙ軸は水平面を定め、ｚ軸は鉛直方向を定める。デカルト座標系は発明を限定するものではなく、説明のためだけに使用される。代わりに、円筒座標系等の他の座標系が発明を明らかにするために使用されてもよい。例えば、ｚ軸が水平面に沿う成分を有するように、デカルト座標系の方向は異なるものでもよい。

液浸技術は、より小さいフィーチャの解像度の向上を可能にするために、リソグラフィシステムに導入されている。液浸リソグラフィ装置では、比較的高い屈折率を有する液浸液の液体層が、装置の投影システムＰＳ（これを通じてパターン形成されたビームが基板Ｗに向かって投影される）と基板Ｗの間の液浸空間１１に介在する。液浸液は、投影システムＰＳの最終要素の下で、基板Ｗの少なくとも一部を覆う。このように、露光中の基板Ｗの少なくとも一部が液浸液に浸る。

商用化されている液浸リソグラフィでは、液浸液は水である。水は、典型的には、半導体製造プラントにおいて一般的に使用される超純水（UPW）等の高純度の蒸留水である。液浸システムでは、UPWが頻繁に浄化され、液浸空間１１への液浸液としての供給の前に、追加的な処理ステップを経なければならない場合もある。フッ化炭化水素等の炭化水素および／または水溶液等の、高い屈折率を有する水以外の他の液体も液浸液として使用されうる。更に、液体以外の他の流体も、液浸リソグラフィにおける使用が見込まれている。

本明細書では、最終要素と最終要素に対向する表面の間の液浸空間１１に使用中の液浸液が制限される局所化された液浸についての記述において参照がなされる。対向する表面は、基板Ｗの表面または基板Ｗの表面と同一面上の支持ステージ（または、基板サポートＷＴ）の表面である（なお、以下のテキストにおける基板Ｗの表面への参照は、特に断らない限り、加えてまたは代えて基板サポートＷＴの表面も表し、逆も同様である）。投影システムＰＳと基板サポートＷＴの間に存在する流体ハンドリング構造ＩＨは、液浸液を液浸空間１１に制限するために使用される。液浸液によって満たされた液浸空間１１は平面視で基板Ｗの最表面より小さく、下方で基板Ｗおよび基板サポートＷＴが移動する間、液浸空間１１は投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。

非制限液浸システム（いわゆる「オールウェット」液浸システム）および浴式液浸システム等の他の液浸システムも見込まれている。非制限液浸システムでは、液浸液が最終要素の下の表面より多くを覆う。液浸空間１１外の液体は、薄い液体フィルムとして存在する。液体は、基板Ｗまたは基板Ｗおよび基板Ｗと同一面上の基板サポートＷＴの表面全体を覆ってもよい。バス型システムでは、基板Ｗが液浸液の浴槽に完全に浸る。

流体ハンドリング構造ＩＨは、液浸液を液浸空間１１に供給し、液浸液を液浸空間１１から除去することで、液浸液を液浸空間１１に制限する構造である。それは、流体供給システムの一部である特徴を含む。PCT特許出願公報番号WO99/49504に開示された配置は、液浸空間１１の液浸液を供給または回収し、投影システムＰＳ下のステージの相対移動に応じて動作するパイプを備える初期の流体ハンドリング構造である。より新しいデザインでは、流体ハンドリング構造が、投影システムＰＳの最終要素と基板サポートＷＴまたは基板Ｗの間の液浸空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延び、部分的に液浸空間１１を定める。

流体ハンドリング構造ＩＨは、異なる機能の選択肢を有してもよい。各機能は、流体ハンドリング構造ＩＨがその機能を実現することを可能にする対応する特徴から得られてもよい。流体ハンドリング構造ＩＨは、バリアメンバ、シールメンバ、流体供給システム、流体除去システム、液体制限構造等の、それぞれ機能を表す多くの異なる用語によって表されてもよい。

バリアメンバとしての流体ハンドリング構造ＩＨは、液浸空間１１からの液浸液の流れに対するバリアである。液体制限構造としての構造は、液浸液を液浸空間１１に制限する。シールメンバとしての流体ハンドリング構造ＩＨのシーリングフィーチャは、液浸液を液浸空間１１に制限するためのシールを形成する。シーリングフィーチャは、ガスナイフ等のシールメンバの表面における開口からの追加的なガス流を含んでもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨが流体供給システムとして液浸流体を供給してもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨが流体制限システムとして少なくとも部分的に液浸流体を制限してもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨが流体制限構造等のバリアメンバとして液浸流体に対するバリアを提供してもよい。

一実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨが、例えば液浸流体の流れおよび／または位置の制御を支援するために、ガス流を生成または使用してもよい。

ガス流は液浸流体を制限するためのシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造ＩＨはシールメンバと表されてもよい。このようなシールメンバは流体制限構造でもよい。

一実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。この場合の流体ハンドリング構造ＩＨは、液体ハンドリングシステムでもよい。以上の記述を参照して、これらの段落における流体に関して定義される特徴への参照は、液体に関して定義される特徴を含むものと理解される。

リソグラフィ装置は、投影システムＰＳを有する。基板Ｗの露光中、投影システムＰＳは、パターン形成された放射のビームを基板Ｗ上に投影する。基板Ｗに到達するために、放射ビームＢの経路は、投影システムＰＳから、投影システムＰＳと基板Ｗの間の流体ハンドリング構造ＩＨによって制限された液浸液を通過する。投影システムＰＳは、ビームの経路の最後に液浸液と接触するレンズ要素を有する。液浸液と接触するこのレンズ要素は、「最終レンズ要素」または「最終要素」と表されてもよい。最終要素は、少なくとも部分的に流体ハンドリング構造ＩＨによって囲まれる。流体ハンドリング構造ＩＨは、最終要素の下方および対向する表面の上方に液浸液を制限してもよい。

図１に示されるように、一実施形態では、リソグラフィ装置が、コントローラ５００を備える。コントローラ５００は、基板テーブルＷＴを制御するように構成される。

図２は、局所化された液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを模式的に示す。液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴまたは基板Ｗの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体ハンドリング構造ＩＨ（または液体制限構造）と共に提供される。流体ハンドリング構造ＩＨは、Ｚ方向（光軸の方向）における相対移動はありえるものの、投影システムＰＳに対してＸＹ面内において実質的に静止している。例では、ガスシール（ガスシールを有するこのようなシステムは、EP1,420,298に開示されている）または液体シール等の非接触シールでもよいシールが、流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗの表面の間に形成されている。

流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に、少なくとも部分的に液浸液を制限する。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置して囲む流体ハンドリング構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。液浸液は、一の液体開口１３によって、投影システムＰＳ下および流体ハンドリング構造ＩＨ内の空間１１内に供給される。液浸液は、他の液体開口１３によって除去されてもよい。液浸液は、少なくとも二つの液体開口１３を通じて、空間１１内に供給されてもよい。いずれの液体開口１３が液浸液を供給するために使用されるか、および、オプションでいずれが液浸液を除去するために使用されるかは、支持テーブルＷＴの移動方向によって異なってもよい。

液浸液は、使用中に流体ハンドリング構造ＩＨの底と基板Ｗの表面の間に形成されるガスによって形成されるガスシール１６等の非接触シールによって空間１１に制限されてもよい。ガスシール１６におけるガスは、流体ハンドリング構造ＩＨおよび基板Ｗの間の間隙にインレット１５を介して加圧されて提供される。ガスは、アウトレット１４を介して取り出される。ガスインレット１５における正圧、アウトレット１４における真空レベル、間隙の幾何学的配置は、液浸液を制限する内側への高速のガス流が生じるように調整される。このようなシステムは、その全体が参照によって本書に援用されるUS2004/0207824に開示されている。一例では、流体ハンドリング構造ＩＨがガスシール１６を有しない。

図３は、実施形態に係る更なる液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。図３に例示されて以下で記述される配置は、図１において前述および例示されたリソグラフィ装置に適用されてもよい。液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と支持テーブルＷＴまたは基板Ｗの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体ハンドリング構造ＩＨ（または液体制限構造）と共に提供される。

