JP2012225909A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
前記複数の光検出部と複数の凸部を有する凸領域とを備え、複数の前記凸領域がそれぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列されている基板の上に、前記複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
複数の凸部を有する凸領域を複数備える基板の上に、複数の前記凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
隣り合う光検出部間に前記亀裂が重なるように、該亀裂が形成されたシンチレータ層を備える基板を、前記複数の光検出部に対向配置する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 前記亀裂に光を拡散する部材又は光を反射する部材を充填する工程を更に有することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 放射線検出素子であって、
複数の光検出部と、
複数の凸部を有する凸領域と、
複数の前記凸領域に跨るように設けられたシンチレータ層と、
を備え、
複数の前記凸領域は、それぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列され、
前記シンチレータ層は、隣り合う前記凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を有し、
以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 前記tが1μm以上且つ15μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出素子。
- 前記凸領域における凸部の配列がハニカムであることを特徴とする請求項4または5に記載の放射線検出素子。
- 前記亀裂に光を拡散する部材が配置されていることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記亀裂に光を反射する部材が配置されていることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
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