JP2012225909A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012225909A5 JP2012225909A5 JP2012058773A JP2012058773A JP2012225909A5 JP 2012225909 A5 JP2012225909 A5 JP 2012225909A5 JP 2012058773 A JP2012058773 A JP 2012058773A JP 2012058773 A JP2012058773 A JP 2012058773A JP 2012225909 A5 JP2012225909 A5 JP 2012225909A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- convex
- scintillator layer
- regions
- adjacent
- light detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 210000003660 Reticulum Anatomy 0.000 claims 1
Claims (8)
- 複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
前記複数の光検出部と複数の凸部を有する凸領域とを備え、複数の前記凸領域がそれぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列されている基板の上に、前記複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
０．６≦ｓ／ｔ＜０．９
ｄ＜Ｄ＜４．６ｈ
ここで、
ｔは、凸領域における複数の凸部の配列周期
ｓは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ（径）
ｈは、凸領域における個々の凸部の高さ
ｄは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Ｄは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
複数の凸部を有する凸領域を複数備える基板の上に、複数の前記凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
隣り合う光検出部間に前記亀裂が重なるように、該亀裂が形成されたシンチレータ層を備える基板を、前記複数の光検出部に対向配置する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
０．６≦ｓ／ｔ＜０．９
ｄ＜Ｄ＜４．６ｈ
ここで、
ｔは、凸領域における複数の凸部の配列周期
ｓは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ（径）
ｈは、凸領域における個々の凸部の高さ
ｄは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Ｄは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 前記亀裂に光を拡散する部材又は光を反射する部材を充填する工程を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 放射線検出素子であって、
複数の光検出部と、
複数の凸部を有する凸領域と、
複数の前記凸領域に跨るように設けられたシンチレータ層と、
を備え、
複数の前記凸領域は、それぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列され、
前記シンチレータ層は、隣り合う前記凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を有し、
以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子。
０．６≦ｓ／ｔ＜０．９
ｄ＜Ｄ＜４．６ｈ
ここで、
ｔは、凸領域における複数の凸部の配列周期
ｓは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ（径）
ｈは、凸領域における個々の凸部の高さ
ｄは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Ｄは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 前記ｔが１μｍ以上且つ１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出素子。
- 前記凸領域における凸部の配列がハニカムであることを特徴とする請求項４または５に記載の放射線検出素子。
- 前記亀裂に光を拡散する部材が配置されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の放射線検出素子。
- 前記亀裂に光を反射する部材が配置されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の放射線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012058773A JP5875420B2 (ja) | 2011-04-07 | 2012-03-15 | 放射線検出素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011085804 | 2011-04-07 | ||
| JP2011085804 | 2011-04-07 | ||
| JP2012058773A JP5875420B2 (ja) | 2011-04-07 | 2012-03-15 | 放射線検出素子およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012225909A JP2012225909A (ja) | 2012-11-15 |
| JP2012225909A5 true JP2012225909A5 (ja) | 2015-04-30 |
| JP5875420B2 JP5875420B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=46965356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012058773A Expired - Fee Related JP5875420B2 (ja) | 2011-04-07 | 2012-03-15 | 放射線検出素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8624194B2 (ja) |
| JP (1) | JP5875420B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5767512B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2015-08-19 | キヤノン株式会社 | 放射線検出素子及び放射線検出器 |
| KR102090289B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| JP6671839B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2020-03-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び撮像システム |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07500454A (ja) * | 1991-07-31 | 1995-01-12 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 粒子検出器の空間分解能の改良 |
| JP2721476B2 (ja) * | 1993-07-07 | 1998-03-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出素子及びその製造方法 |
| US5368882A (en) * | 1993-08-25 | 1994-11-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for forming a radiation detector |
| CA2131243A1 (en) * | 1993-09-27 | 1995-03-28 | Kenneth R. Paulson | Process for forming a phosphor |
| CN107425020B (zh) * | 2009-06-17 | 2019-10-18 | 密执安州立大学董事会 | 辐射传感器 |
-
2012
- 2012-03-15 JP JP2012058773A patent/JP5875420B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-04 US US13/439,318 patent/US8624194B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014515123A5 (ja) | ||
| JP2013137997A5 (ja) | 封止体及び発光装置 | |
| JP2012190790A5 (ja) | 照明装置 | |
| CL2012003620A1 (es) | Sistema de doblado por flexion que comprende un molde de soporte de vidrio de doblado por flexion que tiene una forma de cuadrilatero, una superificie superior colectiva y una periferia, una pluralidad de miembros de soporte, un gestor termico de perimetro dimensionado una porcion superior dimensionada, una porcion inferior dimensionada y posicionada para extenderse por debajo de la porcion de periferia de un molde de soporte. | |
| JP2016174148A5 (ja) | ||
| JP2009300414A5 (ja) | ||
| JP2014056815A5 (ja) | ||
| JP2011517035A5 (ja) | ||
| JP2012504307A5 (ja) | ||
| JP2012037912A5 (ja) | 発光装置 | |
| JP2012524382A5 (ja) | ||
| JP2011525994A5 (ja) | ||
| JP2011014894A5 (ja) | ||
| JP2013008941A5 (ja) | ||
| JP2009508700A5 (ja) | ||
| JP2010500124A5 (ja) | ||
| JP2010538479A5 (ja) | ||
| JP2011220774A5 (ja) | ||
| JP2013062493A5 (ja) | ||
| JP2014049367A5 (ja) | ||
| JP2013523484A5 (ja) | ||
| JP2014072415A5 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2013055318A5 (ja) | ||
| CL2014000723A1 (es) | Reflector cuasi-parabolico para un concentrador solar cuasi-parabolico que comprende una superficie reflectante concava, una primera porcion reflectante, una segunda porcion reflectante, donde la primera area focal y la segunda area focal estan a una distancia focal desde el lado concavo de la superficie reflectante concava; metodo. | |
| JP2014508314A5 (ja) |