流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に、少なくとも部分的に液浸液を制限する。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置して囲む流体ハンドリング構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。例では、流体ハンドリング構造ＩＨが、本体メンバ５３および多孔質メンバ３３を備える。多孔質メンバ３３は、プレート状で複数の孔（すなわち、開口または細孔）を有する。一実施形態では、多孔質メンバ３３が、多数の小さい孔８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。このようなシステムは、その全体が参照によって本書に援用されるUS2010/0045949A1に開示されている。

本体メンバ５３は、空間１１に液浸液を供給可能な供給ポート７２と、空間１１から液浸液を回収可能な回収ポート７３を備える。供給ポート７２は、流路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、対応する流路７４を通じて供給ポート７２に液浸液を供給可能である。回収ポート７３は、空間１１から液浸液を回収可能である。回収ポート７３は、流路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介して回収された液浸液を、流路７９を通じて回収する。多孔質メンバ３３は、回収ポート７３に配置される。供給ポート７２を使用して液体供給動作を実行し、多孔質メンバ３３を使用して液体回収動作を実行することで、一方の側が投影システムＰＳと流体ハンドリング構造ＩＨの間にあり、他方の側に基板Ｗがある空間１１が形成される。

図４は、本発明の実施形態の理解にとって有用なリソグラフィ装置の一部を例示する。図４に例示されて以下で記述される配置は、図１において前述および例示されたリソグラフィ装置に適用されてもよい。図４は、基板サポート２０および基板Ｗの断面である。一実施形態では、基板サポート２０が、以下でより詳細に記述される熱コンディショナ６０の一または複数の調整チャネル６１を備える。基板Ｗのエッジと基板サポート２０のエッジの間に間隙５が存在する。基板Ｗのエッジが結像されている時、または、基板Ｗが最初に投影システムＰＳ下を移動する時（前述されたように）等の他の時に、流体ハンドリング構造ＩＨ（例えば）によって液体で満たされた液浸空間１１は、少なくとも部分的に基板Ｗのエッジと基板サポート２０のエッジの間の間隙５を通る。このため、液浸空間１１からの液体が間隙５に流入しうる。

基板Ｗは、一または複数の突起４１（すなわち、バール）を備える第１支持体２１（例えば、ピンプルまたはバールテーブル）によって保持される。第１支持体２１は、オブジェクト保持部の一例である。オブジェクト保持部の他の例は、マスク保持部である。基板Ｗと基板サポート２０の間に適用される負圧は、基板Ｗが所定位置に確実に保持されることを担保しうる。しかし、液浸液が基板Ｗと第１支持体２１の間に入ってしまうと、特に基板Ｗを取り外す際に困難をもたらしうる。

間隙５に流入する液浸液に対処するために、間隙５に流入した液浸液を除去するための少なくとも一つのドレイン１０、１２が基板Ｗのエッジに提供される。ドレインは一つのみでもよいし、二つより多くてもよいが、図４の一実施形態では、二つのドレイン１０、１２が例示される。一実施形態では、ドレイン１０、１２のそれぞれが、基板Ｗの周縁全体を囲む環状である。

第１ドレイン１０（基板Ｗ／第１支持体２１のエッジの径方向の外側にある）の主な機能は、流体ハンドリング構造ＩＨの液体が存在する液浸空間１１に気泡が入ることを防止することである。このような泡は、基板Ｗの結像に悪影響を及ぼしうる。第１ドレイン１０は、間隙５におけるガスが流体ハンドリング構造ＩＨにおける液浸空間１１に逃げ込む事態を避けるために存在する。液浸空間１１に逃げ込んだガスは、液浸空間１１内で浮遊する泡をもたらしうる。このような泡が投影ビームの経路上に来てしまうと、結像エラーに繋がる。第１ドレイン１０は、基板Ｗのエッジと基板Ｗが配置される基板サポート２０における凹みのエッジの間の間隙５からガスを除去するように構成される。基板サポート２０における凹みのエッジは、オプションで基板サポート２０の第１支持体２１から分離されるカバーリング１０１によって定められてもよい。カバーリング１０１は、平面視でリング状でもよく、基板Ｗの外周を囲んでもよい。第１ドレイン１０は、ほとんどのガスおよび極小量の液浸液を取り出す。

第２ドレイン１２（基板Ｗ／第１支持体２１のエッジの径方向の内側にある）は、結像後の基板Ｗの基板テーブルＷＴからの効率的なリリースを妨げることがないように、液体が間隙５から基板Ｗの下方に入り込むことを防止するために提供される。第２ドレイン１２を提供することで、液体が基板Ｗの下方に入り込むことによって生じうる問題が低減または除去される。

図４に示されるように、一実施形態では、リソグラフィ装置が、二相流の流路となる第１取出チャネル１０２を備える。第１取出チャネル１０２は、ブロック内に形成される。第１および第２ドレイン１０、１２は、それぞれ各開口１０７、１１７および各取出チャネル１０２、１１３と共に提供される。取出チャネル１０２、１１３は、各流路１０３、１１４を通じて各開口１０７、１１７との間で流体を流通させる。

図４に示されるように、カバーリング１０１は上面を有する。上面は、第１支持体２１上の基板Ｗの周りを周方向に延びる。リソグラフィ装置の使用時には、流体ハンドリング構造ＩＨが基板サポート２０に対して移動する。この相対移動中に、流体ハンドリング構造ＩＨはカバーリング１０１と基板Ｗの間の間隙５を通過する。一実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨの下方を移動する基板サポート２０によって相対移動がもたらされる。代替的な実施形態では、基板サポート２０の上方を移動する流体ハンドリング構造ＩＨによって相対移動がもたらされる。更なる代替的な実施形態では、流体ハンドリング構造ＩＨの下方の基板サポート２０の移動および基板サポート２０の上方の流体ハンドリング構造ＩＨの移動の両方によって相対移動が提供される。以下の記述では、流体ハンドリング構造ＩＨの移動が、基板サポート２０に対する流体ハンドリング構造ＩＨの相対移動を意味するものとして使用される。

図５は、発明の実施形態に係る基板サポート２０の模式図である。基板サポート２０は、リソグラフィ装置（例えば、図１に示されるリソグラフィ装置）において基板Ｗを支持するためのものである。露光プロセスの間、基板Ｗは基板サポート２０上に支持される。複数の露光プロセスの間に、基板サポート２０上の基板Ｗが交換されてもよい。この間、基板サポート２０には一つの基板Ｗも支持されていなくてもよい。

図５に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０が第１支持体２１を備える。第１支持体２１は、基板Ｗを支持するように構成される。基板Ｗが基板サポート２０によって支持されている時、基板Ｗは第１支持体２１と直接的に接触する。第１支持体２１は、基板Ｗの下側を物理的に支持する基板サポート２０の一部である。図５に示されるように、一実施形態では、第１支持体２１が複数のバール４１を備える。バール４１の末端は、基板Ｗの下側が支持される面を形成する。基板Ｗの下側は、バール４１の末端に接触する。バール４１は、第１支持体２１の上側にある。

図５に示されるように、一実施形態では、基板Ｗの下側と第１支持体２１の上側ベース面（複数のバール４１の間）の間に空間４２がある。一実施形態では、基板サポート２０が、基板Ｗを第１支持体２１上に保持するように構成されるクランプを備える。例えば、図５に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０が、クランプチャネル４３を備えるクランプを備える。クランプチャネル４３は、基板Ｗと第１支持体２１の間の空間４２からガスを取り出すように構成される。クランプチャネル４３は、空間４２との間で流体を流通させる。図５に示されるように、一実施形態では、クランプチャネル４３が、一または複数のクランプ流路４４を介して、空間４２との間で流体を流通させる。一実施形態では、クランプチャネル４３が、基板サポート２０の中央を取り巻く環形状を有する。クランプチャネル４３は周方向に延びる。一実施形態では、複数のクランプ流路４４が、クランプチャネル４３を空間４２に接続するために鉛直方向に延びる。

図５に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０が本体２２を備える。本体２２は、第１支持体２１から分離されている。第１支持体２１は、本体２２を実質的に傷付けることなく、本体２２から分離されうる。第１支持体２１は、本体２２から除去されてもよいし、本体２２上に再配置されてもよい。本体２２は、第１支持体２１を支持するように構成される。

基板サポート２０が使用されている間に、基板サポート２０は損耗する。例えば、バール４１の末端が時間を経て損耗する。バール４１が損耗しても、基板サポート２０の全体を交換する必要はなく、第１支持体２１が交換されうる。例えば、本体２２は交換されることなく、第１支持体２１が交換されてもよい。一実施形態では、第１支持体２１が本体２２から除去される。交換された第１支持体２１は、本体２２上に配置される。そして、交換された第１支持体２１を使用して、露光プロセスが続けられる。発明の実施形態は、基板サポート２０の可用性を維持するためのコストを低減することが期待される。

基板サポート２０の全体を交換する場合に比べて、第１支持体２１はより速く交換できる。発明の実施形態は、基板サポート２０を維持するために必要なリソグラフィ装置のダウンタイムを低減することが期待される。

図５に示されるように、一実施形態では、本体２２が熱コンディショナ６０を備える。一実施形態では、熱コンディショナ６０が、本体２２を熱的に調整するように構成される。加えてまたは代えて、熱コンディショナ６０は、第１支持体２１を熱的に調整するように構成される。加えてまたは代えて、熱コンディショナ６０は、基板Ｗを熱的に調整するように構成される。本体２２、第１支持体２１および／または基板Ｗを熱的に調整することによって、温度プロファイルが制御されうる。特に、熱的な変動によって引き起こされる変形が低減されうる。変形を低減することによって、露光プロセスの正確性が向上されうる。

熱コンディショナ６０が熱的に調整する手法は特に限定されない。単なる一例として、図５に示されるように、一実施形態では、熱コンディショナ６０が一または複数の調整チャネル６１を備える。調整チャネル６１は、本体２２を貫通してもよい。一実施形態では、調整チャネル６１が流体（例えば、ガスおよび／または液体）を含む。

図１に示されるように、一実施形態では、リソグラフィ装置が、コントローラ５００を備える。一実施形態では、コントローラ５００が、一または複数の調整チャネル６１を通じて、流れまたは流体を制御するように構成される。一実施形態では、コントローラ５００が、目標物（例えば、本体２２、第１支持体２１および／または基板Ｗ）の温度プロファイルを制御するために、調整チャネル６１を通じて流体の流れを制御するように構成される。

図５に示されるように、一実施形態では、熱コンディショナ６０が、一または複数のセンサ６２を備える。一実施形態では、センサ６２が、本体２２に取り付けられる、または、本体２２に埋め込まれる。一実施形態では、センサ６２が温度センサである。一実施形態では、センサ６２が、調整チャネル６１内を流れる流体の温度を測定するように構成されてもよい。一実施形態では、調整チャネル６１に亘って温度プロファイルを検知するために、複数のセンサ６２が調整チャネル６１に沿った異なる位置に提供される。

図５に示されるように、一実施形態では、熱コンディショナ６０が、一または複数のヒータ６３を備える。図５に示されるように、一実施形態では、ヒータ６３が本体２２の下側に取り付けられる。但し、ヒータ６３は、本体２２または第１支持体２１の他の表面に配置されてもよい。加えてまたは代えて、センサが、本体２２および／または第１支持体２１の表面に提供されてもよい。一実施形態では、コントローラ５００が、センサ６２からの信号を受け取るように構成され、続いてヒータ６３および／または調整チャネル６１を通じて流体の流れを制御するように構成される。

基板サポート２０では、基板Ｗを物理的に支持する（および、クランプする）機能が第１支持体２１によって実行される。一方、熱的に調整する機能は本体２２によって実行される。第１支持体２１は本体２２から分離されている。基板Ｗを支持する機能および熱的な安定化の機能が、異なるコンポーネントに分離されている。一の機能が失われた場合（または、要求される実行水準を満たせなくなった場合）は、他のコンポーネントは交換されずに、対応するコンポーネントが交換されうる。発明の実施形態は、実行される機能が要求される水準を満たすように、基板サポート２０の維持を容易にすることが期待される。

図５に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０が取出体１００を備える。取出体１００は、本体２２および第１支持体２１を囲む。取出体１００は、本体２２および第１支持体２１の径方向の外側にある。図５に示されるように、一実施形態では、取出体１００が本体２２から分離されたコンポーネントにおいて提供される。但し、取出体１００が本体２２および第１支持体２１から分離されていることは必須ではない。より詳細に後述されるように、取出体１００は、本体２２と同じコンポーネントの一部でもよい。このような実施形態では、取出体１００は本体２２と一緒でなければ交換できない（逆も同様である）。一実施形態では、例えば、図７から１０に示されるように、取出体１００が本体２２と同じコンポーネントの一部である。取出体１００は、本体２２と一体的に形成されてもよい。取出体１００および本体２２は、一つのコンポーネントとして一緒に形成される。取出体１００および本体２２は、互いに分離できない。代替的な実施形態では、取出体１００が基板ステージ２６と一体的に形成される。

図５に示されるように、一実施形態では、取出体１００が第１取出チャネル１０２を備える。一実施形態では、取出体１００が、前述された第１ドレイン１０を備える。第１取出チャネル１０２は、基板Ｗの周縁部の近くから流体を取り出すように構成される。図５に示されるように、一実施形態では、第１取出チャネル１０２が、基板Ｗの周縁の径方向の外側から流体を取り出すように構成される。第１取出チャネル１０２は、リソグラフィ装置において使用される液浸液内で生じうる泡を除去するように構成される。第１取出チャネル１０２は、泡を低減することによって、および／または、例えばウォーターマークの発生を低減することによって、画像欠陥の低減に貢献する。

前述のように、取出体１００は、欠陥の問題を低減するように構成される。取出体１００によって実行される機能は、第１支持体２１および本体２２によって実行される機能と異なっていてもよい。一の機能が失われた場合、または、要求される実行水準を満たせなくなった場合は、基板サポート２０の他のコンポーネントは交換されずに、対応するコンポーネント（例えば、取出体１００、第１支持体２１または本体２２）が交換されうる。

図６は、比較例に係る基板サポート２０を模式的に示す。図６に示される比較例では、基板Ｗを支持する（および、クランプする）機能、および、基板Ｗを熱的に調整する機能の両方が、同じコンポーネントにおいて実行される。従って、バール４１の先端が損耗した場合、熱コンディショナ６０および基板Ｗを支持するバール４１の両方を含む本体２２全体が交換されなければならない。例えば、熱コンディショナ６０がまだ正常に動作しており、交換する必要がない場合であっても、本体２２全体の交換が必要になる。

図５に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０と基板サポート２０を支持する基板ステージ２６の間の間隙をシールするために、シールメンバ２７が提供される。図６に示される比較例では、基板サポート２０が交換される時に、シールメンバ２７を除去および交換する必要もある。対照的に、図５に示される実施形態では、第１支持体２１および／または本体２２が交換される間に、取出体１００およびシールメンバ２７がそのまま留まれる。同様に、取出体１００が本体２２と同じコンポーネントの一部である実施形態では、第１支持体２１が交換される間に、取出体１００およびシールメンバ２７がそのまま留まれる。発明の実施形態は、基板サポート２０の維持に必要な時間を低減することが期待される。

図５に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０が第２支持体２３を備える。第２支持体２３は、本体２２から分離されている。第２支持体２３は、基板ステージ２６上に本体２２を支持するように構成される。一実施形態では、本体２２が第２支持体２３と物理的に接触する。例えば、一実施形態では、本体２２の下側が第２支持体２３の上部の上で支持される。第２支持体２３は、基板ステージ２６上に支持される。

図５に示されるように、一実施形態では、第２支持体２３が複数のバール９１を備える。一実施形態では、第２支持体２３のバール９１が第１支持体２１のバール４１より長い。バール９１は、第２支持体２３の下側において突出している。これらのバール９１は、基板ステージ２６に向かって延び、基板ステージ２６によって支持される。一実施形態では、第２支持体２３が、基板サポート２０と基板ステージ２６の間の相対移動を低減するように構成される。第２支持体２３は、基板サポート２０と基板ステージ２６の間の滑りを低減するように構成される。リソグラフィ装置を使用している間、基板ステージ２０には大きな加速が生じる。基板サポート２０が基板ステージ２６に対して滑ってしまうと、望ましくないオーバーレイエラーに繋がりうる。バール９１は、基板ステージ２６に対して把持するように構成され、基板サポート２０の基板ステージ２６に対する滑りを低減する。

第２支持体２３は、本体２２または第２支持体２３を傷付けることなく、本体２２から物理的に分離されうる。本体２２および第２支持体２３の一方または他方を、他方を交換することなく交換できる。例えば、第２支持体２３の滑り止め機能が、要求される実行水準を満たせなくなった場合、本体２２を交換することなく第２支持体２３が交換されうる。発明の実施形態は、基板サポート２０を維持するためのコストを低減することが期待される。

他の例では、例えば、熱コンディショナ６０の交換が必要な場合、本体２２が交換されてもよい。第２支持体２３を交換することなく（または、実質的に移動させることなく）、本体２２は交換されうる。発明の実施形態は、基板サポート２０を維持するためのコストを低減することが期待される。

但し、基板サポート２０がこのような第２支持体２３を備えることは必須ではない。例えば、図７から図１２に示されるように、基板サポート２０の基板ステージ２６に対する滑りを低減する機能は、本体２２によって実行されてもよい。バール９１は、本体２２の下部に提供されてもよい。

図５および７に示されるように、例えば、一実施形態では、本体２２がその上側に複数のバール６５を備える。バール６５は面内に末端を有する。バール６５は、第１支持体２１を支持するように構成される。本体２２の上側のバール６５を提供することによって、第１支持体２１の構造を簡素なままにできる。第１支持体２１の下側は平坦で、実質的にフィーチャレスでもよい。第１支持体の上側は、基板Ｗを支持するためのバール４１を備える。発明の実施形態は、基板Ｗをクランプするコンポーネントを安価に製造できるようにすることが期待される。

加えて、図５および図８から図１０に示されるように、例えば、一実施形態では、第１支持体２１が複数のシール突起４６を備える。シール突起４６は、第１支持体２１の上側で突出している。シール突起４６は、バール４１より短い。シール突起４６は、基板Ｗと接触しない。シール突起４６の上部と基板Ｗの下側の間に小さい間隙が存在する。一実施形態では、シール突起４６が、第１支持体２１の周りに周方向に延びる、すなわち、シール突起４６はそれぞれリングを形成する。シール突起４６は、シール突起４６を通過する流体の量を低減するように構成される。

但し、本体２２にバール６５が提供されることは必須ではない。例えば、図８に示される代替的な実施形態では、第１支持体２１が、その最下側に複数のバール４７を備える。バール４７は、面内に末端を有する。バール４７は、本体２２の上側に接触するように構成される。図８に示されるように、本体２２上に提供されるバール６５の代わりに、バール４７の異なる組が第１支持体２１の下側に提供されてもよい。使用中、基板サポート２０の他の部分が損耗する前に、バール４１、４７が損耗する可能性がある。第１支持体２１上にバール４１、４７の両方の組を提供することによって、本体２２を交換することなく、単純に第１支持体２１を交換することによってバールが交換されうる。発明の実施形態は、基板サポート２０を維持するためのコストを低減することが期待される。

図５に示されるように、一実施形態では、取出体１００が第２取出チャネル１１３を備える。これは他の図にも示される。第２取出チャネル１１３は、第２ドレイン１２の一部である。一実施形態では、第２取出チャネル１１３が、第１取出チャネル１０２の径方向の内側から流体を取り出すように構成される。一実施形態では、第２取出チャネル１１３が、液体が基板Ｗの下方に流入することを防止するために提供される。但し、このような第２取出チャネル１１３が提供されることは必須ではない。例えば、図１０は、第２取出チャネル１１３を有しない実施形態を示す。

一実施形態では、液体が基板の中央部Ｗおよび第１支持体２１の間の空間４２に到達することを防止するために、第２取出チャネル１１３が、基板Ｗの周縁部の下方から流体を取り出すように構成される。図４に示されるように、一実施形態では、第２取出チャネル１１３が、一または複数の第２流路１１４を介して、基板Ｗの周縁部の下方の空間に接続される。一実施形態では、第２取出チャネル１１３が、基板サポート２０の周りに周方向に延びる。一実施形態では、複数の第２流路１１４が提供される。第２流路１１４は、第２取出チャネル１１３および基板Ｗの周縁部の直下の間で鉛直方向に延びる。

図５に示されるように、一実施形態では、第２取出チャネル１１３が開いたギャップによって第１取出チャネル１０２から隔離される。第１取出チャネル１０２および第２取出チャネル１１３は、別体２４、２５に提供されてもよい。別体２４、２５は、別体２４、２５のいずれも破損することなく、互いに分離されうる。欠陥の問題を低減する機能（第１取出チャネル１０２によって実行される）および液体が基板Ｗの下方に流入することを防止する機能（第２取出チャネル１１３によって実行される）は、別体２４、２５によって実行されてもよい。別体２４、２５の一方を、他方を交換することなく交換できる。発明の実施形態は、基板サポート２０を維持するためのコスト低減することが期待される。

図７に示されるように（例えば、図５および８でも視認できる）、一実施形態では、基板サポート２０がインナーシール１１２およびアウターシール１１１を備える。インナーシール１１２は、第２取出チャネル１１３が流体を取り出す開口の径方向の内側に位置する。アウターシール１１１は、第２取出チャネル１１３が流体を取り出す開口の径方向の外側に位置する。インナーシール１１２およびアウターシール１１１は、基板Ｗの下側に向かって突出している。インナーシール１１２およびアウターシール１１１は、基板サポート２０と共に使用中の基板Ｗと接触するほどには突出していない。代わりに、インナーシール１１２の上部と基板Ｗの間、および、アウターシール１１１の上部と基板Ｗの間に、小さい間隙が存在する。インナーシール１１２およびアウターシール１１１は、使用中に液体がシール１１１、１１２と基板Ｗの間に存在してもよいように構成される。これは、基板Ｗの中央部における基板Ｗの下方に液体が到達することを防止する上で役に立つ。

図９に示されるように、一実施形態では、インナーシール１１２の機能が、第１支持体２１の上側におけるシール突起４６によって実行される。これは、例えば、インナーシール１１２が本体２２の上側における突起として提供される図７に示される配置の代わりである。図９に示されるように、一実施形態では、第１支持体２１を通る上部流路４９が提供される。基板Ｗの周縁部の下方から第２取出チャネル１１３内に流体が取り出されるように、上部流路４９は第２流路１１４と接続する。

図９に示されるように、例えば、一実施形態では、本体２２がシール突起６６を備える。シール突起６６は、湿気が本体２２の上面に到達する可能性を低減するように構成される。これは、本体２２の酸化を低減する。

図１０に示されるように、一実施形態では、基板サポート２０に、例えば図５から図９に示される第２取出チャネル１１３が提供されない。図１０に示されるように、一実施形態では、取出体１００、本体２２、第１支持体２１の間に、開いたギャップまたは流路１１５が形成される。一実施形態では、開いたギャップまたは流路１１５が、大気圧または圧力源との間で流体を流通させる。一実施形態では、複数の流路１１５が、本体２２（取出体１００と同じコンポーネントの一部でもよい）を通って主に鉛直方向に延びる。代替的な実施形態では、開いたギャップが本体２２の周りに周方向に延び、取出体１００が本体２２とは異なるコンポーネントとして提供されてもよい。一実施形態では、ガス流が開いたギャップまたは流路１１５を通過する。ガス流は、第１支持体２１の上部周縁のシール突起４６を通過する。ガス流を提供することによって、シール突起４６を越えて液体が基板Ｗの下側に到達する可能性が低減されうる。第２取出チャネル１１３を必ずしも提供する必要はない。発明の実施形態は、基板サポート２０の複雑性を低減することが期待される。発明の実施形態は、基板サポート２０の製造を容易にすることが期待される。

図５および図７から図１０において前述および図示されたように、基板サポート２０は各種の手法でモジュール化されうる。図１１に示されるように、一実施形態では、第１取出チャネル１０２および第２取出チャネル１１３の両方と共に取出体１００が提供される。取出体１００は、第１支持体２１および本体２２の両方から分離されている。本体２２は、直接的に基板ステージ２６（すなわち、第２支持体２３を介さずに）上に支持される。図１１に示されるように、インナーシール１１２およびアウターシール１１１は、取出体１００の一部として提供される。これは、第１支持体２１の径方向寸法を低減する（第１支持体２１がインナーシール１１２の機能を実行するための追加的なシール突起４６を必要としないため）。これは、損耗したバール４１を交換する必要がある場合に、交換される基板サポート２０の量を低減する。

図１１に示されるように、一実施形態では、本体２２が取出体１００の下方に延びる。取出体１００の下側は、本体２２に結合される。これは、第１支持体２１に対する取出体１００の高さの制御を容易にする。取出体１００の高さをより正確に制御することによって、インナーシール１１２およびアウターシール１１１によって提供されるシーリング機能の信頼性が高まる。

図１１に示されるように、一実施形態では、一または複数の孔１１９が本体２２に提供される。孔１１９は、取出体１００の径方向の内部と本体２２の間の間隙との間で流体を流通させるように構成される。孔１１９は、基板ステージ２６を通って延びる他の孔に接続してもよい。孔１１９は、大気圧または加圧ガスを提供するように構成される。孔１１９を上方に通るガス流を提供することによって、液体が基板Ｗの中央部の下方に到達する可能性が低減される。孔１１９を通るガス流を提供することによって、第１支持体２１への湿気の移動が低減される。第１支持体２１への湿気の移動を低減することによって、第１支持体２１の酸化が低減される。

一実施形態では、孔１１９が加圧されたガスを提供するように構成される。加圧されたガス流を提供することによって、基板Ｗのエッジのリフティングを制御できる。基板Ｗの外縁のリフティングを制御することによって、第１支持体２１の最外周のバール４１の損耗が低減されうる。発明の実施形態は、基板サポート２０の損耗を低減することが期待される。

図１１に示されるように、一実施形態では、取出体１００と本体２２の間に接着層１０４が提供される。接着層１０４は、取出体１００を本体２２に固定する。これは、基板Ｗから取出体１００のインナーシール１１２およびアウターシール１１１までの間隙の制御を容易にする。

一実施形態では、接着層１０４中にビーズが分散される。例えば、接着材中にガラスビーズが分散されてもよい。ビーズのサイズは、インナー／アウターシール１１１、１１２の上部と本体２２の最表面の径方向の外側部分にあるシール突起６６の上部の間に要求される高さステップを提供するために選択されうる。一実施形態では、ビーズが、例えば、45ミクロン、50ミクロンまたは55ミクロンの直径を有する。

図１１に示されるように、一実施形態では、第１／第２取出チャネル１０２、１１３から本体２２（取出体１００が取り付けられる）を通り、続いて基板ステージ２６を通る流体接続が維持される。流体接続は、ドッグボーンコネクタ１０５およびリング１０６によって維持されてもよい。但し、第１／第２取出チャネル１０２、１１３の目的のための取出体１００と本体２２の間の接続は、特に限定されない。

本体２２が取出体１００の下方に延びることは必須ではない。代替的な実施形態では、取出体１００の下側が基板ステージ２６に取り付けられる。一実施形態では、基板テーブルＷＴ（基板ステージ２６および基板サポート２０を備える）が、高さ調整機構１３０を備える。高さ調整機構１３０の代わりのバージョンが、例えば図１２および図１３に示される。高さ調整機構１３０は、取出体１００と基板Ｗの間の適切なシール間隙を得るために、微調整可能な高さ調整を提供するように構成される。高さ調整機構１３０は、液体が基板Ｗの中央部および第１支持体２１の間に到達することを防止するように取出体１００が構成されるように、基板Ｗの下方の取出体１００の少なくとも一部の高さを制御するように構成される。

図１２に示されるように、一実施形態では、高さ調整機構１３０がインサートメンバ１３１を備える。インサートメンバ１３１は、材料のブロックである。インサートメンバ１３１は、取出体１００の下側と基板ステージ２６の間に提供される。インサートメンバ１３１は、本体２２から分離されている。インサートメンバ１３１は、取出体１００を基板ステージ２６に取り付けるコンポーネントである。

図１２に示されるように、一実施形態では、高さ調整機構１３０がファスナ１３２を備える。例えば、一実施形態では、ファスナ１３２がボルトである。図１２に示されるように、一実施形態では、ファスナ１３２が基板ステージ２６まで到達しない。ファスナ１３２は、取出体１００をインサートメンバ１３１に接続する。

図１２に示されるように、一実施形態では、取出体１００が、インサートメンバ１３１と係合するように構成される突起１３４を備える。図１２に示されるように、一実施形態では、インサートメンバ１３１が基板ステージ２６上に接着される。

図１２に示されるように、一実施形態では、ファスナ１３２が取出体１００をインサートメンバ１３１に結合する時に、インサートメンバ１３１が圧縮されるように、インサートメンバ１３１が切欠部１３３と共に構成される。基板Ｗの下方の取出体１００の上部の高さを制御するために、インサートメンバ１３１の圧縮が制御されうる。特に、インサートメンバ１３１の圧縮を制御するために、ファスナ１３２によって提供される力が制御されうる。

図１２は、ファスナ１３２およびインサートメンバ１３１の固形部（すなわち、切欠部１３３の間）を通る応力の力線１３５を示す。図１２に示されるように、力線１３５がインサートメンバ１３１の比較的狭い部分を貫通するように、切欠部１３３が設けられてもよい。インサートメンバ１３１の狭い部分が比較的フレキシブルであれば、インサートメンバ１３１の圧縮制御が容易になる。これは、基板Ｗの下方の取出体１００の高さの制御に役に立つ。特に、切欠部１３３の間のインサートメンバ１３１の狭い部分は、リーフスプリング（または、他の可撓部）として機能してもよい。

図１２に示される高さ調整機構１３０は一例に過ぎない。他の例として、代替的な高さ調整機構１３０が図１３に示される。図１３に示されるように、一実施形態では、取出体１００がリーフスプリング１４１を備える。リーフスプリング１４１は、取出体１００の残りに固定される下部１４２を備える。リーフスプリング１４１は、取出体１００と第１支持体２１の間に延びる上部１４３を更に備える。一実施形態では、複数のこのようなリーフスプリング１４１が基板サポート２０の周りに周方向に提供される。代替的な実施形態では、単一のリーフスプリング１４１が基板サポート２０の周りに周方向に延びる。

図１３に示されるように、一実施形態では、液体が基板Ｗの中央部および第１支持体２１の間に到達することを防止するように上部１４３が構成されるように、高さ調整機構１３０が基板Ｗの下方の上部１４３の高さを制御するように構成される。一実施形態では、リーフスプリング１４１の微調整を可能にするために、セットスクリュー１４４が提供される。セットスクリュー１４４は、取出体１００の下方に制御された距離だけ突出しうる。セットスクリュー１４４が取出体１００の下部から更に突出すると、セットスクリュー１４４がリーフスプリング１４１を押し曲げ、リーフスプリング１４１の上部１４３の高さを下げる。図１３に示されるように、一実施形態では、接続チャネル１４０を介して、第１取出チャネル１０２が第２取出チャネル１１３と接続されてもよい。

本体２２に熱コンディショナ６０が設けられる態様は特に限定されない。一実施形態では、熱コンディショナ６０が、本体２２の表面下に取り付けられる。例えば、一または複数のペルチェ素子および／またはヒータが、本体２２および／または取出体１００の下面に提供されてもよい。加えてまたは代えて、チャネル６１、一または複数のペルチェ素子および／またはヒータ６３が、本体２２の下部の外周に提供されてもよい。代替的な実施形態では、熱コンディショナ６０が本体２２の上側に取り付けられる。外部チャネル６１および／または一または複数のペルチェ素子および／またはヒータ６３は取り付けられてもよい（例えば、本体２２上に接着される）。一実施形態では、チャネル６１、ヒータ６３および／またはセンサ６２が、基板ステージ２６に設けられる。熱的調整機能の少なくとも一部は、基板ステージ２６によって実行される。これは、本体２２のデザインを簡素化する上で役に立つ。一実施形態では、基板ステージ２６の一部としてバール９１が提供される。本体２２は、バール９１を備えなくてもよい。本体２２の下側は、実質的に平坦でもよい。一実施形態では、少なくとも一つのセンサ６２が、基板ステージ２６の各バール９１に提供される。センサ６２は、本体２２の温度を測定するように構成される。センサ６２は、本体２２の近傍に位置する。一実施形態では、少なくとも一つのヒータ６３が、本体２２に対向する基板ステージ２６の表面に提供される。一実施形態では、ヒータ６３が各センサ６２と対になっている。ヒータ６３は、各センサ６２の近傍に位置する。一実施形態では、ヒータ６３が、対のセンサ６２からの出力に基づいて制御される。

図５に示されるように、一実施形態では、本体２２および第１支持体２１の間の他の空間４５を介して、クランプチャネル４３が空間４２との間で流体を流通させる。

図５に示されるように、一実施形態では、少なくとも一つの締結ボルト２９によって、基板サポート２０が基板ステージ２６に対してロックされる。一実施形態では、基板サポート２０が基板ステージ２６から脱落することを防止する安全ロックとして機能するように、締結ボルト２９が構成される。但し、バール９１が、基板サポート２０の基板ステージ２６に対する滑りを防止する機能を実行する。

図５に示されるように、一実施形態では、基板Ｗを第１支持体２１上に下ろすために、一または複数のピン２８が使用されてもよい。ピン２８は、ローディングおよびアンローディングのシーケンス中に第１支持体２１上の基板Ｗの高さを制御するために、基板サポート２０における各ピンホール１２１を貫通して基板Ｗを支持する。

図７に示されるように、一実施形態では、結合線６４で互いに取り付けられる二つの部分で本体２２が形成される。例えば、接着材料が使用されてもよい。

前述したように、基板保持部２０の他の部分も交換することなく、第１支持体２１は交換されうる。図示されたように、第１支持体２１は、基板Ｗと概ね同様の形状を有する。一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板Ｗを駆動する、例えば、リソグラフィ装置の異なる部分の間で基板Ｗを駆動する、および／または、基板Ｗをリソグラフィ装置との間で搬入または搬出するために駆動するように構成される少なくとも一つのハンドリングツールを備える。一実施形態では、第１支持体２１の移動を制御するために、同じハンドリングツールが使用されうる。

図１４は、発明の実施形態に係る第１支持体２１に結合されるキャリアプレート１２０の模式的な断面図である。キャリアプレート１２０は、第１支持体２１に結合可能に構成される。キャリアプレート１２０は、第１支持体２１から解放可能（取外し可能）に構成される。図１４に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が第１支持体２１に結合される時に、キャリアプレート１２０が第１支持体２１におけるピンホール１２１を覆うように構成される。

前述したように、一実施形態では、複数のピン２８が基板Ｗを支持し、基板サポート２０上に基板Ｗを下ろすために制御されうる。図１５は、ピン２８によって支持されるキャリアプレート１２０および第１支持体２１のアセンブリを示す。ピンホール１２１を覆うキャリアプレート１２０を提供することによって、第１支持体２１が効果的にキャリアプレート１２０に結合されるため、ピン２８はキャリアプレート１２０を介して効果的に第１支持体２１を支持できる。発明の実施形態は、第１支持体２１の交換を容易にすることが期待される。発明の実施形態は、リソグラフィ装置のダウンタイムを低減することが期待される。キャリアプレート１２０が提供されることは必須ではない。代替的な実施形態（より詳細に後述される）では、第１支持体２１の移動を制御するためにピン２８の代替物が提供される。

第１支持体２１およびキャリアプレート１２０が互いに結合されるため、ピン２８は基板サポート２０の残りの上に第１支持体２１を下ろすために制御されうる。第１支持体２１が基板サポート２０の残りの上に載置されると、キャリアプレート１２０は除去されうる。図１６は、第１支持体２１から取り外されるおよび除去されるキャリアプレート１２０を模式的に示す。一実施形態では、第１支持体２１からキャリアプレート１２０を解放するために、開口４４を通じて正圧が適用される。キャリアプレート１２０は、ピン２８によって第１支持体２１から持ち上げられうる。一実施形態では、キャリアプレート１２０が、基板Ｗをハンドルするために使用される同じハンドリングツールを使用して駆動されうる。

図１４から図１６に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が、複数の接続突起１２２を備える。接続突起１２２は、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５から第１支持体２１に向かって突出するように構成される。キャリアプレート１２０は、ベースプレート１２５および接続突起１２２を備える。ベースプレート１２５は平坦である。一実施形態では、ベースプレート１２５および接続突起１２２が同じ材料で形成される。キャリアプレート１２０を形成するために、ベースプレート１２５は接続突起１２２と一体的に形成される。図１４に示されるように、一実施形態では、ベースプレート１２５が第１支持体２１に近づける距離を接続突起１２２が制限する。図１４に示されるように、一実施形態では、接続突起１２２が接触面１２３を有する。接触面１２３は、直接的にまたは接着材料を介して第１支持体２１に接触するように構成される。

接続突起１２２を提供することによって、バール４１の末端がキャリアプレート１２０に接触しない。キャリアプレート１２０は、第１支持体２１の上側におけるバール４１の末端がキャリアプレート１２０から隔離されている状態で、第１支持体２１の上側における複数のバール４１の間で第１支持体２１によって支持される。発明の実施形態は、バール４１の損耗を更に防止することが期待される。

図１７は、発明の実施形態に係るキャリアプレート１２０の模式図である。図１７に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０の第１支持体２１に対向する表面が十分に平坦であり、キャリアプレート１２０が第１支持体２１に結合される時に、第１支持体２１の上側のバール４１の末端でキャリアプレート１２０が支持される。図１７に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が第１支持体２１に近づける距離を接続突起１２２が制限しない。代わりに、バール４１の末端がキャリアプレート１２０を支持する。バール４１の末端は、直接的にまたは接着材料を介してベースプレート表面１２４に接触する。

図１４および図１５に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０の一部のみが第１支持体２１に接触する。これは接着力を制限し、キャリアプレート１２０および第１支持体２１の分離を容易にする。

図１７および図１９に示されるように、例えば、キャリアプレート１２０が複数のバール４１の間の第１支持体２１の表面に接触することは必須ではない。一実施形態では、接着力が制限されるように、複数のバール４１の間の表面が粗い。複数のバール４１の間の粗い表面に接触することを要求しないことによって、粗い表面が第１支持体２１に結合されているキャリアプレート１２０に悪影響を及ぼさない。

図１７に示される配置では、バール４１の末端がキャリアプレート１２０に接触する。第１支持体２１が交換される理由の一つは、バールが損耗しうるためである。第１支持体２１の交換が必要な場合、バール４１の末端は特に滑らかでもよい。バール４１の末端は、特に第１支持体２１を取り外すために、キャリアプレート１２０への好適な接着を可能にする。

キャリアプレート１２０が第１支持体２１に結合される態様は特に限定されない。図１８は、キャリアプレート１２０を第１支持体２１に結合するための接着材料１２６の使用を模式的に示す。図１８に示されるように、一実施形態では、第１支持体２１と接続突起１２２の接触面１２３の間に接着材料１２６が提供される。加えてまたは代えて、複数のバール４１の末端とベースプレート表面１２４の間に接着材料１２６は提供されうる。

接着材料１２６は、キャリアプレート１２０が第１支持体２１に結合される時に、キャリアプレート１２０を第１支持体２１に一時的に接着するためのものである。接着材料１２６は、特に限定されない。一実施形態では、接着材料（結合材料）１２６が接着材料を備える。代替的な実施形態では、接着材料１２６の代わりに液体（例えば、水）の層が提供される。キャリアプレート１２０と第１支持体２１の結合状態を維持するために毛管圧が使用されうる。

図１７に示される配置では、ベースプレート表面１２４の凹みに接着材料が適用されてもよい。接着材料を凹みに制限することによって、接着材料が他のコンポーネントに接触してしまう可能性が低減される。

図１９に示されるように、加えてまたは代えて、圧力によってキャリアプレート１２０が第１支持体２１にクランプされる。一実施形態では、キャリアプレート１２０が、少なくとも一つの内部チャネル１２７を備える。内部チャネル１２７は、第１開口１２８を、少なくとも一つの第２開口１２９に流通可能に接続するためのものである。第１開口１２８および第２開口１２９は、キャリアプレート１２０の表面にある。図１９に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が第１支持体２１に結合される時に、キャリアプレート１２０がピンホール１２１の一つを覆う位置に第１開口１２８がある。

第２開口１２９は、キャリアプレート１２０が第１支持体２１の上側に対向する位置にある。一実施形態では、内部チャネル１２７を通って第２開口１２９から第１開口１２８に向かい、第１開口１２８を通じて流出するガス流を生成するために、第１開口１２８が負圧に接続されうる。これは、キャリアプレート１２０が第１支持体２１に結合される時に、キャリアプレート１２０と第１支持体２１の間の領域における圧力を低減しうる。キャリアプレート１２０と第１支持体２１の間の圧力より高い包囲圧力の結果として、キャリアプレート１２０および第１支持体２１が互いに保持されうる。

図１９に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０を支持するピン２８に対応する位置に第１開口１２８がある。一実施形態では、ピン２８が、第１開口１２８を通じて内部チャネル１２７から流体を取り出すためのチャネルを備える。第２開口１２９の数は特に限定されない。内部チャネル１２７の数は特に限定されない。一実施形態では、第１開口１２８が、各ピンホール１２１について提供される。

一実施形態では、キャリアプレート１２０が、導電材料およびキャリアプレート１２０が第１支持体２１に接続される時に導電材料を第１支持体２１から電気的に絶縁するように構成される絶縁層を備える。導電材料は、第１支持体２１に対する電位差を有しうる。キャリアプレート１２０と第１支持体２１の間の静電引力は、キャリアプレート１２０を第１支持体２１に結合する上で役に立ちうる。一実施形態では、絶縁層がキャリアプレート１２０を囲む薄い層として提供される。

図２０から図２２は、発明の実施形態に係る第１支持体２１から解放されているキャリアプレート１２０の異なるステージを示す。図２０に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が少なくとも一つの接続機構１５１を備える。接続機構１５１は、キャリアプレート１２０を第１支持体２１に機械的にロックするように構成される。一実施形態では、接続機構１５１は、第１支持体２１の各ピンホール１２１において、キャリアプレート１２０を第１支持体２１にロックする。

図２０に示されるように、一実施形態では、接続機構１５１がチャンバ１５３を備える。チャンバ１５３は、各ピン２８を受けるように構成される。チャンバ１５３は、ピン２８がキャリアプレート１２０を支持する時に、ピン２８の接触端を受ける。一実施形態では、キャリアプレート１２０が第１支持体２１から解放されうるように、チャンバ１５３内の圧力がチャンバ１５３外の大気圧より十分に低い場合にロックを解放するように接続機構１５１が構成される。キャリアプレート１２０は、ロックが解放されると第１支持体２１から解放されうる。

図２０に示されるように、一実施形態では、接続機構１５１が少なくとも一つのロック要素１５２を備える。ロック要素１５２は、ピンホール１２１を貫通し、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５と反対側の第１支持体２１の表面と係合するように構成される。ロック要素１５２の数は特に限定されない。一実施形態では、二つ、三つ、四つまたは四つより多いロック要素１５２が提供される。ロック要素１５２は、ピンホール１２１の周りに周方向に均一に分布していてもよい。一実施形態では、ロック要素１５２が、ピンホール１２１の内周面に沿って周方向に実質的に連続している。ロック要素１５２は、その一端において、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５に固定的に接続されている。一実施形態では、ロック要素１５２がキャリアプレート１２０のベースプレート１２５と一体的に形成される。

一実施形態では、チャンバ１５３内の圧力を低減するために、チャンバ１５３が負圧に接続される。キャリアプレート１２０が第１支持体２１から解放される時に、チャンバ１５３は負圧に接続される。前述したように、一実施形態では、ピン２８の接触端の上方から流体を取り出すためのチャネルをピン２８が備える。一実施形態では、ピン２８におけるチャネルが、チャンバ１５３内の圧力を低減するために、チャンバ１５３から流体を取り出すように構成される。図２０に示されるように、一実施形態では、ピン２８のチャネルをチャンバ１５３に流通可能に接続するための複数の細孔１５４が提供される。細孔１５４の数および形状は特に限定されない。一実施形態では、細孔１５４を備えるメッシュが提供される。一実施形態では、メッシュが、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５と一体的に形成される。一実施形態では、ピン２８がキャリアプレート１２０を支持している時に、ピン２８内のチャネルがチャンバ１５３と流通可能に接続されるように、ピン２８の接触端がピン２８の長さ方向に完全には直交しない。

図２１は、チャンバ１５３内の圧力が低減される処理ステップを示す。チャンバ１５３内の圧力が下がる結果、ロック要素１５２がピン２８に向かって内側に曲がる。このため、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５と反対側の第１支持体２１の表面とロック要素１５２の係合が解除される。ロック要素１５２と第１支持体２１の係合が解除されると、キャリアプレート１２０はもはや第１支持体２１にロックされない。図２２に示されるように、キャリアプレート１２０は第１支持体２１から解放されうる。

図２３から図２５は、発明の実施形態に係る代替的な接続機構１５１を模式的に示す。図２３に示されるように、一実施形態では、チャンバ１５３がハウジング１５７によって定められる。一実施形態では、第１支持体２１と反対側のキャリアプレート１２０の表面から、ハウジング１５７の一部が突出している。一実施形態では、ハウジング１５７が、ベースプレート１２５と別のコンポーネントとして形成され、後にベースプレート１２５に接続される。発明の実施形態は、キャリアプレート１２０の製造を容易にすることが期待される。ベースプレート１２５のデザインは、よりシンプルになる。

一実施形態では、ハウジング１５７のために使用される材料が、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５のために使用される材料と異なる。図２３に示されるように、一実施形態では、ロック要素１５２が、チャンバ１５３を定めるハウジング１５７と一体的に形成される。

図２３に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が、アンロックチャネル部１５５を備える。アンロックチャネル部１５５は、流体がキャリアプレート１２０を第１支持体２１からアンロックするために流通可能なアンロックチャネルを定める。図２３に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が、ハウジング１５７をアンロックチャネル部１５５に接続するように構成される弾性メンバ１５６を備える。一実施形態では、アンロックチャネル部１５５が、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５の一部である。

図２４に示されるように、一実施形態では、ピン２８内のチャネルがアンロックチャネル部１５５内のアンロックチャネルに接続される。これは、チャンバ１５３内の圧力が低減されることを可能にする。チャンバ１５３内の圧力が低減されると、ハウジング１５７が、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５に対して下方に引っ張られる。図２４に示されるように、一実施形態では、ベースプレート１２５に対するハウジング１５７の下方への移動がロック要素１５２を曲げるように、ハウジング１５７がベースプレート１２５の表面に対して傾斜した部分を備える。ロック要素１５２が曲がると、ロック要素１５２と第１支持体２１の係合が解除される。ロック要素１５２と第１支持体２１の係合が解除されると、キャリアプレート１２０が第１支持体２１からアンロックされる。チャンバ１５３内の圧力が低減されると、弾性メンバ１５６は圧縮されうる。そうでない場合、図２３に示されるように、弾性メンバ１５６は、キャリアプレート１２０のベースプレート１２５に対するハウジング１５７の高い位置を維持する。図２５に示されるように、キャリアプレート１２０がアンロックされると、キャリアプレート１２０は第１支持体２１から解放されうる。

キャリアプレート１２０が提供されることは必須ではない。図２６は、発明の実施形態に係る第１支持体２１の模式的な平面図である。図２６に示されるように、一実施形態では、キャリアプレート１２０が提供されない。この結果、各ピンホール１２１を通ってピン２８が自由に延びられる。一実施形態では、ピン２８が、基板サポート２０の本体２２上に第１支持体２１を下ろすために使用されない。一実施形態では、基板Ｗを下ろすために使用されるピン２８と異なる位置に、ピン１６０の追加的な組が提供される。ピン１６０の上部の輪郭が図２６に示されている。一実施形態では、第１支持体２１より低い基板サポート２０の部分に、ピン１６０を通すためのピンホールの更なる組が提供される。例えば、このような更なるピンホールの組は、本体２２に提供される。ピン１６０は、本体２２における更なるピンホールの組を貫通し、第１支持体２１の下面を支持する。一方、基板Ｗを支持するためのピン２８は、本体２２および第１支持体２１の両方を貫通するピンホール１２１を貫通する。

代替的な実施形態では、基板Ｗを下ろすために使用されるピン２８が、第１支持体２１が本体２２上のターゲット位置と異なる回転位置にある時に、第１支持体２１を支持する。第１支持体２１は、ピン２８によって支持され、その回転方向において本体２２上に下ろされうる。第１支持体２１を通るピンホール１２１がピン２８と整列しないため、キャリアプレート１２０は必須ではない。これは、第１支持体２１が、その最終ターゲット位置に対して回転しているためである。第１支持体２１が本体２２によって支持されると、本体２２上のターゲット回転位置に到達するように第１支持体２１が回転される。第１支持体２１が本体２２上のターゲット位置に来ると、第１支持体２１の上方の基板Ｗを支持するためにピン２８がピンホール１２１を貫通できるように、ピンホール１２１が第１支持体２１と本体２２の間に整列する。一実施形態では、第１支持体２１を本体２２上で回転させる回転ツールが提供される。本体２２によって支持された第１支持体２１を回転させることによって、キャリアプレート１２０を提供する必要がなく、ピン１６０の別の組を提供する必要がない。

図２７は、発明の実施形態に係る第１支持体２１の模式的な平面図である。図２７に示されるように、第１支持体２１は、ハンドリングのために把持されている。図２７に示されるように、一実施形態では、第１支持体２１を把持するために複数のエッジグリッパ１６１が提供される。エッジグリッパ１６１は、第１支持体２１の外縁を把持するように構成される。一実施形態では、エッジグリッパ１６１が、第１支持体２１のハンドリングのためのハンドリングツールとは別のハンドリングツールに構成される。別のハンドリングツールを提供することによって、第１支持体２１を下ろすためのピン２８を使用する必要がなく、キャリアプレート１２０を提供する必要がない。

図２８は、発明の実施形態に係る第１支持体２１の模式的な平面図である。図２８に示されるように、第１支持体２１は、ハンドリングのために把持されている。図２８に示されるように、一実施形態では、第１支持体２１の上部を把持するために、上部グリッパ１６２が提供される。上部グリッパ１６２を提供することによって、キャリアプレート１２０または支持体２１のハンドリングのためのピン１６０の異なる組を提供する必要がない。一実施形態では、上部グリッパ１６２が、第１支持体２１のハンドリングのためのハンドリングツールと別のハンドリングツールに構成される。別のハンドリングツールは、基板Ｗを第１支持体２１上に下ろすために使用されるピン２８から分離されている。

図において例示された異なる実施形態において示された特徴は、互換性を欠くことが明らかでない限り互いに組み合わされうる。単なる一例として、第１支持体２１の下側にバール４７を提供する特徴（図８に示される）が、図５、９、１０または１１に示される配置に適用されてもよい。特に、図９に示される配置は、本体２２の上側にあるバール６５を、第１支持体２１の下側に提供されるバール４７で置換することによって変更されうる。図に示される特徴の他の組合せも、同様に可能である。

Claims (15)

1. 基板を支持するように構成される第１支持体と、
   第１支持体から分離され、第１支持体を支持するように構成される本体であって、本体、第１支持体および／または基板を熱的に調整するように構成される熱コンディショナを備える本体と、
   本体および第１支持体を囲む取出体であって、基板の周縁部の近くから流体を取り出すように構成される第１取出チャネルを備える取出体と、
   を備える、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板サポート。
2. 本体から分離され、基板ステージ上で本体を支持するように構成される第２支持体であって、基板サポートと基板ステージの間の相対移動を低減するように構成される第２支持体を備える、請求項１に記載の基板サポート。
3. 本体は、その上側に、第１支持体を支持するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備え、
   または、
   第１支持体は、その下側に、本体の上側に接触するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備える、
   請求項１または２に記載の基板サポート。
4. 取出体は、第１取出チャネルの径方向の内側から流体を取り出すように構成される第２取出チャネルであって、基板の周縁部の下方から流体を取り出すように構成され、液体が基板の中央部と第１支持体の間の空間に到達することを防止し、開いたギャップによって第１取出チャネルから隔離される第２取出チャネルを備える、請求項１から３のいずれかに記載の基板サポート。
5. 開いたギャップまたは流路が、取出体、本体、第１支持体の間に形成され、または、取出体が本体と一体的に形成される、請求項１から４のいずれかに記載の基板サポート。
6. 開いたギャップまたは流路が、大気圧または圧力源との間で流体を流通させ、および／または、本体が取出体の下方に延び、取出体の下側が本体に結合され、取出体と本体の間に接着層が提供される、請求項５に記載の基板サポート。
7. 熱コンディショナが本体の表面下に取り付けられ、および／または、第１支持体上に基板を下ろすための各ピンが貫通できるように構成されるピンホールが、第１支持体の厚さ方向に第１支持体を貫通する、請求項１から６のいずれかに記載の基板サポート。
8. 第１支持体に対して結合可能および解放可能に構成され、第１支持体に結合されている時にピンホールを覆うように構成されるキャリアプレートを備える、請求項７に記載の基板サポート。
9. 第１支持体は、その上側に、基板を支持するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備え、
   キャリアプレートは、第１支持体の上側のバールの末端がキャリアプレートから隔離されながら、キャリアプレートが第１支持体の上側のバールの間で第１支持体によって支持されるように構成される接続突起を備える、
   または、
   第１支持体は、その上側に、基板を支持するように構成される面内に末端を有する複数のバールを備え、
   キャリアプレートは、第１支持体に対向する表面が十分に平坦であり、キャリアプレートが第１支持体に結合される時に、第１支持体の上側のバールの末端がキャリアプレートを支持する、
   請求項８に記載の基板サポート。
10. キャリアプレートが第１支持体に結合される時に、キャリアプレートを第１支持体に一時的に接着するための接着材料を備える、および／または、キャリアプレートが第１開口を少なくとも一つの第２開口に流通可能に接続するための少なくとも一つの内部チャネルを備え、キャリアプレートが第１支持体に結合される時にキャリアプレートがピンホールの一つを覆う位置に第１開口があり、キャリアプレートが第１支持体の上側に対向する位置に第２開口がある、および／または、キャリアプレートが導電材料およびキャリアプレートが第１支持体に結合される時に導電材料を第１支持体から電気的に絶縁するように構成される絶縁層を備える、および／または、キャリアプレートが第１支持体の各ピンホールにキャリアプレートを機械的にロックするように構成される少なくとも一つの接続機構を備える、請求項８または９に記載の基板サポート。
11. 接続機構は、各ピンを受けるように構成されるチャンバを備え、接続機構は、チャンバ内の圧力がチャンバ外の大気圧より十分に低く、キャリアプレートが第１支持体から解放されうる時に、ロックを解放するように構成される、請求項１０に記載の基板サポート。
12. 基板ステージと、
    取出体の下側が基板ステージに取り付けられる請求項５または６に記載の基板サポートと、
    を備える基板テーブル。
13. 液体が基板の中央部と第１支持体の間に到達することを防止するように取出体が構成されるように、基板の下方の取出体の少なくとも一部の高さを制御するように構成される高さ調整機構を備える、請求項１２に記載の基板テーブル。
14. 高さ調整機構は、取出体の下側と基板ステージの間のインサートメンバと、取出体をインサートメンバに結合するように構成されるファスナと、を備え、
    インサートメンバは、基板の下方の取出体の高さを制御するためにファスナが取出体をインサートメンバに結合する時に、インサートメンバが圧縮されるように切欠部と共に構成される、
    または、
    取出体は、取出体の残りに固定される下部と、取出体と第１支持体の間に延びる上部と、を備えるリーフスプリングを備え、
    高さ調整機構は、液体が基板の中央部と第１支持体の間に到達することを防止するように上部が構成されるように、基板の下方の上部の高さを制御するように構成される、
    請求項１３に記載の基板テーブル。
15. 基板ステージと、
    取出体が基板ステージに設けられる請求項１から４のいずれかに記載の基板サポートと、
    を備える基板テーブル。

Images